JPH06181380A - 表面実装用基板およびその製造方法 - Google Patents
表面実装用基板およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH06181380A JPH06181380A JP16547992A JP16547992A JPH06181380A JP H06181380 A JPH06181380 A JP H06181380A JP 16547992 A JP16547992 A JP 16547992A JP 16547992 A JP16547992 A JP 16547992A JP H06181380 A JPH06181380 A JP H06181380A
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- JP
- Japan
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- pattern
- layer
- tin
- plating
- lead
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- Pending
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ファインピッチ化された部品取り付け用パッド
における半田コート部に対して好適な改良が施された表
面実装用基板を提供すること。 【構成】絶縁基板（１）上に生成された所要パターンの
メッキレジスト層（４）；前記絶縁基板上のメッキレジ
スト層を除く部位に生成されたＣｕパターン層（３）；
および、前記Ｃｕパターン上に一旦生成された鉛−スズ
層（置換鉛層７；厚付けスズ層６および薄付けスズ層５
からなる層）において、これを加熱することによって生
成された溶融半田層（８）；から構成されている、絶縁
基板上のＣｕパターン上に半田層が生成された表面実装
用基板。
における半田コート部に対して好適な改良が施された表
面実装用基板を提供すること。 【構成】絶縁基板（１）上に生成された所要パターンの
メッキレジスト層（４）；前記絶縁基板上のメッキレジ
スト層を除く部位に生成されたＣｕパターン層（３）；
および、前記Ｃｕパターン上に一旦生成された鉛−スズ
層（置換鉛層７；厚付けスズ層６および薄付けスズ層５
からなる層）において、これを加熱することによって生
成された溶融半田層（８）；から構成されている、絶縁
基板上のＣｕパターン上に半田層が生成された表面実装
用基板。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は表面実装用基板および
その製造方法に関するものであり、特に、ファインピッ
チ化された部品取り付け用パッドにおける半田コート部
に対して好適な改良が施された表面実装用基板およびそ
の製造方法に関するものである。
その製造方法に関するものであり、特に、ファインピッ
チ化された部品取り付け用パッドにおける半田コート部
に対して好適な改良が施された表面実装用基板およびそ
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】プリント配線基板のような電子部品の実
装基板は、近来の急速な高密度配線化にともない、外部
の対応部品との接続や内部に設けられた部品相互間の接
続のためのリードの細線化やファインピッチ化が進行し
ている。ところで、（１）従来から行われている溶融半
田メッキ法によれば、前記リード部と基板上のパッド部
との接続のためのメッキ厚の均一性の維持に不具合が生
じることがある。そして、この溶融半田メッキ法や半田
ペースト印刷法によるときには、以下の理由のために、
電子部品やこれが実装されるプリント配線基板における
急速な高密度配線化に対応できなくなる。即ち、前記プ
リント配線基板における導体パターン部や接続パッドの
ファインピッチ化が急速に進行しているために、当該導
体パターン部や接続パッドにおいて形成されるメッキの
厚みをコントロールすることが困難であって、前記メッ
キの厚みにバラツキが生じたり、ファインピッチ部に対
する付着が不十分になったりする。これに対して、
（２）電解半田メッキ法によるときには、いわゆるメッ
キリードが必要とされて、現に進行中のファインピッチ
化に反することになる。また、高密度配線化のために必
要な導体パターン部の独立したもの（メッキリード部が
面積をとり、なくすことが必要とされる）に対して通電
を行う必要が生じることとなり、前述の溶融半田メッキ
法に比べれば多少は良好ではあるものの、半田層の膜厚
の均一性が不十分であるという難点がある。そこで、こ
