JPH06188329A - 半導体装置用パッケージ - Google Patents
半導体装置用パッケージInfo
- Publication number
- JPH06188329A JPH06188329A JP4355032A JP35503292A JPH06188329A JP H06188329 A JPH06188329 A JP H06188329A JP 4355032 A JP4355032 A JP 4355032A JP 35503292 A JP35503292 A JP 35503292A JP H06188329 A JPH06188329 A JP H06188329A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- heat sink
- ceramic body
- semiconductor chip
- brazing material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体チップが発する熱を効率良く放散させ
ることのできる軽量化されたヒートシンクを備えた半導
体装置用パッケージを得る。 【構成】 ヒートシンク３０を比重の軽いセラミック体
３２で形成する。セラミック体３２には、スルーホール
３４を開口して、そのスルーホール３４に銀ろう、銅ろ
う等のろう材４０を充填する。そして、半導体チップ６
０が発する熱をセラミック体３２のスルーホール３４に
充填したろう材４０を介してセラミック体３２からなる
ヒートシンク３０外方に効率良く放散できるようにす
る。
ることのできる軽量化されたヒートシンクを備えた半導
体装置用パッケージを得る。 【構成】 ヒートシンク３０を比重の軽いセラミック体
３２で形成する。セラミック体３２には、スルーホール
３４を開口して、そのスルーホール３４に銀ろう、銅ろ
う等のろう材４０を充填する。そして、半導体チップ６
０が発する熱をセラミック体３２のスルーホール３４に
充填したろう材４０を介してセラミック体３２からなる
ヒートシンク３０外方に効率良く放散できるようにす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップが発する
熱を放散させるヒートシンクを備えた半導体装置用パッ
ケージに関する。
熱を放散させるヒートシンクを備えた半導体装置用パッ
ケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミック等からなるパッケージにおい
ては、例えば図６に示したように、そのパッケージ本体
１０底部に高熱伝導性の銅―タングステン合金又は銅層
とモリブデン層と銅層とを順次積層して形成したクラッ
ド材等からなるヒートシンク３０を備えている。そし
て、そのヒートシンク３０にパッケージ本体のキャビテ
ィ２０内に収容した半導体チップ６０を搭載して、半導
体チップ６０が発する熱をヒートシンク３０を通してパ
ッケージ外部に効率良く放散させることができるように
している。
ては、例えば図６に示したように、そのパッケージ本体
１０底部に高熱伝導性の銅―タングステン合金又は銅層
とモリブデン層と銅層とを順次積層して形成したクラッ
ド材等からなるヒートシンク３０を備えている。そし
て、そのヒートシンク３０にパッケージ本体のキャビテ
ィ２０内に収容した半導体チップ６０を搭載して、半導
体チップ６０が発する熱をヒートシンク３０を通してパ
ッケージ外部に効率良く放散させることができるように
している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記銅
―タングステン合金又はクラッド材等は、その比重が極
めて大きく、その銅―タングステン合金又はクラッド材
等からなるヒートシンク３０をパッケージ本体１０底部
に接合した場合には、パッケージの重量が大きくなっ
て、近時の軽量化が要求される電子機器用パッケージに
は適用できなかった。この傾向は、近時の高集積化した
大型の半導体チップ６０を収容する大型化したパッケー
ジにおいて顕著であった。
―タングステン合金又はクラッド材等は、その比重が極
めて大きく、その銅―タングステン合金又はクラッド材
等からなるヒートシンク３０をパッケージ本体１０底部
