JPH06132600A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH06132600A JPH06132600A JP28432092A JP28432092A JPH06132600A JP H06132600 A JPH06132600 A JP H06132600A JP 28432092 A JP28432092 A JP 28432092A JP 28432092 A JP28432092 A JP 28432092A JP H06132600 A JPH06132600 A JP H06132600A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体レーザの発振光の偏光成分の比が変化し
ても、半導体レーザの一方の側の光軸上に配置した偏光
子を通過した光と、その反対側の受光素子に受光される
光の状態を同一にでき、これによって常に安定した光出
力を供給できる半導体レーザ装置の提供を目的とする。 【構成】半導体レーザ1と、該半導体レーザ1の一方の
側の光軸上に配置した偏光子2と、前記半導体レーザ1
の他方の側の光軸上に配置される受光素子4と、前記受
光素子4の受光信号を帰還して前記半導体レーザ1の駆
動電流を制御する電源部5を具備する半導体レーザ装置
で、前記半導体レーザ1と受光素子4の間に偏光子3が
配置される。
ても、半導体レーザの一方の側の光軸上に配置した偏光
子を通過した光と、その反対側の受光素子に受光される
光の状態を同一にでき、これによって常に安定した光出
力を供給できる半導体レーザ装置の提供を目的とする。 【構成】半導体レーザ1と、該半導体レーザ1の一方の
側の光軸上に配置した偏光子2と、前記半導体レーザ1
の他方の側の光軸上に配置される受光素子4と、前記受
光素子4の受光信号を帰還して前記半導体レーザ1の駆
動電流を制御する電源部5を具備する半導体レーザ装置
で、前記半導体レーザ1と受光素子4の間に偏光子3が
配置される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザの発振光
の偏光状態が変化しても、安定した光出力が得られる半
導体レーザ装置に関するものである。
の偏光状態が変化しても、安定した光出力が得られる半
導体レーザ装置に関するものである。
【0002】
【従来技術】光通信システムで使用される半導体レーザ
において、該半導体レーザから発信された発振光が光フ
ァイバの端面等で反射されて該半導体レーザに戻って来
ると、発振周波数の不安定化や雑音増加を引き起こし、
その結果、光通信システムの品質を劣化させてしまう。
このため通常、半導体レーザの直前には、該半導体レー
ザに戻り光が帰還するのを防止するための光アイソレー
タが配設される。
において、該半導体レーザから発信された発振光が光フ
ァイバの端面等で反射されて該半導体レーザに戻って来
ると、発振周波数の不安定化や雑音増加を引き起こし、
その結果、光通信システムの品質を劣化させてしまう。
このため通常、半導体レーザの直前には、該半導体レー
ザに戻り光が帰還するのを防止するための光アイソレー
タが配設される。
【0003】一方半導体レーザは温度等によってその光
出力が変動するため、半導体レーザの光出力を常にモニ
ターしておき、その光出力の変動に応じて半導体レーザ
の駆動電流を制御して半導体レーザの光出力を安定化さ
せることが望ましい。
出力が変動するため、半導体レーザの光出力を常にモニ
ターしておき、その光出力の変動に応じて半導体レーザ
の駆動電流を制御して半導体レーザの光出力を安定化さ
せることが望ましい。
【0004】図5、図6はこの種のモニター装置を取り
付けた従来の光アイソレータ付き半導体レーザ装置を示
す概略図である。
付けた従来の光アイソレータ付き半導体レーザ装置を示
す概略図である。
【0005】図5に示す半導体レーザ装置は、半導体レ
ーザ81と、球レンズ82と、磁石89によって磁化さ
れたファラデー回転子83と、検光子84と、球レンズ
85と、光ファイバ86とを、この順番で光軸上に配設
するとともに、検光子84で分離された光を球レンズ8
7を介して受光素子88に受光せしめるように構成され
ている。ここで検光子84は、複屈折結晶で構成され、
直交する偏光成分を分離して一方の偏光成分(TEモー
