JPH06194433A - 磁力計 - Google Patents

磁力計

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JPH06194433A
JPH06194433A JP5205072A JP20507293A JPH06194433A JP H06194433 A JPH06194433 A JP H06194433A JP 5205072 A JP5205072 A JP 5205072A JP 20507293 A JP20507293 A JP 20507293A JP H06194433 A JPH06194433 A JP H06194433A
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JP
Japan
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circuit
contact pads
connecting lead
magnetometer
interference device
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Application number
JP5205072A
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English (en)
Inventor
Johann E W Krueger
エミール ヴィルヘルム クリューガー ヨハン
Olaf H Doessel
ヘルムート デーゼル オフラ
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Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Electronics NV
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/035Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using superconductive devices
    • G01R33/0354SQUIDS
    • G01R33/0358SQUIDS coupling the flux to the SQUID
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S505/00Superconductor technology: apparatus, material, process
    • Y10S505/825Apparatus per se, device per se, or process of making or operating same
    • Y10S505/842Measuring and testing
    • Y10S505/843Electrical
    • Y10S505/845Magnetometer
    • Y10S505/846Magnetometer using superconductive quantum interference device, i.e. squid

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 相互作用がない統合的な制御回路にし、また
特別の機能を行うようにすることができる磁力計を提供
する。 【構成】 磁力計の回路は減衰した測定回路26における
結合コイル25及び少なくとも1個の抵抗27と、SQUID 2
1、磁界勾配計18及び電子制御サーキットリーを接続す
る接続リード線19,20,23,24,34,35 及び接点パッド11,1
2,13,14,15とを具える。第1及び第2の接続リード線3
4,35 を、少なくとも電子制御サーキットリーの出力信
号と接続し、この電子制御サーキットリーにより生ずる
集積コントローラの電流を導電的に結合するために、測
定回路26と第1及び第2の接点パッド11,12 との間に設
け、SQUID の信号を、第5及び第6の接点パッド13,14
を介して電子制御サーキットリーへ供給する入力信号と
して利用する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、超伝導量子干渉素子
(SQUID:superconducting quantum interference
device )及びこのSQUIDを動作させる回路を具え
る磁力計であって、この回路は減衰した測定回路におけ
る結合コイルと、少なくとも1個の抵抗と、前記超伝導
量子干渉素子、グラジオメータ及び電子制御サーキット