のような事態を打開するために、（３）無電解半田メッ
キ法を用いることが考えられるけれども、単一の置換反
応だけでは部品の接続のために多く用いられる銅材との
密着性に不安があることに加えて、例えばＴＡＢ等の半
田付けの際に必要な厚みのメッキ層を設けることが困難
であるという難点がある。即ち、現状においては、硼弗
化浴や無機酸浴のような置換浴がそのために開発されて
いるけれども、前述されたように、半田メッキと銅材と
の界面の接着性に不安が残ることに加えて、半田メッキ
自体の厚みを大きくすることが困難である。
装基板は、近来の急速な高密度配線化にともない、外部
の対応部品との接続や内部に設けられた部品相互間の接
続のためのリードの細線化やファインピッチ化が進行し
ている。ところで、（１）従来から行われている溶融半
田メッキ法によれば、前記リード部と基板上のパッド部
との接続のためのメッキ厚の均一性の維持に不具合が生
じることがある。そして、この溶融半田メッキ法や半田
ペースト印刷法によるときには、以下の理由のために、
電子部品やこれが実装されるプリント配線基板における
急速な高密度配線化に対応できなくなる。即ち、前記プ
リント配線基板における導体パターン部や接続パッドの
ファインピッチ化が急速に進行しているために、当該導
体パターン部や接続パッドにおいて形成されるメッキの
厚みをコントロールすることが困難であって、前記メッ
キの厚みにバラツキが生じたり、ファインピッチ部に対
する付着が不十分になったりする。これに対して、
（２）電解半田メッキ法によるときには、いわゆるメッ
キリードが必要とされて、現に進行中のファインピッチ
化に反することになる。また、高密度配線化のために必
要な導体パターン部の独立したもの（メッキリード部が
面積をとり、なくすことが必要とされる）に対して通電
を行う必要が生じることとなり、前述の溶融半田メッキ
法に比べれば多少は良好ではあるものの、半田層の膜厚
の均一性が不十分であるという難点がある。そこで、こ
のような事態を打開するために、（３）無電解半田メッ
キ法を用いることが考えられるけれども、単一の置換反
応だけでは部品の接続のために多く用いられる銅材との
密着性に不安があることに加えて、例えばＴＡＢ等の半
田付けの際に必要な厚みのメッキ層を設けることが困難
であるという難点がある。即ち、現状においては、硼弗
化浴や無機酸浴のような置換浴がそのために開発されて
いるけれども、前述されたように、半田メッキと銅材と
の界面の接着性に不安が残ることに加えて、半田メッキ
自体の厚みを大きくすることが困難である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記されたように、前
記の従来技術においては、プリント配線基板の高密度配
線化にともない、外部の対応部品との接続や内部に設け
られた部品相互間の接続のためのリードの細線化やファ
インピッチ化が急速に進行しており、これに対処するた
めに、溶融半田メッキ法、半田ペースト印刷法、電解半
田メッキ法または無電解半田メッキ法等の適用の試行や
部分的な実施がなされているけれども、得られる半田層
の厚みが十分でなかったり、必要な電気的接続性が得ら
れず、その信頼性に不安が残るという問題点があった。
記の従来技術においては、プリント配線基板の高密度配
線化にともない、外部の対応部品との接続や内部に設け
られた部品相互間の接続のためのリードの細線化やファ
インピッチ化が急速に進行しており、これに対処するた
めに、溶融半田メッキ法、半田ペースト印刷法、電解半
田メッキ法または無電解半田メッキ法等の適用の試行や
部分的な実施がなされているけれども、得られる半田層
の厚みが十分でなかったり、必要な電気的接続性が得ら
れず、その信頼性に不安が残るという問題点があった。
【０００４】この発明は上記された問題点を解決するた
めになされたものであり、ファインピッチ化された部品
取り付け用パッドにおける半田コート部に対して好適な
改良が施された表面実装用基板およびその製造方法を提
供することを目的とするものである。
めになされたものであり、ファインピッチ化された部品
取り付け用パッドにおける半田コート部に対して好適な
改良が施された表面実装用基板およびその製造方法を提
供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明に係る表面実装
用基板は上記された問題点を解決するためになされたも
のであり、絶縁基板上のＣｕパターン上に半田層が生成
されている表面実装用基板であって、絶縁基板上に生成
された所要パターンのメッキレジスト層、前記絶縁基板
上のメッキレジスト層を除く部位に生成されたＣｕパタ
ーン、および、前記Ｃｕパターン上に一旦生成された鉛
