JP2014192204A - Adhesive tape for protecting semiconductor wafer surface, and processing method of semiconductor wafer - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ及び半導体ウエハの加工方法に関する。さらに詳しくは、半導体ウエハを薄膜に研削する際に半導体ウエハの破損、汚染を防止するために、半導体ウエハの集積回路が組み込まれた側の面に使用され、さらにはウエハ厚さ精度を向上のためにテープに含まれる基材層を研削することに使用される半導体ウエハ表面保護用粘着テープ、及び半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いた半導体ウエハの加工方法に関する。 The present invention relates to an adhesive tape for protecting a semiconductor wafer surface and a method for processing a semiconductor wafer. More specifically, in order to prevent damage and contamination of the semiconductor wafer when grinding the semiconductor wafer into a thin film, it is used on the surface of the semiconductor wafer where the integrated circuit is incorporated, and further improves the wafer thickness accuracy. Therefore, the present invention relates to a semiconductor wafer surface protecting adhesive tape used for grinding a base material layer contained in the tape, and a semiconductor wafer processing method using the semiconductor wafer surface protecting adhesive tape.
半導体パッケージは、高純度シリコン単結晶等をスライスして半導体ウエハとした後、イオン注入、エッチング等により該ウエハ表面に集積回路を形成して製造される。集積回路が形成された半導体ウエハの裏面を研削、研磨等することにより、半導体ウエハは所望の厚さにされる。この際、半導体ウエハ表面に形成された集積回路を保護するために、半導体ウエハ表面保護用粘着テープが用いられる。裏面研削された半導体ウエハは、裏面研削が終了した後にウエハカセットへ収納され、ダイシング工程へ運搬され、半導体チップに加工される。 A semiconductor package is manufactured by slicing a high-purity silicon single crystal or the like into a semiconductor wafer, and then forming an integrated circuit on the wafer surface by ion implantation, etching, or the like. By grinding and polishing the back surface of the semiconductor wafer on which the integrated circuit is formed, the semiconductor wafer has a desired thickness. At this time, in order to protect the integrated circuit formed on the surface of the semiconductor wafer, an adhesive tape for protecting the surface of the semiconductor wafer is used. The back-ground semiconductor wafer is stored in a wafer cassette after the back-side grinding is completed, transported to a dicing process, and processed into semiconductor chips.
半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、一般的に、基材フィルムに粘着剤層が積層されてなり、半導体ウエハ表面に粘着剤層を介して貼着してウエハ表面を保護し、半導体ウエハの裏面を機械的に研削した後、半導体ウエハ表面から剥離される。 The adhesive tape for semiconductor wafer surface protection is generally formed by laminating an adhesive layer on a base film, and is adhered to the surface of the semiconductor wafer via the adhesive layer to protect the wafer surface. Is mechanically ground and then peeled off from the semiconductor wafer surface.
従来、半導体ウエハ表面保護用粘着テープに求められる重要な性能として、研削後の半導体ウエハ仕上げ厚の精度（Total Thickness Variation、以下、ＴＴＶという）が挙げられる。ＴＴＶは加工品質性の向上につながり、半導体チップの歩留まりや動作信頼性の観点から求められるものである。通常、半導体ウエハ表面には組み込まれた集積回路デバイスや集積回路上に形成された保護膜に起因する凹凸が存在する。 Conventionally, as an important performance required for an adhesive tape for protecting a semiconductor wafer surface, there is a precision of a finished thickness of a semiconductor wafer after grinding (Total Thickness Variation, hereinafter referred to as TTV). TTV leads to improvement in processing quality, and is required from the viewpoint of semiconductor chip yield and operation reliability. In general, the surface of a semiconductor wafer has unevenness caused by an integrated circuit device incorporated or a protective film formed on the integrated circuit.
従来の半導体ウエハ表面に形成された集積回路の表面段差は低く、半導体ウエハ表面に従来の半導体ウエハ表面保護用粘着テープを貼着してウエハ表面を保護し、半導体ウエハの裏面を機械的に研削した場合には、ウエハの破損、ＴＴＶの精度が問題になることはなかった。 The level difference of the surface of the integrated circuit formed on the surface of the conventional semiconductor wafer is low, and a conventional semiconductor wafer surface protective adhesive tape is adhered to the surface of the semiconductor wafer to protect the wafer surface, and the back surface of the semiconductor wafer is mechanically ground. In this case, the damage of the wafer and the accuracy of TTV did not become a problem.
しかし、近年、高密度実装技術の進歩に伴い、半導体チップの小型化が図られるにつれ集積回路デバイスの高段差化あるいはピッチ幅の狭い高密化の必要が生じており、従来の半導体ウエハ表面保護用粘着テープでは適応困難な表面形状を有する半導体ウエハが出現してきた。 However, in recent years, with the advancement of high-density packaging technology, it is necessary to increase the level difference of integrated circuit devices or increase the density of narrow pitch width as semiconductor chips are miniaturized. Semiconductor wafers have appeared that have surface shapes that are difficult to adapt with adhesive tapes.
このように、高段差の集積回路や狭ピッチの集積回路が形成された半導体ウエハの裏面を研削する際には、回路パターン等に半導体ウエハ表面保護用粘着テープが追従するように、粘着剤層あるいは基材フィルムを軟らかくした半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いることが行われている。ところが、軟質の半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いた場合、研削時に半導体ウエハの変動が起こり、ＴＴＶが悪化してしまうことがあった。一方、硬質の基材フィルムもしくは硬質の粘着剤層からなる半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いた場合は、半導体ウエハへの追従性が悪化し、半導体ウエハ表面保護用粘着テープと半導体ウエハとの間に隙間が生じる部分があるため、半導体ウエハの凹凸が転写され、ＴＴＶが悪化してしまうことがあった。 In this way, when grinding the back surface of a semiconductor wafer on which high-level integrated circuits or narrow-pitch integrated circuits are formed, the adhesive layer is used so that the semiconductor wafer surface protective adhesive tape follows the circuit pattern, etc. Alternatively, use is made of an adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer in which a base film is softened. However, when a soft adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer is used, the semiconductor wafer may fluctuate during grinding, and the TTV may deteriorate. On the other hand, when a semiconductor wafer surface protective adhesive tape comprising a hard base film or a hard adhesive layer is used, the followability to the semiconductor wafer deteriorates, and the semiconductor wafer surface protective adhesive tape and the semiconductor wafer Since there are gaps between them, the unevenness of the semiconductor wafer is transferred, and the TTV may deteriorate.
この問題を解決するために、半導体ウエハに貼合された半導体ウエハ表面保護用粘着テープの半導体ウエハが貼合されていない側の面に、樹脂を成型し、その樹脂によりウエハ裏面を基準に平坦に研削した後に、半導体ウエハ裏面の研磨を行うことが提案されている（例えば、特許文献１参照）。 In order to solve this problem, a resin is molded on the surface of the semiconductor wafer surface protecting adhesive tape bonded to the semiconductor wafer on the side where the semiconductor wafer is not bonded, and the resin is flattened based on the wafer back surface. It has been proposed to polish the back surface of the semiconductor wafer after grinding (see, for example, Patent Document 1).
しかしながら、特許文献１に記載のように、半導体ウエハを半導体ウエハ表面保護用粘着テープに貼合した後に、半導体ウエハ表面保護用粘着テープの半導体ウエハが貼合されていない側の面に樹脂を成型した場合、工程が煩雑になるという問題があった。また、樹脂の成型時の熱や圧力により半導体表面保護用粘着テープと半導体ウエハの密着性が上がり、半導体ウエハの裏面研削後における半導体表面保護用粘着テープとの剥離性が悪化するという問題があった。
However, as described in
このような問題を解決するために、樹脂を成型することなく、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ自体を研削して半導体ウエハ表面の凹凸が転写された凹凸を平坦にすることも考えられる。しかし、半導体ウエハ表面保護用粘着テープは一般に柔軟性があり、その裏面を研削しようとすると、研削機に巻き込まれ半導体ウエハ表面保護用粘着テープが剥離してしまうという問題がある。また、半導体ウエハ表面保護用粘着テープの裏面を研削できたとしても、研削性が悪いため研削面の平坦性が損なわれ、半導体ウエハの裏面研削においてＴＴＶを良くする効果が得られないという問題がある。さらに、半導体ウエハ表面保護用テープが研磨されることにより、半導体ウエハの裏面研削時に、本来求められる半導体ウエハ表面保護用粘着テープの性能が出ないといった問題もある。 In order to solve such a problem, it is conceivable to flatten the unevenness on which the unevenness on the surface of the semiconductor wafer is transferred by grinding the adhesive tape for protecting the surface of the semiconductor wafer itself without molding the resin. However, the adhesive tape for protecting the semiconductor wafer surface is generally flexible, and there is a problem that when the back surface is to be ground, the adhesive tape for protecting the semiconductor wafer surface is peeled off by the grinding machine. In addition, even if the back surface of the adhesive tape for protecting the semiconductor wafer surface can be ground, the grindability is poor and the flatness of the ground surface is impaired, and the effect of improving the TTV in the back surface grinding of the semiconductor wafer cannot be obtained. is there. Furthermore, there is also a problem that the performance of the adhesive tape for protecting the surface of the semiconductor wafer is not obtained when the semiconductor wafer surface protecting tape is polished, when the back surface of the semiconductor wafer is ground.
