JPH06186730A - 電子ビーム露光によるフォトマスクの製造方法 - Google Patents
電子ビーム露光によるフォトマスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH06186730A JPH06186730A JP34241892A JP34241892A JPH06186730A JP H06186730 A JPH06186730 A JP H06186730A JP 34241892 A JP34241892 A JP 34241892A JP 34241892 A JP34241892 A JP 34241892A JP H06186730 A JPH06186730 A JP H06186730A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- photomask
- resist film
- forming substrate
- mask forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、デバイスパターンとアライメン
トマークとが正確に位置決めされる電子ビーム露光によ
るフォトマスクの製造方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 マスク形成基板14の電子ビームレジスト膜
13に対してアライメントマーク3の電子ビーム露光を
行なった後、この電子ビームレジスト膜13の現像を行
ない、つぎにこのマスク形成基板14に新たな電子ビー
ムレジスト膜13の形成を行なう。その後、アライメン
トマーク3の露光部15にこの新たな電子ビームレジス
ト膜13により形成された突部17を基準にデバイスパ
ターン2の露光部16の原点を求め、このマスク形成基
板14にデバイスパターン2の電子ビーム露光を行な
う。
トマークとが正確に位置決めされる電子ビーム露光によ
るフォトマスクの製造方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 マスク形成基板14の電子ビームレジスト膜
13に対してアライメントマーク3の電子ビーム露光を
行なった後、この電子ビームレジスト膜13の現像を行
ない、つぎにこのマスク形成基板14に新たな電子ビー
ムレジスト膜13の形成を行なう。その後、アライメン
トマーク3の露光部15にこの新たな電子ビームレジス
ト膜13により形成された突部17を基準にデバイスパ
ターン2の露光部16の原点を求め、このマスク形成基
板14にデバイスパターン2の電子ビーム露光を行な
う。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体集積回路の製
作等に用いられるフォトマスクの製造方法に関するもの
であり、特に電子ビームをレジスト膜に露光してフォト
マスクを製造する電子ビーム露光によるフォトマスクの
製造方法に関するものである。
作等に用いられるフォトマスクの製造方法に関するもの
であり、特に電子ビームをレジスト膜に露光してフォト
マスクを製造する電子ビーム露光によるフォトマスクの
製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、写真製版技法により半導体集積回
路を製作する場合、シリコンウェハにフォトマスクを位
置決めし、縮小撮影露光装置からフォトマスクを介して
シリコンウェハに光を照射して、このシリコンウェハ上
にフォトマスクのデバイスパターンを転写する必要があ
る。この場合シリコンウェハへのデバイスパターンの転
写は種々のフォトマスクを使用して複数回行なわれるた
め、各フォトマスクをシリコンウェハに位置ずれなく正
確に位置決めする必要が生じる。特に、半導体集積回路
の集積度が向上した近年、デバイスパターンが正確に形
成されたフォトマスクをシリコンウェハ上に高精度に位
置決めすることが要求されるようになってきている。
路を製作する場合、シリコンウェハにフォトマスクを位
置決めし、縮小撮影露光装置からフォトマスクを介して
シリコンウェハに光を照射して、このシリコンウェハ上
にフォトマスクのデバイスパターンを転写する必要があ
る。この場合シリコンウェハへのデバイスパターンの転
写は種々のフォトマスクを使用して複数回行なわれるた
め、各フォトマスクをシリコンウェハに位置ずれなく正
確に位置決めする必要が生じる。特に、半導体集積回路
の集積度が向上した近年、デバイスパターンが正確に形
成されたフォトマスクをシリコンウェハ上に高精度に位
置決めすることが要求されるようになってきている。
【0003】図3はフォトマスクの平面図であり、図に
おいて1はフォトマスク、2はフォトマスク1中にデバ
イスパターン情報に基づいて形成されたデバイスパター
ン、3はフォトマスク1を位置決めするためにデバイス