リーを接続する接続リード線及び接点パッドを具えるも
のとした磁力計に関するものである。
【0002】
【従来の技術】この種の磁力計は既知である。例えば、
論文"Priciples and Applications ofSQUIDs"(J.C
larke Proc.IEEE Vol.77,No.8,p.1208(1989)) から生体
磁気センサ用のDC−SQUIDの好適な装置が既知で
ある。この装置では、測定回路をジョセフソン接点を有
するSQUIDインダクタンスから構成されているSQ
UIDリングに関連させている。この測定回路は、測定
コイルとして使用されるグラジオメータに、接続線を介
して最終的に接続された結合コイルを具える。接続リー
ド線を有する結合コイル及びグラジオメータから構成さ
れる測定回路は超伝導性でなければならない。外部磁
界、さらに詳しくは外部磁界の勾配によりグラジオメー
タに電流が生じ、この電流によって最終的には結合コイ
ルを介してSQUIDリング内に磁束が発生する。この
外部磁界の磁束をSQUIDリング内でできるだけ高効
率に結合することができるように、結合コイルとSQU
IDリングとの間の結合をできるだけ強固にしなければ
ならない。結合係数が結合コイルとSQUIDリングと
の間の結合係数を0.9 までにすることができる。正弦波
形的SQUID特性を劣化させるおそれがある寄生作用
を減衰するために、最も簡単な場合には抵抗を結合コイ
ルに並列接続する。
【0003】出力信号を直線化し、かつ、適切な測定ダ
イナミックスを得るために、SQUIDはいわゆるフラ
ックス─ロックド─ループ(flux-locked-loop)回路内
で動作される。この回路は、外部磁界が存在するにもか
かわらず最高感度ポイントにおいてもSQUIDリング
中の磁束を維持することができる統合制御回路を意味す
る。この目的を達成するために、従来技術によればコン
トローラの出力電流が、SQUIDリングに磁気的に関
連した変調コイルに帰還される。出力電流はこの場合、
測定される外部磁界にも比例する。この変調コイルとS
QUIDリングとの間の結合係数をそれ自体任意に選択
でき、一般に0.5 となる。電子制御サーキットリーへの
入力信号は、接続リード線を介してSQUIDリングに
接続された二つの接点パッド(接点)から得られる。同
時に、最適動作点を調整するためにバイアス電流をこの
電流経路に供給する。
【0004】このような磁力計の回路の他の実施例は例
えば、米国特許明細書第4,389,612号又は独国特許公開
明細書第39 26 917 号から既知である。これらに開示さ
れた回路は、DCバイアスに基づく実施又は交流バイアス
電流を利用した実施に関するものである。これらの明細
書に記載された回路では、対応する周波数の変調電流が
必要とされる。変調電流はコントローラの電流に重畳さ
れ、その後変調コイルに給電される。
【0005】特開平2-298878号公報の英文抄録には、追
加のコイルを挿入するために結合コイルが開放され、か
つ、フィードアウトされている回路装置に関するものが
記載されている。この装置の目的はシステムのダイナミ
ックレンジを増大させることであるが、この装置はいわ
ゆるディジタルSQUIDのみに感知し、本明細書で考
慮している通常のSQUIDを対象とするものではな
い。
【0006】誘導的な結合は、論文"Elimination of fl
ux-transformer in multi-channelSQUID magnetro
meters"(H.J.M.ter Brake,F.H.Fleuren,J.A.Ulfman,J.F
lokstra,Cryogenics,Vol.26,pp.667-670(1986))から既
知のような用途にも適用できる。この場合、完全に相互
作用がないことが要求され、すなわちSQUID内の磁
束のみでなく外部磁界により生じたグラジオメータ中の
電流もゼロに相殺されなければならない。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述したこれらすべて
の用途において、SQUID(すなわちSQUIDリン
グ)、結合コイル、変調コイル等は単一のチップ上に集
積され、したがってSQUIDモジュールを形成するこ
とが多い。しかしながら、このように完全な回路の製造
は困難であり、かつ、複雑な技術の工程となり、この場
合製造工程が増えるごとに生産性が低下する。したがっ
て変調コイルは、実際のSQUIDモジュールに後の工
程でのみ取り付けるために通常別個に構成されているこ
とが多い。このとき要求される余分な労力の他に、SQ
UIDリングと変調コイルとの間の結合係数に応じて誤
差が増大する。しかしながら、この結合係数はコントロ
ーラの回路の利得に直接影響を及ぼすので、コントロー
