JPH06151547A - 走行装置、走行装置を具備したウエハ、及びかかるウエハの作製方法 - Google Patents
走行装置、走行装置を具備したウエハ、及びかかるウエハの作製方法Info
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- JPH06151547A JPH06151547A JP32233492A JP32233492A JPH06151547A JP H06151547 A JPH06151547 A JP H06151547A JP 32233492 A JP32233492 A JP 32233492A JP 32233492 A JP32233492 A JP 32233492A JP H06151547 A JPH06151547 A JP H06151547A
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- roller
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ウエハの搬送時、ウエハの裏面からのパーティ
クル発生を抑制し得るウエハの搬送手段、あるいは又、
搬送時、ウエハの裏面からのパーティクル発生を抑制し
得るようなウエハを提供する。 【構成】走行装置10は、ローラー12、フレーム1
4、及びフレームに形成されしかもローラーを軸支する
軸受け部16から成り、これらがエッチング可能な材料
から形成されている。ウエハは、このような走行装置、
あるいは、エッチング可能な材料から形成されたターボ
ファンから成る走行装置がウエハ裏面に接合されてい
る。
クル発生を抑制し得るウエハの搬送手段、あるいは又、
搬送時、ウエハの裏面からのパーティクル発生を抑制し
得るようなウエハを提供する。 【構成】走行装置10は、ローラー12、フレーム1
4、及びフレームに形成されしかもローラーを軸支する
軸受け部16から成り、これらがエッチング可能な材料
から形成されている。ウエハは、このような走行装置、
あるいは、エッチング可能な材料から形成されたターボ
ファンから成る走行装置がウエハ裏面に接合されてい
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロマシーン技術
を適用した走行装置、かかる走行装置を備えたウエハ及
びかかるウエハの作製方法に関する。
を適用した走行装置、かかる走行装置を備えたウエハ及
びかかるウエハの作製方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体装置の高集積化、高性能化
に伴い、半導体装置の製造工程におけるクリーン度、半
導体装置の製造工程あるいは製造装置からのウエハの汚
染防止に対する要求が益々厳しくなっている。例えば、
0.35μmルールの半導体装置を製造する場合、0.
1μm程度のパーティクルがウエハ表面に付着しても半
導体装置に不良が発生する原因となる。そのため、ウエ
ハ表面のパーティクル付着は厳密に管理する必要があ
り、ウエハ表面に付着したパーティクルの個数は10個
以下であることが要求されている。
に伴い、半導体装置の製造工程におけるクリーン度、半
導体装置の製造工程あるいは製造装置からのウエハの汚
染防止に対する要求が益々厳しくなっている。例えば、
0.35μmルールの半導体装置を製造する場合、0.
1μm程度のパーティクルがウエハ表面に付着しても半
導体装置に不良が発生する原因となる。そのため、ウエ
ハ表面のパーティクル付着は厳密に管理する必要があ
り、ウエハ表面に付着したパーティクルの個数は10個
以下であることが要求されている。
【0003】一方、ウエハ裏面に付着したパーティクル
が最近注目されている。ウエハの搬送中及びバッチ処理
中に、ウエハ裏面と他のウエハ表面が頻繁に接近し、ウ
エハ裏面に付着したパーティクルが飛散にして他のウエ
ハの表面に付着し、これが半導体装置の不良発生原因の
1つとなるからである。例えば、ウエハが半導体装置の
製造工程間を搬送されるとき、ウエハはウエハキャリア
に入れられる。また、拡散炉等でウエハを熱処理する場
合、ウエハはボートに載せられる。これらの場合、ウエ
ハとウエハの間の距離は5mm〜10mm程度であり、
ウエハ裏面に付着したパーティクルが飛散して隣接する
ウエハの表面に付着するには十分な距離である。従っ
て、ウエハ裏面に付着したパーティクルの個数も10個
以下であることが要求される。
が最近注目されている。ウエハの搬送中及びバッチ処理
中に、ウエハ裏面と他のウエハ表面が頻繁に接近し、ウ
エハ裏面に付着したパーティクルが飛散にして他のウエ
ハの表面に付着し、これが半導体装置の不良発生原因の
1つとなるからである。例えば、ウエハが半導体装置の
製造工程間を搬送されるとき、ウエハはウエハキャリア
に入れられる。また、拡散炉等でウエハを熱処理する場
合、ウエハはボートに載せられる。これらの場合、ウエ
ハとウエハの間の距離は5mm〜10mm程度であり、
ウエハ裏面に付着したパーティクルが飛散して隣接する
ウエハの表面に付着するには十分な距離である。従っ
て、ウエハ裏面に付着したパーティクルの個数も10個
以下であることが要求される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ウエハ裏面にパーティ
クルが付着する主な原因は、ウエハと各プロセスにおけ
る製造装置や搬送装置との接触にある。ウエハを製造装
置内で搬送するとき、製造装置の搬送装置とウエハ裏面
が接触するため、数千個〜数万個のパーティクルがウエ
ハ裏面に付着する虞れがある。
クルが付着する主な原因は、ウエハと各プロセスにおけ
る製造装置や搬送装置との接触にある。ウエハを製造装
置内で搬送するとき、製造装置の搬送装置とウエハ裏面
が接触するため、数千個〜数万個のパーティクルがウエ
ハ裏面に付着する虞れがある。
【0005】この問題を解決するための一手段として、
図19に示すようなベルト搬送方式を挙げることができ
る。このベルト搬送手段はO−リング状の1組のベルト
がベルトコンベアのように動き、ウエハがこの1組のベ
ルトの上に載せられ搬送される。この搬送方式において
は、搬送開始時あるいは停止時に、ウエハ裏面とベルト
が擦れてパーティクルが発生する場合がある。また、ウ
エハ位置決め時、位置決めピン(図示せず)によってウ
エハを押さえる。このとき、ベルトが空回りしてベルト
がウエハ裏面を擦り、パーティクルが発生する。発生し
たパーティクルの数は1万個程度にもなる。
図19に示すようなベルト搬送方式を挙げることができ
る。このベルト搬送手段はO−リング状の1組のベルト
がベルトコンベアのように動き、ウエハがこの1組のベ
ルトの上に載せられ搬送される。この搬送方式において
は、搬送開始時あるいは停止時に、ウエハ裏面とベルト
が擦れてパーティクルが発生する場合がある。また、ウ
エハ位置決め時、位置決めピン(図示せず)によってウ
エハを押さえる。このとき、ベルトが空回りしてベルト
がウエハ裏面を擦り、パーティクルが発生する。発生し
たパーティクルの数は1万個程度にもなる。
【0006】図20に示すように、ベルトの代わりにロ
ーラーを並べ、ローラー上にウエハを置き、ローラーを
回転させてウエハを搬送するローラー搬送方式もある。
ローラーとウエハ裏面は点接触するため、ベルト搬送方
式と比較して、パーティクルの発生を減少させることが
できる。しかしながら、搬送開始時あるいは搬送停止
時、ローラーがウエハ裏面を擦り、パーティクルが発生
する。発生したパーティクルの数は数千〜1万個程度に
もなる。
ーラーを並べ、ローラー上にウエハを置き、ローラーを
回転させてウエハを搬送するローラー搬送方式もある。
ローラーとウエハ裏面は点接触するため、ベルト搬送方
式と比較して、パーティクルの発生を減少させることが
できる。しかしながら、搬送開始時あるいは搬送停止
時、ローラーがウエハ裏面を擦り、パーティクルが発生
する。発生したパーティクルの数は数千〜1万個程度に
もなる。
【0007】図21に示すように、2本のビームにウエ
ハを載せ、かかるビームを移動させることによってウエ
ハを搬送するウォーキングビーム方式もある。ローラー
搬送方式より少ないものの、やはりウエハ裏面とビーム
とが擦れ、パーティクルが発生する場合がある。発生し