パターン2の側方に形成されている十字形のアライメン
トマークであり、このアライメントマーク3はX方向、
Y方向、回転という平面の位置合わせに必要な3つのア
ライメントマーク3X,3Y,3Rから構成されてい
る。そして、縮小撮影露光装置を使用してフォトマスク
1をシリコンウェハに位置合わせするには、フォトマス
ク1に形成された3つのアライメントマーク3X,3
Y,3Rとシリコンウェハを位置決めしているウェハス
テージの基準点(フイディシャルマーク)との間の距離
を測定し、この値を所定値に保つようフォトマスク1等
を移動させる必要がある。
おいて1はフォトマスク、2はフォトマスク1中にデバ
イスパターン情報に基づいて形成されたデバイスパター
ン、3はフォトマスク1を位置決めするためにデバイス
パターン2の側方に形成されている十字形のアライメン
トマークであり、このアライメントマーク3はX方向、
Y方向、回転という平面の位置合わせに必要な3つのア
ライメントマーク3X,3Y,3Rから構成されてい
る。そして、縮小撮影露光装置を使用してフォトマスク
1をシリコンウェハに位置合わせするには、フォトマス
ク1に形成された3つのアライメントマーク3X,3
Y,3Rとシリコンウェハを位置決めしているウェハス
テージの基準点(フイディシャルマーク)との間の距離
を測定し、この値を所定値に保つようフォトマスク1等
を移動させる必要がある。
【0004】ここで、従来の電子ビーム露光によるフォ
トマスク1の製造方法について説明する。まず、ガラス
基板上に遮光性金属膜をスパッタ等により形成し、さら
に遮光性金属膜上に電子ビームレジスト膜を積層してマ
スク形成基板を形成する。ついで、このマスク形成基板
を露光装置にセットし、マスク形成基板の中心点を原点
として、デバイスパターン2とアライメントマーク3
X,3Y,3Rとを電子ビームにより順次露光する。つ
ぎに、電子ビームレジスト膜の現像を行ない、デバイス
パターンおよびアライメントマークの感光したレジスト
膜硬化部を残した状態で、遮光性金属膜のエッチングを
行なう。そして最終的にレジスト膜硬化部を除去すれ
ば、ガラス基板上に遮光性金属膜によるデバイスパター
ン2とアライメントマーク3が形成されたフォトマスク
1が形成される。
トマスク1の製造方法について説明する。まず、ガラス
基板上に遮光性金属膜をスパッタ等により形成し、さら
に遮光性金属膜上に電子ビームレジスト膜を積層してマ
スク形成基板を形成する。ついで、このマスク形成基板
を露光装置にセットし、マスク形成基板の中心点を原点
として、デバイスパターン2とアライメントマーク3
X,3Y,3Rとを電子ビームにより順次露光する。つ
ぎに、電子ビームレジスト膜の現像を行ない、デバイス
パターンおよびアライメントマークの感光したレジスト
膜硬化部を残した状態で、遮光性金属膜のエッチングを
行なう。そして最終的にレジスト膜硬化部を除去すれ
ば、ガラス基板上に遮光性金属膜によるデバイスパター
ン2とアライメントマーク3が形成されたフォトマスク
1が形成される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の電子ビーム露光によるフォトマスク1の製造方法に
おいては、電子ビームによってデバイスパターン2用と
アライメントマーク3X,3Y,3Rとの露光が連続し
て行なわれるため、露光に長時間を要し、この間にマス
ク形成基板にわずかな位置ずれ(長時間位置精度による
ずれ)が生じ、デバイスパターン2とアライメントマー
ク3X,3Y,3Rとの間に位置ずれが生じてしまうと
いう課題があった。このためこのフォトマスク1をシリ
コンウェハに正確に位置合わせすることができず、半導
体集積回路の製作におけるフォトマスクの重ね合わせ精
度が低下するという問題があった。
来の電子ビーム露光によるフォトマスク1の製造方法に
おいては、電子ビームによってデバイスパターン2用と
アライメントマーク3X,3Y,3Rとの露光が連続し
て行なわれるため、露光に長時間を要し、この間にマス
ク形成基板にわずかな位置ずれ(長時間位置精度による
ずれ)が生じ、デバイスパターン2とアライメントマー
ク3X,3Y,3Rとの間に位置ずれが生じてしまうと
いう課題があった。このためこのフォトマスク1をシリ
コンウェハに正確に位置合わせすることができず、半導
体集積回路の製作におけるフォトマスクの重ね合わせ精
度が低下するという問題があった。
【0006】この発明は上記のような課題を解消するた
めになされたものであり、電子ビーム露光によりフォト
マスクを製造するにあたり、デバイスパターンとアライ
メントマークとが正確に位置決めされる電子ビーム露光
によるフォトマスクの製造方法を提供することを目的と
する。
めになされたものであり、電子ビーム露光によりフォト
マスクを製造するにあたり、デバイスパターンとアライ
メントマークとが正確に位置決めされる電子ビーム露光
