JPH0619577B2 - 導電性シ−トおよびそれを用いた静電記録体 - Google Patents
導電性シ−トおよびそれを用いた静電記録体Info
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- JPH0619577B2 JPH0619577B2 JP58141239A JP14123983A JPH0619577B2 JP H0619577 B2 JPH0619577 B2 JP H0619577B2 JP 58141239 A JP58141239 A JP 58141239A JP 14123983 A JP14123983 A JP 14123983A JP H0619577 B2 JPH0619577 B2 JP H0619577B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は，導電性シートおよびそれを用いた静電記録体
に関するものである。
に関するものである。
従来の導電性シートは，有機重合体中にカーボン粉，金
属粉などの導電粉を混入したものや，有機重合体表面
に，アルミニウム，銀，金，酸化錫一酸化インジウムな
どの無機導電層を真空蒸着やスパツタリングにより形成
したものが知られている。またこれらの導電性シートの
上に誘電層を設けた静電記録体も知られている。
属粉などの導電粉を混入したものや，有機重合体表面
に，アルミニウム，銀，金，酸化錫一酸化インジウムな
どの無機導電層を真空蒸着やスパツタリングにより形成
したものが知られている。またこれらの導電性シートの
上に誘電層を設けた静電記録体も知られている。
一般に静電記録体の導電層として要求される表面電気抵
抗はほぼ104〜109オーム／口の範囲にある。静電記録の
方式にもよるが，安定した画像特性を得るには，その中
でも，導電層の表面電気抵抗の均一性，すなわち，中央
値に対するバラツキがおよそ±２０％以内であること，
および経時変化，すなわち，初期値に対する経時後の変
化率が３〜５倍以内であることが好ましいといわれてい
る。
抗はほぼ104〜109オーム／口の範囲にある。静電記録の
方式にもよるが，安定した画像特性を得るには，その中
でも，導電層の表面電気抵抗の均一性，すなわち，中央
値に対するバラツキがおよそ±２０％以内であること，
および経時変化，すなわち，初期値に対する経時後の変
化率が３〜５倍以内であることが好ましいといわれてい
る。
しかし，このような従来の導電性シートは，電気抵抗値
が導電粉の混入量や，無機導電層の付着量に大きく依存
し，特に導電性シートの表面電気抵抗値が104〜109オー
ム／口の半導体領域では，混入量や付着量の微少変化に
よつても抵抗値の変動が大きく，広い面積にわたつて均
一な抵抗値を得られにくいという問題があつた。
が導電粉の混入量や，無機導電層の付着量に大きく依存
し，特に導電性シートの表面電気抵抗値が104〜109オー
ム／口の半導体領域では，混入量や付着量の微少変化に
よつても抵抗値の変動が大きく，広い面積にわたつて均
一な抵抗値を得られにくいという問題があつた。
また，表面に無機導電層を設けた導電性シートは，長時
間空気や水蒸気にさらされたり，高温雰囲気に置かれる
と電気抵抗が大きく増大するという問題があつた。
間空気や水蒸気にさらされたり，高温雰囲気に置かれる
と電気抵抗が大きく増大するという問題があつた。
このため，104〜109オーム／口の半導電性領域で均一か
つ安定な導電性を必要とする分野には，従来の導電性シ
ートは使用できなかつた。このため従来の導電性シート
を用いた静電記録体は，導電層の抵抗値の変動が大きい
ため広い面積にわたつて均一な画像が得られないという
問題や長時間空気や水蒸気にさらされたり，高温高湿に
置かれるとその導電層の抵抗値が増大するために，安定
した画像特性が得られないという問題があり，実用化の
大きな障害となつていた。
つ安定な導電性を必要とする分野には，従来の導電性シ
ートは使用できなかつた。このため従来の導電性シート
を用いた静電記録体は，導電層の抵抗値の変動が大きい
ため広い面積にわたつて均一な画像が得られないという
問題や長時間空気や水蒸気にさらされたり，高温高湿に
置かれるとその導電層の抵抗値が増大するために，安定
した画像特性が得られないという問題があり，実用化の
大きな障害となつていた。
本発明の目的は，上記欠点のないもの，すなわち，104
〜109オーム／口の半導電性領域で，広い面積にわたつ
て均一な表面電気抵抗を有し，かつ空気，水蒸気，熱な
どの環境下での経時変化が少なく，安定な導電性シート
を提供せんとするものである。
〜109オーム／口の半導電性領域で，広い面積にわたつ
て均一な表面電気抵抗を有し，かつ空気，水蒸気，熱な
どの環境下での経時変化が少なく，安定な導電性シート
を提供せんとするものである。
また，他の目的は，広い面積にわたつて，安定した画像
特性を有し，空気，水蒸気，熱などの環境下での経時変
化が少なく，安定した画像特性を有する静電記録体を提
供せんとするものである。
特性を有し，空気，水蒸気，熱などの環境下での経時変
化が少なく，安定した画像特性を有する静電記録体を提
供せんとするものである。
本発明は，上記目的を達成するために次の構成すなわ
ち，(1)有機重合体シート(A)，厚さが５〜1,０００Åの
金属酸化物薄層(B)，および，Pt，Pd，Rh，Ru，Irの少
なくとも１種から主としてなる導電層(C)が，少なくと
もＡ／Ｂ／Ｃ，または，Ａ／Ｃ／Ｂの配列で積層された
導電性シートであつて，かつ該導電性シートのＣまたは
Ｂ側の表面電気抵抗が，104〜109オーム／口である導電
性シート，ならびに，(2)有機重合体シート(A)，厚さが
５〜1,０００Åの金属酸化物薄層(B)，および，Pt，P
d，Rh，Ru，Irの少なくとも１種から主としてなる導電
層(C)が，少なくともＡ／Ｂ／Ｃ，または，Ａ／Ｃ／Ｂ
の配列で積層された導電性シートであつて，かつ該導電
性シートのＣまたはＢ側の表面電気抵抗が，104〜109オ