そこで、本発明は、半導体ウエハ表面保護用粘着テープの裏面に別途樹脂を成型して該樹脂を研削することなく、半導体ウエハ表面の凹凸が転写されて半導体ウエハ表面保護用粘着テープ面に形成された凹凸を平坦化することができ、半導体ウエハの裏面をＴＴＶが良好となるように研磨でき、半導体ウエハからの剥離性もよい半導体ウエハ表面保護用粘着テープを提供することを目的とする。 Accordingly, the present invention provides a method for forming irregularities on the surface of a semiconductor wafer and forming it on the surface of the adhesive tape for protecting the semiconductor wafer surface, without separately molding a resin on the back surface of the adhesive tape for protecting the semiconductor wafer surface and grinding the resin. It is an object of the present invention to provide a pressure-sensitive adhesive tape for protecting a semiconductor wafer surface, which can flatten the unevenness, can polish the back surface of the semiconductor wafer so as to improve the TTV, and has good peelability from the semiconductor wafer.
上記課題を解決するために、本願発明による半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、基材フィルムと前記基材フィルムの一方の面側に形成された粘着剤層とを有し、前記粘着剤層の表面に半導体ウエハが貼合され前記半導体ウエハの裏面を研磨する工程に用いられる半導体ウエハ表面保護用粘着テープであって、前記粘着剤層とは反対側の最外層に、前記半導体ウエハの裏面を研磨する工程に先だって研削される研削層を有しており、前記研削層は、２３℃におけるデュロメータＤ硬さが４１〜８５の樹脂組成物からなり、前記基材フィルムは、２３℃におけるデュロメータＤ硬さが２１〜４０の樹脂組成物からなることを特徴とする。 In order to solve the above problems, a semiconductor wafer surface protecting pressure-sensitive adhesive tape according to the present invention has a base film and a pressure-sensitive adhesive layer formed on one surface side of the base film, A semiconductor wafer surface protecting pressure-sensitive adhesive tape used for a step of polishing a back surface of a semiconductor wafer with a semiconductor wafer bonded to the front surface, wherein the back surface of the semiconductor wafer is disposed on an outermost layer opposite to the pressure-sensitive adhesive layer. It has a grinding layer ground prior to the polishing step, the grinding layer is made of a resin composition having a durometer D hardness of 41 to 85 at 23 ° C., and the base film is a durometer D at 23 ° C. It consists of a resin composition having a hardness of 21 to 40.
上記半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、前記研削層が、オレフィン樹脂、ポリエステル樹脂、およびこれらの混合物から選ばれる一または複数の層からなることが好ましい。 In the semiconductor wafer surface protecting adhesive tape, it is preferable that the grinding layer is composed of one or a plurality of layers selected from an olefin resin, a polyester resin, and a mixture thereof.
また、上記半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、前記研削層の厚さが１５〜２５０μｍであることが好ましい。 Moreover, it is preferable that the thickness of the said grinding layer is 15-250 micrometers in the said adhesive tape for semiconductor wafer surface protection.
上記課題を解決するために、本願発明による半導体ウエハ加工方法は、基材フィルムと前記基材フィルムの一方の面側に形成された粘着剤層とを有する半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いて半導体ウエハの裏面を研磨する半導体ウエハの加工方法であって、前記粘着剤層の表面に半導体ウエハが貼合され、前記粘着剤層とは反対側の最外層に研削層が設けられた状態で、前記半導体ウエハの裏面を研磨する工程に先だって、前記研削層を研削し、前記研削層の表面を平坦化する工程を含み、前記研削層は、前記半導体ウエハ表面保護用粘着テープの前記粘着剤層とは反対側の最外層に、予め形成されており、前記研削層は、２３℃におけるデュロメータＤ硬さが４１〜８５の樹脂組成物からなり、前記基材フィルムは、２３℃におけるデュロメータＤ硬さが２１〜４０の樹脂組成物からなることを特徴とする。 In order to solve the above problems, a semiconductor wafer processing method according to the present invention uses a semiconductor wafer surface protecting adhesive tape having a base film and an adhesive layer formed on one surface side of the base film. A semiconductor wafer processing method for polishing a back surface of a semiconductor wafer, wherein the semiconductor wafer is bonded to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer, and a grinding layer is provided on the outermost layer opposite to the pressure-sensitive adhesive layer. Prior to the step of polishing the back surface of the semiconductor wafer, the step of grinding the grinding layer and flattening the surface of the grinding layer, wherein the grinding layer is the adhesive of the adhesive tape for protecting the semiconductor wafer surface It is formed in advance on the outermost layer opposite to the layer, the grinding layer is made of a resin composition having a durometer D hardness of 41 to 85 at 23 ° C., and the base film is at 23 ° C. Yurometa D hardness is characterized by comprising the resin composition of 21 to 40.
また、上記課題を解決するために、本願発明による半導体ウエハ加工方法は、基材フィルムと前記基材フィルムの一方の面側に形成された粘着剤層とを有する半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いて半導体ウエハの裏面を研磨する半導体ウエハの加工方法であって、前記粘着剤層の表面に半導体ウエハが貼合され、前記粘着剤層とは反対側の最外層に研削層が設けられた状態で、前記半導体ウエハの裏面を研磨する工程に先だって、前記研削層を研削し、前記研削層の表面を平坦化する工程を含み、前記研削層は、フィルム化されており、前記粘着剤層の表面に半導体ウエハが貼合された後、前記半導体ウエハ表面保護用粘着テープの前記粘着剤層とは反対側の最外層に、接着剤を介して貼り合わされ、前記研削層は、２３℃におけるデュロメータＤ硬さが４１〜８５の樹脂組成物からなり、前記基材フィルムは、２３℃におけるデュロメータＤ硬さが２１〜４０の樹脂組成物からなることを特徴とする。 Moreover, in order to solve the said subject, the semiconductor wafer processing method by this invention is a semiconductor wafer surface protection adhesive tape which has a base film and the adhesive layer formed in the one surface side of the said base film. A method for processing a semiconductor wafer using a polishing method for polishing a back surface of a semiconductor wafer, wherein the semiconductor wafer is bonded to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer, and a grinding layer is provided on the outermost layer opposite to the pressure-sensitive adhesive layer. In the state, prior to the step of polishing the back surface of the semiconductor wafer, the method includes grinding the grinding layer and flattening the surface of the grinding layer, and the grinding layer is formed into a film, and the adhesive layer After the semiconductor wafer is bonded to the surface of the semiconductor wafer, it is bonded to the outermost layer opposite to the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape for protecting the semiconductor wafer via an adhesive, and the grinding layer is at 23 ° C. De Rometa D hardness of a resin composition of 41 to 85, wherein the substrate film is characterized by a durometer D hardness at 23 ° C. is made of a resin composition of 21 to 40.
本発明によれば、半導体ウエハが貼合される面とは反対側の最外層に研削層が設けられているか、半導体ウエハが貼合される面とは反対側の最外層にフィルム化された研削層を接着剤を介して貼り合わせればよく、別途樹脂を成型してから該樹脂を研削する必要がないため、工程が煩雑になることがない。また、半導体ウエハ裏面の研削加工後に、半導体ウエハ表面保護用粘着テープを半導体ウエハから容易に剥離することができる。 According to the present invention, a grinding layer is provided on the outermost layer on the side opposite to the surface to which the semiconductor wafer is bonded, or the film is formed on the outermost layer on the side opposite to the surface to which the semiconductor wafer is bonded. What is necessary is just to bond a grinding layer through an adhesive agent, and since it is not necessary to grind this resin after shaping | molding resin separately, a process does not become complicated. Further, the adhesive tape for protecting the semiconductor wafer surface can be easily peeled from the semiconductor wafer after grinding the back surface of the semiconductor wafer.
また、基材フィルムは２３℃におけるデュロメータＤ硬さが２１〜４０の樹脂組成物からなるため、半導体ウエハへの追従性がよく、半導体ウエハ表面保護用粘着テープと半導体ウエハとの間に隙間が生じるのを低減することができる。また、研削層は２３℃におけるデュロメータＤ硬さが４１〜８５の樹脂組成物からなるため、半導体ウエハ表面保護用粘着テープの裏面を研削して良好に平坦化することができる。その結果、半導体ウエハの裏面を研磨した際のＴＴＶが向上する。 Moreover, since the base film is made of a resin composition having a durometer D hardness of 21 to 40 at 23 ° C., the followability to the semiconductor wafer is good, and there is a gap between the semiconductor wafer surface protecting adhesive tape and the semiconductor wafer. The occurrence can be reduced. Moreover, since a grinding layer consists of a resin composition whose durometer D hardness in 23 degreeC is 41-85, it can grind the back surface of the adhesive tape for surface protection of a semiconductor wafer, and can planarize favorably. As a result, the TTV when the back surface of the semiconductor wafer is polished is improved.
以下に、本発明の実施の形態について詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
本発明の実施形態に係る半導体表面保護用粘着テープは、基材フィルムと、該基材フィルムの一方の面側に形成され少なくとも1種類の粘着剤からなる粘着剤層と、基材フィルムの他方の面側の最外層に設けられ半導体ウエハが貼合されることにより半導体ウエハ表面の凹凸が転写されて形成された凹凸を研削して平坦化するための研削層とを有する。 An adhesive tape for protecting a semiconductor surface according to an embodiment of the present invention includes a base film, an adhesive layer formed on one surface side of the base film and made of at least one adhesive, and the other of the base film And a ground layer for grinding and flattening the unevenness formed by transferring the unevenness on the surface of the semiconductor wafer by bonding the semiconductor wafer.
