JPH06177098A - Tape for grinding rear of wafer and usage thereof - Google Patents
Tape for grinding rear of wafer and usage thereofInfo
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- JPH06177098A JPH06177098A JP4330219A JP33021992A JPH06177098A JP H06177098 A JPH06177098 A JP H06177098A JP 4330219 A JP4330219 A JP 4330219A JP 33021992 A JP33021992 A JP 33021992A JP H06177098 A JPH06177098 A JP H06177098A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はウエハ裏面研削用テープ
およびこれを使用するウエハ裏面研削方法に関するもの
である。ウエハ裏面研削用テープは半導体集積回路（以
下、ＩＣという）製造工程において使用される。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer backside grinding tape and a wafer backside grinding method using the same. The wafer backside grinding tape is used in a semiconductor integrated circuit (hereinafter referred to as IC) manufacturing process.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＩＣは、通常高純度シリコン単結晶等を
スライスして半導体ウエハ（以下、単にウエハと略すこ
ともある）とした後、その表面に不純物熱拡散や超微細
加工等の手段で集積回路を組み込み、ダイシングしてチ
ップ化する方法で製造されている。2. Description of the Related Art In general, an IC is obtained by slicing a high-purity silicon single crystal or the like into a semiconductor wafer (hereinafter also simply referred to as a wafer), and then using a means such as impurity thermal diffusion or ultrafine processing on the surface thereof. It is manufactured by a method of incorporating an integrated circuit and dicing it into chips.
【０００３】これら工程の内、ウエハを薄くするために
ウエハ裏面を研削する工程がある。この工程においてウ
エハ表面にウエハ裏面研削テープが用いられている。こ
のウエハ裏面研削用テープに要求される性能は、研削中
にシリコンの屑や潤滑、冷却、シリコン屑の除去のため
に噴射される純水からウエハ表面を保護し、ウエハの破
損を防ぐことである。Among these steps, there is a step of grinding the back surface of the wafer in order to thin the wafer. In this step, a wafer backside grinding tape is used on the wafer surface. The performance required of this wafer backside grinding tape is to protect the wafer surface from the debris of silicon and the pure water sprayed for lubrication, cooling, and removal of silicon debris during grinding to prevent wafer damage. is there.
【０００４】従来、ウエハ裏面研削用テープの粘着剤と
して通常の水系エマルジョン粘着剤や溶剤系粘着剤が用
いられてきた。ところが、近年、半導体チップの小型化
につれて、ウエハを薄型化する傾向が進み、従来研削後
の厚さで２５０〜４００μｍ程度であったものが、２０
０μｍ以下になりつつあり、一方、ウエハ径は大型化が
進み、８インチ以上になりつつあるため、従来のウエハ
裏面研削用テープを用いると、ウエハからウエハ裏面研
削用テープを剥離する際、ウエハとウエハ裏面研削用テ
ープの粘着力が強く、ウエハが破損するという問題があ
った。さらに、ウエハとウエハ裏面研削用テープの粘着
力を弱くすると、研削時に純水がウエハとウエハ裏面研
削用テープの間に浸入し、次いでシリコン屑も浸入し、
やはりウエハが破損するという問題があった。Conventionally, ordinary water-based emulsion pressure-sensitive adhesives and solvent-based pressure-sensitive adhesives have been used as pressure-sensitive adhesives for wafer backside grinding tapes. However, in recent years, as semiconductor chips have been downsized, the trend toward thinner wafers has progressed, and the conventional thickness after grinding was about 250 to 400 μm.
On the other hand, since the wafer diameter is becoming 0 μm or less and the wafer diameter is becoming larger and is becoming 8 inches or more, when the conventional wafer backside grinding tape is used, when the wafer backside grinding tape is peeled from the wafer, There was a problem that the wafer backside grinding tape had a strong adhesive force and the wafer was damaged. Furthermore, if the adhesive force between the wafer and the wafer backside grinding tape is weakened, pure water will enter between the wafer and the wafer backside grinding tape during grinding, and then silicon debris will also enter.
After all, there was a problem that the wafer was damaged.
【０００５】そこで、ウエハ裏面研削用テープの粘着剤
として光硬化型粘着剤が用いられる場合があった。この
粘着剤を用いると、ウエハ裏面研削時には、表面を保護
するのに必要な粘着力が得られ、かつ、ウエハ裏面研削
用テープを剥離する際には、光を照射することにより粘
着力を低下させることが出来る。Therefore, there is a case where a photocurable adhesive is used as an adhesive for the wafer backside grinding tape. When this adhesive is used, the adhesive force necessary to protect the surface is obtained during wafer backside grinding, and when peeling off the wafer backside grinding tape, the adhesive force is reduced by irradiating light. It can be done.
