JPH06136155A - 液晶配向膜の作製方法 - Google Patents
液晶配向膜の作製方法Info
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- JPH06136155A JPH06136155A JP2733091A JP2733091A JPH06136155A JP H06136155 A JPH06136155 A JP H06136155A JP 2733091 A JP2733091 A JP 2733091A JP 2733091 A JP2733091 A JP 2733091A JP H06136155 A JPH06136155 A JP H06136155A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 同一材料で配向性の異なる液晶配向膜を得
る。 【構成】液晶配向材料として、主鎖に一つ以上のSi−
Si結合を有するポリイミド前駆体を用い、LB法によ
り累積を行なうときに水相上の同一の展開分子の表面圧
を変化させる。これにより選択図に示すように、(a)
領域から(b)領域に圧縮し、主鎖の配向性が変化する
ことにより液晶の配向性の異なる液晶配向膜が製作でき
る。
る。 【構成】液晶配向材料として、主鎖に一つ以上のSi−
Si結合を有するポリイミド前駆体を用い、LB法によ
り累積を行なうときに水相上の同一の展開分子の表面圧
を変化させる。これにより選択図に示すように、(a)
領域から(b)領域に圧縮し、主鎖の配向性が変化する
ことにより液晶の配向性の異なる液晶配向膜が製作でき
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は液晶デバイスに係り、特
に液晶を配向させる為の液晶配向膜の作製方法に関す
る。
に液晶を配向させる為の液晶配向膜の作製方法に関す
る。
【0002】近年、従来の液晶配向膜作製過程で必要な
ラビング処理が不要な配向膜作製技術が望まれている。
このため、LB法による配向膜作製技術が期待されてい
る。
ラビング処理が不要な配向膜作製技術が望まれている。
このため、LB法による配向膜作製技術が期待されてい
る。
【0003】
【従来の技術】従来の液晶素子においては、回転塗布あ
るいはフレキソ印刷により透明電極上に液晶配向膜材料
を塗布した後、液晶配向膜材料表面をナイロンブラシ等
で擦る(ラビング処理)ことにより、液晶配向膜を形成
する。
るいはフレキソ印刷により透明電極上に液晶配向膜材料
を塗布した後、液晶配向膜材料表面をナイロンブラシ等
で擦る(ラビング処理)ことにより、液晶配向膜を形成
する。
【0004】ラビング処理の必要な従来の液晶配向膜と
比較して、LB法により形成した液晶配向膜は累積時に
分子が配向しており、ラビング処理が不要である。この
ことから、LB法はラビング処理に伴うゴミの発生など
のない配向膜作製技術として、特にセルギャップの小さ
い表面安定化強誘電性液晶の配向膜作製技術として重要
な技術である。
比較して、LB法により形成した液晶配向膜は累積時に
分子が配向しており、ラビング処理が不要である。この
ことから、LB法はラビング処理に伴うゴミの発生など
のない配向膜作製技術として、特にセルギャップの小さ
い表面安定化強誘電性液晶の配向膜作製技術として重要
な技術である。
【0005】一般に、LB法(垂直浸漬法)は(1)水
相表面に所望の分子を含む展開溶液を展開、(2)展開
溶媒の揮発、(3)水相表面上の分子を所望の表面圧ま
で圧縮、(4)水相表面上単分子膜を均一化する定圧ア
ニール(5)基板の昇降により水相表面上単分子膜の基
板への移し取り、の5工程がある。
相表面に所望の分子を含む展開溶液を展開、(2)展開
溶媒の揮発、(3)水相表面上の分子を所望の表面圧ま
で圧縮、(4)水相表面上単分子膜を均一化する定圧ア
ニール(5)基板の昇降により水相表面上単分子膜の基
板への移し取り、の5工程がある。
【0006】一般に、LB法における高分子の配向は
(5)の水相表面上に形成した単分子膜を基板への移し
取る過程で基板の昇降方向に分子の主鎖方向が配向し、
この配向性により液晶分子を配向させることが可能であ
る(日本化学会誌 1987(11) P.2174〜2179参照)。
(5)の水相表面上に形成した単分子膜を基板への移し
取る過程で基板の昇降方向に分子の主鎖方向が配向し、