図１は、本発明の半導体表面保護用粘着テープ１の好ましい実施態様を示す概略断面図である。図１に示すように、半導体表面保護用粘着テープ１は、基材フィルム２を有しており、基材フィルム２上には粘着剤層３が形成されている。また、基材フィルム２の粘着剤層とは反対側の面には研削層４が設けられている。また、半導体表面保護用粘着テープ１は、粘着剤層３上に、粘着剤層３を保護するための剥離フィルム５をさらに備えている。半導体表面保護用粘着テープ１は、基材フィルム２、粘着剤層３、研削層４および剥離フィルム５の積層体をロール状に巻いても良い。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a preferred embodiment of the
以下、本実施形態の半導体表面保護用粘着テープ１の各構成要素について詳細に説明する。
Hereinafter, each component of the
（基材フィルム２）
本実施の形態の半導体ウエハ表面保護粘着テープ１の基材フィルム２は、２３℃におけるデュロメータＤ硬さが２１〜４０であれば特に限定されることはなく、公知のプラスチック、ゴム等を用いることができる。例えば、ポリオレフィン；酢酸ビニル含有量の多いエチレン−酢酸ビニル共重合体、（メタ）アクリル酸含有量の多いエチレン−（メタ）アクリル酸共重合体およびエチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体のようなエチレン共重合体；軟質ポリ塩化ビニル、およびこれらの混合物が挙げられる。また、これらを複層にしたものを使用してもよい。特に、酢酸ビニルの含有量を変更することによって任意に弾性率をコントロールすることができるため、エチレン−酢酸ビニル共重合体が好ましい。弾性率をコントロールによって、研削時のクッション性と剛性の両立が可能になる。
(Base film 2)
The
基材フィルム２は、２３℃におけるデュロメータＤ硬さが２１〜４０の樹脂組成物からなり、より好ましくは３０〜３７の樹脂組成物からなる。デュロメータＤ硬さが２１未満であると、研削層４を研削する際に生じる熱で基材フィルム２が軟化し、研削界面の厚みのバラつきが大きくなり、その後の半導体ウエハの裏面の研削の際にＴＴＶが悪化する。デュロメータＤ硬さが４０を超えると、半導体ウエハ全体の追従性だけでなくウエハエッジ部の追従性も悪く、半導体ウエハの裏面研削の際にダストの浸入が起こりやすくなるため、ＴＴＶが悪化する。
The
本願発明においてデュロメータＤ硬さは、ＪＩＳ Ｋ７２１５に基づき、樹脂を１０ｍｍの厚さに製膜したものを幅２５ｍｍ、長さ１００ｍｍにして平らな面に置き、両手でしっかりとデュロメータの加圧面（押針面）を保持し、真上から一定速度で垂直に押しつけ、密着後ただちに（1秒以内）指示した最大値を読み取ることにより得られる値で、測定は市販の「デュロメータＤタイプ」を用いて行うことができる。なお、温度２３±２℃、湿度５０±５％で行う。 In the present invention, the durometer D hardness is based on JIS K7215. A 10 mm thick resin film is placed on a flat surface with a width of 25 mm and a length of 100 mm. It is a value obtained by holding the needle surface) vertically at a constant speed from directly above and reading the indicated maximum value immediately after contact (within 1 second) using a commercially available “Durometer D type”. It can be carried out. The temperature is 23 ± 2 ° C. and the humidity is 50 ± 5%.
２３℃におけるデュロメータＤ硬さが２１〜４０となるようにするには、例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体であれば酢酸ビニル含有率が２０〜３４％の範囲となるようにすると良い。 In order to make the durometer D hardness at 23 ° C. 21 to 40, for example, in the case of an ethylene-vinyl acetate copolymer, the vinyl acetate content is preferably in the range of 20 to 34%.
基材フィルム２の厚さは、１０〜５００μｍが好ましく、５０〜２００μｍがより好ましい。
10-500 micrometers is preferable and, as for the thickness of the
基材フィルム２の粘着剤層が設けられる側の表面には、粘着剤層３との密着性を向上させるために、コロナ処理やプライマー層を設ける等の処理を適宜施してもよい。
In order to improve the adhesiveness with the pressure-
（研削層４）
研削層４は、２３℃におけるデュロメータＤ硬さが４１〜８５であれば材質は特に限定されず、例えば、オレフィン樹脂、ポリエステル樹脂、およびこれらの混合物を用いることができる。また、これらを複層にしたものを使用してもよい。本発明において、研削層４は、ポリエチレン、ポリプロピレンおよびポリブテンのようなポリオレフィン；酢酸ビニル含有量の少ないエチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体およびエチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体のようなエチレン共重合体；硬質ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、半硬質ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、天然ゴムならびに合成ゴムなどの高分子材料が好ましい。
(Grinding layer 4)
If the durometer D hardness in 23 degreeC is 41-85, the material of the
研削層４は、２３℃におけるデュロメータＤ硬さが４１〜８５の樹脂組成物からなり、より好ましくは５０〜７０の樹脂組成物からなる。デュロメータＤ硬さが４１未満であると、研削層４を研削する際に生じる熱で基材フィルム２が軟化し、研削界面の厚みのバラつきが大きくなり、その後の半導体ウエハの裏面の研削の際にＴＴＶが悪化する。デュロメータＤ硬さが８５を超えると、研削層４の研削屑によってウエハエッジ部の破損が起こりやすくなり、ＴＴＶが悪化する。更には、半導体ウエハの割れにつながり歩留まりが低下する場合がある。
The
２３℃におけるデュロメータＤ硬さが４１〜８５となるようにするには、例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体であれば酢酸ビニル含有率が２０％未満の範囲となるようにすると良い。 In order for the durometer D hardness at 23 ° C. to be 41 to 85, for example, in the case of an ethylene-vinyl acetate copolymer, the vinyl acetate content is preferably in the range of less than 20%.
研削層４の厚さは、好ましくは１５〜２５０μｍ、更に好ましくは２０〜１００μｍであり、研削される厚さよりも厚く、より好ましくは研削される厚さよりも１０μｍ以上厚くすることでより簡易に、研削層４を研削することができる。研削厚さよりも１０μｍ以上厚くすることで、基材フィルム２や研削層４自体の厚さバラつきや半導体ウエハの凹凸により研削層に凹凸が生じた場合にも安定的に研削層を研削することができる。
The thickness of the
基材フィルム２と研削層４とを積層して一体化するには、例えば、共押し出し法により同時に製膜する方法や、接着剤層を介して張り合わせることによって基材フィルム２と積層するとよい。例えば接着剤としてアクリル樹脂やエポキシ樹脂などを用いるとよい。
In order to laminate and integrate the
（粘着剤層３）
粘着剤層３を構成する粘着剤組成物は、研削層４の研削時および半導体ウエハ６（図２参照）のバックグラインディング（研磨）時に半導体ウエハ６との密着性を十分保持できるものであれば特に限定されないが、半導体ウエハ６表面の凹凸６１（図２参照）に追従させたい場合、粘着剤層３の弾性率の低くなるような粘着剤組成物を用いることが好ましい。また、主成分のポリマー（粘着剤ベース樹脂）は、（メタ）アクリル樹脂であることが好ましい。主成分のポリマーとして（メタ）アクリル樹脂を用いることにより、粘着力の制御が容易になり、弾性率等をコントロールできるため、半導体ウエハ６が有機物によって汚染されることや、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の剥離後に半導体ウエハ６に粘着剤が残存するのを低減することができる。
(Adhesive layer 3)
The pressure-sensitive adhesive composition constituting the pressure-
放射線の照射で硬化させるには、粘着剤ベース樹脂等の樹脂がエチレン性不飽和基（非芳香族性の炭素−炭素二重結合）を有するか、粘着剤ベース樹脂にエチレン性不飽和基を有する化合物を併用する。本発明においては、エチレン性不飽和基を有する粘着剤ベース樹脂等の樹脂が側鎖にエチレン性不飽和基を有する樹脂を使用することも剥離性の観点から好ましい。また、粘着剤組成物に光重合開始剤および架橋剤を含有することが好ましく、粘着剤層の弾性率や粘着力を調整するのに架橋剤を含有することが好ましい。 In order to cure by irradiation, the resin such as the adhesive base resin has an ethylenically unsaturated group (non-aromatic carbon-carbon double bond), or an ethylenically unsaturated group is added to the adhesive base resin. The compound which has is used together. In this invention, it is also preferable from a peelable viewpoint that resin, such as adhesive base resin which has an ethylenically unsaturated group, uses resin which has an ethylenically unsaturated group in a side chain. Moreover, it is preferable to contain a photoinitiator and a crosslinking agent in an adhesive composition, and it is preferable to contain a crosslinking agent in order to adjust the elasticity modulus and adhesive force of an adhesive layer.
