JPH06180851A

JPH06180851A - 光ヘッド

Info

Publication number: JPH06180851A
Application number: JP4331860A
Authority: JP
Inventors: Toshinori Sugiyama; 寿紀杉山; Yoshito Tanaka; 義人田中; Masashi Suenaga; 正志末永; Hisataka Sugiyama; 久貴杉山; Akira Arimoto; 昭有本
Original assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Maxell Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Maxell Holdings Ltd
Priority date: 1992-12-11
Filing date: 1992-12-11
Publication date: 1994-06-28

Abstract

(57)【要約】【目的】組立、メインテナンス、使用時の初期調整が
容易な超解像光ヘッド又は共焦点光ヘッドを提供する。【構成】少なくとも半導体レーザ３と、該半導体レー
ザからの出射光４ａを光情報記録媒体８の情報記録面８
ａに合焦する対物レンズ１０と、入射光４ａと反射光４
ｂとを分離するビームスプリッタ６と、前記反射光を集
光する検出レンズ１２と、反射光信号を検出する光検出
器１５，１７とから、光ヘッドの投光光学系１及び受光
光学系２を構成する。前記検出レンズ１２の焦点面もし
くはその近傍に、開口の大きさ及び位置を調整可能な液
晶シャッタ２１を設けるか、あるいは低照度の光ビーム
に対しては透過率が低く、高照度の光ビームに対しては
透過率が高い非線形な光透過特性を有する光制御素子３
１を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光情報記録媒体に対し
て情報の記録、再生等を行なう光ヘッドに係り、より詳
しくは、高密度記録対応形の光ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より一般的に用いられている光ヘッ
ドは、レーザ等の光源から出射された光ビームを対物レ
ンズによって回折限界まで絞り込み、光情報記録媒体の
記録膜（追記型又は書換型の場合）又は反射膜（再生専
用形の場合）に合焦するものであった。これに対して、
近年、光情報記録媒体に照射される光ビームスポットの
直径を対物レンズの回折限界値よりも格段に小径化する
ことで、情報の記録密度及び再生信号の分解能の劇的な
向上を図った光ヘッドが提案されている。

【０００３】図５に、従来より提案されている高密度記
録対応形光ヘッドの一例を示す。この光ヘッドは、超解
像ヘッドと呼ばれるものであって、従来より知られてい
る一般的な光ヘッドの投光光学系に、平行ビームの中心
部を遮光する遮光体あるいは平行ビームに位相分布を持
たせる位相付加体を付加したことを特徴とする。

【０００４】図５において、符号１は投光光学系を、符
号２ａはデータ信号受光光学系を、符号２ｂはサーボ信
号受光光学系を示している。投光光学系１は、半導体レ
ーザ３と、半導体レーザ３から出射されたレーザビーム
４を平行ビームにするコリメータレンズ５と、入射光４
ａと反射光４ｂとを分離するビームスプリッタ６ａと、
前記コリメータレンズ５とビームスプリッタ６との間に
設けられた遮光体あるいは位相付加体７と、光磁気ディ
スク８の情報記録面８ａにレーザスポット９を合焦する
対物レンズ１０とからなる。ここで、前記反射光４ｂ
は、第２のビームスプリッタ６ｂにより、データ信号受
光光学系２ａとサーボ信号受光光学系２ｂへと分けられ
る。データ信号受光光学系２ａは、反射光４ｂの偏光角
を調整する半波長板１１と、検出レンズ１２と、反射光
４ｂをＳ偏光成分とＰ偏光成分に分離する検光子１３
と、Ｓ偏光成分１４を検出する第１の光検出器１５と、
Ｐ偏光成分１６を検出する第２の光検出器１７とからな
り、サーボ信号受光光学系２ｂは、図示はしないが一般
的に既知な光学系、例えばフォーカス信号の検出には非
点収差法、トラッキング信号の検出にはプッシュプル法
を用いた光学系となっている。

【０００５】本例の光ヘッドは、コリメータレンズ５と
ビームスプリッタ６との間に遮光体あるいは位相付加体
７を設けたので、情報記録面８ａに照射されるレーザス
ポット９の直径を従来の遮光体あるいは位相付加体７を
有しない光ヘッドに比べて格段に小径化でき、情報の記
録密度の向上及び再生信号の分解能の向上に効果があ
る。

