JPH06177097A - Tape for grinding rear of wafer and usage thereof - Google Patents
Tape for grinding rear of wafer and usage thereofInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はウエハ裏面研削用テープ
およびこれを用いるウエハ裏面研削方法に関するもので
ある。ウエハ裏面研削用テープは半導体集積回路（以
下、ＩＣという）製造工程において使用される。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer backside grinding tape and a wafer backside grinding method using the same. The wafer backside grinding tape is used in a semiconductor integrated circuit (hereinafter referred to as IC) manufacturing process.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＩＣは、通常高純度シリコン単結晶等を
スライスして半導体ウエハ（以下、単にウエハと略すこ
ともある）とした後、その表面に不純物熱拡散や超微細
加工等の手段で集積回路を組み込み、ダイシングしてチ
ップ化する方法で製造されている。これら工程の内、ウ
エハを薄くするためにウエハ裏面を研削する工程があ
る。この工程においてウエハ表面にウエハ裏面研削テー
プが用いられている。このウエハ裏面研削用テープに要
求される性能は、研削中にシリコンの屑や潤滑、冷却、
シリコン屑の除去のために噴射される純水からウエハ表
面を保護し、ウエハの破損を防ぐことである。従来、ウ
エハ裏面研削用テープの粘着剤として通常の水系エマル
ジョン粘着剤や溶剤系粘着剤が用いられてきた。2. Description of the Related Art In general, an IC is obtained by slicing a high-purity silicon single crystal or the like into a semiconductor wafer (hereinafter also simply referred to as a wafer), and then using a means such as impurity thermal diffusion or ultrafine processing on the surface thereof. It is manufactured by a method of incorporating an integrated circuit and dicing it into chips. Among these steps, there is a step of grinding the back surface of the wafer in order to thin the wafer. In this step, a wafer backside grinding tape is used on the wafer surface. The performance required for this wafer backside grinding tape is that silicon debris, lubrication, cooling,
The purpose is to protect the wafer surface from pure water sprayed to remove silicon debris and prevent wafer damage. Conventionally, an ordinary water-based emulsion pressure-sensitive adhesive or solvent-based pressure-sensitive adhesive has been used as the pressure-sensitive adhesive for the wafer back surface grinding tape.
【０００３】ところが、近年、半導体チップの小型化に
つれて、ウエハを薄型化する傾向が進み、従来研削後の
厚さで２５０〜４００μｍ程度であったものが、２００
μｍ以下になりつつあり、一方、ウエハ径は大型化が進
み、８インチ以上になりつつあるため、従来のウエハ裏
面研削用テープを用いると、ウエハからウエハ裏面研削
用テープを剥離する際、ウエハとウエハ裏面研削用テー
プの粘着力が強く、ウエハが破損するという問題があっ
た。さらに、ウエハとウエハ裏面研削用テープの粘着力
を弱くすると、研削時に純水がウエハとウエハ裏面研削
用テープの間に浸入し、次いでシリコン屑も浸入し、や
はりウエハが破損するという問題があった。However, in recent years, as semiconductor chips have become smaller, wafers have tended to be made thinner, and the conventional thickness after grinding was about 250 to 400 μm.
On the other hand, since the wafer diameter is becoming smaller than 8 μm and the wafer diameter is becoming larger than 8 inches, when the conventional wafer backside grinding tape is used, when the wafer backside grinding tape is peeled from the wafer, There was a problem that the wafer backside grinding tape had a strong adhesive force and the wafer was damaged. Furthermore, if the adhesive force between the wafer and the wafer backside grinding tape is weakened, pure water will enter between the wafer and the wafer backside grinding tape during grinding, and then silicon debris will also enter, which also causes a problem of wafer damage. It was
【０００４】そこで、ウエハ裏面研削用テープの粘着剤
として光硬化型粘着剤が用いられる場合があった。この
粘着剤を用いると、ウエハ裏面研削時には、表面を保護
するのに必要な粘着力が得られ、かつ、ウエハ裏面研削
用テープを剥離する際には、光を照射することにより粘
着力を低下させることが出来る。Therefore, there is a case where a photocurable adhesive is used as the adhesive for the wafer backside grinding tape. When this adhesive is used, the adhesive force necessary to protect the surface is obtained during wafer backside grinding, and when peeling off the wafer backside grinding tape, the adhesive force is reduced by irradiating light. It can be done.
【０００５】このようなウエハ裏面研削用テープとして
は、特開昭６０−１８９９３８号などに開示されたもの
がある。しかして、一般に、光を照射すると同時に熱も
発生し、ウエハ裏面研削用テープおよび光硬化型粘着剤
も加熱され、通常のゴム系あるいはアクリル系の粘着
剤、例えば、特開昭６０−１８９９３８号に開示される
如きウエハ裏面研削用テープの粘着剤を用いると、耐熱
性が弱い為、いわゆる糊残りは生じない場合でも、半導
体部品において問題となるミクロンオーダーあるいはサ
ブミクロンオーダーの汚染がブリードしてくるという問
題点があった。An example of such a wafer backside grinding tape is disclosed in JP-A-60-189938. However, in general, heat is also generated at the same time when light is irradiated, the wafer back surface grinding tape and the photo-curable adhesive are also heated, and a usual rubber-based or acrylic-based adhesive, for example, JP-A-60-189938. When the adhesive for the tape for grinding the back surface of the wafer as disclosed in 1) is used, the heat resistance is weak, so even if so-called adhesive residue does not occur, contamination of the micron order or submicron order, which is a problem in semiconductor parts, bleeds out. There was a problem that came.