［エチレン性不飽和基を有する樹脂］
エチレン性不飽和基を有する樹脂はどのようなものでも構わないが、（メタ）アクリル樹脂が好ましい。樹脂中に含有する二重結合の量の指標であるヨウ素価は０．５〜２０であるものが好ましい。このヨウ素価はより好ましくは０．８〜１０である。ヨウ素価が０．５以上であると、放射線照射後の粘着力の低減効果を得ることができ、ヨウ素価が２０以下であれば、過度の放射線硬化を防ぐことができ、硬化収縮を抑制できる。また、エチレン性不飽和基を有する樹脂は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が−７０℃〜０℃であることが好ましい。ガラス転移温度（Ｔｇ）が−７０℃以上であれば、半導体ウエハ６の加工工程に伴う熱に対する耐熱性が増す。
[Resin having an ethylenically unsaturated group]
Any resin having an ethylenically unsaturated group may be used, but a (meth) acrylic resin is preferred. The iodine value that is an index of the amount of double bonds contained in the resin is preferably 0.5 to 20. The iodine value is more preferably 0.8 to 10. If the iodine value is 0.5 or more, an effect of reducing the adhesive strength after irradiation can be obtained. If the iodine value is 20 or less, excessive radiation curing can be prevented, and curing shrinkage can be suppressed. . In addition, the resin having an ethylenically unsaturated group preferably has a glass transition temperature (Tg) of −70 ° C. to 0 ° C. When the glass transition temperature (Tg) is −70 ° C. or higher, the heat resistance against heat accompanying the processing step of the
エチレン性不飽和基を有する樹脂はどのようにして製造されたものでもよいが、側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル樹脂に、エチレン性不飽和基と前記樹脂中の官能基（α）と反応する官能基（β）を有する化合物を反応させ、（メタ）アクリル樹脂の側鎖にエチレン性不飽和基を導入する方法が好ましい。 The resin having an ethylenically unsaturated group may be produced in any way, but the (meth) acrylic resin having a functional group (α) in the side chain is combined with the ethylenically unsaturated group and the functional group in the resin. A method of reacting a compound having a functional group (β) that reacts with (α) and introducing an ethylenically unsaturated group into the side chain of the (meth) acrylic resin is preferred.
エチレン性不飽和基としては、とのような基でも構わないが、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基、（メタ）アクリロイルアミノ基、アリル基、１−プロペニル基、ビニル基（スチレンもしくは置換スチレンを含む）が好ましく、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基がより好ましい。官能基（α）と反応する官能基（β）としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、メルカプト基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基等が挙げられる。 The ethylenically unsaturated group may be a group such as (meth) acryloyl group, (meth) acryloyloxy group, (meth) acryloylamino group, allyl group, 1-propenyl group, vinyl group (styrene). Or a substituted styrene) is preferable, and a (meth) acryloyl group and a (meth) acryloyloxy group are more preferable. Examples of the functional group (β) that reacts with the functional group (α) include a carboxyl group, a hydroxyl group, an amino group, a mercapto group, a cyclic acid anhydride group, an epoxy group, and an isocyanate group.
ここで、官能基（α）と官能基（β）のうちの一方の官能基が、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、メルカプト基、または環状酸無水基である場合には、他方の官能基は、エポキシ基、イソシアネート基が挙げられ、一方の官能基が環状酸無水基の場合、他方の官能基はカルボキシル基、水酸基、アミノ基、メルカプト基が挙げられる。なお、一方の官能基が、エポキシ基である場合は、他方の官能基はエポキシ基であってもよい。 Here, when one functional group of the functional group (α) and the functional group (β) is a carboxyl group, a hydroxyl group, an amino group, a mercapto group, or a cyclic acid anhydride group, the other functional group is , An epoxy group, and an isocyanate group. When one functional group is a cyclic acid anhydride group, the other functional group includes a carboxyl group, a hydroxyl group, an amino group, and a mercapto group. In addition, when one functional group is an epoxy group, the other functional group may be an epoxy group.
側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル樹脂は、官能基（α）を有する、（メタ）アクリル酸エステル、アクリル酸または（メタ）アクリルアミドを重合させることで得られる。官能基（α）としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、メルカプト基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基等が挙げられ、カルボキシル基、水酸基が好ましく、水酸基が特に好ましい。 The (meth) acrylic resin having a functional group (α) in the side chain is obtained by polymerizing a (meth) acrylic acid ester, acrylic acid or (meth) acrylamide having a functional group (α). Examples of the functional group (α) include a carboxyl group, a hydroxyl group, an amino group, a mercapto group, a cyclic acid anhydride group, an epoxy group, and an isocyanate group. A carboxyl group and a hydroxyl group are preferable, and a hydroxyl group is particularly preferable.
このようなモノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基および放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したもの等を挙げられる。これらの中でも、アクリル酸、メタクリル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートが好ましく、アクリル酸、メタクリル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類がより好ましく、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類がさらに好ましい。 Such monomers include acrylic acid, methacrylic acid, cinnamic acid, itaconic acid, fumaric acid, phthalic acid, 2-hydroxyalkyl acrylates, 2-hydroxyalkyl methacrylates, glycol monoacrylates, glycol monomethacrylates, N-methylolacrylamide, N-methylolmethacrylamide, allyl alcohol, N-alkylaminoethyl acrylates, N-alkylaminoethyl methacrylates, acrylamides, methacrylamides, maleic anhydride, itaconic anhydride, fumaric anhydride, anhydrous Phthalic acid, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, allyl glycidyl ether, some isocyanate groups of polyisocyanate compounds are hydroxyl or carboxyl groups and radiation curable Containing - like a like those urethanization a monomer having a carbon-carbon double bond. Among these, acrylic acid, methacrylic acid, 2-hydroxyalkyl acrylates, 2-hydroxyalkyl methacrylates, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate are preferable, and acrylic acid, methacrylic acid, 2-hydroxyalkyl acrylates, 2-hydroxyalkyl methacrylate Are more preferable, and 2-hydroxyalkyl acrylates and 2-hydroxyalkyl methacrylates are more preferable.
エチレン性不飽和基を有する樹脂、特に、エチレン性不飽和基を有する樹脂は、上記のモノマーとともに、（メタ）アクリル酸エステル等の他のモノマーとの共重合体が好ましい。（メタ）アクリル酸エステルとしては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、ｎ−プロピルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、ｎ−ペンチルアクリレート、ｎ−ヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレートヘキシルアクリレート、およびこれらに対応するメタクリレートが挙げられる。（メタ）アクリル酸エステルは１種でも２種以上でも構わないが、アルコール部の炭素数が５以下のものと炭素数が６〜１２のものを併用することが好ましい。エチレン性不飽和基を有する樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルに加えて、（メタ）アクリル酸をさらに共重合したものが好ましい。 A resin having an ethylenically unsaturated group, particularly a resin having an ethylenically unsaturated group, is preferably a copolymer with the above monomer and another monomer such as a (meth) acrylic acid ester. As (meth) acrylic acid ester, methyl acrylate, ethyl acrylate, n-propyl acrylate, n-butyl acrylate, isobutyl acrylate, n-pentyl acrylate, n-hexyl acrylate, n-octyl acrylate, isooctyl acrylate, 2-ethylhexyl Acrylate, dodecyl acrylate, decyl acrylate hexyl acrylate, and the corresponding methacrylates. Although the (meth) acrylic acid ester may be one type or two or more types, it is preferable to use those having an alcohol part having 5 or less carbon atoms and those having 6 to 12 carbon atoms. The resin having an ethylenically unsaturated group is preferably a resin obtained by further copolymerizing (meth) acrylic acid in addition to (meth) acrylic acid ester.
エチレン性不飽和基を有する樹脂、特に、エチレン性不飽和基を有する樹脂の重合反応は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合のいずれであってもよい。側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル樹脂に、エチレン性不飽和基と前記樹脂中の官能基（α）と反応する官能基（β）を有する化合物を反応させる場合、一方を過剰にして、反応させ、未反応の官能基を残すことにより、所望の粘着物性および弾性率に調整することができる。 The polymerization reaction of a resin having an ethylenically unsaturated group, particularly a resin having an ethylenically unsaturated group, may be any of solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, and suspension polymerization. When the (meth) acrylic resin having a functional group (α) in the side chain is reacted with a compound having an ethylenically unsaturated group and a functional group (β) that reacts with the functional group (α) in the resin, By making it react excessively and leaving an unreacted functional group, it is possible to adjust to desired adhesive properties and elastic modulus.
重合開始剤としては、α，α’−アゾビスイソブチルニトリル等のアゾビス系、ベンゾイルペルオキシド等の有機過酸化物系等のラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の樹脂を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。 As the polymerization initiator, a radical generator such as an azobis type such as α, α'-azobisisobutylnitrile or an organic peroxide type such as benzoyl peroxide is usually used. At this time, if necessary, a catalyst and a polymerization inhibitor can be used in combination, and a resin having a desired molecular weight can be obtained by adjusting the polymerization temperature and the polymerization time. In terms of adjusting the molecular weight, it is preferable to use a mercaptan or carbon tetrachloride solvent.
エチレン性不飽和基を有する樹脂の平均分子量は、２０万〜１５０万程度が好ましく、７０万〜１２０万がより好ましい。低分子量成分を少なくすることで、半導体ウエハ表面汚染を抑制することができ、例えば分子量１０万以下の分子が全体の１０％以下とすることなどが好ましい。分子量が１５０万を越えると、合成時および塗工時にゲル化する可能性がある。なお、エチレン性不飽和基を有する樹脂が、水酸基価５〜１００ｍｇＫＯＨ／ｇとなるＯＨ基を有すると、放射線照射後の粘着力を減少することによりテープ剥離不良の危険性を更に低減することができるので好ましい。 The average molecular weight of the resin having an ethylenically unsaturated group is preferably about 200,000 to 1,500,000, and more preferably 700,000 to 1,200,000. By reducing the low molecular weight component, the surface contamination of the semiconductor wafer can be suppressed. For example, it is preferable that the number of molecules having a molecular weight of 100,000 or less is 10% or less. If the molecular weight exceeds 1,500,000, there is a possibility of gelation during synthesis and coating. If the resin having an ethylenically unsaturated group has an OH group having a hydroxyl value of 5 to 100 mgKOH / g, the risk of tape peeling failure can be further reduced by reducing the adhesive strength after radiation irradiation. It is preferable because it is possible.
