JPH06136130A - ポリシラザンの高分子量化方法、高分子量化されたポリシラザン、及び該ポリシラザンを塗布焼付けた耐熱絶縁電線 - Google Patents
ポリシラザンの高分子量化方法、高分子量化されたポリシラザン、及び該ポリシラザンを塗布焼付けた耐熱絶縁電線Info
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- JPH06136130A JPH06136130A JP4310888A JP31088892A JPH06136130A JP H06136130 A JPH06136130 A JP H06136130A JP 4310888 A JP4310888 A JP 4310888A JP 31088892 A JP31088892 A JP 31088892A JP H06136130 A JPH06136130 A JP H06136130A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ポリシラザンの高分子量化方法を提供するこ
と。高分子量化されたポリシラザンを用いることによ
り、耐熱性と柔軟性を備え、かつ、機械的強度が良好な
ポリシラザンの絶縁皮膜を有する耐熱絶縁電線を提供す
ること。 【構成】 繰り返し単位〔Ｉ〕 （−ＳｉＲ1Ｒ2−ＮＨ−） 〔Ｉ〕 〔式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、水素原子、ア
ルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルキル
アミノ基、アリール基、またはアルキルシリル基から選
ばれる。〕で表されるポリシラザンを不活性ガス中で加
熱することを特徴とするポリシラザンの高分子量化方
法。該方法により得られる高分子量化ポリシラザン。導
体上に高分子量化したポリシラザンを塗布焼付けしてな
る耐熱絶縁電線。
と。高分子量化されたポリシラザンを用いることによ
り、耐熱性と柔軟性を備え、かつ、機械的強度が良好な
ポリシラザンの絶縁皮膜を有する耐熱絶縁電線を提供す
ること。 【構成】 繰り返し単位〔Ｉ〕 （−ＳｉＲ1Ｒ2−ＮＨ−） 〔Ｉ〕 〔式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、水素原子、ア
ルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルキル
アミノ基、アリール基、またはアルキルシリル基から選
ばれる。〕で表されるポリシラザンを不活性ガス中で加
熱することを特徴とするポリシラザンの高分子量化方
法。該方法により得られる高分子量化ポリシラザン。導
体上に高分子量化したポリシラザンを塗布焼付けしてな
る耐熱絶縁電線。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ポリシラザンの高分子
量化方法、及び該方法により得られる改善された耐熱性
と機械的特性を有するポリシラザンに関する。また、本
発明は、高分子量化されたポリシラザンを塗布焼付けし
てなる耐熱絶縁電線に関する。
量化方法、及び該方法により得られる改善された耐熱性
と機械的特性を有するポリシラザンに関する。また、本
発明は、高分子量化されたポリシラザンを塗布焼付けし
てなる耐熱絶縁電線に関する。
【０００２】
【従来の技術】機器の配線、巻線等に使用される絶縁電
線は、非常な高温に曝された場合であっても、高度の耐
熱性が要求されることがある。例えば、特殊な化学プラ
ントや加熱設備など、高温下に曝された場合でも安全性
の要求される設備に使用される絶縁電線等には、高度の
耐熱性が要求される。従来、このような用途に使用され
る耐熱絶縁電線の絶縁皮膜には、ポリイミド樹脂、ポリ
アミドイミド樹脂、フッ素系樹脂等の耐熱性樹脂が使用
されている。
線は、非常な高温に曝された場合であっても、高度の耐
熱性が要求されることがある。例えば、特殊な化学プラ
ントや加熱設備など、高温下に曝された場合でも安全性
の要求される設備に使用される絶縁電線等には、高度の
耐熱性が要求される。従来、このような用途に使用され
る耐熱絶縁電線の絶縁皮膜には、ポリイミド樹脂、ポリ
アミドイミド樹脂、フッ素系樹脂等の耐熱性樹脂が使用
されている。
【０００３】しかし、このような耐熱性樹脂からなる有
機絶縁皮膜では、より高い耐熱性が要求される用途や高
温下におけるより高い信頼性の必要な用途においては、
耐熱性が不十分である。そこで、シリコーン樹脂や焼成
によりセラミック化するポリカルボシラン、ポリチタノ
シランなどのプリセラミックポリマーを含む無機絶縁皮
膜を設けた絶縁電線が検討されている。ところが、シリ
コーン樹脂や従来提案されているプリセラミックポリマ
ーは、高温下での熱分解時の収率が低く、得られるセラ
ミック皮膜はクラック等の欠陥を生じ易い。
機絶縁皮膜では、より高い耐熱性が要求される用途や高
温下におけるより高い信頼性の必要な用途においては、
