JPH06177033A - Laser annealing - Google Patents
Laser annealingInfo
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- JPH06177033A JPH06177033A JP32405792A JP32405792A JPH06177033A JP H06177033 A JPH06177033 A JP H06177033A JP 32405792 A JP32405792 A JP 32405792A JP 32405792 A JP32405792 A JP 32405792A JP H06177033 A JPH06177033 A JP H06177033A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は基板上に形成されたア
モルファスシリコン膜を結晶化させるためのレ−ザアニ
−ル方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a laser annealing method for crystallizing an amorphous silicon film formed on a substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】液晶表示装置（ＬＣＤ）においては、製
造プロセスや主要部品の技術革新にともなって表示性能
が急速に向上している。とくに、表示画素にそれぞれス
イッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を設
けた、ＴＦＴ−ＬＣＤでは高画質が得られるため、画面
の大型化や高精細化が進められている。とくに、画素数
の増加にともない上記ＴＦＴのキャリア（電子）移動度
を上げることで、高速動作させることが不可欠となって
きている。2. Description of the Related Art In a liquid crystal display device (LCD), the display performance is rapidly improving with the manufacturing process and technological innovation of main parts. In particular, in a TFT-LCD in which a thin film transistor (TFT) is provided as a switching element in each display pixel, a high image quality can be obtained, and therefore, a large screen and high definition are being advanced. In particular, it has become indispensable to operate at high speed by increasing the carrier (electron) mobility of the TFT as the number of pixels increases.
【０００３】上記ＴＦＴは液晶基板上に形成するため、
単結晶シリコン基板に使用することができない。そこ
で、ガラス基板にアモルファスシリコンの状態で成膜す
る方法がとられている。液晶用のＴＦＴはプラズマＣＶ
Ｄ法または減圧ＣＶＤ法によって上記基板上にアモルフ
ァスシリコンを成膜して形成される。ＴＦＴにおいて、
キャリアの移動度を向上させるためにはその膜をアモル
ファスな状態から結晶化させる必要がある。Since the TFT is formed on the liquid crystal substrate,
It cannot be used for single crystal silicon substrates. Therefore, a method of forming a film in a state of amorphous silicon on a glass substrate is adopted. The liquid crystal TFT is plasma CV
Amorphous silicon is formed on the substrate by the D method or the low pressure CVD method. In TFT,
In order to improve the mobility of carriers, it is necessary to crystallize the film from an amorphous state.
【０００４】アモルファスシリコンを結晶化させる方法
としては、固相成長法、レ−ザアニ−ル法、電子ビ−ム
蒸着法などがある。固相成長法では電気炉を用いてアモ
ルファスシリコンをアニ−ル処理して結晶化させる。こ
の方法は処理時間が長く、また高温プロセスとなるか
ら、基板に石英基板を使わなければならず、コスト高に
なってしまうということがある。As a method for crystallizing amorphous silicon, there are a solid phase growth method, a laser annealing method, an electron beam evaporation method and the like. In the solid phase growth method, an electric furnace is used to anneal and crystallize amorphous silicon. Since this method requires a long processing time and requires a high temperature process, a quartz substrate must be used as a substrate, which may increase the cost.
【０００５】ＴＦＴにおいて、高移動度が得られる結晶
化法としてレ−ザアニ−ルが検討されている。レ−ザ光
を用いてアニ−ルを行えば、固相成長法に比べて処理時
間の短縮や装置の小型化が計れるなどの利点を有する。
しかしながら、レ−ザアニ−ルにおいては、結晶化させ
る部分にレ−ザ光を照射したときに、その照射部位がレ
−ザ光によって瞬時に急激に加熱されるため、結晶化が
始まる部位や方向が一定しないということがある。つま
り、レ−ザアニ−ルによるアモルファスシリコン膜の結
晶化は再現性が低くなり、品質が一定しないということ
があった。Laser annealing has been studied as a crystallization method for obtaining high mobility in TFT. Annealing using laser light has advantages over the solid-phase growth method in that the processing time can be shortened and the apparatus can be downsized.
However, in the laser anneal, when the portion to be crystallized is irradiated with laser light, the irradiated portion is instantaneously and rapidly heated by the laser light, so that the portion or direction where crystallization begins May not be constant. That is, the crystallization of the amorphous silicon film by the laser annealing has low reproducibility, and the quality is not constant in some cases.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】このように、レ−ザア
ニ−ルによるアモルファスシリコンの結晶化は、他の方
法に比べて種々の利点を有するものの、結晶化の再現性
が低いので、実用化しづらいということがあった。As described above, crystallization of amorphous silicon by laser annealing has various advantages as compared with other methods, but the reproducibility of crystallization is low. It was difficult.