【０００６】図６は、従来より提案されている高密度記
録対応形光ヘッドの他の例を示す光学系の図であって、
図５に示した超解像ヘッドの改良型である。すなわち、
図５に示した超解像ヘッドは、コリメータレンズ５とビ
ームスプリッタ６との間に遮光体あるいは位相付加体７
を設けたので、図７に示すように、光軸と直交する方向
の光の強度分布がガウシアン分布にならず、メインビー
ム１８ａの周囲にサイドフリンジ１８ｂが発生する。こ
のため、光磁気ディスク８の隣接トラックからのクロス
トークを生じやすいという問題がある。図６の超解像ヘ
ッドは、サイドフリンジ１８ｂの影響を除くため、検出
レンズ１２の焦点面にピンホール１９が配置されてい
る。

【０００７】その他、例えばISOM'９１の「POSSIBILITY
OF SUPER-RESOLUTION READOUT INOPTICAL DISC HEAD
S」で報告されているように、前記した通常の光ヘッド
又は超解像ヘッドにおける検出レンズ１２の焦点面に、
当該検出レンズ１２で形成される光ビーム径よりも小さ
なピンホール又は該光ビーム径よりも幅の狭いスリット
を配置した、共焦点ヘッドと呼ばれる高密度記録対応型
光ヘッドもある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記改良型
の超解像ヘッド及び共焦点ヘッドは、いずれもピンホー
ル又はスリットを検出レンズの焦点面に厳密に設定しな
いと所望の効果が得られないため、組立時の調整が困難
で生産性が悪いという不都合がある。また、組立時に完
全な調整を行なったとしても、例えば機械的な振動や衝
撃それに気温変化など、影響を完全に防止することが困
難な外乱によってピンホール又はスリットの設定位置が
ずれやすいために、メインテナンスや使用時の初期調整
が面倒であるという不都合がある。

【０００９】本発明は、かかる課題を解決するためにな
されたものであって、その目的は、組立性が良好でかつ
耐環境性に優れた光ヘッドを提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記の目的を
達成するため、少なくとも光源と、該光源から出射され
た光ビームを集光して光情報記録媒体に合焦する第１の
集光手段と、前記光情報記録媒体への入射光と前記光情
報記録媒体からの反射光を分離する光分離手段と、前記
反射光を集光する第２の集光手段と、該第２の集光手段
によって集光された前記反射光を検出する光検出手段と
を備えた光ヘッドにおいて、前記第２の集光手段の焦点
面もしくはその近傍に、開口の大きさ及び位置を調整可
能な液晶シャッタを設けた。

【００１１】また、他の手段として、前記と同様の光ヘ
ッドにおいて、前記第２の集光手段の焦点面もしくはそ
の近傍に、低照度の光ビームに対しては透過率が低く、
高照度の光ビームに対しては透過率が高い非線形な光透
過特性を有する光制御素子を設けた。

【００１２】前記手段は、投光光学系に平行ビームの中
心部を遮光する遮光体あるいは平行ビームに位相分布を
持たせる位相付加体が付加されていない通常の光ヘッド
に応用することもできるし、投光光学系にこれら遮光体
又は位相付加体が付加された超解像ヘッドにも応用でき
る。

【００１３】前記光制御素子としては、３次の非線形光
透過特性を有する有機物系の光制御膜を有するもの、誘
電体中に半導体微粒子を分散させた光制御膜を有するも
の、誘電体上に半導体微粒子を積層させた光制御膜を有
するもの、誘電体中に金属微粒子を分散させた光制御膜
を有するもの、誘電体上に金属微粒子もしくは金属酸化
物微粒子を積層させた光制御膜を有するものなどを用い
ることができる。

【００１４】前記微粒子としては、平均粒径が２０ｎｍ
以下のものが特に好適である。前記半導体としては、不
純物半導体であるシリコーン、化合物半導体であるガリ
ウム−砒素系、硫化カドミウム、あるいはセレン化カド
ミウム、もしくはこれらの固溶体が特に好適であり、前
記金属としては、金、白金、銅、塩化銅のいずれか、又
はこれらの混合物が特に好適である。

【００１５】

【作用】液晶シャッタは、開口の大きさ及び開口位置を
電気的な操作で容易に調整、制御できるので、シャッタ
面が第２の集光手段（検出レンズ）の焦点面に厳密に設
定されなくても、あるいはシャッタの中心が光軸からず
れても、液晶シャッタの開口の大きさ及び開口位置を調
整、制御することによって、光検出手段に第２の集光手
段の回折限界径よりも小径の光スポットを入射させるこ
とができる。よって、前記第１の手段によれば、高密度
記録対応型光ヘッドの組立てが容易化されると共に、外
乱によって第２の集光手段と液晶シャッタとの位置関係
が変動した場合の調整が容易になり、メインテナンス及
び使用時の初期調整が容易になる。