によるフォトマスクの製造方法を提供することを目的と
する。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明は、ガラス基板
上に遮光性金属膜と電子ビームレジスト膜とが順次積層
されたマスク形成基板に、電子ビームを露光してフォト
マスクを製造する電子ビーム露光によるフォトマスクの
製造方法において、マスク形成基板にフォトマスクの位
置合わせに使用するアライメントマークの電子ビーム露
光を行なった後、電子ビームレジスト膜の現像を行な
い、つぎにこのマスク形成基板に新たな電子ビームレジ
スト膜の形成を行なった後、アライメントマークの露光
部に新たな電子ビームレジスト膜により形成された突部
を基準にデバイスパターンの露光部の電子ビーム露光の
原点を求めて、このマスク形成基板にデバイスパターン
の電子ビーム露光を行なうことである。
上に遮光性金属膜と電子ビームレジスト膜とが順次積層
されたマスク形成基板に、電子ビームを露光してフォト
マスクを製造する電子ビーム露光によるフォトマスクの
製造方法において、マスク形成基板にフォトマスクの位
置合わせに使用するアライメントマークの電子ビーム露
光を行なった後、電子ビームレジスト膜の現像を行な
い、つぎにこのマスク形成基板に新たな電子ビームレジ
スト膜の形成を行なった後、アライメントマークの露光
部に新たな電子ビームレジスト膜により形成された突部
を基準にデバイスパターンの露光部の電子ビーム露光の
原点を求めて、このマスク形成基板にデバイスパターン
の電子ビーム露光を行なうことである。
【0008】
【作用】マスク形成基板の電子ビームレジスト膜にアラ
イメントマーク用の電子ビーム露光を行なった後、この
電子ビームレジスト膜の現像を行なえば、アライメント
マークの露光部を残して電子ビームレジスト膜は除去さ
れる。そして、その後このマスク形成基板に新たな電子
ビームレジスト膜を形成すると、アライメントマークの
露光部にはこの新たな電子ビームレジスト膜によりアラ
イメントマークと同じ位置に同じ形状の突部が形成され
る。この場合、この突部はアライメントマークと同じ位
置決め機能を有しているため、この突部を基準にマスク
形成基板の中心座標を求め、この中心座標を原点とし
て、このマスク形成基板にデバイスパターンの電子ビー
ム露光を行なうことにより、アライメントマークとデバ
イスパターンとが正確に位置決めされたフォトマスクが
形成される。
イメントマーク用の電子ビーム露光を行なった後、この
電子ビームレジスト膜の現像を行なえば、アライメント
マークの露光部を残して電子ビームレジスト膜は除去さ
れる。そして、その後このマスク形成基板に新たな電子
ビームレジスト膜を形成すると、アライメントマークの
露光部にはこの新たな電子ビームレジスト膜によりアラ
イメントマークと同じ位置に同じ形状の突部が形成され
る。この場合、この突部はアライメントマークと同じ位
置決め機能を有しているため、この突部を基準にマスク
形成基板の中心座標を求め、この中心座標を原点とし
て、このマスク形成基板にデバイスパターンの電子ビー
ム露光を行なうことにより、アライメントマークとデバ
イスパターンとが正確に位置決めされたフォトマスクが
形成される。
【0009】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図について説明
する。図1の(a)〜(f)はそれぞれこの発明に係る
電子ビーム露光によるフォトマスクの製造方法を説明す
る工程断面図であり、図2は製造中のフォトマスクの状
態を示す平面図である。なお、図において、図3で示し
たフォトマスクと同一または相当部分には同一符号を付
しその説明を省略する。
する。図1の(a)〜(f)はそれぞれこの発明に係る
電子ビーム露光によるフォトマスクの製造方法を説明す
る工程断面図であり、図2は製造中のフォトマスクの状
態を示す平面図である。なお、図において、図3で示し
たフォトマスクと同一または相当部分には同一符号を付
しその説明を省略する。
【0010】図において、11は透明なガラス基板、1
2はスパッタ等によりガラス基板11上に形成された遮
光性金属膜、13は遮光性金属膜12上に形成され、電
子ビームBの露光によって硬化(感光)する電子ビーム
レジスト膜、14はガラス基板11、遮光性金属膜12
および電子ビームレジスト膜13等から構成されるマス
ク形成基板である。なおマスク形成基板14はフォトマ
スク1が形成される直前の状態までを意味するものとす
る。15はアライメントマーク3X,3Y,3Rを形成
するために電子ビームBの露光によって電子ビームレジ
スト膜13に形成されたアライメントマーク3の露光部
としてのマーク硬化部、16はデバイスパターン2を形
成するために電子ビームBの露光によって電子ビームレ
ジスト膜13に形成されたデバイスパターン2の露光部
としてのパターン硬化部、17はマーク硬化部15上に