【０００７】この発明は上記事情に基づきなされたもの
で、その目的とするところは、レ−ザ光によってアモル
ファスシリコン膜を結晶化する場合に、その結晶成長の
方向を制御できるようにしたレ−ザアニ−ル方法を提供
することにある。The present invention has been made based on the above circumstances. An object of the present invention is to make it possible to control the direction of crystal growth when crystallizing an amorphous silicon film by laser light. The purpose is to provide the anneal method.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
にこの発明は、基板上に形成されたアモルファスシリコ
ン膜をレ−ザ光によって多結晶化するレ−ザアニ−ル方
法において、上記アモルファスシリコン膜に連続発振さ
れる第１のレ−ザ光を照射して結晶成長のシ−ドとなる
多結晶シ−ド層を形成したのち、上記アモルファスシリ
コン膜の上記多結晶シ−ド層に隣接する部分を第２のレ
−ザ光で照射して多結晶化することを特徴とする。In order to solve the above problems, the present invention provides a laser annealing method in which an amorphous silicon film formed on a substrate is polycrystallized by laser light. After irradiating the film with a first laser beam continuously oscillated to form a polycrystalline seed layer serving as a seed for crystal growth, the amorphous silicon film is adjacent to the polycrystalline seed layer. The portion to be irradiated is irradiated with the second laser light to be polycrystallized.
【０００９】[0009]
【作用】上記構成によれば、連続波レ−ザ光によって結
晶状態が均質な多結晶シ−ド層を形成したのち、この多
結晶シ−ド層を基準にしてその層に隣接する部分を結晶
化することで、結晶方向を一定にすることができる。According to the above construction, after a polycrystalline seed layer having a uniform crystal state is formed by continuous wave laser light, a portion adjacent to the polycrystalline seed layer is formed on the basis of this polycrystalline seed layer. By crystallizing, the crystal direction can be made constant.
【００１０】[0010]
【実施例】以下、この発明の一実施例を図面を参照して
説明する。図１はこの発明のレ−ザアニ−ルを行うため
に用いられる、レ−ザアニ−ル装置を示し、同図中１は
可視域の波長の第１のレ−ザ光Ｌ1 を連続して出力する
ことができる、たとえばアルゴンレ−ザなどの第１のレ
−ザ発振器である。この第１のレ−ザ発振器１から出力
された第１のレ−ザ光Ｌ1 は第１の反射ミラ−２で反射
し、アパ−チャ３でビ−ムの断面形状が成形されたの
ち、集光レンズ４で集束されて真空容器５内に入射す
る。この真空容器５には収容室６が形成され、この収容
室６内に、上記第１のレ−ザ光Ｌ1 によって後述するご
とく照射されるアモルファスシリコン膜７が形成された
液晶基板８が設置される。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a laser annealing device used for carrying out the laser annealing of the present invention. In FIG. 1, 1 is a continuous output of a first laser beam L1 having a wavelength in the visible range. A first laser oscillator, such as an Argon laser. The first laser light L1 output from the first laser oscillator 1 is reflected by the first reflection mirror -2, and after the beam cross section is shaped by the aperture 3, The light is focused by the condenser lens 4 and enters the vacuum container 5. A storage chamber 6 is formed in the vacuum container 5, and a liquid crystal substrate 8 having an amorphous silicon film 7 which is irradiated by the first laser light L1 as described later is installed in the storage chamber 6. It
【００１１】上記真空容器５はＸＹテ−ブル９の上面に
載置固定されていて、上記収容室６は合成石英などのウ
インド１０がパッキング１１を介して気密に設けられて
いる。上記第１のレ−ザ光Ｌ1 は上記ウインド１０を透
過して上記液晶基板８を照射できるようになっている。The vacuum vessel 5 is mounted and fixed on the upper surface of an XY table 9, and the accommodation chamber 6 is provided with a window 10 made of synthetic quartz or the like in an airtight manner via a packing 11. The first laser light L1 can pass through the window 10 and illuminate the liquid crystal substrate 8.
