JPH06196779A - 光発生装置 - Google Patents
光発生装置Info
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- JPH06196779A JPH06196779A JP4343921A JP34392192A JPH06196779A JP H06196779 A JPH06196779 A JP H06196779A JP 4343921 A JP4343921 A JP 4343921A JP 34392192 A JP34392192 A JP 34392192A JP H06196779 A JPH06196779 A JP H06196779A
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- Japan
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- semiconductor laser
- grating
- laser
- light
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 光ディスクの高密度記録や画像処理等で要求
されている小型且つ安定で高効率な短波長光源を提供す
る。 【構成】 マルチモード半導体レーザー１とグレーティ
ング３を組み合わせることで、安定で高効率な短波長光
や固体レーザーが実現される。
されている小型且つ安定で高効率な短波長光源を提供す
る。 【構成】 マルチモード半導体レーザー１とグレーティ
ング３を組み合わせることで、安定で高効率な短波長光
や固体レーザーが実現される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高密度光ディスクシス
テム等に使用する半導体レーザーや半導体レーザーを励
起光源とする固体レーザー及び短波長光源の高効率化及
び安定化に関するものである。
テム等に使用する半導体レーザーや半導体レーザーを励
起光源とする固体レーザー及び短波長光源の高効率化及
び安定化に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザーを励起光源として高効率
波長変換によりグリーン、ブルー光源を得ることが、光
ディスクの高密度記録や画像処理等で要求されている。
ここで得られる出力光は横モードがガウシアンで回折限
界近くまで集光でき、且つ出力が数mW程度で周波数的に
も時間的にも安定であることが必要である。
波長変換によりグリーン、ブルー光源を得ることが、光
ディスクの高密度記録や画像処理等で要求されている。
ここで得られる出力光は横モードがガウシアンで回折限
界近くまで集光でき、且つ出力が数mW程度で周波数的に
も時間的にも安定であることが必要である。
【０００３】半導体レーザーを光源として数十mW以上の
高出力短波長光源を得るには、波長変換素子として擬位
相整合（以下、ＱＰＭと記す。）方式の分極反転導波路
（山本他、オプティクス・レターズ Optics Letters V
ol.16, No.15, 1156 (1991)）を用いたり、単一縦モー
ドスペクトルの半導体レーザーを励起光源として固体レ
ーザーの共振器内部に波長変換素子を挿入して高調波を
得る内部共振器型が有力である。ここでは非線形光学結
晶としてＱＰＭ方式の分極反転導波路を例にとって説明
する。
高出力短波長光源を得るには、波長変換素子として擬位
相整合（以下、ＱＰＭと記す。）方式の分極反転導波路
（山本他、オプティクス・レターズ Optics Letters V
ol.16, No.15, 1156 (1991)）を用いたり、単一縦モー
ドスペクトルの半導体レーザーを励起光源として固体レ
ーザーの共振器内部に波長変換素子を挿入して高調波を
得る内部共振器型が有力である。ここでは非線形光学結
晶としてＱＰＭ方式の分極反転導波路を例にとって説明
する。
【０００４】現在、ＱＰＭ方式の分極反転導波路を用い
て、半導体レーザーの導波路内への入射光強度35mWに対
し1.1mWのブルー光が得られている。しかし、ＱＰＭ分
極反転導波路素子は波長許容度が0.2nmしかなく、また
半導体レーザーの温度の変化に対する発振波長の揺らぎ
が0.2nm/℃あり、戻り光によるモードホップが1nm程度
あるため、出力は数秒しか安定しない。そのため、半導
体レーザーの波長安定化が不可欠となる。
て、半導体レーザーの導波路内への入射光強度35mWに対
し1.1mWのブルー光が得られている。しかし、ＱＰＭ分
極反転導波路素子は波長許容度が0.2nmしかなく、また
半導体レーザーの温度の変化に対する発振波長の揺らぎ
が0.2nm/℃あり、戻り光によるモードホップが1nm程度
あるため、出力は数秒しか安定しない。そのため、半導
体レーザーの波長安定化が不可欠となる。
【０００５】また、固体レーザーの内部共振器型を用い
て、半導体レーザーのNd:YVO4への励起強度が50mWに対