耐熱性が不十分である。そこで、シリコーン樹脂や焼成
によりセラミック化するポリカルボシラン、ポリチタノ
シランなどのプリセラミックポリマーを含む無機絶縁皮
膜を設けた絶縁電線が検討されている。ところが、シリ
コーン樹脂や従来提案されているプリセラミックポリマ
ーは、高温下での熱分解時の収率が低く、得られるセラ
ミック皮膜はクラック等の欠陥を生じ易い。
【０００４】プリセラミックポリマーとして、ジクロロ
シランのアンモノリシスにより得られるポリシラザンが
知られている。このポリシラザンは、熱分解収率が比較
的高いため、絶縁電線の皮膜としての用途が期待されて
いる。ところが、ジクロロシランのアンモノリシスによ
り得られるポリシラザンは、数平均分子量が一般に約８
００以下と小さく、該ポリシラザンを塗布焼付けした絶
縁電線は、皮膜の機械的特性が不十分である。また、導
体上に、ポリシラザンの皮膜を設けた絶縁電線は、ポリ
シラザンを完全に焼成すると可撓性が損なわれるため、
高い耐熱性に加え、柔軟性を要求される用途に対して
は、未焼成（または不完全焼成）の皮膜を作成して対応
しているが、ポリシラザンの数平均分子量が小さいこと
もあって、該皮膜の機械的特性は、不十分である。
シランのアンモノリシスにより得られるポリシラザンが
知られている。このポリシラザンは、熱分解収率が比較
的高いため、絶縁電線の皮膜としての用途が期待されて
いる。ところが、ジクロロシランのアンモノリシスによ
り得られるポリシラザンは、数平均分子量が一般に約８
００以下と小さく、該ポリシラザンを塗布焼付けした絶
縁電線は、皮膜の機械的特性が不十分である。また、導
体上に、ポリシラザンの皮膜を設けた絶縁電線は、ポリ
シラザンを完全に焼成すると可撓性が損なわれるため、
高い耐熱性に加え、柔軟性を要求される用途に対して
は、未焼成（または不完全焼成）の皮膜を作成して対応
しているが、ポリシラザンの数平均分子量が小さいこと
もあって、該皮膜の機械的特性は、不十分である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ポリ
シラザンの高分子量化方法を提供することにある。本発
明のより具体的な目的は、ジクロロシランのアンモノリ
シスにより得られるポリシラザンを、比較的簡単な方法
で高分子量化し、耐熱性と機械的強度に優れた高分子量
化ポリシラザンを提供することにある。本発明の他の目
的は、高分子量化されたポリシラザンを用いることによ
り、耐熱性と柔軟性を備え、かつ、機械的強度が良好な
ポリシラザンの絶縁皮膜を有する耐熱絶縁電線を提供す
ることにある。
シラザンの高分子量化方法を提供することにある。本発
明のより具体的な目的は、ジクロロシランのアンモノリ
シスにより得られるポリシラザンを、比較的簡単な方法
で高分子量化し、耐熱性と機械的強度に優れた高分子量
化ポリシラザンを提供することにある。本発明の他の目
的は、高分子量化されたポリシラザンを用いることによ
り、耐熱性と柔軟性を備え、かつ、機械的強度が良好な
ポリシラザンの絶縁皮膜を有する耐熱絶縁電線を提供す
ることにある。
【０００６】本発明者らは、前記従来技術の問題点を克
服するために鋭意研究した結果、ポリシラザンを不活性
ガス中で加熱することにより容易に高分子量化すること
ができることを見出した。また、得られた高分子量化し
たポリシラザンは、優れた耐熱性と機械的強度を有して
おり、絶縁電線の絶縁皮膜とした場合に、可撓性でかつ
機械的物性に優れた耐熱絶縁電線の得られることを見出
した。本発明は、これらの知見に基づいて完成するに至
ったものである。
服するために鋭意研究した結果、ポリシラザンを不活性
ガス中で加熱することにより容易に高分子量化すること
ができることを見出した。また、得られた高分子量化し
たポリシラザンは、優れた耐熱性と機械的強度を有して
おり、絶縁電線の絶縁皮膜とした場合に、可撓性でかつ
機械的物性に優れた耐熱絶縁電線の得られることを見出
した。本発明は、これらの知見に基づいて完成するに至
ったものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】かくして、本発明によれ
ば、繰り返し単位〔Ｉ〕 （−ＳｉＲ1Ｒ2−ＮＨ−） 〔Ｉ〕 〔式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、水素原子、ア
ルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルキル
アミノ基、アリール基、またはアルキルシリル基から選
ばれる。〕で表されるポリシラザンを不活性ガス中で加
熱することを特徴とするポリシラザンの高分子量化方法
が提供される。また、本発明によれば、前記方法により
高分子量化したポリシラザンが提供される。さらに、本
発明によれば、導体上に、前記方法で高分子量化したポ
リシラザンを塗布焼付けしてなる耐熱絶縁電線が提供さ
れる。
ば、繰り返し単位〔Ｉ〕 （−ＳｉＲ1Ｒ2−ＮＨ−） 〔Ｉ〕 〔式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、水素原子、ア
ルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルキル
アミノ基、アリール基、またはアルキルシリル基から選
ばれる。〕で表されるポリシラザンを不活性ガス中で加
熱することを特徴とするポリシラザンの高分子量化方法
が提供される。また、本発明によれば、前記方法により
高分子量化したポリシラザンが提供される。さらに、本
発明によれば、導体上に、前記方法で高分子量化したポ
リシラザンを塗布焼付けしてなる耐熱絶縁電線が提供さ
れる。
【０００８】以下、本発明について詳述する。本発明で
使用する原料のポリシラザンは、繰り返し単位〔Ｉ〕 （−ＳｉＲ 1Ｒ 2−ＮＨ−） 〔Ｉ〕 〔式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、水素原子、ア
ルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルキル
アミノ基、アリール基、またはアルキルシリル基から選
ばれる。〕を有するポリマーである。
使用する原料のポリシラザンは、繰り返し単位〔Ｉ〕 （−ＳｉＲ 1Ｒ 2−ＮＨ−） 〔Ｉ〕 〔式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、水素原子、ア
ルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルキル
アミノ基、アリール基、またはアルキルシリル基から選
ばれる。〕を有するポリマーである。
【０００９】アルキル基としては、メチル、エチル、プ
ロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、デシ
ル等が挙げられる。アルケニル基としては、ビニル、ア
リル、ブレニル、ペンテニル、ヘキセニル、ブチニル、
オクテニル、デセニル等が挙げられる。アリール基とし
ては、フェニル、トリル、キシリル、ナフチル等が挙げ
られる。
ロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、デシ
ル等が挙げられる。アルケニル基としては、ビニル、ア
リル、ブレニル、ペンテニル、ヘキセニル、ブチニル、
オクテニル、デセニル等が挙げられる。アリール基とし
ては、フェニル、トリル、キシリル、ナフチル等が挙げ
られる。
【００１０】このポリシラザンは、一般式Ｒ1Ｒ2ＳｉＸ
2（Ｒ1及びＲ2は、前記と同じであり、Ｘは、ハロゲン
原子である。）で表されるジハロシランとアンモニアを
反応させること（即ち、アンモノリシス）により得るこ
とができる。ジハロシランと塩基とを反応させてジハロ
シランのアダクツを形成した後、アンモニアと反応させ
てもよい。このアンモノリシスは、一般に、ジクロロメ
タンなどの有機溶媒中、氷冷下にて行われるが、それに
より数平均分子量が通常７００〜８００程度のポリシラ
ザンが生成する。
2（Ｒ1及びＲ2は、前記と同じであり、Ｘは、ハロゲン
原子である。）で表されるジハロシランとアンモニアを
反応させること（即ち、アンモノリシス）により得るこ
とができる。ジハロシランと塩基とを反応させてジハロ
シランのアダクツを形成した後、アンモニアと反応させ
てもよい。このアンモノリシスは、一般に、ジクロロメ
タンなどの有機溶媒中、氷冷下にて行われるが、それに
より数平均分子量が通常７００〜８００程度のポリシラ
ザンが生成する。
【００１１】このポリシラザンを用いて、導体上に絶縁
皮膜を形成させて絶縁電線を得る場合、絶縁電線の柔軟
性を確保するために、ポリシラザンを含む塗料を導体上
に塗布し、焼付けた（焼成処理）後にも、ポリシラザン
は未焼成（または不完全焼成）の状態に保持しなければ
ならない。ところが、ジクロロシランのアンモノリシス
により得られるポリシラザンは、比較的低分子量である
ため、未焼成な皮膜では十分な機械的強度を得ることが
できない。本発明では、ポリシラザンを高分子量化する
ことにより、耐熱性と柔軟性を兼備すると共に、絶縁皮
膜の機械的特性を改善する点に特徴を有する。
皮膜を形成させて絶縁電線を得る場合、絶縁電線の柔軟
性を確保するために、ポリシラザンを含む塗料を導体上
に塗布し、焼付けた（焼成処理）後にも、ポリシラザン
は未焼成（または不完全焼成）の状態に保持しなければ
ならない。ところが、ジクロロシランのアンモノリシス
により得られるポリシラザンは、比較的低分子量である
ため、未焼成な皮膜では十分な機械的強度を得ることが
できない。本発明では、ポリシラザンを高分子量化する
ことにより、耐熱性と柔軟性を兼備すると共に、絶縁皮
膜の機械的特性を改善する点に特徴を有する。
【００１２】高分子量化の方法として、本発明では、原
料ポリシラザンを不活性ガス中で加熱する方法を採用す
る。ポリシラザンの酸化による架橋反応が生じると、溶
剤への不溶化を起こすため、不活性ガス中で加熱する。
料ポリシラザンを不活性ガス中で加熱する方法を採用す