【０００６】このブリードしてくる汚染の一因としてラ
ジカルを発生した光重合開始剤の内、ポリマー鎖に取り
込まれず、再結合したものや２次生成物となったものが
粘着剤中に残存し、これらが光硬化型粘着剤中からブリ
ードしてくることが挙げられる。Among the photopolymerization initiators that generate radicals as one of the causes of this bleeding contamination, those that are not incorporated into the polymer chain but are recombined or become secondary products remain in the adhesive. It can be mentioned that these are bleeding out of the photocurable adhesive.
【０００７】この問題に関し、例えば、特開昭６０−２
４８７８６には、粘着剤のポリマー鎖中に光重合開始剤
を共重合させる方法が開示されているが、光反応性ビニ
ル化合物を添加して、光照射により粘着力を低下させる
ようなウエハ裏面研削用テープの粘着剤に対して、この
方法を用いると、光重合開始剤がポリマー鎖中に結合し
ているため、移動しづらく、未反応の光反応性ビニル化
合物が残存してしまい、かえってこれらが汚染の原因と
なる。Regarding this problem, for example, JP-A-60-2
48786 discloses a method in which a photopolymerization initiator is copolymerized in the polymer chain of an adhesive, but a photoreactive vinyl compound is added to grind the back surface of a wafer to reduce the adhesive strength by light irradiation. When this method is applied to the adhesive of the tape for use, the photopolymerization initiator is bonded in the polymer chain, so it is difficult to move and the unreacted photoreactive vinyl compound remains, rather Causes pollution.
【０００８】さらには、特開昭６０−１８９９３８号に
開示される如きウエハ裏面研削用テープの基材フィル
ム、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン等では、硬度が大きく、研削時の外
力を吸収しきれず、ウエハを薄く研削した場合には、ウ
エハが割れるという問題点があった。又、ポリ塩化ビニ
ル等では、可塑剤を添加する事により硬度を小さくする
ことが出来るが、可塑剤を添加すると、可塑剤が粘着剤
中に移行し、紫外線照射により粘着力が充分に低下しな
い、あるいは、ウエハ表面が汚染されるという問題点が
あった。Further, the base film of the tape for grinding the back surface of the wafer as disclosed in JP-A-60-189938, such as polyethylene terephthalate, polyethylene, polypropylene, etc., has a large hardness and absorbs the external force during grinding. However, if the wafer is thinly ground, the wafer may break. With polyvinyl chloride and the like, the hardness can be reduced by adding a plasticizer, but when the plasticizer is added, the plasticizer migrates into the pressure-sensitive adhesive and the pressure-sensitive adhesive strength is not sufficiently reduced by UV irradiation. Or, there is a problem that the wafer surface is contaminated.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】以上の点に鑑み、本発
明は、ウエハ裏面研削時および研削後の剥離時にウエハ
の破損を防止し、かつウエハ表面を汚染しないウエハ裏
面研削用テープおよびこれを使用するウエハ裏面研削方
法を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above points, the present invention provides a wafer backside grinding tape which prevents damage to the wafer during wafer backside grinding and peeling after grinding and does not contaminate the wafer surface. It is an object to provide a wafer back surface grinding method to be used.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成する為に、鋭意検討した結果、ラジカルを発生し
た光重合開始剤の内、ポリマー鎖に取り込まれず、再結
合したものや２次生成物となったものが粘着剤中に残存
し、これらが光硬化型粘着剤中からブリードし、ウエハ
を汚染することをつきとめ、光重合性炭素−炭素二重結
合をもつ光重合開始剤を共重合させず、混合して使用す
ると、光重合開始剤が自由に移動出来、光反応性ビニル
化合物と効率良く反応する上、光重合開始剤がポリマー
鎖に取り込まれるので、光反応性ビニル化合物や光重合
開始剤により、ウエハ表面が汚染されないことを見出
し、さらには、ウエハ裏面研削用テープの基材フィルム
として、ショアＤ型硬度４０以下のものを用いると、ウ
エハを薄く研削した場合にも、ウエハの破損を防止する
ことが出来ることを見出し本発明を完成した。Means for Solving the Problems As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have found that among the photopolymerization initiators that have generated radicals, those which are not incorporated into the polymer chain and are recombined. The secondary products remain in the adhesive, bleeding out of the photo-curable adhesive and contaminating the wafer, and initiating photopolymerization with a photopolymerizable carbon-carbon double bond. When used as a mixture without copolymerizing the photopolymerization initiator, the photopolymerization initiator can move freely, reacts efficiently with the photoreactive vinyl compound, and the photopolymerization initiator is incorporated into the polymer chain. It was found that the wafer surface was not contaminated by a vinyl compound or a photopolymerization initiator, and further, when a Shore D type hardness of 40 or less was used as the base film of the wafer backside grinding tape, the wafer was thinly ground. Even if, it was the completion of the present invention found that you can to prevent damage to the wafer.
【００１１】即ち、本発明の要旨は、一層または二層以
上の光透過性のフィルムからなり、少なくともその内の
一層がショアーＤ型硬度が４０以下である基材フィルム
に光重合性炭素−炭素二重結合を有する光重合開始剤を
用いた光硬化型粘着剤を塗布してなることを特徴とする
ウエハ裏面研削用テープであり、これを使用することを
特徴とするウエハ裏面研削方法である。That is, the gist of the present invention is to use a photopolymerizable carbon-carbon film as a base film having a light-transmissive film of one layer or two or more layers, at least one of which has a Shore D type hardness of 40 or less. A tape for wafer back surface grinding, which is characterized in that a photo-curing adhesive using a photopolymerization initiator having a double bond is applied, and a wafer back surface grinding method characterized by using the tape. .