し3mW程度のグリーン光を得ている。しかし、レーザー
材料の吸収スペクトルの半値幅はNd:YVO4の場合数nmで
あり、モードホップや縦モードのマルチ化は出力ノイズ
の原因となる。そのため、半導体レーザーの波長安定化
が不可欠となる。
て、半導体レーザーのNd:YVO4への励起強度が50mWに対
し3mW程度のグリーン光を得ている。しかし、レーザー
材料の吸収スペクトルの半値幅はNd:YVO4の場合数nmで
あり、モードホップや縦モードのマルチ化は出力ノイズ
の原因となる。そのため、半導体レーザーの波長安定化
が不可欠となる。
【０００６】このように縦モードがシングルモードの半
導体レーザーを励起光とした光発生装置においては、半
導体レーザーの出射側にグレーティングを設置した半導
体レーザーを励起光とした分極反転型導波路型短波長光
源（概略構成図を図５）や、内部共振器型固体レーザー
を用いた短波長光源（概略構成図を図６）が提案され
た。
導体レーザーを励起光とした光発生装置においては、半
導体レーザーの出射側にグレーティングを設置した半導
体レーザーを励起光とした分極反転型導波路型短波長光
源（概略構成図を図５）や、内部共振器型固体レーザー
を用いた短波長光源（概略構成図を図６）が提案され
た。
【０００７】概略構成図５において５０１は0.83μm帯
の50mW級AlGaAs半導体レーザー、５０２はコリメートレ
ンズ、５０３はλ／２板、５０４はN.A.=0.6のフォーカ
シングレンズ、５０５は半導体レーザーの光軸に対して
θだけ傾斜して設置されたグレーティングである。グレ
ーティング５０５の形状は直線形状である。半導体レー
ザー５０１の後端面５０６には高反射率コートが施して
ある。グレーティングで反射した波長830nmのレーザー
光は、λ／２板５０３で偏向方向を回転させフォーカシ
ングレンズ５０４で導波路端面５０７に集光され、周期
3.7μmの分極反転層をもつ分極反転導波路５０８を伝ぱ
んした光は波長415nmに波長変換され、導波路端面５０
９より出射される。
の50mW級AlGaAs半導体レーザー、５０２はコリメートレ
ンズ、５０３はλ／２板、５０４はN.A.=0.6のフォーカ
シングレンズ、５０５は半導体レーザーの光軸に対して
θだけ傾斜して設置されたグレーティングである。グレ
ーティング５０５の形状は直線形状である。半導体レー
ザー５０１の後端面５０６には高反射率コートが施して
ある。グレーティングで反射した波長830nmのレーザー
光は、λ／２板５０３で偏向方向を回転させフォーカシ
ングレンズ５０４で導波路端面５０７に集光され、周期
3.7μmの分極反転層をもつ分極反転導波路５０８を伝ぱ
んした光は波長415nmに波長変換され、導波路端面５０
９より出射される。
【０００８】同様に概略構成図６において、６０１は80
9nm帯の60mW級AlGaAs半導体レーザー、６０２はコリメ
ートレンズ、６０３はf=12.5mmのフォーカシングレン
ズ、６０４は半導体レーザーの光軸に対してθだけ傾斜
して設置されたグレーティングである。グレーティング
６０４の形状は直線形状である。入射角30゜に対し深さ
0.29μm、ピッチ0.83μmの時、回折効率は10％程度が得
られ、安定な単一モード発振が得られた。半導体レーザ
ーの端面６０５から放射された光はコリメートレンズ６
０２により平行光にされグレーティング６０４により一
部が半導体レーザーの活性層６０６に帰還し、残りは反
射光（０次回折光）として、f=12.5mmのフォーカシング
レンズ６０３によりNd:YVO4６０７の端面６０８に集光
される。出力ミラー６０９とNd:YVO4の端面６０８で共
振した基本波は非線形光学結晶６１０により波長変換さ
れ出力ミラー６０９より出射される。
9nm帯の60mW級AlGaAs半導体レーザー、６０２はコリメ
ートレンズ、６０３はf=12.5mmのフォーカシングレン
ズ、６０４は半導体レーザーの光軸に対してθだけ傾斜
して設置されたグレーティングである。グレーティング
６０４の形状は直線形状である。入射角30゜に対し深さ
0.29μm、ピッチ0.83μmの時、回折効率は10％程度が得
られ、安定な単一モード発振が得られた。半導体レーザ
ーの端面６０５から放射された光はコリメートレンズ６
０２により平行光にされグレーティング６０４により一
部が半導体レーザーの活性層６０６に帰還し、残りは反
射光（０次回折光）として、f=12.5mmのフォーカシング
レンズ６０３によりNd:YVO4６０７の端面６０８に集光
される。出力ミラー６０９とNd:YVO4の端面６０８で共
振した基本波は非線形光学結晶６１０により波長変換さ
れ出力ミラー６０９より出射される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】現状では単一縦モード
で発振可能な半導体レーザーの出力は１００ｍＷ程度で
あり、これらの半導体レーザーを励起光とした場合に得
られるグリーンやブルー光の出力は１０ｍＷ以下であ