たパーティクルの個数は数千個以下である。
ハを載せ、かかるビームを移動させることによってウエ
ハを搬送するウォーキングビーム方式もある。ローラー
搬送方式より少ないものの、やはりウエハ裏面とビーム
とが擦れ、パーティクルが発生する場合がある。発生し
たパーティクルの個数は数千個以下である。
【0008】更に、図22に示すような、ロボットによ
ってウエハを把持し、ウエハを搬送する方式もある。ウ
エハが位置決めされた後、ロボットのアームでウエハを
把持してウエハを搬送するので、ウエハ裏面が擦られる
ことが少ない。現在、この搬送方式が主流となっている
が、この方式においてさえも、約500個のパーティク
ルがウエハ裏面から発生する。
ってウエハを把持し、ウエハを搬送する方式もある。ウ
エハが位置決めされた後、ロボットのアームでウエハを
把持してウエハを搬送するので、ウエハ裏面が擦られる
ことが少ない。現在、この搬送方式が主流となっている
が、この方式においてさえも、約500個のパーティク
ルがウエハ裏面から発生する。
【0009】以上に説明した各種方式においては、ウエ
ハ裏面からのパーティクル発生が抑制されつつあるが、
未だに、ウエハ裏面に付着したパーティクルの数を10
個以下とする搬送方式が見い出されていない。
ハ裏面からのパーティクル発生が抑制されつつあるが、
未だに、ウエハ裏面に付着したパーティクルの数を10
個以下とする搬送方式が見い出されていない。
【0010】従って、本発明の第1の目的は、ウエハの
搬送時、ウエハの裏面からのパーティクル発生を抑制し
得るウエハの搬送手段を提供することにある。
搬送時、ウエハの裏面からのパーティクル発生を抑制し
得るウエハの搬送手段を提供することにある。
【0011】更に、本発明の第2の目的は、搬送時、ウ
エハの裏面からのパーティクル発生を抑制し得るような
ウエハを提供することにある。
エハの裏面からのパーティクル発生を抑制し得るような
ウエハを提供することにある。
【0012】本発明の第3の目的は、搬送時、ウエハの
裏面からのパーティクル発生を抑制し得るようなウエハ
を作製する方法を提供することにある。
裏面からのパーティクル発生を抑制し得るようなウエハ
を作製する方法を提供することにある。
【0013】更に、本発明の第4の目的は、シリコン系
材料から作製されたマイクロマシーンをシリコン系材料
から構成されたウエハ等の物品に容易に接合する方法を
提供することにある。
材料から作製されたマイクロマシーンをシリコン系材料
から構成されたウエハ等の物品に容易に接合する方法を
提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記の第1の目的を達成
するために、本発明の走行装置は、ローラー、フレー
ム、及びフレームに形成されしかもローラーを軸支する
軸受け部から成り、これらがエッチング可能な材料から
形成されていることを特徴とする。エッチング可能な材
料として、単結晶シリコン、多結晶シリコン、不純物が
ドープされた単結晶あるいは多結晶シリコン、SiN、
TiN、アルミニウム、タングステン等を挙げることが
できる。この走行装置の好ましい態様においては、ロー
ラーにロータ部を形成し、フレームにステータ部を形成
することによって、ローラー及びフレームから静電モー
タを構成することができる。
するために、本発明の走行装置は、ローラー、フレー
ム、及びフレームに形成されしかもローラーを軸支する
軸受け部から成り、これらがエッチング可能な材料から
形成されていることを特徴とする。エッチング可能な材
料として、単結晶シリコン、多結晶シリコン、不純物が
ドープされた単結晶あるいは多結晶シリコン、SiN、
TiN、アルミニウム、タングステン等を挙げることが
できる。この走行装置の好ましい態様においては、ロー
ラーにロータ部を形成し、フレームにステータ部を形成
することによって、ローラー及びフレームから静電モー
タを構成することができる。
【0015】本発明の第1の態様に係るウエハは、上記
の第2の目的を達成するために、上記の走行装置がウエ
ハ裏面に接合されていることを特徴とする。
の第2の目的を達成するために、上記の走行装置がウエ
ハ裏面に接合されていることを特徴とする。
【0016】本発明の第2の態様に係るウエハは、上記
の第2の目的を達成するために、エッチング可能な材料
から形成されたターボファンから成る走行装置がウエハ
裏面に接合されていることを特徴とする。ターボファン
は、ケーシング、ケーシングの内壁から突出したブッシ
ング、及びブッシングに遊嵌されたファンから構成され
ている。エッチング可能な材料として、単結晶シリコ
ン、多結晶シリコン、不純物をドープされた単結晶ある
いは多結晶シリコン、SiN、TiN、アルミニウム、
タングステン等を挙げることができる。ターボファンの
ケーシングにステータ部を設け、ファンをロータとする
ことによって、ターボファンを静電モータとして機能さ
せることが望ましい。
の第2の目的を達成するために、エッチング可能な材料
から形成されたターボファンから成る走行装置がウエハ
裏面に接合されていることを特徴とする。ターボファン
は、ケーシング、ケーシングの内壁から突出したブッシ
ング、及びブッシングに遊嵌されたファンから構成され
ている。エッチング可能な材料として、単結晶シリコ
ン、多結晶シリコン、不純物をドープされた単結晶ある
いは多結晶シリコン、SiN、TiN、アルミニウム、
タングステン等を挙げることができる。ターボファンの
ケーシングにステータ部を設け、ファンをロータとする
ことによって、ターボファンを静電モータとして機能さ
せることが望ましい。
【0017】本発明のウエハの作製方法は、上記の第3
の目的を達成するために、マイクロマシーン技術によっ
てウエハ裏面に走行装置を作製した後、ウエハ表面を研
磨することを特徴とする。走行装置として、例えばター
ボファンを挙げることができる。
の目的を達成するために、マイクロマシーン技術によっ
てウエハ裏面に走行装置を作製した後、ウエハ表面を研
磨することを特徴とする。走行装置として、例えばター
ボファンを挙げることができる。
【0018】シリコン系材料から作製されたマイクロマ
シーンを、シリコン系材料から作製された物品に接合す
る本発明の接合方法は、上記の第4の目的を達成するた
めに、マイクロマシーンに鏡面仕上げ部分を形成し、物
品にも鏡面仕上げ部分を形成する。そして、マイクロマ
シーンの鏡面仕上げ部分と物品の鏡面仕上げ部分とを接
合することを特徴とする。接合する前に、マイクロマシ
ーンの鏡面仕上げ部分及び物品の鏡面仕上げ部分に親水
性を付与することが望ましい。あるいは又、接合時、マ
イクロマシーン及び物品を加熱するか、静電圧力を加え
ることが望ましい。マイクロマシーンの鏡面仕上げ部分
及び/又は物品のも鏡面仕上げ部分には、酸化膜が形成
されていてもよい。
シーンを、シリコン系材料から作製された物品に接合す
る本発明の接合方法は、上記の第4の目的を達成するた
めに、マイクロマシーンに鏡面仕上げ部分を形成し、物
品にも鏡面仕上げ部分を形成する。そして、マイクロマ
シーンの鏡面仕上げ部分と物品の鏡面仕上げ部分とを接
合することを特徴とする。接合する前に、マイクロマシ
ーンの鏡面仕上げ部分及び物品の鏡面仕上げ部分に親水
性を付与することが望ましい。あるいは又、接合時、マ
イクロマシーン及び物品を加熱するか、静電圧力を加え
ることが望ましい。マイクロマシーンの鏡面仕上げ部分
及び/又は物品のも鏡面仕上げ部分には、酸化膜が形成
されていてもよい。
【0019】
【作用】本発明の走行装置は全ての構成材料がエッチン
グ可能な材料から構成されているので、マイクロマシー
ン技術によって作製することが可能である。走行装置あ
るいは走行装置を備えたウエハはクリーンルーム中で作
製されるので、非常に清浄である。ウエハは走行装置に
より自走可能となるので、例えば半導体装置の製造プロ
セスにおいて搬送装置が不要となる。
グ可能な材料から構成されているので、マイクロマシー
ン技術によって作製することが可能である。走行装置あ
るいは走行装置を備えたウエハはクリーンルーム中で作
製されるので、非常に清浄である。ウエハは走行装置に
より自走可能となるので、例えば半導体装置の製造プロ
セスにおいて搬送装置が不要となる。