この配向性により液晶分子を配向させることが可能であ
る(日本化学会誌 1987(11) P.2174〜2179参照)。
【0007】
【発明が解決しようとする問題点】しかるに、従来のL
B法に於ては高分子の配向性(配向方向、配向規制力)
をコントロールすること、更に基板内に複数の配向性の
異なる部分を形成することは不可能である。
B法に於ては高分子の配向性(配向方向、配向規制力)
をコントロールすること、更に基板内に複数の配向性の
異なる部分を形成することは不可能である。
【0008】本発明は、上記の点を鑑みなされたもの
で、配向性のコントロールが可能な液晶配向膜の作成方
法を提供することを目的とする。
で、配向性のコントロールが可能な液晶配向膜の作成方
法を提供することを目的とする。
【0009】
【問題を解決するための手段】本発明の上記目的は、液
晶配向材料として、主鎖に一つ以上のSi−Si結合を
有するポリイミド前駆体を用い、LB法により累積を行
なうときに、水相上の同一の展開分子の表面圧を変化さ
せることにより液晶の配向性の異なる液晶配向膜を形成
することを特徴とする液晶配向膜の作製方法を提供する
ことにより達成できる。
晶配向材料として、主鎖に一つ以上のSi−Si結合を
有するポリイミド前駆体を用い、LB法により累積を行
なうときに、水相上の同一の展開分子の表面圧を変化さ
せることにより液晶の配向性の異なる液晶配向膜を形成
することを特徴とする液晶配向膜の作製方法を提供する
ことにより達成できる。
【0010】また、それに加え水相上の同一の展開分子
の表面圧を変化させると共に、基板の昇降を繰り返すこ
とにより、配向性の異なる部分を基板内で且つ基板昇降
方向に複数混合させる液晶配向膜の作製方法も有効であ
る。
の表面圧を変化させると共に、基板の昇降を繰り返すこ
とにより、配向性の異なる部分を基板内で且つ基板昇降
方向に複数混合させる液晶配向膜の作製方法も有効であ
る。
【0011】
【作用】基板内に複数の配向性の異なる部分を形成する
ためには、水相上の膜を基板に累積する過程で配向性を
変化させる手法が必要になる。
ためには、水相上の膜を基板に累積する過程で配向性を
変化させる手法が必要になる。
【0012】そこで、上記手段により本発明では配向性
のコントロールが可能な分子として主鎖にSi−Si結
合を有するポリイミド前駆体を用い、且つ該ポリイミド
前駆体を表面圧を変えて累積したので、同一材料で配向
性の異なる膜が形成できる。
のコントロールが可能な分子として主鎖にSi−Si結
合を有するポリイミド前駆体を用い、且つ該ポリイミド
前駆体を表面圧を変えて累積したので、同一材料で配向
性の異なる膜が形成できる。
【0013】また、基板内(基板昇降方向)に複数の配
向性の異なる部分を形成する手法として、累積中に表面
圧を変化させることにより、基板の昇降方向あるいは昇
降方向と垂直方向に配向した部分を基板内(基板昇降方
向)に複数混合できる。
向性の異なる部分を形成する手法として、累積中に表面
圧を変化させることにより、基板の昇降方向あるいは昇
降方向と垂直方向に配向した部分を基板内(基板昇降方
向)に複数混合できる。
【0014】
【実施例】LB膜を形成する基板として、1.25cm
2 の透明電極を設けた30×40×1tmmのガラス基
板を用いた。また、LB膜の配向方向の測定には10×
50×1tmmの合成石英基板を用いた。
2 の透明電極を設けた30×40×1tmmのガラス基
板を用いた。また、LB膜の配向方向の測定には10×
50×1tmmの合成石英基板を用いた。
【0015】LB膜累積材料として、下記化学構造式3
のポリイミド前駆体を用いた。
のポリイミド前駆体を用いた。
【0016】
【化3】展開溶媒としてジメチルアセトアミド,ベンゼ
ン1:1溶液を用い、0.33mmol/lの展開溶液
を作製した。
ン1:1溶液を用い、0.33mmol/lの展開溶液
を作製した。
【0017】展開溶液300μmを20.5℃の純水上
展開した後、5分放置した。放置後バリア速度0.5m
m/sで展開分子を圧縮し、累積表面圧(25mN/
m,40mN/m)に達した後、20分放置した。放置
後基板引き上げ方向から5mm/minの基板昇降速度
で累積を行なった。
展開した後、5分放置した。放置後バリア速度0.5m
m/sで展開分子を圧縮し、累積表面圧(25mN/