る。しかしながら、光ディスクの書き込み用光源などの
ように１０ｍＷ以上のグリーン、ブルー光源も求められ
ている。
で発振可能な半導体レーザーの出力は１００ｍＷ程度で
あり、これらの半導体レーザーを励起光とした場合に得
られるグリーンやブルー光の出力は１０ｍＷ以下であ
る。しかしながら、光ディスクの書き込み用光源などの
ように１０ｍＷ以上のグリーン、ブルー光源も求められ
ている。
【００１０】１００ｍＷ以上の半導体レーザーは縦モー
ドスペクトルがマルチモードであり高効率でかつ安定な
出力を得ることが難しい。
ドスペクトルがマルチモードであり高効率でかつ安定な
出力を得ることが難しい。
【００１１】本発明は以上示したような半導体レーザー
と分極反転型導波路や固体レーザーを組み合わせた短波
長光源の課題を克服し、高効率且つ安定な高調波出力を
提供することを目的とする。
と分極反転型導波路や固体レーザーを組み合わせた短波
長光源の課題を克服し、高効率且つ安定な高調波出力を
提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、 （１）縦モードスペクトルがマルチモードの半導体レー
ザーと、溝本数が１４００本／ｍｍ以上２０００本／ｍ
ｍ以下のフィードバック用グレーティングを備え、前記
グレーティングにより半導体レーザーの縦モードスペク
トルをロックし、前記グレーティングからの反射光を固
体レーザー結晶の励起光源として用いることで安定でか
つ高効率な光源を得ようとするものである。
ザーと、溝本数が１４００本／ｍｍ以上２０００本／ｍ
ｍ以下のフィードバック用グレーティングを備え、前記
グレーティングにより半導体レーザーの縦モードスペク
トルをロックし、前記グレーティングからの反射光を固
体レーザー結晶の励起光源として用いることで安定でか
つ高効率な光源を得ようとするものである。
【００１３】また本発明は、 （２）縦モードスペクトルがマルチモードの半導体レー
ザーと、溝本数が１４００本／ｍｍ以上２０００本／ｍ
ｍ以下のフィードバック用グレーティングを備え、前記
グレーティングにより半導体レーザーの縦モードスペク
トルをロックし、前記グレーティングからの反射光を非
線形光学結晶の励起光源として用いることで安定でかつ
高効率な光源を得ようとするものである。
ザーと、溝本数が１４００本／ｍｍ以上２０００本／ｍ
ｍ以下のフィードバック用グレーティングを備え、前記
グレーティングにより半導体レーザーの縦モードスペク
トルをロックし、前記グレーティングからの反射光を非
線形光学結晶の励起光源として用いることで安定でかつ
高効率な光源を得ようとするものである。
【００１４】
【作用】本発明は、縦モードがマルチモードの高出力
（１００ｍＷ以上）半導体レーザーとグレーティングを
組み合わせ、グレーティングからの回折光を半導体レー
ザーに戻して半導体レーザから出射する光の波長を安定
化でき、また縦モードスペクトルを狭くできるため、安
定でかつ高効率なグリーンやブルーの高調波光が実現さ
れるものである。
（１００ｍＷ以上）半導体レーザーとグレーティングを
組み合わせ、グレーティングからの回折光を半導体レー
ザーに戻して半導体レーザから出射する光の波長を安定
化でき、また縦モードスペクトルを狭くできるため、安
定でかつ高効率なグリーンやブルーの高調波光が実現さ
れるものである。
【００１５】
【実施例】本発明のマルチモード半導体レーザーとグレ
ーティングフィードバックを備えた概略構成図を図１に
示す。
ーティングフィードバックを備えた概略構成図を図１に
示す。
【００１６】図１は１は0.83μm帯の200mW級AlGaAs半導
体レーザー、２はN.A.=0.55のコリメートレンズ、３は
半導体レーザーの光軸に対してθだけ傾斜して設置され
たグレーティングである。
体レーザー、２はN.A.=0.55のコリメートレンズ、３は
半導体レーザーの光軸に対してθだけ傾斜して設置され
たグレーティングである。
【００１７】半導体レーザーの端面４から出射したレー
ザー光はN.A.=0.55のコリメートレンズ２により平行光
にされグレーティング３の波長分散効果によりある特定
の波長だけが半導体レーザーの端面４に集光され活性層
５に光帰還して半導体レーザーの波長が安定化する。グ
レーティング３は、次式ピッチｄを持つ直線形状であ
る。
ザー光はN.A.=0.55のコリメートレンズ２により平行光
にされグレーティング３の波長分散効果によりある特定
の波長だけが半導体レーザーの端面４に集光され活性層
５に光帰還して半導体レーザーの波長が安定化する。グ
レーティング３は、次式ピッチｄを持つ直線形状であ
る。
【００１８】ｄ＝λ／（２sinθ） （１） λはＬＤの発振波長、ｄはグレーティングのピッチ、θ
はレーザー光の光軸とグレーティングのなす角である。
はレーザー光の光軸とグレーティングのなす角である。
【００１９】このときに重要なパラメータは (1)半導体レーザーの端面４の反射率 (2)半導体レーザーの活性層の厚みとグレーティングの
