JPH06152299A - 弾性表面波デバイス - Google Patents
弾性表面波デバイスInfo
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- JPH06152299A JPH06152299A JP29892192A JP29892192A JPH06152299A JP H06152299 A JPH06152299 A JP H06152299A JP 29892192 A JP29892192 A JP 29892192A JP 29892192 A JP29892192 A JP 29892192A JP H06152299 A JPH06152299 A JP H06152299A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 自動車電話及び携帯電話等の小型移動無線機
器のＲＦ（高周波）信号処理に適用しうる弾性表面波デ
バイスに関し、所望とする周波数特性を得ることを目的
とする。 【構成】 直列共振器１２の櫛形電極１２ａの周期を電
子線露光装置でバラツキなく形成できる値（2.8 μm ）
で形成し、保護膜１２ｂの膜厚を並列共振器１３の保護
膜１３ｂの膜厚（２０００Å）とは異なる値（１１７０
Å）で形成し、直列共振器１２の共振周波数を並列共振
器１３の***振周波数に一致させて、バンドパスフィル
タ特性を得る。
器のＲＦ（高周波）信号処理に適用しうる弾性表面波デ
バイスに関し、所望とする周波数特性を得ることを目的
とする。 【構成】 直列共振器１２の櫛形電極１２ａの周期を電
子線露光装置でバラツキなく形成できる値（2.8 μm ）
で形成し、保護膜１２ｂの膜厚を並列共振器１３の保護
膜１３ｂの膜厚（２０００Å）とは異なる値（１１７０
Å）で形成し、直列共振器１２の共振周波数を並列共振
器１３の***振周波数に一致させて、バンドパスフィル
タ特性を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は弾性表面波デバイスの製
造方法に係り、特に自動車電話及び携帯電話などの小型
移動無線機器のＲＦ（高周波）信号処理に適用しうる弾
性表面波デバイスの製造方法に関する。
造方法に係り、特に自動車電話及び携帯電話などの小型
移動無線機器のＲＦ（高周波）信号処理に適用しうる弾
性表面波デバイスの製造方法に関する。
【０００２】弾性表面波を利用したフィルタや共振器等
の弾性表面波デバイスは小型、安価といった特長があ
る。そのため携帯電話等の通信機器の小型化には不可欠
なものであり、その開発が進んでいる。
の弾性表面波デバイスは小型、安価といった特長があ
る。そのため携帯電話等の通信機器の小型化には不可欠
なものであり、その開発が進んでいる。
【０００３】
【従来の技術】図７は弾性表面波フィルタ１の等価回路
図を示す。このフィルタ１は、直列腕２及び並列腕４夫
々に一端子弾性表面波共振器３を配置した構成である。
図を示す。このフィルタ１は、直列腕２及び並列腕４夫
々に一端子弾性表面波共振器３を配置した構成である。
【０００４】図８は一端子弾性表面波共振器３を説明す
るための図を示す。
るための図を示す。
【０００５】一端子対弾性表面波共振器は圧電基板上に
図８（Ａ）に示されるような櫛形電極３ａ，５ａを形成
して構成される。
図８（Ａ）に示されるような櫛形電極３ａ，５ａを形成
して構成される。
【０００６】同図中、３ａ-1，５ａ-1は電極対で、３ａ
-2，５ａ-2は開口長、３ａ-3，５ａ-3は櫛形電極周期で
ある。
-2，５ａ-2は開口長、３ａ-3，５ａ-3は櫛形電極周期で
ある。
【０００７】この櫛形電極は抵抗分を無視すると一般に
図８（Ｂ）に示されるような等価回路で表される。ここ
にＣ0 は櫛形電極の静電容量，Ｃ1 ，Ｌ1 は等価定数で
ある。
図８（Ｂ）に示されるような等価回路で表される。ここ
にＣ0 は櫛形電極の静電容量，Ｃ1 ，Ｌ1 は等価定数で
ある。
【０００８】この等価回路は一般に図８（Ｃ）に示す記
号で表わされている。
号で表わされている。