m,40mN/m)に達した後、20分放置した。放置
後基板引き上げ方向から5mm/minの基板昇降速度
で累積を行なった。
【0018】累積後、250℃で1時間加熱し、下記化
学構造式4のポリイミドLB膜を得た。
学構造式4のポリイミドLB膜を得た。
【0019】
【化4】10×50×1t mmの合成石英基板に累積
表面圧25mN/m及び40mN/mで21層累積し、
加熱イミド化を行なった。偏光UV吸収スペクトルに於
ける265nmの吸収強度と偏光方向から、累積表面圧
25mN/m及び40mN/mでのポリイミドLB膜の
配向方向を比較した。
表面圧25mN/m及び40mN/mで21層累積し、
加熱イミド化を行なった。偏光UV吸収スペクトルに於
ける265nmの吸収強度と偏光方向から、累積表面圧
25mN/m及び40mN/mでのポリイミドLB膜の
配向方向を比較した。
【0020】25mN/mでは基板の昇降方向にポリイ
ミドの主鎖が配向した膜が得られ、40mN/mでは基
板の昇降方向と垂直にポリイミドの主鎖が配向した膜が
得られた。
ミドの主鎖が配向した膜が得られ、40mN/mでは基
板の昇降方向と垂直にポリイミドの主鎖が配向した膜が
得られた。
【0021】1.25cm2 の透明電極を設けた30×
40×1t mmのガラス基板に累積表面圧25mN/
m及び40mN/mで垂直浸漬法により3層累積し、加
熱イミド化を行なった基板2枚を用い、一方の基板表面
に平均粒径1.6μmのシリカビーズをスペーサ材とし
て分散させ、2枚の基板をアンチパラレルの向きで張り
合わせた。
40×1t mmのガラス基板に累積表面圧25mN/
m及び40mN/mで垂直浸漬法により3層累積し、加
熱イミド化を行なった基板2枚を用い、一方の基板表面
に平均粒径1.6μmのシリカビーズをスペーサ材とし
て分散させ、2枚の基板をアンチパラレルの向きで張り
合わせた。
【0022】このパネルに強誘電性液晶のZLI−42
37−100を注入し、一度I層にした後、2℃/mi
nの割合で降温した。この液晶パネルについて、偏光顕
微鏡を用いて液晶分子の配向方向を観察した結果、累積
表面圧25mN/m及び40mN/mとも配向膜である
ポリイミドの主鎖方向と平行な配向であった。
37−100を注入し、一度I層にした後、2℃/mi
nの割合で降温した。この液晶パネルについて、偏光顕
微鏡を用いて液晶分子の配向方向を観察した結果、累積
表面圧25mN/m及び40mN/mとも配向膜である
ポリイミドの主鎖方向と平行な配向であった。
【0023】上記と同様のガラス基板を用い、LB法に
よる累積時に、表面圧を25mN/mにした後基板を5
mm上昇(あるいは降下)、バリアによって水相上の分
子膜を圧縮し、表面圧を40mN/mにした後、基板を
5mm上昇(あるいは降下)、バリアによって水相上の
分子膜を拡張し、表面圧を25mN/mにした後、5m
m上昇(あるいは降下)を繰り返し、3層累積すること
により、基板内(基板昇降方向)に複数の配向性の異な
る部分を形成した基板を作製した。このようにして作製
した基板2枚を上記の方法で液晶パネルにした。この
時、同じ表面圧で累積た部分が向き合うように位置合わ
せを行なった。
よる累積時に、表面圧を25mN/mにした後基板を5
mm上昇(あるいは降下)、バリアによって水相上の分
子膜を圧縮し、表面圧を40mN/mにした後、基板を
5mm上昇(あるいは降下)、バリアによって水相上の
分子膜を拡張し、表面圧を25mN/mにした後、5m
m上昇(あるいは降下)を繰り返し、3層累積すること
により、基板内(基板昇降方向)に複数の配向性の異な
る部分を形成した基板を作製した。このようにして作製
した基板2枚を上記の方法で液晶パネルにした。この
時、同じ表面圧で累積た部分が向き合うように位置合わ
せを行なった。
【0024】この液晶パネルについて、偏光顕微鏡を用
いて液晶分子の配向方向を観察した結果、累積表面圧2
5mN/mの部分及び40mN/mの部分とも配向膜で
あるポリイミドの主鎖方向と平行な配向に液晶分子が配
向し、基板の昇降方向あるいは昇降方向と垂直方向に配
向した部分を基板内(基板昇降方向)に複数混合させる
ことを可能にした。
いて液晶分子の配向方向を観察した結果、累積表面圧2
5mN/mの部分及び40mN/mの部分とも配向膜で
あるポリイミドの主鎖方向と平行な配向に液晶分子が配
向し、基板の昇降方向あるいは昇降方向と垂直方向に配
