JPH06174637A - 薄膜膜質評価方法および装置 - Google Patents

薄膜膜質評価方法および装置

Info

Publication number
JPH06174637A
JPH06174637A JP33082692A JP33082692A JPH06174637A JP H06174637 A JPH06174637 A JP H06174637A JP 33082692 A JP33082692 A JP 33082692A JP 33082692 A JP33082692 A JP 33082692A JP H06174637 A JPH06174637 A JP H06174637A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
infrared
computer
microscope
fourier transform
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP33082692A
Other languages
English (en)
Inventor
Yukio Shikatou
幸雄 鹿糠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd
Priority to JP33082692A priority Critical patent/JPH06174637A/ja
Publication of JPH06174637A publication Critical patent/JPH06174637A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Image Processing (AREA)
  • Image Analysis (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 フーリエ変換赤外分光光度計−赤外顕微鏡を
用い、前記装置をコンピュータ制御することにより、赤
外スペクトルとして得られる薄膜情報を得て、薄膜の膜
質の均一化および不純物の存在を評価する。 【構成】 薄膜膜質の均一性、および不純物の混入など
を評価する薄膜膜質評価装置であって、自動制御可能な
赤外顕微鏡試料ステージ1付き赤外顕微鏡と、薄膜の赤
外スペクトルを測定するフーリエ変換赤外分光光度計2
と、顕微鏡ステージの移動を制御し、前記赤外スペクト
ルの測定データを記憶し、解析を行うコンピュータ3と
から構成され、薄膜膜質の均一化および不純物の存在を
評価する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】薄膜膜質評価装置に関し、特に、
任意の物質の基板面内分布を自動的に測定する技術に適
用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】たとえば、フーリエ変換赤外分光光度
計、またはフーリエ変換赤外顕微鏡により、測定したい
任意の点を手動により決め、この点における赤外スペク
トルを記録し、前記赤外スペクトルを人の手により解析
し、膜質の状態、および不純物の含有率を評価してい
た。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記のよう
な従来技術においては、ウエハ面内の一部について、赤
外スペクトル全波長をスキャンし、人の手により解析し
ていたため、処理時間がかかるという欠点がある。
【0004】また、複雑な解析作業のため、熟練を要す
るなどの欠点もある。
【0005】基板上に生成した薄膜は、その製造プロセ
ス条件により、希望する薄膜が必ずしも面内に均一に生
成するとは限らない。また、化学的に生成した薄膜中に
は、微量の不純物となり得る副生成物が含まれている可
能性がある。
【0006】従って、これらの薄膜を利用した製品で
は、膜の不均一性、および不純物の混入により、薄膜の
特性が変化するという問題がある。
【0007】そこで、本発明の目的は、フーリエ変換赤
外分光光度計−赤外顕微鏡を用い、コンピュータにより
装置を制御し、また、測定データの解析を行い、赤外ス
ペクトルとして得られる薄膜膜質情報を自動測定評価す
る技術を提供することにある。
【0008】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0009】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【0010】すなわち、本発明の薄膜膜質評価方法は、
フーリエ変換赤外分光光度計および赤外顕微鏡を備えた
ウエハの薄膜膜質評価方法であって、顕微鏡ステージを
駆動系でコンピュータ制御により任意の点に移動させ、
フーリエ変換赤外分光光度計により移動した点における
薄膜の赤外スペクトルを測定し、コンピュータにより任