【００１６】また、レーザビームのように、光軸に垂直
な面に対する強度分布がガウシアン分布になっている光
ビームを前記非線形の光透過率特性を有する光制御素子
に通すと、周辺部の低照度の光ビームが光制御素子に遮
られて光検出手段に達せず、中央部の高照度にして第２
の集光手段の回折限界径よりも小径の光ビームのみが光
検出手段に達する。光制御素子は、第２の集光手段の焦
点面に厳密に設定されなくても、あるいは光制御素子の
中心が光軸からずれても、同様の効果を発揮できる。よ
って、前記第２の手段によれば、高密度記録対応型光ヘ
ッドの組立てが容易化されると共に、外乱によって第２
の集光手段と液晶シャッタとの位置関係が変動した場合
の調整が不要になり、メインテナンス及び初期調整の煩
わしさが解消される。

【００１７】なお、投光光学系のコリメータレンズと光
分離手段（ビームスプリッタ）との間に、平行ビームの
中心部を遮光する遮光体あるいは平行ビームに位相分布
を持たせる位相付加体を付加した場合には、光情報記録
媒体上に照射される光スポットの直径を小径化できるの
で、記録密度の向上を併せて図ることができる。

【００１８】

【実施例】

〈第１実施例〉第１実施例に係る光ヘッドの第１例を、
図１及び図２に基づいて説明する。図１は本例に係る光
ヘッドの説明図、図２は液晶シャッタの説明図である。

【００１９】図１に示すように、本例の光ヘッドは、超
解像ヘッドの受光光学系に液晶シャッタ２１を備えたこ
とを特徴とするものであって、図５に示した超解像ヘッ
ドと共通する部分については、それと同一の符号が表示
されている。

【００２０】液晶シャッタ２１は、図２に示すように、
多数の微小なアレイ素子２１ａの集合からなり、Ｘ軸端
子群２２ａ及びＹ軸端子群２２ｂに含まれる各端子に選
択的に通電することによって、所望のアレイ素子を光透
過性とし、他のアレイ素子を遮光性にすることができる
ように構成されている。本例においては、図２に示すよ
うに、メインビーム１８ａのみが透過し、メインビーム
１８ａの周囲に発生するサイドフリンジ１８ｂが遮光さ
れるように各アレイ素子２１ａが制御され、検出レンズ
１２の焦点面にシャッタ面が一致するように、受光光学
系２に設定されている。

【００２１】以下、この光ヘッドの機能について説明す
ると、半導体レーザ３から出射された拡散ビーム４は、
コリメータレンズ５によって平行ビームに変換され、ビ
ームスプリッタ６ａによって光路が変更されたのち、対
物レンズ１０によってその回折限界まで絞り込まれ、光
磁気ディスク８の情報記録面８ａに合焦される。前記コ
リメータレンズ５とビームスプリッタ６ａとの間には、
平行ビームの中心部を遮光する遮光体あるいは平行ビー
ムの中心部分の位相分布を周辺部分の位相分布よりも早
める位相付加体が付加されているので、情報記録面８ａ
に合焦されるレーザスポット９の半径方向の強度分布は
ガウシアン分布にならず、図２に示すように対物レンズ
１０の回折限界径よりも小径のメインビーム１８ａの周
囲にサイドフリンジ１８ｂが発生した形になる。よっ
て、光磁気記録膜の記録感度をサイドフリンジ１８ｂの
ピーク値以上、メインビーム１８ａのピーク値以下に設
定しておくことによって、光磁気記録膜に形成される磁
化ドメインを小径化でき、記録密度を高密度化できる。