【００１２】上記収容室６には、その内部を減圧する、
図示しない真空ポンプが接続される排気路１２が形成さ
れている。上記真空容器５には、その内部の基板８を所
定温度に加熱保持するヒ−タ１３が設けられている。こ
のヒ−タ１３には駆動部１４が接続され、この駆動部１
４は制御装置１５からの駆動信号によって上記ヒ−タ１
３を駆動制御、つまり上記基板８の温度を制御する。The inside of the accommodating chamber 6 is decompressed,
An exhaust path 12 to which a vacuum pump (not shown) is connected is formed. The vacuum container 5 is provided with a heater 13 which heats and holds the substrate 8 therein at a predetermined temperature. A drive unit 14 is connected to the heater 13 and the drive unit 1
The heater 4 is driven by a drive signal from the controller 15.
3 is driven and controlled, that is, the temperature of the substrate 8 is controlled.
【００１３】上記液晶基板８に形成されたアモルファス
シリコン膜７は上記第１のレ−ザ光Ｌ1 によって照射さ
れたのち、後述するように第２のレ−ザ光Ｌ2 によって
照射される。この第２のレ−ザ光Ｌ2 としては、紫外域
の波長であるとともに、スポット径を大きくするために
パルス発振されるレ−ザ光、たとえばエキシマレ−ザな
どの第２のレ−ザ発振器１６から発振されるレ−ザ光が
用いられる。The amorphous silicon film 7 formed on the liquid crystal substrate 8 is irradiated with the first laser light L1 and then with the second laser light L2 as described later. The second laser light L2 has a wavelength in the ultraviolet region and is laser light pulse-oscillated to increase the spot diameter, for example, a second laser oscillator 16 such as an excimer laser. Laser light oscillated from is used.
【００１４】上記第２のレ−ザ発振器１６から出力され
た第２のレ−ザ光Ｌ2 は、第２の反射ミラ−１７で反射
し、そのビ−ム断面内の強度分布を均一化させる、たと
えばカライドスコ−プなどのビ−ムホモジナイザ１８を
通過して上記収容室７内に入射するようになっている。The second laser light L2 output from the second laser oscillator 16 is reflected by the second reflection mirror 17 to make the intensity distribution within the beam cross section uniform. For example, the light passes through a beam homogenizer 18 such as a Kaleidoscope and enters the accommodation chamber 7.
【００１５】上記制御装置１５は、上記第１のレ−ザ発
振器１、第２のレ−ザ発振器１６および上記ＸＹテ−ブ
ル６をＸＹ方向に駆動する駆動源１８の作動を制御す
る。さらに、上記収容室６の上方にはＣＣＤカメラ２０
が配設されている。このＣＣＤカメラ２０は上記収容室
６内の液晶基板８を撮像し、その観察像をモニタ２１に
表示するようになっている。The controller 15 controls the operation of the first laser oscillator 1, the second laser oscillator 16 and the drive source 18 for driving the XY table 6 in the XY directions. Further, a CCD camera 20 is provided above the accommodation chamber 6.
Is provided. The CCD camera 20 captures an image of the liquid crystal substrate 8 in the storage chamber 6 and displays the observed image on the monitor 21.
【００１６】つぎに、上記構成のレ−ザアニ−ル装置を
用いて液晶基板８のアモルファスシリコン膜７をアニ−
リングする手順について説明する。図２は上記液晶基板
８の一部を拡大したもので、この液晶基板８は厚さが0.
6 〜１mm程度であり、その上面にはアモルファスシリコ
ン膜７が2000オングストロ−ム（Ａ）程度の厚さで形成
されている。Next, the amorphous silicon film 7 on the liquid crystal substrate 8 is annealed by using the laser annealing device having the above-mentioned structure.
The procedure for ringing will be described. FIG. 2 is an enlarged view of a part of the liquid crystal substrate 8 which has a thickness of 0.
The thickness is about 6 to 1 mm, and the amorphous silicon film 7 is formed on the upper surface with a thickness of about 2000 angstroms (A).
【００１７】上記アモルファスシリコン膜７を多結晶化
するには、まず、制御装置１５によって駆動源１８を作
動させ、ＸＹテ−ブル９を駆動して第１のレ−ザ発振器
１から連続発振される第１のレ−ザ光Ｌ1 が上記アモル
ファスシリコン膜７の所定の位置を照射するよう上記液
晶基板８を位置決めする。In order to polycrystallize the amorphous silicon film 7, first, the drive source 18 is operated by the controller 15 to drive the XY table 9 to continuously oscillate from the first laser oscillator 1. The liquid crystal substrate 8 is positioned so that the first laser light L1 which illuminates the amorphous silicon film 7 irradiates a predetermined position.
