JPS62265723A - レジスト露光方法 - Google Patents
レジスト露光方法Info
- Publication number
- JPS62265723A JPS62265723A JP61110198A JP11019886A JPS62265723A JP S62265723 A JPS62265723 A JP S62265723A JP 61110198 A JP61110198 A JP 61110198A JP 11019886 A JP11019886 A JP 11019886A JP S62265723 A JPS62265723 A JP S62265723A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- resist
- mask
- alignment
- wafer
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 4
- 230000008602 contraction Effects 0.000 abstract 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は半導体集積回路装置などの製造工程におけるフ
ォトリソグラフィー（写真製版）技術で使用されるレジ
スト層の露光方法に関するものである。
ォトリソグラフィー（写真製版）技術で使用されるレジ
スト層の露光方法に関するものである。
（従来技術）
半導体集積回路装置などをｆｊ５造する際、半導体基板
（以下、ウェハという）上の薄膜をエツチングによりパ
ターン化する必要がある。
（以下、ウェハという）上の薄膜をエツチングによりパ
ターン化する必要がある。
エツチングには、まず対象となる薄膜上にレジスト層を
形成し、フォトマスクを通して露光し、現像してレジス
トパターンを形成することが行なわれる。
形成し、フォトマスクを通して露光し、現像してレジス
トパターンを形成することが行なわれる。
レジスト層を露光する方法としては、フォトマスクのパ
ターンを同一寸法で露光する１：ｌ型露光と、フォトマ
スクのパターンを１／１０や１１５に縮小して露光する
縮小投影露光とがある。縮小投影露光の場合、フォトマ
スクを特にレティクルと呼ぶ。縮小投影露光は特に微細
パターンを形成するのに好都合である。
ターンを同一寸法で露光する１：ｌ型露光と、フォトマ
スクのパターンを１／１０や１１５に縮小して露光する
縮小投影露光とがある。縮小投影露光の場合、フォトマ
スクを特にレティクルと呼ぶ。縮小投影露光は特に微細
パターンを形成するのに好都合である。
通常、レジスト塗布→露光→現像→ニノチングの工程は
１個のウェハについて複数回にわたって繰り返して行な
われる。露光の際、パターンがずれないように目合わせ
が行なわれるが、目合わせにはマスクのパターンに目合
わせ用のパターンを設けておき、その目合わせ用パター
ンを目標にして目合わせが行なわれる。
１個のウェハについて複数回にわたって繰り返して行な
われる。露光の際、パターンがずれないように目合わせ
が行なわれるが、目合わせにはマスクのパターンに目合
わせ用のパターンを設けておき、その目合わせ用パター
ンを目標にして目合わせが行なわれる。
しかしながら、目合わせ用パターンを用いて、いきなり
ｗｌ調整の目合わせを行なうことは時間がかかり能率的
ではない。そのため、目合わせのための何らかの粗調整
を行なうのが能率的である。
ｗｌ調整の目合わせを行なうことは時間がかかり能率的
ではない。そのため、目合わせのための何らかの粗調整
を行なうのが能率的である。
（目的）
本発明は縮小投影露光装置を用いてステップ・アンド・
リピートにより基板上のレジスト層を露光し現像してパ
ターンを形成した後、同一基板上に形成された他のレジ
スト層を１：１型露光装置を用いて露光する場合に、目
合わせのための粗調整を行なうことができるようにする
ことを目的とするものである。
リピートにより基板上のレジスト層を露光し現像してパ
ターンを形成した後、同一基板上に形成された他のレジ
スト層を１：１型露光装置を用いて露光する場合に、目
合わせのための粗調整を行なうことができるようにする
ことを目的とするものである。
（構成）
本発明のレジスト露光方法では、縮小投影露光装置を用
いてステップ・アンド・リピートによす露光する際、基
板上の一部分に非露光部分を作り。
いてステップ・アンド・リピートによす露光する際、基
板上の一部分に非露光部分を作り。
１：１型露光装置用のマスクには前記非露光部分と同一
箇所にパターンのないブランク部を作っておき、１：１
型露光装置で目合せを行なう際に前記非露光部分による
レジストパターンと前記マスクのブランク部をｇ標とし
て目合せの粗調整を行なう。
箇所にパターンのないブランク部を作っておき、１：１
型露光装置で目合せを行なう際に前記非露光部分による
レジストパターンと前記マスクのブランク部をｇ標とし
て目合せの粗調整を行なう。
以下、実施例について具体的に説明する。
第１図は縮小投影露光装置に用いるレティクルである。
このレティクル２には複数個（この場合は４個）のパタ
ーン４（４−１〜４−４）が形成されている。このレテ
ィクル２を用いて縮小投影露光装置により、第２図に示
されるようにウェハ６上のフォトレジストの露光を行な
う。ウェハ６上のフォトレジストには同時に４個ずつの
パターンがステップ・アンド・リピート法により繰り返
して転写されていく。転写されたレジストパターン８は
、レティクル２のパターン４の縮小パターンである。
ーン４（４−１〜４−４）が形成されている。このレテ
ィクル２を用いて縮小投影露光装置により、第２図に示
されるようにウェハ６上のフォトレジストの露光を行な
う。ウェハ６上のフォトレジストには同時に４個ずつの
パターンがステップ・アンド・リピート法により繰り返
して転写されていく。転写されたレジストパターン８は
、レティクル２のパターン４の縮小パターンである。
１０はパターン８の間に設けられた非露光部分である。
