JPH06132505A - 固体撮像素子及びその作製方法 - Google Patents

固体撮像素子及びその作製方法

Info

Publication number
JPH06132505A
JPH06132505A JP4305955A JP30595592A JPH06132505A JP H06132505 A JPH06132505 A JP H06132505A JP 4305955 A JP4305955 A JP 4305955A JP 30595592 A JP30595592 A JP 30595592A JP H06132505 A JPH06132505 A JP H06132505A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
material layer
lens
solid
layer
heat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4305955A
Other languages
English (en)
Inventor
Masanori Ohashi
正典 大橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP4305955A priority Critical patent/JPH06132505A/ja
Publication of JPH06132505A publication Critical patent/JPH06132505A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】所望のレンズギャップを有するオンチップマイ
クロレンズを備えた固体撮像素子、及びかかる固体撮像
素子の作製方法を提供する。 【構成】オンチップマイクロレンズ30が下地材料層2
0表面に形成された固体撮像素子は、オンチップマイク
ロレンズ30が形成された領域の外側の下地材料層20
の部分に、溝26が形成されていることを特徴とする。
また、固体撮像素子の作製方法は、下地材料層表面に溝
を形成する工程と、溝の部分を除く下地材料層表面に、
オンチップマイクロレンズの材料であるレンズ材層を形
成する工程と、レンズ材層を加熱処理して、オンチップ
マイクロレンズを形成する工程、から成る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、オンチップマイクロレ
ンズを備えた固体撮像素子、及びかかる固体撮像素子の
作製方法に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、固体撮像素子には複数のオンチ
ップマイクロレンズが備えられている。オンチップマイ
クロレンズは固体撮像素子の受光部分の上に形成され、
受光部分への集光効率を高める機能を有する。オンチッ
プマイクロレンズ相互の間隔(以下、レンズギャップと
もいう)が小さい程、より多くの光束を受光部分に集光
させることができ、受光部分の光電変換特性が向上し、
固体撮像素子の感度が高くなる。
【0003】通常、オンチップマイクロレンズは、以下
の工程によって作製することができる。尚、各工程を説
明するための固体撮像素子の模式的な一部断面図を図1
2に示す。
【0004】[工程−10]受光部分10や電荷転送部
分(図示せず)が形成された固体撮像素子上に、平坦化
及び焦点距離調節用の透明平坦化層100を形成する
(図12の(A)参照)。かかる透明平坦化層100が
下地材料層に相当し、透明樹脂から構成され、固体撮像
素子の凹凸の平坦化のために形成されている。尚、全て
の図面において、受光部分10の領域を模式的に表し
た。
【0005】[工程−20]次に、透明平坦化層100
表面に、オンチップマイクロレンズの材料であるレンズ
材層102を形成する(図12の(B)参照)。かかる
レンズ材層は、フォトレジスト等の熱変形樹脂から成
る。
【0006】[工程−30]次いで、受光部分10に対