【００２２】情報再生時には、磁化ドメインを消去しな
い程度の弱いレーザビーム４が半導体レーザ３から出射
される。光磁気ディスク８の情報記録面８ａにレーザス
ポット９を合焦するまでの装置各部の機能については、
前記記録時と同じである。情報記録面８ａによって反射
されたレーザビーム４ｂは、対物レンズ１０を介してビ
ームスプリッタ６ａに戻り、入射光４ａと分離される。
そして、半波長板１１にて偏光面が４５度回転された
後、検出レンズ１２によって絞り込まれ、検光子１３に
入射される。入射光４ａは、該検光子１３によってＳ偏
光成分とＰ偏光成分とに分離され、分離された各偏光成
分１４，１６は、液晶シャッタ２１を通って各光検出器
１５，１７に入射される。前記したように、情報記録面
８ａに合焦されるレーザスポット９の半径方向の強度分
布は、メインビーム１８ａの周囲にサイドフリンジ１８
ｂが発生した形になるので、反射光４ｂの光軸に直角な
面の強度分布も、これと同様にサイドフリンジ１８ｂを
有する形になっている。本実施例においては、液晶シャ
ッタ２１の開口が、メインビーム１８ａのみを透過し、
サイドフリンジ１８ｂが遮光されるように制御され、か
つ開口の中心が反射光４ｂの光軸と合致するように調整
されているので、該液晶シャッタ２１によってサイドフ
リンジ１８ｂの影響が除去される。したがって、メイン
ビーム１８ａによって読みだされた信号のみが光検出器
１５，１７にて再生されるので、再生信号の分解能が高
められると共に、隣接トラックからのクロストークが防
止される。なお、サーボ信号検出系２ｂは、従来の光ヘ
ッドと同等の光学系で構成されている。

【００２３】本例の光ヘッドは、光検出器１５，１７の
前面に開口の大きさ及び位置を適宜調整可能な液晶シャ
ッタ２１を設けたので、液晶シャッタ２１を検出レンズ
の焦点面の近傍におおまかに設定したのちに、反射光４
ｂに応じて開口の大きさ及び位置を調整することがで
き、液晶シャッタ２１の設定位置に厳密性を要しないの
で、光ヘッドの組立を格段に容易化できる。また、機械
的な振動や衝撃それに気温変化などの外乱によって所望
とする開口の大きさ及び開口位置がずれたとしても、容
易にそれらの調整ができるので、メインテナンスや使用
前に行なう初期調整が容易になるという効果がある。

【００２４】〈第２実施例〉次に、本発明の第２実施例
を図３及び図４によって説明する。図３は光制御素子の
断面図であり、図４は光制御素子の光透過特性を示すグ
ラフ図である。本例の光ヘッドは、液晶シャッタに代え
て図３及び図４に示す光制御素子を検出レンズの焦点面
又はその近傍に配置したことを特徴とする。

【００２５】図３に示すように、本例の光ヘッドに適用
される光制御素子３１は、ガラス基板３２上に、低照度
の光ビームに対しては透過率が低く、高照度の光ビーム
に対しては透過率が高い非線形な光透過特性を有する光
制御膜３３（図４参照）が被着され、その外面に光制御
膜３３の保護カバー３４が被着されている。

【００２６】光制御膜３３は、有機系の材料を用いて形
成することもできるし、無機系の材料を用いて形成する
こともできる。有機系の材料としては、公知に属する任
意の有機色素材料を用いることができるが、特に、例え
ばシアニン系色素、フタロシアニン系色素、アントタキ
ノン系色素など、３次の光透過特性を有するものが好ま
しい。有機系光制御膜３３の膜厚は、搭載される半導体
レーザの出力や有機色素材料の種類などに応じて適宜調
整されるが、一般的には、０．５〜１００μｍ程度にで
きる。

【００２７】無機系の材料としては、透明な誘電体中に
半導体の微粒子を分散させたもの、透明な誘電体上に半
導体微粒子を積層させたもの、透明な誘電体中に金属微
粒子を分散させたもの、透明な誘電体上に金属微粒子も
しくは金属酸化物微粒子を積層させたものなどがある。

【００２８】透明誘電体としては、無機材料では二酸化
珪素、窒化シリコン、酸化イットリウム、アルミナ、窒
化リチウム、酸化タンタル、酸化ニオブのいずれか、又
はこれらの混合物を用いることができ、有機材料では酢
酸ブチル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラー
ル、紫外線硬化性アクリル樹脂のいずれか、又はこれら
の混合物を用いることができる。また、前記半導体とし
ては、II−VI族の化合物半導体、例えば硫化カドミウム
又はセレン化カドミウム、あるいはこれらの固溶体を用
いることができ、前記金属又は金属化合物としては、
金、白金、銅、塩化銅のいずれか、又はこれらの混合物
を用いることができる。前記半導体微粒子、金属微粒
子、又は金属化合物微粒子は、平均粒径が小さいほど好
ましく、通常は２０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ
以下に調整される。