形成された電子ビームレジスト膜13の突部である。
2はスパッタ等によりガラス基板11上に形成された遮
光性金属膜、13は遮光性金属膜12上に形成され、電
子ビームBの露光によって硬化(感光)する電子ビーム
レジスト膜、14はガラス基板11、遮光性金属膜12
および電子ビームレジスト膜13等から構成されるマス
ク形成基板である。なおマスク形成基板14はフォトマ
スク1が形成される直前の状態までを意味するものとす
る。15はアライメントマーク3X,3Y,3Rを形成
するために電子ビームBの露光によって電子ビームレジ
スト膜13に形成されたアライメントマーク3の露光部
としてのマーク硬化部、16はデバイスパターン2を形
成するために電子ビームBの露光によって電子ビームレ
ジスト膜13に形成されたデバイスパターン2の露光部
としてのパターン硬化部、17はマーク硬化部15上に
形成された電子ビームレジスト膜13の突部である。
【0011】つぎにフォトマスク1の製造方法を説明す
る。図1の(a)は加工前のマスク形成基板14が電子
ビーム露光装置に対して、所定位置に位置決めされてい
る状態を示している。図1の(b)はこのマスク形成基
板14に電子ビーム露光装置から電子ビームBを露光し
て、3つのマーク硬化部15を形成後、電子ビームレジ
スト膜13の現像を行なうまでの工程を示しており、そ
の最終段階ではマスク形成基板14からマーク硬化部1
5を残して電子ビームレジスト膜13は除去されてい
る。図1の(c)は上記マスク形成基板14上に新たに
電子ビームレジスト膜13を形成する工程を示してお
り、この工程によりマーク硬化部15上には新たな電子
ビームレジスト膜13による突部17が形成される。そ
して、この状態が図2で示されている。
る。図1の(a)は加工前のマスク形成基板14が電子
ビーム露光装置に対して、所定位置に位置決めされてい
る状態を示している。図1の(b)はこのマスク形成基
板14に電子ビーム露光装置から電子ビームBを露光し
て、3つのマーク硬化部15を形成後、電子ビームレジ
スト膜13の現像を行なうまでの工程を示しており、そ
の最終段階ではマスク形成基板14からマーク硬化部1
5を残して電子ビームレジスト膜13は除去されてい
る。図1の(c)は上記マスク形成基板14上に新たに
電子ビームレジスト膜13を形成する工程を示してお
り、この工程によりマーク硬化部15上には新たな電子
ビームレジスト膜13による突部17が形成される。そ
して、この状態が図2で示されている。
【0012】図1の(d)はマスク形成基板14の再位
置合わせと電子ビームBの露光によるパターン硬化部1
6の形成工程を示している。この場合、突部17はアラ
イメントマーク3X,3Y,3Rに対応して、これと同
一位置に同一形状で形成されるため、この突部17はマ
スク形成基板14の位置決め用の基準点としての機能を
有している。したがって、図2で示される3つの突部1
7を使用して、電子ビーム露光装置に対してデバイスパ
ターン2形成のためのマスク形成基板14の再位置合わ
せが行なわれ、それらの突部17を基準としてマスク形
成基板14の中心座標が算出され、その中止座標を原点
として、電子ビーム露光装置からの露光によってマスク
形成基板14上にパターン硬化部16が形成される。
置合わせと電子ビームBの露光によるパターン硬化部1
6の形成工程を示している。この場合、突部17はアラ
イメントマーク3X,3Y,3Rに対応して、これと同
一位置に同一形状で形成されるため、この突部17はマ
スク形成基板14の位置決め用の基準点としての機能を
有している。したがって、図2で示される3つの突部1
7を使用して、電子ビーム露光装置に対してデバイスパ
ターン2形成のためのマスク形成基板14の再位置合わ
せが行なわれ、それらの突部17を基準としてマスク形
成基板14の中心座標が算出され、その中止座標を原点
として、電子ビーム露光装置からの露光によってマスク
形成基板14上にパターン硬化部16が形成される。
【0013】図1の(e)はマスク形成基板14上の電
子ビームレジスト膜13の現像後、遮光性金属膜12の
エッチングを行なうまでの工程を示している。電子ビー
ムレジスト膜13の現像が行なわれると、マスク形成基
板14上にはマーク硬化部15とパターン硬化部16と
が残され、この状態で遮光性金属膜12のエッチングが
行なわれることにより、マーク硬化部15とパターン硬
化部16の位置にのみ遮光性金属膜12を残したマスク
形成基板14が形成される。図1の(f)はマスク形成
基板14からマーク硬化部15とパターン硬化部16を
除去してフォトマスク1が形成された状態を示してい
る。
子ビームレジスト膜13の現像後、遮光性金属膜12の
エッチングを行なうまでの工程を示している。電子ビー
ムレジスト膜13の現像が行なわれると、マスク形成基
板14上にはマーク硬化部15とパターン硬化部16と