向した部分を基板内(基板昇降方向)に複数混合させる
ことを可能にした。
【0025】図1は化学構造式3のポリイミド前駆体の
表面圧─占有面積特性(SURFACE PRESSURE−AREA) を示
す。該図より明らかな通り、本実施例においては(a)
の領域から(b)の領域に圧縮することにより、累積時
における主鎖の配向方向が変化する高分子材料に有効で
ある。
表面圧─占有面積特性(SURFACE PRESSURE−AREA) を示
す。該図より明らかな通り、本実施例においては(a)
の領域から(b)の領域に圧縮することにより、累積時
における主鎖の配向方向が変化する高分子材料に有効で
ある。
【0026】ポリアミド酸として、上記化学構造式1と
アルキル鎖長が16以上のアルキルアミンより合成した
ポリイミド前駆体に有効である。尚、上記化学構造式1
における芳香族Arの一例として4種類を化学構造式5
に、アルキルアミンの一例として4種類を化学構造式6
に示す。
アルキル鎖長が16以上のアルキルアミンより合成した
ポリイミド前駆体に有効である。尚、上記化学構造式1
における芳香族Arの一例として4種類を化学構造式5
に、アルキルアミンの一例として4種類を化学構造式6
に示す。
【0027】
【化5】
【0028】
【化6】
【0029】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明の主鎖に一つ
以上のSi−Si結合を有するポリイミド前駆体を表面
圧を変えて累積を行なうことにより、従来のLB膜と違
い同一の材料で配向性の異なる液晶配向膜を得ることが
可能となる。さらに、累積中に表面圧を変化させて累積
することにより、基板の昇降方向あるいは昇降方向と垂
直方向に配向した部分を基板内(基板昇降方向)に複数
混合させることが可能となる。
以上のSi−Si結合を有するポリイミド前駆体を表面
圧を変えて累積を行なうことにより、従来のLB膜と違
い同一の材料で配向性の異なる液晶配向膜を得ることが
可能となる。さらに、累積中に表面圧を変化させて累積
することにより、基板の昇降方向あるいは昇降方向と垂
直方向に配向した部分を基板内(基板昇降方向)に複数
混合させることが可能となる。
【図1】本発明の一実施例で用いたLB膜形成材料の表
面圧─面積特性曲線の一例である。
面圧─面積特性曲線の一例である。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成4年7月17日
【手続補正1】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図1】 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成5年11月18日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 液晶配向膜の作製方法
【特許請求の範囲】
【化1】
【化2】
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野】本発明は液晶デバイスに係り、特
に液晶を配向させる為の液晶配向膜の作製方法に関す
る。近年、従来の液晶配向膜作製過程で必要なラビング
処理が不要な配向膜作製技術が望まれている。このた
め、LB法による配向膜作製技術が期待されている。
に液晶を配向させる為の液晶配向膜の作製方法に関す
る。近年、従来の液晶配向膜作製過程で必要なラビング
処理が不要な配向膜作製技術が望まれている。このた
め、LB法による配向膜作製技術が期待されている。
【従来の技術】従来の液晶素子においては、回転塗布あ
るいはフレキソ印刷による透明電極上に液晶配向膜材料
を塗布した後、液晶配向膜材料表面をナイロンブラシ等
で擦る(ラビング処理)ことにより、液晶配向膜を形成
する。ラビング処理の必要な従来の液晶配向膜と比較し
て、LB法により形成した液晶配向膜は累積時に分子が
配向しており、ラビング処理が不要である。このことか
ら、LB法はラビング処理に伴うゴミの発生などのない
配向膜作製技術として、特にセルギャップの小さい表面
安定化強誘電性液晶の配向膜作製技術として重要な技術
である。一般に、LB法(垂直浸漬法)は(1)水相表
面に所望の分子を含む展開溶液を展開、(2)展開溶媒
の揮発、(3)水相表面上の分子を所望の表面圧まで圧
縮、(4)水相表面上単分子膜を均一化する定圧アニー