【0020】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明を実施例に基
づき説明する。
づき説明する。
【0021】(実施例−1)実施例−1は、本発明の走
行装置に関する。実施例−1の走行装置10の斜視図
(但し、走行装置は上下を逆にして図示した)を図1の
(A)に示す。また、図1の(A)の線I(B)−I
(B)に沿った断面図を図1の(B)に、図1の(A)
の線I(C)−I(C)に沿った断面図を図1の(C)
に示す。
行装置に関する。実施例−1の走行装置10の斜視図
(但し、走行装置は上下を逆にして図示した)を図1の
(A)に示す。また、図1の(A)の線I(B)−I
(B)に沿った断面図を図1の(B)に、図1の(A)
の線I(C)−I(C)に沿った断面図を図1の(C)
に示す。
【0022】この走行装置10は、ローラー12と、フ
レーム14と、フレーム14に形成されしかもローラー
12を軸支する軸受け部16から成る。ローラー12、
フレーム14及び軸受け部16は、エッチング可能な材
料から形成されている。エッチング可能な材料として、
実施例−1では多結晶シリコンを用いた。ローラー12
は円筒形状であり、その軸線上に突出した軸18を備え
ている。実施例−1においては、軸18とローラー12
とは一体に作られている。かかる軸18とリング状の軸
受け部16が係合し、ローラー12は軸受け部16によ
って軸支される。軸受け部16とフレーム14とは一体
に作られている。フレーム14は、1つの面が開口した
箱状の形状を有し、側壁14A,14B,14C,14
D、及び頂面14Eから成る。側壁14A及び14Cに
軸受け部16が形成されている。ローラー12の一部分
は、フレーム14から突出している。
レーム14と、フレーム14に形成されしかもローラー
12を軸支する軸受け部16から成る。ローラー12、
フレーム14及び軸受け部16は、エッチング可能な材
料から形成されている。エッチング可能な材料として、
実施例−1では多結晶シリコンを用いた。ローラー12
は円筒形状であり、その軸線上に突出した軸18を備え
ている。実施例−1においては、軸18とローラー12
とは一体に作られている。かかる軸18とリング状の軸
受け部16が係合し、ローラー12は軸受け部16によ
って軸支される。軸受け部16とフレーム14とは一体
に作られている。フレーム14は、1つの面が開口した
箱状の形状を有し、側壁14A,14B,14C,14
D、及び頂面14Eから成る。側壁14A及び14Cに
軸受け部16が形成されている。ローラー12の一部分
は、フレーム14から突出している。
【0023】本発明の走行装置10は、所謂マイクロマ
シーン技術を応用して作製することができる。この作製
工程を図2〜図5を参照して、以下説明する。尚、図2
〜図5においては、フレームの頂面14Eは紙面の下方
に位置するため、図示していない。また、図2〜図5
は、図1の(A)の線I(B)−I(B)に沿った断面
図に相当する。
シーン技術を応用して作製することができる。この作製
工程を図2〜図5を参照して、以下説明する。尚、図2
〜図5においては、フレームの頂面14Eは紙面の下方
に位置するため、図示していない。また、図2〜図5
は、図1の(A)の線I(B)−I(B)に沿った断面
図に相当する。
【0024】先ず、シリコン基板30上にSiO2から
成る犠牲層32を堆積させておき、かかる犠牲層32上
に多結晶シリコン層を堆積した後、この多結晶シリコン
層をエッチングして、例えばフレーム14の側壁14A
を形成する(図2の(A)参照)。
成る犠牲層32を堆積させておき、かかる犠牲層32上
に多結晶シリコン層を堆積した後、この多結晶シリコン
層をエッチングして、例えばフレーム14の側壁14A
を形成する(図2の(A)参照)。
【0025】次いで、レジストマスクを全面に形成し、
フォトリソグラフィ技術によってかかるレジストマスク
に開口部を形成した後、多結晶シリコン層を堆積させ、
次いで、不要な多結晶シリコン層をエッチングにて除去
し、更にレジストマスクを除去することにより、軸受け
部16、並びに、側壁14B,14D及び頂面14Eの
一部分を形成する(図2の(B)参照)。軸受け部16
は側壁14Aに形成される。
フォトリソグラフィ技術によってかかるレジストマスク
に開口部を形成した後、多結晶シリコン層を堆積させ、
次いで、不要な多結晶シリコン層をエッチングにて除去
し、更にレジストマスクを除去することにより、軸受け
部16、並びに、側壁14B,14D及び頂面14Eの
一部分を形成する(図2の(B)参照)。軸受け部16
は側壁14Aに形成される。
【0026】次に、SiO2から成る犠牲層34を全面
に堆積させ、かかる犠牲層34をエッチングして、軸1
8、側壁14B,14D、及び頂面14Eに相当する犠
牲層34に開口部を設ける(図2の(C)参照)。その
後、多結晶シリコン層を堆積させ、次いで、不要な多結
晶シリコン層をエッチングにて除去して、軸18、並び
に、側壁14B,14D及び頂面14Eの一部分を形成
する(図2の(D)参照)。
に堆積させ、かかる犠牲層34をエッチングして、軸1
8、側壁14B,14D、及び頂面14Eに相当する犠
牲層34に開口部を設ける(図2の(C)参照)。その
後、多結晶シリコン層を堆積させ、次いで、不要な多結
晶シリコン層をエッチングにて除去して、軸18、並び
に、側壁14B,14D及び頂面14Eの一部分を形成
する(図2の(D)参照)。
【0027】その後、SiO2から成る犠牲層36を全
面に堆積させ、かかる犠牲層36をエッチングして、ロ
ーラー12、側壁14B,14D、及び頂面14Eに相
当する犠牲層36に開口部を設ける(図2の(E)参
照)。その後、多結晶シリコン層を堆積させ、次いで、
不要な多結晶シリコン層をエッチングにて除去して、ロ
ーラー12、並びに、側壁14B,14D及び頂面14
Eの一部分を形成する(図3の(A)参照)。
面に堆積させ、かかる犠牲層36をエッチングして、ロ
ーラー12、側壁14B,14D、及び頂面14Eに相
当する犠牲層36に開口部を設ける(図2の(E)参
照)。その後、多結晶シリコン層を堆積させ、次いで、
不要な多結晶シリコン層をエッチングにて除去して、ロ
ーラー12、並びに、側壁14B,14D及び頂面14
Eの一部分を形成する(図3の(A)参照)。
【0028】尚、必要に応じて、SiO2から成る犠牲
層38の堆積、かかる犠牲層38のエッチングによる側
壁14B,14D、及び頂面14Eに相当する開口部の
形成、多結晶シリコン層の堆積、及び、エッチングによ
る不要な多結晶シリコン層の除去を繰り返し行い、ロー
ラー12、側壁14B,14D、及び頂面14Eを積層
することによって形成してもよい。
層38の堆積、かかる犠牲層38のエッチングによる側
壁14B,14D、及び頂面14Eに相当する開口部の
形成、多結晶シリコン層の堆積、及び、エッチングによ
る不要な多結晶シリコン層の除去を繰り返し行い、ロー
ラー12、側壁14B,14D、及び頂面14Eを積層
することによって形成してもよい。
【0029】更に、SiO2から成る犠牲層38を全面
に堆積させ、かかる犠牲層38をエッチングして、軸1
8、側壁14B,14D、及び頂面14Eに相当する犠
牲層38に開口部を設ける(図3の(B)参照)。その
後、多結晶シリコン層を堆積させ、次いで、不要な多結
晶シリコン層をエッチングにて除去して、軸18、並び
に、側壁14B,14D及び頂面14Eの一部分を形成
する(図3の(C)参照)。
に堆積させ、かかる犠牲層38をエッチングして、軸1
8、側壁14B,14D、及び頂面14Eに相当する犠
牲層38に開口部を設ける(図3の(B)参照)。その
後、多結晶シリコン層を堆積させ、次いで、不要な多結
晶シリコン層をエッチングにて除去して、軸18、並び
に、側壁14B,14D及び頂面14Eの一部分を形成
する(図3の(C)参照)。
【0030】次いで、SiO2から成る犠牲層40を全
面に堆積させ、かかる犠牲層40をエッチングして、軸
受け部16、側壁14B,14D、及び頂面14Eに相
当する犠牲層40に開口部を設ける(図4の(A)参
照)。その後、多結晶シリコン層を堆積させ、次いで、
不要な多結晶シリコン層をエッチングにて除去して、軸
受け部16、側壁14B,14D、及び頂面14Eを形
成する(図4の(B)参照)。