ーム／口である導電性シートと，該導電性シートのＣま
たはＢ側に設けた誘電層(D)とからなる静電記録体を特
徴とするものである。
ち，(1)有機重合体シート(A)，厚さが５〜1,０００Åの
金属酸化物薄層(B)，および，Pt，Pd，Rh，Ru，Irの少
なくとも１種から主としてなる導電層(C)が，少なくと
もＡ／Ｂ／Ｃ，または，Ａ／Ｃ／Ｂの配列で積層された
導電性シートであつて，かつ該導電性シートのＣまたは
Ｂ側の表面電気抵抗が，104〜109オーム／口である導電
性シート，ならびに，(2)有機重合体シート(A)，厚さが
５〜1,０００Åの金属酸化物薄層(B)，および，Pt，P
d，Rh，Ru，Irの少なくとも１種から主としてなる導電
層(C)が，少なくともＡ／Ｂ／Ｃ，または，Ａ／Ｃ／Ｂ
の配列で積層された導電性シートであつて，かつ該導電
性シートのＣまたはＢ側の表面電気抵抗が，104〜109オ
ーム／口である導電性シートと，該導電性シートのＣま
たはＢ側に設けた誘電層(D)とからなる静電記録体を特
徴とするものである。
本発明における有機重合体シート(A)とは，ポリエチレ
ン，ポリプロピレンなどのポリオレフイン，ポリエチレ
ンテレフタレート，ポリエチレン２−６ナフタレートな
どのポリエステル，ポリカーボネート，ポリアミド，ポ
リスルフオン，ポリフエニレンスルフイド，ポリフエニ
レンオキサイド，テトラフルオロエチレン，ポリメチル
メタアクリレート，ポリ塩化ビニル，ポリ弗化ビニリデ
ン，芳香族ポリアミド，ポリアミドイミド，ポリイミド
などおよび，これらの混合物，共重合物やさらに架橋し
たものから成るシート状物である。中でも二軸延伸され
たシートは，平面性，寸法安定性に優れ最も適してい
る。
ン，ポリプロピレンなどのポリオレフイン，ポリエチレ
ンテレフタレート，ポリエチレン２−６ナフタレートな
どのポリエステル，ポリカーボネート，ポリアミド，ポ
リスルフオン，ポリフエニレンスルフイド，ポリフエニ
レンオキサイド，テトラフルオロエチレン，ポリメチル
メタアクリレート，ポリ塩化ビニル，ポリ弗化ビニリデ
ン，芳香族ポリアミド，ポリアミドイミド，ポリイミド
などおよび，これらの混合物，共重合物やさらに架橋し
たものから成るシート状物である。中でも二軸延伸され
たシートは，平面性，寸法安定性に優れ最も適してい
る。
有機重合体シートの厚みとしては，特に限定するもので
はないが，可撓性を有し加工しやすい点で２μ〜５００
μ，好ましくは１０μ〜２００μ，最も好ましくは２０
μ〜１５０μが望ましい。
はないが，可撓性を有し加工しやすい点で２μ〜５００
μ，好ましくは１０μ〜２００μ，最も好ましくは２０
μ〜１５０μが望ましい。
有機重合体シートは，表面電気抵抗が1010オーム／口以
上，好ましくは1012オーム／口以上であることが，金属
酸化物薄層および導電層形成時の電気抵抗の均一性を得
る点で望ましい。また，有機重合体シートは，あらかじ
め，易接着化，耐摩耗性付与，平面性改良等の目的で，
ＥＣ処理，グロー放電処理，アンカーコート，粗面化加
工などの前処理が施されていても良い。
上，好ましくは1012オーム／口以上であることが，金属
酸化物薄層および導電層形成時の電気抵抗の均一性を得
る点で望ましい。また，有機重合体シートは，あらかじ
め，易接着化，耐摩耗性付与，平面性改良等の目的で，
ＥＣ処理，グロー放電処理，アンカーコート，粗面化加
工などの前処理が施されていても良い。
金属酸化物薄層(B)とは，酸化チタン，酸化硅素，酸化
インジウム，酸化錫，酸化アルミニウム，酸化亜鉛，酸
化タンタル，酸化ジルコニウム，酸化タングステンなど
およびこれらの混合物から成るそれ自体が実質的に絶縁
性の薄層である。金属酸化物薄層の厚さは，５〜1,００
０Å，好ましくは１０〜５００Å，最も好ましくは１０
〜１００Åである。厚みが５Å未満と薄い場合には，導
電層の抵抗値の均一化と安定化に対する効果が少なく，
また厚みが1,０００Åを超えると可撓性が小さくクラツ
ク等が発生しやすいためか，抵抗値の安定性がかえつて
悪くなり好ましくない。
インジウム，酸化錫，酸化アルミニウム，酸化亜鉛，酸
化タンタル，酸化ジルコニウム，酸化タングステンなど
およびこれらの混合物から成るそれ自体が実質的に絶縁
性の薄層である。金属酸化物薄層の厚さは，５〜1,００
０Å，好ましくは１０〜５００Å，最も好ましくは１０
〜１００Åである。厚みが５Å未満と薄い場合には，導
電層の抵抗値の均一化と安定化に対する効果が少なく，
また厚みが1,０００Åを超えると可撓性が小さくクラツ
ク等が発生しやすいためか，抵抗値の安定性がかえつて
悪くなり好ましくない。
金属酸化物薄層の形成は，真空蒸着，スパツタリング，
イオンプレーテイング，化学蒸着などによつて行なうこ
とができる。中でも金属材料をターゲツトとして用い，
10-5から10-2トールの範囲の酸素分圧下で行なう，反応
性スパツタリングが金属酸化物薄層の均一化の点で最も
適している。反応性スパツタリング法としては，直流ス
パツタリング，高周波スパツタリングのいずれもが使用
でき，また，三極スパツタ，四極スパツタ，マグネトロ
ンスパツタ，イオンビームスパツタなどの方法も全て使
用することができる。
イオンプレーテイング，化学蒸着などによつて行なうこ
とができる。中でも金属材料をターゲツトとして用い，
10-5から10-2トールの範囲の酸素分圧下で行なう，反応
性スパツタリングが金属酸化物薄層の均一化の点で最も
適している。反応性スパツタリング法としては，直流ス
パツタリング，高周波スパツタリングのいずれもが使用
でき，また，三極スパツタ，四極スパツタ，マグネトロ
ンスパツタ，イオンビームスパツタなどの方法も全て使
用することができる。
真空蒸着やイオンプレーテイングによる場合は，加熱方
法として，抵抗加熱，誘導加熱，電子ビーム加熱，レー
ザービーム加熱などが使用でき，中でも電子ビーム加熱
が付着速度を大きくできるため好ましい。
法として，抵抗加熱，誘導加熱，電子ビーム加熱，レー
ザービーム加熱などが使用でき，中でも電子ビーム加熱