る。ポリシラザンの酸化による架橋反応が生じると、溶
剤への不溶化を起こすため、不活性ガス中で加熱する。
【００１３】加熱温度は、通常１００〜４００℃、好ま
しくは１５０〜３００℃である。加熱時間は、通常３０
分以上であり、長時間となるほどより高分子量物が得ら
れるが、作業性及び生産性を考慮すると、好ましくは１
〜３０時間である。この高分子量化処理により、ゲルパ
ーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し
た数平均分子量（ポリスチレン換算）を原料ポリシラザ
ンの２倍以上とすることが好ましい。特に、高分子量化
したポリシラザンを絶縁皮膜として使用する場合には、
高分子量化処理により、数平均分子量が１５００以上、
好ましくは１６００以上とすることが好ましい。数平均
分子量を１５００以上にすることで、絶縁電線製造時の
加工条件に耐え、皮膜の損傷のない耐熱絶縁電線が得ら
れる。
しくは１５０〜３００℃である。加熱時間は、通常３０
分以上であり、長時間となるほどより高分子量物が得ら
れるが、作業性及び生産性を考慮すると、好ましくは１
〜３０時間である。この高分子量化処理により、ゲルパ
ーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し
た数平均分子量（ポリスチレン換算）を原料ポリシラザ
ンの２倍以上とすることが好ましい。特に、高分子量化
したポリシラザンを絶縁皮膜として使用する場合には、
高分子量化処理により、数平均分子量が１５００以上、
好ましくは１６００以上とすることが好ましい。数平均
分子量を１５００以上にすることで、絶縁電線製造時の
加工条件に耐え、皮膜の損傷のない耐熱絶縁電線が得ら
れる。
【００１４】また、耐熱性及び導体との密着性の観点か
ら、繰り返し単位〔Ｉ〕中、Ｒ1及びＲ2の少なくとも一
つが水素原子であるポリシラザンが好ましい。さらに、
未焼成時の安定性、高分子量化の行い易さの観点から、
繰り返し単位〔Ｉ〕が、Ｒ1及びＲ2の少なくとも一つが
水素原子である繰り返し単位と、両者が水素原子でない
繰り返し単位とを含むことが好ましい。
ら、繰り返し単位〔Ｉ〕中、Ｒ1及びＲ2の少なくとも一
つが水素原子であるポリシラザンが好ましい。さらに、
未焼成時の安定性、高分子量化の行い易さの観点から、
繰り返し単位〔Ｉ〕が、Ｒ1及びＲ2の少なくとも一つが
水素原子である繰り返し単位と、両者が水素原子でない
繰り返し単位とを含むことが好ましい。
【００１５】具体的には、繰り返し単位〔Ｉ〕が、下記
の繰り返し単位〔Ｉ−１〕 （−ＳｉＲ1Ｒ2−ＮＨ−） 〔Ｉ−１〕 〔式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、水素原子、ア
ルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルキル
アミノ基、アリール基、またはアルキルシリル基から選
ばれ、かつ、Ｒ1及びＲ2の少なくとも１つが水素原子で
ある。〕、及び下記の繰り返し単位〔Ｉ−２〕 （−ＳｉＲ3Ｒ4−ＮＨ−） 〔Ｉ−２〕 〔式中、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立に、アルキル基、
アルケニル基、シクロアルキル基、アルキルアミノ基、
アリール基、またはアルキルシリル基から選ばれる。〕
の両者を含有するポリシラザンである。
の繰り返し単位〔Ｉ−１〕 （−ＳｉＲ1Ｒ2−ＮＨ−） 〔Ｉ−１〕 〔式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、水素原子、ア
ルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルキル
アミノ基、アリール基、またはアルキルシリル基から選
ばれ、かつ、Ｒ1及びＲ2の少なくとも１つが水素原子で
ある。〕、及び下記の繰り返し単位〔Ｉ−２〕 （−ＳｉＲ3Ｒ4−ＮＨ−） 〔Ｉ−２〕 〔式中、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立に、アルキル基、
アルケニル基、シクロアルキル基、アルキルアミノ基、
アリール基、またはアルキルシリル基から選ばれる。〕
の両者を含有するポリシラザンである。
【００１６】このような共重合ポリシラザンは、ジハロ
シランとして、Ｒ1Ｒ2ＳｉＸ2及びＲ3Ｒ4ＳｉＸ2の混合
物を使用することにより得ることができる。Ｒ3及びＲ4
を共にフェニル基とすることが、皮膜の可撓性を安定し
て保持する上で好ましい。
シランとして、Ｒ1Ｒ2ＳｉＸ2及びＲ3Ｒ4ＳｉＸ2の混合
物を使用することにより得ることができる。Ｒ3及びＲ4
を共にフェニル基とすることが、皮膜の可撓性を安定し
て保持する上で好ましい。
【００１７】繰り返し単位〔Ｉ−１〕は、Ｓｉ−Ｈ結合
を有しているため、熱分解時のセラミック収率が高く、
欠陥の少ない皮膜を形成するのに寄与する。一方、未焼
成ポリシラザン中に多数のＳｉ−Ｈ結合が残存している