ド)を信号光として光ファイバ86方向に導き、直交す
る他方の偏光成分(TMモード)をモニタ光として受光
素子88に導くものである。つまりこの従来例において
は、半導体レーザ81から出射されてファラデー回転子
83を通過した光の内の一方の偏光成分をモニタ光とし
て受光素子88に受光させ、その電気出力を図示しない
電源回路に帰還させ、この電源回路によって半導体レー
ザ81の出力を調整し、安定化するものである。
ーザ81と、球レンズ82と、磁石89によって磁化さ
れたファラデー回転子83と、検光子84と、球レンズ
85と、光ファイバ86とを、この順番で光軸上に配設
するとともに、検光子84で分離された光を球レンズ8
7を介して受光素子88に受光せしめるように構成され
ている。ここで検光子84は、複屈折結晶で構成され、
直交する偏光成分を分離して一方の偏光成分(TEモー
ド)を信号光として光ファイバ86方向に導き、直交す
る他方の偏光成分(TMモード)をモニタ光として受光
素子88に導くものである。つまりこの従来例において
は、半導体レーザ81から出射されてファラデー回転子
83を通過した光の内の一方の偏光成分をモニタ光とし
て受光素子88に受光させ、その電気出力を図示しない
電源回路に帰還させ、この電源回路によって半導体レー
ザ81の出力を調整し、安定化するものである。
【0006】一方図6に示す半導体レーザ装置は、半導
体レーザ91と光ファイバ100の間に、レンズ92
と、光アイソレータ99(ファラデー回転子94を2枚
の偏光子93、93で挟み、かつファラデー回転子94
を磁石Mによって磁化することにより構成されている)
と、レンズ95をこの順番に配設するとともに、半導体
レーザ91の反対側に、前記ファラデー回転子94と同
一のファラデー回転子96と、受光素子97を配設し、
該受光素子97への出力を半導体レーザ91の駆動電流
を制御する電源98に帰還するように構成されている。
この従来例においては、半導体レーザ91の両端面から
光出力されることを利用して、光ファイバ100方向に
向かわない側の光出力を受光素子97に受光し、その電
気出力を電源98に帰還させ、この電源98によって、
半導体レーザ91の出力を調整し、安定化させるもので
ある。ところで半導体レーザ91から光ファイバ100
方向に発振されてファラデー回転子94に入射された光
の内の一部は該ファラデー回転子94によって吸収され
るが、その吸収量は周囲温度によって変化する。このた
めこの従来例においては半導体レーザ91と受光素子9
7側でも同様の光の変動を起こさせ、これによって、光
ファイバ100に安定したレーザ光を出力せしめるよう
にしている。
体レーザ91と光ファイバ100の間に、レンズ92
と、光アイソレータ99(ファラデー回転子94を2枚
の偏光子93、93で挟み、かつファラデー回転子94
を磁石Mによって磁化することにより構成されている)
と、レンズ95をこの順番に配設するとともに、半導体
レーザ91の反対側に、前記ファラデー回転子94と同
一のファラデー回転子96と、受光素子97を配設し、
該受光素子97への出力を半導体レーザ91の駆動電流
を制御する電源98に帰還するように構成されている。
この従来例においては、半導体レーザ91の両端面から
光出力されることを利用して、光ファイバ100方向に
向かわない側の光出力を受光素子97に受光し、その電
気出力を電源98に帰還させ、この電源98によって、
半導体レーザ91の出力を調整し、安定化させるもので
ある。ところで半導体レーザ91から光ファイバ100
方向に発振されてファラデー回転子94に入射された光
の内の一部は該ファラデー回転子94によって吸収され
るが、その吸収量は周囲温度によって変化する。このた
めこの従来例においては半導体レーザ91と受光素子9
7側でも同様の光の変動を起こさせ、これによって、光
ファイバ100に安定したレーザ光を出力せしめるよう
にしている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで半導体レーザ
は一般に静的動作状態では活性層内のキャリア分布が安
定していることから、直交するTEモード:TMモード
=100:1(消光比20〜25dB)の割合で発振す
る。したがって一般に半導体レーザに光アイソレータを
組み込むときは、TEモードの偏光面が該光アイソレー