【００１２】本発明で用いる基材フィルムの少なくとも
一層は、光を透過し、かつ、ショアーＤ型硬度が４０以
下の合成樹脂または合成、天然ゴムのフィルムである。
好ましくは、エチレン−酢酸ビニル共重合体および／ま
たはブタジエンゴムである。At least one layer of the substrate film used in the present invention is a film of synthetic resin or synthetic or natural rubber which transmits light and has a Shore D type hardness of 40 or less.
Preferred are ethylene-vinyl acetate copolymer and / or butadiene rubber.
【００１３】ショアーＤ型硬度が４０を越えると研削時
ウエハにかかる外力を分散させる能力が乏しくなり、ウ
エハが破損してしまう。ここで、ショアーＤ型硬度と
は、ＡＳＴＭ Ｄ−２２４０によるショアーＤ型硬度計
を用いて測定した値である。エチレン−酢酸ビニル共重
合体および／またはブタジエンゴムの厚さは、保護する
ウエハの形状、表面状態および研削方法により適宜決め
られるが、通常１０〜２０００μｍが好ましい。If the Shore D hardness exceeds 40, the ability to disperse the external force applied to the wafer during grinding becomes poor and the wafer is damaged. Here, the Shore D type hardness is a value measured using a Shore D type hardness meter according to ASTM D-2240. The thickness of the ethylene-vinyl acetate copolymer and / or the butadiene rubber is appropriately determined depending on the shape of the wafer to be protected, the surface condition and the grinding method, but is usually 10 to 2000 μm.
【００１４】さらに、エチレン−酢酸ビニル共重合体お
よび／またはブタジエンゴムは貼付け、剥離時の作業性
を改善するために、他のフィルムと積層することが出来
る。この際、他のフィルムのショアーＤ硬度は４０を越
えるものが望ましい。ショアーＤ硬度が４０以下の場
合、貼付け、剥離時の作業性を改善することが出来な
い。Further, the ethylene-vinyl acetate copolymer and / or butadiene rubber can be laminated with another film in order to improve workability at the time of sticking and peeling. At this time, it is desirable that the Shore D hardness of the other film exceeds 40. When the Shore D hardness is 40 or less, workability at the time of sticking and peeling cannot be improved.
【００１５】積層するフィルムの厚さは保護するウエハ
の形状、表面状態、研削方法およびエチレン−酢酸ビニ
ル共重合体および／またはブタジエンゴムの厚さにより
適宜決められるが、通常１０〜１０００μｍが好まし
い。The thickness of the film to be laminated is appropriately determined depending on the shape of the wafer to be protected, the surface condition, the grinding method and the thickness of the ethylene-vinyl acetate copolymer and / or butadiene rubber, but usually 10 to 1000 μm is preferable.
【００１６】積層方法としては、接着剤による貼り合わ
せ、共押出、コロナ処理をかけて圧着する等、公知の方
法が適宜用いることが出来る。As a laminating method, known methods such as bonding with an adhesive, coextrusion, corona treatment and pressure bonding can be appropriately used.
【００１７】本発明で用いられる光硬化型粘着剤は、エ
チレン性二重結合を有するモノマーと官能基を有する共
重合性モノマーとの共重合物で、かつ、光重合性炭素−
炭素二重結合を有するものに、光反応性ビニル化合物、
光重合開始剤を配合したものである。The photocurable pressure-sensitive adhesive used in the present invention is a copolymer of a monomer having an ethylenic double bond and a copolymerizable monomer having a functional group, and the photopolymerizable carbon-
Those having a carbon double bond, a photoreactive vinyl compound,
It contains a photopolymerization initiator.
【００１８】本発明に用いられる、エチレン性二重結合
を有するモノマーとは、例えばメタクリル酸メチル、ア
クリル酸ブチル、アクリル酸−２−エチルヘキシル、ア
クリル酸エチル等の（メタ）アクリル酸エステルモノマ
ー、酢酸ビニルの如きビニルエステル、アクリロニトリ
ル、アクリルアミド、スチレン、フッ素含有（メタ）ア
クリル酸エステルモノマー等が挙げられ、これらは１種
でもよく、２種以上組み合わせて使用しても良い。The monomer having an ethylenic double bond used in the present invention includes, for example, (meth) acrylic acid ester monomers such as methyl methacrylate, butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate and ethyl acrylate, acetic acid. Examples thereof include vinyl esters such as vinyl, acrylonitrile, acrylamide, styrene, and fluorine-containing (meth) acrylic acid ester monomers, and these may be used alone or in combination of two or more.
【００１９】本発明に用いられる官能基を有する共重合
性モノマーとは（メタ）アクリル酸、マレイン酸、２−
ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、グリシジル
（メタ）アクリレート、Ｎ−メチロール（メタ）アクリ
ルアミドなどの１種もしくは２種以上が挙げられる。The copolymerizable monomer having a functional group used in the present invention includes (meth) acrylic acid, maleic acid, 2-
One or more of hydroxyethyl (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, N-methylol (meth) acrylamide and the like can be mentioned.
【００２０】エチレン性二重結合を有するモノマーと官
能基を有する共重合性モノマーの割合は９５．０重量部
対５．０重量部〜８０．０重量部対２０．０重量部の範
囲である。官能基を有する共重合性モノマーが５．０重
量部より少ないと光重合性炭素−炭素二重結合の導入が
不十分になり易い。また、２０．０重量部を越えると、
光照射前の粘着力が十分に得られなくなる。The proportion of the monomer having an ethylenic double bond and the copolymerizable monomer having a functional group is in the range of 95.0 parts by weight to 5.0 parts by weight to 80.0 parts by weight to 20.0 parts by weight. . When the amount of the copolymerizable monomer having a functional group is less than 5.0 parts by weight, the introduction of the photopolymerizable carbon-carbon double bond tends to be insufficient. Further, when it exceeds 20.0 parts by weight,
Adhesive strength before light irradiation cannot be sufficiently obtained.