と、空気中の水分と反応してＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を生成
し、皮膜の可撓性が損なわれ易いが、繰り返し単位〔Ｉ
−２〕は、空気中の水分と反応し難いため、未焼成ポリ
シラザン皮膜の安定性に寄与する。これらの繰り返し単
位の好ましい割合は、繰り返し単位〔Ｉ−１〕が９０〜
４０モル％で、繰り返し単位〔Ｉ−２〕が１０〜６０モ
ル％である。
を有しているため、熱分解時のセラミック収率が高く、
欠陥の少ない皮膜を形成するのに寄与する。一方、未焼
成ポリシラザン中に多数のＳｉ−Ｈ結合が残存している
と、空気中の水分と反応してＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を生成
し、皮膜の可撓性が損なわれ易いが、繰り返し単位〔Ｉ
−２〕は、空気中の水分と反応し難いため、未焼成ポリ
シラザン皮膜の安定性に寄与する。これらの繰り返し単
位の好ましい割合は、繰り返し単位〔Ｉ−１〕が９０〜
４０モル％で、繰り返し単位〔Ｉ−２〕が１０〜６０モ
ル％である。
【００１８】本発明の高分子量化方法により得られる高
分子量化したポリシラザンは、有機溶媒に可溶性であ
る。高分子量化したポリシラザンを用いて、、導体上に
皮膜を形成するには、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水
素、芳香族炭化水素等の炭化水素溶媒、ハロゲン化炭化
水素、脂肪族エーテルや脂環エーテル等のエーテル類等
の有機溶媒中に溶解させ、得られた絶縁塗料を導体上に
塗布すればよい。好ましい溶媒としては、キシレン、ベ
ンゼン、トルエン、エチルベンゼン、ペンタン、ヘキサ
ン、メチルペンタン、ジメチルブタン、ヘプタン、オク
タン、ノナン、デカン、ドデカン等の炭化水素溶媒；塩
化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、塩化エチレ
ン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン等のハロゲ
ン化炭化水素；を挙げることができる。
分子量化したポリシラザンは、有機溶媒に可溶性であ
る。高分子量化したポリシラザンを用いて、、導体上に
皮膜を形成するには、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水
素、芳香族炭化水素等の炭化水素溶媒、ハロゲン化炭化
水素、脂肪族エーテルや脂環エーテル等のエーテル類等
の有機溶媒中に溶解させ、得られた絶縁塗料を導体上に
塗布すればよい。好ましい溶媒としては、キシレン、ベ
ンゼン、トルエン、エチルベンゼン、ペンタン、ヘキサ
ン、メチルペンタン、ジメチルブタン、ヘプタン、オク
タン、ノナン、デカン、ドデカン等の炭化水素溶媒；塩
化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、塩化エチレ
ン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン等のハロゲ
ン化炭化水素；を挙げることができる。
【００１９】塗料の濃度は、通常９０重量％以下、好ま
しくは１０〜５０重量％の範囲である。また、所望によ
り、無機充填剤、レベリング剤、消泡剤、帯電防止剤、
紫外線吸収剤、可塑剤、分散剤、表面改質剤、ｐＨ調整
剤、乾燥促進剤などの汎用の添加剤を加えてもよい。
しくは１０〜５０重量％の範囲である。また、所望によ
り、無機充填剤、レベリング剤、消泡剤、帯電防止剤、
紫外線吸収剤、可塑剤、分散剤、表面改質剤、ｐＨ調整
剤、乾燥促進剤などの汎用の添加剤を加えてもよい。
【００２０】ポリシラザンを含有する塗料は、常法に従
って電線にコーティングした後、焼付ける（焼成処理す
る）。焼付け温度は、通常１００〜１１００℃である
が、皮膜の可撓性を保持する上で、２００〜５００℃と
することが望ましい。焼付け時間は、所望の可撓性が得
られる範囲とし、通常数分から数時間である。絶縁電線
の導体は、特に限定されず、例えば、銅線、ニッケルメ
ッキ銅線、アルミニウム線、金線、金メッキ銅線等を挙
げることができる。
って電線にコーティングした後、焼付ける（焼成処理す
る）。焼付け温度は、通常１００〜１１００℃である
が、皮膜の可撓性を保持する上で、２００〜５００℃と
することが望ましい。焼付け時間は、所望の可撓性が得
られる範囲とし、通常数分から数時間である。絶縁電線
の導体は、特に限定されず、例えば、銅線、ニッケルメ
ッキ銅線、アルミニウム線、金線、金メッキ銅線等を挙
げることができる。
【００２１】
【実施例】以下に、合成例、実施例及び比較例を挙げ
て、本発明についてより具体的に説明するが、本発明
は、これらの実施例のみに限定されるものではない。
て、本発明についてより具体的に説明するが、本発明
は、これらの実施例のみに限定されるものではない。
【００２２】［合成例１］反応容器を乾燥窒素ガスで置
換した後、蒸留ジクロロメタン８００ｇを入れて０℃以