が付着速度を大きくできるため好ましい。
さらに，金属酸化物薄層の形成は塗工によつて行なうこ
ともできる。たとえば，有機溶剤可溶性金属化合物や水
可溶性金属化合物を薄膜塗工して加熱することにより，
金属酸化物薄層を得ることができる。かかる有機溶剤可
溶性金属化合物としては該金属のアルコキシド，アシレ
ート，キレートなどの単独または混合物の中から適宜選
択して使用される。水可溶性金属化合物としては該金属
のハロゲン化物，硝酸塩，炭酸塩などの単独または混合
物の中から適宜選択して使用される。
ともできる。たとえば，有機溶剤可溶性金属化合物や水
可溶性金属化合物を薄膜塗工して加熱することにより，
金属酸化物薄層を得ることができる。かかる有機溶剤可
溶性金属化合物としては該金属のアルコキシド，アシレ
ート，キレートなどの単独または混合物の中から適宜選
択して使用される。水可溶性金属化合物としては該金属
のハロゲン化物，硝酸塩，炭酸塩などの単独または混合
物の中から適宜選択して使用される。
本発明の導電層（Ｃ）とは，Pt，Pd，Rh，Ru，Irの少な
くとも１種から主としてなる（好ましくは９５重量％以
上）導電層である。
くとも１種から主としてなる（好ましくは９５重量％以
上）導電層である。
Pt，Pd，Rh，Ru，Irの中で，表面電気抵抗の均一性，安
定性で特にPt，Pd，Rhが望ましい。かかる導電層の中
に，他の金属材料，例えば，銅，銀，金，鉄，タンタ
ル，タングステン，モリブデンなどが５重量％以下混入
していても良い。
定性で特にPt，Pd，Rhが望ましい。かかる導電層の中
に，他の金属材料，例えば，銅，銀，金，鉄，タンタ
ル，タングステン，モリブデンなどが５重量％以下混入
していても良い。
かかる導電層は，Pt，Pd，Rh，Ru，Irあるいはこれらの
合金や混合物を原料として，真空蒸着，スパツタリン
グ，イオンプレーテイングなどにより形成することがで
きる。
合金や混合物を原料として，真空蒸着，スパツタリン
グ，イオンプレーテイングなどにより形成することがで
きる。
導電層の表面電気抵抗は104〜109オーム／口の範囲であ
ることが好ましく，さらに好ましくは１05〜１08オーム
／口であることが望ましい。表面電気抵抗が104オーム
／口未満では，抵抗値の均一性を向上するための本発明
の効果が少なく，109オーム／口を超えると抵抗値の安
定性向上に対する効果が少ない。
ることが好ましく，さらに好ましくは１05〜１08オーム
／口であることが望ましい。表面電気抵抗が104オーム
／口未満では，抵抗値の均一性を向上するための本発明
の効果が少なく，109オーム／口を超えると抵抗値の安
定性向上に対する効果が少ない。
導電層の付着形態は，均一膜であるより島状微粒子構造
となつている方が，金属酸化物薄層との接触面積が広く
なるためか，均一性，安定性の点で望ましい。島状微粒
子の場合の平均粒子サイズとしては，10-5から10-2平方
ミクロンの範囲にあることが特に好ましい。島状微粒子
の面積分率は10〜70％であることが好ましい。
となつている方が，金属酸化物薄層との接触面積が広く
なるためか，均一性，安定性の点で望ましい。島状微粒
子の場合の平均粒子サイズとしては，10-5から10-2平方
ミクロンの範囲にあることが特に好ましい。島状微粒子
の面積分率は10〜70％であることが好ましい。
誘電層（Ｄ）とは，絶縁性樹脂単独または絶縁性樹脂に
フイラーを分散させたもので，通常知られた樹脂，フイ
ラーであれば特に限定されるものではない。絶縁性樹脂
としては，熱可塑性樹脂，たとえば，ポリエステル，ポ
リエステルアミド，ポリビニルアセタール，ポリ塩化ビ
ニル，ポリ（メタ）アクリル酸エステル，ナイロン，ポ
リウレタン，ポリカーボネート，ポリスチレンやこれら
の共重合体やブレンド物などや熱硬化性樹脂，たとえ
ば，フエノール樹脂，メラミン樹脂，有機ケイ素化合
物，エポキシ樹脂などがあげられるが，これらに限定さ
れない。フイラーとしては，たとえばSiO2，TiO2，Mg
O，BeO，Al2O3，CaCO3，ＢａＴｉＯ３，ZrO2などの無機
フイラー，メラミン樹脂，スチレン−ジビニルベンゼン
系共重合体，フエノール樹脂，ポリイミドなどの有機フ
イラーなどがあげられるが，これらに限定されない。
フイラーを分散させたもので，通常知られた樹脂，フイ
ラーであれば特に限定されるものではない。絶縁性樹脂
としては，熱可塑性樹脂，たとえば，ポリエステル，ポ
リエステルアミド，ポリビニルアセタール，ポリ塩化ビ
ニル，ポリ（メタ）アクリル酸エステル，ナイロン，ポ
リウレタン，ポリカーボネート，ポリスチレンやこれら
の共重合体やブレンド物などや熱硬化性樹脂，たとえ
ば，フエノール樹脂，メラミン樹脂，有機ケイ素化合
物，エポキシ樹脂などがあげられるが，これらに限定さ
れない。フイラーとしては，たとえばSiO2，TiO2，Mg
O，BeO，Al2O3，CaCO3，ＢａＴｉＯ３，ZrO2などの無機
フイラー，メラミン樹脂，スチレン−ジビニルベンゼン
系共重合体，フエノール樹脂，ポリイミドなどの有機フ
イラーなどがあげられるが，これらに限定されない。
これらの有機重合体シート（Ａ），金属酸化物薄層
（Ｂ），導電層（Ｃ），および誘電層（Ｄ）は少なくと
もＡ／Ｂ／Ｃ，またはＡ／Ｃ／Ｂの配列で積層されて導
電性シートとなり，また，該導電性シートのＣ，または
Ｂ側にＤを積層されて静電記録体となる。ただし，Ｄが
積層される面，すなわちＣまたはＢの表面電気抵抗は10
4〜109オーム／口でなければならない。さらに好ましく
は，１05〜１08オーム／口であることが望ましく，この
範囲では酸素，水蒸気，高温雰囲気における抵抗値の変
化に対する安定性向上の効果が特に著しい。
（Ｂ），導電層（Ｃ），および誘電層（Ｄ）は少なくと
もＡ／Ｂ／Ｃ，またはＡ／Ｃ／Ｂの配列で積層されて導
電性シートとなり，また，該導電性シートのＣ，または
Ｂ側にＤを積層されて静電記録体となる。ただし，Ｄが
積層される面，すなわちＣまたはＢの表面電気抵抗は10
4〜109オーム／口でなければならない。さらに好ましく