ル(5)基板の昇降により水相表面上単分子膜の基板へ
の移し取り、の5工程がある。一般に、LB法における
高分子の配向は(5)の水相表面上に形成した単分子膜
を基板への移し取る過程で基板の昇降方向に分子の主鎖
方向が配向し、この配向性により液晶分子を配向させる
ことが可能である(日本化学会誌1987(11)P.2174〜2179
参照)。
るいはフレキソ印刷による透明電極上に液晶配向膜材料
を塗布した後、液晶配向膜材料表面をナイロンブラシ等
で擦る(ラビング処理)ことにより、液晶配向膜を形成
する。ラビング処理の必要な従来の液晶配向膜と比較し
て、LB法により形成した液晶配向膜は累積時に分子が
配向しており、ラビング処理が不要である。このことか
ら、LB法はラビング処理に伴うゴミの発生などのない
配向膜作製技術として、特にセルギャップの小さい表面
安定化強誘電性液晶の配向膜作製技術として重要な技術
である。一般に、LB法(垂直浸漬法)は(1)水相表
面に所望の分子を含む展開溶液を展開、(2)展開溶媒
の揮発、(3)水相表面上の分子を所望の表面圧まで圧
縮、(4)水相表面上単分子膜を均一化する定圧アニー
ル(5)基板の昇降により水相表面上単分子膜の基板へ
の移し取り、の5工程がある。一般に、LB法における
高分子の配向は(5)の水相表面上に形成した単分子膜
を基板への移し取る過程で基板の昇降方向に分子の主鎖
方向が配向し、この配向性により液晶分子を配向させる
ことが可能である(日本化学会誌1987(11)P.2174〜2179
参照)。
【発明が解決しようとする問題点】しかるに、従来のL
B法に於ては高分子の配向性(配向方向、配向規制力)
をコントロールすること、更に基板内に複数の配向性の
異なる部分を形成することは不可能である。本発明は、
上記の点を鑑みなされたもので、配向性のコントロール
が可能な液晶配向膜の作成方法を提供することを目的と
する。
B法に於ては高分子の配向性(配向方向、配向規制力)
をコントロールすること、更に基板内に複数の配向性の
異なる部分を形成することは不可能である。本発明は、
上記の点を鑑みなされたもので、配向性のコントロール
が可能な液晶配向膜の作成方法を提供することを目的と
する。
【問題を解決するための手段】本発明の上記目的は、液
晶配向材料として、主鎖に一つ以上のSi−Si結合を
有するポリイミド前駆体を用い、LB法により累積を行
なうときに、水相上の同一の展開分子の表面圧を変化さ
せることにより液晶の配向性の異なる液晶配向膜を形成
することを特徴とする液晶配向膜の作製方法を提供する
ことにより達成できる。また、それに加え水相上の同一
の展開分子の表面圧を変化させると共に、基板の昇降を
繰り返すことにより、配向性の異なる部分を基板内で且
つ基板昇降方向に複数混合させる液晶配向膜の作製方法
も有効である。
晶配向材料として、主鎖に一つ以上のSi−Si結合を
有するポリイミド前駆体を用い、LB法により累積を行
なうときに、水相上の同一の展開分子の表面圧を変化さ
せることにより液晶の配向性の異なる液晶配向膜を形成
することを特徴とする液晶配向膜の作製方法を提供する
ことにより達成できる。また、それに加え水相上の同一
の展開分子の表面圧を変化させると共に、基板の昇降を
繰り返すことにより、配向性の異なる部分を基板内で且
つ基板昇降方向に複数混合させる液晶配向膜の作製方法
も有効である。
【作用】基板内に複数の配向性の異なる部分を形成する
ためには、水相上の膜を基板に累積する過程で配向性を
変化させる手法が必要になる。そこで、上記手段により
本発明では配向性のコントロールが可能な分子として主
鎖にSi−Si結合を有するポリイミド前駆体を用い、
且つ該ポリイミド前駆体を表面圧を変えて累積したの
で、同一材料で配向性の異なる膜が形成できる。また、
基板内(基板昇降方向)に複数の配向性の異なる部分を
形成する手法として、累積中に表面圧を変化させること
により、基板の昇降方向あるいは昇降方向と垂直方向に
配向した部分を基板内(基板昇降方向)に複数混合でき
る。
ためには、水相上の膜を基板に累積する過程で配向性を
変化させる手法が必要になる。そこで、上記手段により
本発明では配向性のコントロールが可能な分子として主
鎖にSi−Si結合を有するポリイミド前駆体を用い、
且つ該ポリイミド前駆体を表面圧を変えて累積したの
で、同一材料で配向性の異なる膜が形成できる。また、