面に堆積させ、かかる犠牲層40をエッチングして、軸
受け部16、側壁14B,14D、及び頂面14Eに相
当する犠牲層40に開口部を設ける(図4の(A)参
照)。その後、多結晶シリコン層を堆積させ、次いで、
不要な多結晶シリコン層をエッチングにて除去して、軸
受け部16、側壁14B,14D、及び頂面14Eを形
成する(図4の(B)参照)。
【0031】その後、SiO2から成る犠牲層42を全
面に堆積させ、かかる犠牲層42をエッチングして、側
壁14Cに相当する犠牲層42に開口部を設ける(図4
の(C)参照)。その後、多結晶シリコン層を堆積さ
せ、次いで、不要な多結晶シリコン層をエッチングにて
除去して、側壁14Cを形成する(図5参照)。
面に堆積させ、かかる犠牲層42をエッチングして、側
壁14Cに相当する犠牲層42に開口部を設ける(図4
の(C)参照)。その後、多結晶シリコン層を堆積さ
せ、次いで、不要な多結晶シリコン層をエッチングにて
除去して、側壁14Cを形成する(図5参照)。
【0032】最後に、全ての犠牲層をエッチングによっ
て除去することにより、実施例−1の走行装置10が完
成する。
て除去することにより、実施例−1の走行装置10が完
成する。
【0033】(実施例−2)実施例−2は実施例−1の
変形である。図6の(A)及び(B)に示すように、実
施例−2の走行装置10においては、ローラー12は、
リング部12Aと、このリング部12Aの軸線上に形成
された貫通孔12Bを通る軸部12Cから構成されてい
る。リング部12Aは軸部12Cに対して自由に回動す
る。実施例−2のその他の構成要素は実施例−1と同様
である。尚、図6の(A)及び(B)は、図1の(A)
の線I(B)−I(B)及びI(C)−I(C)に沿っ
た断面図である。
変形である。図6の(A)及び(B)に示すように、実
施例−2の走行装置10においては、ローラー12は、
リング部12Aと、このリング部12Aの軸線上に形成
された貫通孔12Bを通る軸部12Cから構成されてい
る。リング部12Aは軸部12Cに対して自由に回動す
る。実施例−2のその他の構成要素は実施例−1と同様
である。尚、図6の(A)及び(B)は、図1の(A)
の線I(B)−I(B)及びI(C)−I(C)に沿っ
た断面図である。
【0034】(実施例−3)実施例−3も実施例−1の
変形である。図7に示すように、実施例−3の走行装置
10においては、軸受け部16はフレーム14に形成さ
れた円筒形の凹部である。かかる軸受け部16内にロー
ラー12の軸18が軸支される。実施例−3のその他の
構成要素は実施例−1と同様である。尚、図7の(A)
及び(B)は、図1の(A)の線I(B)−I(B)及
びI(C)−I(C)に沿った断面図である。
変形である。図7に示すように、実施例−3の走行装置
10においては、軸受け部16はフレーム14に形成さ
れた円筒形の凹部である。かかる軸受け部16内にロー
ラー12の軸18が軸支される。実施例−3のその他の
構成要素は実施例−1と同様である。尚、図7の(A)
及び(B)は、図1の(A)の線I(B)−I(B)及
びI(C)−I(C)に沿った断面図である。
【0035】(実施例−4)実施例−4も実施例−1の
変形である。図8に示すように、実施例−4の走行装置
10においては、円筒形状のローラー12の2つの側壁
20に複数のロータ部22が形成されている。また、フ
レーム14の側壁14A,14B,14C,14D、及
び頂面14Eの内壁によって形成される空間の形状は、
概ね円筒形状である。そして、フレーム14の側壁14
B及び側壁14Dには複数のステータ部24が形成され
ている。ステータ部24は、多結晶シリコンに高濃度の
不純物をドープすることにより形成することができる。
尚、図8の(A)は、図1の(A)の線I(B)−I
(B)に沿った断面図で有り、図8の(B)及び(C)
は、図8の(A)の線VIII(B)−VIII(B)
及び線VIII(C)−VIII(C)に沿った断面図
である。
変形である。図8に示すように、実施例−4の走行装置
10においては、円筒形状のローラー12の2つの側壁
20に複数のロータ部22が形成されている。また、フ
レーム14の側壁14A,14B,14C,14D、及
び頂面14Eの内壁によって形成される空間の形状は、
概ね円筒形状である。そして、フレーム14の側壁14
B及び側壁14Dには複数のステータ部24が形成され
ている。ステータ部24は、多結晶シリコンに高濃度の
不純物をドープすることにより形成することができる。
尚、図8の(A)は、図1の(A)の線I(B)−I
(B)に沿った断面図で有り、図8の(B)及び(C)
は、図8の(A)の線VIII(B)−VIII(B)
及び線VIII(C)−VIII(C)に沿った断面図
である。
【0036】ローラー12に形成されたロータ部22
と、フレーム14の側壁14B及び側壁14Dに形成さ
れたステータ部24によって、所謂エッジ駆動型の静電
モータが構成される。ローラー12の軸線に対して対向
する一組のステータ部24に電圧を印加するとロータ部
22は静電力でステータ部24に引きつけられる。電圧
を時間と共に順次隣接したステータ部24に印加してい
くと、静電引力によってロータ部22は回転し、その結
果、ローラー12も回転する。
と、フレーム14の側壁14B及び側壁14Dに形成さ
れたステータ部24によって、所謂エッジ駆動型の静電
モータが構成される。ローラー12の軸線に対して対向
する一組のステータ部24に電圧を印加するとロータ部
22は静電力でステータ部24に引きつけられる。電圧
を時間と共に順次隣接したステータ部24に印加してい
くと、静電引力によってロータ部22は回転し、その結
果、ローラー12も回転する。
【0037】(実施例−5)実施例−5は実施例−4の
変形である。図9に示すように、実施例−5の走行装置
10においては、円筒形状のローラー12の側壁20に
複数のロータ部22が形成されている。そして、フレー
ム14の側壁14A及び側壁14Cには複数のステータ
部24が形成されている。ローラー12に形成されたロ
ータ部22と、フレームの側壁14A及び側壁14Cに
形成されたステータ部24によって、所謂オーバハング
型の静電モータが構成される。ローラー12の軸線に対
して対向する一組のステータ部24に電圧を印加すると
ロータ部22は静電力でステータ部24に引きつけられ
る。電圧を時間と共に順次隣接したステータ部24に印
加していくと、静電引力によってロータ部22は回転
し、その結果、ローラー12も回転する。尚、図9の
(A)は、図1の(A)の線I(B)−I(B)に沿っ
た断面図で有り、図9の(B)及び(C)は、図9の
(A)の線IX(B)−IX(B)及び線IX(C)−
IX(C)に沿った断面図である。
変形である。図9に示すように、実施例−5の走行装置
10においては、円筒形状のローラー12の側壁20に
複数のロータ部22が形成されている。そして、フレー
ム14の側壁14A及び側壁14Cには複数のステータ
部24が形成されている。ローラー12に形成されたロ
ータ部22と、フレームの側壁14A及び側壁14Cに
形成されたステータ部24によって、所謂オーバハング
型の静電モータが構成される。ローラー12の軸線に対
して対向する一組のステータ部24に電圧を印加すると
ロータ部22は静電力でステータ部24に引きつけられ
る。電圧を時間と共に順次隣接したステータ部24に印
加していくと、静電引力によってロータ部22は回転
し、その結果、ローラー12も回転する。尚、図9の
(A)は、図1の(A)の線I(B)−I(B)に沿っ
た断面図で有り、図9の(B)及び(C)は、図9の
(A)の線IX(B)−IX(B)及び線IX(C)−
IX(C)に沿った断面図である。
【0038】(実施例−6)実施例−6は、実施例1〜
実施例5で説明した本発明の走行装置10を接合した本
発明のウエハの第1の態様に関する。図10に示すよう
に、このウエハの裏面52には、かかる走行装置10が
接合されている。走行装置10を接合するためには、ウ
エハの裏面52、及び走行装置10の頂面14Eに鏡面
仕上げを施した後これらの面に親水性を付与し、ウエハ
の裏面52と走行装置10の頂面14Eとを重ね合わせ
ることによって、ウエハの裏面52と走行装置10とを
接合することができる。