【００２９】前記光制御膜３３は、ベース材料と微粒子
材料との混合物焼結体をターゲットとしてスパッタリン
グによって形成することもできるし、プラズマＣＶＤ法
を用いてガラス基板３２上に所望材料の微粒子を所望膜
厚に積層することによっても形成できる。具体的には、
窒化シリコンと硫化カドミウムの混合物焼結体をターゲ
ットとしてスパッタリングを行ない、ガラス基板３２上
に膜厚が０．５〜１００μｍで、スパッタ膜中の硫化カ
ドミウム重量比が１〜１０％の光制御膜３３を形成した
とき、有機色素系の光制御膜と同様の光透過特性が得ら
れた。また、硫化カドミウムに代えて、セレン化カドミ
ウム、金、白金、銅、塩化銅を用いてこれと同様の膜厚
及び組成の光制御膜を形成した場合にも、これと同様の
光透過特性が得られた。さらに、プラズマＣＶＤ法を用
いてガラス基板３２上にシリコン微粒子又はガリリウム
砒素化合物半導体の微粒子を０．５〜１００μｍの膜厚
に積層させたものも、これと同様の光透過特性が得られ
た。

【００３０】保護カバー３４は、前記光制御膜３３を損
傷や塵埃等の付着から保護するために設けられるもので
あって、ある程度の硬度を有しかつ透明であれば任意の
材料をもって構成できる。なお、例えば光制御素子全体
が密封容器内に収納される場合など、光制御膜３３の損
傷や塵埃等の付着が問題にならない場合には、保護カバ
ー３４を省略することもできる。

【００３１】以下、本実施例に係る光ヘッドの効果につ
いて説明すると、本例の光ヘッドにおいては、検出レン
ズ１２によって集光されたレーザビームが、光制御素子
３１を通って光検出器１５，１７に入射する。前記第１
実施例の説明欄で説明したように、検出レンズ１２から
光検出器１５，１７に入射するレーザビームは、メイン
ビーム１８ａの周囲にサイドフリンジ１８ｂが発生して
いるが（図２参照）、低照度の光ビームに対しては透過
率が低く、高照度の光ビームに対しては透過率が高い非
線形な光透過特性を有する光制御素子３１を通ることに
よって、低照度のサイドフリンジ１８ｂの影響が除去さ
れる。したがって、メインビーム１８ａによって読みだ
された信号のみが光検出器１５，１７にて再生されるの
で、再生信号の分解能が高められると共に、隣接トラッ
クからのクロストークが防止される。

【００３２】本例の光ヘッドは、光検出器１５，１７の
前面に、低照度の光ビームに対しては透過率が低く、高
照度の光ビームに対しては透過率が高い非線形な光透過
特性を有する光制御素子３１を設けたので、光制御素子
３１を必ずしも検出レンズの焦点面に厳密に設定しなく
とも、サイドフリンジの除去に関して同様の効果を得る
ことができる。よって、光制御素子３１の設定位置に厳
密性を要しないので、光ヘッドの組立を格段に容易化で
きる。また、機械的な振動や衝撃それに気温変化などの
外乱によって、検出レンズ１２及び光検出器１５，１７
に対する光制御素子３１の設定位置がずれたとしても、
特性がほとんど変化しないので、メインテナンスや使用
前に行なう初期調整が不要になるという効果がある。

【００３３】なお、前記各実施例においては、コリメー
タレンズ５とビームスプリッタ６ａとの間に遮光体ある
いは位相付加体７が設けられた、いわゆる超解像形の光
ヘッドに本発明を適用した場合を説明したが、前記遮光
体あるいは位相付加体７を備えない通常形の光ヘッドに
本発明を適用しても、情報再生に関しては前記と同様の
効果を得ることができる。

【００３４】また、前記各実施例においては、光磁気記
録媒体対応形の光ヘッドに本発明を適用した場合を説明
したが、例えば読出し専用形の光情報記録媒体、相変化
形の光情報記録媒体、あるいは孔明け形の光情報記録媒
体など、他の光情報記録媒体に対応するタイプの光ヘッ
ドに本発明を適用しても、前記と同様の効果を得ること
ができる。

【００３５】さらに、前記各実施例においては、入射光
４ａを光情報記録記録媒体８に合焦する集光手段として
対物レンズ１０を用い、反射光４ｂを光検出器１５，１
７に合焦する集光手段として検出レンズ１２を用いた場
合について説明したが、これらレンズに代えて、例えば
凹面鏡などの他の集光手段を用いることもできる。

