JPH06196417A - Device and method for supplying reaction gas - Google Patents
Device and method for supplying reaction gasInfo
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- JPH06196417A JPH06196417A JP34725592A JP34725592A JPH06196417A JP H06196417 A JPH06196417 A JP H06196417A JP 34725592 A JP34725592 A JP 34725592A JP 34725592 A JP34725592 A JP 34725592A JP H06196417 A JPH06196417 A JP H06196417A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は反応ガス供給装置及び反
応ガス供給方法に関し、より詳しくは、膜形成の行われ
るチャンバと配管を介して接続され、液体又は固体のソ
ースを加熱して反応ガスを生成し、チャンバに送る反応
ガス供給装置及び反応ガス供給方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reaction gas supply device and a reaction gas supply method, and more particularly, it is connected to a chamber where a film is formed through a pipe and heats a liquid or solid source to produce a reaction gas. TECHNICAL FIELD The present invention relates to a reaction gas supply device and a reaction gas supply method for generating and sending the gas to a chamber.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、化合物半導体の薄膜を形成する場
合、ＭＯＶＰＥ法（有機金属気相エピタキシャル法）や
ＭＯＣＶＤ法（有機金属気相化学成長法）が用いられて
いる。2. Description of the Related Art In recent years, the MOVPE method (metal organic chemical vapor deposition method) and the MOCVD method (metal organic chemical vapor deposition method) have been used to form a compound semiconductor thin film.
【０００３】図６は、従来例の反応ガス供給装置を有す
るＭＯＶＰＥ装置の構成図で、１は膜形成を行うための
チャンバで、ウエハ１５の加熱手段２を有する。３は液
体や固体のソース４を入れて、加熱により反応ガスを生
成する密閉容器、５は密閉容器３に接続され、バブリン
グガスを密閉容器３に導入し、かつバブリングガスがソ
ース４内を通過するように液状のソース４内に差し込ま
れた第１の配管、６は気化したソース４をバブリングガ
スに含ませて生成された反応ガスを密閉容器３から送出
し、チャンバ１に導く第２の配管、７はチャンバ１に接
続され、キャリアガスと他の反応ガスとをチャンバ１に
導入する配管で、他の反応ガスを供給する反応ガス収納
容器１０と接続された配管８と、キャリアガスを導く配
管９とが接続されている。１１はチャンバ１に接続さ
れ、チャンバ１から不要なガスをチャンバ１外に排出す
る配管、１２は配管１１に接続された排ガス処理装置、
13ａ〜13ｃは第１の配管５，配管８，９に設けられたマ
スフローコントローラで、第１の配管５，配管８，９を
通流するガス流量を調整する。FIG. 6 is a block diagram of a MOVPE apparatus having a reaction gas supply apparatus of a conventional example, 1 is a chamber for forming a film, and has a heating means 2 for a wafer 15. 3 is a closed container for containing a liquid or solid source 4 and generates a reaction gas by heating. 5 is connected to the closed container 3 to introduce the bubbling gas into the closed container 3 and the bubbling gas passes through the source 4. As described above, the first pipe 6 inserted into the liquid source 4 sends the reaction gas generated by including the vaporized source 4 in the bubbling gas from the closed container 3 and guides it to the chamber 1. A pipe 7 is a pipe connected to the chamber 1 for introducing a carrier gas and another reaction gas into the chamber 1, and a pipe 8 connected to a reaction gas storage container 10 for supplying another reaction gas and a carrier gas. The lead pipe 9 is connected. Reference numeral 11 is a pipe connected to the chamber 1 for discharging unnecessary gas from the chamber 1 to the outside of the chamber 1, and 12 is an exhaust gas treatment apparatus connected to the pipe 11.
Reference numerals 13a to 13c are mass flow controllers provided in the first pipes 5, 8 and 9, and adjust the flow rate of the gas flowing through the first pipes 5, 8 and 9.
【０００４】上記の反応ガス供給装置においては、反応
ガスを生成するためのソース４として液体や固体が用い
られているが、特に蒸気圧の低いソース４ガスを発生さ
せる場合には、ソース４をヒータ１６により加熱して蒸
気圧を上げ、必要な濃度のソースガスを含む混合気体を
得るようにしている。この際、密閉容器３から出た反応
ガスが再液化しないように、第２の配管６の外周部にヒ
ータ１４を設け、密閉容器３と同じ温度以上まで加熱し
ている。In the above reaction gas supply device, liquid or solid is used as the source 4 for generating the reaction gas. However, when generating the source 4 gas having a low vapor pressure, the source 4 is used. The heater 16 is heated to raise the vapor pressure and obtain a mixed gas containing a source gas having a required concentration. At this time, a heater 14 is provided on the outer peripheral portion of the second pipe 6 so that the reaction gas discharged from the closed container 3 is not reliquefied, and the heater 14 is heated to the same temperature as the closed container 3 or higher.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、通常、第２
の配管６は複雑な形状をしており、放熱や熱容量が一定
とならない。従って、第２の配管６を均一の温度に加熱
することは難しく、反応ガスの再液化を避ける為に必要
な温度よりも全体的に高い温度に設定して使用すること
が多い。By the way, usually, the second
The pipe 6 has a complicated shape, and heat dissipation and heat capacity are not constant. Therefore, it is difficult to heat the second pipe 6 to a uniform temperature, and in many cases, the temperature is set higher than the temperature necessary for avoiding reliquefaction of the reaction gas.
【０００６】しかしながら、一部のソース物質では加熱
により分解することがあり、第２の配管６内での再液化
を抑制しつつ変質させずに供給することができないソー
ス物質がある。また、第２の配管６全体を加熱するため
に装置は複雑となり、加熱による第２の配管６の構成部
品の信頼性や耐久性が劣化するなどの問題がある。However, some source substances may be decomposed by heating, and there is a source substance which cannot be supplied without being deteriorated while suppressing reliquefaction in the second pipe 6. Further, since the entire second pipe 6 is heated, the device becomes complicated, and there is a problem that reliability and durability of components of the second pipe 6 deteriorate due to heating.