エチレン性不飽和基と官能基（α）と反応する官能基（β）を有する化合物を説明する。エチレン性不飽和基は先に説明した基が好ましく、好ましい範囲も同じである。官能基（α）と反応する官能基（β）は先に説明した基が挙げられる。官能基（β）としては、イソシアネート基が得に好ましい。 A compound having a functional group (β) that reacts with an ethylenically unsaturated group and a functional group (α) will be described. The ethylenically unsaturated group is preferably the group described above, and the preferred range is also the same. Examples of the functional group (β) that reacts with the functional group (α) include the groups described above. As the functional group (β), an isocyanate group is preferable.
エチレン性不飽和基と官能基（α）と反応する官能基（β）を有する化合物としては、官能基（α）を有するモノマーの化合物、アルコール部にイソシアネート基を有する（メタ）アクリレートが挙げられ、アルコール部にイソシアネート基を有する（メタ）アクリレートが好ましい。アルコール部にイソシアネート基を有する（メタ）アクリレートとしては、アルコール部の末端にイソシアネート基を有するものが好ましく、アルコール部のイソシアネート基以外の炭素数は２〜８が好ましく、アルコール部は直鎖アルキルのものが好ましい。アルコール部にイソシアネート基を有する（メタ）アクリレートとしては、例えば、２−イソシアナトエチルアクリレート、２−イソシアナトエチルメタクリレートが好ましく挙げられる。 Examples of the compound having a functional group (β) that reacts with the ethylenically unsaturated group and the functional group (α) include a monomer compound having a functional group (α), and a (meth) acrylate having an isocyanate group in the alcohol part. A (meth) acrylate having an isocyanate group in the alcohol part is preferred. As the (meth) acrylate having an isocyanate group in the alcohol part, those having an isocyanate group at the terminal of the alcohol part are preferable, and the number of carbons other than the isocyanate group in the alcohol part is preferably 2 to 8, and the alcohol part is a linear alkyl. Those are preferred. Preferred examples of the (meth) acrylate having an isocyanate group in the alcohol part include 2-isocyanatoethyl acrylate and 2-isocyanatoethyl methacrylate.
［架橋剤］
架橋剤としては、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂または２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物が好ましく、ポリイソシアネート類が特に好ましい。架橋剤は、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することができる。架橋剤は樹脂ポリマーを架橋することにより、粘着剤の凝集力を、粘着剤塗布後に向上することができる。
[Crosslinking agent]
As the crosslinking agent, polyisocyanates, melamine / formaldehyde resins or epoxy compounds having two or more epoxy groups are preferable, and polyisocyanates are particularly preferable. A crosslinking agent can be used individually or in combination of 2 or more types. By crosslinking the resin polymer, the crosslinking agent can improve the cohesive strength of the adhesive after application of the adhesive.
ポリイソシアネート類としては、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４’−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等を挙げることができ、具体的には、市販品として、コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製）等を用いることができる。 Examples of polyisocyanates include hexamethylene diisocyanate, 2,2,4-trimethyl-hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, 4,4′-dicyclohexylmethane diisocyanate, 2,4′-dicyclohexylmethane diisocyanate, lysine diisocyanate, and lysine. Examples include triisocyanate, 4,4′-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, 4,4′-diphenyl ether diisocyanate, 4,4 ′-[2,2-bis (4-phenoxyphenyl) propane] diisocyanate, and the like. Specifically, Coronate L (made by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) etc. can be used as a commercial item.
メラミン・ホルムアルデヒド樹脂は、市販品として、ニカラックＭＸ−４５（株式会社三和ケミカル社製）、メラン（日立化成工業株式会社製）等を用いることができる。更に、エポキシ樹脂としては、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ（三菱化学株式会社製）等を用いることができる。 As the melamine / formaldehyde resin, Nicalac MX-45 (manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.), Melan (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) and the like can be used as commercial products. Furthermore, TETRAD-X (made by Mitsubishi Chemical Corporation) etc. can be used as an epoxy resin.
架橋剤の添加量は、エチレン性不飽和基を有する樹脂１００質量部に対して０．１〜２０質量部とすることが好ましく、１．０〜１０質量部とすることが更に好ましく、エチレン性不飽和基を有する樹脂の官能基数に合わせて、また、所望の粘着物性や弾性率を得るために適宜その量が調整される。架橋剤の量が０．１質量部未満では凝集力向上効果が十分でない傾向があり、２０質量部を越えると粘着剤の配合および塗布作業中に硬化反応が急速に進行し、架橋構造が形成される傾向があるため、作業性が損なわれるおそれがある。 The addition amount of the crosslinking agent is preferably 0.1 to 20 parts by mass, more preferably 1.0 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin having an ethylenically unsaturated group, In accordance with the number of functional groups of the resin having an unsaturated group, the amount is appropriately adjusted in order to obtain desired adhesive properties and elastic modulus. When the amount of the crosslinking agent is less than 0.1 parts by mass, the cohesive force improving effect tends to be insufficient. When the amount exceeds 20 parts by mass, the curing reaction proceeds rapidly during the blending and application of the adhesive, and a crosslinked structure is formed. Therefore, workability may be impaired.
［光重合開始剤］
放射線硬化型粘着剤層には、必要に応じて光重合開始剤を含むことができる。光重合開始剤には基材を透過する放射線により反応するものであれば、特に制限はなく、従来知られているものを用いることができる。例えば、ベンゾフェノン、４，４’−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、２−クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体（ロフィン二量体）、アクリジン系化合物、アシルフォスフィンオキサイド類、等を挙げることができ、これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。 光重合開始剤の添加量は、エチレン性不飽和基を有する樹脂１００質量部に対して０．１〜１０質量部とすることが好ましく、０．５〜５質量部とすることがより好ましい。
[Photopolymerization initiator]
The radiation curable pressure-sensitive adhesive layer can contain a photopolymerization initiator as necessary. As long as it reacts with the radiation which permeate | transmits a base material as a photoinitiator, there will be no restriction | limiting in particular, A conventionally well-known thing can be used. For example, benzophenones such as benzophenone, 4,4′-dimethylaminobenzophenone, 4,4′-diethylaminobenzophenone and 4,4′-dichlorobenzophenone, acetophenones such as acetophenone and diethoxyacetophenone, 2-ethylanthraquinone, t- Anthraquinones such as butylanthraquinone, 2-chlorothioxanthone, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl, 2,4,5-triallylimidazole dimer (rophine dimer), acridine compound, acylphosphine oxide These may be used alone or in combination of two or more. The addition amount of the photopolymerization initiator is preferably 0.1 to 10 parts by mass and more preferably 0.5 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin having an ethylenically unsaturated group.
［その他の添加物］
放射線硬化型粘着剤層には必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤等、あるいはその他の改質剤等を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。
[Other additives]
If necessary, the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer may contain a tackifier, a tackifier, a surfactant, or other modifiers. Moreover, you may add an inorganic compound filler suitably.
粘着剤層３は、粘着剤組成物を剥離フィルム上に塗布、乾燥させて基材フィルム２に転写することで形成することができる。粘着剤層３の厚さは、１〜２００μｍであるものが好ましく、半導体ウエハ６表面の凹凸６１（図２参照）の大きさや得たい粘着性に応じて適宜選択される。粘着剤層３は複数の粘着剤層が積層された構成であってもよい。
The pressure-
（剥離フィルム５）
剥離フィルム５は、セパレータや剥離層、剥離ライナーとも呼ばれ、放射線硬化型粘着剤層を保護する目的のため、また放射線硬化型粘着剤を平滑にする目的のために、必要に応じて設けられる。剥離フィルム５の構成材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルムや紙などが挙げられる。剥離フィルム５の表面には粘着剤層３からの剥離性を高めるため、必要に応じてシリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の剥離処理が施されていても良い。また、必要に応じて、粘着剤層３が環境紫外線によって反応してしまわないように、紫外線防止処理が施されていてもよい。剥離フィルム５の厚みは、通常１０〜１００μｍ、好ましくは２５〜５０μｍ程度である。
(Peeling film 5)
The
本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１は、貼合する半導体ウエハ６の貼合面側の表面に存在する凹凸６１の底部と頂部の高さの最大差が１０〜３００μｍである半導体ウエハ６に使用するのが好ましく、高さの最大差が８０〜３００μｍである半導体ウエハ６に使用することが更に好ましい。
The pressure-sensitive
＜使用方法＞
次に、本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着テープの使用方法、すなわち半導体ウエハの加工方法について、説明する。
<How to use>
Next, a method for using the adhesive tape for protecting a semiconductor wafer surface of the present invention, that is, a method for processing a semiconductor wafer will be described.