ラの調整範囲はそれに応じて増大する。
【0008】SQUIDモジュールの磁束がフリーズす
るおそれがあるために、従来技術で他の工程が必要とさ
れていた。これはSQUIDが超伝導構造であるために
電気的及び/又は磁気的性質の外部妨害により発生した
磁束をフリーズし、遂にはSQUIDの特性が劣化する
ためである。この点に関する緩和策は加熱のみであり、
すなわち用いられる超伝導材料の遷移温度をわずかに超
えるようにする。米国特許明細書第4,689,559 号には、
加熱抵抗をSQUID(すなわちSQUIDリング)の
近傍に配置することが記載されているが、この場合抵抗
には、追加の接続リード線を介して比較的大きい値の電
流及び電圧を供給する必要がある。
【0009】本発明は、相互作用がない統合的な制御回
路にし、また特別の機能を行うようにすることができ、
同時に簡単な構造にし、したがって製造工程がかなり簡
素化される回路を具える磁力計を提供することを目的と
するものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】この目的は、第1及び第
2の接続リード線を、少なくとも前記電子制御サーキッ
トリーの出力信号を接続し、また前記電子制御サーキッ
トリーにより生じる集積コントローラの電流を導電的に
結合するために前記測定回路と第1及び第2の接点パッ
ドとの間に設け、前記超伝導量子干渉素子の信号を、第
5及び第6の接点パッドを介して前記電子制御サーキッ
トリーへ供給する入力信号として利用する本発明によっ
て達成される。
【0011】本発明の他の好適実施例を各請求項に開示
する。従来技術とは対照的に、本発明によればコントロ
ーラの電流を導電的に結合コイルに結合する。本発明に
よればこれは、一方の側を第1及び第2の接点パッドを
介して電子制御サーキットリーに接続し、他方の側を測
定回路の第3及び第4の接続リード線に導電的に接続し
た第1及び第2の接続リード線を介して、最終的には結
合コイルを直接に接続することによって実現される。そ
の結果、従来技術では必要とされる変調コイルを完全に
省くことができる。このようにして変調コイルを使用す
ることによる固有の問題は本発明により解決することが
できる。
【0012】測定によって既に確認したように、変調コ
イルを具える従来の回路の全体的な動作と導電的な結合
を含む本発明の回路の全体的な動作とが等しいことを数
字的に明らかにすることができる。従来の変調コイルを
具える回路ではSQUIDリング中の結合コイル及び変
調コイルの磁束がゼロに相殺されるのに対して、本発明
の回路では結合コイルの電流がゼロに相殺され、したが
ってSQUIDリング中の磁束もゼロに相殺される。明
らかに、本発明の回路中の接続リード線にそれぞれ電流
を供給すると、グラジオメータの電流は本発明では相殺
のために消失せずに増大する。理論結合係数が1の場合
には同様な増大が発生するので、変調コイルを具える回
路にもこの実際に望ましくない影響が発生するというこ
とはそれほど明らかでない。
【0013】本発明の他の実施例であって、少し修正し
た場合には本発明の回路を、相互作用を完全に省くこと
が要求される他の用途、すなわちSQUID内の磁束だ
けでなく外部磁界によってグラジオメータに生じる電流
もゼロに相殺する用途に対しても用いることができる。
これらの用途に対して、測定回路内へのコントローラの
電流の導電的な結合が再び可能になり、従来技術で通常
用いられた誘導的な結合よりも簡単となる。本発明によ
れば、この場合には追加の超伝導インダクタンスが測定
回路内に設けられている。
【0014】本発明によれば、この追加の超伝導インダ
クタンスを、グラジオメータに接続された第3の接続リ
ード線に挿入することができる。このインダクタンスは
第3の接続リード線の一部を形成し、グラジオメータに
適合するようにして第3のリード線内に配置されてもよ
い。このインダクタンスのグラジオメータに対向する端
部をこのとき第1の接続リード線に接続し、結合コイル
に対向する端部を第2のリード線に接続する。追加のイ
ンダクタンスの端子に制御電流を供給することにより、
インダクタンスの外側の電流が相殺され、かつ、インダ
クタンスの内側の電流は、全磁束の総和が一定に維持さ
れるため、すべての磁束がインダクタンス中に収束され
るまで増大する。本発明によれば、インダクタンスをS
QUIDモジュールの他のインダクタンスに磁気的に結
合しない。
【0015】本発明の他の実施例においては、製造上の
観点から極めて簡単な変更を加えることによって、本発
明による磁力計のSQUIDモジュールのフリージング
を防止することができる。この目的のために、従来技術
のように結合コイルに並列接続された第1の抵抗の他
に、追加の抵抗を設ける。