【０００７】本発明は、係る従来例の問題点に鑑みて創
作されたものであり、液体状又は固体状のソースを加熱
し、キャリアガスを通過させて反応ガスを生成し、配管
を介してチャンバに送る場合に、該配管を加熱せずに該
配管内での反応ガスの再液化を防止することができる反
応ガス供給装置及び反応ガス供給方法を提供することを
目的とする。The present invention was created in view of the problems of the conventional example, and heats a liquid or solid source to pass a carrier gas to generate a reaction gas, which is then fed through a pipe. An object of the present invention is to provide a reaction gas supply device and a reaction gas supply method capable of preventing re-liquefaction of a reaction gas in the pipe without heating the pipe when the gas is sent to the chamber.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記課題は、第１に、図
１（ａ），（ｂ），図２，図３に示すように、ソース２
４，24ａ，24ｂが収納され、該ソース２４，24ａ，24ｂ
に第１のキャリアガスを通過させてソースガスを含む反
応ガスを生成する密閉容器２３，23ａ，23ｂと、該密閉
容器２３，23ａ，23ｂに前記第１のキャリアガスを導く
第１の配管２５，25ａ，25ｂと、前記密閉容器２３，23
ａ，23ｂと前記チャンバ２１，21ａ，21ｂとを連接し、
前記密閉容器２３，23ａ，23ｂからチャンバ２１，21
ａ，21ｂに前記反応ガスを導く第２の配管２６，26ａ，
26ｂと、前記密閉容器２３，23ａ，23ｂに接続され、前
記反応ガス中のソースガスの分圧を調整する第２のキャ
リアガスを導く第３の配管３４，34ａ，34ｂと、前記密
閉容器２３，23ａ，23ｂ内のソース２４，24ａ，24ｂを
加熱する加熱手段３６，36ａとを有する反応ガス供給装
置によって達成され、第２に、図１（ａ），（ｂ），図
２，図３に示すように、前記ソース２４，24ａ，24ｂは
液体又は固体であることを特徴とする第１の発明に記載
の反応ガス供給装置によって達成され、第３に、図１
（ａ），（ｂ），図２，図３に示す、第１又は第２の発
明に記載の反応ガス供給装置を用いた反応ガス供給方法
であって、前記密閉容器２３，23ａ，23ｂ内の第１の温
度に加熱された前記ソース２４，24ａ，24ｂに流量Ａの
第１のキャリアガスを通過させることにより前記第１の
温度における飽和蒸気圧Ｐ１を有するソースガスを前記
第１のキャリアガスに含ませて形成された反応ガスに、
式 Ｐ１／Ｐ２≦（Ａ＋Ｂ）／Ａ 但し、Ｐ１：第１の温度におけるソース２４，24ａ，24
ｂの飽和蒸気圧 Ｐ２：第２の温度におけるソース２４，24ａ，24ｂの飽
和蒸気圧 Ａ：第１のキャリアガスの流量 Ｂ：第２のキャリアガスの流量 を満たすように、前記第３の配管３４，34ａ，34ｂから
前記流量Ｂの第２のキャリアガスを加えた上で、前記第
２の温度を有する第２の配管２６，26ａ，26ｂに反応ガ
スを送出する反応ガス供給方法によって達成される。The above-mentioned problems are as follows. First, as shown in FIGS. 1 (a), 1 (b), 2 and 3, the source 2
4, 24a, 24b are stored and the sources 24, 24a, 24b
A closed container 23, 23a, 23b for passing a first carrier gas to generate a reaction gas containing a source gas, and a first pipe 25 for guiding the first carrier gas to the closed container 23, 23a, 23b. , 25a, 25b and the closed containers 23, 23
a, 23b and the chambers 21, 21a, 21b are connected to each other,
From the closed containers 23, 23a, 23b to the chambers 21, 21
a second pipe 26, 26a for guiding the reaction gas to a, 21b,
26b, third pipes 34, 34a, 34b connected to the closed containers 23, 23a, 23b and for guiding a second carrier gas for adjusting the partial pressure of the source gas in the reaction gas, and the closed container 23 , 23a, 23b, and heating means 36, 36a for heating the sources 24, 24a, 24b in the second, 23a, 23b, and second, FIG. 1 (a), (b), FIG. As shown in FIG. 3, the sources 24, 24a, 24b are liquid or solid, and are achieved by the reaction gas supply device according to the first invention. Thirdly, FIG.
(A), (b), a reaction gas supply method using the reaction gas supply device according to the first or second invention shown in FIG. 2 and FIG. 3 in the closed containers 23, 23a, 23b Of the source gas having a saturated vapor pressure P1 at the first temperature by passing the first carrier gas at a flow rate A through the sources 24, 24a, 24b heated to the first carrier The reaction gas formed by being included in the gas,
Formula P1 / P2 ≦ (A + B) / A where P1: the sources 24, 24a, 24 at the first temperature
saturated vapor pressure of b P2: saturated vapor pressure of the sources 24, 24a, 24b at the second temperature A: flow rate of the first carrier gas B: flow rate of the second carrier gas This is achieved by a reaction gas supply method in which the second carrier gas having the flow rate B is added from 34, 34a, 34b and then the reaction gas is delivered to the second pipes 26, 26a, 26b having the second temperature. It
【０００９】[0009]
【作用】本発明の反応ガス供給装置及び反応ガス供給方
法によれば、図１（ａ），（ｂ），図２，図３に示すよ
うに、分圧調整用の第２のキャリアガスを導入する第３
の配管３４，34ａ，34ｂを有し、ソース２４，24ａ，24
ｂを通過させる第１のキャリアガスに加えて第２のキャ
リアガスを密閉容器２３，23ａ，23ｂ内に導入している
ため、反応ガスに含まれるソースガスの密閉容器２３，
23ａ，23ｂ内での蒸気圧は第１の温度におけるソースガ
スの飽和蒸気圧よりも低下する。特に、分圧調整用の第
２のキャリアガスの導入ガス流量Ｂとソース２４，24
ａ，24ｂを通過させた第１のキャリアガスの導入ガス流
量Ａとの間の関係が下式を満たすように、第２のキャリ
アガスを導入することより、 Ｐ１／Ｐ２≦（Ａ＋Ｂ）／Ａ 但し、Ｐ１：第１の温度におけるソース２４，24ａ，24
ｂの飽和蒸気圧 Ｐ２：第２の温度におけるソース２４，24ａ，24ｂの飽
和蒸気圧 Ａ：第１のキャリアガスの流量 Ｂ：第２のキャリアガスの流量 反応ガス中のソースガスの分圧が第２の温度におけるソ
ースガスの飽和蒸気圧Ｐ２よりも小さくなるため、密閉
容器２３，23ａ，23ｂのガス流出口より下流の第２の温
度を有する第２の配管２６，26ａ，26ｂ内で、反応ガス
中のソースガスは常に飽和蒸気圧以下となっているの
で、ガス流出口より下流の第２の配管２６，26ａ，26ｂ
を特別に加熱しなくても第２の配管２６，26ａ，26ｂ内
での反応ガスの液化を防止することができ、安定した状
態で反応ガスをチャンバ２１，21ａ，21ｂに送ることが
できる。According to the reaction gas supply apparatus and the reaction gas supply method of the present invention, as shown in FIGS. 1 (a), 1 (b), 2 and 3, the second carrier gas for partial pressure adjustment is used. Third to introduce
The pipes 34, 34a, 34b of the source 24, 24a, 24
Since the second carrier gas is introduced into the closed containers 23, 23a, 23b in addition to the first carrier gas that passes through b, the closed container 23 for the source gas contained in the reaction gas,
The vapor pressure in 23a, 23b becomes lower than the saturated vapor pressure of the source gas at the first temperature. In particular, the introduction gas flow rate B of the second carrier gas for adjusting the partial pressure and the sources 24, 24
By introducing the second carrier gas so that the relationship between the introduction gas flow rate A of the first carrier gas that has passed through a and 24b satisfies the following equation, P1 / P2 ≦ (A + B) / A However, P1: the sources 24, 24a, 24 at the first temperature
saturated vapor pressure of b P2: saturated vapor pressure of the sources 24, 24a, 24b at the second temperature A: flow rate of the first carrier gas B: flow rate of the second carrier gas The partial pressure of the source gas in the reaction gas is Since it becomes smaller than the saturated vapor pressure P2 of the source gas at the second temperature, in the second pipes 26, 26a, 26b having the second temperature downstream of the gas outlets of the closed containers 23, 23a, 23b, Since the source gas in the reaction gas is always below the saturated vapor pressure, the second pipes 26, 26a, 26b downstream of the gas outlets.