応して、従来のフォトリソグラフィ技術によってレンズ
材層102をパターニングする(図12の(C)参
照)。
【0007】[工程−40]その後、加熱処理を施し、
パターニングされたレンズ材層102を変形(リフロ
ー)させて、受光部分10の上に凸状のレンズ形状のレ
ンズ部104(オンチップマイクロレンズ)を形成する
(図12の(D)参照)。
【0008】あるいは又、特開昭64−10666号公
報に開示されたオンチップマイクロレンズの作製方法
は、以下の工程から成る。尚、各工程を説明するための
固体撮像素子の模式的な一部断面図を図13に示す。
【0009】[工程−10A]受光部分10や電荷転送
部分(図示せず)が形成された固体撮像素子上に、平坦
化及び焦点距離調節用の透明平坦化層100を形成す
る。かかる透明平坦化層100は透明樹脂から構成さ
れ、固体撮像素子の凹凸の平坦化のために形成されてお
り、下地材料層に相当する。
【0010】[工程−20A]次に、透明平坦化層10
0の上に透明材料層106を形成する(図13の(A)
参照)。透明材料層106は、透明樹脂、酸化シリコ
ン、窒化シリコン等から構成することができる。透明材
料層106が、オンチップマイクロレンズの材料である
レンズ材層に相当する。
【0011】[工程−30A]次に、透明材料層106
表面に熱変形樹脂層108を形成する(図13の(B)
参照)。熱変形樹脂層108は、フォトレジスト等の熱
変形樹脂から成る。この熱変形樹脂層108は、透明材
料層106をレンズ状に加工するためのマスク層として
機能する。
【0012】[工程−40A]次いで、受光部分10に
対応して、従来のフォトリソグラフィ技術によって熱変
形樹脂層108をパターニングする(図13の(C)参
照)。
【0013】[工程−50A]その後、加熱処理を施
し、パターニングされた熱変形樹脂層108を変形(リ
フロー)させて、受光部分10の上に凸状のレンズ形状
の熱変形樹脂層108Aを形成する(図13の(D)参
照)。
【0014】[工程−60A]次に、レンズ形状の熱変
形樹脂層108Aをマスクとして、透明材料層106の
垂直方向の選択的なエッチングを行う。エッチングは、
例えば酸素を用いたリアクティブ・イオン・エッチング
(RIE)等の異方性エッチングとすることができる。
これによって、透明材料層106は、レンズ形状の熱変
形樹脂層108Aの形状を反映しながらエッチングされ
ていく。この状態を図13の(E)に示す。熱変形樹脂
層108Aの全部又は一部が除去され、透明材料層10
6が所定の形状に加工された時点でエッチングを終了さ
せる。こうして、透明材料層106から成る凸状のレン
ズ形状を有するオンチップマイクロレンズが形成され
る。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】これらの方法において
は、[工程−40](図12の(D)参照)あるいは
[工程−50A](図13の(D)参照)において、加
熱処理を施し、パターニングされたレンズ材層102あ
るいは熱変形樹脂層108(以下、レンズ材層等ともい
う)を変形(リフロー)させて、凸状のレンズ形状とす
る。この形状はレンズ材層等の表面張力に依存する。レ
ンズ材層等の加熱処理時、レンズ材層等が下地材料層あ
るいは透明材料層(以下、下地材料層等ともいう)上を
水平方向に滑り、レンズ材層等が凸状のレンズ形状とな
ったとき、レンズギャップが狭くなるという問題がある
(図14の(A)及び(B)参照)。そして、最悪の場
合、隣接したレンズ材層等が重なり合い、レンズを形成
できないことすらある。この場合、固体撮像素子間に感
度のばらつきが生じる。
【0016】このレンズ材層等の滑り量は正確に制御す
ることが困難である。従って、レンズギャップを狭くす
ることには限界があり、ある程度レンズギャップを広く
設定せざるを得ない。その結果、集光率の高いオンチッ
プマイクロレンズを形成できないという問題が生じてい
る。
【0017】従って、本発明の第1の目的は、所望のレ
ンズギャップを有するオンチップマイクロレンズを備え