基板内(基板昇降方向)に複数の配向性の異なる部分を
形成する手法として、累積中に表面圧を変化させること
により、基板の昇降方向あるいは昇降方向と垂直方向に
配向した部分を基板内(基板昇降方向)に複数混合でき
る。
【実施例】LB膜を形成する基板として1.25cm2
の透明電極を設けた30×40×1tmmのガラス基板
を用いた。また、LB膜の配向方向の測定には10×5
0×1tmmの合成石英基板を用いた。LB膜累積材料
として、下記化学構造式3のポリイミド前駆体を用い
た。
の透明電極を設けた30×40×1tmmのガラス基板
を用いた。また、LB膜の配向方向の測定には10×5
0×1tmmの合成石英基板を用いた。LB膜累積材料
として、下記化学構造式3のポリイミド前駆体を用い
た。
【化3】 展開溶媒としてジメチルアセトアミド,ベンゼン1:1
溶液を用い、0.33mmol/lの展開溶液を作製し
た。展開溶液300μmを20.5℃の純水上展開した
後、5分放置した。放置後バリア速度0.5mm/sで
展開分子を圧縮し、累積表面圧(25mN/m,40m
N/m)に達した後、20分放置した。放置後基板引き
上げ方向から5mm/minの基板昇降速度で累積を行
なった。累積後、250℃で1時間加熱し、下記化学構
造式4のポリイミドLB膜を得た。
溶液を用い、0.33mmol/lの展開溶液を作製し
た。展開溶液300μmを20.5℃の純水上展開した
後、5分放置した。放置後バリア速度0.5mm/sで
展開分子を圧縮し、累積表面圧(25mN/m,40m
N/m)に達した後、20分放置した。放置後基板引き
上げ方向から5mm/minの基板昇降速度で累積を行
なった。累積後、250℃で1時間加熱し、下記化学構
造式4のポリイミドLB膜を得た。
【化4】 10×50×1t mmの合成石英基板に累積表面圧2
5mN/m及び40mN/mで21層累積し、加熱イミ
ド化を行なった。偏光UV吸収スペクトルに於ける26
5nmの吸収強度と偏光方向から、累積表面圧25mN
/m及び40mN/mでのポリイミドLB膜の配向方向
を比較した。25mN/mでは基板の昇降方向にポリイ
ミドの主鎖が配向した膜が得られ、40mN/mでは基
板の昇降方向と垂直にポリイミドの主鎖が配向した膜が
得られた。1.25cm2 の透明電極を設けた30×4
0×1t mmのガラス基板に累積表面圧25mN/m
及び40mN/mで垂直浸漬法により3層累積し、加熱
イミド化を行なった基板2枚を用い、一方の基板表面に
平均粒径1.6μmのシリカビーズをスペーサ材として
分散させ、2枚の基板をアンチパラレルの向きで張り合
わせた。このパネルに強誘電性液晶のZLI−4237
−100を注入し、一度I層にした後、2℃/minの
割合で降温した。この液晶パネルについて、偏向顕微鏡
を用いて液晶分子の配向方向を観察した結果、累積表面
圧25mN/m及び40mN/mとも配向膜であるポリ
イミドの主鎖方向と平行な配向であった。上記と同様の
ガラス基板を用い、LB法による累積時に、表面圧を2
5mN/mにした後基板を5mm上昇(あるいは降
下)、バリアによって水相上の分子膜を圧縮し、表面圧
を40mN/mにした後、基板を5mm上昇(あるいは
降下)、バリアによって水相上の分子膜を拡張し、表面
圧を25mN/mにした後、5mm上昇(あるいは降
下)を繰り返し、3層累積することにより、基板内(基
板昇降方向)に複数の配向性の異なる部分を形成した基
板を作製した。このようにして作製した基板2枚を上記
の方法で液晶パネルにした。この時、同じ表面圧で累積
た部分が向き合うように位置合わせを行なった。この液
晶パネルについて、偏光顕微鏡を用いて液晶分子の配向
方向を観察した結果、累積表面圧25mN/mの部分及
び40mN/mの部分とも配向膜であるポリイミドの主
鎖方向と平行な配向に液晶分子が配向し、基板の昇降方
向あるいは昇降方向と垂直方向に配向した部分を基板内
(基板昇降方向)に複数混合させることを可能にした。
図1は化学構造式3のポリイミド前駆体の表面圧−占有
面積特性(SURFACE PRESSURE-AREA)を示す。該図より明
らかな通り、本実施例においては(a)の領域から
(b)の領域に圧縮することにより、累積時における主
鎖の配向方向が変化する高分子材料に有効である。ポリ
アミド酸として、上記化学構造式1とアルキル鎖長が1
6以上のアルキルアミンより合成したポリイミド前駆体
