JPH0280940A - 膜質評価装置 - Google Patents
膜質評価装置Info
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- JPH0280940A JPH0280940A JP63232399A JP23239988A JPH0280940A JP H0280940 A JPH0280940 A JP H0280940A JP 63232399 A JP63232399 A JP 63232399A JP 23239988 A JP23239988 A JP 23239988A JP H0280940 A JPH0280940 A JP H0280940A
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- silicon oxide
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- oxide film
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/8422—Investigating thin films, e.g. matrix isolation method
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、LSI製造プロセスの酸化けい素膜形成プロ
セスに係り、特に酸化けい素膜の膜質評価装置に関する
。
セスに係り、特に酸化けい素膜の膜質評価装置に関する
。
従来の赤外分光分析装置による半導体等の薄膜の測定方
法は、赤外光を該薄膜に対して垂直に入射させ透過した
赤外光から赤外吸収スペクトルを測定し、1040 c
m ”〜1090ロー1に吸収のあるSl−〇伸縮振動
の吸収スペクトルにより膜質を評価していた。
法は、赤外光を該薄膜に対して垂直に入射させ透過した
赤外光から赤外吸収スペクトルを測定し、1040 c
m ”〜1090ロー1に吸収のあるSl−〇伸縮振動
の吸収スペクトルにより膜質を評価していた。
なお、この種の関連技術としては「赤外、ラー?ン分光
法、ぶんせき 1987.2 p74〜79」に記載が
ある。
法、ぶんせき 1987.2 p74〜79」に記載が
ある。
上記従来技術は、51−0伸縮振動の吸収スペクトルの
波数シフトにより酸化けい素(SiOx )膜のけい素
(Sl)と酸素(Ox)の結合状態を評価を行っている
が、耐湿性や密度等の評価を行うことは困難であった。
波数シフトにより酸化けい素(SiOx )膜のけい素
(Sl)と酸素(Ox)の結合状態を評価を行っている
が、耐湿性や密度等の評価を行うことは困難であった。
本発明の目的は、耐湿性等の評価も行なえる膜質評価装
置を提供することにある。
置を提供することにある。
上記目的は、酸化けい素膜への赤外光の入射角を傾斜さ
せて赤外吸収スペクトルを測定することで達成される。
せて赤外吸収スペクトルを測定することで達成される。
酸化けい素膜への赤外光の入射角を傾斜させて赤外吸収
スペクトルを測定することにより、酸化けい素膜中の未
結合状態のけい素(Si)と酸素(0)の吸収スペクト
ルが得られる。この未結合状態の北と0の膜中での残留
量を測定することにより酸化けい素膜の耐湿性や密度等
が評価できることがわかった。
スペクトルを測定することにより、酸化けい素膜中の未
結合状態のけい素(Si)と酸素(0)の吸収スペクト
ルが得られる。この未結合状態の北と0の膜中での残留
量を測定することにより酸化けい素膜の耐湿性や密度等
が評価できることがわかった。
そこで、赤外光の試料への入射角を任意の角度に調整で
きる機構と未結合状態のSiとOの吸収スペクトル強度
の変化を処理するデータ処理系を組み合せることにより
未結合状態のSlと0の残留量の測定が可能となり、耐
湿性等の膜質訂価ができる。
きる機構と未結合状態のSiとOの吸収スペクトル強度
の変化を処理するデータ処理系を組み合せることにより
未結合状態のSlと0の残留量の測定が可能となり、耐
湿性等の膜質訂価ができる。
層下、本発明の一実施例を第1図により説明する。
赤外光の光源1よシ放射され念赤外元2は波長スキャン
機構(フーリエ変換赤外9J光法)6により分光され試
料4に入射される。透過i、、、 g〜元2′は赤外線
検出器7により検出され電気信号8に変換された後デー
タ処理装置により赤外吸収スペクトルとして出力される
。試料固定治具5は駆動用モータ6によシ赤外光2と平
行の位置から垂直の位[で可動するようになっており、
その可動範囲はデータ処理装置10により制御され、赤
外光2の試料4への入射角を0〜90°に変化させるこ
とができる。
機構(フーリエ変換赤外9J光法)6により分光され試
料4に入射される。透過i、、、 g〜元2′は赤外線
検出器7により検出され電気信号8に変換された後デー
タ処理装置により赤外吸収スペクトルとして出力される
。試料固定治具5は駆動用モータ6によシ赤外光2と平
行の位置から垂直の位[で可動するようになっており、
その可動範囲はデータ処理装置10により制御され、赤
外光2の試料4への入射角を0〜90°に変化させるこ
とができる。