【0016】追加の抵抗としてまず最初に第2の抵抗
を、第1及び第2の接点パッドを相互接続する第5の接
続リード線に挿入し、続いて第3及び第4の抵抗を設け
るが、第3の抵抗を第1の接続リード線に挿入し、第4
の抵抗を第2の接続リード線に挿入する。従来技術のよ
うに、第1の抵抗を実際には寄生作用を減衰させるのに
利用する。追加の抵抗は主に、これらが連係動作してリ
ード線の固有インピーダンスにほぼ相当するリード終端
部として作用する。
【0017】第3又は第4の抵抗に対する第2の抵抗の
抵抗比に応じて、コントローラの電流感度を所望のレベ
ルに減少する。これは過度に強固な結合である漂遊RF放
射に対して望ましくない程高い感度となるからである。
【0018】本発明の磁力計のSQUID中の磁束すな
わち超伝導材料のフリージングをできるだけ防ぎ、か
つ、本発明の磁力計の製造をできるだけ簡単にするため
に、所要に応じて第2、第3及び第4の抵抗も加熱抵抗
として作用させる。
【0019】例えば電子制御サーキットリーにスイッチ
(図示せず)を用いることにより、関連の接続リード線
を加熱電流源に接続するために、コントローラの出力か
らいわば切り離すことができる。本発明のこれらの抵抗
はSQUIDリングに対して極めて近傍に配置している
ので、数mAのわずかな加熱電流パルスで十分であり、し
たがって抵抗が二つの機能を行うことができる。
【0020】本発明の他の実施例によれば、4個の抵抗
を具える回路をセラミック基板上の厚膜回路として実現
することができる。このセラミック基板は数センチメー
トルの長さ、数ミリメートルの幅及び約0.5 ミリメート
ルの厚さを有し、同時にこのセラミック基板はSQUI
Dリングの支持プレートとして用いられ、この支持プレ
ートは方形であってもよく、この場合側辺の長さはセラ
ミック基板の幅よりも小さく、厚さはほぼ同じである。
本発明によれば、このセラミック基板は4個の抵抗に対
して中心に取り付けている。さらに本発明によれば、S
QUIDリングと接続する導体トラック及び接点パッド
と、グラジオメータと、電子制御サーキットリーに接続
する接続リード線とも、厚膜技術により支持プレート上
に実現することができる。結合コイルも厚膜技術によっ
てセラミック基板上に直接実現することができる。しか
しながら結合コイルはまた、この場合適切な接続点を具
えるSQUIDリングの一体部分を形成し、追加の接点
パッドが設けられているならば、第3及び第4の接続リ
ード線の端部をこのときこれらの接点パッドに接続す
る。本発明の回路はこのようにして完全なSQUIDモ
ジュールを構成する。
【0021】
【実施例】本発明の実施例を図面を参照して以下詳細に
説明する。図1に回路10を示すが、SQUID及び結
合コイルを追加した場合磁力計の一部としていわゆるS
QUIDモジュールを形成する。回路10は一方の側で
第5及び第6の接点パッド(13及び14)とともに第
1及び第2の接点パッド(11及び12)を介して電子
回路サーキットリー(図示せず)に接続し、他方の側で
第3及び第4の接点パッド15,16を介して接続リー
ド線17によりグラジオメータ18に接続している。回
路10は第6及び第7の接続リード線19,20も具
え、第6及び第7の接続リード線19,20は一方の側
でSQUID21の実体部分すなわちジョセフソン接点
を有するSQUIDリングに接続し、他方の側で対応す
る接点パッド13及び14に接続している。上述したよ
うに接続リード線17は、第3及び第4の接続リード線
23,24を介して結合コイル25に接続した接点パッ
ド15及び16に接続し、測定回路26を形成する。結
合コイル25の端子ポイントを第1の減衰抵抗に接続し
ている。
【0022】本発明によれば、従来技術では必要とされ
た変調コイルは完全に排除することができる。すなわち
第1及び第2の接続リード線を接続点28及び29にお
いて測定回路に直接導電接続するからである。
【0023】図2に、図1に示した回路に関連して第
2、第3及び第4の抵抗30,31及び32をそれぞれ
追加した他の回路10を示す。第2の抵抗30を、第1
及び第2の接点パッド11,12に相互接続した第5の
接続リード線33に挿入する。第3の抵抗31を第1の
接続リード線34に挿入し、第4の抵抗32を第2の接
続リード線35に挿入する。これらの抵抗は種々の機能
を行うことができる。
【0024】一方では、これらの抵抗は互いに連係動作
してリード線の固有インピーダンスにほぼ応答するリー
ド終端部として作用する。第3の抵抗31又は第4の抵
抗32に対する第2の抵抗30の抵抗比を用いることに
より、コントローラの電流感度を所望のレベルに減少す
ることができる。これは過剰に強固な結合であると漂遊
RF放射に対して望ましくない程高い感度となるからであ
る。