【０００６】このようなウエハ裏面研削用テープとして
は、特開昭６０−１８９９３８号などに開示されたもの
がある。しかして、特開昭６０−１８９９３８号に開示
される如きウエハ裏面研削用テープの基材フィルム、例
えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポ
リプロピレン等では、硬度が大きく、研削時の外力を吸
収しきれず、ウエハを薄く研削した場合には、ウエハが
割れるという問題点があった。又、ポリ塩化ビニル等で
は、可塑剤を添加する事により硬度を小さくすることが
出来るが、可塑剤を添加すると、可塑剤が粘着剤中に移
行し、紫外線照射により粘着力が充分に低下しない、あ
るいは、半導体部品において問題となるミクロンオーダ
ーあるいはサブミクロンオーダーの汚染が生じるという
問題点があった。Such a wafer backside grinding tape is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-189938. However, the base film of the tape for grinding the back surface of the wafer as disclosed in JP-A-60-189938, such as polyethylene terephthalate, polyethylene, polypropylene, etc., has a large hardness and cannot absorb the external force during grinding. There was a problem that the wafer was cracked when was thinly ground. With polyvinyl chloride and the like, the hardness can be reduced by adding a plasticizer, but when the plasticizer is added, the plasticizer migrates into the pressure-sensitive adhesive and the pressure-sensitive adhesive strength is not sufficiently reduced by UV irradiation. Alternatively, there is a problem that contamination of the micron order or submicron order, which is a problem in semiconductor parts, occurs.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】以上の点に鑑み、本発
明は、ウエハ裏面研削時および研削後の剥離時にウエハ
の破損を防止し、かつウエハ表面を汚染しないウエハ裏
面研削用テープおよびこれを使用するウエハ裏面研削方
法を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above points, the present invention provides a wafer backside grinding tape which prevents damage to the wafer during wafer backside grinding and peeling after grinding and does not contaminate the wafer surface. It is an object to provide a wafer back surface grinding method to be used.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成する為に、鋭意検討した結果、光硬化型粘着剤を
用いたウエハ裏面研削用テープの基材フィルムとして、
ショアＤ型硬度４０以下のエチレン−酢酸ビニル共重合
体および／またはブタジエンゴムを用いると、ウエハを
薄く研削した場合にも、ウエハの破損を防止するのみな
らず、可塑剤を添加する必要もないので同時にウエハの
汚染も防止出来ることを見出し本発明を完成した。Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted extensive studies in order to achieve the above object, and as a result, as a base film for a wafer backside grinding tape using a photocurable adhesive,
When an ethylene-vinyl acetate copolymer and / or butadiene rubber having a Shore D type hardness of 40 or less is used, even when the wafer is thinly ground, not only the wafer is prevented from being damaged but also a plasticizer is not required to be added. Therefore, at the same time, it was found that the contamination of the wafer can be prevented, and the present invention was completed.
【０００９】即ち、本発明の要旨は、光透過性の一層ま
たは二層以上のフィルムからなり、少なくともその内の
一層がショアーＤ型硬度が４０以下であるエチレン−酢
酸ビニル共重合体および／またはブタジエンゴムである
基材フィルムに光硬化型粘着剤を塗布してなることを特
徴とするウエハ裏面研削用テープであり、更にはこれを
使用することを特徴とするウエハ裏面研削方法である。That is, the gist of the present invention is an ethylene-vinyl acetate copolymer comprising a light-transmissive single layer or two or more layers, at least one of which has a Shore D type hardness of 40 or less and / or A wafer backside grinding tape characterized by applying a photocurable adhesive to a base film which is a butadiene rubber, and a wafer backside grinding method characterized by using the tape.
【００１０】本発明で用いる基材フィルムの少なくとも
一層は、光を透過し、かつ、ショアーＤ型硬度が４０以
下のエチレン−酢酸ビニル共重合体および／またはブタ
ジエンゴムである。ショアーＤ型硬度が４０を越えると
研削時ウエハにかかる外力を分散させる能力が乏しくな
り、ウエハが破損してしまう。ここで、ショアーＤ型硬
度とは、ＡＳＴＭ Ｄ−２２４０によるショアーＤ型硬
度計を用いて測定した値である。At least one layer of the base film used in the present invention is an ethylene-vinyl acetate copolymer and / or butadiene rubber which transmits light and has a Shore D type hardness of 40 or less. If the Shore D hardness exceeds 40, the ability to disperse the external force applied to the wafer during grinding becomes poor and the wafer is damaged. Here, the Shore D type hardness is a value measured using a Shore D type hardness meter according to ASTM D-2240.
【００１１】エチレン−酢酸ビニル共重合体および／ま
たはブタジエンゴムの厚さは、保護するウエハの形状、
表面状態および研削方法により適宜決められるが、通常
１０〜２０００μｍが好ましい。The thickness of the ethylene-vinyl acetate copolymer and / or butadiene rubber depends on the shape of the wafer to be protected,
Although it is appropriately determined depending on the surface condition and the grinding method, usually 10 to 2000 μm is preferable.