実施例5で説明した本発明の走行装置10を接合した本
発明のウエハの第1の態様に関する。図10に示すよう
に、このウエハの裏面52には、かかる走行装置10が
接合されている。走行装置10を接合するためには、ウ
エハの裏面52、及び走行装置10の頂面14Eに鏡面
仕上げを施した後これらの面に親水性を付与し、ウエハ
の裏面52と走行装置10の頂面14Eとを重ね合わせ
ることによって、ウエハの裏面52と走行装置10とを
接合することができる。
【0039】あるいは又、ウエハの裏面52、及び走行
装置10の頂面14Eに鏡面仕上げを施した後、これら
の面に酸化膜を形成する。そしてこれらの面を重ね合わ
せた後、10-1Pa程度の減圧下で、ウエハ50及び走
行装置10の間にパルス状の電圧(±100〜±500
V)を加える。このような静電圧力によってウエハの裏
面52と走行装置10とを接合することができる。
装置10の頂面14Eに鏡面仕上げを施した後、これら
の面に酸化膜を形成する。そしてこれらの面を重ね合わ
せた後、10-1Pa程度の減圧下で、ウエハ50及び走
行装置10の間にパルス状の電圧(±100〜±500
V)を加える。このような静電圧力によってウエハの裏
面52と走行装置10とを接合することができる。
【0040】あるいは又、ウエハの裏面52、及び走行
装置10の頂面14Eに鏡面仕上げを施した後、これら
の面を重ね合わせて、温度1000゜C程度に上げて数
時間おくと、ウエハの裏面52と走行装置10の頂面1
4Eとを接合することができる。
装置10の頂面14Eに鏡面仕上げを施した後、これら
の面を重ね合わせて、温度1000゜C程度に上げて数
時間おくと、ウエハの裏面52と走行装置10の頂面1
4Eとを接合することができる。
【0041】実施例−1〜実施例−3で説明した走行装
置をウエハ50に接合した場合、例えば、後に述べるマ
イクロマシーン技術を応用したターボファンによる空気
の吐出を推進力としてウエハ50を移動させることがで
きる。また、実施例−4及び実施例−5で説明した走行
装置をウエハ50に接合した場合、走行装置におけるロ
ーラー自身の回動によってウエハ50を移動させること
ができる。この場合、ステータ部24の制御、更にはウ
エハの移動は、例えばウエハの裏面52に取り付けら
れ、接合されあるいは形成された半導体装置(図示せ
ず)によって制御することができる。また、例えば、搬
送レールに電力を供給し、走行装置に取り付けられ且つ
走行装置(あるいは半導体装置)と電気的に接続された
可撓性を有する電極と搬送レールとを接触させることに
よって、走行装置へ電力を供給することができる。
置をウエハ50に接合した場合、例えば、後に述べるマ
イクロマシーン技術を応用したターボファンによる空気
の吐出を推進力としてウエハ50を移動させることがで
きる。また、実施例−4及び実施例−5で説明した走行
装置をウエハ50に接合した場合、走行装置におけるロ
ーラー自身の回動によってウエハ50を移動させること
ができる。この場合、ステータ部24の制御、更にはウ
エハの移動は、例えばウエハの裏面52に取り付けら
れ、接合されあるいは形成された半導体装置(図示せ
ず)によって制御することができる。また、例えば、搬
送レールに電力を供給し、走行装置に取り付けられ且つ
走行装置(あるいは半導体装置)と電気的に接続された
可撓性を有する電極と搬送レールとを接触させることに
よって、走行装置へ電力を供給することができる。
【0042】(実施例−7)実施例−7は、ターボファ
ンを裏面に接合したウエハに関する。このターボファン
60の断面図を図11の(A)及び(B)に示す。図1
1の(A)は、図11の(B)の線XI(A)−XI
(A)に沿った断面図であり、図11の(B)は、図1
1の(A)の線XI(B)−XI(B)に沿った断面図
である。
ンを裏面に接合したウエハに関する。このターボファン
60の断面図を図11の(A)及び(B)に示す。図1
1の(A)は、図11の(B)の線XI(A)−XI
(A)に沿った断面図であり、図11の(B)は、図1
1の(A)の線XI(B)−XI(B)に沿った断面図
である。
【0043】ターボファン60は、ケーシング64、ケ
ーシング64の頂面から突出したブッシング66、ブッ
シング66の周囲に遊嵌されたファン62から成る。ケ
ーシング64には空気導入部68及び空気排出部70が
設けられている。また、ファン62と水平方向に対向す
るケーシング64の部分にはステータ部72が設けられ
ている。尚、ここで水平方向とはファン62の回転軸と
垂直方向を意味する。尚、図11において、64A,6
4B,64C,64Dはケーシングの側壁であり、64
Eはケーシングの底面、64Fはケーシングの頂面であ
る。
ーシング64の頂面から突出したブッシング66、ブッ
シング66の周囲に遊嵌されたファン62から成る。ケ
ーシング64には空気導入部68及び空気排出部70が
設けられている。また、ファン62と水平方向に対向す
るケーシング64の部分にはステータ部72が設けられ
ている。尚、ここで水平方向とはファン62の回転軸と
垂直方向を意味する。尚、図11において、64A,6
4B,64C,64Dはケーシングの側壁であり、64
Eはケーシングの底面、64Fはケーシングの頂面であ
る。
【0044】このターボファンは、所謂マイクロマシー
ン技術を応用して作製することができる。この作製工程
を図12〜図16を参照して、以下説明する。
ン技術を応用して作製することができる。この作製工程
を図12〜図16を参照して、以下説明する。
【0045】先ず、シリコン基板30上にSiO2から
成る犠牲層32を堆積させておき、かかる犠牲層32上
に多結晶シリコン層を堆積した後、この多結晶シリコン
層をエッチングして、例えばケーシングの底面64Eを
形成する(図12の(A)参照)。
成る犠牲層32を堆積させておき、かかる犠牲層32上
に多結晶シリコン層を堆積した後、この多結晶シリコン
層をエッチングして、例えばケーシングの底面64Eを
形成する(図12の(A)参照)。
【0046】次に、SiO2から成る犠牲層34を全面
に堆積させ、かかる犠牲層34をエッチングして、ケー
シングの側壁64A,64B,64C,64Dに相当す
る犠牲層34に開口部を設ける(図12の(B)参
照)。その後、多結晶シリコン層を堆積させ、次いで、
不要な多結晶シリコン層をエッチングにて除去して、側
壁64A,64B,64C,64Dの一部分を形成する
(図12の(C)参照)。尚、図12の(C)において
は、形成された側壁64A,64C,64Dの一部分は
図示していない。
に堆積させ、かかる犠牲層34をエッチングして、ケー
シングの側壁64A,64B,64C,64Dに相当す
る犠牲層34に開口部を設ける(図12の(B)参
照)。その後、多結晶シリコン層を堆積させ、次いで、
不要な多結晶シリコン層をエッチングにて除去して、側
壁64A,64B,64C,64Dの一部分を形成する
(図12の(C)参照)。尚、図12の(C)において
は、形成された側壁64A,64C,64Dの一部分は
図示していない。
【0047】その後、SiO2から成る犠牲層36を全
面に堆積させ、かかる犠牲層36をエッチングして、側
壁64A,64B,64C,64D及び空気導入部68
の上面68Aに相当する犠牲層36に開口部を設ける
(図12の(D)参照)。尚、図12の(D)において
は、側壁64A,64C,64Dに相当する犠牲層36
に設けられた開口部は図示していない。
面に堆積させ、かかる犠牲層36をエッチングして、側
壁64A,64B,64C,64D及び空気導入部68
の上面68Aに相当する犠牲層36に開口部を設ける
(図12の(D)参照)。尚、図12の(D)において
は、側壁64A,64C,64Dに相当する犠牲層36
に設けられた開口部は図示していない。
【0048】その後、多結晶シリコン層を堆積させ、次
いで、不要な多結晶シリコン層をエッチングにて除去し
て、側壁64A,64B,64C,64Dの一部分及び
空気導入部68の上面68Aを形成する(図13の
(A)参照)。尚、図13の(A)においては、形成さ
れた側壁64A,64C,64Dの一部分は図示してい
ない。
いで、不要な多結晶シリコン層をエッチングにて除去し
て、側壁64A,64B,64C,64Dの一部分及び
空気導入部68の上面68Aを形成する(図13の