第2図及び第5図に耐湿性の良いSiOx膜と耐湿性の
悪いSiOx膜について、赤外光2の試料5への入射角
を傾斜させた場合と通常の垂直に入射させた場合につい
ての赤外吸収スペクトルを示す。
悪いSiOx膜について、赤外光2の試料5への入射角
を傾斜させた場合と通常の垂直に入射させた場合につい
ての赤外吸収スペクトルを示す。
両スペクトルに共通の1040crn’の吸収スペクト
ルはSl−〇伸縮振動の吸収ピークであり、1240
cm−’の吸収ピークは赤外光の入射角を傾斜させ念場
合のみ現われる51−0の吸収ピークである。赤外光の
試料への入射角を垂直にし之場合では耐湿性の良い膜と
悪い膜のちがいを判断することは困難であるが、赤外光
の入射角を傾斜させ次場合には1105α−1の吸収強
度にちがいが現われている。この1105α の吸収は
、SiOx膜中の未結合状態の5i−0の吸収であると
考えられている。このことから、赤外光の試料−1の入
射角を変化させ吸収スペクトルを測定することによシ、
SiOx膜の耐湿性を評価できる。
ルはSl−〇伸縮振動の吸収ピークであり、1240
cm−’の吸収ピークは赤外光の入射角を傾斜させ念場
合のみ現われる51−0の吸収ピークである。赤外光の
試料への入射角を垂直にし之場合では耐湿性の良い膜と
悪い膜のちがいを判断することは困難であるが、赤外光
の入射角を傾斜させ次場合には1105α−1の吸収強
度にちがいが現われている。この1105α の吸収は
、SiOx膜中の未結合状態の5i−0の吸収であると
考えられている。このことから、赤外光の試料−1の入
射角を変化させ吸収スペクトルを測定することによシ、
SiOx膜の耐湿性を評価できる。
本発明によれば、酸化けい素膜の耐湿性を迅速に評価で
きるので、LSI製造プロセスの信頼性に効果がある。
きるので、LSI製造プロセスの信頼性に効果がある。
第1図は本発明の一実施例の構成図、
第2図及び第3図は、耐湿性の良いSiOx膜と耐湿性
の悪いSiOx膜の赤外吸収スペクトル図である。 1・・・・・・赤外光の光源、 2・・・・・・赤外光。 5・・・・・・試料固定治具、 6・・・・・・駆動用モータ、 7・・・・・・検出器、 10・・・・・・データ処理装置。 代理人 弁理士 小川勝男(、゛ 第 111¥1 1、、、 、f外光q先以歌5・・・かA固定治具2・
・・春ヅト )C,6・・・、傅■力用モ、−フ4・・
・試料 7・・・械已易 10・・・テーフヌΦI’i扁丈)1 第20 第3図 面丁温ト土の良いハ火 Uj並・)Lσフ1シ(、し団U (crn−’) ζCM−つ
の悪いSiOx膜の赤外吸収スペクトル図である。 1・・・・・・赤外光の光源、 2・・・・・・赤外光。 5・・・・・・試料固定治具、 6・・・・・・駆動用モータ、 7・・・・・・検出器、 10・・・・・・データ処理装置。 代理人 弁理士 小川勝男(、゛ 第 111¥1 1、、、 、f外光q先以歌5・・・かA固定治具2・
・・春ヅト )C,6・・・、傅■力用モ、−フ4・・
・試料 7・・・械已易 10・・・テーフヌΦI’i扁丈)1 第20 第3図 面丁温ト土の良いハ火 Uj並・)Lσフ1シ(、し団U (crn−’) ζCM−つ
Claims (1)
- 1、赤外光を用いて基板上に堆積した酸化けい素(Si
O_x)膜の膜質評価を行う装置において、該酸化けい
素膜に入射させる赤外光の入射角度を任意に変化させる
機構を設け、赤外光の入射角度の変化に伴なう特定波長
の赤外吸収強度の変化を検出することにより、該酸化け
い素膜の膜質評価を行うことを特徴とした膜質評価装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63232399A JPH0280940A (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 膜質評価装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63232399A JPH0280940A (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 膜質評価装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0280940A true JPH0280940A (ja) | 1990-03-22 |
Family
ID=16938635
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63232399A Pending JPH0280940A (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 膜質評価装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0280940A (ja) |
-
1988
- 1988-09-19 JP JP63232399A patent/JPH0280940A/ja active Pending
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