【００３６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
本例の光ヘッドは、光検出器の前面に開口の大きさ及び
位置を適宜調整可能な液晶シャッタまたは低照度の光ビ
ームに対しては透過率が低く、高照度の光ビームに対し
ては透過率が高い非線形な光透過特性を有する光制御素
子を設けたので、ピンホールやスリットのように検出用
集光手段の焦点面に厳密に設定する必要がなく、光ヘッ
ドの組立を格段に容易化できる。また、機械的な振動や
衝撃それに気温変化などの外乱によって、検出用集光手
段とこれら液晶シャッタ又は光制御素子との位置関係が
ずれたとしても、調整が容易又は不要になるので、メイ
ンテナンスや使用前に行なう初期調整が容易又は不要に
なる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例に係る光ヘッドの説明図である。

【図２】液晶シャッタの説明図である。

【図３】光制御素子の断面図である。

【図４】光制御膜の光透過率特性を定性的に示すグラフ
図である。

【図５】従来より提案されている高密度記録対応形光ヘ
ッドの説明図である。

【図６】高密度記録対応形光ヘッドの他の例を示す説明
図である。

【図７】サイドフリンジの説明図である。

【符号の説明】

１投光光学系２受光光学系３半導体レーザ４レーザビーム５コリメータレンズ６ビームスプリッタ（光分離手段）８光磁気ディスク（光情報記録媒体）１０対物レンズ（第１の集光手段）１１半波長板１２検出レンズ（第２の集光手段）１５，１７光検出器（光検出手段）２１液晶シャッタ３１光制御素子３２ガラス基板３３光制御膜３３

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者末永正志大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号日立マクセル株式会社内 (72)発明者杉山久貴東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者有本昭茨城県日立市久慈町4026番地株式会社日立製作所日立研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも光源と、該光源から出射され
た光ビームを集光して光情報記録媒体に合焦する第１の
集光手段と、前記光情報記録媒体への入射光と前記光情
報記録媒体からの反射光を分離する光分離手段と、前記
反射光を集光する第２の集光手段と、該第２の集光手段
によって集光された前記反射光を検出する光検出手段と
を備えた光ヘッドにおいて、前記第２の集光手段の焦点
面もしくはその近傍に、開口の大きさ及び位置を調整可
能な液晶シャッタを設けたことを特徴とする光ヘッド。
【請求項２】少なくとも光源と、該光源から出射され
た光ビームを集光して光情報記録媒体に合焦する第１の
集光手段と、前記光情報記録媒体への入射光と前記光情
報記録媒体からの反射光を分離する光分離手段と、前記
反射光を集光する第２の集光手段と、該第２の集光手段
によって集光された前記反射光を検出する光検出手段と
を備えた光ヘッドにおいて、前記第２の集光手段の焦点
面もしくはその近傍に、低照度の光ビームに対しては透
過率が低く、高照度の光ビームに対しては透過率が高い
非線形な光透過特性を有する光制御素子を設けたことを
特徴とする光ヘッド。
【請求項３】請求項１又は２において、前記光源から
前記光分離手段に至る光路中に、前記光情報記録媒体に
合焦される光スポットの直径を、前記第１の集光手段の
回折限界径よりも小さくする遮光特性あるいは位相特性
を有する開口を設けたことを特徴とする光ヘッド。
【請求項４】請求項２において、前記光制御素子に
は、３次の非線形光透過特性を有する有機物を含む光制
御膜が設けられていることを特徴とする光ヘッド。
【請求項５】請求項２において、前記光制御素子に
は、誘電体中に半導体微粒子を分散させた光制御膜、又
は誘電体上に半導体微粒子を積層させた光制御膜が設け
られていることを特徴とする光ヘッド。
【請求項６】請求項２において、前記光制御素子に
は、誘電体中に金属微粒子を分散させた光制御膜、又は
誘電体上に金属微粒子もしくは金属酸化物微粒子を積層
させた光制御膜が設けられていることを特徴とする光ヘ
ッド。
【請求項７】請求項５又は６において、前記微粒子と
して、平均粒径が２０ｎｍ以下のものを用いたことを特
徴とする光ヘッド。
【請求項８】請求項５において、前記半導体として、
不純物半導体であるシリコーン、化合物半導体であるガ
リウム−砒素系、硫化カドミウム、あるいはセレン化カ
ドミウム、もしくはこれらの固溶体を用いたことを特徴
とする光ヘッド。
【請求項９】請求項６において、前記金属として、
金、白金、銅、塩化銅のいずれか、又はこれらの混合物
を用いたことを特徴とする光ヘッド。