【００１８】上記液晶基板８を位置決めしたならば、第
１のレ−ザ発振器１を作動させ、第１のレ−ザ光Ｌ1 に
よってアモルファスシリコン膜７を照射するとともに、
上記駆動源１８によってＸＹテ−ブル６を所定方向、た
とえば図２に示すＸ方向に駆動して上記アモルファスシ
リコン膜７をＸ方向に沿って照射する。After the liquid crystal substrate 8 is positioned, the first laser oscillator 1 is operated to irradiate the amorphous silicon film 7 with the first laser light L1 and
The drive source 18 drives the XY table 6 in a predetermined direction, for example, the X direction shown in FIG. 2, to irradiate the amorphous silicon film 7 along the X direction.
【００１９】それによって、上記アモルファスシリコン
膜７は、上記第１のレ−ザ光Ｌ1 の照射幅に応じて多結
晶化される。つまり、アモルファスシリコン膜７には、
幅寸法が第１のレ−ザ光Ｌ1 のスポット径に応じて小さ
な第１の多結晶シ−ド層３１ａが厚さ方向全長にわたっ
て形成される。As a result, the amorphous silicon film 7 is polycrystallized according to the irradiation width of the first laser light L1. That is, in the amorphous silicon film 7,
A first polycrystalline seed layer 31a whose width dimension is small according to the spot diameter of the first laser beam L1 is formed over the entire length in the thickness direction.
【００２０】上記第１のレ−ザ光Ｌ1 は可視域の波長の
連続波である。つまり、比較的波長の長い光であるとと
もに、連続波であることで、アモルファスシリコン膜７
を均一に加熱する。したがって、上記第１のレ−ザ光Ｌ
1 によって形成された第１の多結晶シ−ド層３１ａの結
晶を均一に成長させることができる。The first laser light L1 is a continuous wave having a wavelength in the visible range. That is, the amorphous silicon film 7 has a relatively long wavelength and is a continuous wave.
Heat evenly. Therefore, the first laser light L
The crystals of the first polycrystalline seed layer 31a formed by 1 can be grown uniformly.
【００２１】ついで、上記ＸＹテ−ブル６をＹ方向に所
定距離移動させたのち、再びＸ方向に駆動して、上記第
１の多結晶シ−ド膜３１ａと平行な第２の多結晶シ−ド
層３１ｂを形成する。上記第１の多結晶シ−ド層３１ａ
と第２の多結晶シ−ド層３１ｂとの間隔を図２に示すよ
うにｄとする。この間隔ｄは、ビ−ムホモジナイザ１８
によって強度分布が均一化される第２のレ−ザ光Ｌ2 の
スポット径Ｄよりも僅かに小さく設定されている。Then, the XY table 6 is moved in the Y direction by a predetermined distance, and then is driven in the X direction again to drive the second polycrystalline seed film 31a parallel to the first polycrystalline seed film 31a. -Forming the charge layer 31b. The first polycrystalline seed layer 31a
The distance between the second polycrystalline seed layer 31b and the second polycrystalline seed layer 31b is d as shown in FIG. This distance d is determined by the beam homogenizer 18
Is set to be slightly smaller than the spot diameter D of the second laser light L2 whose intensity distribution is made uniform.
【００２２】このように、第１の多結晶シ−ド膜３１ａ
と第２の多結晶シ−ド層３１ｂとを所定の間隔ｄで形成
したならば、ＸＹテ−ブル６をＹ方向に駆動し、第２の
レ−ザ光Ｌ2 のスポットの中心を、上記第１の多結晶シ
−ド層３１ａと第２の多結晶シ−ド層３１ｂとの中心に
一致させる。In this way, the first polycrystalline seed film 31a is formed.
If the second polycrystalline seed layer 31b and the second polycrystalline seed layer 31b are formed at a predetermined distance d, the XY table 6 is driven in the Y direction, and the center of the spot of the second laser light L2 is set to the above-mentioned value. The centers of the first polycrystalline seed layer 31a and the second polycrystalline seed layer 31b are aligned.