に接合した場合には、パッケージの重量が大きくなっ
て、近時の軽量化が要求される電子機器用パッケージに
は適用できなかった。この傾向は、近時の高集積化した
大型の半導体チップ６０を収容する大型化したパッケー
ジにおいて顕著であった。
【０００４】なお、従来より、図７に示したような、パ
ッケージ本体１０底部に、比重の軽いセラミック体３２
にメタライズからなるビア３６を多数本格子状に備え
て、それらのビア３６の上下端をセラミック体３２の上
下面に備えたメタライズ層５０にそれぞれ接続してなる
擬似導体壁化された軽量のヒートシンク３０を備えたパ
ッケージが知られている。
ッケージ本体１０底部に、比重の軽いセラミック体３２
にメタライズからなるビア３６を多数本格子状に備え
て、それらのビア３６の上下端をセラミック体３２の上
下面に備えたメタライズ層５０にそれぞれ接続してなる
擬似導体壁化された軽量のヒートシンク３０を備えたパ
ッケージが知られている。
【０００５】このパッケージでは、そのパッケージ本体
のキャビティ２０内に収容した半導体チップ６０をセラ
ミック体３２からなるヒートシンク３０に搭載して、半
導体チップ６０が発する熱をセラミック体３２に備えた
ビア３６を通してセラミック体３２からなるヒートシン
ク３０外方に放散させることができる。
のキャビティ２０内に収容した半導体チップ６０をセラ
ミック体３２からなるヒートシンク３０に搭載して、半
導体チップ６０が発する熱をセラミック体３２に備えた
ビア３６を通してセラミック体３２からなるヒートシン
ク３０外方に放散させることができる。
【０００６】しかしながら、このパッケージにおいて
は、そのメタライズからなるビア３６の熱伝導性がさほ
ど良くなく、半導体チップ６０が発する熱をビア３６を
通してセラミック体３２からなるヒートシンク３０外方
に効率良く放散させることができずに、パッケージに収
容した半導体チップ６０が高温となって、半導体チップ
６０が誤動作したり動作不良に陥ったりした。この傾向
は、高集積化した高熱を発する半導体チップ６０を収容
する大型化したパッケージにおいて顕著であった。
は、そのメタライズからなるビア３６の熱伝導性がさほ
ど良くなく、半導体チップ６０が発する熱をビア３６を
通してセラミック体３２からなるヒートシンク３０外方
に効率良く放散させることができずに、パッケージに収
容した半導体チップ６０が高温となって、半導体チップ
６０が誤動作したり動作不良に陥ったりした。この傾向
は、高集積化した高熱を発する半導体チップ６０を収容
する大型化したパッケージにおいて顕著であった。
【０００７】本発明は、このような課題を解消した、半
導体チップが発する熱を効率良く放散させることのでき
る軽量のヒートシンクを備えた半導体装置用パッケージ
（以下、パッケージという）を提供することを目的とし
ている。
導体チップが発する熱を効率良く放散させることのでき
る軽量のヒートシンクを備えた半導体装置用パッケージ
（以下、パッケージという）を提供することを目的とし
ている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のパッケージは、半導体チップが発する熱を
放散させるヒートシンクを備えた半導体装置用パッケー
ジにおいて、前記ヒートシンクがセラミック体にスルー
ホールを開口してそのスルーホールにろう材を充填した
ものからなることを特徴としている。
に、本発明のパッケージは、半導体チップが発する熱を
放散させるヒートシンクを備えた半導体装置用パッケー
ジにおいて、前記ヒートシンクがセラミック体にスルー
ホールを開口してそのスルーホールにろう材を充填した
ものからなることを特徴としている。
【０００９】
【作用】メタライズの例えばタングステンメタライズの
熱伝導率は１６３Ｗ／ｍ・Ｋであり、ろう材の例えば銀
ろうの熱伝導率は３６６Ｗ／ｍ・Ｋである。即ち、ろう
材の熱伝導率はメタライズの熱伝導率に比べて約２．２
〜２．３倍高い。
熱伝導率は１６３Ｗ／ｍ・Ｋであり、ろう材の例えば銀
ろうの熱伝導率は３６６Ｗ／ｍ・Ｋである。即ち、ろう
材の熱伝導率はメタライズの熱伝導率に比べて約２．２
〜２．３倍高い。
【００１０】上記構成のパッケージにおいては、ヒート
シンクにセラミック体にスルーホールを開口してそのス