It is possible to prevent the liquefaction of the reaction gas in the second pipes 26, 26a, 26b without special heating, and the reaction gas can be sent to the chambers 21, 21a, 21b in a stable state.
【００１０】[0010]
【実施例】次に、図面を参照しながら本発明の実施例に
ついて説明する。 （１）本発明の第１の実施例 （ａ）本発明の第１の実施例に係る反応ガス供給装置の
構成について 図１（ａ）は、本発明の第１の実施例に係る反応ガス供
給装置を有する常圧ＭＯＶＰＥ結晶成長装置の構成図、
図１（ｂ）は液体状のソースが収納された密閉容器の詳
細を説明する構成図である。Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings. (1) First Embodiment of the Present Invention (a) Configuration of Reactive Gas Supply Device According to First Embodiment of the Present Invention FIG. 1 (a) shows a reaction gas according to the first embodiment of the present invention. Configuration diagram of atmospheric pressure MOVPE crystal growth apparatus having a supply device,
FIG. 1B is a configuration diagram illustrating details of the closed container in which the liquid source is stored.
【００１１】図１（ａ），（ｂ）において、２１は膜形
成を行うためのチャンバで、ウエハ３５の加熱手段２２
を有する。２３は液状のトリメチルインジウム（ＴＭＩ
ｎ）（ソース）２４を入れ、ヒータ（加熱手段）３６に
より加熱して反応ガスを生成する密閉容器、２５は密閉
容器２３に接続され、バブリングガスとしての水素ガス
（第１のキャリアガス）を密閉容器２３に導き、かつ第
１のキャリアガスがソース２４内を通過するように液体
状のソース２４に差し込まれた第１の配管、２６は気化
したソース２４を含ませた反応ガスを密閉容器２３から
送出し、チャンバ２１に導く第２の配管、３４は密閉容
器２３に接続され、第１のキャリアガスに含まれるソー
スガスの分圧を低くするために第２のキャリアガスとし
ての水素ガスを密閉容器２３に導く第３の配管である。In FIGS. 1A and 1B, 21 is a chamber for forming a film, which is a heating means 22 for the wafer 35.
Have. 23 is liquid trimethylindium (TMI
n) a (source) 24 is put in, a closed container for generating a reaction gas by heating with a heater (heating means) 36, 25 is connected to the closed container 23, and hydrogen gas (first carrier gas) as bubbling gas The first pipe introduced into the closed container 23 and inserted into the liquid source 24 so that the first carrier gas passes through the inside of the source 24, and 26 is the closed container for the reaction gas containing the vaporized source 24. A second pipe 34, which is sent from 23 and leads to the chamber 21, is connected to the closed container 23, and hydrogen gas as a second carrier gas is used to reduce the partial pressure of the source gas contained in the first carrier gas. Is a third pipe that guides to the closed container 23.
【００１２】２７はチャンバ２１に接続され、他のキャ
リアガスとしての水素ガスと他の反応ガスとしての１０
％ＰＨ3 ＋Ｈ2 混合ガスとをチャンバ２１に導く配管
で、他の反応ガスが収納された反応ガス収納容器３０と
接続された配管２８と、他のキャリアガスを導く配管２
９とが接続されている。３１はチャンバ２１に接続さ
れ、チャンバ２１から不要なガスをチャンバ２１外に排
出する配管、３２は配管３１に接続された排ガス処理装
置である。Reference numeral 27 is connected to the chamber 21 and contains hydrogen gas as another carrier gas and 10 as another reaction gas.
A pipe 28 for guiding the% PH 3 + H 2 mixed gas to the chamber 21 and a pipe 28 connected to a reaction gas storage container 30 for storing another reaction gas, and a pipe 2 for guiding another carrier gas
9 and 9 are connected. Reference numeral 31 is a pipe connected to the chamber 21 to discharge unnecessary gas from the chamber 21 to the outside of the chamber 21, and reference numeral 32 is an exhaust gas treatment device connected to the pipe 31.
【００１３】33ａ〜33ｄはそれぞれ第１の配管２５，第
３の配管３４，配管２８，２９に設けられたマスフロー
コントローラで、第１の配管２５，第３の配管３４，配
管２８，２９を通流するガス流量を調整する。Reference numerals 33a to 33d denote mass flow controllers provided in the first pipe 25, the third pipe 34, and the pipes 28 and 29, respectively. The mass flow controllers 33a to 33d pass through the first pipe 25, the third pipe 34, and the pipes 28 and 29, respectively. Adjust the gas flow rate.
【００１４】（ｂ）上記の反応ガス供給装置を具備する
常圧ＭＯＶＰＥ結晶成長装置を用いて、本発明の実施例
の反応ガス供給方法により膜形成を行う方法 次に、上記の反応ガス供給装置を具備する常圧ＭＯＶＰ
Ｅ結晶成長装置を用いて、本発明の実施例の反応ガス供
給方法により、化合物半導体基板上にＩｎＰ膜を形成す
る場合について説明する。(B) Method for forming a film by the reaction gas supply method according to the embodiment of the present invention using the atmospheric pressure MOVPE crystal growth apparatus equipped with the above reaction gas supply apparatus. Atmospheric pressure MOVP with
A case where an InP film is formed on a compound semiconductor substrate by the reaction gas supply method according to the embodiment of the present invention using an E crystal growth apparatus will be described.
【００１５】即ち、まず、チャンバ２１内にウエハ３５
を搬入し、所定の位置に固定する。次いで、加熱手段２
２によりウエハ３５を加熱し、温度約６００℃に保持す
る。また、液状のトリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）
（ソース）２４をヒータ３６により加熱し、温度（第１
の温度）３０℃に保持する。このとき、密閉容器２３内
の第１の温度におけるソース２４の飽和蒸気圧Ｐ１は、
図４（ａ）に示すように、約1.5Torr となる。また、第
２の配管２６は加熱等されていないので、第２の配管２
６も室温２０℃（第２の温度）になっているとする。That is, first, the wafer 35 is placed in the chamber 21.