タを最大に通過できるように位置調整される。
は一般に静的動作状態では活性層内のキャリア分布が安
定していることから、直交するTEモード:TMモード
=100:1(消光比20〜25dB)の割合で発振す
る。したがって一般に半導体レーザに光アイソレータを
組み込むときは、TEモードの偏光面が該光アイソレー
タを最大に通過できるように位置調整される。
【0008】しかしながら半導体レーザのレーザ共振器
内部光を直接変調したときには、キャリア分布が瞬間的
に変化するので、TMモードの比に変化が生じる(なお
この変化が顕著になるとTEモードとTMモードの比は
逆転するため、コヒーレント通信等に使用することは出
来なくなる。)。この変化が生じた場合、一般的な光ア
イソレータ付き半導体レーザ装置においては、光ファイ
バへの結合する光出力に大きなロスが生じる。
内部光を直接変調したときには、キャリア分布が瞬間的
に変化するので、TMモードの比に変化が生じる(なお
この変化が顕著になるとTEモードとTMモードの比は
逆転するため、コヒーレント通信等に使用することは出
来なくなる。)。この変化が生じた場合、一般的な光ア
イソレータ付き半導体レーザ装置においては、光ファイ
バへの結合する光出力に大きなロスが生じる。
【0009】図7、図8は、それぞれ上記図5と図6に
おいて、半導体レーザの全出力を100としたときの該
光の偏光状態が(a)の状態から(b)の状態に変化し
たときの(即ちTE:TMの比が、99:1から90:
10に変化したときの)、光ファイバで受ける光出力と
受光素子で受ける光出力の変化の状態を示す図である。
おいて、半導体レーザの全出力を100としたときの該
光の偏光状態が(a)の状態から(b)の状態に変化し
たときの(即ちTE:TMの比が、99:1から90:
10に変化したときの)、光ファイバで受ける光出力と
受光素子で受ける光出力の変化の状態を示す図である。
【0010】まず、図7に示すように、図5に示す半導
体レーザ装置の場合は、検光子84においてTEモード
とTMモードの偏光成分に分離される。このため半導体
レーザ81から発振される光の偏光状態が(a)の状態
の場合は、光ファイバ86には99%の光が入射するの
に対して受光素子88には1%の光が入射する。一方半
導体レーザ81から発振される光の偏光状態が(b)の
状態の場合は、光ファイバ86には90%の光が入射す
るのに対して受光素子88には10%の光が入射する。
体レーザ装置の場合は、検光子84においてTEモード
とTMモードの偏光成分に分離される。このため半導体
レーザ81から発振される光の偏光状態が(a)の状態
の場合は、光ファイバ86には99%の光が入射するの
に対して受光素子88には1%の光が入射する。一方半
導体レーザ81から発振される光の偏光状態が(b)の
状態の場合は、光ファイバ86には90%の光が入射す
るのに対して受光素子88には10%の光が入射する。
【0011】つまりこの装置の場合は、光ファイバ86
に入射する光出力が減少した場合は受光素子88に受光
する光出力は増加し、光ファイバ86に入射する光出力
が増加した場合は受光素子88に受光する光出力は減少
する。従ってこの装置の場合は、偏光状態の変化に対し
ては正しい制御はできず、光出力の安定化は期待できな
い。
に入射する光出力が減少した場合は受光素子88に受光
する光出力は増加し、光ファイバ86に入射する光出力
が増加した場合は受光素子88に受光する光出力は減少
する。従ってこの装置の場合は、偏光状態の変化に対し
ては正しい制御はできず、光出力の安定化は期待できな
い。
【0012】一方図8に示すように、図6に示す半導体
レーザ装置の場合は、偏光子93、93はTMモードを
完全に遮断する偏光子とすると、半導体レーザ91から
発振される光の偏光状態が(a)の状態の場合は、光フ
ァイバ100に入射する光はTEモードのみとなり、光
出力は99%となる。一方受光素子97に受光される光
はファラデー回転子94によって回転はされるが減衰は
されないので、TEモード:TMモードの比は99:1
のままとなり、その光出力は100となる。一方、光の
偏光状態が(b)の場合も、光ファイバ100に入射す
る光はTEモードのみとなって光出力は90となるのに
対して、受光素子97に受光される光は回転されるが減
衰はされないので、TEモード:TMモードの比は9