本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いた半導体ウエハの加工方法は、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１で、半導体ウエハ６の表面を保護し、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の背面（研削層４）を研削加工し平坦化したあと、半導体ウエハ６の裏面を研削して半導体ウエハ６を加工する工程を含む。半導体ウエハ６は、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１を貼合する半導体ウエハ６の貼合面側の表面に存在する凹凸の底部と頂部の高さの最大差が１０〜３００μｍである半導体ウエハ６に使用するのが好ましい。半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の背面を研削すること以外は、通常の半導体ウエハ６の加工工程が適用できる。
The semiconductor wafer processing method using the semiconductor wafer surface protecting adhesive tape of the present invention protects the surface of the
具体的には、まず、図２（Ａ）に示すように、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の剥離フィルム５を粘着剤層３から剥離し、図２（Ｂ）に示すように、半導体ウエハ６の回路パターン面（表面）に、粘着剤層３が貼合面となるように、半導体ウエハ表面保護テープ１を貼合する。このとき、半導体ウエハ表面保護テープ１の裏面すなわち研削層５の表面には、半導体ウエハ６表面の凹凸６１が転写されて凹凸１１が形成される。
Specifically, first, as shown in FIG. 2A, the
次に、図２（Ｃ）に示すように、貼合された半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の研削層５側の面を、研削層５が存在する範囲、例えば１０〜５０μｍまで、研削機７により研削し、半導体ウエハ表面保護テープ１の裏面の凹凸１１を平坦化する。その後、図２（Ｄ）に示すように、半導体ウエハ６の裏面すなわち回路パターンのない面側を半導体ウエハ６の厚さが所定の厚さ、例えば１０〜２００μｍになるまで、研磨機８により研磨する。このとき、半導体ウエハ表面保護テープ１の裏面が平坦であるため、半導体ウエハ６の裏面には研磨機８からの力が均一にかかり、半導体ウエハ６が厚み精度よく研磨される。
Next, as shown in FIG. 2C, the surface of the bonded semiconductor wafer surface protecting
その後、この半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の貼合された面を下側にして加熱吸着台（図示しない）に載せ、その状態で、半導体ウエハ６の回路パターンのない研削した面側に、ダイシング・ダイボンディングフィルム（図示しない）を貼合してもよい。その後、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の基材フィルム５の背面に、ヒートシールタイプ（熱融着タイプ）もしくは粘着タイプの剥離テープを接着して半導体ウエハ６から半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１を剥離する。
Then, the surface to which the
なお、上記半導体ウエハの加工方法においては、粘着剤層３とは反対側の最外層（上記実施形態においては基材フィルム２の粘着剤層３と反対側の面）に研削層４が予め形成され半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１を用いるようにしたが、研削層４が予め形成されていない半導体ウエハ表面保護用粘着テープの粘着剤層に半導体ウエハを貼合し、その後、半導体ウエハの裏面を研磨する工程に先だって、粘着剤層とは反対側の最外層に研削層を接着剤を介して貼り合わせてもよい。この時、研削層としては、上述の研削層４と同じものを用いる。
In the semiconductor wafer processing method, the grinding
＜実施例＞
以下、本発明を実施例に基づき、さらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
<Example>
EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated further in detail based on an Example, this invention is not limited to these Examples.
下記のように粘着剤組成物を調製し、以下の方法で半導体ウエハ表面保護用粘着テープを作製し、その性能を評価した。 A pressure-sensitive adhesive composition was prepared as follows, a pressure-sensitive adhesive tape for protecting a semiconductor wafer surface was prepared by the following method, and its performance was evaluated.
〔粘着剤層組成物の調製〕
２−エチルヘキシルアクリレートを６２重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを２５重量部、メタクリル酸を２重量部、酢酸エチル中で重合し、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤であるコロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を１質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。
(Preparation of pressure-sensitive adhesive layer composition)
62 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 25 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate and 2 parts by weight of methacrylic acid were polymerized in ethyl acetate to obtain an acrylic copolymer. 1 part by weight of coronate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.), an adduct isocyanate crosslinking agent, is blended into the polymerized acrylic copolymer and adjusted with ethyl acetate to adjust the viscosity to be easy to apply. A pressure-sensitive adhesive composition was obtained.
＜実施例１＞
研削層としてのデュロメータＤ硬さが４３のエチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含有率１８％）からなる４０μｍ厚のフィルムと、基材フィルムとしてのデュロメータＤ硬さが４０のエチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含有率２０％）からなる１００μｍ厚のフィルムとを、接着剤層（アクリル樹脂）５μｍを介して貼り合わせ、積層フィルム（合計厚み１４５μｍ）を作製した。厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ（剥離フィルム）上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように上記粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、上記積層フィルムのデュロメータＤ硬さが４０のエチレン−酢酸ビニル共重合体からなるフィルムと貼りあわせ、実施例１に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
<Example 1>
A 40 μm thick film made of an ethylene-vinyl acetate copolymer having a durometer D hardness of 43 (vinyl acetate content 18%) as a grinding layer, and an ethylene-vinyl acetate having a durometer D hardness of 40 as a base film A film having a thickness of 100 μm made of a copolymer (vinyl acetate content 20%) was bonded via an adhesive layer (acrylic resin) of 5 μm to produce a laminated film (total thickness of 145 μm). The pressure-sensitive adhesive composition was applied on a 25 μm thick polyethylene terephthalate (PET) separator (release film) so that the film thickness after drying was 30 μm, dried, and then the durometer D hardness of the laminated film. Was bonded to a film made of an ethylene-vinyl acetate copolymer of No. 40 to obtain a pressure-sensitive adhesive tape for protecting a semiconductor wafer surface according to Example 1.
＜実施例２＞
研削層としてのデュロメータＤ硬さが８５のポリエステル樹脂からなる１００μｍ厚ののフィルムと、基材フィルムとしてのデュロメータＤ硬さが３７のエチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含有率２３％）からなる１００μｍ厚のフィルムとを、接着剤層（アクリル樹脂）５μｍを介して貼り合わせ、積層フィルム（合計厚み２０５μｍ）を作製した。厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ（剥離フィルム）上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように上記粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、上記積層フィルムのデュロメータＤ硬さが３７のエチレン−酢酸ビニル共重合体からなるフィルムと貼りあわせ、実施例２に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
<Example 2>
From a 100 μm thick film made of polyester resin having a durometer D hardness of 85 as a grinding layer and an ethylene-vinyl acetate copolymer having a durometer D hardness of 37 as a base film (vinyl acetate content 23%) The film having a thickness of 100 μm was bonded via an adhesive layer (acrylic resin) of 5 μm to produce a laminated film (total thickness of 205 μm). The pressure-sensitive adhesive composition was applied on a 25 μm thick polyethylene terephthalate (PET) separator (release film) so that the film thickness after drying was 30 μm, dried, and then the durometer D hardness of the laminated film. Was bonded to a film made of an ethylene-vinyl acetate copolymer of No. 37 to obtain an adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer according to Example 2.
＜実施例３＞
研削層としてのデュロメータＤ硬さが４１のアクリル樹脂からなる１５０μｍ厚のフィルムと、基材フィルムとしてのデュロメータＤ硬さが３８のエチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含有率２２％）からなる１００μｍ厚のフィルムとを、接着剤層（アクリル樹脂）５μｍを介して貼り合わせ、積層フィルム（合計厚み２５５μｍ）を作製した。厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ（剥離フィルム）上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように上記粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、上記積層フィルムのデュロメータＤ硬さが３８のエチレン−酢酸ビニル共重合体からなるフィルムと貼りあわせ、実施例３に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
<Example 3>
A 150 μm thick film made of an acrylic resin having a durometer D hardness of 41 as a grinding layer and an ethylene-vinyl acetate copolymer having a durometer D hardness of 38 as a base film (vinyl acetate content 22%). A film having a thickness of 100 μm was bonded via an adhesive layer (acrylic resin) of 5 μm to produce a laminated film (total thickness of 255 μm). The pressure-sensitive adhesive composition was applied on a 25 μm thick polyethylene terephthalate (PET) separator (release film) so that the film thickness after drying was 30 μm, dried, and then the durometer D hardness of the laminated film. Was bonded to a film made of an ethylene-vinyl acetate copolymer of No. 38 to obtain a pressure-sensitive adhesive tape for protecting a semiconductor wafer surface according to Example 3.
＜実施例４＞
研削層としてのデュロメータＤ硬さが７１の高密度ポリエチレンからなる８０μｍ厚のフィルムと、基材フィルムとしてのデュロメータＤ硬さが２１のエチレン−（メタ）アクリル酸メチル共重合体（アクリル酸メチル３２％）からなる１００μｍ厚のフィルムとを、接着剤層（アクリル樹脂）５μｍを介して貼り合わせ、積層フィルム（合計厚み１８５μｍ）を作製した。厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ（剥離フィルム）上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように上記粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、上記積層フィルムのデュロメータＤ硬さが２１のアクリル酸メチル共重合体からなるフィルムと貼りあわせ、実施例４に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
<Example 4>
A 80 μm thick film made of high-density polyethylene having a durometer D hardness of 71 as a grinding layer and an ethylene- (meth) methyl acrylate copolymer having a durometer D hardness of 21 as a base film (methyl acrylate 32 %) And a film having a thickness of 100 μm were bonded to each other through an adhesive layer (acrylic resin) of 5 μm to produce a laminated film (total thickness of 185 μm). The pressure-sensitive adhesive composition was applied on a 25 μm thick polyethylene terephthalate (PET) separator (release film) so that the film thickness after drying was 30 μm, dried, and then the durometer D hardness of the laminated film. Was bonded to a film made of a methyl acrylate copolymer of No. 21 to obtain an adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer according to Example 4.