ピッチの関係 である。グレーティングによる半導体レーザーの活性層
へのフィードバック量を数％程度にしたとき、端面４の
反射率と相対雑音強度（ＲＩＮ）の関係を図２に示す。
０．５％以下の反射率ではグレーティングによるフィー
ドバック量が小さいため発振しきい値が上がってしまう
ため高い出力が取り出せなかった。また、フィードバッ
ク量の変化に対する出力の変化が大きかった。０．５％
以上の反射率では容易に発振が起こり、出力も２００ｍ
Ｗ程度まで取り出すことが可能であり、そのときのＲＩ
Ｎは-150dB/Hz以下であった。しかしながら端面４の反
射率が２．５％以上ではロックの状態が不安定となり、
５％以上ではロックがかからなくなった。このときのＲ
ＩＮは-115dB/Hz程度であった。この結果、半導体レー
ザーの出射端面４の反射率は０．５％以上２．５％以下
であることが最適であることがわかる。
ピッチの関係 である。グレーティングによる半導体レーザーの活性層
へのフィードバック量を数％程度にしたとき、端面４の
反射率と相対雑音強度（ＲＩＮ）の関係を図２に示す。
０．５％以下の反射率ではグレーティングによるフィー
ドバック量が小さいため発振しきい値が上がってしまう
ため高い出力が取り出せなかった。また、フィードバッ
ク量の変化に対する出力の変化が大きかった。０．５％
以上の反射率では容易に発振が起こり、出力も２００ｍ
Ｗ程度まで取り出すことが可能であり、そのときのＲＩ
Ｎは-150dB/Hz以下であった。しかしながら端面４の反
射率が２．５％以上ではロックの状態が不安定となり、
５％以上ではロックがかからなくなった。このときのＲ
ＩＮは-115dB/Hz程度であった。この結果、半導体レー
ザーの出射端面４の反射率は０．５％以上２．５％以下
であることが最適であることがわかる。
【００２０】次に半導体レーザーの活性層の厚みとグレ
ーティングのピッチの関係を示す。半導体レーザーの活
性層の長さは６００μｍ程度でありこのときの縦モード
間隔は０．２ｎｍ程度である。この０．２ｎｍに対する
グレーティングの波長分散効果を（１）式を使って求め
る。結果を表１に示す。
ーティングのピッチの関係を示す。半導体レーザーの活
性層の長さは６００μｍ程度でありこのときの縦モード
間隔は０．２ｎｍ程度である。この０．２ｎｍに対する
グレーティングの波長分散効果を（１）式を使って求め
る。結果を表１に示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】この結果から、N.A.=0.55のコリメートレ
ンズ用いたときの半導体レーザーの端面５上での集光位
置のとなりの縦モードとの距離を計算した。この結果も
表１に示す。半導体レーザーの活性層の厚みが１μｍ程
度であることを考慮して、実際に実験を行った。単一縦
モードにロックされたのは、ピッチが１４００本／ｍｍ
以上２０００本／ｍｍ以下であった。２０００本／ｍｍ
以上のグレーティングでロックがかからなかったのは、
８３０ｎｍ程度の波長に対してほとんど回折効率が得ら
れないためであり、波長８３０ｎｍ帯のマルチモード半
導体レーザーをシングルモード化するためには、ピッチ
が１４００本／ｍｍ以上２０００本／ｍｍ以下のグレー
ティングを用いなければならない。
ンズ用いたときの半導体レーザーの端面５上での集光位
置のとなりの縦モードとの距離を計算した。この結果も
表１に示す。半導体レーザーの活性層の厚みが１μｍ程
度であることを考慮して、実際に実験を行った。単一縦
モードにロックされたのは、ピッチが１４００本／ｍｍ
以上２０００本／ｍｍ以下であった。２０００本／ｍｍ
以上のグレーティングでロックがかからなかったのは、
８３０ｎｍ程度の波長に対してほとんど回折効率が得ら
れないためであり、波長８３０ｎｍ帯のマルチモード半
導体レーザーをシングルモード化するためには、ピッチ
が１４００本／ｍｍ以上２０００本／ｍｍ以下のグレー
ティングを用いなければならない。
【００２３】ここでもう一つ重要なことは半導体レーザ
ーのグレーティングからの反射光が固体レーザー結晶上
や非線形光学結晶上に集光できることである。１Ｗ級の
マルチモードの半導体レーザーは活性層の幅が５０μｍ
以上あり、たとえ縦モードスペクトルを単一化しても高
効率化が望めない。半導体レーザー励起固体レーザーに
おいてＬＤ出力１００ｍＷに対して得られた出力と活性
層の幅の関係を図３に示す。活性層の幅が５０μｍの半
導体レーザーで励起したときに得られる出力強度は、シ
ングルモードレーザー（活性層幅、４μｍ）の約８５％
程度が得られたが、活性層幅が１００μｍで励起した場
合には得られた出力の強度は３０％程度しか得られなか
った。この結果、高効率な固体レーザーの発振が得られ
るためには活性層の幅が５０μｍ以下であることが必要
である。
ーのグレーティングからの反射光が固体レーザー結晶上
や非線形光学結晶上に集光できることである。１Ｗ級の
マルチモードの半導体レーザーは活性層の幅が５０μｍ