が残され、この状態で遮光性金属膜12のエッチングが
行なわれることにより、マーク硬化部15とパターン硬
化部16の位置にのみ遮光性金属膜12を残したマスク
形成基板14が形成される。図1の(f)はマスク形成
基板14からマーク硬化部15とパターン硬化部16を
除去してフォトマスク1が形成された状態を示してい
る。
【0014】以上のように、このフォトマスク1の製造
方法では、まず、マスク形成基板14にアライメントマ
ーク3の電子ビームBの露光を行なった後、電子ビーム
レジスト膜13の現像を行ない、つぎに、このマスク形
成基板14に新たな電子ビームレジスト膜13の形成を
行なった後、アライメントマーク3の露光部にこのアラ
イメントマーク3に対応して形成された突部17を基準
として、このマスク形成基板14の中心座標を求め、そ
の中心座標を限定としてデバイスパターン2の電子ビー
ムBの露光を行なうようにしているため、デバイスパタ
ーン2とアライメントマーク3との電子ビーム露光を一
度に連続して行なう従来のフォトマスクの製造方法に比
べ、デバイスパターン2とアライメントマーク3とが正
確に位置決めされたフォトマスク1を製造することがで
きる。したがって、完成したフォトマスク1をシリコン
ウェハに正確に位置決めでき、半導体集積回路の製作に
おけるフォトマスクの重ね合わせ精度が向上し、歩留ま
りの向上を図ることができる。
方法では、まず、マスク形成基板14にアライメントマ
ーク3の電子ビームBの露光を行なった後、電子ビーム
レジスト膜13の現像を行ない、つぎに、このマスク形
成基板14に新たな電子ビームレジスト膜13の形成を
行なった後、アライメントマーク3の露光部にこのアラ
イメントマーク3に対応して形成された突部17を基準
として、このマスク形成基板14の中心座標を求め、そ
の中心座標を限定としてデバイスパターン2の電子ビー
ムBの露光を行なうようにしているため、デバイスパタ
ーン2とアライメントマーク3との電子ビーム露光を一
度に連続して行なう従来のフォトマスクの製造方法に比
べ、デバイスパターン2とアライメントマーク3とが正
確に位置決めされたフォトマスク1を製造することがで
きる。したがって、完成したフォトマスク1をシリコン
ウェハに正確に位置決めでき、半導体集積回路の製作に
おけるフォトマスクの重ね合わせ精度が向上し、歩留ま
りの向上を図ることができる。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、ガラス基板上に遮光性金属膜と電子ビームレジスト
膜とが順次積層されたマスク形成基板に、電子ビームを
露光してフォトマスクを製造する電子ビーム露光による
フォトマスクの製造方法において、マスク形成基板にフ
ォトマスクの位置合わせに使用するアライメントマーク
の電子ビーム露光を行なった後、電子ビームレジスト膜
の現像を行ない、つぎにこのマスク形成基板に新たな電
子ビームレジスト膜の形成を行なった後、アライメント
マークの露光部に新たな電子ビームレジスト膜により形
成された突部を基準にデバイスパターンの露光部の電子
ビーム露光の原点を求めて、このマスク形成基板にデバ
イスパターンの電子ビーム露光を行なうようにしている
ので、電子ビーム露光によりフォトマスクを製造するに
あたり、デバイスパターンとアライメントマークとが正
確に位置決めされたフォトマスクを製造できる。
ば、ガラス基板上に遮光性金属膜と電子ビームレジスト
膜とが順次積層されたマスク形成基板に、電子ビームを
露光してフォトマスクを製造する電子ビーム露光による
フォトマスクの製造方法において、マスク形成基板にフ
ォトマスクの位置合わせに使用するアライメントマーク
の電子ビーム露光を行なった後、電子ビームレジスト膜
の現像を行ない、つぎにこのマスク形成基板に新たな電
子ビームレジスト膜の形成を行なった後、アライメント
マークの露光部に新たな電子ビームレジスト膜により形
成された突部を基準にデバイスパターンの露光部の電子
ビーム露光の原点を求めて、このマスク形成基板にデバ
イスパターンの電子ビーム露光を行なうようにしている
ので、電子ビーム露光によりフォトマスクを製造するに
あたり、デバイスパターンとアライメントマークとが正
確に位置決めされたフォトマスクを製造できる。
【図1】この発明の一実施例に係る電子ビーム露光によ
るフォトマスク製造方法を示す工程断面図である。
るフォトマスク製造方法を示す工程断面図である。
【図2】マスク形成基板のマーク硬化部上に突部が形成
されている状態を示す平面図である。
されている状態を示す平面図である。
【図3】フォトマスクの平面図である。
1 フォトマスク 2 デバイスパターン 3 アライメントマーク 11 ガラス基板 12 遮光性金属膜 13 電子ビームレジスト膜 14 マスク形成基板 15 マーク硬化部(アライメントマークの露光部) 16 パターン硬化部(デバイスパターンの露光部) B 電子ビーム