【００２１】本発明において、エチレン性二重結合を有
するモノマーと官能基を有する共重合性モノマーとの共
重合物の分子中に光重合性炭素−炭素二重結合を導入す
る方法としては上記共重合物中に存在するカルボキシル
基、ヒドロキシル基、グリシジル基などの官能基と反応
し得る基を有する重合性炭素−炭素二重結合を含む光反
応性モノマーを共重合させればよい。In the present invention, as a method for introducing a photopolymerizable carbon-carbon double bond into the molecule of a copolymer of a monomer having an ethylenic double bond and a copolymerizable monomer having a functional group, the above-mentioned copolymer is used. A photoreactive monomer having a polymerizable carbon-carbon double bond having a group capable of reacting with a functional group such as a carboxyl group, a hydroxyl group and a glycidyl group present in the polymer may be copolymerized.
【００２２】共重合させる割合は、重合性炭素−炭素二
重結合を含む光反応性モノマーと官能基を有する共重合
性モノマーの種類および添加量に応じて、エチレン性二
重結合を有するモノマーと官能基を有する共重合性モノ
マーとの共重合物１００重量部に対して、３．０〜２
０．０重量部の範囲で適宜選択することが出来る。The ratio of copolymerization is such that the photoreactive monomer having a polymerizable carbon-carbon double bond and the monomer having an ethylenic double bond are added depending on the kind and the amount of addition of the copolymerizable monomer having a functional group. 3.0 to 2 with respect to 100 parts by weight of a copolymer with a copolymerizable monomer having a functional group.
It can be appropriately selected within the range of 0.0 parts by weight.
【００２３】本発明に用いられる光反応性ビニル化合物
とは、分子中に光重合を行う重合性炭素−炭素二重結合
を少なくとも１個、好ましくは２個以上、さらに好まし
くは４個以上有する多官能性の化合物である。The photoreactive vinyl compound used in the present invention is a polyreactive compound having at least one, preferably two or more, and more preferably four or more polymerizable carbon-carbon double bonds for photopolymerization in the molecule. It is a functional compound.
【００２４】例示するならば、トリプロピレングリコー
ルジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパント
リ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテト
ラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）
アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）
アクリレートなどが挙げられる。For example, tripropylene glycol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate.
Acrylate, dipentaerythritol hexa (meth)
Examples thereof include acrylate.
【００２５】光反応性ビニル化合物の添加量としては、
エチレン性二重結合を有するモノマーと官能基を有する
共重合性モノマーとの共重合物１００．０重量部に対し
て、１．０〜２０．０重量部であり、さらに、好ましく
は１．０〜１０．０である。１．０重量部より少ない
と、光照射後、粘着力を十分に低下させることが出来な
い。また、２０．０重量部を越えると、光照射後、十分
な凝集力が得られず、また、未反応成分が表面にブリー
ドし、糊残りする。The amount of the photoreactive vinyl compound added is
1.0 to 20.0 parts by weight, and more preferably 1.0, to 100.0 parts by weight of a copolymer of a monomer having an ethylenic double bond and a copolymerizable monomer having a functional group. ~ 10.0. If the amount is less than 1.0 part by weight, the adhesive force cannot be sufficiently reduced after irradiation with light. On the other hand, if it exceeds 20.0 parts by weight, a sufficient cohesive force cannot be obtained after light irradiation, and unreacted components bleed to the surface to leave an adhesive residue.
【００２６】本発明に用いられる光重合開始剤として
は、光重合性炭素−炭素二重結合をもつ光重合開始剤で
あり、例示するならば、α−アリルベンゾイン、α−ア
リルベンゾインアリールエーテル、アクリル化ベンゾフ
ェノン化合物、４−（２−アクリロキシエトキシ）フェ
ニル−２−ヒドロキシ−２−プロピルケトン等が挙げら
れる。The photopolymerization initiator used in the present invention is a photopolymerization initiator having a photopolymerizable carbon-carbon double bond. For example, α-allylbenzoin, α-allylbenzoin aryl ether, Acrylic benzophenone compounds, 4- (2-acryloxyethoxy) phenyl-2-hydroxy-2-propylketone and the like can be mentioned.
【００２７】光重合開始剤の添加量としては、エチレン
性二重結合を有するモノマーと官能基を有する共重合性
モノマーとの共重合物１００重量部に対して、１．０〜
２０．０重量部であり、１．０重量部より少ないと、光
照射後、粘着力を十分に低下させることが出来ない。ま
た、２０．０重量部を越えると、光照射後、開始剤が残
存し、ブリードを起こして、ウエハ表面を汚染する。The amount of the photopolymerization initiator added is 1.0 to 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of a copolymer of a monomer having an ethylenic double bond and a copolymerizable monomer having a functional group.
It is 20.0 parts by weight, and if it is less than 1.0 parts by weight, the adhesive force cannot be sufficiently reduced after light irradiation. On the other hand, if it exceeds 20.0 parts by weight, the initiator remains after the light irradiation, causing bleeding and contaminating the wafer surface.
【００２８】本発明に用いられる光硬化型粘着剤には架
橋剤を添加してもよく、架橋剤としてはイソシアネート
系、エポキシ系、アジリジン系などエチレン性二重結合
を有するモノマーと官能基を有する共重合性モノマーと
の共重合物の官能基と反応するものから適宜選択するこ
とが出来る。A cross-linking agent may be added to the photo-curable pressure-sensitive adhesive used in the present invention. The cross-linking agent has a monomer having an ethylenic double bond such as an isocyanate type, an epoxy type or an aziridine type and a functional group. It can be appropriately selected from those that react with the functional group of the copolymer with the copolymerizable monomer.