(A)参照)。尚、図13の(A)においては、形成さ
れた側壁64A,64C,64Dの一部分は図示してい
ない。
【0049】更に、SiO2から成る犠牲層38を全面
に堆積させ、かかる犠牲層38をエッチングして、ブッ
シング66の一部、側壁64A,64B,64C,64
Dに相当する犠牲層38に開口部を設ける(図13の
(B)参照)。その後、多結晶シリコン層を堆積させ、
次いで、不要な多結晶シリコン層をエッチングにて除去
して、ブッシング66の一部、側壁64A,64B,6
4C,64Dの一部分を形成する(図13の(C)参
照)。尚、図13の(C)においては、形成された側壁
64A,64Cの一部分は図示していない。
に堆積させ、かかる犠牲層38をエッチングして、ブッ
シング66の一部、側壁64A,64B,64C,64
Dに相当する犠牲層38に開口部を設ける(図13の
(B)参照)。その後、多結晶シリコン層を堆積させ、
次いで、不要な多結晶シリコン層をエッチングにて除去
して、ブッシング66の一部、側壁64A,64B,6
4C,64Dの一部分を形成する(図13の(C)参
照)。尚、図13の(C)においては、形成された側壁
64A,64Cの一部分は図示していない。
【0050】次いで、SiO2から成る犠牲層40を全
面に堆積させ、かかる犠牲層40をエッチングして、ブ
ッシング66の一部、側壁64A,64B,64C,6
4Dに相当する犠牲層40に開口部を設ける(図13の
(D)参照)。その後、多結晶シリコン層を堆積させ、
次いで、不要な多結晶シリコン層をエッチングにて除去
して、ブッシング66の一部、側壁64A,64B,6
4C,64Dの一部分を形成する(図14の(A)参
照)。尚、図14の(A)においては、形成された側壁
64A,64Cの一部分は図示していない。
面に堆積させ、かかる犠牲層40をエッチングして、ブ
ッシング66の一部、側壁64A,64B,64C,6
4Dに相当する犠牲層40に開口部を設ける(図13の
(D)参照)。その後、多結晶シリコン層を堆積させ、
次いで、不要な多結晶シリコン層をエッチングにて除去
して、ブッシング66の一部、側壁64A,64B,6
4C,64Dの一部分を形成する(図14の(A)参
照)。尚、図14の(A)においては、形成された側壁
64A,64Cの一部分は図示していない。
【0051】その後、SiO2から成る犠牲層42を全
面に堆積させ、かかる犠牲層42をエッチングして、ブ
ッシング66の一部、側壁64A,64B,64C,6
4D、及びファン62に相当する犠牲層40に開口部を
設ける(図14の(B)参照)。次いで、多結晶シリコ
ン層を堆積させ、次いで、不要な多結晶シリコン層をエ
ッチングにて除去して、ブッシング66の一部、側壁6
4A,64B,64C,64Dの一部分、及びファン6
2を形成する。尚、図14の(C)においては、形成さ
れた側壁64A,64B,64Cの一部分は図示してい
ない。
面に堆積させ、かかる犠牲層42をエッチングして、ブ
ッシング66の一部、側壁64A,64B,64C,6
4D、及びファン62に相当する犠牲層40に開口部を
設ける(図14の(B)参照)。次いで、多結晶シリコ
ン層を堆積させ、次いで、不要な多結晶シリコン層をエ
ッチングにて除去して、ブッシング66の一部、側壁6
4A,64B,64C,64Dの一部分、及びファン6
2を形成する。尚、図14の(C)においては、形成さ
れた側壁64A,64B,64Cの一部分は図示してい
ない。
【0052】次いで、所定の領域に高濃度の不純物をド
ープし、ステータ部72を形成する(図14の(C)参
照)。
ープし、ステータ部72を形成する(図14の(C)参
照)。
【0053】次に、SiO2から成る犠牲層44を全面
に堆積させ、かかる犠牲層44をエッチングして、ブッ
シング66、側壁64A,64B,64C,64Dに相
当する犠牲層44に開口部を設ける(図15の(A)参
照)。次いで、多結晶シリコン層を堆積させ、次いで、
不要な多結晶シリコン層をエッチングにて除去して、ブ
ッシング66、側壁64A,64B,64C,64を形
成する(図15の(B)参照)。尚、図15の(B)に
おいては、形成された側壁64A,64Cは図示してい
ない。
に堆積させ、かかる犠牲層44をエッチングして、ブッ
シング66、側壁64A,64B,64C,64Dに相
当する犠牲層44に開口部を設ける(図15の(A)参
照)。次いで、多結晶シリコン層を堆積させ、次いで、
不要な多結晶シリコン層をエッチングにて除去して、ブ
ッシング66、側壁64A,64B,64C,64を形
成する(図15の(B)参照)。尚、図15の(B)に
おいては、形成された側壁64A,64Cは図示してい
ない。
【0054】次いで、SiO2から成る犠牲層46を全
面に堆積させ、かかる犠牲層46をエッチングして、ケ
ーシング64の頂面64Fに相当する犠牲層46に開口
部を設ける(図15の(C)参照)。次いで、多結晶シ
リコン層を堆積させ、次いで、不要な多結晶シリコン層
をエッチングにて除去して、ケーシングの頂面64Fを
形成する(図16参照)。尚、図16においては、形成
された側壁64A,64Cは図示していない。
面に堆積させ、かかる犠牲層46をエッチングして、ケ
ーシング64の頂面64Fに相当する犠牲層46に開口
部を設ける(図15の(C)参照)。次いで、多結晶シ
リコン層を堆積させ、次いで、不要な多結晶シリコン層
をエッチングにて除去して、ケーシングの頂面64Fを
形成する(図16参照)。尚、図16においては、形成
された側壁64A,64Cは図示していない。
【0055】最後に、全ての犠牲層をエッチングによっ
て除去することにより、ターボファンが完成する。
て除去することにより、ターボファンが完成する。
【0056】ターボファン60を裏面に接合させた本発
明の第2の態様に係るウエハ50を図17に示す。ター
ボファン60をウエハの裏面52を接合させるために
は、ウエハの裏面52、及びターボファン60の頂面6
4Fに鏡面仕上げを施した後これらの面に親水性を付与
し、ウエハの裏面52とターボファン60の頂面64F
とを重ね合わせることによって、ウエハの裏面52とタ
ーボファン60とを接合することができる。
明の第2の態様に係るウエハ50を図17に示す。ター
ボファン60をウエハの裏面52を接合させるために
は、ウエハの裏面52、及びターボファン60の頂面6
4Fに鏡面仕上げを施した後これらの面に親水性を付与
し、ウエハの裏面52とターボファン60の頂面64F
とを重ね合わせることによって、ウエハの裏面52とタ
ーボファン60とを接合することができる。
【0057】あるいは又、ウエハの裏面52、及びター
ボファン60の頂面64Fに鏡面仕上げを施した後、こ
れらの面に酸化膜を形成する。そしてこれらの面を重ね
合わせた後、10-1Pa程度の減圧下で、ウエハ50及
びターボファン60の間にパルス状の電圧(±100〜
±500V)を加える。このような静電圧力によってウ
エハの裏面52とターボファン60とを接合することが
できる。
ボファン60の頂面64Fに鏡面仕上げを施した後、こ
れらの面に酸化膜を形成する。そしてこれらの面を重ね
合わせた後、10-1Pa程度の減圧下で、ウエハ50及
びターボファン60の間にパルス状の電圧(±100〜
±500V)を加える。このような静電圧力によってウ
エハの裏面52とターボファン60とを接合することが
できる。
【0058】あるいは又、ウエハの裏面52、及びター
ボファン60の頂面64Fに鏡面仕上げを施した後、こ
れらの面を重ね合わせて、温度1000゜C程度に上げ
て数時間おくと、ウエハの裏面52とターボファン60
の頂面64Fとを接合することができる。
ボファン60の頂面64Fに鏡面仕上げを施した後、こ
れらの面を重ね合わせて、温度1000゜C程度に上げ
て数時間おくと、ウエハの裏面52とターボファン60
の頂面64Fとを接合することができる。
【0059】更には、ウエハの裏面52に直接ターボフ
ァン60を形成する。この場合にも、ウエハの裏面52
にターボファンが接合されているという範疇に包含され
る。ウエハの裏面52に直接ターボファン60を形成す
るためには、先に説明したターボファン60の作製工程
を逆にし、且つ犠牲層32の形成を省略すればよい。即
ち、最初にウエハの裏面52上にターボファン60の頂
面64Fを直接形成し、最後にターボファン60の底面