＜実施例５＞
研削層としてのデュロメータＤ硬さが６１のエチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含有率３％）からなる１２μｍ厚のフィルムと、基材フィルムとしてのデュロメータＤ硬さが３７のエチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含有率２３％）からなる１００μｍ厚のフィルムとを接着剤層（アクリル樹脂）５μｍを介して貼り合わせ、積層フィルム（合計厚み１１７μｍ）を作製した。厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ（剥離フィルム）上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように上記粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、上記積層フィルムのデュロメータＤ硬さが３７のエチレン−酢酸ビニル共重合体からなるフィルムと貼りあわせ、実施例５に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
<Example 5>
A 12 μm-thick film made of an ethylene-vinyl acetate copolymer having a durometer D hardness of 61 (
＜比較例１＞
研削層としてのデュロメータＤ硬さが４２のエチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含有率１９％）からなる２０μｍ厚のフィルムと、基材フィルムとしてのデュロメータＤ硬さが１７のエチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含有率３７％）からなる１００μｍ厚のフィルムとを、接着剤層（アクリル樹脂）５μｍを介して貼り合わせ、積層フィルム（合計厚み１２５μｍ）を作製した。厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ（剥離フィルム）上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように上記粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、上記積層フィルムのデュロメータＤ硬さが１７のエチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含有率３７％）からなるフィルムと貼りあわせ、比較例１に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
<Comparative Example 1>
A 20 μm-thick film made of an ethylene-vinyl acetate copolymer (vinyl acetate content 19%) having a durometer D hardness of 42 as a grinding layer, and an ethylene-vinyl acetate having a durometer D hardness of 17 as a base film A film having a thickness of 100 μm made of a copolymer (vinyl acetate content: 37%) was bonded via an adhesive layer (acrylic resin) of 5 μm to produce a laminated film (total thickness of 125 μm). The pressure-sensitive adhesive composition was applied on a 25 μm thick polyethylene terephthalate (PET) separator (release film) so that the film thickness after drying was 30 μm, dried, and then the durometer D hardness of the laminated film. Was bonded to a film made of an ethylene-vinyl acetate copolymer having a vinyl acetate content of 37% (vinyl acetate content: 37%) to obtain an adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer according to Comparative Example 1.
＜比較例２＞
研削層としてのデュロメータＤ硬さが３２のエチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含有率２８％）からなる１５０μｍ厚のフィルムと、基材フィルムとしてのデュロメータＤ硬さが３２のエチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含有率２８％）からなる１００μｍ厚のフィルムとを、接着剤層（アクリル樹脂）５μｍを介して貼り合わせ、積層フィルム（合計厚み２５５μｍ）を作製した。厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ（剥離フィルム）上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように上記粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、上記積層フィルムのデュロメータＤ硬さが３２のエチレン−酢酸ビニル共重合体からなるフィルムと貼りあわせ、比較例２に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
<Comparative example 2>
A 150 μm thick film made of an ethylene-vinyl acetate copolymer (vinyl acetate content 28%) having a durometer D hardness of 32 as a grinding layer, and an ethylene-vinyl acetate having a durometer D hardness of 32 as a base film A film having a thickness of 100 μm made of a copolymer (vinyl acetate content 28%) was bonded through an adhesive layer (acrylic resin) of 5 μm to produce a laminated film (total thickness of 255 μm). The pressure-sensitive adhesive composition was applied on a 25 μm thick polyethylene terephthalate (PET) separator (release film) so that the film thickness after drying was 30 μm, dried, and then the durometer D hardness of the laminated film. Was bonded to a film made of an ethylene-vinyl acetate copolymer of No. 32 to obtain a pressure-sensitive adhesive tape for protecting a semiconductor wafer surface according to Comparative Example 2.
＜比較例３＞
研削層としてのデュロメータＤ硬さが４３のエチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含有率１８％）からなる５０μｍのフィルムと、基材フィルムとしてのデュロメータＤ硬さが６０のエチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含有率４％）からなる１００μｍのフィルムとを接着剤層（アクリル樹脂）５μｍを介して貼り合わせ、積層フィルム（合計厚み１５５μｍ）を作製した。厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ（剥離フィルム）上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように上記粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、上記積層フィルムのデュロメータＤ硬さが６０のエチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含有率４％）からなるフィルムと貼りあわせ、比較例３に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
<Comparative Example 3>
A 50 μm film made of an ethylene-vinyl acetate copolymer having a durometer D hardness of 43 (vinyl acetate content 18%) as a grinding layer and an ethylene-vinyl acetate copolymer having a durometer D hardness of 60 as a base film A 100 μm film made of a polymer (
＜比較例４＞
研削層としてのデュロメータＤ硬さが３３のアクリル樹脂からなる５０μｍ厚のフィルムと、基材フィルムとしてのデュロメータＤ硬さが４３のエチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含有率１８％）からなる１００μｍのフィルムとを、接着剤層（アクリル樹脂）５μｍを介して貼り合わせ、積層フィルム（合計厚み１５５μｍ）を作製した。厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ（剥離フィルム）上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように上記粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、上記積層フィルムのデュロメータＤ硬さが４３のエチレン−酢酸ビニル共重合体からなるフィルムと貼りあわせ、比較例４に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
<Comparative example 4>
A 50 μm thick film made of acrylic resin having a durometer D hardness of 33 as a grinding layer and an ethylene-vinyl acetate copolymer having a durometer D hardness of 43 as a base film (vinyl acetate content 18%). A film having a thickness of 100 μm was bonded via an adhesive layer (acrylic resin) of 5 μm to produce a laminated film (total thickness of 155 μm). The pressure-sensitive adhesive composition was applied on a 25 μm thick polyethylene terephthalate (PET) separator (release film) so that the film thickness after drying was 30 μm, dried, and then the durometer D hardness of the laminated film. Was bonded to a film made of ethylene-vinyl acetate copolymer of No. 43 to obtain a pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor wafer surface protection according to Comparative Example 4.
＜比較例５＞
研削層としてのデュロメータＤ硬さが９０のエポキシ樹脂からなる５０μｍのフィルムと、基材フィルムとしてのデュロメータＤ硬さが３１のアクリル樹脂からなる１００μｍのフィルムとを、接着剤層（アクリル樹脂）５μｍを介して貼り合わせ、積層フィルム（合計厚み１５５μｍ）を作製した。厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ（剥離フィルム）上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように上記粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、上記積層フィルムのデュロメータＤ硬さが３１のアクリル樹脂からなるフィルムと貼りあわせ、比較例５に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
<Comparative Example 5>
A 50 μm film made of an epoxy resin having a durometer D hardness of 90 as a grinding layer and a 100 μm film made of an acrylic resin having a durometer D hardness of 31 as a base film were bonded to an adhesive layer (acrylic resin) of 5 μm. Were laminated together to produce a laminated film (total thickness 155 μm). The pressure-sensitive adhesive composition was applied on a 25 μm thick polyethylene terephthalate (PET) separator (release film) so that the film thickness after drying was 30 μm, dried, and then the durometer D hardness of the laminated film. Was bonded to a film made of 31 acrylic resin to obtain an adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer according to Comparative Example 5.
［特性評価試験］
上記の実施例及び比較例に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープについて、以下の試験を行い、その性能を評価した。
[Characteristic evaluation test]
About the adhesive tape for semiconductor wafer surface protection which concerns on said Example and comparative example, the following tests were done and the performance was evaluated.
デバイス表面に２０μｍの段差を有し、デバイスエッジ部から隣接するデバイスエッジ部までの距離が２０μｍ、厚さ７２５μｍの８インチ径の半導体ウエハ２５枚に、貼り付け機として日東精機株式会社製のＤＲ８５００ＩＩ（商品名）を用いて、実施例・比較例に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープをそれぞれ貼合し、研削層をダイヤモンドバイトにて１０μｍ研削した。その後、インライン機構を持つグラインダー（株式会社ディスコ製、ＤＦＧ８７６０（商品名））を使用して、各半導体ウエハを厚さ７５μｍ厚みまで研磨した。また、ウエハの強度向上のため、ドライポリッシュにて最終仕上げを行った。 DR8500II manufactured by Nitto Seiki Co., Ltd. as a pasting machine on a 25-inch 8-inch semiconductor wafer having a step of 20 μm on the device surface, a distance of 20 μm from the device edge to the adjacent device edge, and a thickness of 725 μm Using (trade name), the semiconductor wafer surface protecting adhesive tapes according to Examples and Comparative Examples were respectively bonded, and the grinding layer was ground by 10 μm with a diamond tool. Thereafter, each semiconductor wafer was polished to a thickness of 75 μm using a grinder having an inline mechanism (DFG8760 (trade name) manufactured by DISCO Corporation). Moreover, the final finishing was performed by dry polishing in order to improve the strength of the wafer.
（ＴＴＶ測定評価）
上記方法で研削した半導体ウエハについて、それぞれ任意点にて、ＴＴＶ測定装置Ｓｅｍｄｅｘ３００（ＩＳＩＳ社、商品名）により厚さを測定し評価した。その結果を表１及び表２に示す。２５枚すべての半導体ウエハで厚さのばらつきが４μｍ未満であったものを優良品として◎、２５枚の内、最も大きいばらつきが４μｍ以上５μｍ未満であったものを良品として○、２５枚中の半導体ウエハの内、１枚以上で厚さのばらつきが５μｍ以上を示したものを不良品として×で示した。
(TTV measurement evaluation)
About the semiconductor wafer ground by the said method, thickness was measured and evaluated by TTV measuring apparatus Semidex300 (ISIS company, brand name) at each arbitrary point. The results are shown in Tables 1 and 2. A wafer having a thickness variation of less than 4 μm on all 25 semiconductor wafers is marked as “Excellent”. Of 25 wafers, a wafer having a largest variation of 4 μm or more and less than 5 μm is marked as “Good”. Among the semiconductor wafers, one or more semiconductor wafers having a thickness variation of 5 μm or more are indicated by “x” as defective products.