【００１２】さらに、エチレン−酢酸ビニル共重合体お
よび／またはブタジエンゴムは貼付け、剥離時の作業性
を改善するために、他のフィルムと積層することが出来
る。この際、他のフィルムのショアＤ硬度は４０を越え
るものが望ましい。ショアＤ硬度が４０以下の場合、貼
付け、剥離時の作業性を改善することが出来ない。積層
するフィルムの厚さは保護するウエハの形状、表面状
態、研削方法およびエチレン−酢酸ビニル共重合体およ
び／またはブタジエンゴムの厚さにより適宜決められる
が、通常１０〜１０００μｍが好ましい。積層方法とし
ては、接着剤による貼り合わせ、共押出、コロナ処理を
かけて圧着する等、公知の方法が適宜用いることが出来
る。Further, the ethylene-vinyl acetate copolymer and / or butadiene rubber can be laminated with another film in order to improve workability at the time of sticking and peeling. At this time, the Shore D hardness of the other film is preferably more than 40. When the Shore D hardness is 40 or less, workability at the time of sticking and peeling cannot be improved. The thickness of the film to be laminated is appropriately determined depending on the shape of the wafer to be protected, the surface condition, the grinding method, and the thickness of the ethylene-vinyl acetate copolymer and / or butadiene rubber, but usually 10 to 1000 μm is preferable. As a laminating method, a known method such as bonding with an adhesive, co-extrusion, corona treatment and pressure bonding can be appropriately used.
【００１３】本発明で用いられる光硬化型粘着剤は、エ
チレン性二重結合を有するモノマーと官能基を有する共
重合性モノマーとの共重合物で、かつ、光重合性炭素−
炭素二重結合を有するものに、光反応性ビニル化合物、
光重合開始剤を配合したものである。The photocurable pressure-sensitive adhesive used in the present invention is a copolymer of a monomer having an ethylenic double bond and a copolymerizable monomer having a functional group, and the photopolymerizable carbon-
Those having a carbon double bond, a photoreactive vinyl compound,
It contains a photopolymerization initiator.
【００１４】本発明に用いられる、エチレン性二重結合
を有するモノマーとは、例えばメタクリル酸メチル、ア
クリル酸ブチル、アクリル酸−２−エチルヘキシル、ア
クリル酸エチル等の（メタ）アクリル酸エステルモノマ
ー、酢酸ビニルの如きビニルエステル、アクリロニトリ
ル、アクリルアミド、スチレン、フッ素含有（メタ）ア
クリル酸エステルモノマー等が挙げられ、これらは１種
でもよく、２種以上組み合わせて使用しても良い。Examples of the monomer having an ethylenic double bond used in the present invention include (meth) acrylic acid ester monomers such as methyl methacrylate, butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate and ethyl acrylate, and acetic acid. Examples thereof include vinyl esters such as vinyl, acrylonitrile, acrylamide, styrene, and fluorine-containing (meth) acrylic acid ester monomers, and these may be used alone or in combination of two or more.
【００１５】本発明に用いられる官能基を有する共重合
性モノマーとは、（メタ）アクリル酸、マレイン酸、２
−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、グリシジル
（メタ）アクリレート、Ｎ−メチロール（メタ）アクリ
ルアミドなどの１種もしくは２種以上が挙げられる。The copolymerizable monomer having a functional group used in the present invention includes (meth) acrylic acid, maleic acid, 2
-Hydroxyethyl (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, N-methylol (meth) acrylamide and the like may be used alone or in combination.
【００１６】エチレン性二重結合を有するモノマーと官
能基を有する共重合性モノマーの割合は９５．０重量部
対５．０重量部〜８０．０重量部対２０．０重量部の範
囲である。官能基を有する共重合性モノマーが５．０重
量部より少ないと重合性炭素−炭素二重結合の導入が不
十分になり易い。また、２０．０重量部を越えると、光
照射前の粘着力が十分に得られなくなる。The proportion of the monomer having an ethylenic double bond and the copolymerizable monomer having a functional group is in the range of 95.0 parts by weight to 5.0 parts by weight to 80.0 parts by weight to 20.0 parts by weight. . When the amount of the copolymerizable monomer having a functional group is less than 5.0 parts by weight, the introduction of the polymerizable carbon-carbon double bond tends to be insufficient. On the other hand, if it exceeds 20.0 parts by weight, the adhesive strength before light irradiation cannot be sufficiently obtained.
【００１７】本発明において、エチレン性二重結合を有
するモノマーと官能基を有する共重合性モノマーとの共
重合物の分子中に光重合性炭素−炭素二重結合を導入す
る方法としては上記共重合物中に存在するカルボキシル
基、ヒドロキシル基、グリシジル基などの官能基と反応
し得る基を有する光重合性炭素−炭素二重結合を含む光
反応性モノマーを共重合させればよい。In the present invention, the method for introducing a photopolymerizable carbon-carbon double bond into the molecule of a copolymer of a monomer having an ethylenic double bond and a copolymerizable monomer having a functional group is the above-mentioned copolymer. A photoreactive monomer containing a photopolymerizable carbon-carbon double bond having a group capable of reacting with a functional group such as a carboxyl group, a hydroxyl group or a glycidyl group present in the polymer may be copolymerized.