Claims (1)
- 【請求項1】 ガラス基板上に遮光性金属膜と電子ビー
ムレジスト膜とが順次積層されたマスク形成基板に、電
子ビームを露光してフォトマスクを製造する電子ビーム
露光によるフォトマスクの製造方法において、前記マス
ク形成基板にフォトマスクの位置合わせに使用するアラ
イメントマークの電子ビーム露光を行なった後、前記電
子ビームレジスト膜の現像を行ない、つぎにこのマスク
形成基板に新たな電子ビームレジスト膜の形成を行なっ
た後、前記アライメントマークの露光部に前記新たな電
子ビームレジスト膜により形成された突部を基準にデバ
イスパターンの露光部の電子ビーム露光の原点を求め
て、このマスク形成基板にデバイスパターンの電子ビー
ム露光を行なうことを特徴とする電子ビーム露光による
フォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34241892A JPH06186730A (ja) | 1992-12-22 | 1992-12-22 | 電子ビーム露光によるフォトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34241892A JPH06186730A (ja) | 1992-12-22 | 1992-12-22 | 電子ビーム露光によるフォトマスクの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06186730A true JPH06186730A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=18353581
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34241892A Pending JPH06186730A (ja) | 1992-12-22 | 1992-12-22 | 電子ビーム露光によるフォトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06186730A (ja) |
-
1992
- 1992-12-22 JP JP34241892A patent/JPH06186730A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2001022051A (ja) | レチクル及び半導体装置の製造方法 | |
US6878506B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
US6828071B2 (en) | Method of aligning a wafer and masks | |
JPH0450730B2 (ja) | ||
CN110221514B (zh) | 光学邻近校正方法及掩膜版的制作方法 | |
US6451511B1 (en) | Method for forming-photoresist mask | |
CN114706277A (zh) | 一种套刻匹配方法 | |
JPH0448715A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH06186730A (ja) | 電子ビーム露光によるフォトマスクの製造方法 | |
JPH0544169B2 (ja) | ||
KR20090072672A (ko) | 오버레이 버니어용 노광 마스크 및 이를 이용한 오버레이버니어 형성 방법 | |
JPH0766113A (ja) | レチクル及び位置合わせ用バーニアの形成方法 | |
KR20010028305A (ko) | 위치정합 보정 방법 | |
JPS6215854B2 (ja) | ||
JPS63275115A (ja) | 半導体装置のパタ−ン形成方法 | |
JPH0451151A (ja) | 位相シフトレチクルの製作方法 | |
KR100728947B1 (ko) | 반도체소자용 레티클을 이용한 노광방법 | |
JPS6235101B2 (ja) | ||
JP2002072447A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100855264B1 (ko) | 포토 공정 마진 개선방법 | |
JPS62265723A (ja) | レジスト露光方法 | |
KR20010027170A (ko) | 얼라인먼트 보정방법 | |
KR100198599B1 (ko) | 반도체 소자의 정렬 및 노광방법 | |
JPH08213302A (ja) | 微細加工方法及びこの加工方法に用いる微細加工用フォトマスク | |
JPH05165195A (ja) | ガラスマスク並びに該ガラスマスクを使用した半導体装置の製造方法 |