は，１05〜１08オーム／口であることが望ましく，この
範囲では酸素，水蒸気，高温雰囲気における抵抗値の変
化に対する安定性向上の効果が特に著しい。
なおここで，Ａ／Ｂ／Ｃとは，Ａ層とＢ層，およびＢ層
とＣ層がそれぞれ密着していることを意味する。
とＣ層がそれぞれ密着していることを意味する。
本発明の導電性シートの層構成としては，Ａ／Ｂ／Ｃよ
りもＡ／Ｃ／Ｂであることが好ましく，さらに好ましく
はＡ／Ｂ／Ｃ／Ｂであることが望ましい。また，本発明
の静電記録体の層構成としては，Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｄよりも
Ａ／Ｃ／Ｂ／Ｄであることが好ましく，さらに好ましく
は，Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｂ／Ｄであることが望ましい。
りもＡ／Ｃ／Ｂであることが好ましく，さらに好ましく
はＡ／Ｂ／Ｃ／Ｂであることが望ましい。また，本発明
の静電記録体の層構成としては，Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｄよりも
Ａ／Ｃ／Ｂ／Ｄであることが好ましく，さらに好ましく
は，Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｂ／Ｄであることが望ましい。
さらに必要に応じて導電性シートと誘電層の接着性を向
上させるために接着層を設けることができる。
上させるために接着層を設けることができる。
本発明において誘電層は，単層の他に複数層に積層され
たものでもよい。
たものでもよい。
本発明において，接着層および誘電層の付加方式は通常
知られた方法が有効に使用される。たとえば，刷毛塗
り，浸漬塗り，ナイフ塗り，ロール塗り，スプレー塗
装，流し塗り，回転塗り（スピンナー，ホエラーな
ど），あるいはフイルムの付着などの中から適宜選択さ
れる。
知られた方法が有効に使用される。たとえば，刷毛塗
り，浸漬塗り，ナイフ塗り，ロール塗り，スプレー塗
装，流し塗り，回転塗り（スピンナー，ホエラーな
ど），あるいはフイルムの付着などの中から適宜選択さ
れる。
本発明は，Pt，Pd，Rh，Ru，Irの少なくとも１種から成
る導電層の少なくとも一方の面に，金属酸化物薄層を設
けることにより，導電層の電気抵抗値の均一性と安定性
を向上させたものである。導電層の少なくとも一方の面
に金属酸化物層が形成されることにより，金属層，特
に，島状微粒子から成る金属の付着形態が，熱や腐蝕性
雰囲気によつて変わることが防止でき，また，金属層表
面が金属酸化物層によつておおわれるため，空気や酸素
ガスとの接触によつておこる酸化が防止されるものと推
測される。これは，金属層がPt，Pd，Rh，Ru，Irから成
る導電層の場合に特に顕著にあらわれる効果である。
る導電層の少なくとも一方の面に，金属酸化物薄層を設
けることにより，導電層の電気抵抗値の均一性と安定性
を向上させたものである。導電層の少なくとも一方の面
に金属酸化物層が形成されることにより，金属層，特
に，島状微粒子から成る金属の付着形態が，熱や腐蝕性
雰囲気によつて変わることが防止でき，また，金属層表
面が金属酸化物層によつておおわれるため，空気や酸素
ガスとの接触によつておこる酸化が防止されるものと推
測される。これは，金属層がPt，Pd，Rh，Ru，Irから成
る導電層の場合に特に顕著にあらわれる効果である。
すなわち，有機重合体シート(A)，厚さが５〜1000Åの
金属酸化物薄層(B)およびPt，Pd，Rh，Ru，Irの少なく
とも１種から主としてなる導電層(C)が少なくともＡ／
Ｂ／Ｃ，または，Ａ／Ｃ／Ｂの配列で積層された本発明
の導電性シートにおいて，導電性に直接寄与するのは導
電層(C)であり，金属酸化物薄層(B)は，それ自体，実質
的に絶縁性の薄層である。ここで、実質的に絶縁性と
は、表面電気抵抗が１×１０10オーム／口以上をいう。
金属酸化物薄層(B)およびPt，Pd，Rh，Ru，Irの少なく
とも１種から主としてなる導電層(C)が少なくともＡ／
Ｂ／Ｃ，または，Ａ／Ｃ／Ｂの配列で積層された本発明
の導電性シートにおいて，導電性に直接寄与するのは導
電層(C)であり，金属酸化物薄層(B)は，それ自体，実質
的に絶縁性の薄層である。ここで、実質的に絶縁性と
は、表面電気抵抗が１×１０10オーム／口以上をいう。
本発明は，特定の有機重合体シート（Ａ），金属酸化物
薄層（Ｂ），導電層（Ｃ）を，Ａ／Ｂ／ＣまたはＡ／Ｃ
／Ｂの配列で積層したことにより，次のごとき優れた効
果を得ることができたものである。
薄層（Ｂ），導電層（Ｃ）を，Ａ／Ｂ／ＣまたはＡ／Ｃ
／Ｂの配列で積層したことにより，次のごとき優れた効
果を得ることができたものである。
104〜109オーム／口の半導電性領域の抵抗値の均一性が
著しく改善でき，大面積の導電性シートが容易に得られ
るようになつた。
著しく改善でき，大面積の導電性シートが容易に得られ
るようになつた。
酸素，水蒸気，高温雰囲気における抵抗値の変化が著し
く減少し，耐熱性，安定性のすぐれた導電性シートが得
られるようになつた。
く減少し，耐熱性，安定性のすぐれた導電性シートが得
られるようになつた。
104〜109オーム／口の半導電性領域の抵抗値の均一性が
著しく改善でき，大面積で安定した画像を与える静電記
録体が得られるようになつた。
著しく改善でき，大面積で安定した画像を与える静電記
録体が得られるようになつた。
酸素，水蒸気，高温雰囲気における抵抗値の変化が著し
く減少し，耐熱性，安定性，耐湿性のすぐれた，かつ長
寿命の静電記録体が得られるようになつた。
く減少し，耐熱性，安定性，耐湿性のすぐれた，かつ長
寿命の静電記録体が得られるようになつた。
本発明で得られる導電性シートを，それ単独で静電気防
止材料，抵抗体，タツチスイツチなどに使用できる他，
導電性シートの一方の面に，接着剤，誘電体，光導電
体，磁性体などを塗布して，ＩＣ包装材料，静電記録シ