【００２９】本発明の光硬化型粘着剤は、以上の化合物
を配合して得られるが、粘度調整のために溶剤を添加し
たり、あるいは、熱重合禁止剤等の添加剤を添加したり
することが出来る。The photocurable pressure-sensitive adhesive of the present invention can be obtained by blending the above compounds, but a solvent is added to adjust the viscosity, or an additive such as a thermal polymerization inhibitor is added. You can
【００３０】基材フィルムに粘着剤を塗布する方法とし
ては、リバースロールコーター、グラビヤコーター、バ
ーコーター、ダイコーター、コンマコーター等の公知の
コーティング方法で塗布することができ、基材フィルム
の全面もしくは部分的に塗布することが出来る。塗布厚
さは、乾燥後で通常１μｍ〜１００μｍぐらいである。
又、必要に応じて粘着剤層を保護するためにセパレータ
ーと称する合成樹脂フィルムを粘着剤層側に貼付けてお
くのが好ましい。The pressure-sensitive adhesive may be applied to the base film by a known coating method such as reverse roll coater, gravure coater, bar coater, die coater, comma coater, etc. It can be partially applied. The coating thickness is usually about 1 μm to 100 μm after drying.
In addition, it is preferable to attach a synthetic resin film called a separator on the pressure-sensitive adhesive layer side in order to protect the pressure-sensitive adhesive layer, if necessary.
【００３１】照射する光は紫外線が使用出来る。紫外線
照射方法としてはキセノンランプ、水銀ランプ、太陽
光、カーボンアーク等が使用出来る。Ultraviolet rays can be used as the irradiation light. A xenon lamp, a mercury lamp, sunlight, carbon arc, etc. can be used as an ultraviolet irradiation method.
【００３２】ウエハの裏面研削方法は、特に制限はな
く、グラインダー等による物理的研削でも、ケミカルエ
ッチング等による化学的研削でも、公知の方法が適宜用
いられる。The method of grinding the back surface of the wafer is not particularly limited, and known methods such as physical grinding using a grinder or chemical grinding such as chemical etching may be appropriately used.
【００３３】[0033]
【実施例】以下実施例にて本発明を更に具体的に説明す
る。尚、本実施例におけるウエハ表面の異物数の評価は
下記の方法で実施した。日立電子エンジニアリング
（株）製レーザー表面検査装置ＨＬＤ−３００Ｂにより
ウエハ表面の異物数を測定した。The present invention will be described in more detail with reference to the following examples. The number of foreign matters on the wafer surface in this example was evaluated by the following method. The number of foreign matters on the wafer surface was measured by a laser surface inspection device HLD-300B manufactured by Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd.
【００３４】実施例１ ２−エチルヘキシルアクリレート４６重量部、エチルア
クリレート２５重量部、メチルアクリレート２１重量
部、アクリル酸８重量部、トルエン１００重量部、過酸
化ベンゾイル０．０５重量部を窒素置換したフラスコに
仕込み、攪拌しながら７５℃で約１０時間反応させた。
これに、グリシジル（メタ）アクリレート５重量部とテ
トラデシルジメチルベンジルアンモニウムクロライド２
重量部を添加し、空気を吹き込みながら１０５℃で約６
時間反応させ重合性炭素−炭素二重結合を導入した。こ
の重合生成物２０７．５重量部に対し、ジペンタエリス
リトールヘキサアクリレート５重量部、アクリル化ベン
ゾフェノン化合物（ダイセル・ユーシービー株式会社製
Ｕｖｅｃｒｙｌ Ｐ３６）５重量部、ポリグリコールポ
リグリシジルエーテル２重量部、トルエン３０重量部を
添加し、紫外線硬化型粘着剤を得た。Example 1 A flask in which 46 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 25 parts by weight of ethyl acrylate, 21 parts by weight of methyl acrylate, 8 parts by weight of acrylic acid, 100 parts by weight of toluene, and 0.05 parts by weight of benzoyl peroxide were replaced with nitrogen. Then, the mixture was reacted at 75 ° C. for about 10 hours with stirring.
To this, 5 parts by weight of glycidyl (meth) acrylate and tetradecyldimethylbenzyl ammonium chloride 2
Add 5 parts by weight and blow at about 105 at 105 ℃.
The reaction was carried out for a period of time to introduce a polymerizable carbon-carbon double bond. To 207.5 parts by weight of this polymerization product, 5 parts by weight of dipentaerythritol hexaacrylate, 5 parts by weight of an acrylated benzophenone compound (Uvecryl P36 manufactured by Daicel UCB), 2 parts by weight of polyglycol polyglycidyl ether, toluene 30 parts by weight was added to obtain an ultraviolet curable adhesive.
【００３５】この紫外線硬化型粘着剤を、Ｔダイ法にて
製膜したショアーＤ型硬度が３０で厚さが７０μｍのエ
チレン−酢酸ビニル共重合体とショアーＤ型硬度が８０
で厚さが４０μｍのポリプロピレンの２層からなるフィ
ルムのコロナ処理したエチレン−酢酸ビニル共重合体面
にロールコーターにて塗布し、９０℃で乾燥して塗布厚
さ３０μｍの紫外線硬化型粘着剤を有するウエハ裏面研
削用テープを得た。This UV-curable pressure-sensitive adhesive was formed into a film by a T-die method, and the Shore D type hardness was 80 and the ethylene-vinyl acetate copolymer having a Shore D type hardness of 30 and a thickness of 70 μm.