Bring in and fix it in place. Then, heating means 2
The wafer 35 is heated by 2 and maintained at a temperature of about 600 ° C. In addition, liquid trimethylindium (TMIn)
The (source) 24 is heated by the heater 36, and the temperature (first
Temperature) of 30 ° C. At this time, the saturated vapor pressure P1 of the source 24 at the first temperature in the closed container 23 is
As shown in FIG. 4A, it becomes about 1.5 Torr. Further, since the second pipe 26 is not heated, the second pipe 2
It is assumed that 6 also has a room temperature of 20 ° C. (second temperature).
【００１６】次に、第１の配管２５及び第３の配管３４
にそれぞれ第１のキャリアガス及び第２のキャリアガス
として水素ガスを流す。このとき、マスフローコントロ
ーラ33ａ，33ｂにより、第１のキャリアガスの導入ガス
流量Ａと第２のキャリアガスの導入ガス流量Ｂとの間の
関係が下式の関係を満たすように、 Ｐ１／Ｐ２≦（Ａ＋Ｂ）／Ａ 但し、Ｐ１：第１の温度におけるソース２４の飽和蒸気
圧 Ｐ２：第２の温度におけるソース２４の飽和蒸気圧 流量の調整を行う。例えば、第２の配管２６の温度２０
℃での飽和蒸気圧Ｐ２は、図４（ａ）より、約0.8Torr
となるので、ソースガスの分圧が0.8Torr 以下になるよ
うに第２のキャリアガスの導入ガス流量Ｂを設定する。
第１のキャリアガスの導入ガス流量Ａを５０ｃｃとした
場合、導入ガス流量Ｂ＞４４ｃｃとなる。第１の実施例
の場合、実用上導入ガス流量Ｂを１００ｃｃとする。な
お、このときのソースガスの分圧は0.５Torrとなり、温
度１５℃におけるソースガスの飽和蒸気圧に相当する。Next, the first pipe 25 and the third pipe 34
Hydrogen gas is supplied as a first carrier gas and a second carrier gas, respectively. At this time, P1 / P2 ≦ is set by the mass flow controllers 33a and 33b so that the relationship between the introduction gas flow rate A of the first carrier gas and the introduction gas flow rate B of the second carrier gas satisfies the following equation. (A + B) / A However, P1: saturated vapor pressure of the source 24 at the first temperature P2: saturated vapor pressure of the source 24 at the second temperature The flow rate is adjusted. For example, the temperature 20 of the second pipe 26
The saturated vapor pressure P2 at ℃ is about 0.8 Torr from Fig. 4 (a).
Therefore, the introduction gas flow rate B of the second carrier gas is set so that the partial pressure of the source gas becomes 0.8 Torr or less.
When the introduction gas flow rate A of the first carrier gas is 50 cc, the introduction gas flow rate B> 44 cc. In the case of the first embodiment, the introduced gas flow rate B is set to 100 cc for practical use. The partial pressure of the source gas at this time is 0.5 Torr, which corresponds to the saturated vapor pressure of the source gas at a temperature of 15 ° C.
【００１７】次いで、反応ガス収納装置３０から１０％
のＰＨ3 を含む水素ガスを流量１００ＳＣＣＭで配管２
８に流すとともに、配管２９に水素ガスを流量５００Ｓ
ＣＣＭで流す。これらはともに配管２７に流入し、チャ
ンバ２１に導入される。Next, 10% from the reaction gas storage device 30
Piping of hydrogen gas containing PH 3 at a flow rate of 100 SCCM 2
8 and the flow rate of hydrogen gas in the pipe 29 is 500 S
Stream with CCM. Both of these flow into the pipe 27 and are introduced into the chamber 21.
【００１８】この状態を適当な時間保持すると、ウエハ
３５上に所定の膜厚のＩｎＰ膜が形成される。以上のよ
うに、本発明の第１の実施例によれば、バブリングガス
としての第１のキャリアガスに加えて第３の配管３４か
ら第２のキャリアガスを密閉容器２３に導入しているた
め、第１のキャリアガスに含まれるソース２４の密閉容
器２３内での蒸気圧はソース２４の飽和蒸気圧よりも低
下する。特に、バブリングガスとしての第１のキャリア
ガスの導入ガス流量Ａと分圧調整用の第２のキャリアガ
スの導入ガス流量Ｂとの間の関係が下記の関係を満たす
ように、第２のキャリアガスを導入しているので、 Ｐ１／Ｐ２≦（Ａ＋Ｂ）／Ａ 但し、Ｐ１：第１の温度におけるソース２４の飽和蒸気
圧 Ｐ２：第２の温度におけるソース２４の飽和蒸気圧 反応ガス中のソースガスの分圧が第２の温度におけるソ
ースガスの飽和蒸気圧Ｐ２よりも小さくなるため、密閉
容器２３のガス流出口より下流の第２の温度を有する第
２の配管２６内で、流出した反応ガス中のソースガスは
常に飽和蒸気圧以下となる。When this state is maintained for an appropriate time, an InP film having a predetermined film thickness is formed on the wafer 35. As described above, according to the first embodiment of the present invention, the second carrier gas is introduced into the closed container 23 from the third pipe 34 in addition to the first carrier gas as the bubbling gas. The vapor pressure of the source 24 contained in the first carrier gas in the closed container 23 becomes lower than the saturated vapor pressure of the source 24. In particular, the second carrier is used so that the relationship between the introduced gas flow rate A of the first carrier gas as the bubbling gas and the introduced gas flow rate B of the second carrier gas for partial pressure adjustment satisfies the following relationship. Since gas is introduced, P1 / P2 ≦ (A + B) / A where P1: saturated vapor pressure of the source 24 at the first temperature P2: saturated vapor pressure of the source 24 at the second temperature Source in the reaction gas Since the partial pressure of the gas becomes smaller than the saturated vapor pressure P2 of the source gas at the second temperature, the reaction flowing out in the second pipe 26 having the second temperature downstream of the gas outlet of the closed container 23. The source gas in the gas is always below the saturated vapor pressure.
【００１９】従って、ガス流出口より下流の第２の配管
２６を特別に加熱しなくても第２の配管２６に結露を生
じさせないで反応ガスを安定してチャンバ２１に供給す
ることができる。Therefore, the reaction gas can be stably supplied to the chamber 21 without causing dew condensation on the second pipe 26 without special heating of the second pipe 26 downstream of the gas outlet.
【００２０】（２）本発明の第２の実施例 （ａ）本発明の第２の実施例に係る反応ガス供給装置の
構成について 図２は本発明の第２の実施例に係る反応ガス供給装置を
有する常圧ＭＯＶＰＥ結晶成長装置の構成図である。(2) Second Embodiment of the Present Invention (a) Constitution of Reactive Gas Supply Device According to Second Embodiment of the Present Invention FIG. 2 shows the reaction gas supply according to the second embodiment of the present invention. It is a block diagram of the atmospheric pressure MOVPE crystal growth apparatus which has an apparatus.