に有効である。尚、上記化学構造式1における芳香族A
rの一例として4種類を化学構造式5に、アルキルアミ
ンの一例として4種類を化学構造式6に示す。
5mN/m及び40mN/mで21層累積し、加熱イミ
ド化を行なった。偏光UV吸収スペクトルに於ける26
5nmの吸収強度と偏光方向から、累積表面圧25mN
/m及び40mN/mでのポリイミドLB膜の配向方向
を比較した。25mN/mでは基板の昇降方向にポリイ
ミドの主鎖が配向した膜が得られ、40mN/mでは基
板の昇降方向と垂直にポリイミドの主鎖が配向した膜が
得られた。1.25cm2 の透明電極を設けた30×4
0×1t mmのガラス基板に累積表面圧25mN/m
及び40mN/mで垂直浸漬法により3層累積し、加熱
イミド化を行なった基板2枚を用い、一方の基板表面に
平均粒径1.6μmのシリカビーズをスペーサ材として
分散させ、2枚の基板をアンチパラレルの向きで張り合
わせた。このパネルに強誘電性液晶のZLI−4237
−100を注入し、一度I層にした後、2℃/minの
割合で降温した。この液晶パネルについて、偏向顕微鏡
を用いて液晶分子の配向方向を観察した結果、累積表面
圧25mN/m及び40mN/mとも配向膜であるポリ
イミドの主鎖方向と平行な配向であった。上記と同様の
ガラス基板を用い、LB法による累積時に、表面圧を2
5mN/mにした後基板を5mm上昇(あるいは降
下)、バリアによって水相上の分子膜を圧縮し、表面圧
を40mN/mにした後、基板を5mm上昇(あるいは
降下)、バリアによって水相上の分子膜を拡張し、表面
圧を25mN/mにした後、5mm上昇(あるいは降
下)を繰り返し、3層累積することにより、基板内(基
板昇降方向)に複数の配向性の異なる部分を形成した基
板を作製した。このようにして作製した基板2枚を上記
の方法で液晶パネルにした。この時、同じ表面圧で累積
た部分が向き合うように位置合わせを行なった。この液
晶パネルについて、偏光顕微鏡を用いて液晶分子の配向
方向を観察した結果、累積表面圧25mN/mの部分及
び40mN/mの部分とも配向膜であるポリイミドの主
鎖方向と平行な配向に液晶分子が配向し、基板の昇降方
向あるいは昇降方向と垂直方向に配向した部分を基板内
(基板昇降方向)に複数混合させることを可能にした。
図1は化学構造式3のポリイミド前駆体の表面圧−占有
面積特性(SURFACE PRESSURE-AREA)を示す。該図より明
らかな通り、本実施例においては(a)の領域から
(b)の領域に圧縮することにより、累積時における主
鎖の配向方向が変化する高分子材料に有効である。ポリ
アミド酸として、上記化学構造式1とアルキル鎖長が1
6以上のアルキルアミンより合成したポリイミド前駆体
に有効である。尚、上記化学構造式1における芳香族A
rの一例として4種類を化学構造式5に、アルキルアミ
ンの一例として4種類を化学構造式6に示す。
【化5】
【化6】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明の主鎖に一つ
以上のSi−Si結合を有するポリイミド前駆体を表面
圧を変えて累積を行なうことにより、従来のLB膜と違
い同一の材料で配向性の異なる液晶配向膜を得ることが
可能となる。さらに、累積中に表面圧を変化させて累積
することにより、基板の昇降方向あるいは昇降方向と垂
直方向に配向した部分を基板内(基板昇降方向)に複数
混合させることが可能となる。
以上のSi−Si結合を有するポリイミド前駆体を表面
圧を変えて累積を行なうことにより、従来のLB膜と違
い同一の材料で配向性の異なる液晶配向膜を得ることが
可能となる。さらに、累積中に表面圧を変化させて累積
することにより、基板の昇降方向あるいは昇降方向と垂
直方向に配向した部分を基板内(基板昇降方向)に複数
混合させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例で用いたLB膜形成材料の表
面圧−面積特性曲線の一例である。
面圧−面積特性曲線の一例である。
Claims (4)
- 【請求項1】 液晶配向材料として、主鎖に一つ以上の
Si−Si結合を有するポリイミド前駆体を用い、 ラングミュア・ブロジェット法(以下LB法)により累
積を行なうときに、水相上の同一の展開分子の表面圧を
変化させることにより液晶の配向性の異なる液晶配向膜