【０００９】図９（Ａ），（Ｂ）は夫々櫛形電極を図８
（ｂ）のような等価回路で表した時のインピーダンス及
びアドミタンスの周波数依存性を定性的に示す。
（ｂ）のような等価回路で表した時のインピーダンス及
びアドミタンスの周波数依存性を定性的に示す。
【００１０】同図の特性は水晶による共振器と同様に２
つの共振周波数ｆｒ，ｆａをもつ２重共振特性となる。
このとき、ｆｒは共振周波数、ｆａは***振周波数と呼
ばれる。図１０に弾性表面波フィルタの周波数特性図を
示す。図１０（Ａ）に示すように２重共振特性をもつ共
振器をそれぞれ直列腕及び並列腕に配置し、さらに並列
腕の***振周波数ｆａｐを直列腕の共振周波数ｆｒｓに
略一致させると、図１０（Ｂ）に示すようにそれを中心
周波数とするバンドパス型のフィルタ特性を示す回路を
構成できる。その理由は、本出願人が先に出願した特願
平３−２８１６９４号に示されているので、その説明は
省略する。
つの共振周波数ｆｒ，ｆａをもつ２重共振特性となる。
このとき、ｆｒは共振周波数、ｆａは***振周波数と呼
ばれる。図１０に弾性表面波フィルタの周波数特性図を
示す。図１０（Ａ）に示すように２重共振特性をもつ共
振器をそれぞれ直列腕及び並列腕に配置し、さらに並列
腕の***振周波数ｆａｐを直列腕の共振周波数ｆｒｓに
略一致させると、図１０（Ｂ）に示すようにそれを中心
周波数とするバンドパス型のフィルタ特性を示す回路を
構成できる。その理由は、本出願人が先に出願した特願
平３−２８１６９４号に示されているので、その説明は
省略する。
【００１１】以上のように、図７に示す構成の弾性表面
波フィルタ１は、図１０（Ｂ）中線６で示すバンドパス
フィルタ特性を定性的に有することになる。
波フィルタ１は、図１０（Ｂ）中線６で示すバンドパス
フィルタ特性を定性的に有することになる。
【００１２】従来、この種の弾性表面波フィルタ１では
直列共振器と並列共振器とは櫛形電極の膜厚及び保護膜
の膜厚は同一で直列共振器の共振点と並列共振器の共振
点との一致は櫛形電極の周期を異ならせることにより行
っていた。
直列共振器と並列共振器とは櫛形電極の膜厚及び保護膜
の膜厚は同一で直列共振器の共振点と並列共振器の共振
点との一致は櫛形電極の周期を異ならせることにより行
っていた。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来のこの
種の弾性表面波デバイスでは櫛形電極膜厚、保護膜の膜
厚をある条件のもとで適当に決定し、一定としておき、
共振器の共振周波数、***振周波数等の周波数特性の微
調整は櫛形電極の周期により行っていた。
種の弾性表面波デバイスでは櫛形電極膜厚、保護膜の膜
厚をある条件のもとで適当に決定し、一定としておき、
共振器の共振周波数、***振周波数等の周波数特性の微
調整は櫛形電極の周期により行っていた。
【００１４】フィルタを例とすると、圧電基板として３
６°Ｙcut-Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3 を用い、櫛形電極膜にＡ
ｌアルミニウムを膜厚２０００Å成膜するとした場合
に、中心周波数1.5 ＧＨｚのバンドパスフィルタを形成
する場合、直列共振器の周期λｓは2.7 μm ，並列共振
器の周期λｐは2.8 μm に設定する必要がある。このフ
ィルタを製作する場合、現在一般的である縮小露光法が
用いられる。この縮小露光法により櫛形電極のパターン
を形成すると、周期の略1/4 が線幅となるように設定さ
れているため、縮小率が1/5 のときマスク上での櫛形電
極の一電極指の線幅は 直列共振器 2.7 ÷４×５＝3.375 μm 並列共振器 2.8 ÷４×５＝3.5 μm となる。
６°Ｙcut-Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3 を用い、櫛形電極膜にＡ
ｌアルミニウムを膜厚２０００Å成膜するとした場合
に、中心周波数1.5 ＧＨｚのバンドパスフィルタを形成
する場合、直列共振器の周期λｓは2.7 μm ，並列共振
器の周期λｐは2.8 μm に設定する必要がある。このフ