意の点における赤外スペクトルを記憶し、試料面内の物
質の分布を解析して表示し、前記駆動系とフーリエ変換
赤外分光光度計との動作により自動的に基板上に生成し
た薄膜膜質を解析するものである。
【0011】また、本発明の薄膜膜質評価装置は、ウエ
ハ上の移動した点における薄膜の赤外スペクトルを得る
フーリエ変換赤外分光光度計と、コンピュータ制御によ
り顕微鏡ステージを任意の点に移動する赤外顕微鏡と、
任意の点における赤外スペクトルを記憶し、試料面内の
物質の分布を表示するコンピュータとからなるものであ
る。
【0012】
【作用】前記した薄膜膜質評価方法および装置によれ
ば、評価対象試料をのせた、フーリエ変換赤外分光光度
計−赤外顕微鏡の顕微鏡ステージをコンピュータ制御に
より任意の点に移動し、赤外スペクトルを測定後、測定
データを記憶し、赤外スペクトルとして得られる物質に
ついて定量的に表示することにより面内の薄膜評価が可
能となる。
【0013】また、コンピュータに記憶された測定位置
において、赤外スペクトルを測定することにより、各測
定ウエハに対して、測定位置が常に同一であり、正確な
評価を得ることができる。
【0014】さらに、解析および分析において、人の手
を使わず、コンピュータを使用して、自動化を図ること
により、解析および分析時間の大幅な短縮が図られる。
【0015】
【実施例】図1は本発明の一実施例である薄膜膜質評価
装置を示す概念図、図2は本発明の一実施例である薄膜
膜質評価方法の動作フローを示すフローチャート図であ
る。
【0016】まず、図1により本実施例の薄膜膜質評価
装置の構成を説明する。
【0017】本実施例の薄膜膜質評価装置は、X軸Y軸
方向の任意の位置に移動可能な赤外顕微鏡試料ステージ
1と、移動した点における薄膜の赤外スペクトルを得る
フーリエ変換赤外分光光度計2と、任意の点における赤
外スペクトルのデータを記憶装置に格納し、試料面内の
分布を表示するコンピュータ3とにより構成されてい
る。
【0018】すなわち、本実施例の薄膜膜質評価方法に
用いる薄膜膜質評価装置は、たとえばコンピュータ3お
よびステージ制御部4によるX軸駆動モータ5およびY
軸駆動モータ6の制御により、測定位置を赤外顕微鏡試
料ステージ1の任意の場所に移動し、フーリエ変換赤外
分光光度計2により、移動した任意の点において、膜質
の赤外スペクトルを測定し、前記測定データをコンピュ
ータ3内の記憶装置に格納し、すべての測定終了後、各
測定データをコンピュータ3により解析および分析する
薄膜膜質評価装置とされている。
【0019】そして、赤外顕微鏡試料ステージ1は、8
インチウエハが測定できるような大きさとし、面内の任
意の点が測定できるように、コンピュータ3およびステ
ージ制御部4からの制御信号によりX軸駆動モータ5と
Y軸駆動モータ6とを駆動することによってX軸方向、
Y軸方向に動作するものである。
【0020】また、半導体製造において、シリコンウエ
ハ上に酸化膜(SiO2 )、窒化膜(SiN)、その他
の薄膜を生成するプロセスがある。
【0021】これらのプロセスでは、同じ膜ではあるが
製法が異なる場合があり、これらの膜質も異なる。ま
た、製法により例えば酸化膜では、SiH、SiOH等
の不純物が、SiO2 膜内に発生している場合がある。
【0022】これらの膜質において、不純物量は、ウエ
ハ面内で必ずしも均一になっておらず、生成条件により
変化するものである。これらの製造プロセスを最適にす
るため、膜質の評価は不可欠であり、本発明の薄膜膜質
評価装置により面内膜質情報を自動的に解析することが
可能となる。
【0023】次に、本実施例の作用について、図2のフ
ローチャートを参昭しながら説明する。
【0024】まず、ステップ10では、コンピュータ3
により、測定試料面の複数の測定点および測定順番を決
めて、前記測定点の位置および順番をコンピュータ3の
記憶装置に格納する。
【0025】次に、ステップ20では、前記コンピュー
タ3により赤外顕微鏡試料ステージ1を駆動し、目的の
測定点に移動する。
【0026】そして、ステップ30では、フーリエ変換
赤外分光光度計2により、目的の測定点での赤外スペク
トルを測定する。
【0027】その後、ステップ40では、得られた赤外
スペクトルの測定データをコンピュータ3に送り、前記
コンピュータ3内蔵の記憶装置に格納する。
【0028】そこで、ステップ50では、ステップ10
により決定した複数の測定点をすべての測定が終了した
かどうかを判断し、すべて終了の場合には、ステップ7
0の測定データの解析処理を行い、終了していない場合
には、ステップ60の次の測定準備処理を行う。
【0029】そして、ステップ60では、次の測定の準
備として、コンピュータ3より次の順番の測定点を求
め、測定位置などのデータを記憶装置から読み出す。
【0030】最後に、ステップ70では、コンピュータ
3により、各測定点での赤外スペクトルのデータ解析お
よび分析を行い、各測定試料面における薄膜の不均一