【００１８】共重合させる割合は、光重合性炭素−炭素
二重結合を含む光反応性モノマーと官能基を有する共重
合性モノマーの種類および添加量に応じて、エチレン性
二重結合を有するモノマーと官能基を有する共重合性モ
ノマーとの共重合物１００重量部に対して、３．０〜２
０．０重量部の範囲で適宜選択することが出来る。The proportion of copolymerization depends on the kind and addition amount of the photoreactive monomer having a photopolymerizable carbon-carbon double bond and the copolymerizable monomer having a functional group, and a monomer having an ethylenic double bond. 3.0 to 2 with respect to 100 parts by weight of a copolymer of the copolymerizable monomer having a functional group with
It can be appropriately selected within the range of 0.0 parts by weight.
【００１９】本発明に用いられる光反応性ビニル化合物
とは、分子中に光重合を行う重合性炭素−炭素二重結合
を少なくとも１個、好ましくは２個以上、さらに好まし
くは４個以上有する多官能性の化合物である。The photoreactive vinyl compound used in the present invention is a polyreactive vinyl compound having at least one, preferably two or more, and more preferably four or more polymerizable carbon-carbon double bonds for photopolymerization in the molecule. It is a functional compound.
【００２０】例示するならば、トリプロピレングリコー
ルジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパント
リ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテト
ラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）
アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）
アクリレートなどが挙げられる。For example, tripropylene glycol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate.
Acrylate, dipentaerythritol hexa (meth)
Examples thereof include acrylate.
【００２１】光反応性ビニル化合物の添加量としては、
エチレン性二重結合を有するモノマーと官能基を有する
共重合性モノマーとの共重合物１００．０重量部に対し
て、１．０〜２０．０重量部であり、さらに、好ましく
は１．０〜１０．０である。１．０重量部より少ない
と、光照射後、粘着力を十分に低下させることが出来な
い。また、２０．０重量部を越えると、光照射後、十分
な凝集力が得られず、また、未反応成分が表面にブリー
ドし、糊残りする。The amount of the photoreactive vinyl compound added is
1.0 to 20.0 parts by weight, and more preferably 1.0, to 100.0 parts by weight of a copolymer of a monomer having an ethylenic double bond and a copolymerizable monomer having a functional group. ~ 10.0. If the amount is less than 1.0 part by weight, the adhesive force cannot be sufficiently reduced after irradiation with light. On the other hand, if it exceeds 20.0 parts by weight, a sufficient cohesive force cannot be obtained after light irradiation, and unreacted components bleed to the surface to leave an adhesive residue.
【００２２】本発明に用いられる光重合開始剤として
は、アセトフェノン系、ベンゾイン系、ベンゾフェノン
系、チオキサンソン系等公知のものが用いられ、例示す
るならば、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン、ベ
ンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチ
ルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾ
インイソブチルエーテル、ベンジルジメチルケタール、
ベンゾフェノン、チオキサンソン、２−メチルチオキサ
ンソン、ジメチルチオキサンソン、ジエチルチオキサン
ソン、ミヒラーケトン、ベンジル等が挙げられる。As the photopolymerization initiator used in the present invention, known ones such as acetophenone type, benzoin type, benzophenone type and thioxanthone type are used. For example, 2-hydroxymethylphenylpropane, benzoin and benzoinmethyl are used. Ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzyl dimethyl ketal,
Examples thereof include benzophenone, thioxanthone, 2-methylthioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, Michler's ketone and benzyl.
【００２３】光重合開始剤の添加量としては、エチレン
性二重結合を有するモノマーと官能基を有する共重合性
モノマーとの共重合物１００重量部に対して、１．０〜
２０．０重量部であり、１．０重量部より少ないと、光
照射後、粘着力を十分に低下させることが出来ない。ま
た、２０．０重量部を越えると、光照射後、得られる重
合体の分子量が低下し、凝集力が得られず、ウエハ表面
を汚染する。The amount of the photopolymerization initiator added is 1.0 to 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of a copolymer of a monomer having an ethylenic double bond and a copolymerizable monomer having a functional group.
It is 20.0 parts by weight, and if it is less than 1.0 parts by weight, the adhesive force cannot be sufficiently reduced after light irradiation. On the other hand, if the amount exceeds 20.0 parts by weight, the molecular weight of the polymer obtained after irradiation with light decreases, the cohesive force cannot be obtained, and the wafer surface is contaminated.
【００２４】本発明に用いられる光硬化型粘着剤には架
橋剤を添加してもよく、架橋剤としてはイソシアネート
系、エポキシ系、アジリジン系などエチレン性二重結合
を有するモノマーと官能基を有する共重合性モノマーと
の共重合物の官能基と反応するものから適宜選択するこ
とが出来る。A cross-linking agent may be added to the photo-curable pressure-sensitive adhesive used in the present invention. The cross-linking agent has a monomer having an ethylenic double bond such as an isocyanate type, an epoxy type or an aziridine type and a functional group. It can be appropriately selected from those that react with the functional group of the copolymer with the copolymerizable monomer.