Having a thickness of 40 μm and being coated with a roll coater on the surface of a corona-treated ethylene-vinyl acetate copolymer of a double-layered polypropylene film having a thickness of 40 μm, and drying at 90 ° C., a UV-curable adhesive having a thickness of 30 μm is applied. A wafer backside grinding tape was obtained.
【００３６】こうして得たウエハ裏面研削用テープをミ
ラーウエハに貼付け、２４時間放置後、該テープを剥が
し、ウエハ表面の異物数を測定した。さらに、こうして
得たウエハ裏面研削用テープを厚さ７５０μｍの８イン
チウエハに貼付け、バックグラインダーＤＦＧ−８２Ｉ
Ｆ／８（株式会社ディスコ製）を用い、厚さ２００μｍ
までウエハを研削した後、該ウエハ裏面研削用テープを
剥離した。この作業をウエハ５枚について行った。破損
は無く、良好であった。The wafer backside grinding tape thus obtained was attached to a mirror wafer, left standing for 24 hours, then peeled off, and the number of foreign matters on the wafer surface was measured. Further, the tape for grinding the back surface of the wafer thus obtained was attached to an 8-inch wafer having a thickness of 750 μm, and the back grinder DFG-82I was used.
Using F / 8 (manufactured by Disco Corporation), thickness 200 μm
After grinding the wafer up to, the tape for grinding the back surface of the wafer was peeled off. This operation was performed on five wafers. There was no damage and it was good.
【００３７】実施例２ ２−エチルヘキシルアクリレート４０重量部、エチルア
クリレート２７重量部、メチルアクリレート２５重量
部、アクリル酸８重量部、トルエン１００重量部、過酸
化ベンゾイル０．０５重量部を窒素置換したフラスコに
仕込み、攪拌しながら７５℃で約１０時間反応させた。
これに、グリシジル（メタ）アクリレート５重量部とテ
トラデシルジメチルベンジルアンモニウムクロライド２
重量部を添加し、空気を吹き込みながら１０５℃で約６
時間反応させ重合性炭素−炭素二重結合を導入した。こ
の重合生成物２０７．５重量部に対し、テトラメチロー
ルメタンテトラアクリレート５重量部、４−（２−アク
リロキシエトキシ）フェニル−２−ヒドロキシ−２−プ
ロピルケトン５重量部、テトラメチロール−トリ−β−
アジリジニルプロピオネート１重量部、酢酸エチル３０
重量部を添加し、紫外線硬化型粘着剤を得た。Example 2 A flask in which 40 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 27 parts by weight of ethyl acrylate, 25 parts by weight of methyl acrylate, 8 parts by weight of acrylic acid, 100 parts by weight of toluene, and 0.05 parts by weight of benzoyl peroxide were replaced with nitrogen. Then, the mixture was reacted at 75 ° C. for about 10 hours with stirring.
To this, 5 parts by weight of glycidyl (meth) acrylate and tetradecyldimethylbenzyl ammonium chloride 2
Add 5 parts by weight and blow at about 105 at 105 ℃.
The reaction was carried out for a period of time to introduce a polymerizable carbon-carbon double bond. With respect to 207.5 parts by weight of this polymerization product, 5 parts by weight of tetramethylolmethane tetraacrylate, 5 parts by weight of 4- (2-acryloxyethoxy) phenyl-2-hydroxy-2-propylketone, tetramethylol-tri-β −
1 part by weight of aziridinyl propionate, ethyl acetate 30
By adding parts by weight, an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive was obtained.
【００３８】この紫外線硬化型粘着剤を、ショアＤ型硬
度が２０で厚さ２００μｍのブタジエンゴムのフィルム
にロールコーターにて塗布し、９０℃で乾燥して塗布厚
さ３０μｍの紫外線硬化型粘着剤を有するウエハ裏面研
削用テープを得た。こうして得たウエハ裏面研削用テー
プを用い、実施例１と同様に、ウエハ表面の異物数、研
削作業および剥離作業によるウエハの破損数を測定し
た。結果を表１に示す。This UV-curable pressure-sensitive adhesive was applied to a butadiene rubber film having a Shore D type hardness of 20 and a thickness of 200 μm by a roll coater and dried at 90 ° C. to obtain a UV-curable adhesive having a coating thickness of 30 μm. A wafer backside grinding tape having Using the wafer backside grinding tape thus obtained, the number of foreign matters on the wafer surface and the number of wafer breakages due to the grinding work and the peeling work were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
【００３９】比較例１ 実施例１と同様の重合生成物２０７．５重量部に対し、
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート５重量部、
ベンゾフェノン５重量部、ポリグリコールポリグリシジ
ルエーテル２重量部、トルエン３０重量部を添加し、紫
外線硬化型粘着剤を得た。Comparative Example 1 With respect to 207.5 parts by weight of the same polymerization product as in Example 1,
5 parts by weight of dipentaerythritol hexaacrylate,
5 parts by weight of benzophenone, 2 parts by weight of polyglycol polyglycidyl ether, and 30 parts by weight of toluene were added to obtain an ultraviolet curable adhesive.
【００４０】この紫外線硬化型粘着剤を、Ｔダイ法にて
製膜したショアーＤ型硬度が３０で厚さが７０μｍのエ
チレン−酢酸ビニル共重合体とショアーＤ型硬度が８０
で厚さが４０μｍのポリプロピレンの２層からなるフィ
ルムのコロナ処理したエチレン−酢酸ビニル共重合体面
にロールコーターにて塗布し、９０℃で乾燥して塗布厚
さ３０μｍの紫外線硬化型粘着剤を有するウエハ裏面研
削用テープを得た。こうして得たウエハ裏面研削用テー
プを用い、実施例１と同様に、ウエハ表面の異物数、研
削作業および剥離作業によるウエハの破損数を測定し
た。結果を表１に示す。This UV-curable pressure-sensitive adhesive was formed into a film by the T-die method, and the Shore D type hardness was 30, and the ethylene-vinyl acetate copolymer having a thickness of 70 μm and the Shore D type hardness were 80.