0:10のままとなりその光出力は100%となる。
レーザ装置の場合は、偏光子93、93はTMモードを
完全に遮断する偏光子とすると、半導体レーザ91から
発振される光の偏光状態が(a)の状態の場合は、光フ
ァイバ100に入射する光はTEモードのみとなり、光
出力は99%となる。一方受光素子97に受光される光
はファラデー回転子94によって回転はされるが減衰は
されないので、TEモード:TMモードの比は99:1
のままとなり、その光出力は100となる。一方、光の
偏光状態が(b)の場合も、光ファイバ100に入射す
る光はTEモードのみとなって光出力は90となるのに
対して、受光素子97に受光される光は回転されるが減
衰はされないので、TEモード:TMモードの比は9
0:10のままとなりその光出力は100%となる。
【0013】つまりこの装置の場合は、半導体レーザ9
1の偏光状態に変化が生じて、光ファイバ100に結合
される光出力が変化しても、受光素子97に受光される
光出力は変化せず、このためこの受光素子97によって
は半導体レーザ91を正しく制御できない。
1の偏光状態に変化が生じて、光ファイバ100に結合
される光出力が変化しても、受光素子97に受光される
光出力は変化せず、このためこの受光素子97によって
は半導体レーザ91を正しく制御できない。
【0014】本発明は上述の点に鑑みてなされたもので
あり、その目的はたとえ半導体レーザの発振光の偏光成
分の比が変化しても、常に安定した光出力を供給できる
半導体レーザ装置を提供することにある。
あり、その目的はたとえ半導体レーザの発振光の偏光成
分の比が変化しても、常に安定した光出力を供給できる
半導体レーザ装置を提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明は、半導体レーザ1と、該半導体レーザ1の
一方の側の光軸上に配置した偏光子2と、前記半導体レ
ーザ1の他方の側の光軸上に配置した受光素子4と、半
導体レーザ1と受光素子4の間に偏光子3とを配置し、
該受光素子4の受光信号を帰還して前記半導体レーザ1
の駆動電流を制御する電源部5とを具備することにより
半導体レーザ装置を構成した。
めに本発明は、半導体レーザ1と、該半導体レーザ1の
一方の側の光軸上に配置した偏光子2と、前記半導体レ
ーザ1の他方の側の光軸上に配置した受光素子4と、半
導体レーザ1と受光素子4の間に偏光子3とを配置し、
該受光素子4の受光信号を帰還して前記半導体レーザ1
の駆動電流を制御する電源部5とを具備することにより
半導体レーザ装置を構成した。
【0016】
【作用】半導体レーザ1の発振光の偏光成分の比が変化
した場合は、半導体レーザ1の一方の側に配置した偏光
子2を通過した偏光の状態も変化するが、本発明におい
ては受光素子4側にも同様に偏光子3を配置したので、
該偏光子3を通過して受光素子4に入射した光の偏光状
態も同様に変化する。このため偏光子2を通過した光の
状態と受光素子4に受光した光の状態が同じとなり、半
導体レーザ1の制御が的確に行え、これによって安定し
た光出力が得られる。
した場合は、半導体レーザ1の一方の側に配置した偏光
子2を通過した偏光の状態も変化するが、本発明におい
ては受光素子4側にも同様に偏光子3を配置したので、
該偏光子3を通過して受光素子4に入射した光の偏光状
態も同様に変化する。このため偏光子2を通過した光の
状態と受光素子4に受光した光の状態が同じとなり、半
導体レーザ1の制御が的確に行え、これによって安定し
た光出力が得られる。
【0017】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて詳
細に説明する。図1は本実施例にかかる半導体レーザ装
置を示す概略構成図である。同図に示すようにこの半導
体レーザ装置は、半導体レーザ1と、該半導体レーザ1
の右側の光軸上に位置する半導体レーザ装置の窓部に偏
光子2を配置するとともに、該半導体レーザ1の左側の
光軸上に偏光子3、受光素子4を配置して構成されてい
る。また受光素子4の受光信号は、前記半導体レーザ1
の駆動電流を制御する電源部5に帰還されている。また
偏光子2,3は同一のものを用いている。
細に説明する。図1は本実施例にかかる半導体レーザ装
置を示す概略構成図である。同図に示すようにこの半導