性、および不純物の分布結果を評価する。
【0031】従って、本実施例の薄膜膜質評価方法によ
れば、基板上に生成した薄膜膜質をコンピュータ3によ
り自動的に解析および分析し、薄膜の不均一性、および
不純物の混入などを評価することができる。
【0032】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0033】たとえば、本実施例の薄膜膜質評価装置に
ついては、コンピュータ3およびステージ制御部4の制
御により自動的に赤外顕微鏡試料ステージ1を移動する
場合について説明したが、本発明は前記実施例に限定さ
れるものではなく、手動によりウエハ面内の任意の点で
の赤外スペクトルを測定し、解析を行い、グラフ用紙等
にこれらの強度をプロットし、薄膜の評価をする場合に
ついても広く適用可能である。
【0034】また、赤外顕微鏡試料ステージ1について
は、8インチの径を持つウエハが測定できるような大き
さと説明したがこれに限定されるものではなく、8イン
チよりも大きなウエハ、または、8インチより小さなウ
エハを測定できる赤外顕微鏡試料ステージ1についても
広く適用可能である。
【0035】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【0036】すなわち、従来、手動により位置を定めて
いるために、各試料において、同一位置での設定は微妙
な調節が必要であったが、顕微鏡ステージをコンピュー
タ制御により移動することにより、微妙な位置の調節が
可能となり、測定点を一定に定めることができ、他の試
料との比較が容易になる。
【0037】また、人手による解析作業ではなく、コン
ピュータによるデータ処理のため、解析時間を短縮する
ことができる。
【0038】さらに、赤外スペクトルは、1回の測定で
多くの情報が得られるため、1回の赤外スペクトル情報
をコンピュータの記憶装置に格納することで、種々の不
純物を繰り返し解析できるため、測定および解析時間の
短縮が図られる。
【0039】この結果、薄膜膜質の均一化、歩留まりの
向上、および品質の向上が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例である薄膜膜質評価装置を示
す概念図である。
【図2】本発明の一実施例である薄膜膜質評価方法を示
すフローチャート図である。
【符号の説明】
1 赤外顕微鏡試料ステージ 2 フーリエ変換赤外分光光度計 3 コンピュータ 4 ステージ制御部 5 X軸駆動モータ 6 Y軸駆動モータ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 フーリエ変換赤外分光光度計および赤外
    顕微鏡を用いるウエハの薄膜膜質評価方法であって、顕
    微鏡ステージを駆動系でコンピュータ制御により任意の
    点に移動させ、フーリエ変換赤外分光光度計により移動
    した点における薄膜の赤外スペクトルを測定し、コンピ
    ュータにより任意の点における赤外スペクトルを記憶
    し、試料面内の物質の分布を解析して表示し、前記駆動
    系とフーリエ変換赤外分光光度計との連動により自動的
    に半導体ウエハ上に生成した薄膜膜質を解析することを
    特徴とする薄膜膜質評価方法。
  2. 【請求項2】 フーリエ変換赤外分光光度計と、赤外顕
    微鏡とを用い、手動により顕微鏡ステージをウエハ面内
    の任意の点に移動して、薄膜膜質の赤外スペクトルを測
    定し、解析を行い、前記赤外スペクトルの示す物質を評
    価することを特徴とする薄膜膜質評価方法。
  3. 【請求項3】 半導体ウエハの面内の移動した点におけ
    る薄膜の赤外スペクトルを得るフーリエ変換赤外分光光
    度計と、コンピュータ制御により顕微鏡ステージを任意
    の点に移動する赤外顕微鏡と、薄膜の任意の点における
    赤外スペクトルを記憶し、薄膜面内の物質の分布を表示
    するコンピュータとからなることを特徴とする薄膜膜質
    評価装置。
JP33082692A 1992-12-11 1992-12-11 薄膜膜質評価方法および装置 Pending JPH06174637A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33082692A JPH06174637A (ja) 1992-12-11 1992-12-11 薄膜膜質評価方法および装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33082692A JPH06174637A (ja) 1992-12-11 1992-12-11 薄膜膜質評価方法および装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06174637A true JPH06174637A (ja) 1994-06-24