ルーホールにろう材を充填したものを用いている。その
ため、半導体チップが発する熱を、セラミック体のスル
ーホールに充填した高熱伝導性のろう材を介して、セラ
ミック体からなるヒートシンク外方に効率良く放散させ
ることができる。
シンクにセラミック体にスルーホールを開口してそのス
ルーホールにろう材を充填したものを用いている。その
ため、半導体チップが発する熱を、セラミック体のスル
ーホールに充填した高熱伝導性のろう材を介して、セラ
ミック体からなるヒートシンク外方に効率良く放散させ
ることができる。
【００１１】銅を１０重量％含み残りがタングステンの
組成の銅―タングステン合金の比重は１７．０であり、
銅層とモリブデン層と銅層とを順次積層して形成したク
ラッド材の比重は９．３であり、セラミックの比重は
３．６である。即ち、セラミックの比重は、銅―タング
ステン合金又は銅層とモリブデン層と銅層とを順次積層
して形成したクラッド材の比重より小さい。
組成の銅―タングステン合金の比重は１７．０であり、
銅層とモリブデン層と銅層とを順次積層して形成したク
ラッド材の比重は９．３であり、セラミックの比重は
３．６である。即ち、セラミックの比重は、銅―タング
ステン合金又は銅層とモリブデン層と銅層とを順次積層
して形成したクラッド材の比重より小さい。
【００１２】上記構成のパッケージにおいては、ヒート
シンクを比重の軽いセラミック体で形成している。その
ため、ヒートシンクの軽量化が図れる。
シンクを比重の軽いセラミック体で形成している。その
ため、ヒートシンクの軽量化が図れる。
【００１３】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に従い説明す
る。図１ないし図３は本発明のパッケージの好適な実施
例を示し、図１又は図２はその正面断面図、図３はその
一部拡大断面図を示している。以下に、このパッケージ
を説明する。
る。図１ないし図３は本発明のパッケージの好適な実施
例を示し、図１又は図２はその正面断面図、図３はその
一部拡大断面図を示している。以下に、このパッケージ
を説明する。
【００１４】図１又は図２のパッケージでは、セラミッ
クからなるパッケージ本体１０に開口したキャビティ２
０底部にヒートシンク３０を備えて、そのヒートシンク
３０でキャビティ２０底面を封じている。
クからなるパッケージ本体１０に開口したキャビティ２
０底部にヒートシンク３０を備えて、そのヒートシンク
３０でキャビティ２０底面を封じている。
【００１５】ヒートシンク３０には、セラミック体３２
に小径のスルーホール３４を多数個格子状に開口してそ
のスルーホール３４に銀ろう、銅ろう等のろう材４０を
充填したものを用いている。ヒートシンク３０は、図３
に示したように構成している。即ち、セラミック体３２
に開口したスルーホール３４内周面とそれに連なるセラ
ミック体３２の上下面とにメタライズ層５０を連続して
隙間なく備えている。メタライズ層５０には、ろう材に
濡れやすいニッケルめっき等のめっきを施している。ス
ルーホール３４には、銀ろう、銅ろう等のろう材４０を
隙間なく充填して、そのろう材４０周囲をスルーホール
３４内周面に備えためっきを施したメタライズ層５０に
気密に接合している。そして、スルーホール３４を備え
たセラミック体３２の気密性を保持している。
に小径のスルーホール３４を多数個格子状に開口してそ
のスルーホール３４に銀ろう、銅ろう等のろう材４０を
充填したものを用いている。ヒートシンク３０は、図３
に示したように構成している。即ち、セラミック体３２
に開口したスルーホール３４内周面とそれに連なるセラ
ミック体３２の上下面とにメタライズ層５０を連続して
隙間なく備えている。メタライズ層５０には、ろう材に
濡れやすいニッケルめっき等のめっきを施している。ス
ルーホール３４には、銀ろう、銅ろう等のろう材４０を
隙間なく充填して、そのろう材４０周囲をスルーホール
３４内周面に備えためっきを施したメタライズ層５０に
気密に接合している。そして、スルーホール３４を備え
たセラミック体３２の気密性を保持している。
【００１６】加えて、図１のパッケージでは、セラミッ
ク体３２からなるヒートシンク３０をパッケージ本体１
０と同時に一体焼成して、そのヒートシンク３０をパッ