−スズ層において、これを加熱することによって生成さ
れた溶融半田層、からなることを特徴とするものであ
る。
用基板は上記された問題点を解決するためになされたも
のであり、絶縁基板上のＣｕパターン上に半田層が生成
されている表面実装用基板であって、絶縁基板上に生成
された所要パターンのメッキレジスト層、前記絶縁基板
上のメッキレジスト層を除く部位に生成されたＣｕパタ
ーン、および、前記Ｃｕパターン上に一旦生成された鉛
−スズ層において、これを加熱することによって生成さ
れた溶融半田層、からなることを特徴とするものであ
る。
【０００６】また、この発明に係る表面実装用基板の製
造方法も上記された問題点を解決するためになされたも
のであり、絶縁基板上のＣｕパターン上に半田層を生成
させる表面実装用基板の製造方法であって、前記絶縁基
板上に所望パターンのメッキレジスト層を生成させるス
テップ、前記絶縁基板上のメッキレジスト層を除く部位
にＣｕパターンを生成させるステップ、前記Ｃｕパター
ン上にＣｕ置換に基づいて薄付けスズ層を生成させるス
テップ、無電解スズメッキに基づいて厚付けスズ層を前
記薄付けスズ層上に更に生成させるステップ、無電解鉛
メッキに基づき、前記厚付けスズ層においてスズと鉛と
の置換をさせるステップ、および、前記各種のステップ
を施された前記絶縁基板について所要の加熱をするステ
ップ、を含んでなり、スズと鉛との合金からなる溶融半
田層を前記Ｃｕパターン上に形成することを特徴とする
ものである。
造方法も上記された問題点を解決するためになされたも
のであり、絶縁基板上のＣｕパターン上に半田層を生成
させる表面実装用基板の製造方法であって、前記絶縁基
板上に所望パターンのメッキレジスト層を生成させるス
テップ、前記絶縁基板上のメッキレジスト層を除く部位
にＣｕパターンを生成させるステップ、前記Ｃｕパター
ン上にＣｕ置換に基づいて薄付けスズ層を生成させるス
テップ、無電解スズメッキに基づいて厚付けスズ層を前
記薄付けスズ層上に更に生成させるステップ、無電解鉛
メッキに基づき、前記厚付けスズ層においてスズと鉛と
の置換をさせるステップ、および、前記各種のステップ
を施された前記絶縁基板について所要の加熱をするステ
ップ、を含んでなり、スズと鉛との合金からなる溶融半
田層を前記Ｃｕパターン上に形成することを特徴とする
ものである。
【０００７】
【作用】この発明に係る表面実装用基板は絶縁基板上の
Ｃｕパターン上に半田層が生成されている表面実装用基
板であって、絶縁基板上に生成された所要パターンのメ
ッキレジスト層と、前記絶縁基板上のメッキレジスト層
を除く部位に生成されたＣｕパターンと、前記Ｃｕパタ
ーン上に一旦生成された鉛−スズ層において、これを加
熱することによって生成された溶融半田層と、から構成
されたものである。そして、このような構成のものであ
ることから、ファインピッチ化された部品の取り付けに
特に好適である。
Ｃｕパターン上に半田層が生成されている表面実装用基
板であって、絶縁基板上に生成された所要パターンのメ
ッキレジスト層と、前記絶縁基板上のメッキレジスト層
を除く部位に生成されたＣｕパターンと、前記Ｃｕパタ
ーン上に一旦生成された鉛−スズ層において、これを加
熱することによって生成された溶融半田層と、から構成
されたものである。そして、このような構成のものであ
ることから、ファインピッチ化された部品の取り付けに
特に好適である。
【０００８】また、この発明に係る表面実装用基板の製
造方法は、前記絶縁基板上に所望パターンのメッキレジ
スト層を生成させるステップと、前記絶縁基板上のメッ
キレジスト層を除く部位にＣｕパターンを生成させるス
テップと、前記Ｃｕパターン上にＣｕ置換に基づいて薄
付けスズ層を生成させるステップと、無電解スズメッキ
に基づいて厚付けスズ層を前記薄付けスズ層上に更に生
成させるステップと、無電解鉛メッキに基づき、前記厚
付けスズ層においてスズと鉛との置換をさせるステップ
と、前記各種のステップを施された前記絶縁基板につい
て所要の加熱をするステップとを含んでなり、スズと鉛
との合金からなる溶融半田層を前記Ｃｕパターン上に形
成することを特徴とするものである。そして、このよう
な方法を採用することにより、ファインピッチ化された
部品の取り付けのためにに特に好適な表面実装用基板を
実現することができる。
造方法は、前記絶縁基板上に所望パターンのメッキレジ
スト層を生成させるステップと、前記絶縁基板上のメッ
キレジスト層を除く部位にＣｕパターンを生成させるス
テップと、前記Ｃｕパターン上にＣｕ置換に基づいて薄
付けスズ層を生成させるステップと、無電解スズメッキ
に基づいて厚付けスズ層を前記薄付けスズ層上に更に生
成させるステップと、無電解鉛メッキに基づき、前記厚