【００２１】図２において、21ａは膜形成を行うための
チャンバで、加熱装置22ａを有する。23ａはソースとし
て液状のビスジピバロイルメタン銅（以下、Ｃｕ（ＤＰ
Ｍ） 2 と称する。）24ａを入れて、加熱により反応ガス
を生成する密閉容器、25ａは密閉容器23ａに接続され、
バブリングガスとしての水素ガス（第１のキャリアガ
ス）を密閉容器23ａに導入する第１の配管、26ａは気化
したソースを含む反応ガスを密閉容器23ａから送出し、
チャンバ21ａに導く第２の配管で、特に加熱が行われて
おらず、室温、例えば２０℃（第２の温度）になってい
る。34ａは密閉容器23ａに接続され、分圧調整用の水素
ガス（第２のキャリアガス）を密閉容器23ａに導入する
第３の配管である。In FIG. 2, reference numeral 21a is for forming a film.
The chamber has a heating device 22a. 23a is the source
Liquid bisdipivaloylmethane copper (hereinafter Cu (DP
M) 2Called. ) Add 24a and heat to react gas
To produce a closed container, 25a connected to the closed container 23a,
Hydrogen gas as the bubbling gas (first carrier gas
First pipe for introducing gas) into the closed container 23a, and 26a is vaporized.
The reaction gas containing the source is sent from the closed container 23a,
The second pipe leading to the chamber 21a is especially heated.
Not at room temperature, for example 20 ° C (second temperature)
It 34a is connected to the airtight container 23a and is used for adjusting the partial pressure of hydrogen.
Gas (second carrier gas) is introduced into the closed container 23a.
This is the third pipe.
【００２２】27ａはチャンバ21ａに接続され、他のキャ
リアガスとしての水素ガスをチャンバ21ａに導入する配
管、31ａはチャンバ21ａから不要なガスをチャンバ21ａ
外に排出する配管、32ａは配管31ａに接続された排ガス
処理装置である。27a is a pipe connected to the chamber 21a for introducing hydrogen gas as another carrier gas into the chamber 21a, and 31a is an unnecessary gas from the chamber 21a.
A pipe for discharging to the outside, 32a is an exhaust gas treatment device connected to the pipe 31a.
【００２３】33ｅ〜33ｇはそれぞれ第１の配管25ａ，第
３の配管34ａ，配管27ａに設けられたマスフローコント
ローラで、第１の配管25ａ，第３の配管34ａ，配管27ａ
を通流するガス流量を調整する。Reference numerals 33e to 33g denote mass flow controllers provided in the first pipe 25a, the third pipe 34a, and the pipe 27a, respectively. The first pipe 25a, the third pipe 34a, and the pipe 27a.
Adjust the gas flow rate through.
【００２４】（ｂ）上記の反応ガス供給装置を具備する
常圧ＭＯＶＰＥ結晶成長装置を用いて、本発明の実施例
の反応ガス供給方法により膜形成を行う方法 次に、上記の反応ガス供給装置を具備する常圧ＭＯＶＰ
Ｅ結晶成長装置を用いて、本発明の実施例の反応ガス供
給方法により、ウエハ上に形成されたＴｉＮ膜の上にＣ
ｕ膜を形成する場合について説明する。(B) Method of forming a film by the reaction gas supply method according to the embodiment of the present invention using the atmospheric pressure MOVPE crystal growth apparatus equipped with the above reaction gas supply apparatus. Atmospheric pressure MOVP with
An E crystal growth apparatus was used to carry out C on the TiN film formed on the wafer by the reaction gas supply method according to the embodiment of the present invention.
The case of forming the u film will be described.
【００２５】即ち、まず、チャンバ21ａ内にウエハ35ａ
を搬入し、所定の位置に固定する。次いで、加熱手段22
ａによりＴｉＮ膜の形成されたウエハ35ａを加熱し、温
度約４００℃に保持する。また、液状のＣｕ（ＤＰＭ）
2 （ソース）24ａをヒータ（加熱手段）36ａにより加熱
し、温度（第１の温度）５０℃に保持する。このとき、
密閉容器23ａ内の第１の温度におけるソース24ａの飽和
蒸気圧Ｐ１は、飽和蒸気圧Ｐ(Torr)と温度T(K)との関係
を示す式、 log10 Ｐ(Torr)＝-6386.0/T(K)＋14.42 をグラフ化した図５に示すように、約５×10-6Torrとな
る。また、第２の配管26ａは加熱されておらず、室温程
度、即ち温度２０℃になっているとする。That is, first, the wafer 35a is placed in the chamber 21a.
Bring in and fix it in place. Then, heating means 22
The wafer 35a having the TiN film formed thereon by a is heated and maintained at a temperature of about 400.degree. In addition, liquid Cu (DPM)
2 (Source) 24a is heated by a heater (heating means) 36a, and is maintained at a temperature (first temperature) of 50 ° C. At this time,
The saturated vapor pressure P1 of the source 24a at the first temperature in the closed vessel 23a is an expression showing the relationship between the saturated vapor pressure P (Torr) and the temperature T (K), log 10 P (Torr) =-6386.0 / T As shown in FIG. 5, which is a graph of (K) +14.42, it is about 5 × 10 −6 Torr. It is also assumed that the second pipe 26a is not heated and is at about room temperature, that is, the temperature is 20 ° C.
【００２６】次に、第１の配管25ａ及び第３の配管34ａ
にそれぞれ第１のキャリアガス及び第２のキャリアガス
として水素ガスを流す。このとき、マスフローコントロ
ーラ33ｅ，33ｆにより、第１のキャリアガスの導入ガス
流量Ａと第２のキャリアガスの導入ガス流量Ｂとの間の
関係が下式の関係を満たすように、 Ｐ１／Ｐ２≦（Ａ＋Ｂ）／Ａ 但し、Ｐ１：第１の温度におけるソース24ａの飽和蒸気
圧 Ｐ２：第２の温度におけるソース24ａの飽和蒸気圧 流量の調整を行う。例えば、第２の配管26ａの温度２０
℃でのソース24ａガスの飽和蒸気圧Ｐ２は、図５より、
約0.422 ×10-7Torrとなるので、ソースガスの分圧が0.
422 ×10-7Torr以下になるように第２のキャリアガスの
導入ガス流量Ｂを設定する。第１のキャリアガスの導入
ガス流量Ａを５ｃｃとした場合、導入ガス流量Ｂ＞５８
８ｃｃとなる。第２の実施例の場合、実用上導入ガス流
量Ｂ＝６００ｃｃとする。Next, the first pipe 25a and the third pipe 34a
Hydrogen gas is supplied as a first carrier gas and a second carrier gas, respectively. At this time, P1 / P2 ≦ is set by the mass flow controllers 33e and 33f so that the relationship between the introduction gas flow rate A of the first carrier gas and the introduction gas flow rate B of the second carrier gas satisfies the following equation. (A + B) / A However, P1: saturated vapor pressure of the source 24a at the first temperature P2: saturated vapor pressure of the source 24a at the second temperature The flow rate is adjusted. For example, the temperature 20 of the second pipe 26a
The saturated vapor pressure P2 of the source 24a gas at ℃ is
Since it is about 0.422 × 10 -7 Torr, the partial pressure of the source gas is 0.