【0025】必要に応じて、抵抗30,31及び32は
共に加熱用に使用することができ、この場合(2V×25mA
×2s)約0.1Wのみの電力が必要であり、これは以下に説
明するように、対応の第1及び第2の接点パッド11及
び12におけるSQUIDに対する位置決めを最適にす
るためである。上述した従来技術において加熱用として
必要とされた追加の接続リード線及び抵抗を省くことが
できる。測定回路に含まれ、かつ、実際には寄生作用を
抑制する機能を有する第1の抵抗27及び他の抵抗3
0,31,32は、共通の厚膜回路として共に実現でき
る。
【0026】図3に、図1及び図2に示す回路10の他
の実施例を示す。実際は端子37及び38を有し、か
つ、測定回路26に挿入する追加のインダクタンス36
に関するこの実施例によれば、本発明の回路10は、完
全に相互作用がないことが要求される用途にも適用でき
るようになり、すなわちSQUIDリング21における
磁束だけでなくグラジオメータ18における外部磁界に
よって生ずる電流もゼロに相殺すべき用途にも適用でき
るようになる。追加の超伝導インダクタンス36を、グ
ラジオメータ18に達する接続リード線17のうちの一
方に一方の接続端子37を接続し、インダクタンス36
の他方の側の接続端子38を第3の接続リード線23に
接続するように本発明による測定回路26内に挿入す
る。本発明のこの実施例においては、第1の接続リード
線34を接続端子37に導電的に接続し、第2の接続リ
ード線35を接続端子38に導電的に接続する。コント
ローラの電流をインダクタンス36の接続点に結合する
結果、インダクタンス36の外側の電流が相殺され、こ
のインダクタンス自身の内部ではすべての磁束の総和が
一定に維持されるために全磁束がインダクタンス36内
に収束するまで、インダクタンスそれ自身の中では電流
が増加する。しかしながら、本発明によればインダクタ
ンス36を他のインダクタンスに磁気的に結合しなくて
もよい。
【0027】図4にセラミック支持プレート39上に設
けた回路10を示す。支持プレート39上には、4個す
べての抵抗27,30,31,32並びにすべての接点
パッド11,12,13,14,15,16,40,4
1及びすべての接続リード線19,20,23,24,
33,34,35が厚膜回路として直接設けられてい
る。セラミック基板39は約25mm×4mm ×0.6mm の寸法
とし、上述したように、方形の形状であり、約3.5mm ×
3.5mm ×0.5mm の寸法の、結合コイル及びSQUIDリ
ングを支持する支持体としても機能する。図示したよう
に、SQUIDリング21を方形に配列した4個の抵抗
27,30,31及び32に対して中心に位置決めす
る。結合コイル25と第3及び第4の接続リード線を接
続した関連接点は、SQUIDリングの一体部分を形成
する。
【0028】従来技術に対して本実施例では、加熱用に
は他の接続リード線又は抵抗は必要とされず、また4個
の抵抗をSQUIDリング21の極めて近傍に配置する
ため、加熱するためには数mAのわずかな加熱電流パルス
で十分である。
【0029】上述の説明、図1,2,3及び4並びに請
求の範囲に記載した本発明の特徴は、個別に及び任意に
組み合わせても本発明の種々の実施例を実施する上で極
めて重要である。
【図面の簡単な説明】
【図1】SQUID及びグラジオメータを具える本発明
の磁力計の第1実施例の回路図である。
【図2】図1に示す回路に追加の抵抗を具える本発明の
磁力計の第2実施例の回路図である。
【図3】図2に示す回路の測定回路中に追加のインダク
タンスを具える本発明の磁力計の第3実施例の回路図で
ある。
【図4】支持基板上の厚膜回路である。
【符号の説明】
10 回路 11,12,13,14,15,16,40,41 接
点パッド 17,19,20,23,24,33,34,35 接
続リード線 18 グラジオメータ 21 SQUIDリング 22 ジョセフソン接点 25 結合コイル 26 測定回路 27,30,31,32 抵抗 28,29,37,38 接続点 36 超伝導インダクタンス 39 セラミック支持プレート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 オフラ ヘルムート デーゼル ドイツ連邦共和国 2081 タングシュテッ ト グローセ ツヴィーテ 3べー

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】超伝導量子干渉素子及びこの超伝導量子干
    渉素子を動作させる回路を具える磁力計であって、この
    回路は減衰した測定回路における結合コイル及び少なく
    とも1個の抵抗と、前記超伝導量子干渉素子、グラジオ
    メータ及び電子制御サーキットリーを接続する接続リー