Having a thickness of 40 μm and being coated with a roll coater on the surface of a corona-treated ethylene-vinyl acetate copolymer of a double-layered polypropylene film having a thickness of 40 μm, and drying at 90 ° C., a UV-curable adhesive having a thickness of 30 μm is applied. A wafer backside grinding tape was obtained. Using the wafer backside grinding tape thus obtained, the number of foreign matters on the wafer surface and the number of wafer breakages due to the grinding work and the peeling work were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
【００４１】比較例２ 実施例２と同様の重合生成物２０７．５重量部に対し、
テトラメチロールメタンテトラアクリレート５重量部、
２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−
１−オン５重量部、テトラメチロール−トリ−β−アジ
リジニルプロピオネート１重量部、酢酸エチル３０重量
部を添加し、紫外線硬化型粘着剤を得た。Comparative Example 2 With respect to 207.5 parts by weight of the same polymerization product as in Example 2,
5 parts by weight of tetramethylolmethane tetraacrylate,
2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropane-
5 parts by weight of 1-one, 1 part by weight of tetramethylol-tri-β-aziridinylpropionate and 30 parts by weight of ethyl acetate were added to obtain an ultraviolet-curable adhesive.
【００４２】この紫外線硬化型粘着剤を、ショアＤ型硬
度が２０で厚さ１００μｍのブタジエンゴムのフィルム
にロールコーターにて塗布し、９０℃で乾燥して塗布厚
さ３０μｍの紫外線硬化型粘着剤を有するウエハ裏面研
削用テープを得た。こうして得たウエハ裏面研削用テー
プを用い、実施例１と同様に、ウエハ表面の異物数、研
削作業および剥離作業によるウエハの破損数を測定し
た。結果を表１に示す。This UV-curable adhesive was applied to a butadiene rubber film having a Shore D type hardness of 20 and a thickness of 100 μm by a roll coater, dried at 90 ° C., and an ultraviolet-curable adhesive having a coating thickness of 30 μm. A wafer backside grinding tape having Using the wafer backside grinding tape thus obtained, the number of foreign matters on the wafer surface and the number of wafer breakages due to the grinding work and the peeling work were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
【００４３】比較例３ 実施例１と同様の紫外線硬化型粘着剤を、ショアＤ型硬
度が８０であるポリプロピレンの厚さ１００μｍのフィ
ルムにロールコーターにて塗布し、９０℃で乾燥して塗
布厚さ３０μｍの紫外線硬化型粘着剤を有するウエハ裏
面研削用テープを得た。こうして得たウエハ裏面研削用
テープを用い、実施例１と同様に、ウエハ表面の異物
数、研削作業および剥離作業によるウエハの破損数を測
定した。結果を表１に示す。Comparative Example 3 The same UV-curable pressure-sensitive adhesive as in Example 1 was applied to a 100 μm-thick polypropylene film having a Shore D type hardness of 80 with a roll coater and dried at 90 ° C. to obtain a coating thickness. A wafer backside grinding tape having a 30 μm thick UV-curable adhesive was obtained. Using the wafer backside grinding tape thus obtained, the number of foreign matters on the wafer surface and the number of wafer breakages due to the grinding work and the peeling work were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
【００４４】比較例４ 実施例２と同様の紫外線硬化型粘着剤を、ショアＤ型硬
度が４０である可塑剤入り塩化ビニルの厚さ１００μｍ
のフィルムにロールコーターにて塗布し、９０℃で乾燥
して塗布厚さ３０μｍの紫外線硬化型粘着剤を有するウ
エハ裏面研削用テープを得た。こうして得たウエハ裏面
研削用テープを用い、実施例１と同様に、ウエハ表面の
異物数、研削作業および剥離作業によるウエハの破損数
を測定した。結果を表１に示す。Comparative Example 4 A UV-curable adhesive similar to that used in Example 2 was mixed with a plasticizer-containing vinyl chloride having a Shore D type hardness of 40 to a thickness of 100 μm.
The film was coated with a roll coater and dried at 90 ° C. to obtain a wafer backside grinding tape having a coating thickness of 30 μm and having an ultraviolet curable adhesive. Using the wafer backside grinding tape thus obtained, the number of foreign matters on the wafer surface and the number of wafer breakages due to the grinding work and the peeling work were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
【００４５】比較例５ 温度計、還流冷却器、滴下ロート、窒素導入口及び攪拌
機を付けたフラスコに、脱イオン水１５０．０重量部、
反応性界面活性剤としてポリオキシエチレンノニルフェ
ニルエーテル（エチレンオキサイド２０モル）のベンゼ
ン環にアリル基を付加させた化合物３．０重量部を入
れ、窒素雰囲気下で攪拌しながら７０℃まで昇温した
後、過硫酸アンモニウム（重合開始剤）０．５重量部を
添加し溶解させる。 次いで、メタクリル酸メチル２
２．５重量部、アクリル酸−２−エチルヘキシル７３．
５重量部、メタクリル酸グリシジル２．０重量部、メタ
クリル酸２．０重量部からなるモノマー混合物を４時間
で連続滴下し、滴下終了後も３時間攪拌を続けて重合
し、固形分約４０重量％のアクリル系樹脂エマルジョン
粘着剤を得た。Comparative Example 5 In a flask equipped with a thermometer, a reflux condenser, a dropping funnel, a nitrogen inlet and a stirrer, 150.0 parts by weight of deionized water,
As a reactive surfactant, 3.0 parts by weight of a compound obtained by adding an allyl group to a benzene ring of polyoxyethylene nonylphenyl ether (ethylene oxide 20 mol) was added, and the temperature was raised to 70 ° C. with stirring under a nitrogen atmosphere. Then, 0.5 part by weight of ammonium persulfate (polymerization initiator) is added and dissolved. Then, methyl methacrylate 2
2.5 parts by weight, 2-ethylhexyl acrylate 73.