The introduction gas flow rate B of the second carrier gas is set so as to be 422 × 10 −7 Torr or less. When the introduction gas flow rate A of the first carrier gas is 5 cc, the introduction gas flow rate B> 58
It becomes 8 cc. In the case of the second embodiment, the introduced gas flow rate B is practically set to 600 cc.
【００２７】次いで、配管27ａに水素ガスを流量５００
ＳＣＣＭで流し、チャンバ21ａに導入する。この状態を
適当な時間保持すると、ウエハ35ａ上に形成されたＴｉ
Ｎ膜の上に所定の膜厚のＣｕ膜が形成される。Then, a flow rate of hydrogen gas of 500 is supplied to the pipe 27a.
Flow with SCCM and introduce into chamber 21a. If this state is maintained for an appropriate time, the Ti formed on the wafer 35a
A Cu film having a predetermined thickness is formed on the N film.
【００２８】以上のように、本発明の第２の実施例によ
れば、バブリングガスとしての第１のキャリアガスに加
えて第３の配管34ａから分圧調整用の第２のキャリアガ
スを密閉容器23ａに導入しているため、第１のキャリア
ガスに含まれるソースとしての液状のＣｕ（ＤＰＭ）2
24ａの密閉容器23ａ内での分圧は飽和蒸気圧よりも低下
する。特に、第１のキャリアガスの導入ガス流量Ａと第
２のキャリアガスの導入ガス流量Ｂとの間の関係が下式
の関係を満たすようにすることにより、 Ｐ１／Ｐ２≦（Ａ＋Ｂ）／Ａ 但し、Ｐ１：第１の温度におけるソース24ａの飽和蒸気
圧 Ｐ２：第２の温度におけるソース24ａの飽和蒸気圧 Ａ：第１のキャリアガスの流量 Ｂ：第２のキャリアガスの流量 密閉容器23ａのガス流出口より下流の第２の配管26ａ内
で、第２の配管26ａの第２の温度において、流出した反
応ガスは常に飽和蒸気圧以下となるので、ガス流出口よ
り下流の第２の配管26ａを特別に加熱しなくても反応ガ
スを安定して供給することができる。As described above, according to the second embodiment of the present invention, in addition to the first carrier gas as the bubbling gas, the second carrier gas for partial pressure adjustment is sealed from the third pipe 34a. Since it is introduced into the container 23a, liquid Cu (DPM) 2 as a source contained in the first carrier gas
The partial pressure of 24a in the closed container 23a becomes lower than the saturated vapor pressure. In particular, by making the relationship between the introduction gas flow rate A of the first carrier gas and the introduction gas flow rate B of the second carrier gas satisfy the following equation, P1 / P2 ≦ (A + B) / A However, P1: saturated vapor pressure of the source 24a at the first temperature P2: saturated vapor pressure of the source 24a at the second temperature A: flow rate of the first carrier gas B: flow rate of the second carrier gas In the second pipe 26a downstream of the gas outlet, at the second temperature of the second pipe 26a, the outflowing reaction gas is always at a saturated vapor pressure or less, so the second pipe downstream of the gas outlet The reaction gas can be stably supplied without special heating of 26a.
【００２９】（３）本発明の第３の実施例 図３は本発明の第３の実施例に係る反応ガス供給装置の
部分構成図である。図３において、23ｂは粒状の固体ソ
ース24ｂを入れて、不図示のヒータ（加熱手段）による
加熱により反応ガスを生成する密閉容器で、第１のキャ
リアガスとして例えば水素ガスが導入され、底部一面に
広がることができるような隙間が底部にできるように、
多数の孔の形成された仕切り板３７により仕切られ、固
体ソース24ｂは仕切り板３７の上に載置される。そし
て、仕切り板３７に形成された多数の孔はキャリアガス
を通過させるが、固体ソース24ｂは通過しないような大
きさとなっている。24ｂは密閉容器23ｂに接続され、第
１のキャリアガスを密閉容器23ｂの底部の隙間に導入す
る第１の配管で、導入された第１のキャリアガスは底部
一面に広がった上で仕切り板３７の孔を通過して粒状の
固体のソース24ｂ間の隙間を通過する。これにより、第
１のキャリアガスにはソース温度（第１の温度）におけ
る飽和蒸気圧を有するソースガスが含まれるようにな
る。(3) Third Embodiment of the Present Invention FIG. 3 is a partial configuration diagram of a reaction gas supply device according to a third embodiment of the present invention. In FIG. 3, reference numeral 23b denotes a closed container in which a granular solid source 24b is placed and a reaction gas is generated by heating with a heater (heating means) (not shown). For example, hydrogen gas is introduced as the first carrier gas, and the bottom surface is covered. So that there is a gap at the bottom that can spread to
Partitioned by a partition plate 37 having a large number of holes, the solid source 24b is placed on the partition plate 37. The large number of holes formed in the partition plate 37 allow the carrier gas to pass through, but the solid source 24b does not pass through the holes. 24b is a first pipe which is connected to the closed container 23b and introduces the first carrier gas into the gap at the bottom of the closed container 23b. The introduced first carrier gas spreads over the entire bottom and is then separated by the partition plate 37. Through the holes of the granular solid sources 24b. As a result, the first carrier gas contains the source gas having the saturated vapor pressure at the source temperature (first temperature).
【００３０】34ｂは密閉容器23ｂに接続され、分圧調整
用の第２のキャリアガスとして例えば水素ガスを密閉容
器23ｂに導入する第３の配管である。26ｂは気化したソ
ースを含む第１のキャリアガスを密閉容器23ｂから送出
し、チャンバ21ｂに導く第２の配管で、特に加熱が行わ
れておらず、室温（第２の温度）になっている。Reference numeral 34b is a third pipe connected to the closed container 23b and for introducing, for example, hydrogen gas as a second carrier gas for adjusting the partial pressure into the closed container 23b. Reference numeral 26b is a second pipe for delivering the first carrier gas containing the vaporized source from the closed container 23b and guiding it to the chamber 21b, which is not particularly heated and is at room temperature (second temperature). .
【００３１】なお、反応ガスが送られ、ウエハ上に膜を
形成するためのチャンバは、例えば第１の実施例と同様
な構成になっている。従って、第１及び第２の実施例と
同じように上記の反応ガス供給装置を具備する常圧ＭＯ
ＶＰＥ結晶成長装置が可能であり、この様な装置を用い
て、本発明の実施例の反応ガス供給方法により化合物半
導体基板上に膜を形成することができる。The chamber for supplying the reaction gas and forming a film on the wafer has, for example, the same structure as that of the first embodiment. Therefore, as in the first and second embodiments, the atmospheric pressure MO equipped with the above reaction gas supply device is provided.
A VPE crystal growth apparatus is possible, and a film can be formed on a compound semiconductor substrate by the reaction gas supply method of the embodiment of the present invention using such an apparatus.