下に冷却し、メチルジクロロシラン（ＣＨ3ＨＳｉＣ
ｌ2）８０ｇを投入した。３０分撹拌をした後、ＮＨ3を
２００ｍｌ／分で２．５時間投入し、アンモノリシスさ
せた。ＮＨ4Ｃｌの析出で溶液は白色のペースト状とな
った。ろ過を行い、ろ液を取り出し減圧乾燥することに
より、高粘性液体を得た。ＩＲスペクトルの各ピークの
帰属によりポリシラザンの生成を確認した。また、ＧＰ
Ｃにより分子量を測定したところ、数平均分子量（Ｍ
ｎ）７００で、重量平均分子量（Ｍｗ）１０００であっ
た。
換した後、蒸留ジクロロメタン８００ｇを入れて０℃以
下に冷却し、メチルジクロロシラン（ＣＨ3ＨＳｉＣ
ｌ2）８０ｇを投入した。３０分撹拌をした後、ＮＨ3を
２００ｍｌ／分で２．５時間投入し、アンモノリシスさ
せた。ＮＨ4Ｃｌの析出で溶液は白色のペースト状とな
った。ろ過を行い、ろ液を取り出し減圧乾燥することに
より、高粘性液体を得た。ＩＲスペクトルの各ピークの
帰属によりポリシラザンの生成を確認した。また、ＧＰ
Ｃにより分子量を測定したところ、数平均分子量（Ｍ
ｎ）７００で、重量平均分子量（Ｍｗ）１０００であっ
た。
【００２３】［合成例２］反応容器を乾燥窒素ガスで置
換した後、蒸留ジクロロメタン８００ｇを入れて０℃以
下に冷却し、メチルジクロロシラン（ＣＨ3ＨＳｉＣ
ｌ2）８０ｇとジフェニルジクロロシラン（Ｐｈ2ＳｉＣ
ｌ2）２０ｇを添加した。３０分撹拌をした後、ＮＨ3を
２００ｍｌ／分で３時間投入し、アンモノリシスさせ
た。ＮＨ4Ｃｌの析出で溶液は白色のペースト状となっ
た。ろ過を行い、ろ液を取り出し真空乾燥することによ
り、高粘性液体を得た。ＩＲスペクトルの各ピークの帰
属により共重合ポリシラザンの生成を確認した。また、
ＧＰＣにより分子量を測定したところ、数平均分子量
（Ｍｎ）８００で、重量平均分子量（Ｍｗ）１２００で
あった。
換した後、蒸留ジクロロメタン８００ｇを入れて０℃以
下に冷却し、メチルジクロロシラン（ＣＨ3ＨＳｉＣ
ｌ2）８０ｇとジフェニルジクロロシラン（Ｐｈ2ＳｉＣ
ｌ2）２０ｇを添加した。３０分撹拌をした後、ＮＨ3を
２００ｍｌ／分で３時間投入し、アンモノリシスさせ
た。ＮＨ4Ｃｌの析出で溶液は白色のペースト状となっ
た。ろ過を行い、ろ液を取り出し真空乾燥することによ
り、高粘性液体を得た。ＩＲスペクトルの各ピークの帰
属により共重合ポリシラザンの生成を確認した。また、
ＧＰＣにより分子量を測定したところ、数平均分子量
（Ｍｎ）８００で、重量平均分子量（Ｍｗ）１２００で
あった。
【００２４】［実施例１］合成例１で得られたポリシラ
ザン２５ｇを、乾燥窒素をフローさせた反応容器中に投
入した。次に、残留する溶剤を除去し、樹脂のみにした
後、窒素雰囲気下で、２００℃、２時間加熱した。加熱
終了後、固形物を得た。この固形物は、キシレンに容易
に溶解した。得られた固形物について、ＧＰＣにより分
子量を測定したところ、数平均分子量（Ｍｎ）１６００
で、重量平均分子量（Ｍｗ）１１２００であった。
ザン２５ｇを、乾燥窒素をフローさせた反応容器中に投
入した。次に、残留する溶剤を除去し、樹脂のみにした
後、窒素雰囲気下で、２００℃、２時間加熱した。加熱
終了後、固形物を得た。この固形物は、キシレンに容易
に溶解した。得られた固形物について、ＧＰＣにより分
子量を測定したところ、数平均分子量（Ｍｎ）１６００
で、重量平均分子量（Ｍｗ）１１２００であった。
【００２５】［実施例２］合成例２で得られたポリシラ
ザン２５ｇを、乾燥窒素をフローさせた反応容器中に投
入した。次に、残留する溶剤を除去し、樹脂のみにした
後、窒素雰囲気下で、２５０℃、２０時間加熱した。加
熱終了後、固形物を得た。この固形物は、キシレンに容
易に溶解した。得られた固形物について、ＧＰＣにより
分子量を測定したところ、数平均分子量（Ｍｎ）２１０
０で、重量平均分子量（Ｍｗ）２２３００であった。
ザン２５ｇを、乾燥窒素をフローさせた反応容器中に投
入した。次に、残留する溶剤を除去し、樹脂のみにした
後、窒素雰囲気下で、２５０℃、２０時間加熱した。加
熱終了後、固形物を得た。この固形物は、キシレンに容
易に溶解した。得られた固形物について、ＧＰＣにより
分子量を測定したところ、数平均分子量（Ｍｎ）２１０
０で、重量平均分子量（Ｍｗ）２２３００であった。
【００２６】［実施例３］実施例１で得られた高分子量
化ポリメチルヒドロシラザンをキシレンに溶解してコー
ティング用溶液（濃度２０重量％）を作成し、直径１．
０ｍｍφの銅線に塗布した。塗布した銅線を恒温槽中に
入れ、大気中、２５０℃で３分間焼付けて、厚み１０μ
ｍの皮膜を有する被覆電線を得た。皮膜の機械的特性を
評価するために、可とう性（ＪＩＳ Ｃ−３００３エナ
メル試験法）、及び耐こすれ性〔芯線と同一径のピアノ
線とこすり合わせた時の皮膜の耐荷重（ｇ）〕を測定し
た。結果は、次の通りであった。 可とう性 ：３ｄ 耐こすれ性：６００ｇ
化ポリメチルヒドロシラザンをキシレンに溶解してコー
ティング用溶液（濃度２０重量％）を作成し、直径１．
０ｍｍφの銅線に塗布した。塗布した銅線を恒温槽中に