以上あり、たとえ縦モードスペクトルを単一化しても高
効率化が望めない。半導体レーザー励起固体レーザーに
おいてＬＤ出力１００ｍＷに対して得られた出力と活性
層の幅の関係を図３に示す。活性層の幅が５０μｍの半
導体レーザーで励起したときに得られる出力強度は、シ
ングルモードレーザー（活性層幅、４μｍ）の約８５％
程度が得られたが、活性層幅が１００μｍで励起した場
合には得られた出力の強度は３０％程度しか得られなか
った。この結果、高効率な固体レーザーの発振が得られ
るためには活性層の幅が５０μｍ以下であることが必要
である。
【００２４】半導体レーザー励起固体レーザにおいて、
最適にマルチモード半導体レーザーのロックしたとき、
ＬＤ出力と得られた固体レーザー出力の関係を図４に示
す。ロックされていない時と比べると２倍の出力が得ら
れることがわかる。
最適にマルチモード半導体レーザーのロックしたとき、
ＬＤ出力と得られた固体レーザー出力の関係を図４に示
す。ロックされていない時と比べると２倍の出力が得ら
れることがわかる。
【００２５】以上の実施例においては半導体レーザー励
起固体レーザーについて説明したが、ＱＰＭ方式の分極
反転導波路のような非線形光学結晶による波長変換にお
いても、上記実施例に示すグレ−ティングフィードバッ
ク半導体レーザー用いると同じような効果が得られる。
起固体レーザーについて説明したが、ＱＰＭ方式の分極
反転導波路のような非線形光学結晶による波長変換にお
いても、上記実施例に示すグレ−ティングフィードバッ
ク半導体レーザー用いると同じような効果が得られる。
【００２６】
【発明の効果】本発明は、マルチモードの半導体レーザ
ーとフィードバック用グレーティングを備えた光発生装
置を励起光源として、ＱＰＭ分極反転導波路などの非線
形光学結晶及び固体レーザーにより安定で高出力のグリ
ーンやブルーの短波長光源が実現されるので、出力が低
ノイズで安定であることが必要とされる光ディスクや計
測用の光源を実現できその実用的効果は大きい。
ーとフィードバック用グレーティングを備えた光発生装
置を励起光源として、ＱＰＭ分極反転導波路などの非線
形光学結晶及び固体レーザーにより安定で高出力のグリ
ーンやブルーの短波長光源が実現されるので、出力が低
ノイズで安定であることが必要とされる光ディスクや計
測用の光源を実現できその実用的効果は大きい。
【図１】本発明のマルチモード半導体レーザーとフィー
ドバック用グレーティングを組み合せた光発生装置の概
略構成図
ドバック用グレーティングを組み合せた光発生装置の概
略構成図
【図２】本発明の光発生装置の半導体レーザーの端面反
射率と相対雑音強度の関係図
射率と相対雑音強度の関係図
【図３】本発明の光発生装置の半導体レーザーの活性層
の幅と出力強度の関係図
の幅と出力強度の関係図
【図４】励起用マルチモード半導体レーザーのフィード
バック用グレーティングが有る場合と無い場合の固体レ
ーザーから得られる出力強度を表す図
バック用グレーティングが有る場合と無い場合の固体レ
ーザーから得られる出力強度を表す図
【図５】従来のグレーティングフィードバックを用いた
半導体レーザーと分極反転型導波路の組み合わせによる
短波長光源の概略構成図
半導体レーザーと分極反転型導波路の組み合わせによる
短波長光源の概略構成図
【図６】従来のグレーティングフィードバックを用いた
半導体レーザーと内部共振器型固体レーザーの組み合わ
せによる短波長光源の概略構成図
半導体レーザーと内部共振器型固体レーザーの組み合わ
せによる短波長光源の概略構成図
１ 半導体レーザ ２ コリメートレンズ ３ グレーティング ４ 端面 ５ 活性層 ５０１ 半導体レーザー ５０２ コリメートレンズ ５０３ λ／２ ５０４ フォーカシングレンズ ５０５ グレーティング ５０６ 端面 ５０７ 端面 ５０８ 分極反転導波路 ５０９ 端面 ６０１ 半導体レーザー ６０２ コリメートレンズ ６０３ フォーカシングレンズ ６０４ グレーティング ６０５ 端面 ６０６ 活性層 ６０７ Nd:YVO4 ６０８ 端面 ６０９ 出力ミラー ６１０ 非線形光学結晶
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｓ 3/109 8934−4Ｍ 3/133 (72)発明者 加藤 誠 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】縦モードスペクトルがマルチモードの半導
体レーザーと、溝本数が１４００本／ｍｍ以上２０００
本／ｍｍ以下のフィードバック用グレーティングを備
え、前記グレーティングにより半導体レーザーの縦モー
ドスペクトルをロックし、前記グレーティングからの反
射光を固体レーザー結晶の励起光源として用いる構成を
特徴とする光発生装置。 - 【請求項２】縦モードスペクトルがマルチモードの半導
体レーザーと、溝本数が１４００本／ｍｍ以上２０００
本／ｍｍ以下のフィードバック用グレーティングを備
え、前記グレーティングにより半導体レーザーの縦モー