【００２３】その状態で、第２のレ−ザ発振器１６を作
動させて第２のレ−ザ光Ｌ2 を発振させるとともに、Ｘ
Ｙテ−ブル６をＸ方向に駆動する。それによって、液晶
基板８に形成されたアモルファスシリコン膜７の第１の
多結晶シ−ド層３１ａと第２の多結晶シ−ド層３１ｂと
の間の部分Ａは、強度分布が均一で、ビ−ム形状が四角
形に成形された上記第２のレ−ザ光Ｌ2 によって照射加
熱される。In this state, the second laser oscillator 16 is operated to oscillate the second laser light L2, and X
The Y table 6 is driven in the X direction. As a result, the portion A between the first polycrystalline seed layer 31a and the second polycrystalline seed layer 31b of the amorphous silicon film 7 formed on the liquid crystal substrate 8 has a uniform intensity distribution, The beam is irradiated and heated by the second laser light L2 whose beam shape is a quadrangle.
【００２４】上記第２のレ−ザ光Ｌ2 のスポット径を
Ｄ、第１の多結晶シ−ド層３１ａと第２の多結晶シ−ド
層３１ｂとの間隔をｄとすると、Ｄ＞ｄに設定されてい
る。したがって、第２のレ−ザ光Ｌ2 は上記アモルファ
スシリコン膜７の上記部分Ａだけでなく、幅方向両端部
が上記第１の多結晶シ−ド層３１ａと第２の多結晶シ−
ド層３１ｂとに重なる状態で照射する。つまり、上記第
２のレ−ザ光Ｌ2 により、上記部分Ａの幅方向全体を照
射加熱できる。Let D be the spot diameter of the second laser light L2 and d be the distance between the first polycrystalline seed layer 31a and the second polycrystalline seed layer 31b. Is set to. Therefore, the second laser light L2 is generated not only in the portion A of the amorphous silicon film 7 but also in the widthwise end portions of the first polycrystalline seed layer 31a and the second polycrystalline seed layer 31a.
Irradiation is performed so as to overlap with the charge layer 31b. That is, the entire width direction of the portion A can be irradiated and heated by the second laser light L2.
【００２５】それによって、上記アモルファスシリコン
膜７の第１の多結晶シ−ド層３１ａと第２の多結晶シ−
ド層３１ｂとの間の部分Ａが多結晶化されることにな
る。その際、上記第１のシ−ド層３１ａと第２のシ−ド
層３１ｂとが予め多結晶化されているから、上記部分Ａ
の多結晶化はこれらシ−ド層を種にして成長する。As a result, the first polycrystalline seed layer 31a of the amorphous silicon film 7 and the second polycrystalline seed layer 31a are formed.
The portion A between the gate electrode 31b and the conduction layer 31b is polycrystallized. At this time, since the first seed layer 31a and the second seed layer 31b are polycrystallized in advance, the part A
Polycrystals are grown using these seed layers as seeds.
【００２６】つまり、第１、第２のシ−ド層３１ａ、３
１ｂを予め形成しておくことにより、上記部分Ａの多結
晶化は、図２に矢印Ｂで示すように、各シ−ド層に隣接
する部分から上記部分Ａの幅方向中心に向かって結晶が
成長して行われる。したがって、結晶成長の方向性が再
現性を有して一定となるから、液晶表示装置のＴＦＴに
おけるキャリアの移動度に再現性を持たせることができ
る。That is, the first and second seed layers 31a, 3
By forming 1b in advance, the portion A is polycrystallized by crystallizing from the portion adjacent to each seed layer toward the center of the portion A in the width direction as shown by the arrow B in FIG. Is done by growing. Therefore, since the direction of crystal growth becomes reproducible and constant, the mobility of carriers in the TFT of the liquid crystal display device can be reproducible.
【００２７】上記第２のレ−ザ光Ｌ2 は、パルス発振で
あるからそのスポット径Ｄを大きくすることが可能であ
り、また波長は紫外域で短いから、アモルファスシリコ
ン膜７を透過しずらい。そのため、第２のレ−ザ光Ｌ2
は、上記液晶基板８を必要以上に加熱することなく、ア
モルファスシリコン膜７を多結晶化することができる。Since the second laser light L2 is a pulse oscillation, its spot diameter D can be increased, and since the wavelength is short in the ultraviolet region, it is difficult to pass through the amorphous silicon film 7. . Therefore, the second laser light L2
The amorphous silicon film 7 can be polycrystallized without heating the liquid crystal substrate 8 more than necessary.