    ド線及び接点パッドを具えるものとした磁力計におい
    て、第1及び第2の接続リード線(34,35)を、少
    なくとも前記電子制御サーキットリーの出力信号を接続
    し、また前記電子制御サーキットリーにより生じる集積
    コントローラの電流を導電的に結合するために前記測定
    回路(26)と第1及び第2の接点パッド(11,1
    2)との間に設け、前記超伝導量子干渉素子の信号を、
    第5及び第6の接点パッド(13,14)を介して前記
    電子制御サーキットリーへ供給する入力信号として利用
    することを特徴とする磁力計。
  2. 【請求項2】前記測定回路(26)は結合コイル(2
    5)を具え、このコイルの両端は、接続リード線(1
    7)を介して前記グラジオメータ(18)に接続するた
    めに、第3及び第4の接続リード線(23,24)を介
    して第3及び第4の接点パッド(15,16)に接続さ
    れ、第1の抵抗(27)を前記第3の接続リード線(2
    3)と前記第4の接続リード線(24)との間に接続す
    ることを特徴とする請求項1記載の磁力計。
  3. 【請求項3】前記第1及び第3の接続リード線(34,
    35)並びに前記第2及び第4の接続リード線(35,
    23)を前記接続点(28,29)で互いに導電的に接
    続することを特徴とする請求項2記載の磁力計。
  4. 【請求項4】超伝導インダクタンス(36)を前記第3
    の接点パッド(15)と前記第3の接続リード線(2
    3)との間に挿入し、前記第1の接続リード線(34)
    を前記第3の接点パッド(15)に接続し、前記第2の
    接続リード線(35)を前記第3の接続リード線(2
    3)に接続し、前記インダクタンス(36)を前記超伝
    導量子干渉素子モジュールの他のインダクタンスに磁気
    的に結合しないように配置することを特徴とする請求項
    2記載の磁力計。
  5. 【請求項5】前記第1及び第2の接点パッド(11,1
    2)を、第2の抵抗(30)を含む第5の接続リード線
    (33)を介して相互接続し、第3の抵抗(31)を前
    記第1の接続リード線(34)に挿入し、第4の抵抗
    (32)を前記第2の接続リード線(35)に挿入する
    ことを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に
    記載の磁力計。
  6. 【請求項6】前記第2、第3及び第4の抵抗(30,3
    1,32)は、リード終端部を形成し、かつ、このリー
    ド終端部の固有インピーダンスにほぼ対応するように連
    係動作することを特徴とする請求項5記載の磁力計。
  7. 【請求項7】測定とは独立の加熱機能を持たせるため
    に、前記第2、第3及び第4の抵抗(30,31,3
    2)をさらに比例配分し、約0.1Ws の電力が前記第1及
    び第2の接点パッド(11,12)を介して加わると
    き、超伝導材料の遷移温度をわずかに超えるるように超
    伝導量子干渉素子に指向することを特徴とする請求項1
    乃至6のうちのいずれか1項に記載の磁力計。
  8. 【請求項8】前記結合コイル(25)と、4個のすべて
    の抵抗(27,30,31,32)と、追加の第5、第
    6、第7、及び第8の接点パッド(13、14、40、
    41)を含むすべての接点パッド(11,12,13,
    14,15,16,40,41)と、前記超伝導量子干
    渉素子リング(21)に接続する第6及び第7の接続リ
    ード線(19,20)とをセラミック基板上に厚膜回路
    の形式として設け、同時にこの基板は前記超伝導量子干
    渉素子モジュール(10)のための支持体(39)も成
    すことを特徴とする請求項1乃至7のうちのいずれか1
    項に記載の磁力計。
  9. 【請求項9】前記超伝導量子干渉素子リングを、方形に
    配列した4個の抵抗(27,30,31,32)に対し
    て中央に取り付けることを特徴とする請求項8記載の磁
    力計。
  10. 【請求項10】前記結合コイル(25)と前記第3及び
    第4の接続リード線(23,24)を接続する関連の接
    点が、前記超伝導量子干渉素子リング(21)の一体部
    分を形成することを特徴とする請求項9記載の磁力計。
JP5205072A 1992-08-22 1993-08-19 磁力計 Pending JPH06194433A (ja)

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