た固体撮像素子を提供することにある。
【0018】更に、本発明の第2の目的は、レンズ材層
等を変形(リフロー)させて凸状のレンズ形状とする場
合の下地材料層等上におけるレンズ材層の滑り量を正確
に制御し得るオンチップマイクロレンズの形成工程を含
む、固体撮像素子の作製方法を提供することにある。
【0019】
【課題を解決するための手段】オンチップマイクロレン
ズが下地材料層表面に形成された、本発明の第1の態様
にかかる固体撮像素子は、上記第1の目的を達成するた
めに、オンチップマイクロレンズが形成された領域の外
側の下地材料層の部分に、溝が形成されていることを特
徴とする。
【0020】オンチップマイクロレンズを下地材料層表
面に形成された、本発明の第2の態様にかかる固体撮像
素子は、上記第1の目的を達成するために、オンチップ
マイクロレンズが形成された領域の外側の下地材料層の
部分に、突起が形成されていることを特徴とする。
【0021】オンチップマイクロレンズを下地材料層表
面に形成する、本発明の第1の態様にかかる固体撮像素
子の作製方法は、上記第2の目的を達成するために、下
地材料層表面に溝を形成する工程と、溝の部分を除く下
地材料層表面に、オンチップマイクロレンズの材料であ
るレンズ材層を形成する工程と、レンズ材層を加熱処理
して、オンチップマイクロレンズを形成する工程、から
成ることを特徴とする。
【0022】更に、オンチップマイクロレンズを下地材
料層表面に形成する、本発明の第2の態様にかかる固体
撮像素子の作製方法は、上記第2の目的を達成するため
に、下地材料層表面に突起を形成する工程と、突起の部
分を除く下地材料層表面に、オンチップマイクロレンズ
の材料であるレンズ材層を形成する工程と、レンズ材層
を加熱処理して、オンチップマイクロレンズを形成する
工程、から成ることを特徴とする。
【0023】あるいは又、オンチップマイクロレンズを
形成する、本発明の第3の態様にかかる固体撮像素子の
作製方法は、上記第2の目的を達成するために、固体撮
像素子上にオンチップマイクロレンズの材料であるレン
ズ材層を形成し、レンズ材層の表面に溝を形成する工程
と、溝の部分を除くレンズ材層の表面に熱変形樹脂層を
形成した後、熱変形樹脂層を加熱処理して熱変形樹脂層
の垂直方向断面形状をレンズ状とする工程と、熱変形樹
脂層及びレンズ材層をエッチングして、レンズ材層から
オンチップマイクロレンズを形成する工程、から成るこ
とを特徴とする。
【0024】更に、オンチップマイクロレンズを形成す
る、本発明の第4の態様にかかる固体撮像素子の作製方
法は、上記第2の目的を達成するために、固体撮像素子
上にオンチップマイクロレンズの材料であるレンズ材層
を形成し、レンズ材層の表面に突起を形成する工程と、
突起の部分を除くレンズ材層表面に熱変形樹脂層を形成
した後、熱変形樹脂層を加熱処理して熱変形樹脂層の垂
直方向断面形状をレンズ状とする工程と、熱変形樹脂層
及びレンズ材層をエッチングして、レンズ材層からオン
チップマイクロレンズを形成する工程、から成ることを
特徴とする。
【0025】
【作用】本発明においては、溝又は突起が下地材料層あ
るいはレンズ材層に形成される。これによって、レンズ
材層あるいは熱変形樹脂層を加熱処理してリフローさせ
た時、下地材料層あるいはレンズ材層上でのレンズ材層
あるいは熱変形樹脂層の滑り量を正確に制御することが
できる。その結果、レンズギャップを正確に制御でき、
レンズギャップを従来より狭くすることが可能となる。
【0026】
【実施例】以下、本発明の固体撮像素子及びその作製方
法を、実施例に基づき、図面を参照して説明する。
【0027】(実施例−1)実施例−1の固体撮像素子
は、本発明の第1の態様にかかる固体撮像素子であり、
図1に模式的な一部断面図を示すように、オンチップマ
イクロレンズ30が下地材料層20表面に形成されてお
り、オンチップマイクロレンズを形成すべき領域の外側
の下地材料層の部分に、溝26が形成されていることを
特徴とする。かかる実施例−1の固体撮像素子の作製方
法である本発明の第1の態様にかかる固体撮像素子の作