ート，電子写真感光材料，磁気記録媒体などに利用する
ことができる。
止材料，抵抗体，タツチスイツチなどに使用できる他，
導電性シートの一方の面に，接着剤，誘電体，光導電
体，磁性体などを塗布して，ＩＣ包装材料，静電記録シ
ート，電子写真感光材料，磁気記録媒体などに利用する
ことができる。
本発明で得られる静電記録体は，(1)静電記録体にトナ
ー像を形成し，その像を普通紙に転写したのち，クリー
ニングし反復使用する記録方式，たとえばハードコピー
用原紙として普通紙を用いる複写機，フアクシミリ受信
機，プリンターなどの転写マスターとして，(2)静電記
録体にトナー像を形成し，定着する記録方式，例えば対
話型設計（Computer Aided Design；CAD），対話型製造
（Computer Aided Manufacturing；CAM）用静電記録フ
イルムとして，(3)静電像転写方式の電子写真プロセス
（ＴＥＳＩ法）で転写静電像を保持する記録体として利
用することができる。
ー像を形成し，その像を普通紙に転写したのち，クリー
ニングし反復使用する記録方式，たとえばハードコピー
用原紙として普通紙を用いる複写機，フアクシミリ受信
機，プリンターなどの転写マスターとして，(2)静電記
録体にトナー像を形成し，定着する記録方式，例えば対
話型設計（Computer Aided Design；CAD），対話型製造
（Computer Aided Manufacturing；CAM）用静電記録フ
イルムとして，(3)静電像転写方式の電子写真プロセス
（ＴＥＳＩ法）で転写静電像を保持する記録体として利
用することができる。
1.表面電気抵抗 導電性シートを幅３０mmに切取り，その切断線に直交
し，かつ間隔が３０mmの２本の平行線を想定し，その２
本の線ではさまれる区間を除く右と左にそれぞれ導電性
ペーストを塗布し，それを電極とする。この電極間の電
気抵抗をケースレー製エレクトロメータ（タイプ６１０
Ｃ）を用いて測定する。単位は，オーム／口で示す。な
お，静電記録体の表面電気抵抗も上記に準じて測定す
る。
し，かつ間隔が３０mmの２本の平行線を想定し，その２
本の線ではさまれる区間を除く右と左にそれぞれ導電性
ペーストを塗布し，それを電極とする。この電極間の電
気抵抗をケースレー製エレクトロメータ（タイプ６１０
Ｃ）を用いて測定する。単位は，オーム／口で示す。な
お，静電記録体の表面電気抵抗も上記に準じて測定す
る。
2.金属酸化物層の膜厚 導電性シートを王水で溶解したのち，稀塩酸溶液とす
る。この溶液をＩＣＰ発光分析装置（第２精工舎製，タ
イプＳＰＳ−１１００）を用いて測定し，金属酸化物の
付着重量を求める。付着重量とバルクの比重から，重量
換算した膜厚を算出し膜厚とする。
る。この溶液をＩＣＰ発光分析装置（第２精工舎製，タ
イプＳＰＳ−１１００）を用いて測定し，金属酸化物の
付着重量を求める。付着重量とバルクの比重から，重量
換算した膜厚を算出し膜厚とする。
3.画像特性 導電層を対向電極として，誘電体表面に＋４５０Ｖの電
圧印加を行ない静電記録し，次いで，−４５０Ｖの電圧
印加により記録像を消去するという多数回の繰り返し記
録−消去テストを行ない，最後に＋４５０Ｖの電圧印加
後，トナーによる現像処理を行なつて，光学濃度計（富
士写真フイルム（株）製，デンシトメーター，タイプＰ
−２）を用いて画像濃度（ＯＤ）を測定した。
圧印加を行ない静電記録し，次いで，−４５０Ｖの電圧
印加により記録像を消去するという多数回の繰り返し記
録−消去テストを行ない，最後に＋４５０Ｖの電圧印加
後，トナーによる現像処理を行なつて，光学濃度計（富
士写真フイルム（株）製，デンシトメーター，タイプＰ
−２）を用いて画像濃度（ＯＤ）を測定した。
実施例１〜３ 二軸延伸したポリエチレンテレフタレートフイルム（厚
み１００μ，幅５００mm）上に，厚さ２０Åの酸化チタ
ン層を反応性スパツタリング法により形成した。
み１００μ，幅５００mm）上に，厚さ２０Åの酸化チタ
ン層を反応性スパツタリング法により形成した。
反応性スパツタリングは，金属チタン（純度９9.９％，
幅７００mm，厚さ１０mm）をターゲツトとし，直流マグ
ネトロンスパツタ装置を用いてアルゴンと酸素の混合ガ
ス（酸素１２体積％）を導入しながら６×10-4トールの
圧力で行なつた。
幅７００mm，厚さ１０mm）をターゲツトとし，直流マグ
ネトロンスパツタ装置を用いてアルゴンと酸素の混合ガ
ス（酸素１２体積％）を導入しながら６×10-4トールの
圧力で行なつた。
次いで，白金（純度９9.９％，幅７００mm，厚さ２mm）
をターゲツトとしてこの酸化チタン層上に，スパツタリ
ング法により表面電気抵抗がほぼ105,106,107オーム／
口の白金層を形成した。白金層は，直流マグネトロンス
パツタ装置を用いてアルゴンガスを導入しながら８×10
-4トールの圧力で行なつた。
をターゲツトとしてこの酸化チタン層上に，スパツタリ
ング法により表面電気抵抗がほぼ105,106,107オーム／
口の白金層を形成した。白金層は，直流マグネトロンス
パツタ装置を用いてアルゴンガスを導入しながら８×10
-4トールの圧力で行なつた。
表面電気抵抗が105，106，107オーム／口のものをそれ
ぞれ実施例１，２，３とする。
ぞれ実施例１，２，３とする。
以上述べたように，Ａとしてポリエチレンテレフタレー
トフイルム，Ｂとして酸化チタン，Ｃとして白金を用
い，Ａ／Ｂ／Ｃの配列で形成された導電性シートを得
た。
トフイルム，Ｂとして酸化チタン，Ｃとして白金を用
い，Ａ／Ｂ／Ｃの配列で形成された導電性シートを得
た。
得られた導電性シートの表面電気抵抗を縦，横とも５cm
間隔で１００点測定し，その標準偏差（σ）を求めた。
ここでσは表面電気抵抗の均一性を示すものである。
間隔で１００点測定し，その標準偏差（σ）を求めた。
ここでσは表面電気抵抗の均一性を示すものである。
次いでこれらの導電性シートを５０℃，９０％ＲＨ中に
５０日間保管し，初期表面電気抵抗(R0)と，経時後表面
電気抵抗(R50)を測定し，変化率（R50／R0）を算出し