第３図に記号１２で示されるのは、ウェハ６上の他のフ
ォトレジストにパターンを転写するための１：１型露光
装置で用いるフォトマスクである。
ォトレジストにパターンを転写するための１：１型露光
装置で用いるフォトマスクである。
フォトマスク１２には縮小投影露光装置で転写されたパ
ターン８に対応してパターン１４が形成されている。そ
して、フォトマスク１２において、ウェハ６上の非露光
部分によるパターンのない部分１０に対応する位置には
、パターンのないブランク部１６が設けられている。
ターン８に対応してパターン１４が形成されている。そ
して、フォトマスク１２において、ウェハ６上の非露光
部分によるパターンのない部分１０に対応する位置には
、パターンのないブランク部１６が設けられている。
フォトマスク１２を用いて露光を行なうとき、フォトマ
スク１２のブランク部１６をウェハ６上のパターンのな
い部分１０に合わせ、目合わせの粗調整を行なう。
スク１２のブランク部１６をウェハ６上のパターンのな
い部分１０に合わせ、目合わせの粗調整を行なう。
（効果）
本発明では縮小投影露光装置を用いてステップ・アンド
・リピートにより露光する際、基板上の一部分に非露光
部分を作り、に１型露光装置用のマスクには前記非露光
部分と同一箇所にパターンのないブランク部を作り、１
：ｌ型露光装置で目合せを行なう際にそのブランク部を
目標として目合せの粗調整を行なうようにしたので、１
：１型露光装置による目合わせの粗調整による時間が短
かくてすみ、また、目合わせてずれの起こる確率も小さ
くなる。
・リピートにより露光する際、基板上の一部分に非露光
部分を作り、に１型露光装置用のマスクには前記非露光
部分と同一箇所にパターンのないブランク部を作り、１
：ｌ型露光装置で目合せを行なう際にそのブランク部を
目標として目合せの粗調整を行なうようにしたので、１
：１型露光装置による目合わせの粗調整による時間が短
かくてすみ、また、目合わせてずれの起こる確率も小さ
くなる。
第１図は縮小投影露光装置で用いるレティクルを示す平
面図、第２図はウェハ上に転写されたパターンを示す平
面図、第３図は１：１型露光装置で用いるフォトマスク
を示す平面図である。 ２・・・・・・レティクル、 ６・・・・・・ウェハ、 １０・・・・・・非露光によるパターンのない部分。 １２・・・・・・フォトマスク、 １６・・・・・・パターンのないブランク部。
面図、第２図はウェハ上に転写されたパターンを示す平
面図、第３図は１：１型露光装置で用いるフォトマスク
を示す平面図である。 ２・・・・・・レティクル、 ６・・・・・・ウェハ、 １０・・・・・・非露光によるパターンのない部分。 １２・・・・・・フォトマスク、 １６・・・・・・パターンのないブランク部。
Claims (1)
- （１）縮小投影露光装置を用いてステップ・アンド・リ
ピートにより基板上のレジスト層を露光し現像してパタ
ーンを形成した後、同一基板上に形成された他のレジス
ト層を１：１型露光装置を用いて露光する方法において
、 縮小投影露光装置を用いて露光する際、基板上の一部分
に非露光部分を作り、１：１型露光装置用のマスクには
前記非露光部分と同一箇所にパターンのないブランク部
を作っておき、１：１型露光装置で目合せを行なう際に
前記非露光部分によるレジストパターンと前記マスクの
ブランク部を目標として目合せの粗調整を行なうことを
特徴とするレジスト露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61110198A JPS62265723A (ja) | 1986-05-13 | 1986-05-13 | レジスト露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61110198A JPS62265723A (ja) | 1986-05-13 | 1986-05-13 | レジスト露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62265723A true JPS62265723A (ja) | 1987-11-18 |
Family
ID=14529534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61110198A Pending JPS62265723A (ja) | 1986-05-13 | 1986-05-13 | レジスト露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62265723A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0414812A (ja) * | 1990-05-08 | 1992-01-20 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
| JP2002184672A (ja) * | 2000-12-14 | 2002-06-28 | Nippon Inter Electronics Corp | フォトマスクの位置合わせマークの形成方法 |
-
1986
- 1986-05-13 JP JP61110198A patent/JPS62265723A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0414812A (ja) * | 1990-05-08 | 1992-01-20 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
| JP2002184672A (ja) * | 2000-12-14 | 2002-06-28 | Nippon Inter Electronics Corp | フォトマスクの位置合わせマークの形成方法 |
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