ィルタを製作する場合、現在一般的である縮小露光法が
用いられる。この縮小露光法により櫛形電極のパターン
を形成すると、周期の略1/4 が線幅となるように設定さ
れているため、縮小率が1/5 のときマスク上での櫛形電
極の一電極指の線幅は 直列共振器 2.7 ÷４×５＝3.375 μm 並列共振器 2.8 ÷４×５＝3.5 μm となる。
【００１５】縮小露光用のマスクは一般に電子線露光に
より製作され、電子線の径によりマスクの最小線幅が決
定される。現在、電子線の径として量産性が有り、かつ
最小の大きさは0.1 μm である。これを用いた場合、マ
スク上で直列共振器の電極指の幅は3.375 μm である
が、0.1 μm 以下は表現できないため、実際は3.4 μm
と3.3 μm のものが或る周期ごとに描かれる。これは、
分解能以下の数値が丸められたためで、この丸め誤差に
より櫛形電極の電極指の線幅がまちまちになり共振器の
Ｑ値の低下を及ぼす。図に同じ設計で、電子線ビーム径
0.1 μm 及び0.25μm のマスクを用いたときの弾性表面
波共振器のＱ値を示す。図に示すように丸め誤差の大き
い0.25μm のマスクを用いたほうがＱ値が悪化する。こ
れは、フィルタ特性の立ち上がり特性や立ち下がり特性
の悪化を招く原因となる。また、フィルタの帯域幅の調
整は直列共振器の周期λｓと並列共振器の周期λｐとの
差Δλ Δλ＝λｐ−λｓ により行われる。従って、Δλを電子線ビーム径以下で
調整する必要がある場合があるが、現状ではそれに対応
することができず、所望のフィルタ特性が得られない等
の問題点もあった。
より製作され、電子線の径によりマスクの最小線幅が決
定される。現在、電子線の径として量産性が有り、かつ
最小の大きさは0.1 μm である。これを用いた場合、マ
スク上で直列共振器の電極指の幅は3.375 μm である
が、0.1 μm 以下は表現できないため、実際は3.4 μm
と3.3 μm のものが或る周期ごとに描かれる。これは、
分解能以下の数値が丸められたためで、この丸め誤差に
より櫛形電極の電極指の線幅がまちまちになり共振器の
Ｑ値の低下を及ぼす。図に同じ設計で、電子線ビーム径
0.1 μm 及び0.25μm のマスクを用いたときの弾性表面
波共振器のＱ値を示す。図に示すように丸め誤差の大き
い0.25μm のマスクを用いたほうがＱ値が悪化する。こ
れは、フィルタ特性の立ち上がり特性や立ち下がり特性
の悪化を招く原因となる。また、フィルタの帯域幅の調
整は直列共振器の周期λｓと並列共振器の周期λｐとの
差Δλ Δλ＝λｐ−λｓ により行われる。従って、Δλを電子線ビーム径以下で
調整する必要がある場合があるが、現状ではそれに対応
することができず、所望のフィルタ特性が得られない等
の問題点もあった。
【００１６】本発明は上記の点に鑑みてなされたもの
で、所望とする周波数特性が得られる弾性表面波デバイ
スを提供することを目的とする。
で、所望とする周波数特性が得られる弾性表面波デバイ
スを提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明は基板上に所望の
周波数特性に応じたピッチの櫛形電極膜を形成し、該基
板の櫛形電極膜形成面上に櫛形電極膜を保護する保護膜
を形成してなる弾性表面波デバイスにおいて、前記保護
膜の膜厚を周波数特性の、前記所望の周波数特性からの
ずれに応じて変化される構成としてなる。
周波数特性に応じたピッチの櫛形電極膜を形成し、該基
板の櫛形電極膜形成面上に櫛形電極膜を保護する保護膜
を形成してなる弾性表面波デバイスにおいて、前記保護
膜の膜厚を周波数特性の、前記所望の周波数特性からの
ずれに応じて変化される構成としてなる。
【００１８】
【作用】圧電基板上に櫛形電極を形成し、その上部に保
護膜を形成した弾性表面波デバイスでは櫛形電極及び保
護膜の膜厚に応じて周波数特性が変化することが知られ
ている。
護膜を形成した弾性表面波デバイスでは櫛形電極及び保
護膜の膜厚に応じて周波数特性が変化することが知られ
ている。
【００１９】櫛形電極の周期λは弾性表面波共振器の共