た。結果をそれぞれ第１表に示す。
５０日間保管し，初期表面電気抵抗(R0)と，経時後表面
電気抵抗(R50)を測定し，変化率（R50／R0）を算出し
た。結果をそれぞれ第１表に示す。
実施例４〜６ 実施例１〜３で得られる導電性シートを用いて白金層の
上に，厚さ２０Åの酸化チタン層を反応性スパツタリン
グにより形成した。反応性スパツタリングは，実施例１
〜３と同様にして行つた。
上に，厚さ２０Åの酸化チタン層を反応性スパツタリン
グにより形成した。反応性スパツタリングは，実施例１
〜３と同様にして行つた。
表面電気抵抗がほぼ105，106，107オーム／口のもの
を，それぞれ実施例４，５，６とする。
を，それぞれ実施例４，５，６とする。
以上述べたようにＡとしてポリエチレンテレフタレート
フイルム，Ｂとして酸化チタン，Ｃとして白金を用い
て，Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｂの配列で形成された導電性シートを
得た。
フイルム，Ｂとして酸化チタン，Ｃとして白金を用い
て，Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｂの配列で形成された導電性シートを
得た。
これらの導電性シートの表面電気抵抗(R0)，標準偏差
（σ），５０℃，９０％ＲＨ中５０日後の表面電気抵抗
（R50）を測定した。結果を第１表に示す。
（σ），５０℃，９０％ＲＨ中５０日後の表面電気抵抗
（R50）を測定した。結果を第１表に示す。
比較例１〜３ 実施例１〜３で用いたと同じ，二軸延伸ポリエチレンテ
レフタレートフイルム上に，スパツタリング法により表
面電気抵抗が105，106，107オーム／口の白金層を形成
した。スパツタリングは実施例１〜３と同様にして行な
つた。
レフタレートフイルム上に，スパツタリング法により表
面電気抵抗が105，106，107オーム／口の白金層を形成
した。スパツタリングは実施例１〜３と同様にして行な
つた。
表面電気抵抗がほぼ105，106，107オーム／口のもの
を，それぞれ比較例１，２，３とする。
を，それぞれ比較例１，２，３とする。
本比較例は，Ａ／Ｃの配列で形成された導電性シートで
ある。
ある。
これらの導電性シートの表面電気抵抗(R0)，標準偏差
（σ），５０℃，９０％ＲＨ中，５０日後の表面電気抵
抗(R50)を測定した。結果を第１表に示す。
（σ），５０℃，９０％ＲＨ中，５０日後の表面電気抵
抗(R50)を測定した。結果を第１表に示す。
比較例４〜６ 比較例１〜３で得られた表面電気抵抗がほぼ105，106，
107オーム／口の導電性シートを用いて白金層の上に，
厚さ２０００Åの酸化チタン層を反応性スパツタリング
により形成した。反応性スパツタリングは，実施例１〜
３と同様にし，スパツタ時間を長くすることによつて行
なつた。
107オーム／口の導電性シートを用いて白金層の上に，
厚さ２０００Åの酸化チタン層を反応性スパツタリング
により形成した。反応性スパツタリングは，実施例１〜
３と同様にし，スパツタ時間を長くすることによつて行
なつた。
本比較例は，Ａ／Ｃ／Ｂの配列で形成された導電性シー
トで，最外層のＢ層が厚さ２０００Åの酸化チタンから
なる。
トで，最外層のＢ層が厚さ２０００Åの酸化チタンから
なる。
得られた導電性シートの表面電気抵抗(R0)，標準偏差
（σ），５０℃，９０％ＲＨ中５０日後の表面電気抵抗
（R50）の測定結果を第１表に示す。
（σ），５０℃，９０％ＲＨ中５０日後の表面電気抵抗
（R50）の測定結果を第１表に示す。
表面電気抵抗(R0)は白金層のみの表面電気抵抗より，１
桁以上大きく，面内の電気抵抗の変動と経時変化も大き
かつた。得られた導電性シート表面を，Ｘ線マイクロア
ナライザー（SEM−ＸＭＡ，倍率１万倍）で観察した結
果，酸化チタン層に0.１〜１μの間隔で微細なクラツク
が無数発生しているのが観察された。
桁以上大きく，面内の電気抵抗の変動と経時変化も大き
かつた。得られた導電性シート表面を，Ｘ線マイクロア
ナライザー（SEM−ＸＭＡ，倍率１万倍）で観察した結
果，酸化チタン層に0.１〜１μの間隔で微細なクラツク
が無数発生しているのが観察された。
実施例７〜９ 二軸延伸したポリエチレンテレフタレートフイルム（厚
み７５μ，幅３５０mm）上に，パラジウム（純度９9.９
％）をターゲツトとし，スパツタリング法により表面電
気抵抗がほぼ105，106，107オーム／口のパラジウム層
を形成した。スパツタリングは８×10-4トールのアルゴ
ンガス中で行なつた。次いでこのパラジウム層上に厚さ
５０Åの酸化インジウム−酸化錫層を反応性スパツタリ
ング法により形成した。反応性スパツタは，インジウム
−錫合金（錫；１０重量％）をターゲツトとして，マグ
ネトロンスパツタ装置を用いて，アルゴンと酸素の混合
ガス（酸素３５体積％）を導入しながら，３×１0-3ト
ールの圧力で行なつた。表面電気抵抗がほぼ105，106，
107オーム／口のものをそれぞれ実施例７，８，９を得
た。
み７５μ，幅３５０mm）上に，パラジウム（純度９9.９
％）をターゲツトとし，スパツタリング法により表面電
気抵抗がほぼ105，106，107オーム／口のパラジウム層
を形成した。スパツタリングは８×10-4トールのアルゴ
ンガス中で行なつた。次いでこのパラジウム層上に厚さ
５０Åの酸化インジウム−酸化錫層を反応性スパツタリ
ング法により形成した。反応性スパツタは，インジウム
−錫合金（錫；１０重量％）をターゲツトとして，マグ
ネトロンスパツタ装置を用いて，アルゴンと酸素の混合
ガス（酸素３５体積％）を導入しながら，３×１0-3ト
ールの圧力で行なつた。表面電気抵抗がほぼ105，106，
107オーム／口のものをそれぞれ実施例７，８，９を得
た。
以上述べたようにＡとしてポリエチレンテレフタレート
フイルム，Ｂとして酸化インジウム−酸化錫，Ｃとして
パラジウムを用い，Ａ／Ｃ／Ｂの配列で形成された導電
性シートを得た。それぞれのR0，σ，R50を第１表に示