を形成することを特徴とする液晶配向膜の作製方法。 - 【請求項2】 水相上の同一の展開分子の表面圧を変化
させると共に、基板の昇降を繰り返すことにより、配向
性の異なる部分を基板内で且つ基板昇降方向に複数混合
させることを特徴とする請求項1記載の液晶配向膜の作
製方法。 - 【請求項3】 ポリイミド前駆体を合成するポリアミド
酸として、下記化学構造式1(Ar:芳香族)の材料を
用いることを特徴とする請求項1或いは2記載の液晶配
向膜の作製方法。 【化1】 - 【請求項4】 ポリイミド前駆体として、ポリアミド酸
が下記化学構造式2からなり、且つアルキル鎖長が16以
上のアルキルアミンより合成したポリイミド前駆体を用
い、18mN/m〜30mN/mの表面圧と、40mN
/m〜50mN/mの表面圧で異なる配向性の分子膜を
累積するLB膜累積方法を用いて形成することを特徴と
する請求項1或いは2記載の液晶配向膜の製作方法。 【化2】
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2733091A JP2550786B2 (ja) | 1991-02-21 | 1991-02-21 | 液晶配向膜の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2733091A JP2550786B2 (ja) | 1991-02-21 | 1991-02-21 | 液晶配向膜の作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06136155A true JPH06136155A (ja) | 1994-05-17 |
JP2550786B2 JP2550786B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=12218060
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2733091A Expired - Lifetime JP2550786B2 (ja) | 1991-02-21 | 1991-02-21 | 液晶配向膜の作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2550786B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105385456A (zh) * | 2014-08-29 | 2016-03-09 | Jsr株式会社 | 液晶取向剂、液晶取向膜及其制造方法、液晶显示元件、以及相位差膜及其制造方法 |
-
1991
- 1991-02-21 JP JP2733091A patent/JP2550786B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105385456A (zh) * | 2014-08-29 | 2016-03-09 | Jsr株式会社 | 液晶取向剂、液晶取向膜及其制造方法、液晶显示元件、以及相位差膜及其制造方法 |
KR20160026658A (ko) * | 2014-08-29 | 2016-03-09 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 액정 배향제, 액정 배향막 및 그의 제조 방법, 액정 표시 소자, 그리고 위상차 필름 및 그의 제조 방법 |
JP2016051165A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | Jsr株式会社 | 液晶配向剤、液晶配向膜及びその製造方法、液晶表示素子、並びに位相差フィルム及びその製造方法 |
CN105385456B (zh) * | 2014-08-29 | 2020-01-31 | Jsr株式会社 | 液晶取向剂、液晶取向膜及其制造方法、液晶显示元件、以及相位差膜及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2550786B2 (ja) | 1996-11-06 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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