体レーザ装置は、半導体レーザ1と、該半導体レーザ1
の右側の光軸上に位置する半導体レーザ装置の窓部に偏
光子2を配置するとともに、該半導体レーザ1の左側の
光軸上に偏光子3、受光素子4を配置して構成されてい
る。また受光素子4の受光信号は、前記半導体レーザ1
の駆動電流を制御する電源部5に帰還されている。また
偏光子2,3は同一のものを用いている。
【0018】以上のように構成された半導体レーザ装置
において、半導体レーザ1の右側の端部から発振された
光は、偏光子2を通過し、該偏光子2において主として
TEモードの光が透過する。一方半導体レーザ1の左側
の端部から発振された光は偏光子3において主としてT
Eモードの光が透過された後に受光素子4に受光され
る。そして該受光素子4で受光した光の強度を電気信号
に変換して電源部5に帰還される。該電源部5は該電気
信号の強度に応じて前記半導体レーザ1の駆動電流を制
御して該半導体レーザ1の光出力を安定化する。
において、半導体レーザ1の右側の端部から発振された
光は、偏光子2を通過し、該偏光子2において主として
TEモードの光が透過する。一方半導体レーザ1の左側
の端部から発振された光は偏光子3において主としてT
Eモードの光が透過された後に受光素子4に受光され
る。そして該受光素子4で受光した光の強度を電気信号
に変換して電源部5に帰還される。該電源部5は該電気
信号の強度に応じて前記半導体レーザ1の駆動電流を制
御して該半導体レーザ1の光出力を安定化する。
【0019】ここで図2は、半導体レーザ1の全光出力
を100としたときの該光の偏光状態が(a)の状態か
ら(b)の状態に変化したときの(即ちTEモード:T
Mモードの比が、99:1から99:10に変化したと
きの)、偏光子2を通過した光出力と受光素子4で受け
る光出力の変化の状態を示す図である。
を100としたときの該光の偏光状態が(a)の状態か
ら(b)の状態に変化したときの(即ちTEモード:T
Mモードの比が、99:1から99:10に変化したと
きの)、偏光子2を通過した光出力と受光素子4で受け
る光出力の変化の状態を示す図である。
【0020】同図に示すようにこの半導体レーザ装置の
場合は、偏光子2、3はTMモードを完全に遮断する偏
光子とすると、半導体レーザ1から発振される光の偏光
状態が(a)の状態の場合は、偏光子2を通過した光は
TEモードのみとなり、光出力は99となる。一方受光
素子4に受光される光も偏光子3によってそのTMモー
ドが完全に遮断されるので、TEモードのみとなり、そ
の光出力は99となる。一方光の偏光状態が(b)の場
合も、偏光子2を通過した光はTEモードのみとなり、
光出力は90となるのに対して、受光素子4は受光され
る光もTEモードのみとなり、光出力は90となる。
場合は、偏光子2、3はTMモードを完全に遮断する偏
光子とすると、半導体レーザ1から発振される光の偏光
状態が(a)の状態の場合は、偏光子2を通過した光は
TEモードのみとなり、光出力は99となる。一方受光
素子4に受光される光も偏光子3によってそのTMモー
ドが完全に遮断されるので、TEモードのみとなり、そ
の光出力は99となる。一方光の偏光状態が(b)の場
合も、偏光子2を通過した光はTEモードのみとなり、
光出力は90となるのに対して、受光素子4は受光され
る光もTEモードのみとなり、光出力は90となる。
【0021】つまり本発明によれば、たとえ半導体レー
ザ1から発振される光の偏光成分の比が変動しても、偏
光子2を通過した光の偏光成分の比と受光素子4で受光
される光の光出力は常に同一となる。従って、受光素子
4に受光される光出力値を電源5に帰還させて半導体レ
ーザ1の駆動電流を制御することにより、偏光子2を通
過した光は安定した光出力となる。
ザ1から発振される光の偏光成分の比が変動しても、偏
光子2を通過した光の偏光成分の比と受光素子4で受光
される光の光出力は常に同一となる。従って、受光素子
4に受光される光出力値を電源5に帰還させて半導体レ
ーザ1の駆動電流を制御することにより、偏光子2を通
過した光は安定した光出力となる。
【0022】尚、図1、図2では半導体レーザ1と偏光
子2、偏光子3を分離した図を記しているが、これらを
一体化しても本発明と同様の作用、効果を発揮する。
子2、偏光子3を分離した図を記しているが、これらを
一体化しても本発明と同様の作用、効果を発揮する。