ケージ本体１０底面に接合している。具体的には、セラ
ミック体３２焼成用のセラミックグリーンシートにスル
ーホール３４を開口している。次いで、そのスルーホー
ル３４内周面とそれに連なるセラミックグリーンシート
の上下面とにメタライズ層５０焼成用のメタライズペー
ストを層状に塗布している。次いで、そのセラミックグ
リーンシート上面にパッケージ本体１０焼成用のセラミ
ックグリーンシートを積層して、それらを約１５００℃
の高温炉内等に入れて一体焼成し、セラミック体３２を
パッケージ本体１０底面に接合している。次いで、セラ
ミック体３２に形成したメタライズ層５０にニッケルめ
っき等のめっきを施している。次いで、セラミック体の
スルーホール３４にろう材４０を充填した状態で、セラ
ミック体３２及びパッケージ本体１０を８００〜９００
℃の高温炉内等に入れて、スルーホール３４に充填した
ろう材４０周囲をスルーホール３４内周面に形成したメ
タライズ層５０に気密に接合している。そして、パッケ
ージ本体１０に開口したキャビティ２０底面をヒートシ
ンク３０で封じている。
ク体３２からなるヒートシンク３０をパッケージ本体１
０と同時に一体焼成して、そのヒートシンク３０をパッ
ケージ本体１０底面に接合している。具体的には、セラ
ミック体３２焼成用のセラミックグリーンシートにスル
ーホール３４を開口している。次いで、そのスルーホー
ル３４内周面とそれに連なるセラミックグリーンシート
の上下面とにメタライズ層５０焼成用のメタライズペー
ストを層状に塗布している。次いで、そのセラミックグ
リーンシート上面にパッケージ本体１０焼成用のセラミ
ックグリーンシートを積層して、それらを約１５００℃
の高温炉内等に入れて一体焼成し、セラミック体３２を
パッケージ本体１０底面に接合している。次いで、セラ
ミック体３２に形成したメタライズ層５０にニッケルめ
っき等のめっきを施している。次いで、セラミック体の
スルーホール３４にろう材４０を充填した状態で、セラ
ミック体３２及びパッケージ本体１０を８００〜９００
℃の高温炉内等に入れて、スルーホール３４に充填した
ろう材４０周囲をスルーホール３４内周面に形成したメ
タライズ層５０に気密に接合している。そして、パッケ
ージ本体１０に開口したキャビティ２０底面をヒートシ
ンク３０で封じている。
【００１７】他方、図２のパッケージでは、セラミック
体３２からなるヒートシンク３０をパッケージ本体１０
と別個に焼成して、そのヒートシンク３０をパッケージ
本体１０底面にろう付け接合している。具体的には、セ
ラミック体３２焼成用のセラミックグリーンシートにス
ルーホール３４を開口している。次いで、そのスルーホ
ール３４内周面とそれに連なるセラミックグリーンシー
トの上下面とにメタライズ層５０焼成用のメタライズペ
ーストを層状に塗布している。次いで、そのセラミック
グリーンシートを約１５００℃の高温炉内等に入れて焼
成し、セラミック体３２を形成している。次いで、その
セラミック体３２に形成したメタライズ層５０にニッケ
ルめっき等のめっきを施している。次いで、セラミック
体のスルーホール３４にろう材４０を充填した状態で、
セラミック体３２及びパッケージ本体１０を共に８００
〜９００℃の高温炉内等に入れて、スルーホール３４に
充填したろう材４０周囲をスルーホール３４内周面に形
成したメタライズ層５０に気密に接合すると共に、セラ
ミック体３２上面に形成したメタライズ層５０をパッケ
ージ本体１０底面に形成したメタライズ層１２にろう付
け接合している。そして、パッケージ本体１０に開口し
たキャビティ２０底面をセラミック体３２からなるヒー
トシンク３０で封じている。
体３２からなるヒートシンク３０をパッケージ本体１０
と別個に焼成して、そのヒートシンク３０をパッケージ
本体１０底面にろう付け接合している。具体的には、セ
ラミック体３２焼成用のセラミックグリーンシートにス
ルーホール３４を開口している。次いで、そのスルーホ
ール３４内周面とそれに連なるセラミックグリーンシー
トの上下面とにメタライズ層５０焼成用のメタライズペ
ーストを層状に塗布している。次いで、そのセラミック
グリーンシートを約１５００℃の高温炉内等に入れて焼
成し、セラミック体３２を形成している。次いで、その
セラミック体３２に形成したメタライズ層５０にニッケ