製方法を、以下、図2を参照して説明する。
【0028】[工程−100]受光部分10や電荷転送
部分(図示せず)が形成された固体撮像素子上に、固体
撮像素子の凹凸の平坦化及び焦点距離調節のための透明
な下地材料層20を形成する(図2の(A)参照)。下
地材料層20は透明樹脂から構成されている。尚、カラ
ー固体撮像素子の場合には、固体撮像素子の表面と下地
材料層20の間にカラーフィルターが形成される。
【0029】[工程−110]次に、下地材料層20の
上にレジスト層22を形成する。そして、通常のフォト
リソグラフィ技術によって、レジスト層22に開口部2
4を形成する。開口部24は、オンチップマイクロレン
ズを形成すべき領域の外側の部分に相当する下地材料層
上に形成される。その後、RIE等の異方性エッチン
グ、あるいは等方性エッチングによって、開口部24の
底部の下地材料層20に溝26を形成する(図2の
(B)参照)。
【0030】溝26の幅は、例えば0.5μm程度ある
いはそれ以下の、概ねレンズギャップに等しくする。溝
26の深さは数十nm程度でよい。溝26の断面形状
は、矩形だけでなく、半円やV字等、任意の形状とする
ことができる。溝26の縁部の平面形状は、形成すべき
オンチップマイクロレンズの平面形状と類似していれば
よく、例えば、矩形、多角形、角を丸めた矩形や多角
形、円形、楕円形等を例示することができる。その後、
レジスト層22を除去する(図2の(C)参照)。この
下地材料層20にレンズギャップに相当する溝26を形
成する点が本発明の第1の態様の固体撮像素子の作製方
法の特徴である。
【0031】[工程−120]次に、下地材料層20表
面にオンチップマイクロレンズの材料であるレンズ材層
28を形成する。かかるレンズ材層は、フォトレジスト
等の熱変形樹脂から成る。
【0032】[工程−130]次いで、受光部分10に
対応して、従来のフォトリソグラフィ技術によってレン
ズ材層28をパターニングする(図2の(D)参照)。
パターニングされたレンズ材層28は、下地材料層20
に形成された溝26と溝26の間の下地材料層20上に
概ね残される。尚、レンズ材層28の位置合わせずれを
考慮すると、溝26と溝26の間の下地材料層20の幅
1よりもレンズ材層28の幅W2の方が若干狭いことが
望ましい。
【0033】[工程−140]その後、加熱処理を施
し、パターニングされたレンズ材層28を変形(リフロ
ー)させて、レンズ材層28から凸状のレンズ形状のオ
ンチップマイクロレンズ30を受光部分10の上に形成
する。こうして、図1に示す実施例−1の固体撮像素子
を作製することができる。
【0034】下地材料層20に溝26を形成することに
よって、レンズ材層28を加熱処理して変形させたと
き、レンズ材層28の水平方向の滑りが溝26によって
制限される。その結果、レンズギャップが溝26の幅よ
り狭くなることを防止することができる。尚、溝26に
公知の手段によって遮光膜を形成してもよい。遮光膜を
溝に形成することにより、電荷転送部分への光の洩れを
抑制することができる。
【0035】次に、[工程−100]から[工程−14
0]にて説明した、本発明の第1の態様にかかる固体撮
像素子の作製方法の変形を、以下、図3を参照して説明
する。
【0036】[工程−200][工程−100]と同様
に、受光部分10や電荷転送部分(図示せず)が形成さ
れた固体撮像素子上に、平坦化及び焦点距離調節のため
の透明な下地材料層20を形成する(図2の(A)参
照)。
【0037】[工程−210]次に、下地材料層20の
上にレジスト層22を形成する。そして、通常のフォト
リソグラフィ技術によって、レジスト層22に開口部2
4を形成する。開口部24は、オンチップマイクロレン
ズを形成すべき領域の部分に相当する下地材料層上に形
成される(図3の(A)参照)。即ち、オンチップマイ
クロレンズを形成すべき領域の外側の部分に相当する下
地材料層20上には、レジスト層22が残される。その
後、レジスト層22にて被覆されていない下地材料層2