振周波数をｆ0 ，圧電基板の音速をＶ，とすると、一般
に、 λ＝Ｖ／ｆ0 の関係が成り立つ。音速Ｖは圧電基板上の櫛形電極膜及
び保護膜の膜厚により影響を受け、膜厚が厚くなると音
速が遅くなり、薄くなると音速が速くなる。これを質量
効果という。
振周波数をｆ0 ，圧電基板の音速をＶ，とすると、一般
に、 λ＝Ｖ／ｆ0 の関係が成り立つ。音速Ｖは圧電基板上の櫛形電極膜及
び保護膜の膜厚により影響を受け、膜厚が厚くなると音
速が遅くなり、薄くなると音速が速くなる。これを質量
効果という。
【００２０】膜厚により音速Ｖが変化し、櫛形電極の周
期λが一定の場合、この音速Ｖの変化により共振周波数
ｆ0 が変化することになる。つまり櫛形電極及び保護膜
の膜厚により共振周波数ｆ0 が変化することになる。本
発明では前記の原理を用いて、保護膜の膜厚を制御する
ことにより周波数特性を調整し、所望の周波数特性を得
ている。このため、櫛形電極のピッチを所望の周波数特
性に近似した所定の値に設定することができる。従っ
て、櫛形電極を高いＱ値が得られる条件で形成すること
ができる。これにより、角型比の優れたフィルタ特性が
得られる。
期λが一定の場合、この音速Ｖの変化により共振周波数
ｆ0 が変化することになる。つまり櫛形電極及び保護膜
の膜厚により共振周波数ｆ0 が変化することになる。本
発明では前記の原理を用いて、保護膜の膜厚を制御する
ことにより周波数特性を調整し、所望の周波数特性を得
ている。このため、櫛形電極のピッチを所望の周波数特
性に近似した所定の値に設定することができる。従っ
て、櫛形電極を高いＱ値が得られる条件で形成すること
ができる。これにより、角型比の優れたフィルタ特性が
得られる。
【００２１】
【実施例】図１は本発明の第１実施例の概略構成図を示
す。同図中、１１は圧電基板を示す。圧電基板１１は例
えば、３６°Ｙcut-Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3 よりなる。圧電
基板１１上には直列１端子対弾性表面波共振器１２を構
成する櫛形電極１２ａ及び並列１端子対弾性表面波共振
器１３を構成する櫛形電極１３ａが形成される。櫛形電
極１２ａ，１３ａはＡｌ（アルミニウム）等の導電材料
よりなり共に2.8 μm のピッチで、１０００Åの膜厚に
成膜される。櫛形電極１２ａの一端は入力端子ＴINと接
続され、他端は櫛形電極１３ａと接続される。櫛形電極
１３ａの他端はアース端子Ｔｅと接続され、櫛形電極１
２ａと櫛形電極１３ａとの接続点は出力端子ＴOUT に接
続される。以上の接続により図と同様な等価回路が形成
され、弾性表面波フィルタが構成される。
す。同図中、１１は圧電基板を示す。圧電基板１１は例
えば、３６°Ｙcut-Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3 よりなる。圧電
基板１１上には直列１端子対弾性表面波共振器１２を構
成する櫛形電極１２ａ及び並列１端子対弾性表面波共振
器１３を構成する櫛形電極１３ａが形成される。櫛形電
極１２ａ，１３ａはＡｌ（アルミニウム）等の導電材料
よりなり共に2.8 μm のピッチで、１０００Åの膜厚に
成膜される。櫛形電極１２ａの一端は入力端子ＴINと接
続され、他端は櫛形電極１３ａと接続される。櫛形電極
１３ａの他端はアース端子Ｔｅと接続され、櫛形電極１
２ａと櫛形電極１３ａとの接続点は出力端子ＴOUT に接
続される。以上の接続により図と同様な等価回路が形成
され、弾性表面波フィルタが構成される。
【００２２】直列共振器１２を構成する櫛形電極１２ａ
及び並列共振器１３を構成する櫛形電極１３ａ上にはＳ
ｉＯ2 （酸化硅素）等の絶縁材料よりなる保護膜１２
ｂ，１３ｂが形成される。以上の構成の共振器１２，１
３では実験の結果保護膜による共振周波数の変化は共振
器の周波数によって異なるが、1.5 ＧＨｚ付近では1.2
ＭＨｚ／１００Åである。そこで、直列共振器１２を構
成する櫛形電極１２ａ上に形成される保護膜１２ｂは膜
厚１１７０Å，並列共振器１３を構成する櫛形電極１３