す。
フイルム，Ｂとして酸化インジウム−酸化錫，Ｃとして
パラジウムを用い，Ａ／Ｃ／Ｂの配列で形成された導電
性シートを得た。それぞれのR0，σ，R50を第１表に示
す。
なお，本実施例と同様にして，ポリエチレンテレフタレ
ートフイルム上に直接５０Åの酸化インジウム・酸化錫
層を反応性スパツタリング法により形成し，Ａ／Ｂの配
列で形成された積層シートを得た。該積層シートのＢ面
の表面電気抵抗は，１010オーム／口以上であつた。す
なわち，本実施例の金属酸化物層(B)はそれ自体では実
質的に絶縁性である。ここで、実質的に絶縁性とは、表
面電気抵抗が１×１０10オーム／口以上をいう。
ートフイルム上に直接５０Åの酸化インジウム・酸化錫
層を反応性スパツタリング法により形成し，Ａ／Ｂの配
列で形成された積層シートを得た。該積層シートのＢ面
の表面電気抵抗は，１010オーム／口以上であつた。す
なわち，本実施例の金属酸化物層(B)はそれ自体では実
質的に絶縁性である。ここで、実質的に絶縁性とは、表
面電気抵抗が１×１０10オーム／口以上をいう。
比較例７ 二軸延伸したポリエチレンテレフタレートフイルム（厚
さ１２５μ）上に，酸化インジウム−酸化錫層を反応性
スパツタリング法により形成した。反応性スパツタは，
インジウム−錫合金（錫；１０重量％）をターゲツトと
して，マグネトロンスパツタ装置を用いて，アルゴンと
酸素の混合ガス（酸素３０体積％）を導入しながら，１
×10-3トールの圧力で行ない，表面電気抵抗がほぼ106
オームのものを比較例７とし，そのR0，σ，R50を第１
表に示す。
さ１２５μ）上に，酸化インジウム−酸化錫層を反応性
スパツタリング法により形成した。反応性スパツタは，
インジウム−錫合金（錫；１０重量％）をターゲツトと
して，マグネトロンスパツタ装置を用いて，アルゴンと
酸素の混合ガス（酸素３０体積％）を導入しながら，１
×10-3トールの圧力で行ない，表面電気抵抗がほぼ106
オームのものを比較例７とし，そのR0，σ，R50を第１
表に示す。
本比較例はＡ／Ｂの配列で形成された導電性シートであ
る。
る。
第１表から，本発明の導電性シート（実施例１〜９）は
比較例１〜７に比べて，表面電気抵抗の標準偏差（σ）
が小さく，均一性にすぐれ，かつ表面電気抵抗の変化率
が小さく，表面電気抵抗が安定なすぐれた導電性シート
であることは明らかである。
比較例１〜７に比べて，表面電気抵抗の標準偏差（σ）
が小さく，均一性にすぐれ，かつ表面電気抵抗の変化率
が小さく，表面電気抵抗が安定なすぐれた導電性シート
であることは明らかである。
実施例１０〜１２ 実施例２，５，８で得た導電性フイルムの上に下記の混
合組成物からなる均一分散液をドクターナイフ塗布装置
を用いて，乾燥固型分が７ｇ／m2となるように塗布し，
加熱完納架橋して，静電記録体（それぞれ実施例１０〜
１２）を得た（塗工部の幅は３００mm）。
合組成物からなる均一分散液をドクターナイフ塗布装置
を用いて，乾燥固型分が７ｇ／m2となるように塗布し，
加熱完納架橋して，静電記録体（それぞれ実施例１０〜
１２）を得た（塗工部の幅は３００mm）。
架橋型メタクリル酸エステルアクリル酸エステ ル系コポリマ １００重量部 架橋剤（ポリイソシアナート） １０重量部 酸化アルミニウム（数平均粒径が７μ） ３０重量部 トルエン ３００重量部 酢酸ブチル ３００重量部 以上述べたように，実施例１０では，Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｄ，
実施例１１では，Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｂ／Ｄ，実施例１２では
Ａ／Ｃ／Ｂ／Ｄの配列で形成された静電記録体を得た。
実施例１１では，Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｂ／Ｄ，実施例１２では
Ａ／Ｃ／Ｂ／Ｄの配列で形成された静電記録体を得た。
これらの静電記録体の表面電気抵抗（３００mm長に切断
し，３００mm間隔の電極間抵抗を測定しR0オーム／口を
求めた），画像濃度（ＯD0）を測定した。次いで５０
℃，９０％ＲＨ中に１５０日間保管し，表面電気抵抗
（R150）および画像濃度（ＯD150を測定し，それぞれの
変化率（R150／R0，ＯD150／ＯD0）を算出した。結果を
それぞれ第２表に示す。画像はそれぞれ塗工後のものも
５０℃，９０％ＲＨ中１５０日保管したあとのものも，
いずれも良好であつた。
し，３００mm間隔の電極間抵抗を測定しR0オーム／口を
求めた），画像濃度（ＯD0）を測定した。次いで５０
℃，９０％ＲＨ中に１５０日間保管し，表面電気抵抗
（R150）および画像濃度（ＯD150を測定し，それぞれの
変化率（R150／R0，ＯD150／ＯD0）を算出した。結果を
それぞれ第２表に示す。画像はそれぞれ塗工後のものも
５０℃，９０％ＲＨ中１５０日保管したあとのものも，
いずれも良好であつた。
さらにこれらの静電記録体を転写型静電記録マスターフ
イルムとして，２万枚くり返し作像使用後の画像は，い
ずれも初期のものと変りなく良好な画像であつた。
イルムとして，２万枚くり返し作像使用後の画像は，い
ずれも初期のものと変りなく良好な画像であつた。
実施例１３ 実施例６で得た導電性フイルムの上に下記の混合組成物
からなる均一分散液を，ドクターナイフ塗布装置を用い
て，乾燥固型分が６ｇ／m2になるように塗布，加熱乾燥
して，静電記録体（実施例１３）を得た（塗工部の幅は
１５０mm）。
からなる均一分散液を，ドクターナイフ塗布装置を用い
て，乾燥固型分が６ｇ／m2になるように塗布，加熱乾燥
して，静電記録体（実施例１３）を得た（塗工部の幅は
１５０mm）。
線形飽和ポリエステル樹脂 １００重量部 酸化チタン ２０重量部 メチルエチルケトン ３００重量部 トルエン ３００重量部 本実施例１３は，Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｂ／Ｄの配列で形成され