入れ、大気中、２５０℃で３分間焼付けて、厚み１０μ
ｍの皮膜を有する被覆電線を得た。皮膜の機械的特性を
評価するために、可とう性（ＪＩＳ Ｃ−３００３エナ
メル試験法）、及び耐こすれ性〔芯線と同一径のピアノ
線とこすり合わせた時の皮膜の耐荷重（ｇ）〕を測定し
た。結果は、次の通りであった。 可とう性 ：３ｄ 耐こすれ性：６００ｇ
【００２７】［比較例１］合成例１で得られたポリメチ
ルヒドロシラザンをキシレンに溶解してコーティング用
溶液（濃度２０重量％）を作成し、直径１．０ｍｍφの
銅線に塗布した。塗布した銅線を恒温槽中に入れ、大気
中、２５０℃で３分間焼付けて、厚み１０μｍの皮膜を
有する被覆電線を得た。可とう性及び耐こすれ性の測定
結果は、次の通りであった。 可とう性 ：３ｄ 耐こすれ性：１００ｇ
ルヒドロシラザンをキシレンに溶解してコーティング用
溶液（濃度２０重量％）を作成し、直径１．０ｍｍφの
銅線に塗布した。塗布した銅線を恒温槽中に入れ、大気
中、２５０℃で３分間焼付けて、厚み１０μｍの皮膜を
有する被覆電線を得た。可とう性及び耐こすれ性の測定
結果は、次の通りであった。 可とう性 ：３ｄ 耐こすれ性：１００ｇ
【００２８】［実施例４］実施例２で得られた共重合ポ
リシラザンをキシレンに溶解してコーティング用溶液
（濃度２０重量％）を作成し、直径１．０ｍｍφの銅線
に塗布した。塗布した銅線を恒温槽中に入れ、大気中、
２５０℃で２０分間焼付けて、厚み１０μｍの皮膜を有
する被覆電線を得た。可とう性及び耐こすれ性の測定結
果は、次の通りであった。 可とう性 ：１ｄ 耐こすれ性：１０００ｇ
リシラザンをキシレンに溶解してコーティング用溶液
（濃度２０重量％）を作成し、直径１．０ｍｍφの銅線
に塗布した。塗布した銅線を恒温槽中に入れ、大気中、
２５０℃で２０分間焼付けて、厚み１０μｍの皮膜を有
する被覆電線を得た。可とう性及び耐こすれ性の測定結
果は、次の通りであった。 可とう性 ：１ｄ 耐こすれ性：１０００ｇ
【００２９】［比較例２］合成例２で得られた共重合ポ
リシラザンをキシレンに溶解してコーティング用溶液
（濃度２０重量％）を作成し、直径１．０ｍｍφの銅線
に塗布した。塗布した銅線を恒温槽中に入れ、大気中、
２５０℃で２０分間焼付けて、厚み１０μｍの皮膜を有
する被覆電線を得た。可とう性及び耐こすれ性の測定結
果は、次の通りであった。 可とう性 ：１ｄ 耐こすれ性：１００ｇ
リシラザンをキシレンに溶解してコーティング用溶液
（濃度２０重量％）を作成し、直径１．０ｍｍφの銅線
に塗布した。塗布した銅線を恒温槽中に入れ、大気中、
２５０℃で２０分間焼付けて、厚み１０μｍの皮膜を有
する被覆電線を得た。可とう性及び耐こすれ性の測定結
果は、次の通りであった。 可とう性 ：１ｄ 耐こすれ性：１００ｇ
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、ポリシラザンを比較的
簡単な方法で高分子量化し、耐熱性と機械的強度に優れ
た高分子量化ポリシラザンを得ることができる。また、
本発明によれば、高分子量化されたポリシラザンを用い
ることにより、耐熱性と柔軟性を備え、かつ、機械的強
度が良好なポリシラザンの絶縁皮膜を有する耐熱絶縁電
線が得られる。
簡単な方法で高分子量化し、耐熱性と機械的強度に優れ
た高分子量化ポリシラザンを得ることができる。また、
本発明によれば、高分子量化されたポリシラザンを用い
ることにより、耐熱性と柔軟性を備え、かつ、機械的強
度が良好なポリシラザンの絶縁皮膜を有する耐熱絶縁電
線が得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｂ 7/34 Ａ 7244−5Ｇ // Ｈ０１Ｂ 13/16 Ｂ 7244−5Ｇ
Claims (5)
- 【請求項１】 繰り返し単位〔Ｉ〕 （−ＳｉＲ1Ｒ2−ＮＨ−） 〔Ｉ〕 〔式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、水素原子、ア
ルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルキル
アミノ基、アリール基、またはアルキルシリル基から選
ばれる。〕で表されるポリシラザンを不活性ガス中で加
熱することを特徴とするポリシラザンの高分子量化方
法。 - 【請求項２】 ポリシラザンの繰り返し単位〔Ｉ〕が、
下記の繰り返し単位〔Ｉ−１〕 （−ＳｉＲ1Ｒ2−ＮＨ−） 〔Ｉ−１〕 〔式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、水素原子、ア
ルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルキル
アミノ基、アリール基、またはアルキルシリル基から選
ばれ、かつ、Ｒ1及びＲ2の少なくとも１つが水素原子で
ある。〕、及び下記の繰り返し単位〔Ｉ−２〕 （−ＳｉＲ3Ｒ4−ＮＨ−） 〔Ｉ−２〕 〔式中、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立に、アルキル基、