ａ上に形成される保護膜１３ｂは膜厚２０００Åに設定
し、膜厚に８３０Åの差を付けることにより共振周波数
を変移させ、図１０（Ａ）で説明したように直列共振器
１２の共振点と並列共振器１３の***振点とを略一致さ
せ、バンドパスフィルタ特性を得ている。
及び並列共振器１３を構成する櫛形電極１３ａ上にはＳ
ｉＯ2 （酸化硅素）等の絶縁材料よりなる保護膜１２
ｂ，１３ｂが形成される。以上の構成の共振器１２，１
３では実験の結果保護膜による共振周波数の変化は共振
器の周波数によって異なるが、1.5 ＧＨｚ付近では1.2
ＭＨｚ／１００Åである。そこで、直列共振器１２を構
成する櫛形電極１２ａ上に形成される保護膜１２ｂは膜
厚１１７０Å，並列共振器１３を構成する櫛形電極１３
ａ上に形成される保護膜１３ｂは膜厚２０００Åに設定
し、膜厚に８３０Åの差を付けることにより共振周波数
を変移させ、図１０（Ａ）で説明したように直列共振器
１２の共振点と並列共振器１３の***振点とを略一致さ
せ、バンドパスフィルタ特性を得ている。
【００２３】次に保護膜１２ｂ，１３ｂの形成方法を説
明する。図２に保護膜１２ｂ，１３ｂの形成工程図を示
す。圧電基板１１上に櫛形電極１２ａ，１３ａを形成し
た後、まず、図２（ａ）に示すように圧電基板１１の全
面にスパッタリング等によりＳｉＯ2 よりなる保護膜１
２ｂ-1，１３ｂ-1を形成する。
明する。図２に保護膜１２ｂ，１３ｂの形成工程図を示
す。圧電基板１１上に櫛形電極１２ａ，１３ａを形成し
た後、まず、図２（ａ）に示すように圧電基板１１の全
面にスパッタリング等によりＳｉＯ2 よりなる保護膜１
２ｂ-1，１３ｂ-1を形成する。
【００２４】次に図２（ｂ）に示すように、直列共振器
１２に対応した部分の保護膜１２ｂ-1，１３ｂ-1上にレ
ジストパターン１４を形成する。
１２に対応した部分の保護膜１２ｂ-1，１３ｂ-1上にレ
ジストパターン１４を形成する。
【００２５】レジストパターン１４形成後、図２（ｃ）
に示すように全面にスパッタリング等によりＳｉＯ2 よ
りなる保護膜１２ｂ-2，１３ｂ-2を８３０Å形成する。
に示すように全面にスパッタリング等によりＳｉＯ2 よ
りなる保護膜１２ｂ-2，１３ｂ-2を８３０Å形成する。
【００２６】次にレジストパターン１４をアセトン等で
除去することにより直列共振器１２上部に形成された保
護膜１２ｂ-2をリフトオフする。
除去することにより直列共振器１２上部に形成された保
護膜１２ｂ-2をリフトオフする。
【００２７】以上の工程により図２（ｄ）に示すように
直列共振器１２上には初めに形成した膜厚１１７０Åの
保護膜１２ｂ-1が残り、膜厚１１７０Åの保護膜１２ｂ
が形成され、並列共振器１３上には膜厚１１７０Åの保
護膜１３ｂ-1に膜厚８３０Åの保護膜１３ｂ-2を加えた
膜厚２０００Åの保護膜１３ｂが形成される。
直列共振器１２上には初めに形成した膜厚１１７０Åの
保護膜１２ｂ-1が残り、膜厚１１７０Åの保護膜１２ｂ
が形成され、並列共振器１３上には膜厚１１７０Åの保
護膜１３ｂ-1に膜厚８３０Åの保護膜１３ｂ-2を加えた
膜厚２０００Åの保護膜１３ｂが形成される。
【００２８】以上のように直列共振器１２の櫛形電極１
２ａの周期を電子線露光装置でバラツキなく形成できる
値（2.8 μm ）に設定し、保護膜１２ｂの膜厚を制御す
ることにより所望の共振周波数を得る構成とすることに
より、櫛形電極１２ａの周期にバラツキがないため、直
列共振器１２のＱ値を向上させることができ、従って、
フィルタ特性の角型比を向上させることができる。つま
り、立ち上がり、立ち下がりが急峻な特性が得られる。
２ａの周期を電子線露光装置でバラツキなく形成できる
値（2.8 μm ）に設定し、保護膜１２ｂの膜厚を制御す
ることにより所望の共振周波数を得る構成とすることに
より、櫛形電極１２ａの周期にバラツキがないため、直
列共振器１２のＱ値を向上させることができ、従って、
フィルタ特性の角型比を向上させることができる。つま
り、立ち上がり、立ち下がりが急峻な特性が得られる。
【００２９】図３に本実施例の周波数特性図を示す。同