【0023】図3は本発明を利用した他の実施例を示す
光アイソレータ付き半導体レーザ装置の概略構成図であ
る。これは図1に示した本発明の一実施例の構成を利用
して、偏光子2の右側の光軸上に、集束性レンズ8−
1、ファラデー回転子12と該ファラデー回転子12に
磁界を印加する磁石11と偏光子13で構成される光ア
イソレータ部10、集束性レンズ8−2、光ファイバ1
4により構成される光アイソレータ付き半導体レーザ装
置である。この場合、偏光子2を通過した光出力は安定
しているので、半導体レーザ1の発振光の偏光成分比が
変化しても、光ファイバ14に入射する光出力は常に安
定する。
光アイソレータ付き半導体レーザ装置の概略構成図であ
る。これは図1に示した本発明の一実施例の構成を利用
して、偏光子2の右側の光軸上に、集束性レンズ8−
1、ファラデー回転子12と該ファラデー回転子12に
磁界を印加する磁石11と偏光子13で構成される光ア
イソレータ部10、集束性レンズ8−2、光ファイバ1
4により構成される光アイソレータ付き半導体レーザ装
置である。この場合、偏光子2を通過した光出力は安定
しているので、半導体レーザ1の発振光の偏光成分比が
変化しても、光ファイバ14に入射する光出力は常に安
定する。
【0024】図4も本発明を利用した他の実施例を示す
定偏波保存ファイバと組み合わせた半導体レーザ装置の
概略構成図である。図1に示した本発明の一実施例の構
成を利用して、偏光子2の右側の光軸上に、偏光子2と
光学軸が一致した定偏波保存ファイバ9、偏光子2から
の出射光を前記定偏波保存ファイバ9の端面に集束させ
る集束性レンズ8を配置した実施例である。この場合
も、偏光子2を通過した光出力は安定しているので、半
導体レーザ1の発振光の偏光成分が変化しても、該定偏
波保存ファイバ9に入射する光出力は常に安定する。
定偏波保存ファイバと組み合わせた半導体レーザ装置の
概略構成図である。図1に示した本発明の一実施例の構
成を利用して、偏光子2の右側の光軸上に、偏光子2と
光学軸が一致した定偏波保存ファイバ9、偏光子2から
の出射光を前記定偏波保存ファイバ9の端面に集束させ
る集束性レンズ8を配置した実施例である。この場合
も、偏光子2を通過した光出力は安定しているので、半
導体レーザ1の発振光の偏光成分が変化しても、該定偏
波保存ファイバ9に入射する光出力は常に安定する。
【0025】上記図3、図4の実施例のように、半導体
レーザと、該半導体レーザの一方の側の光軸上に配置し
た偏光子と、前記半導体レーザの他方の側の光軸上に配
置した受光素子と、前記半導体レーザと前記受光素子間
に配置した偏光子と、前記受光素子の受光信号を帰還し
て前記半導体レーザの駆動電流を制御する電源部を具備
する半導体レーザ装置において、前記半導体レーザを中
心に前記受光素子と反対位置の光軸上に偏光に依存する
デバイスを配置した半導体レーザ装置を構成できる。
レーザと、該半導体レーザの一方の側の光軸上に配置し
た偏光子と、前記半導体レーザの他方の側の光軸上に配
置した受光素子と、前記半導体レーザと前記受光素子間
に配置した偏光子と、前記受光素子の受光信号を帰還し
て前記半導体レーザの駆動電流を制御する電源部を具備
する半導体レーザ装置において、前記半導体レーザを中
心に前記受光素子と反対位置の光軸上に偏光に依存する
デバイスを配置した半導体レーザ装置を構成できる。
【0026】なお、上記実施例では偏光子2、3は材
質、寸法等全く同一のものを用いているが本発明はこれ
に限定されるものではなく、2個の偏光子はその消光比
が等しければよい。したがって、2個の偏光子が共にT
Mモード光が完全に遮断されるものである場合には、T
Eモード光の吸収率が同一であればよいし、2個の偏光
子のTMモード光の吸収率及びTEモード光の吸収率が
異なる場合にもその消光比が等しいものであればよい。
質、寸法等全く同一のものを用いているが本発明はこれ
に限定されるものではなく、2個の偏光子はその消光比
が等しければよい。したがって、2個の偏光子が共にT
Mモード光が完全に遮断されるものである場合には、T
Eモード光の吸収率が同一であればよいし、2個の偏光
子のTMモード光の吸収率及びTEモード光の吸収率が
異なる場合にもその消光比が等しいものであればよい。
【0027】
【効果】以上詳細に説明したように、本発明にかかる半