付けスズ層においてスズと鉛との置換をさせるステップ
と、前記各種のステップを施された前記絶縁基板につい
て所要の加熱をするステップとを含んでなり、スズと鉛
との合金からなる溶融半田層を前記Ｃｕパターン上に形
成することを特徴とするものである。そして、このよう
な方法を採用することにより、ファインピッチ化された
部品の取り付けのためにに特に好適な表面実装用基板を
実現することができる。
【０００９】
【実施例】図１は、この発明の実施例に係る表面実装用
基板およびその製造方法に関する概略的な説明図であ
る。まず、図１の（Ａ）において、絶縁基板１は例えば
ガラスエポキシ樹脂からなるものであり、その上部には
エポキシ系の樹脂からなる接着剤層２が設けられてい
る。そして、この接着剤層２を介して所要のパターンを
有するＣｕメッキレジスト、スズ・鉛メッキレジストお
よび半田レジストとなるメッキレジスト層４が設けられ
るとともに、その空隙部を埋めるように、Ｃｕパターン
層３が例えばパッド部として設けられて、所望の表面実
装用基板としてのプリント配線基板が構成されている。
次に、図１の（Ｂ）においては、適当な錯化剤によるＣ
ｕの溶解にともなうＣｕとスズとの置換反応を利用し
て、ほぼ０．１〜０．３μｍ程度の厚みの薄付けスズ層
５が前記Ｃｕパターン層３の上部表面に形成される。こ
れに続く図１の（Ｃ）においては、適当なアルカリ浴内
においてスズの不均化反応を利用することにより、約２
０μｍ程度の無電解スズメッキ層が、前記薄付けスズ層
５の上部表面に、厚付けスズ層６として形成される。そ
して、これに次ぐ図１の（Ｄ）においては、特有のイオ
ン化傾向に基づく置換反応を利用して無電解鉛メッキを
行い、前記厚付けスズ層６の上部に置換鉛層７が形成さ
れる。かくして、Ｃｕパターン層３の上部表面には、所
要の厚みの鉛−スズ層（即ち、置換鉛層７，厚付けスズ
層６および薄付けスズ層５からなる層）が形成されるこ
とになる。最後の図１の（Ｅ）においては、上記のよう
に処理された基板を所要の温度に加熱して、前記所要の
厚みの鉛−スズ層から所望の組成の半田合金層（溶融半
田層）８が形成される。
基板およびその製造方法に関する概略的な説明図であ
る。まず、図１の（Ａ）において、絶縁基板１は例えば
ガラスエポキシ樹脂からなるものであり、その上部には
エポキシ系の樹脂からなる接着剤層２が設けられてい
る。そして、この接着剤層２を介して所要のパターンを
有するＣｕメッキレジスト、スズ・鉛メッキレジストお
よび半田レジストとなるメッキレジスト層４が設けられ
るとともに、その空隙部を埋めるように、Ｃｕパターン
層３が例えばパッド部として設けられて、所望の表面実
装用基板としてのプリント配線基板が構成されている。
次に、図１の（Ｂ）においては、適当な錯化剤によるＣ
ｕの溶解にともなうＣｕとスズとの置換反応を利用し
て、ほぼ０．１〜０．３μｍ程度の厚みの薄付けスズ層
５が前記Ｃｕパターン層３の上部表面に形成される。こ
れに続く図１の（Ｃ）においては、適当なアルカリ浴内
においてスズの不均化反応を利用することにより、約２
０μｍ程度の無電解スズメッキ層が、前記薄付けスズ層
５の上部表面に、厚付けスズ層６として形成される。そ
して、これに次ぐ図１の（Ｄ）においては、特有のイオ
ン化傾向に基づく置換反応を利用して無電解鉛メッキを
行い、前記厚付けスズ層６の上部に置換鉛層７が形成さ
れる。かくして、Ｃｕパターン層３の上部表面には、所
要の厚みの鉛−スズ層（即ち、置換鉛層７，厚付けスズ
層６および薄付けスズ層５からなる層）が形成されるこ
とになる。最後の図１の（Ｅ）においては、上記のよう
に処理された基板を所要の温度に加熱して、前記所要の
厚みの鉛−スズ層から所望の組成の半田合金層（溶融半
田層）８が形成される。
【００１０】
【発明の効果】以上詳細に説明されたように、この発明
に係る表面実装用基板は、絶縁基板上のＣｕパターン上
に半田層が生成されている表面実装用基板であって、絶
縁基板上に生成された所要パターンのメッキレジスト層
と、前記絶縁基板上のメッキレジスト層を除く部位に生
成されたＣｕパターンと、前記Ｃｕパターン上に一旦生
成された鉛−スズ層において、これを加熱することによ
って生成された溶融半田層とからなることを特徴とする
ものである。そして、このような特徴を備えた構成のも
のであることから、ファインピッチ化された部品の取り
付けに特に好適であり、半田合金とＣｕパターン層間に
発生しやすいフクレのような不都合な現象が生じること
が防止されて、両者の密着性が著しく改善されるという
利点がある。
に係る表面実装用基板は、絶縁基板上のＣｕパターン上
に半田層が生成されている表面実装用基板であって、絶