A monomer mixture consisting of 5 parts by weight, 2.0 parts by weight of glycidyl methacrylate and 2.0 parts by weight of methacrylic acid was continuously added dropwise over 4 hours, and after completion of the addition, polymerization was continued by stirring for 3 hours to obtain a solid content of about 40 parts by weight % Acrylic resin emulsion adhesive was obtained.
【００４６】こうして得た配合液を、Ｔダイ法にて製膜
したショアーＤ型硬度が３０で厚さが７０μｍのエチレ
ン−酢酸ビニル共重合体とショアーＤ型硬度が８０で厚
さが４０μｍのポリプロピレンの２層からなるフィルム
のコロナ処理したエチレン−酢酸ビニル共重合体面にロ
ールコーターにて塗布し、９０℃で乾燥して塗布厚さ３
０μｍのアクリル系樹脂エマルジョン粘着剤層を有する
ウエハ裏面研削用テープを得た。こうして得たウエハ裏
面研削用テープを用い、実施例１と同様に、ウエハ表面
の異物数、研削作業および剥離作業によるウエハの破損
数を測定した。結果を表１に示す。The compounded liquid thus obtained was formed into a film by a T-die method, and an ethylene-vinyl acetate copolymer having a Shore D type hardness of 30 and a thickness of 70 μm and a Shore D type hardness of 80 and a thickness of 40 μm were formed. Coating with a roll coater on the ethylene-vinyl acetate copolymer surface of a corona-treated film of two layers of polypropylene, and drying at 90 ° C to obtain a coating thickness of 3
A wafer backside grinding tape having a 0 μm acrylic resin emulsion adhesive layer was obtained. Using the wafer backside grinding tape thus obtained, the number of foreign matters on the wafer surface and the number of wafer breakages due to the grinding work and the peeling work were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
【００４７】[0047]
【表１】 注１）ＥＶＡ：エチレン−酢酸ビニル共重合体 ２）ＰＰ ：ポリプロピレン ３）異物数：４インチウエハ表面にある０．２μｍ以上
の異物数（個） ４）研削 ：研削作業時のウエハの破損数（枚） ５）剥離 ：剥離作業時のウエハの破損数（枚）[Table 1] Note 1) EVA: Ethylene-vinyl acetate copolymer 2) PP: Polypropylene 3) Number of foreign matter: Number of foreign matter of 0.2 μm or more (pieces) on 4 inch wafer surface 4) Grinding: Number of wafer damage during grinding work (Pieces) 5) Peeling: Number of wafers damaged during peeling work (Pieces)
【００４８】[0048]
【発明の効果】本発明のウエハ裏面研削用テープを用い
る研削方法によると、ウエハを薄く削っても破損するこ
となく、かつ、ウエハ表面を汚染しない。According to the grinding method using the tape for grinding the back surface of the wafer of the present invention, even if the wafer is thinly ground, it is not damaged and the surface of the wafer is not contaminated.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 武内 洋子 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井東圧化学株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Yoko Takeuchi 2-1, Tangodori, Minami-ku, Aichi Prefecture Nagoya City Mitsui Toatsu Chemicals, Inc.
Claims (4)
ムからなり、少なくともその内の一層がショアーＤ型硬
度が４０以下である基材フィルムに光重合性炭素−炭素
二重結合を有する光重合開始剤を用いた光硬化型粘着剤
を塗布してなることを特徴とするウエハ裏面研削用テー
プ。1. A light having a photopolymerizable carbon-carbon double bond in a base film, which is composed of one or more light-transmitting films, at least one of which has a Shore D type hardness of 40 or less. A tape for grinding the back surface of a wafer, which is obtained by applying a photo-curable adhesive using a polymerization initiator.
を使用することを特徴とするウエハ裏面研削方法。2. A wafer backside grinding method using the wafer backside grinding tape according to claim 1.
フィルムがエチレン−酢酸ビニル共重合体またはブタジ
エンゴムであることを特徴とする請求項１記載のウエハ
裏面研削用テープ。3. The tape for wafer backside grinding according to claim 1, wherein the substrate film having a Shore D hardness of 40 or less is ethylene-vinyl acetate copolymer or butadiene rubber.
を使用することを特徴とするウエハ裏面研削方法。4. A wafer back surface grinding method using the wafer back surface grinding tape according to claim 3.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4330218A JPH06177097A (en) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | Tape for grinding rear of wafer and usage thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4330218A JPH06177097A (en) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | Tape for grinding rear of wafer and usage thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177097A true JPH06177097A (en) | 1994-06-24 |
Family
ID=18230175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4330218A Pending JPH06177097A (en) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | Tape for grinding rear of wafer and usage thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06177097A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005343997A (en) * | 2004-06-02 | 2005-12-15 | Lintec Corp | Method for producing adhesive sheet for processing semiconductor and method for producing semiconductor chip |
-
1992
- 1992-12-10 JP JP4330218A patent/JPH06177097A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005343997A (en) * | 2004-06-02 | 2005-12-15 | Lintec Corp | Method for producing adhesive sheet for processing semiconductor and method for producing semiconductor chip |
| JP4574234B2 (en) * | 2004-06-02 | 2010-11-04 | リンテック株式会社 | Adhesive sheet for semiconductor processing and method for manufacturing semiconductor chip |
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