【００３２】以上のように、本発明の第３の実施例に係
る反応ガス供給装置によれば、第３の配管34ｂを有して
いるので、飽和蒸気圧のソース24ｂを含ませる第１のキ
ャリアガスに加えて第３の配管34ｂから分圧調整用の第
２のキャリアガスを密閉容器23ｂに導入することができ
る。このため、第１のキャリアガスに含まれるソース24
ｂの密閉容器23ｂ内での分圧はソース24ｂの飽和蒸気圧
よりも低下する。特に、第１のキャリアガスの導入ガス
流量Ａと第２のキャリアガスの導入ガス流量Ｂとの間の
関係が下式の関係を満たすようにすることにより、 Ｐ１／Ｐ２≦（Ａ＋Ｂ）／Ａ 但し、Ｐ１：第１の温度におけるソース24ｂの飽和蒸気
圧 Ｐ２：第２の温度におけるソース24ｂの飽和蒸気圧 密閉容器23ｂのガス流出口より下流の第２の配管26ｂ内
で、第２の配管26ｂの第２の温度において、流出した反
応ガスは常に飽和蒸気圧以下となるので、ガス流出口よ
り下流の第２の配管26ｂを特別に加熱しなくても反応ガ
スを安定して供給することができる。As described above, according to the reaction gas supply system of the third embodiment of the present invention, since it has the third pipe 34b, the first source 24b of saturated vapor pressure is included. In addition to the carrier gas, the second carrier gas for adjusting the partial pressure can be introduced into the closed container 23b from the third pipe 34b. Therefore, the source 24 contained in the first carrier gas
The partial pressure of b in the closed container 23b becomes lower than the saturated vapor pressure of the source 24b. In particular, by making the relationship between the introduction gas flow rate A of the first carrier gas and the introduction gas flow rate B of the second carrier gas satisfy the following equation, P1 / P2 ≦ (A + B) / A However, P1: saturated vapor pressure of the source 24b at the first temperature P2: saturated vapor pressure of the source 24b at the second temperature In the second pipe 26b downstream from the gas outlet of the closed container 23b, the second pipe At the second temperature of 26b, the reaction gas that has flowed out is always at a saturated vapor pressure or less, so it is possible to stably supply the reaction gas without specially heating the second pipe 26b downstream from the gas outlet. You can
【００３３】なお、上記の第１〜第３の実施例で用いた
ソースの他に、図４（ｂ）に飽和蒸気圧と温度との関係
を示すトリイソブチルアルミニウム（ＴＩＢＡｌ），ビ
スヘキサフロロアセテート（Ｃｕ（ＨＦＡ）2 ），図５
に飽和蒸気圧と温度との関係を示すペンタフロロプロパ
ノイルピバロイルメタン銅（Ｃｕ（ＰＰＭ）2 ），ジメ
チル金アセチルアセテート（Ｍｅ2 Ａｕ（ＡｃＡｃ））
やジメチル金トリフロロアセチルアセテート（Ｍｅ2 Ａ
ｕ（ＴＦＡ））などを用いることができる。このうち、
ＴＩＢＡｌ及びＣｕ（ＰＰＭ）2 について飽和蒸気圧Ｐ
(Torr)と温度T(K)との関係を表すと、それぞれ次のよう
な式になる。即ち、 (1) log10Ｐ(Torr)＝-2890.2/T(K)＋8.92 （ＴＩＢＡ
ｌ） (2) log10Ｐ(Torr)＝-5402.0/T(K)＋13.19 （Ｃｕ（Ｐ
ＰＭ）2 ）In addition to the sources used in the above first to third embodiments, triisobutylaluminum (TIBAl) and bishexafluoroacetate showing the relationship between saturated vapor pressure and temperature are shown in FIG. 4 (b). (Cu (HFA) 2 ), Fig. 5
Pentafluoropropanoylpivaloylmethane copper (Cu (PPM) 2 ), dimethyl gold acetylacetate (Me 2 Au (AcAc)) showing the relationship between saturated vapor pressure and temperature
And dimethyl gold trifluoroacetylacetate (Me 2 A
u (TFA)) or the like can be used. this house,
Saturated vapor pressure P for TIBAl and Cu (PPM) 2
The relationship between (Torr) and temperature T (K) is expressed as follows. That is, (1) log 10 P (Torr) =-2890.2 / T (K) +8.92 (TIBA
l) (2) log 10 P (Torr) =-5402.0 / T (K) +1.19 (Cu (P
PM) 2 )
【００３４】[0034]
【発明の効果】以上のように、本発明の反応ガス供給装
置及び反応ガス供給方法によれば、ソースを含ませた第
１のキャリアガスに加えて第３の配管から分圧調整用の
第２のキャリアガスを密閉容器に導入しているため、第
１のキャリアガスに含まれるソースの密閉容器内での分
圧はソースの飽和蒸気圧よりも低下する。特に、第１の
キャリアガスの導入ガス流量Ａと第２のキャリアガスの
導入ガス流量Ｂとの間の関係が下記の関係を満たすよう
にすることにより、 Ｐ１／Ｐ２≦（Ａ＋Ｂ）／Ｂ 但し、Ｐ１：第１の温度におけるソースの飽和蒸気圧 Ｐ２：第２の温度におけるソースの飽和蒸気圧 Ａ：第１のキャリアガスの流量 Ｂ：第２のキャリアガスの流量 密閉容器のガス流出口より下流の第２の温度を有する第
２の配管内で、第２の温度において、流出した反応ガス
は常に飽和蒸気圧以下となるので、ガス流出口より下流
の第２の配管を特別に加熱しなくても反応ガスを安定し
て供給することができる。As described above, according to the reaction gas supply device and the reaction gas supply method of the present invention, in addition to the first carrier gas containing a source, the third gas for adjusting the partial pressure is supplied from the third pipe. Since the second carrier gas is introduced into the closed container, the partial pressure of the source contained in the first carrier gas in the closed container is lower than the saturated vapor pressure of the source. In particular, by setting the relationship between the introduction gas flow rate A of the first carrier gas and the introduction gas flow rate B of the second carrier gas to satisfy the following relationship, P1 / P2 ≦ (A + B) / B , P1: saturated vapor pressure of the source at the first temperature P2: saturated vapor pressure of the source at the second temperature A: flow rate of the first carrier gas B: flow rate of the second carrier gas From the gas outlet of the sealed container In the second pipe having the second temperature downstream, at the second temperature, the reaction gas that has flowed out always has a saturated vapor pressure or less, so the second pipe downstream from the gas outlet is specially heated. The reaction gas can be stably supplied even if it is not provided.
【図１】本発明の第１の実施例に係る反応ガス供給装置
を用いた膜形成装置の構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of a film forming apparatus using a reaction gas supply device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第２の実施例に係る反応ガス供給装置
を用いた膜形成装置の構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram of a film forming apparatus using a reaction gas supply device according to a second embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第３の実施例に係る反応ガス供給装置
の要部構成図である。FIG. 3 is a main part configuration diagram of a reaction gas supply device according to a third embodiment of the present invention.