図中、実線は本実施例の特性、破線は従来の特性を示
す。図に示すように実線に示す本実施例の特性は破線で
示す従来の特性に比べ、その立ち上がり及び立ち下がり
が急峻な特性となっていることがわかる。
図中、実線は本実施例の特性、破線は従来の特性を示
す。図に示すように実線に示す本実施例の特性は破線で
示す従来の特性に比べ、その立ち上がり及び立ち下がり
が急峻な特性となっていることがわかる。
【００３０】図４は本発明の第２実施例の概略構成図を
示す。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を付
し、その説明は省略する。
示す。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を付
し、その説明は省略する。
【００３１】本実施例は第１実施例において、直列共振
器１２と並列共振器１３とを異なる圧電基板１１-1，１
１-2上に形成したもので、圧電基板が独立しているため
に第１実施異に比べ簡単な工程により直列共振器１２，
並列共振器１３夫々のＱ値を向上させることができ、従
って、フィルタの角型比を向上させることができる。図
５は本発明の第３実施例の概略構成図を示す。同図中、
図１と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省
略する。
器１２と並列共振器１３とを異なる圧電基板１１-1，１
１-2上に形成したもので、圧電基板が独立しているため
に第１実施異に比べ簡単な工程により直列共振器１２，
並列共振器１３夫々のＱ値を向上させることができ、従
って、フィルタの角型比を向上させることができる。図
５は本発明の第３実施例の概略構成図を示す。同図中、
図１と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省
略する。
【００３２】本実施例では保護膜１２ｂ，１３ｂの膜厚
は２５００Å程度で直列共振器１２側と並列共振器１３
側とで一定とし、直列共振器１２を構成する櫛形電極１
２ａの膜厚と並列共振器１３を構成する櫛形電極１３ａ
の膜厚とを異ならせることにより直列共振器１２の共振
点と並列共振器１３の***振点とを一致させる。
は２５００Å程度で直列共振器１２側と並列共振器１３
側とで一定とし、直列共振器１２を構成する櫛形電極１
２ａの膜厚と並列共振器１３を構成する櫛形電極１３ａ
の膜厚とを異ならせることにより直列共振器１２の共振
点と並列共振器１３の***振点とを一致させる。
【００３３】このとき、櫛形電極１２ａ，１３ａの膜厚
による共振周波数の変化は実験的に1.5 ＧＨｚ付近では
５ＭＨｚ／１００Åとなる。本実施例では直列共振器１
２の櫛形電極１３ａの周期を2.8 μm とし、電子ビーム
によるパターン形成で、周期に乱れがなく形成できる周
期とし、膜厚を１５００Åとする。以上の設定により周
期2.7 μm ，膜厚２０００Åの共振器と同じ共振周波数
が得られる。
による共振周波数の変化は実験的に1.5 ＧＨｚ付近では
５ＭＨｚ／１００Åとなる。本実施例では直列共振器１
２の櫛形電極１３ａの周期を2.8 μm とし、電子ビーム
によるパターン形成で、周期に乱れがなく形成できる周
期とし、膜厚を１５００Åとする。以上の設定により周
期2.7 μm ，膜厚２０００Åの共振器と同じ共振周波数
が得られる。
【００３４】次に膜厚の異なる櫛形電極の形成方法につ
いて説明する。図６に櫛形電極の形成工程図を示す。
いて説明する。図６に櫛形電極の形成工程図を示す。
【００３５】まず、図６（ａ）に示すように圧電基板１
１全面に蒸着等によりＡｌ（アルミニウム）等の導電材
料よりなる導電膜１５-1を１５００Åの膜厚に形成す
る。
１全面に蒸着等によりＡｌ（アルミニウム）等の導電材
料よりなる導電膜１５-1を１５００Åの膜厚に形成す
る。
【００３６】次に、図６（ｂ）に示すように直列共振器
１３に対応する部分にレジストパターン１６を積層す
る。
１３に対応する部分にレジストパターン１６を積層す
る。
【００３７】レジストパターン１６の形成後、図６
（ｃ）に示すように再び、全面に蒸着等によりＡｌ等の