【００２５】本発明の光硬化型粘着剤は、以上の化合物
を配合して得られるが、粘度調整のために溶剤を添加し
たり、あるいは、熱重合禁止剤等の添加剤を添加したり
することが出来る。The photocurable pressure-sensitive adhesive of the present invention can be obtained by blending the above compounds, but a solvent is added to adjust the viscosity, or an additive such as a thermal polymerization inhibitor is added. You can
【００２６】基材フィルムに粘着剤を塗布する方法とし
ては、リバースロールコーター、グラビヤコーター、バ
ーコーター、ダイコーター、コンマコーター等の公知の
コーティング方法で塗布することができ、基材フィルム
の全面もしくは部分的に塗布することが出来る。塗布厚
さは、乾燥後で通常１μｍ〜１００μｍぐらいである。The pressure-sensitive adhesive may be applied to the base film by a known coating method such as a reverse roll coater, a gravure coater, a bar coater, a die coater or a comma coater. It can be partially applied. The coating thickness is usually about 1 μm to 100 μm after drying.
【００２７】又、必要に応じて粘着剤層を保護するため
にセパレーターと称する合成樹脂フィルムを粘着剤層側
に貼付けておくのが好ましい。Further, it is preferable to attach a synthetic resin film called a separator on the pressure-sensitive adhesive layer side in order to protect the pressure-sensitive adhesive layer, if necessary.
【００２８】照射する光は紫外線が使用出来る。紫外線
照射方法としてはキセノンランプ、水銀ランプ、太陽
光、カーボンアーク等が使用出来る。Ultraviolet light can be used as the irradiation light. A xenon lamp, a mercury lamp, sunlight, carbon arc, etc. can be used as an ultraviolet irradiation method.
【００２９】ウエハの裏面研削方法は、特に制限はな
く、グラインダー等による物理的研削でも、ケミカルエ
ッチング等による化学的研削でも、公知の方法が適宜用
いられる。The method of grinding the back surface of the wafer is not particularly limited, and known methods such as physical grinding using a grinder or chemical grinding such as chemical etching may be appropriately used.
【００３０】[0030]
【実施例】以下実施例にて本発明を更に具体的に説明す
る。尚、本実施例におけるウエハ表面の異物数の評価は
下記の方法で実施した。日立電子エンジニアリング
（株）製レーザー表面検査装置ＨＬＤ−３００Ｂにより
ウエハ表面の異物数を測定した。The present invention will be described in more detail with reference to the following examples. The number of foreign matters on the wafer surface in this example was evaluated by the following method. The number of foreign matters on the wafer surface was measured by a laser surface inspection device HLD-300B manufactured by Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd.
【００３１】実施例１ ２−エチルヘキシルアクリレート４６重量部、エチルア
クリレート２５重量部、メチルアクリレート２１重量
部、アクリル酸８重量部、トルエン１００重量部、過酸
化ベンゾイル０．０５重量部を窒素置換したフラスコに
仕込み、攪拌しながら７５℃で約１０時間反応させた。
これに、グリシジルメタアクリレート５重量部とテトラ
デシルジメチルベンジルアンモニウムクロライド２重量
部を添加し、空気を吹き込みながら１０５℃で約６時間
反応させ重合性炭素−炭素二重結合を導入した。Example 1 A flask in which 46 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 25 parts by weight of ethyl acrylate, 21 parts by weight of methyl acrylate, 8 parts by weight of acrylic acid, 100 parts by weight of toluene, and 0.05 parts by weight of benzoyl peroxide were replaced with nitrogen. Then, the mixture was reacted at 75 ° C. for about 10 hours with stirring.
To this, 5 parts by weight of glycidyl methacrylate and 2 parts by weight of tetradecyldimethylbenzyl ammonium chloride were added, and the mixture was reacted at 105 ° C. for about 6 hours while introducing air to introduce a polymerizable carbon-carbon double bond.
【００３２】この重合生成物２０７．５重量部に対し、
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート５重量部、
ベンジルジメチルケタール５重量部、ポリグリコールポ
リグリシジルエーテル２重量部、トルエン３０重量部を
添加し、紫外線硬化型粘着剤を得た。この紫外線硬化型
粘着剤を、Ｔダイ法にて製膜したショアーＤ型硬度が３
０で厚さが７０μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体と
ショアーＤ型硬度が８０で厚さが４０μｍのポリプロピ
レンの２層からなるフィルムのコロナ処理したエチレン
−酢酸ビニル共重合体面にロールコーターにて塗布し、
９０℃で乾燥して塗布厚さ３０μｍの紫外線硬化型粘着
剤を有するウエハ裏面研削用テープを得た。With respect to 207.5 parts by weight of this polymerization product,
5 parts by weight of dipentaerythritol hexaacrylate,
5 parts by weight of benzyl dimethyl ketal, 2 parts by weight of polyglycol polyglycidyl ether and 30 parts by weight of toluene were added to obtain an ultraviolet-curable adhesive. This UV-curable adhesive was formed into a film by the T-die method and had a Shore D-type hardness of 3
Roller coater on the corona-treated ethylene-vinyl acetate copolymer surface of a film composed of two layers of 0-70 μm thick ethylene-vinyl acetate copolymer and Shore D type hardness 80 and 40 μm polypropylene. Apply
After drying at 90 ° C., a wafer backside grinding tape having a coating thickness of 30 μm and having an ultraviolet curable adhesive was obtained.