0上に、即ち開口部24内に、再度下地材料層20Aを
形成する(図3の(B)参照)。その後、レジスト層2
2を除去する(図3の(C)参照)。こうして、下地材
料層20に溝26が形成される。
【0038】[工程−220]以降、下地材料層20表
面にオンチップマイクロレンズの材料であるレンズ材層
28を形成し、レンズ材層28をパターニングした後、
レンズ材層28に加熱処理を施し、オンチップマイクロ
レンズを形成する。これらの工程は、[工程−120]
〜[工程−140]と同様とすることができ、その詳細
な説明は省略する。
【0039】(実施例−2)実施例−2は本発明の第2
の態様にかかる固体撮像素子であり、図4の(A)又は
(B)に模式的な一部断面図を示すように、オンチップ
マイクロレンズ30が下地材料層20表面に形成されて
おり、オンチップマイクロレンズを形成すべき領域の外
側の下地材料層の部分に、突起32が形成されているこ
とを特徴とする。かかる実施例−2の固体撮像素子の作
製方法である本発明の第2の態様にかかる固体撮像素子
の作製方法を、以下、図5を参照して説明する。
【0040】[工程−300][工程−100]と同様
に、受光部分10や電荷転送部分(図示せず)が形成さ
れた固体撮像素子上に、平坦化及び焦点距離調節のため
の透明な下地材料層20を形成する(図2の(A)参
照)。
【0041】[工程−310]次に、下地材料層20の
上にレジスト層22を形成する。そして、通常のフォト
リソグラフィ技術によって、レジスト層22に開口部2
4を形成する。開口部24は、オンチップマイクロレン
ズを形成すべき領域の部分に相当する下地材料層上に形
成される(図5の(A)参照)。即ち、オンチップマイ
クロレンズを形成すべき領域の外側の部分に相当する下
地材料層20上には、レジスト層22が残される。
【0042】その後、レジスト層22にて被覆されてい
ない下地材料層20を、RIE等の異方性エッチング、
あるいは等方性エッチングによってエッチングし、下地
材料層20に凹部を形成する(図5の(B)参照)。そ
の後、レジスト層22を除去する。こうして、下地材料
層20には突起32が形成される(図5の(C)参
照)。突起32の幅は、例えば0.5μm程度あるいは
それ以下の、概ねレンズギャップに等しくする。突起3
2の高さは数十nm程度でよい。突起32の断面形状
は、矩形だけでなく、半円や台形等、任意の形状とする
ことができる。突起32の縁部の平面形状は、形成すべ
きオンチップマイクロレンズの平面形状と類似していれ
ばよく、例えば、矩形、多角形、角を丸めた矩形や多角
形、円形、楕円形等を例示することができる。この下地
材料層20にレンズギャップに相当する突起32を形成
する点が本発明の第2の態様にかかる固体撮像素子の作
製方法の特徴である。
【0043】[工程−320]以降、下地材料層20表
面にオンチップマイクロレンズの材料であるレンズ材層
28を形成し、レンズ材層28をパターニングした後
(図5の(D)参照)、レンズ材層28に加熱処理を施
し、図4の(A)又は(B)に示した実施例−2の固体
撮像素子を作製することができる。これらの工程は、
[工程−120]〜[工程−140]と同様とすること
ができ、その詳細な説明は省略する。
【0044】下地材料層20に突起32を形成すること
によって、レンズ材層28を加熱処理して変形させたと
き、レンズ材層28の水平方向の滑りが突起32によっ
て制限される。その結果、レンズギャップが突起32の
幅より狭くなることを防止することができる。尚、突起
32の頂面に公知の手段によって遮光膜を形成してもよ
い。遮光膜を突起の頂面に形成することにより、電荷転
送部分への光の洩れを抑制することができる。
【0045】次に、[工程−300]から[工程−32
0]にて説明した、本発明の第2の態様にかかる固体撮
像素子の作製方法の変形を、以下、図6を参照して説明
する。
【0046】[工程−400][工程−100]と同様
に、受光部分10や電荷転送部分(図示せず)が形成さ
れた固体撮像素子上に、平坦化及び焦点距離調節のため