導体レーザ装置によれば、たとえ半導体レーザの発振光
の偏光成分の比が変化しても、光ファイバ等の光導波路
側の光軸上に配置した偏光子を通過した光の状態と、受
光素子に受光される光の状態を同一にでき、これによっ
て、半導体レーザを中心に、受光素子と反対位置の光軸
上に偏光に依存するデバイスを配置した場合、常に安定
した光出力を供給できるという優れた効果を有するもの
である。
導体レーザ装置によれば、たとえ半導体レーザの発振光
の偏光成分の比が変化しても、光ファイバ等の光導波路
側の光軸上に配置した偏光子を通過した光の状態と、受
光素子に受光される光の状態を同一にでき、これによっ
て、半導体レーザを中心に、受光素子と反対位置の光軸
上に偏光に依存するデバイスを配置した場合、常に安定
した光出力を供給できるという優れた効果を有するもの
である。
【図1】本発明の一実施例にかかる半導体レーザ装置の
概略構成図である。
概略構成図である。
【図2】本発明の一実施例にかかる光出力の状態変化図
である。
である。
【図3】本発明の他の実施例を示す光アイソレータ付き
半導体レーザ装置の概略構成図である。
半導体レーザ装置の概略構成図である。
【図4】本発明の他の実施例を示す定偏波保存ファイバ
と組み合わせた半導体レーザ装置の概略構成図である。
と組み合わせた半導体レーザ装置の概略構成図である。
【図5】従来の光アイソレータ付き半導体レーザ装置を
示す概略図である。
示す概略図である。
【図6】従来の他の光アイソレータ付き半導体レーザ装
置を示す概略図である。
置を示す概略図である。
【図7】図5に示す従来の光アイソレータ付き半導体レ
ーザ装置の光出力の状態変化図である。
ーザ装置の光出力の状態変化図である。
【図8】図6に示す従来の光アイソレータ付き半導体レ
ーザ装置の光出力の状態変化図である。
ーザ装置の光出力の状態変化図である。
1 半導体レーザ 2、3 偏光子 4 受光素子 5 電源部 10 光アイソレータ
Claims (1)
- 【請求項1】半導体レーザと、該半導体レーザの一方の
側の光軸上に配置した偏光子と、前記半導体レーザの他
方の側の光軸上に配置した受光素子と、前記受光素子の
受光信号を帰還して前記半導体レーザの駆動電流を制御
する電源部を具備する半導体レーザ装置において、前記
半導体レーザと前記受光素子間に偏光子を配置したこと
を特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28432092A JPH06132600A (ja) | 1992-10-22 | 1992-10-22 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28432092A JPH06132600A (ja) | 1992-10-22 | 1992-10-22 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06132600A true JPH06132600A (ja) | 1994-05-13 |
Family
ID=17677029
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28432092A Pending JPH06132600A (ja) | 1992-10-22 | 1992-10-22 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06132600A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001249254A (ja) * | 2000-03-03 | 2001-09-14 | Sharp Corp | 双方向光通信モジュール |
-
1992
- 1992-10-22 JP JP28432092A patent/JPH06132600A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001249254A (ja) * | 2000-03-03 | 2001-09-14 | Sharp Corp | 双方向光通信モジュール |
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