【００２８】なお、上記一実施例ではアモルファスシリ
コン膜に２本の多結晶シ−ド層を所定の間隔で形成し、
これらシ−ド層の間の部分をアニ−ルしたが、アモルフ
ァスシリコン膜には１本の多結晶シ−ド層を形成し、そ
のシ−ド層に隣接する部分を第２のレ−ザ光で照射して
アニ−ルしても、上記多結晶シ−ド層に隣接する部分か
ら結晶を成長させることができる。つまり、最初に形成
されるシ−ド層が１本であっても、結晶を上記シ−ド層
を種にして所定方向に成長させることができる。In the above embodiment, two polycrystalline seed layers are formed on the amorphous silicon film at a predetermined interval,
Although the portion between these seed layers was annealed, one polycrystalline seed layer was formed on the amorphous silicon film, and the portion adjacent to the seed layer was formed into a second laser. Even when irradiated with light and annealed, crystals can be grown from the portion adjacent to the polycrystalline seed layer. That is, even if only one seed layer is initially formed, crystals can be grown in a predetermined direction by using the seed layer as a seed.
【００２９】[0029]
【発明の効果】以上述べたようにこの発明は、アモルフ
ァスシリコン膜に連続発振される第１のレ−ザ光を照射
して結晶成長のシ−ドとなる多結晶シ−ド層を形成した
のち、上記アモルファスシリコン膜の上記多結晶シ−ド
層に隣接する部分を第２のレ−ザ光で照射して多結晶化
するようにした。As described above, according to the present invention, the amorphous silicon film is irradiated with the continuously oscillated first laser beam to form the polycrystalline seed layer serving as the seed for crystal growth. After that, the portion of the amorphous silicon film adjacent to the polycrystalline seed layer was irradiated with a second laser beam to be polycrystallized.
【００３０】そのため、アモルファスシリコン膜には多
結晶シ−ド層を種にしてそれに隣接する部分を第２のレ
−ザ光によって多結晶化することができるから、多結晶
化における結晶の成長方向を一定にすることができる。
つまり、レ−ザアニ−ルにおいて、アモルファスシリコ
ン膜の多結晶化に再現性をもたせることができる。Therefore, the amorphous silicon film can be polycrystallized by using the polycrystal seed layer as a seed and the portion adjacent thereto by the second laser light. Can be constant.
That is, in the laser annealing, the polycrystallization of the amorphous silicon film can be made reproducible.
【図１】この発明の一実施例のレ−ザアニ−ル装置の構
成図。FIG. 1 is a configuration diagram of a laser annealing device according to an embodiment of the present invention.
【図２】同じく液晶基板の一部分の拡大斜視図。FIG. 2 is an enlarged perspective view of a portion of the liquid crystal substrate.
７…アモルファスシリコン膜、８…基板、３１ａ、３１
ｂ…第１、第２の多結晶シ−ド層、Ｌ1 …第１のレ−ザ
光、Ｌ2 …第２のレ−ザ光。7 ... Amorphous silicon film, 8 ... Substrate, 31a, 31
b ... First and second polycrystalline seed layers, L1 ... First laser light, L2 ... Second laser light.
Claims (1)
ン膜をレ−ザ光によって多結晶化するレ−ザアニ−ル方
法において、上記アモルファスシリコン膜に連続発振さ
れる第１のレ−ザ光を照射して結晶成長のシ−ドとなる
多結晶シ−ド層を形成したのち、上記アモルファスシリ
コン膜の上記多結晶シ−ド層に隣接する部分を第２のレ
−ザ光で照射して多結晶化することを特徴とするレ−ザ
アニ−ル方法。1. A laser annealing method in which an amorphous silicon film formed on a substrate is polycrystallized by laser light, and the amorphous silicon film is irradiated with first laser light continuously oscillated. After forming a polycrystalline seed layer which becomes a seed for crystal growth, a portion of the amorphous silicon film adjacent to the polycrystalline seed layer is irradiated with a second laser beam to make a multi-layer. A laser annealing method characterized by crystallization.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP32405792A JP3315738B2 (en) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | Laser annealing method and liquid crystal display device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP32405792A JP3315738B2 (en) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | Laser annealing method and liquid crystal display device manufacturing method |
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|---|---|
| JPH06177033A true JPH06177033A (en) | 1994-06-24 |
| JP3315738B2 JP3315738B2 (en) | 2002-08-19 |
Family
ID=18161675
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP32405792A Expired - Fee Related JP3315738B2 (en) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | Laser annealing method and liquid crystal display device manufacturing method |
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1992
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