【００３３】こうして得たウエハ裏面研削用テープを４
インチミラーウエハに貼付け、２４時間放置後、該テー
プを剥がし、ウエハ表面の異物数を測定した。さらに、
こうして得たウエハ裏面研削用テープを厚さ７５０μｍ
の８インチウエハに貼付け、バックグラインダーＤＦＧ
−８２ＩＦ／８（株式会社ディスコ製）を用い、厚さ２
００μｍまでウエハを研削した後、該ウエハ裏面研削用
テープを剥離した。この作業をウエハ５枚について行っ
た。破損は無く、良好であった。The wafer back surface grinding tape thus obtained was
After sticking to an inch mirror wafer and left for 24 hours, the tape was peeled off and the number of foreign matters on the wafer surface was measured. further,
The wafer backside grinding tape thus obtained has a thickness of 750 μm.
Back grinder DFG
-82IF / 8 (manufactured by Disco Corporation), thickness 2
After grinding the wafer up to 00 μm, the wafer backside grinding tape was peeled off. This operation was performed on five wafers. There was no damage and it was good.
【００３４】実施例２ ２−エチルヘキシルアクリレート４０重量部、エチルア
クリレート２７重量部、メチルアクリレート２５重量
部、アクリル酸８重量部、トルエン１００重量部、過酸
化ベンゾイル０．０５重量部を窒素置換したフラスコに
仕込み、攪拌しながら７５℃で約１０時間反応させた。
これに、グリシジルメタアクリレート５重量部とテトラ
デシルジメチルベンジルアンモニウムクロライド２重量
部を添加し、空気を吹き込みながら１０５℃で約６時間
反応させ重合性炭素−炭素二重結合を導入した。Example 2 A flask in which 40 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 27 parts by weight of ethyl acrylate, 25 parts by weight of methyl acrylate, 8 parts by weight of acrylic acid, 100 parts by weight of toluene, and 0.05 parts by weight of benzoyl peroxide were replaced with nitrogen. Then, the mixture was reacted at 75 ° C. for about 10 hours with stirring.
To this, 5 parts by weight of glycidyl methacrylate and 2 parts by weight of tetradecyldimethylbenzylammonium chloride were added and reacted at 105 ° C. for about 6 hours while blowing air to introduce a polymerizable carbon-carbon double bond.
【００３５】この重合生成物２０７．５重量部に対し、
テトラメチロールメタンテトラアクリレート５重量部、
２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−
１−オン５重量部、テトラメチロール−トリ−β−アジ
リジニルプロピオネート１重量部、酢酸エチル３０重量
部を添加し、紫外線硬化型粘着剤を得た。With respect to 207.5 parts by weight of this polymerization product,
5 parts by weight of tetramethylolmethane tetraacrylate,
2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropane-
5 parts by weight of 1-one, 1 part by weight of tetramethylol-tri-β-aziridinylpropionate and 30 parts by weight of ethyl acetate were added to obtain an ultraviolet-curable adhesive.