【図４】本発明の実施例に係る反応ガス供給装置に用い
られるソースの飽和蒸気圧について説明する線図（その
１）である。FIG. 4 is a diagram (No. 1) explaining the saturated vapor pressure of the source used in the reaction gas supply device according to the embodiment of the present invention.
【図５】本発明の実施例に係る反応ガス供給装置に用い
られるソースの飽和蒸気圧について説明する線図（その
２）である。FIG. 5 is a diagram (No. 2) explaining the saturated vapor pressure of the source used in the reaction gas supply device according to the embodiment of the present invention.
【図６】従来例に係る反応ガス供給装置を用いた膜形成
装置の構成図である。FIG. 6 is a configuration diagram of a film forming apparatus using a reaction gas supply device according to a conventional example.
２１，21ａ，21ｂ チャンバ、 ２２，22ａ 加熱手段、 ２３，23ａ，23ｂ 密閉容器、 ２４ ソース（ＴＭＩｎ）、 24ａ ソース（Ｃｕ（ＤＰＭ）2 ）、 24ｂ ソース、 ２５，25ａ，25ｂ 第１の配管、 ２６，26ａ，26ｂ 第２の配管、 ２７〜２９，３１，27ａ〜29ａ，31ａ 配管、 ３０ 反応ガス収納容器（１０％ＰＨ3 ＋Ｈ2 ）、 ３２，32ａ 排ガス処理装置、 33ａ〜33ｇ マスフローコントローラ、 ３４, 34ａ，34ｂ 第３の配管、 ３５, 35ａ ウエハ、 ３６，36ａ ヒータ（加熱手段）、 ３７ 仕切り板。21, 21a, 21b chamber, 22, 22a heating means, 23, 23a, 23b closed container, 24 source (TMIn), 24a source (Cu (DPM) 2 ), 24b source, 25, 25a, 25b first pipe, 26, 26a, 26b second pipe, 27～29,31,27A～29a, 31a piping, 30 reaction gas container (10% PH 3 + H 2 ), 32,32a exhaust gas treatment apparatus, 33A～33g mass flow controller, 34, 34a, 34b Third piping, 35, 35a Wafer, 36, 36a Heater (heating means), 37 Partition plate.
Claims (3)
該ソース（２４，24ａ，24ｂ）に第１のキャリアガスを
通過させてソースガスを含む反応ガスを生成する密閉容
器（２３，23ａ，23ｂ）と、 該密閉容器（２３，23ａ，23ｂ）に前記第１のキャリア
ガスを導く第１の配管（２５，25ａ，25ｂ）と、 前記密閉容器（２３，23ａ，23ｂ）と前記反応ガスを用
いて被処理体の処理を行うチャンバ（２１，21ａ，21
ｂ）とを連接し、前記密閉容器（２３，23ａ，23ｂ）か
らチャンバ（２１，21ａ，21ｂ）に前記反応ガスを導く
第２の配管（２６，26ａ，26ｂ）と、 前記密閉容器（２３，23ａ，23ｂ）に接続され、前記反
応ガス中のソースガスの分圧を調整する第２のキャリア
ガスを導く第３の配管（３４，34ａ，34ｂ）と、 前記密閉容器（２３，23ａ，23ｂ）内のソース（２４，
24ａ，24ｂ）を加熱する加熱手段（３６，36ａ）とを有
する反応ガス供給装置。1. A sauce (24, 24a, 24b) is stored,
A sealed container (23, 23a, 23b) for passing a first carrier gas through the source (24, 24a, 24b) to generate a reaction gas containing the source gas, and the sealed container (23, 23a, 23b). A first pipe (25, 25a, 25b) for guiding the first carrier gas, the closed container (23, 23a, 23b), and a chamber (21, 21a) for processing an object using the reaction gas. ,twenty one
b) and a second pipe (26, 26a, 26b) for connecting the reaction gas from the closed container (23, 23a, 23b) to the chamber (21, 21a, 21b), and the closed container (23 , 23a, 23b) and a third pipe (34, 34a, 34b) for guiding a second carrier gas for adjusting the partial pressure of the source gas in the reaction gas, and the closed container (23, 23a, 23b) source (24,
24a, 24b) and a heating means (36, 36a) for heating the reaction gas supply device.
は固体であることを特徴とする請求項１記載の反応ガス
供給装置。2. The reaction gas supply device according to claim 1, wherein the source (24, 24a, 24b) is liquid or solid.
装置を用いた反応ガス供給方法であって、 前記密閉容器（２３，23ａ，23ｂ）内の第１の温度に加
熱された前記ソース（２４，24ａ，24ｂ）に流量Ａの第
１のキャリアガスを通過させることにより前記第１の温
度における飽和蒸気圧Ｐ１を有するソースガスを前記第
１のキャリアガスに含ませて形成された反応ガスに、式 Ｐ１／Ｐ２≦（Ａ＋Ｂ）／Ａ 但し、Ｐ１：第１の温度におけるソース（２４，24ａ，
24ｂ）の飽和蒸気圧 Ｐ２：第２の温度におけるソース（２４，24ａ，24ｂ）
の飽和蒸気圧 Ａ：第１のキャリアガスの流量 Ｂ：第２のキャリアガスの流量 を満たすように、前記第３の配管（３４，34ａ，34ｂ）
から前記流量Ｂの第２のキャリアガスを加えた上で、前
記第２の温度を有する第２の配管（２６，26ａ，26ｂ）
に反応ガスを送出する反応ガス供給方法。3. A reaction gas supply method using the reaction gas supply device according to claim 1 or 2, wherein the reaction container is heated to a first temperature in the closed container (23, 23a, 23b). The source gas having a saturated vapor pressure P1 at the first temperature is included in the first carrier gas by passing the first carrier gas at a flow rate A through the sources (24, 24a, 24b). The reaction gas has the formula P1 / P2 ≦ (A + B) / A, where P1: the source at the first temperature (24, 24a,
Saturated vapor pressure of 24b) P2: Source (24, 24a, 24b) at the second temperature
Saturated vapor pressure A: flow rate of the first carrier gas B: flow rate of the second carrier gas, so that the third pipe (34, 34a, 34b)
The second pipe (26, 26a, 26b) having the second temperature after adding the second carrier gas at the flow rate B from
A method for supplying a reactive gas, in which a reactive gas is delivered to the.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34725592A JPH06196417A (en) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | Device and method for supplying reaction gas |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34725592A JPH06196417A (en) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | Device and method for supplying reaction gas |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196417A true JPH06196417A (en) | 1994-07-15 |
Family
ID=18388980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34725592A Withdrawn JPH06196417A (en) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | Device and method for supplying reaction gas |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06196417A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101351438B1 (en) * | 2007-01-12 | 2014-01-15 | 주성엔지니어링(주) | Apparatus for supplying source and system for deopsing thin film having the same |
-
1992
- 1992-12-25 JP JP34725592A patent/JPH06196417A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101351438B1 (en) * | 2007-01-12 | 2014-01-15 | 주성엔지니어링(주) | Apparatus for supplying source and system for deopsing thin film having the same |
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