た静電記録体である。
た静電記録体である。
これらの静電記録体の表面電気抵抗（１５０mm長に切断
し，オーム／１５０mm×１５０mmを測定した……R0），
画像濃度（ＯD0）を測定した。次いで５０℃，９０％Ｒ
Ｈ中に１５０日間保管し，表面電気抵抗（R150）および
画像濃度（ＯD150）を測定し，それぞれの変化率（R150
／R0，OD150／OD0）を算出した。結果を第２表に示す。
画像は塗工後のものも５０℃，９０％ＲＨ中１５０日保
管したあとのものも，いずれも良好であつた。
し，オーム／１５０mm×１５０mmを測定した……R0），
画像濃度（ＯD0）を測定した。次いで５０℃，９０％Ｒ
Ｈ中に１５０日間保管し，表面電気抵抗（R150）および
画像濃度（ＯD150）を測定し，それぞれの変化率（R150
／R0，OD150／OD0）を算出した。結果を第２表に示す。
画像は塗工後のものも５０℃，９０％ＲＨ中１５０日保
管したあとのものも，いずれも良好であつた。
比較例８〜９ 実施例１１〜１２において，導電性フイルムとしてそれ
ぞれ比較例２〜３を用いる他は同様にして静電記録体
（比較例８〜９）を得た。
ぞれ比較例２〜３を用いる他は同様にして静電記録体
（比較例８〜９）を得た。
本比較例８〜９は，Ａ／Ｃ／Ｄの配列で形成された静電
記録体である。
記録体である。
これらの静電記録体の表面電気抵抗(R0)，画像濃度(O
D0)を測定し，次いで５０℃，９０％ＲＨ中１５０日後
の表面電気抵抗（R150），画像濃度（ＯD150）を測定
し，それぞれの変化率（R150／R0，OD150／OD0）を算出
した。
D0)を測定し，次いで５０℃，９０％ＲＨ中１５０日後
の表面電気抵抗（R150），画像濃度（ＯD150）を測定
し，それぞれの変化率（R150／R0，OD150／OD0）を算出
した。
結果を第２表にまとめた。画像は，それぞれ塗工後のも
のに比べて５０℃，９０％ＲＨ中１５０日保管したもの
は，画像濃度が低く，一部に不鮮明な部分があり，不良
であつた。第２表から，本発明の静電記録体（実施例１
０〜１３）は比較例８〜９に比べて，表面電気抵抗が安
定で，かつ画像濃度の変化が小さく（実質的に変化な
し）画像も良好で優れた静電記録体であることは明らか
である。
のに比べて５０℃，９０％ＲＨ中１５０日保管したもの
は，画像濃度が低く，一部に不鮮明な部分があり，不良
であつた。第２表から，本発明の静電記録体（実施例１
０〜１３）は比較例８〜９に比べて，表面電気抵抗が安
定で，かつ画像濃度の変化が小さく（実質的に変化な
し）画像も良好で優れた静電記録体であることは明らか
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−205741（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−11349（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−53764（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−74743（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−36654（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−10043（ＪＰ，Ａ) 特公 昭58−28575（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭58−27491（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (2)
- 【請求項１】有機重合体シート（Ａ），厚さが５〜1000
Åの金属酸化物薄層（Ｂ），およびPt，Pd，Rh，Ru，Ir
の少なくとも１種から主としてなる導電層（Ｃ）が少な
くともＡ／Ｂ／Ｃ，または，Ａ／Ｃ／Ｂの配列で積層さ
れた導電性シートであつて，かつ該導電性シートのＣま
たはＢ側の表面電気抵抗が，104〜109オーム／口である
ことを特徴とする導電性シート。 - 【請求項２】有機重合体シート（Ａ），厚さが５〜1000
Å°の金属酸化物薄層（Ｂ），および，Pt，Pd，Rh，R
u，Irの少なくとも１種から主としてなる導電層（Ｃ）
が，少なくともＡ／Ｂ／Ｃ，または，Ａ／Ｃ／Ｂの配列
で積層された導電性シートであつて，かつ該導電性シー
トのＣまたはＢ側の表面電気抵抗が，104〜109オーム／
口である導電性シートと，該導電性シートのＣまたはＢ
側に設けた誘電層（Ｄ）とからなることを特徴とする静
電記録体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58141239A JPH0619577B2 (ja) | 1983-08-03 | 1983-08-03 | 導電性シ−トおよびそれを用いた静電記録体 |
| DE8484305240T DE3469463D1 (en) | 1983-08-03 | 1984-08-01 | Conductive sheet and electrostatic recording medium therefrom |
| EP84305240A EP0134117B1 (en) | 1983-08-03 | 1984-08-01 | Conductive sheet and electrostatic recording medium therefrom |
| US06/872,671 US4702980A (en) | 1983-08-03 | 1986-06-10 | Conductive sheet and electrostatic recording medium formed therefrom |
Applications Claiming Priority (1)
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