アルケニル基、シクロアルキル基、アルキルアミノ基、
アリール基、またはアルキルシリル基から選ばれる。〕
の両者を含有するものである請求項１記載の高分子量化
方法。 - 【請求項３】 不活性ガス中で加熱することにより、ポ
リシラザンの数平均分子量を２倍以上に高分子量化する
請求項１または２記載の高分子量化方法。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれか１項記載の
方法により高分子量化したポリシラザン。 - 【請求項５】 導体上に、請求項４記載の高分子量化し
たポリシラザンを塗布焼付けしてなる耐熱絶縁電線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4310888A JPH06136130A (ja) | 1992-10-26 | 1992-10-26 | ポリシラザンの高分子量化方法、高分子量化されたポリシラザン、及び該ポリシラザンを塗布焼付けた耐熱絶縁電線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4310888A JPH06136130A (ja) | 1992-10-26 | 1992-10-26 | ポリシラザンの高分子量化方法、高分子量化されたポリシラザン、及び該ポリシラザンを塗布焼付けた耐熱絶縁電線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06136130A true JPH06136130A (ja) | 1994-05-17 |
Family
ID=18010593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4310888A Pending JPH06136130A (ja) | 1992-10-26 | 1992-10-26 | ポリシラザンの高分子量化方法、高分子量化されたポリシラザン、及び該ポリシラザンを塗布焼付けた耐熱絶縁電線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06136130A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5665643A (en) * | 1994-11-15 | 1997-09-09 | Fujitsu Limited | Manufacture of planarized insulating layer |
| JP2008088224A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Toshiba Corp | ポリシラザンまたはポリシラザン溶液の取り扱い方法、ポリシラザンまたはポリシラザン溶液、半導体装置の製造方法 |
| JP2016074875A (ja) * | 2014-10-07 | 2016-05-12 | 三星エスディアイ株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ ＳＤＩ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | シリカ系膜形成用組成物、シリカ系膜、および電子デバイス |
-
1992
- 1992-10-26 JP JP4310888A patent/JPH06136130A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5665643A (en) * | 1994-11-15 | 1997-09-09 | Fujitsu Limited | Manufacture of planarized insulating layer |
| JP2008088224A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Toshiba Corp | ポリシラザンまたはポリシラザン溶液の取り扱い方法、ポリシラザンまたはポリシラザン溶液、半導体装置の製造方法 |
| JP2016074875A (ja) * | 2014-10-07 | 2016-05-12 | 三星エスディアイ株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ ＳＤＩ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | シリカ系膜形成用組成物、シリカ系膜、および電子デバイス |
| CN106189267A (zh) * | 2014-10-07 | 2016-12-07 | 三星Sdi株式会社 | 用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及电子装置 |
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