導電材料よりなる導電膜１５-2を５００Åの膜厚に形成
する。
（ｃ）に示すように再び、全面に蒸着等によりＡｌ等の
導電材料よりなる導電膜１５-2を５００Åの膜厚に形成
する。
【００３８】次に図６（ｄ）に示すようにレジストパタ
ーン１６をアセトン等により除去して、直列共振器１２
上に形成された５００Åの導電膜１５-2をリフトオフす
る。以上の工程により、直列共振器１２部分には１５０
０Åの導電膜１５-1が形成され、並列共振器１３部分に
は１５００Åの導電膜１５-1と５００Åの導電膜１５-2
とが積層された２０００Åの導電膜１５-3が形成され
る。
ーン１６をアセトン等により除去して、直列共振器１２
上に形成された５００Åの導電膜１５-2をリフトオフす
る。以上の工程により、直列共振器１２部分には１５０
０Åの導電膜１５-1が形成され、並列共振器１３部分に
は１５００Åの導電膜１５-1と５００Åの導電膜１５-2
とが積層された２０００Åの導電膜１５-3が形成され
る。
【００３９】以上の導電膜１５-2，１５-3上に櫛形レジ
ストパターン１７を形成し、エッチングすることにより
図６（ｅ）に示すように直列共振器１２側に膜厚１５０
０Åの櫛形電極１２ａ，並列共振器１３側に膜厚２００
０Åの櫛形電極１３ａが形成される。
ストパターン１７を形成し、エッチングすることにより
図６（ｅ）に示すように直列共振器１２側に膜厚１５０
０Åの櫛形電極１２ａ，並列共振器１３側に膜厚２００
０Åの櫛形電極１３ａが形成される。
【００４０】以上のような構成とすることにより第１実
施例と同様な効果が得られる。
施例と同様な効果が得られる。
【００４１】なお、本実施例では直列共振器１２及び並
列共振器１３を同一の圧電基板１１上に形成したが、第
２実施例で示した如く、別々の圧電基板１１-1，１１-2
に形成する構成としてもよい。
列共振器１３を同一の圧電基板１１上に形成したが、第
２実施例で示した如く、別々の圧電基板１１-1，１１-2
に形成する構成としてもよい。
【００４２】また、第１乃至第３実施例では保護膜の膜
厚のみ又は櫛形電極の膜厚のみを制御しているが、保護
膜の膜厚及び櫛形電極の膜厚の両方の膜厚を制御して共
振周波数を調整する構成としてもよい。
厚のみ又は櫛形電極の膜厚のみを制御しているが、保護
膜の膜厚及び櫛形電極の膜厚の両方の膜厚を制御して共
振周波数を調整する構成としてもよい。
【００４３】
【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、櫛形電極
膜のピッチを所望する周波数特性が得られないような値
に設定したとしても、保護膜の膜厚を制御することによ
り所望の周波数特性を得ることができる等の特長を有す
る。
膜のピッチを所望する周波数特性が得られないような値
に設定したとしても、保護膜の膜厚を制御することによ
り所望の周波数特性を得ることができる等の特長を有す
る。
【図１】本発明の第１実施例の概略構成図である。
【図２】本発明の第１実施例の保護膜形成工程図であ
る。
る。
【図３】本発明の第１実施例の周波数特性図である。
【図４】本発明の第２実施例の概略構成図である。
【図５】本発明の第３実施例の概略構成図である。
【図６】本発明の第３実施例の櫛形電極形成工程図であ
る。
る。
【図７】弾性表面波フィルタの等価回路図である。
【図８】１端子対弾性表面波共振器の構造とその等価回
路及びその記号を示す図である。
路及びその記号を示す図である。
【図９】１端子対弾性表面波共振器のインピーダンス及
びアドミタンスの周波数特性図である。
びアドミタンスの周波数特性図である。
【図１０】弾性表面波共振器を用いたフィルタのイミタ
ンス特性及びフィルタ特性図である。
ンス特性及びフィルタ特性図である。
【図１１】マスクの電子線ビーム径による共振器のＱ値
変化を説明するための図である。
変化を説明するための図である。
１１ 圧電基板 １２ 直列共振器 １２ａ，１３ａ 櫛形電極 １２ｂ，１３ｂ 保護膜 １３ 並列共振器
Claims (4)
- 【請求項１】 圧電基板（１１）上に所望の周波数特性