表１に示すように、実施例１〜５は、研削層が２３℃におけるデュロメータＤ硬さが４１〜８５の樹脂組成物からなり、基材フィルムが２３℃におけるデュロメータＤ硬さが２１〜４０の樹脂組成物からなるため、ＴＴＶにおいて良好な結果であった。特に、実施例１，２，５は、オレフィン樹脂、ポリエステル樹脂のいずれかを含み、さらには研削層の厚みが１５〜２５０μｍであるため、ＴＴＶが特に優れる結果であった。 As shown in Table 1, in Examples 1 to 5, the grinding layer is made of a resin composition having a durometer D hardness of 41 to 85 at 23 ° C., and the base film has a durometer D hardness of 21 to 40 at 23 ° C. As a result, it was a good result in TTV. In particular, Examples 1, 2, and 5 contained either olefin resin or polyester resin, and the thickness of the grinding layer was 15 to 250 μm, so that TTV was particularly excellent.
一方、比較例１〜５は、表２に示すように、研削層を構成する樹脂組成物が２３℃におけるデュロメータＤ硬さが４１〜８５の範囲にないか、基材フィルムを構成する樹脂組成物が２３℃におけるデュロメータＤ硬さが２１〜４０の範囲にないか、研削層・基材フィルムを構成する樹脂組成物ともデュロメータＤ硬さが上記範囲にないため、熱による基材の変動やダスト浸入による影響を受け、ＴＴＶが悪い結果となった。 On the other hand, as shown in Table 2, in Comparative Examples 1 to 5, the resin composition constituting the grinding layer does not have a durometer D hardness at 23 ° C. in the range of 41 to 85, or constitutes a base film. Since the durometer D hardness at 23 ° C. is not in the range of 21 to 40 or the durometer D hardness of the resin composition constituting the ground layer / base film is not in the above range, Under the influence of dust intrusion, TTV resulted in a bad result.
１：半導体ウエハ表面保護用粘着テープ
２：基材フィルム
３：粘着剤層
４：研削層
５：剥離フィルム
６：半導体ウエハ
７：研削機
８：研磨機
１１：凹凸
６１：凹凸
1: Semiconductor wafer surface protecting adhesive tape 2: substrate film 3: adhesive layer 4: grinding layer 5: release film 6: semiconductor wafer 7: grinding machine 8: polishing machine 11: irregularities 61: irregularities
Claims (5)
前記粘着剤層とは反対側の最外層に、前記半導体ウエハの裏面を研磨する工程に先だって研削される研削層を有しており、
前記研削層は、２３℃におけるデュロメータＤ硬さが４１〜８５の樹脂組成物からなり、
前記基材フィルムは、２３℃におけるデュロメータＤ硬さが２１〜４０の樹脂組成物からなることを特徴とする半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。 It has a base film and an adhesive layer formed on one surface side of the base film, and is used in a step of polishing a back surface of the semiconductor wafer by bonding a semiconductor wafer to the surface of the adhesive layer. An adhesive tape for protecting a semiconductor wafer surface,
The outermost layer opposite to the adhesive layer has a grinding layer that is ground prior to the step of polishing the back surface of the semiconductor wafer,
The grinding layer is made of a resin composition having a durometer D hardness of 41 to 85 at 23 ° C.
The said base film consists of a resin composition whose durometer D hardness in 23 degreeC is 21-40, The adhesive tape for semiconductor wafer surface protection characterized by the above-mentioned.
前記粘着剤層の表面に半導体ウエハが貼合され、前記粘着剤層とは反対側の最外層に研削層が設けられた状態で、前記半導体ウエハの裏面を研磨する工程に先だって、前記研削層を研削し、前記研削層の表面を平坦化する工程を含み、
前記研削層は、前記半導体ウエハ表面保護用粘着テープの前記粘着剤層とは反対側の最外層に、予め形成されており、
前記研削層は、２３℃におけるデュロメータＤ硬さが４１〜８５の樹脂組成物からなり、
前記基材フィルムは、２３℃におけるデュロメータＤ硬さが２１〜４０の樹脂組成物からなるあることを特徴とする半導体ウエハの加工方法。 A method for processing a semiconductor wafer, comprising polishing a back surface of a semiconductor wafer using an adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer having a base film and an adhesive layer formed on one side of the base film,
Prior to the step of polishing the back surface of the semiconductor wafer in a state where a semiconductor wafer is bonded to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer and a grinding layer is provided on the outermost layer opposite to the pressure-sensitive adhesive layer, the grinding layer And flattening the surface of the grinding layer,
The grinding layer is formed in advance on the outermost layer opposite to the adhesive layer of the adhesive tape for protecting the semiconductor wafer surface,
The grinding layer is made of a resin composition having a durometer D hardness of 41 to 85 at 23 ° C.
The said base film consists of a resin composition whose durometer D hardness in 23 degreeC is 21-40, The processing method of the semiconductor wafer characterized by the above-mentioned.
前記粘着剤層の表面に半導体ウエハが貼合され、前記粘着剤層とは反対側の最外層に研削層が設けられた状態で、前記半導体ウエハの裏面を研磨する工程に先だって、前記研削層を研削し、前記研削層の表面を平坦化する工程を含み、
前記研削層は、フィルム化されており、前記粘着剤層の表面に半導体ウエハが貼合された後、前記半導体ウエハ表面保護用粘着テープの前記粘着剤層とは反対側の最外層に、接着剤を介して貼り合わされ、
前記研削層は、２３℃におけるデュロメータＤ硬さが４１〜８５の樹脂組成物からなり、
前記基材フィルムは、２３℃におけるデュロメータＤ硬さが２１〜４０の樹脂組成物からなるあることを特徴とする半導体ウエハの加工方法。 A method for processing a semiconductor wafer, comprising polishing a back surface of a semiconductor wafer using an adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer having a base film and an adhesive layer formed on one side of the base film,
Prior to the step of polishing the back surface of the semiconductor wafer in a state where a semiconductor wafer is bonded to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer and a grinding layer is provided on the outermost layer opposite to the pressure-sensitive adhesive layer, the grinding layer And flattening the surface of the grinding layer,
The ground layer is formed into a film, and after the semiconductor wafer is bonded to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer, it is bonded to the outermost layer opposite to the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape for protecting the semiconductor wafer surface. Pasted through the agent,
The grinding layer is made of a resin composition having a durometer D hardness of 41 to 85 at 23 ° C.
The said base film consists of a resin composition whose durometer D hardness in 23 degreeC is 21-40, The processing method of the semiconductor wafer characterized by the above-mentioned.
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|---|---|
| JP (1) | JP2014192204A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017170438A1 (en) | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 古河電気工業株式会社 | Mask integrated-type surface protection tape |
| WO2018181475A1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 古河電気工業株式会社 | Mask-integrated surface protective tape with release liner |
| WO2019093338A1 (en) | 2017-11-09 | 2019-05-16 | 古河電気工業株式会社 | Method for producing semiconductor chips |
| WO2019187478A1 (en) | 2018-03-28 | 2019-10-03 | 古河電気工業株式会社 | Semiconductor chip production method and surface protection tape |
| JPWO2022196132A1 (en) * | 2021-03-17 | 2022-09-22 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61260629A (en) * | 1985-05-15 | 1986-11-18 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Film for wafer processing |
| JPH06177098A (en) * | 1992-12-10 | 1994-06-24 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Tape for grinding rear of wafer and usage thereof |
| JP2005019666A (en) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Nitto Denko Corp | Method for grinding semiconductor wafer and adhesive sheet for grinding semiconductor wafer |
| JP2007227641A (en) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Nitto Denko Corp | Processing method of semiconductor wafer |
-
2013
- 2013-03-26 JP JP2013063877A patent/JP2014192204A/en active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61260629A (en) * | 1985-05-15 | 1986-11-18 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Film for wafer processing |
| JPH06177098A (en) * | 1992-12-10 | 1994-06-24 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Tape for grinding rear of wafer and usage thereof |
| JP2005019666A (en) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Nitto Denko Corp | Method for grinding semiconductor wafer and adhesive sheet for grinding semiconductor wafer |
| JP2007227641A (en) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Nitto Denko Corp | Processing method of semiconductor wafer |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017170438A1 (en) | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 古河電気工業株式会社 | Mask integrated-type surface protection tape |
| WO2018181475A1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 古河電気工業株式会社 | Mask-integrated surface protective tape with release liner |
| US11282736B2 (en) * | 2017-03-31 | 2022-03-22 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Mask-integrated surface protective tape with release liner |
| WO2019093338A1 (en) | 2017-11-09 | 2019-05-16 | 古河電気工業株式会社 | Method for producing semiconductor chips |
| WO2019187478A1 (en) | 2018-03-28 | 2019-10-03 | 古河電気工業株式会社 | Semiconductor chip production method and surface protection tape |
| JPWO2022196132A1 (en) * | 2021-03-17 | 2022-09-22 | ||
| WO2022196132A1 (en) * | 2021-03-17 | 2022-09-22 | 富士電機株式会社 | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP7364114B2 (en) | 2021-03-17 | 2023-10-18 | 富士電機株式会社 | Manufacturing method of semiconductor device |
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