Family

ID=18236979

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33082692A Pending JPH06174637A (ja) 1992-12-11 1992-12-11 薄膜膜質評価方法および装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06174637A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1989002265A1 (en) * 1987-09-07 1989-03-23 Teijin Limited Medicine-containing fat emulsion of the type prepared immediately before use and process for preparing medicine-containing fat emulsion
JP2001091854A (ja) * 1999-09-21 2001-04-06 Jasco Corp 簡易操作顕微装置
US10641659B2 (en) * 2018-08-14 2020-05-05 Shimadzu Corporation Infrared microscope with adjustable connection optical system

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1989002265A1 (en) * 1987-09-07 1989-03-23 Teijin Limited Medicine-containing fat emulsion of the type prepared immediately before use and process for preparing medicine-containing fat emulsion
JP2001091854A (ja) * 1999-09-21 2001-04-06 Jasco Corp 簡易操作顕微装置
US10641659B2 (en) * 2018-08-14 2020-05-05 Shimadzu Corporation Infrared microscope with adjustable connection optical system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5381228A (en) Rapid estimation of the oxygen permeation rate of a thin film on a plastic container
US7327444B2 (en) Substrate inspection apparatus and method
US7522294B2 (en) Measuring a process parameter of a semiconductor fabrication process using optical metrology
US5924058A (en) Permanently mounted reference sample for a substrate measurement tool
US7239737B2 (en) User interface for quantifying wafer non-uniformities and graphically explore significance
CN111578852A (zh) 一种外延片厚度测量方法及测量***
CN110718478A (zh) 晶圆薄膜量测方法及装置
JPS6334975B2 (ja)
JPH06174637A (ja) 薄膜膜質評価方法および装置
TW499724B (en) System for dynamically monitoring the stability of machine process
CN114384017A (zh) 一种基于椭偏仪的光谱匹配校准方法
JPH0749305A (ja) シリコン単結晶中の格子間型酸素濃度測定装置および測定方法
US6122064A (en) Method for measuring thickness of films
JPH05273122A (ja) シリコン結晶中不純物の赤外吸収測定方法
US6373576B1 (en) Method for measuring concentrations of dopants in a liquid carrier on a wafer surface
Erman et al. Spatially resolved ellipsometry for semiconductor process control: Application to GaInAs MIS structures
CN110793987B (zh) 一种测试方法及装置
JPH11330187A (ja) インプロセス薄膜分析装置
Solomon et al. Advanced process control in semiconductor manufacturing
JPH106191A (ja) 基板研削システム
JPH06221841A (ja) 積層体の膜評価法及びこれを用いた膜評価装置及び薄膜製造装置
JP4043660B2 (ja) 化合物半導体ウェハに含まれる特定元素の組成比のマッピング装置
KR100499093B1 (ko) 웨이퍼 분석용 시편 제작 장치 및 그 제작 방법
JPH0280940A (ja) 膜質評価装置
JPH10221277A (ja) 電子プローブマイクロアナライザ