に応じたピッチの櫛形電極膜（１２ａ）を形成し、該圧
電基板（１１）の該櫛形電極膜（１２ａ）形成面上に該
櫛形電極膜（１２ａ）を保護する保護膜（１２ｂ）を形
成してなる弾性表面波デバイスにおいて、 前記保護膜（１２ｂ）の膜厚を周波数特性の前記所望の
周波数特性とのずれに応じて変化させることを特徴とす
る弾性表面波デバイス。 - 【請求項２】 圧電基板（１１）上に所望の周波数特性
に応じたピッチの櫛形電極膜（１２ａ）を形成してなる
弾性表面波デバイスの製造方法において、 前記櫛形電極膜（１２ａ）の膜厚を周波数特性の前記所
望の周波数特性からのずれに応じて変化させることを特
徴とする弾性表面波デバイス。 - 【請求項３】 圧電基板（１１）上に櫛形電極膜（１２
ａ，１３ａ）が形成され、該櫛形電極膜（１２ａ，１３
ａ）上に該櫛形電極膜（１２ａ，１３ａ）を保護する保
護膜（１２ｂ，１３ｂ）を形成してなる第１及び第２の
一端子対弾性表面波共振器（１２，１３）よりなり、該
第１の一端子対弾性表面波共振器（１２）を直列腕に、
該第２の一端子対弾性表面波共振器（１３）を並列腕に
配し、所望のフィルタ特性を得る弾性表面波デバイスに
おいて、 前記第１の共振器（１２）を構成する前記櫛形電極膜
（１２ａ）上の前記保護膜（１２ｂ）の膜厚と、前記第
２の共振器（１３）を構成する前記櫛形電極膜（１３
ａ）上の前記保護膜（１３ｂ）の膜厚とを前記所望のフ
ィルタ特性に応じて異ならせることを特徴とする弾性表
面波デバイス。 - 【請求項４】 圧電基板（１１）上に櫛形電極膜（１２
ａ，１３ａ）を形成してなる第１及び第２の一端子対弾
性表面波共振器（１２，１３）よりなり、該第１の一端
子対弾性表面波共振器（１２）を直列腕に、該第２の一
端子対弾性表面波共振器（１３）を並列腕に配し、所望
のフィルタ特性を得る弾性表面波デバイスにおいて、 前記第１の共振器（１２）を構成する前記櫛形電極膜
（１２ａ）の膜厚を、前記第２の共振器（１３）を構成
する前記櫛形電極膜（１３ａ）の膜厚より薄く、前記所
望のフィルタ特性に応じて前記第１の共振器（１２）を
構成する前記櫛形電極膜（１２ａ）の膜厚と前記第２の
共振器（１３）を構成する前記櫛形電極（１３ａ）の膜
厚とを異ならせることを特徴とする弾性表面波デバイ
ス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29892192A JPH06152299A (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 弾性表面波デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29892192A JPH06152299A (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 弾性表面波デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06152299A true JPH06152299A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=17865909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29892192A Pending JPH06152299A (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 弾性表面波デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06152299A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1992
- 1992-11-09 JP JP29892192A patent/JPH06152299A/ja active Pending
Cited By (31)
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