【００３６】この紫外線硬化型粘着剤を、ショアＤ型硬
度が２０で厚さ２００μｍのブタジエンゴムのフィルム
にロールコーターにて塗布し、９０℃で乾燥して塗布厚
さ３０μｍの紫外線硬化型粘着剤を有するウエハ裏面研
削用テープを得た。こうして得たウエハ裏面研削用テー
プを用い、実施例１と同様に、ウエハ表面の異物数、研
削作業および剥離作業によるウエハの破損数を測定し
た。結果を表１に示す。This UV-curable pressure-sensitive adhesive was applied to a butadiene rubber film having a Shore D-type hardness of 20 and a thickness of 200 μm by a roll coater and dried at 90 ° C. to obtain a UV-curable adhesive having a coating thickness of 30 μm. A wafer backside grinding tape having Using the wafer backside grinding tape thus obtained, the number of foreign matters on the wafer surface and the number of wafer breakages due to the grinding work and the peeling work were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
【００３７】比較例１ 実施例１と同様の紫外線硬化型粘着剤を、ショアＤ型硬
度が８０であるポリプロピレンの厚さ１００μｍのフィ
ルムにロールコーターにて塗布し、９０℃で乾燥して塗
布厚さ３０μｍの紫外線硬化型粘着剤を有するウエハ裏
面研削用テープを得た。こうして得たウエハ裏面研削用
テープを用い、実施例１と同様に、ウエハ表面の異物
数、研削作業および剥離作業によるウエハの破損数を測
定した。結果を表１に示す。Comparative Example 1 The same UV-curable adhesive as in Example 1 was applied to a 100 μm-thick polypropylene film having a Shore D type hardness of 80 by a roll coater and dried at 90 ° C. to obtain a coating thickness. A wafer backside grinding tape having a 30 μm thick UV-curable adhesive was obtained. Using the wafer backside grinding tape thus obtained, the number of foreign matters on the wafer surface and the number of wafer breakages due to the grinding work and the peeling work were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
【００３８】比較例２ 実施例２と同様の紫外線硬化型粘着剤を、ショアＤ型硬
度が４０である可塑剤入り塩化ビニルの厚さ１００μｍ
のフィルムにロールコーターにて塗布し、９０℃で乾燥
して塗布厚さ３０μｍの紫外線硬化型粘着剤を有するウ
エハ裏面研削用テープを得た。こうして得たウエハ裏面
研削用テープを用い、実施例１と同様に、ウエハ表面の
異物数、研削作業および剥離作業によるウエハの破損数
を測定した。結果を表１に示す。Comparative Example 2 The same UV-curable adhesive as in Example 2 was prepared by using a plasticizer-containing vinyl chloride having a Shore D type hardness of 40 and a thickness of 100 μm.
The film was coated with a roll coater and dried at 90 ° C. to obtain a wafer backside grinding tape having a coating thickness of 30 μm and having an ultraviolet curable adhesive. Using the wafer backside grinding tape thus obtained, the number of foreign matters on the wafer surface and the number of wafer breakages due to the grinding work and the peeling work were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
【００３９】比較例３ 温度計、還流冷却器、滴下ロート、窒素導入口及び攪拌
機を付けたフラスコに、脱イオン水１５０．０重量部、
ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル（エチレン
オキサイド５０モル）２．０重量部を入れ、窒素雰囲気
下で攪拌しながら７０℃まで昇温した後、過硫酸アンモ
ニウム（重合開始剤）０．５重量部を添加し溶解させ
る。次いで、メタクリル酸メチル２２．５重量部、アク
リル酸−２−エチルヘキシル７３．５重量部、メタクリ
ル酸グリシジル２．０重量部、メタクリル酸２．０重量
部からなるモノマー混合物を４時間で連続滴下し、滴下
終了後も３時間攪拌を続けて重合し、固形分約４０重量
％のアクリル系樹脂エマルジョン粘着剤を得た。この粘
着剤１００重量部に対しジエチレングリコールモノブチ
ルエーテル１０．０重量部、テトラメチロール−トリ−
β−アジリジニルプロピオネート０．３重量部を添加し
て粘着剤配合液を作成した。Comparative Example 3 In a flask equipped with a thermometer, a reflux condenser, a dropping funnel, a nitrogen inlet and a stirrer, 150.0 parts by weight of deionized water,
2.0 parts by weight of polyoxyethylene nonyl phenyl ether (50 mol of ethylene oxide) was added, the temperature was raised to 70 ° C. under stirring in a nitrogen atmosphere, and then 0.5 parts by weight of ammonium persulfate (polymerization initiator) was added. Dissolve. Then, a monomer mixture consisting of 22.5 parts by weight of methyl methacrylate, 73.5 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 2.0 parts by weight of glycidyl methacrylate and 2.0 parts by weight of methacrylic acid was continuously added dropwise over 4 hours. After the dropping was completed, the mixture was continuously stirred for 3 hours for polymerization to obtain an acrylic resin emulsion pressure-sensitive adhesive having a solid content of about 40% by weight. To 100 parts by weight of this adhesive, 10.0 parts by weight of diethylene glycol monobutyl ether, tetramethylol-tri-
0.3 parts by weight of β-aziridinyl propionate was added to prepare a pressure sensitive adhesive formulation liquid.