64Eを形成すればよい。その後、ウエハ表面を通常の
方法にて研磨する。こうして走行装置をウエハ裏面に備
えたウエハを作製することができる。
ァン60を形成する。この場合にも、ウエハの裏面52
にターボファンが接合されているという範疇に包含され
る。ウエハの裏面52に直接ターボファン60を形成す
るためには、先に説明したターボファン60の作製工程
を逆にし、且つ犠牲層32の形成を省略すればよい。即
ち、最初にウエハの裏面52上にターボファン60の頂
面64Fを直接形成し、最後にターボファン60の底面
64Eを形成すればよい。その後、ウエハ表面を通常の
方法にて研磨する。こうして走行装置をウエハ裏面に備
えたウエハを作製することができる。
【0060】実施例7においては、ターボファン60の
ファン62とステータ部72によって、所謂エッジ駆動
型の静電モータが構成される。ファン62の軸線に対し
て対向する一組のステータ部72に電圧を印加するとフ
ァン62は静電力でステータ部72に引きつけられる。
電圧を時間と共に順次隣接したステータ部72に印加し
ていくと、静電引力によってファン62が回転する。フ
ァン62の回転によって、ターボファン60の空気排出
部70から空気が吐出され、これによってウエハを浮上
させつつ移動させることができる。ステータ部72の制
御、更にはウエハの移動は、例えばウエハの裏面52に
取り付けられ、接合されあるいは形成された半導体装置
(図示せず)によって制御することができる。また、例
えば、搬送レールに電力を供給し、ターボファンに取り
付けられ且つターボファン(あるいは半導体装置)と電
気的に接続された可撓性を有する電極と搬送レールとを
接触させることによって、ターボファンへ電力を供給す
ることができる。
ファン62とステータ部72によって、所謂エッジ駆動
型の静電モータが構成される。ファン62の軸線に対し
て対向する一組のステータ部72に電圧を印加するとフ
ァン62は静電力でステータ部72に引きつけられる。
電圧を時間と共に順次隣接したステータ部72に印加し
ていくと、静電引力によってファン62が回転する。フ
ァン62の回転によって、ターボファン60の空気排出
部70から空気が吐出され、これによってウエハを浮上
させつつ移動させることができる。ステータ部72の制
御、更にはウエハの移動は、例えばウエハの裏面52に
取り付けられ、接合されあるいは形成された半導体装置
(図示せず)によって制御することができる。また、例
えば、搬送レールに電力を供給し、ターボファンに取り
付けられ且つターボファン(あるいは半導体装置)と電
気的に接続された可撓性を有する電極と搬送レールとを
接触させることによって、ターボファンへ電力を供給す
ることができる。
【0061】(実施例−8)実施例−7で説明したター
ボファンにおいては空気排出部70から吐出される空気
中にパーティクルが含まれ、かかるパーティクルによる
汚染が発生する虞れがある。これを防止するために、実
施例−8においては、空気排出部70にフィルター80
を設ける。このフィルター80は、ケーシング64の側
壁64Bに多結晶シリコン層82を形成し、フォトリソ
グラフィ技術及びエッチングによって多結晶シリコン層
82に複数の孔を開口する。その上にSiO2から成る
犠牲層を形成した後、犠牲層の表面に多結晶シリコン層
84を形成し、次いで、フォトリソグラフィ技術及びエ
ッチングによって多結晶シリコン層84に複数の孔を開
口する。その後犠牲層をエッチングにより除去すること
によって、フィルター80が形成される。
ボファンにおいては空気排出部70から吐出される空気
中にパーティクルが含まれ、かかるパーティクルによる
汚染が発生する虞れがある。これを防止するために、実
施例−8においては、空気排出部70にフィルター80
を設ける。このフィルター80は、ケーシング64の側
壁64Bに多結晶シリコン層82を形成し、フォトリソ
グラフィ技術及びエッチングによって多結晶シリコン層
82に複数の孔を開口する。その上にSiO2から成る
犠牲層を形成した後、犠牲層の表面に多結晶シリコン層
84を形成し、次いで、フォトリソグラフィ技術及びエ
ッチングによって多結晶シリコン層84に複数の孔を開
口する。その後犠牲層をエッチングにより除去すること
によって、フィルター80が形成される。
【0062】以上、本発明を実施例に基づき説明した
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。本発明の走行装置のローラー、フレームあるいは軸
受け部の形状を適宜変更することができる。摩擦を低減
するために、ローラーの軸や軸受け部、あるいはファン
やブッシングをSiN等から形成することができる。犠
牲層としてSiO2の代わりにPSGを用いることがで
きる。また、エッチング可能な材料としてSiNを用い
た場合、犠牲層として例えば多結晶シリコンを用いるこ
とができる。
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。本発明の走行装置のローラー、フレームあるいは軸
受け部の形状を適宜変更することができる。摩擦を低減
するために、ローラーの軸や軸受け部、あるいはファン
やブッシングをSiN等から形成することができる。犠
牲層としてSiO2の代わりにPSGを用いることがで
きる。また、エッチング可能な材料としてSiNを用い
た場合、犠牲層として例えば多結晶シリコンを用いるこ
とができる。
【0063】走行装置の作製方法は例示であり、適宜変
更することができる。また、走行装置の作製に例えばX
線リソグラフィ技術を応用することもできる。多結晶シ
リコン層にエッチストップ層を形成するために、多結晶
シリコン層に高濃度のホウ素をドープしたり、p−n接
合を多結晶シリコン層に形成することも可能である。
更することができる。また、走行装置の作製に例えばX
線リソグラフィ技術を応用することもできる。多結晶シ
リコン層にエッチストップ層を形成するために、多結晶
シリコン層に高濃度のホウ素をドープしたり、p−n接
合を多結晶シリコン層に形成することも可能である。
【0064】実施例−4及び実施例−5においては、ロ
ーラー12にロータ部22を設けたが、実施例−1〜実
施例−3で説明したローラー12、即ちロータ部を設け
ないローラーを実施例−4及び実施例−5に用いること
も可能である。実施例−4、実施例−5あるいは実施例
−7にて説明した走行装置あるいはターボファンにおけ
るロータ部やファンあるいはステータ部の形状や個数は
例示であり、適切な形状や個数とすることができる。
ーラー12にロータ部22を設けたが、実施例−1〜実
施例−3で説明したローラー12、即ちロータ部を設け
ないローラーを実施例−4及び実施例−5に用いること
も可能である。実施例−4、実施例−5あるいは実施例
−7にて説明した走行装置あるいはターボファンにおけ
るロータ部やファンあるいはステータ部の形状や個数は
例示であり、適切な形状や個数とすることができる。
【0065】
【発明の効果】本発明の走行装置は全ての構成材料がエ
ッチング可能な材料から構成されているので、マイクロ
マシーン技術によって走行装置あるいは走行装置を備え
たウエハをクリーンルーム中で作製することができ、非
常に清浄である。ウエハは走行装置により自走可能とな
るので、例えば半導体装置の製造プロセスにおいて搬送
装置が不要となる。従って、従来技術におけるウエハと
搬送装置との接触によるパーティクルの発生を防止する
ことができ、ウエハ裏面に付着したパーティクルによる
ウエハ表面の汚染も防止することができる。その結果、
半導体装置の製造歩留まりを向上させることが可能であ
る。本発明の接合方法により、ウエハ等のシリコン系材
料から作製された物品とマイクロマシーンとを容易に且
つ確実に接合させることができる。
ッチング可能な材料から構成されているので、マイクロ
マシーン技術によって走行装置あるいは走行装置を備え
たウエハをクリーンルーム中で作製することができ、非
常に清浄である。ウエハは走行装置により自走可能とな
るので、例えば半導体装置の製造プロセスにおいて搬送
装置が不要となる。従って、従来技術におけるウエハと
搬送装置との接触によるパーティクルの発生を防止する
ことができ、ウエハ裏面に付着したパーティクルによる