ルめっき等のめっきを施している。次いで、セラミック
体のスルーホール３４にろう材４０を充填した状態で、
セラミック体３２及びパッケージ本体１０を共に８００
〜９００℃の高温炉内等に入れて、スルーホール３４に
充填したろう材４０周囲をスルーホール３４内周面に形
成したメタライズ層５０に気密に接合すると共に、セラ
ミック体３２上面に形成したメタライズ層５０をパッケ
ージ本体１０底面に形成したメタライズ層１２にろう付
け接合している。そして、パッケージ本体１０に開口し
たキャビティ２０底面をセラミック体３２からなるヒー
トシンク３０で封じている。
【００１８】図１又は図２と図３に示したパッケージ
は、以上のように構成していて、このパッケージでは、
パッケージ本体のキャビティ２０内に収容してヒートシ
ンク３０に搭載した半導体チップ６０が発する熱を、セ
ラミック体３２のスルーホール３４に充填したろう材４
０を介してセラミック体３２からなるヒートシンク３０
外方に効率良く放散させることができるようにしてい
る。
は、以上のように構成していて、このパッケージでは、
パッケージ本体のキャビティ２０内に収容してヒートシ
ンク３０に搭載した半導体チップ６０が発する熱を、セ
ラミック体３２のスルーホール３４に充填したろう材４
０を介してセラミック体３２からなるヒートシンク３０
外方に効率良く放散させることができるようにしてい
る。
【００１９】図４又は図５は本発明のパッケージの他の
好適な実施例を示し、詳しくはその正面断面図を示して
いる。以下に、このパッケージを説明する。
好適な実施例を示し、詳しくはその正面断面図を示して
いる。以下に、このパッケージを説明する。
【００２０】図のパッケージでは、ヒートシンク３０
に、半導体チップ６０を搭載する箇所に当たるセラミッ
ク体３２中央に一個ないし複数個（図では複数個として
いる）の大径のスルーホール３４０を開口してそのスル
ーホール３４０に銀ろう、銅ろう等のろう材４０を隙間
なく充填したものを用いている。そして、ヒートシンク
３０に搭載した半導体チップ６０が発する熱をセラミッ
ク体３２中央のスルーホール３４０に充填したろう材４
０を介してセラミック体３２からなるヒートシンク３０
外方に効率良く放散させることができるようにしてい
る。
に、半導体チップ６０を搭載する箇所に当たるセラミッ
ク体３２中央に一個ないし複数個（図では複数個として
いる）の大径のスルーホール３４０を開口してそのスル
ーホール３４０に銀ろう、銅ろう等のろう材４０を隙間
なく充填したものを用いている。そして、ヒートシンク
３０に搭載した半導体チップ６０が発する熱をセラミッ
ク体３２中央のスルーホール３４０に充填したろう材４
０を介してセラミック体３２からなるヒートシンク３０
外方に効率良く放散させることができるようにしてい
る。
【００２１】その他の構成並びにその作用は、前述図１
又は図２と図３に示したパッケージと同様であり、その
同一部材には同一符号を付し、その説明を省略する。
又は図２と図３に示したパッケージと同様であり、その
同一部材には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００２２】なお、図４又は図５に示したパッケージに
おいては、半導体チップ６０を搭載する箇所以外のセラ
ミック体３２部分にも小径等のスルーホール（図示せ
ず）を開口してそのスルーホールにろう材を充填し、セ
ラミック体３２からなるヒートシンク３０の熱伝導性を
高めても良い。そして、その熱伝導性を高めたヒートシ
ンク３０を通して半導体チップ６０が発する熱をセラミ
ック体３２からなるヒートシンク３０外方により効率良
く放散させることができるようにしても良い。
おいては、半導体チップ６０を搭載する箇所以外のセラ
ミック体３２部分にも小径等のスルーホール（図示せ
ず）を開口してそのスルーホールにろう材を充填し、セ
ラミック体３２からなるヒートシンク３０の熱伝導性を
高めても良い。そして、その熱伝導性を高めたヒートシ
ンク３０を通して半導体チップ６０が発する熱をセラミ
ック体３２からなるヒートシンク３０外方により効率良
く放散させることができるようにしても良い。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のパッケー