の透明な下地材料層20を形成する(図2の(A)参
照)。
【0047】[工程−410]次に、下地材料層20の
上にレジスト層22を形成する(図6の(A)参照)。
そして、通常のフォトリソグラフィ技術によって、レジ
スト層22から突起32を形成する(図6の(B)参
照)。尚、このレジスト層22は、後の工程でレンズ材
層28を加熱処理したとき、変形しない材料とする。
【0048】[工程−420]以降、下地材料層20表
面にオンチップマイクロレンズの材料であるレンズ材層
28を形成し、レンズ材層28をパターニングした後、
レンズ材層28に加熱処理を施し、オンチップマイクロ
レンズを形成する。これらの工程は、[工程−120]
〜[工程−140]と同様とすることができ、その詳細
な説明は省略する。
【0049】特開昭64−10666号公報に開示され
た固体撮像素子の作製方法に本発明の方法を適用するこ
とができる。以下、特開昭64−10666号公報に開
示された固体撮像素子の作製方法を改良した、本発明の
第3の態様にかかる固体撮像素子の作製方法を、図7を
参照して説明する。
【0050】[工程−500]受光部分10や電荷転送
部分(図示せず)が形成された固体撮像素子上に、固体
撮像素子の凹凸の平坦化及び焦点距離調節のための透明
平坦化層40を形成する。かかる透明平坦化層40は透
明樹脂から構成されている。また、カラー固体撮像素子
の場合には、透明平坦化層40の上にカラーフィルター
が形成される。
【0051】[工程−510]次に、透明平坦化層40
の上に透明材料から成るレンズ材層42を形成する(図
7の(A)参照)。レンズ材層42は、透明樹脂、酸化
シリコン、窒化シリコン等から構成することができる。
レンズ材層42はオンチップマイクロレンズの材料であ
る。
【0052】[工程−520]次に、レンズ材層42の
上にレジスト層22を形成する。そして、通常のフォト
リソグラフィ技術によって、レジスト層22に開口部2
4を形成する。開口部24は、オンチップマイクロレン
ズを形成すべき領域の外側の部分に相当するレンズ材層
42上に形成される。その後、RIE等の異方性エッチ
ング、あるいは等方性エッチングによって、開口部24
の底部のレンズ材層42に溝26を形成する(図7の
(B)参照)。
【0053】溝26の幅は、例えば0.5μm程度ある
いはそれ以下の、概ねレンズギャップに等しくする。溝
26の深さは数十nm程度でよい。溝26の断面形状
は、矩形だけでなく、半円やV字等、任意の形状とする
ことができる。溝26の縁部の平面形状は、形成すべき
オンチップマイクロレンズの平面形状と類似していれば
よく、例えば、矩形、多角形、角を丸めた矩形や多角
形、円形、楕円形等を例示することができる。その後、
レジスト層22を除去する(図7の(C)参照)。この
レンズ材層42にレンズギャップに相当する溝26を形
成する点が本発明の第3の態様にかかる固体撮像素子の
作製方法の特徴である。
【0054】[工程−530]次に、レンズ材層42表
面に熱変形樹脂層44を形成する。熱変形樹脂層44
は、フォトレジスト等の熱変形樹脂から成る。この熱変
形樹脂層44は、レンズ材層42をレンズ状に加工する
ためのマスク層として機能する。
【0055】[工程−540]次いで、受光部分10に
対応して、従来のフォトリソグラフィ技術によって熱変
形樹脂層44をパターニングする(図8の(A)参
照)。
【0056】[工程−550]その後、加熱処理を施
し、パターニングされた熱変形樹脂層44を変形(リフ
ロー)させて、受光部分10の上に、垂直方向断面形状
が凸状のレンズ形状の熱変形樹脂層44Aを形成する
(図8の(B)参照)。
【0057】[工程−560]次に、レンズ形状の熱変
形樹脂層44Aをマスクとして、レンズ材層42の垂直
方向の選択的なエッチングを行う。エッチングは、例え
ば酸素を用いたRIE等の異方性エッチングとすること
ができる。これによって、レンズ材層42は、レンズ形
状の熱変形樹脂層44Aの形状を反映しながらエッチン
グされていく。この状態を図8の(C)に示す。熱変形