ドスペクトルをロックし、前記グレーティングからの反
射光を非線形光学結晶の励起光源として用いる構成を特
徴とする光発生装置。 - 【請求項３】上記半導体レーザーにおいて、出射端面の
反射率が０．５％以上２．５％以下であることを特徴と
する請求項１または２記載の光発生装置。 - 【請求項４】上記半導体レーザーにおいて、活性層の幅
が５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１または
２記載の光発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4343921A JPH06196779A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 光発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4343921A JPH06196779A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 光発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196779A true JPH06196779A (ja) | 1994-07-15 |
Family
ID=18365276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4343921A Pending JPH06196779A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 光発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06196779A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004100331A1 (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | 半導体レーザ装置 |
| WO2005013446A1 (ja) * | 2003-07-31 | 2005-02-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | 半導体レーザ装置 |
| US7197058B2 (en) | 2003-12-24 | 2007-03-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor laser apparatus |
| JP2009540582A (ja) * | 2006-06-13 | 2009-11-19 | アー・ファウ・エル・リスト・ゲー・エム・ベー・ハー | モノリシック構造の共振器を備える固体レーザ |
-
1992
- 1992-12-24 JP JP4343921A patent/JPH06196779A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004100331A1 (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | 半導体レーザ装置 |
| US7693206B2 (en) | 2003-05-09 | 2010-04-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor laser device including laser array or stack first collimator, path rotator, and an optical element |
| US8477824B2 (en) | 2003-05-09 | 2013-07-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor laser apparatus having collimator lens and path rotator |
| WO2005013446A1 (ja) * | 2003-07-31 | 2005-02-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | 半導体レーザ装置 |
| US7197058B2 (en) | 2003-12-24 | 2007-03-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor laser apparatus |
| JP2009540582A (ja) * | 2006-06-13 | 2009-11-19 | アー・ファウ・エル・リスト・ゲー・エム・ベー・ハー | モノリシック構造の共振器を備える固体レーザ |
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