ジによれば、半導体チップが発する熱を、セラミック体
のスルーホールに充填した高熱伝導性のろう材を介して
セラミック体からなるヒートシンク外方に効率良く放散
させることができる。
ジによれば、半導体チップが発する熱を、セラミック体
のスルーホールに充填した高熱伝導性のろう材を介して
セラミック体からなるヒートシンク外方に効率良く放散
させることができる。
【００２４】それと共に、ヒートシンクを比重の軽いセ
ラミック体で形成して、ヒートシンクを軽量化し、パッ
ケージの軽量化が図れる。
ラミック体で形成して、ヒートシンクを軽量化し、パッ
ケージの軽量化が図れる。
【図１】本発明のパッケージの正面断面図である。
【図２】本発明のパッケージの正面断面図である。
【図３】本発明のパッケージの一部拡大断面図である。
【図４】本発明のパッケージの正面断面図である。
【図５】本発明のパッケージの正面断面図である。
【図６】従来のパッケージの正面断面図である。
【図７】従来のパッケージの正面断面図である。
【符号の説明】 １０ パッケージ本体 １２ メタライズ層 ２０ キャビティ ３０ ヒートシンク ３２ セラミック体 ３４、３４０ スルーホール ３６ ビア ４０ ろう材 ５０ メタライズ層 ６０ 半導体チップ
【手続補正書】
【提出日】平成５年３月２２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体チップが発する熱を放散させるヒ
ートシンクを備えた半導体装置用パッケージにおいて、
前記ヒートシンクがセラミック体にスルーホールを開口
してそのスルーホールにろう材を充填したものからなる
ことを特徴とする半導体装置用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4355032A JPH06188329A (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 半導体装置用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4355032A JPH06188329A (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 半導体装置用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06188329A true JPH06188329A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=18441520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4355032A Pending JPH06188329A (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 半導体装置用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06188329A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001196501A (ja) * | 2000-11-07 | 2001-07-19 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波回路基板 |
| JP2003068954A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-07 | Kyocera Corp | 半導体素子収納用パッケージ |
| KR100424611B1 (ko) * | 2001-04-20 | 2004-03-27 | 울트라테라 코포레이션 | 저형상 감광성 반도체 패키지 |
-
1992
- 1992-12-17 JP JP4355032A patent/JPH06188329A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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