縁基板上に生成された所要パターンのメッキレジスト層
と、前記絶縁基板上のメッキレジスト層を除く部位に生
成されたＣｕパターンと、前記Ｃｕパターン上に一旦生
成された鉛−スズ層において、これを加熱することによ
って生成された溶融半田層とからなることを特徴とする
ものである。そして、このような特徴を備えた構成のも
のであることから、ファインピッチ化された部品の取り
付けに特に好適であり、半田合金とＣｕパターン層間に
発生しやすいフクレのような不都合な現象が生じること
が防止されて、両者の密着性が著しく改善されるという
利点がある。
【００１１】また、この発明に係る表面実装用基板の製
造方法は、前記絶縁基板上に所望パターンのメッキレジ
スト層を生成させるステップと、前記絶縁基板上のメッ
キレジスト層を除く部位にＣｕパターンを生成させるス
テップと、前記Ｃｕパターン上にＣｕ置換に基づいて薄
付けスズ層を生成させるステップと、無電解スズメッキ
に基づいて厚付けスズ層を前記薄付けスズ層上に更に生
成させるステップと、無電解鉛メッキに基づき、前記厚
付けスズ層においてスズと鉛との置換をさせるステップ
と、前記各種のステップを施された前記絶縁基板につい
て所要の加熱をするステップとを含んでなり、スズと鉛
との合金からなる溶融半田層を前記Ｃｕパターン上に形
成することを特徴とするものである。そして、このよう
な方法を採用することから、ファインピッチ化された部
品の取り付けが特に好適にされ、半田合金とＣｕパター
ン層間に発生しやすいフクレのような不都合な現象が生
じることが防止されるとともに、両者の密着性が著しく
改善される。また、前記の半田層の組成はメッキの厚み
に依存してコントロール可能なものであり、例えば、
６：４〜７：３の範囲での良好な組成のものが得られ
る。また、この発明に係る表面実装用基板の製造方法は
全面的に無電解メッキのプロセスによって実施されてい
るために、ファインピッチ化した導体パッド上での十分
な半田の供給が可能にされることに加えて、従来のプロ
セスでは得られなかったような、十分に高い性能を有す
る表面実装用基板を実現させることができる。
造方法は、前記絶縁基板上に所望パターンのメッキレジ
スト層を生成させるステップと、前記絶縁基板上のメッ
キレジスト層を除く部位にＣｕパターンを生成させるス
テップと、前記Ｃｕパターン上にＣｕ置換に基づいて薄
付けスズ層を生成させるステップと、無電解スズメッキ
に基づいて厚付けスズ層を前記薄付けスズ層上に更に生
成させるステップと、無電解鉛メッキに基づき、前記厚
付けスズ層においてスズと鉛との置換をさせるステップ
と、前記各種のステップを施された前記絶縁基板につい
て所要の加熱をするステップとを含んでなり、スズと鉛
との合金からなる溶融半田層を前記Ｃｕパターン上に形
成することを特徴とするものである。そして、このよう
な方法を採用することから、ファインピッチ化された部
品の取り付けが特に好適にされ、半田合金とＣｕパター
ン層間に発生しやすいフクレのような不都合な現象が生
じることが防止されるとともに、両者の密着性が著しく
改善される。また、前記の半田層の組成はメッキの厚み
に依存してコントロール可能なものであり、例えば、
６：４〜７：３の範囲での良好な組成のものが得られ
る。また、この発明に係る表面実装用基板の製造方法は
全面的に無電解メッキのプロセスによって実施されてい
るために、ファインピッチ化した導体パッド上での十分
な半田の供給が可能にされることに加えて、従来のプロ
セスでは得られなかったような、十分に高い性能を有す
る表面実装用基板を実現させることができる。
【図１】 この発明の実施例に係る表面実装用基板の製
造方法に関する概略的な説明図である。
造方法に関する概略的な説明図である。
１：絶縁基板； ２：接着剤層； ３：Ｃｕパターン層； ４：メッキレジスト層； ５：置換薄付けスズ層； ６：厚付けスズ層； ７：置換鉛層； ８：溶融半田層；
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁基板上のＣｕパターン上に半田層が生
成されている表面実装用基板であって：絶縁基板上に生
成された所要パターンのメッキレジスト層；前記絶縁基
板上のメッキレジスト層を除く部位に生成されたＣｕパ
ターン；および、 前記Ｃｕパターン上に一旦生成された鉛−スズ層におい
て、これを加熱することによって生成された溶融半田
層；からなることを特徴とする表面実装用基板。 - 【請求項２】絶縁基板上のＣｕパターン上に半田層を生
成させる表面実装用基板の製造方法であって：前記絶縁
基板上に所望パターンのメッキレジスト層を生成させる
ステップ；前記絶縁基板上のメッキレジスト層を除く部
位にＣｕパターンを生成させるステップ；前記Ｃｕパタ