樹脂層44Aの全部又は一部が除去され、レンズ材層4
2が所望の形状に加工された時点でエッチングを終了さ
せる。こうして、レンズ材層42からオンチップマイク
ロレンズが作製される。例えば、熱変形樹脂層44Aと
レンズ材層42のエッチングレートの比を1:1とした
場合、レンズ形状の熱変形樹脂層44Aの形状が、忠実
にレンズ材層42に転写される。尚、エッチングレート
の比は1:1以外であってもよい。こうして、オンチッ
プマイクロレンズを備えた固体撮像素子が作製される。
【0058】次に、[工程−500]から[工程−56
0]にて説明した、本発明の第3の態様にかかる固体撮
像素子の作製方法の変形を、以下、図9を参照して説明
する。
【0059】[工程−600][工程−500]及び
[工程−510]と同様に、受光部分10や電荷転送部
分(図示せず)が形成された固体撮像素子上に、平坦化
及び焦点距離調節のための透明平坦化層40及びレンズ
材層42を形成する。
【0060】[工程−610]次に、レンズ材層42の
上にレジスト層22を形成する。そして、通常のフォト
リソグラフィ技術によって、レジスト層22に開口部2
4を形成する。開口部24は、オンチップマイクロレン
ズを形成すべき領域の部分に相当するレンズ材層42上
に形成される(図9の(A)参照)。即ち、オンチップ
マイクロレンズを形成すべき領域の外側の部分に相当す
るレンズ材層42上には、レジスト層22が残される。
その後、レジスト層22にて被覆されていないレンズ材
層42上に、即ち開口部24内に、再度レンズ材層42
Aを形成する(図9の(B)参照)。その後、レジスト
層22を除去する(図9の(C)参照)。こうして、レ
ンズ材層42に溝26が形成される。
【0061】[工程−620]以降、レンズ材層42表
面に熱変形樹脂層44を形成し、熱変形樹脂層44をパ
ターニングした後、熱変形樹脂層44を変形(リフロ
ー)させて、レンズ材層42の上に、垂直方向断面形状
がレンズ形状の熱変形樹脂層44Aを形成する。次に、
レンズ形状の熱変形樹脂層44Aをマスクとして、レン
ズ材層42の垂直方向の選択的なエッチングを行い、オ
ンチップマイクロレンズを形成する。これらの工程は、
[工程−530]〜[工程−560]と同様であり、詳
細な説明は省略する。
【0062】次に、特開昭64−10666号公報に開
示された固体撮像素子の作製方法を改良した、本発明の
第4の態様にかかる固体撮像素子の作製方法を、図10
を参照して説明する。
【0063】[工程−700][工程−500]及び
[工程−510]と同様に、受光部分10や電荷転送部
分(図示せず)が形成された固体撮像素子上に、平坦化
及び焦点距離調節のための透明平坦化層40及びレンズ
材層42を形成する。
【0064】[工程−710]次に、レンズ材層42の
上にレジスト層22を形成する。そして、通常のフォト
リソグラフィ技術によって、レジスト層22に開口部2
4を形成する。開口部24は、オンチップマイクロレン
ズを形成すべき領域の部分に相当するレンズ材層42上
に形成される(図10の(A)参照)。即ち、オンチッ
プマイクロレンズを形成すべき領域の外側の部分に相当
するレンズ材層42上には、レジスト層22が残され
る。
【0065】その後、レジスト層22にて被覆されてい
ないレンズ材層42を、RIE等の異方性エッチング、
あるいは等方性エッチングによってエッチングし、レン
ズ材層42に凹部を形成する(図10の(B)参照)。
その後、レジスト層22を除去する。こうして、レンズ
材層42には突起32が形成される(図10の(C)参
照)。突起32の幅は、例えば0.5μm程度あるいは
それ以下の、概ねレンズギャップに等しくする。突起3
2の高さは数十nm程度でよい。突起32の断面形状
は、矩形だけでなく、半円や台形等、任意の形状とする
ことができる。突起32の縁部の平面形状は、形成すべ
きオンチップマイクロレンズの平面形状と類似していれ
ば、例えば、矩形、多角形、角を丸めた矩形や多角形、
円形、楕円形等を例示することができる。このレンズ材