ウエハ表面の汚染も防止することができる。その結果、
半導体装置の製造歩留まりを向上させることが可能であ
る。本発明の接合方法により、ウエハ等のシリコン系材
料から作製された物品とマイクロマシーンとを容易に且
つ確実に接合させることができる。
【図1】実施例−1で説明した本発明の走行装置を示す
図である。
図である。
【図2】本発明の走行装置の作製工程を説明するため
の、走行装置の模式的な断面図である。
の、走行装置の模式的な断面図である。
【図3】図2に引き続き、本発明の走行装置の作製工程
を説明するための、走行装置の模式的な断面図である。
を説明するための、走行装置の模式的な断面図である。
【図4】図3に引き続き、本発明の走行装置の作製工程
を説明するための、走行装置の模式的な断面図である。
を説明するための、走行装置の模式的な断面図である。
【図5】図4に引き続き、本発明の走行装置の作製工程
を説明するための、走行装置の模式的な断面図である。
を説明するための、走行装置の模式的な断面図である。
【図6】実施例−2で説明した本発明の走行装置を示す
図である。
図である。
【図7】実施例−3で説明した本発明の走行装置を示す
図である。
図である。
【図8】実施例−4で説明した本発明の走行装置を示す
図である。
図である。
【図9】実施例−5で説明した本発明の走行装置を示す
図である。
図である。
【図10】本発明の第1の態様のウエハを示す図であ
る。
る。
【図11】本発明の第2の態様のウエハに接合されるタ
ーボファンを示す図である。
ーボファンを示す図である。
【図12】ターボファンの作製工程を示すための、ター
ボファンの模式的な断面図である。
ボファンの模式的な断面図である。
【図13】図12に引き続き、ターボファンの作製工程
を示すための、ターボファンの模式的な断面図である。
を示すための、ターボファンの模式的な断面図である。
【図14】図13に引き続き、ターボファンの作製工程
を示すための、ターボファンの模式的な断面図である。
を示すための、ターボファンの模式的な断面図である。
【図15】図14に引き続き、ターボファンの作製工程
を示すための、ターボファンの模式的な断面図である。
を示すための、ターボファンの模式的な断面図である。
【図16】図15に引き続き、ターボファンの作製工程
を示すための、ターボファンの模式的な断面図である。
を示すための、ターボファンの模式的な断面図である。
【図17】本発明の第2の態様のウエハを示す図であ
る。
る。
【図18】実施例−8にて説明したターボファン及びフ
ィルターの拡大断面図である。
ィルターの拡大断面図である。
【図19】ウエハを搬送するための従来のベルト搬送方
式を説明するための図である。
式を説明するための図である。
【図20】ウエハを搬送するための従来のローラー搬送
方式を説明するための図である。
方式を説明するための図である。
【図21】ウエハを搬送するための従来のウォーキング
ビーム方式を説明するための図である。
ビーム方式を説明するための図である。
【図22】ウエハを搬送するための従来のロボット搬送
方式を説明するための図である。
方式を説明するための図である。
10 走行装置 12 ローラー 14 フレーム 14A,14B,14C,14D フレームの側壁 14E フレームの頂面 16 軸受け部 18 軸 30 シリコン基板 32,34,36,38,40,42,44,46 犠
牲層 12A リング部 12B 貫通孔 12C 軸部 20 ローラーの側壁 22 ローター 24 ステータ部 50 ウエハ 52 ウエハの裏面 60 ターボファン 62 ファン 64 ケーシング 64A,64B,64C,64D ケーシングの側壁 64E ケーシングの底面 64F ケーシングの頂面 66 ブッシング 68 空気導入部 68A 空気導入部の上面 70 空気排出部 72 ステータ部 80 フィルター
牲層 12A リング部 12B 貫通孔 12C 軸部 20 ローラーの側壁 22 ローター 24 ステータ部 50 ウエハ 52 ウエハの裏面 60 ターボファン 62 ファン 64 ケーシング 64A,64B,64C,64D ケーシングの側壁 64E ケーシングの底面 64F ケーシングの頂面 66 ブッシング 68 空気導入部 68A 空気導入部の上面 70 空気排出部 72 ステータ部 80 フィルター
Claims (5)
- 【請求項1】エッチング可能な材料から形成された、ロ
ーラー、フレーム、及びフレームに形成されしかもロー
ラーを軸支する軸受け部から成ることを特徴とする走行
装置。 - 【請求項2】請求項1に記載された走行装置が裏面に接
合されていることを特徴とするウエハ。 - 【請求項3】ケーシング、ケーシングの内壁から突出し
たブッシング、及びブッシングに遊嵌されたファンから
構成され、且つこれらがエッチング可能な材料から形成
されたターボファンから成る走行装置が裏面に接合され
ていることを特徴とするウエハ。 - 【請求項4】マイクロマシーン技術によってウエハ裏面
に走行装置を作製した後、ウエハ表面を研磨することを
特徴とするウエハの作製方法。 - 【請求項5】シリコン系材料から作製されたマイクロマ
シーンを、シリコン系材料から作製された物品に接合す
る接合方法であって、前記マイクロマシーンに鏡面仕上
げ部分を形成し、前記物品に鏡面仕上げ部分を形成し、
マイクロマシーンの鏡面仕上げ部分と物品の鏡面仕上げ
部分とを接合することを特徴とする接合方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32233492A JPH06151547A (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 走行装置、走行装置を具備したウエハ、及びかかるウエハの作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32233492A JPH06151547A (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 走行装置、走行装置を具備したウエハ、及びかかるウエハの作製方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06151547A true JPH06151547A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=18142490
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32233492A Pending JPH06151547A (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 走行装置、走行装置を具備したウエハ、及びかかるウエハの作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06151547A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001042131A1 (fr) * | 1999-12-06 | 2001-06-14 | Takashi Nishi | Engrenage et procede de fabrication |
-
1992
- 1992-11-09 JP JP32233492A patent/JPH06151547A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001042131A1 (fr) * | 1999-12-06 | 2001-06-14 | Takashi Nishi | Engrenage et procede de fabrication |
US6948245B2 (en) | 1999-12-06 | 2005-09-27 | Takashi Nishi | Gear and method of making the same |
JP4611592B2 (ja) * | 1999-12-06 | 2011-01-12 | 孝 西 | 歯車の作成方法 |
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