ーン上にＣｕ置換に基づいて薄付けスズ層を生成させる
ステップ；無電解スズメッキに基づいて厚付けスズ層を
前記薄付けスズ層上に更に生成させるステップ；無電解
鉛メッキに基づき、前記厚付けスズ層においてスズと鉛
との置換をさせるステップ；および、 前記各種のステップを施された前記絶縁基板について所
要の加熱をするステップ；を含んでなり、スズと鉛との
合金からなる溶融半田層を前記Ｃｕパターン上に形成す
ることを特徴とする表面実装用基板の製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16547992A JPH06181380A (ja) | 1992-06-02 | 1992-06-02 | 表面実装用基板およびその製造方法 |
| US08/338,531 US5532070A (en) | 1992-06-02 | 1993-06-01 | Solder-precoated conductor circuit substrate and method of producing the same |
| PCT/JP1993/000736 WO1993025060A1 (en) | 1992-06-02 | 1993-06-01 | Solder-precoated wiring board and method for manufacturing the same |
| JP6500401A JP2883204B2 (ja) | 1992-06-02 | 1993-06-01 | はんだプリコート配線基板およびその製造方法 |
| DE69327163T DE69327163T2 (de) | 1992-06-02 | 1993-06-01 | Mit loetmetall vorbeschichtete leiterplatte und verfahren zur herstellung |
| DE0644713T DE644713T1 (de) | 1992-06-02 | 1993-06-01 | Mit loetmetall vorbeschichtete leiterplatte und verfahren zur herstellung. |
| EP93910425A EP0644713B1 (en) | 1992-06-02 | 1993-06-01 | Solder-precoated wiring board and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16547992A JPH06181380A (ja) | 1992-06-02 | 1992-06-02 | 表面実装用基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06181380A true JPH06181380A (ja) | 1994-06-28 |
Family
ID=15813189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16547992A Pending JPH06181380A (ja) | 1992-06-02 | 1992-06-02 | 表面実装用基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06181380A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06181381A (ja) * | 1992-12-11 | 1994-06-28 | Nec Corp | はんだ膜形成方法 |
| JP2008512019A (ja) * | 2004-08-31 | 2008-04-17 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ｒｆｉｄアンテナを製造する方法 |
-
1992
- 1992-06-02 JP JP16547992A patent/JPH06181380A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06181381A (ja) * | 1992-12-11 | 1994-06-28 | Nec Corp | はんだ膜形成方法 |
| JP2008512019A (ja) * | 2004-08-31 | 2008-04-17 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ｒｆｉｄアンテナを製造する方法 |
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