【００４０】こうして得た配合液を、Ｔダイ法にて製膜
したショアーＤ型硬度が３０で厚さが７０μｍのエチレ
ン−酢酸ビニル共重合体とショアーＤ型硬度が８０で厚
さが４０μｍのポリプロピレンの２層からなるフィルム
のコロナ処理したエチレン−酢酸ビニル共重合体面にロ
ールコーターにて塗布し、９０℃で乾燥して塗布厚さ３
０μｍのアクリル系樹脂エマルジョン粘着剤層を有する
ウエハ裏面研削用テープを得た。こうして得たウエハ裏
面研削用テープを用い、実施例１と同様に、ウエハ表面
の異物数、研削作業および剥離作業によるウエハの破損
数を測定した。結果を表１に示す。The compounded liquid thus obtained was formed into a film by a T-die method, and an ethylene-vinyl acetate copolymer having a Shore D type hardness of 30 and a thickness of 70 μm and a Shore D type hardness of 80 and a thickness of 40 μm were formed. Coating with a roll coater on the ethylene-vinyl acetate copolymer surface of a corona-treated film of two layers of polypropylene, and drying at 90 ° C to obtain a coating thickness of 3
A wafer backside grinding tape having a 0 μm acrylic resin emulsion adhesive layer was obtained. Using the wafer backside grinding tape thus obtained, the number of foreign matters on the wafer surface and the number of wafer breakages due to the grinding work and the peeling work were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
【００４１】[0041]
【表１】 注１） ＥＶＡ：エチレン−酢酸ビニル共重合体 ２） ＰＰ ：ポリプロピレン ３） 異物数：４インチウエハ表面にある０．２μｍ以
上の異物数（個） ４） 研削時：研削作業時のウエハの破損数（枚） ５） 剥離時：剥離作業時のウエハの破損数（枚）[Table 1] Note 1) EVA: Ethylene-vinyl acetate copolymer 2) PP: Polypropylene 3) Number of foreign matter: Number of foreign matter of 0.2 μm or more on 4 inch wafer surface (pieces) 4) Grinding: Wafer damage during grinding work Number (sheets) 5) During peeling: Number of wafers damaged during peeling work (sheets)
【００４２】[0042]
【発明の効果】本発明のウエハ裏面研削用テープによれ
ば、大口径ウエハを薄く研削した場合でも、ウエハの破
損を防ぎ、かつ、ウエハ表面を汚染しない。According to the tape for grinding the back surface of a wafer of the present invention, even when a large-diameter wafer is thinly ground, damage to the wafer is prevented and the surface of the wafer is not contaminated.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 武内 洋子 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井東圧化学株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Yoko Takeuchi 2-1, Tangodori, Minami-ku, Aichi Prefecture Nagoya City Mitsui Toatsu Chemicals, Inc.
Claims (2)
ムからなり、少なくともその内の一層がショアーＤ型硬
度が４０以下であるエチレン−酢酸ビニル共重合体およ
び／またはブタジエンゴムである基材フィルムに光硬化
型粘着剤を塗布してなることを特徴とするウエハ裏面研
削用テープ。1. A substrate comprising an optically transparent film or two or more layers, at least one of which is an ethylene-vinyl acetate copolymer and / or butadiene rubber having a Shore D type hardness of 40 or less. A wafer backside grinding tape, characterized in that a photo-curable adhesive is applied to a film.
用することを特徴とするウエハ裏面研削方法。2. A wafer back surface grinding method using the wafer back surface grinding tape according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4330219A JPH06177098A (en) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | Tape for grinding rear of wafer and usage thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4330219A JPH06177098A (en) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | Tape for grinding rear of wafer and usage thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177098A true JPH06177098A (en) | 1994-06-24 |
Family
ID=18230185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4330219A Pending JPH06177098A (en) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | Tape for grinding rear of wafer and usage thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06177098A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005281460A (en) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Panac Co Ltd | Adhesive excellent in reworkability and adhesive film |
| KR100624293B1 (en) * | 1998-06-02 | 2006-09-13 | 린텍 가부시키가이샤 | Pressure sensitive adhesive sheet and method of use thereof |
| WO2014103996A1 (en) * | 2012-12-27 | 2014-07-03 | 富士フイルム株式会社 | Temporary adhesive for manufacturing semiconductor devices, adhesive support using same, and method for manufacturing semiconductor devices |
| JP2014192204A (en) * | 2013-03-26 | 2014-10-06 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Adhesive tape for protecting semiconductor wafer surface, and processing method of semiconductor wafer |
| JP2021519852A (en) * | 2018-06-05 | 2021-08-12 | エルジー・ケム・リミテッド | Elastic adhesive film and display device including it |
-
1992
- 1992-12-10 JP JP4330219A patent/JPH06177098A/en active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100624293B1 (en) * | 1998-06-02 | 2006-09-13 | 린텍 가부시키가이샤 | Pressure sensitive adhesive sheet and method of use thereof |
| JP2005281460A (en) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Panac Co Ltd | Adhesive excellent in reworkability and adhesive film |
| WO2014103996A1 (en) * | 2012-12-27 | 2014-07-03 | 富士フイルム株式会社 | Temporary adhesive for manufacturing semiconductor devices, adhesive support using same, and method for manufacturing semiconductor devices |
| JP2014130853A (en) * | 2012-12-27 | 2014-07-10 | Fujifilm Corp | Temporary adhesive agent for manufacturing semiconductor device, adhesive supporting body using the same, and method of manufacturing semiconductor device |
| JP2014192204A (en) * | 2013-03-26 | 2014-10-06 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Adhesive tape for protecting semiconductor wafer surface, and processing method of semiconductor wafer |
| JP2021519852A (en) * | 2018-06-05 | 2021-08-12 | エルジー・ケム・リミテッド | Elastic adhesive film and display device including it |
| US11505721B2 (en) | 2018-06-05 | 2022-11-22 | Lg Chem, Ltd. | Stretchable adhesive film and display device comprising same |
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