層42にレンズギャップに相当する突起32を形成する
点が本発明の第4の態様にかかる固体撮像素子の作製方
法の特徴である。
【0066】[工程−720]以降、レンズ材層42表
面に熱変形樹脂層44を形成し、熱変形樹脂層44をパ
ターニングした後、熱変形樹脂層44を変形(リフロ
ー)させて、レンズ材層42の上に、垂直方向断面形状
が凸状のレンズ形状の熱変形樹脂層44Aを形成する。
次に、レンズ形状の熱変形樹脂層44Aをマスクとし
て、レンズ材層42の垂直方向の選択的なエッチングを
行い、オンチップマイクロレンズを形成する。これらの
工程は、[工程−530]〜[工程−560]と同様で
あり、詳細な説明は省略する。
【0067】次に、[工程−700]から[工程−72
0]にて説明した、本発明の第4の態様にかかる固体撮
像素子の作製方法の変形を、以下、図11を参照して説
明する。
【0068】[工程−800][工程−500]及び
[工程−510]と同様に、受光部分10や電荷転送部
分(図示せず)が形成された固体撮像素子上に、平坦化
及び焦点距離調節のための透明平坦化層40及びレンズ
材層42を形成する。
【0069】[工程−810]次に、レンズ材層42の
上にレジスト層22を形成する(図11の(A)参
照)。そして、通常のフォトリソグラフィ技術によっ
て、レジスト層22から突起32を形成する(図11の
(B)参照)。尚、このレジスト層22は、後の工程で
レンズ材層28を加熱処理したとき、変形しない材料と
する。
【0070】[工程−820]以降、レンズ材層42表
面に熱変形樹脂層44を形成し、熱変形樹脂層44をパ
ターニングした後、熱変形樹脂層44を変形(リフロ
ー)させて、レンズ材層42の上に、垂直方向断面形状
が凸状のレンズ形状の熱変形樹脂層44Aを形成する。
次に、レンズ形状の熱変形樹脂層44Aをマスクとし
て、レンズ材層42の垂直方向の選択的なエッチングを
行い、オンチップマイクロレンズを形成する。これらの
工程は、[工程−530]〜[工程−560]と同様で
あり、詳細な説明は省略する。
【0071】
【発明の効果】本発明においては、レンズ材層あるいは
熱変形材料層に加熱処理を施し、リフローさせる際、レ
ンズ材層あるいは熱変形材料層の水平方向の滑り量を正
確に制御することができる。従って、所望のレンズギャ
ップを容易に得ることができ、固体撮像素子の製造歩留
まりの向上を図ることができる。
【0072】また、レンズギャップのマージンを少なく
することができ、固体撮像素子の感度を高めることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の態様にかかる固体撮像素子の模
式的な一部断面図である。
【図2】本発明の第1の態様にかかる固体撮像素子の作
製方法の各工程を説明するための、固体撮像素子の模式
的な一部断面図である。
【図3】本発明の第1の態様にかかる固体撮像素子の作
製方法を変形した方法の各工程を説明するための、固体
撮像素子の模式的な一部断面図である。
【図4】本発明の第1の態様にかかる固体撮像素子の模
式的な一部断面図である。
【図5】本発明の第2の態様にかかる固体撮像素子の作
製方法の各工程を説明するための、固体撮像素子の模式
的な一部断面図である。
【図6】本発明の第2の態様にかかる固体撮像素子の作
製方法を変形した方法の各工程を説明するための、固体
撮像素子の模式的な一部断面図である。
【図7】本発明の第3の態様にかかる固体撮像素子の作
製方法の各工程を説明するための、固体撮像素子の模式
的な一部断面図である。
【図8】図7に引き続き、本発明の第3の態様にかかる
固体撮像素子の作製方法の各工程を説明するための、固
体撮像素子の模式的な一部断面図である。
【図9】本発明の第3の態様にかかる固体撮像素子の作
製方法を変形した方法の各工程を説明するための、固体
撮像素子の模式的な一部断面図である。
【図10】本発明の第4の態様にかかる固体撮像素子の
作製方法の各工程を説明するための、固体撮像素子の模
式的な一部断面図である。
【図11】本発明の第4の態様にかかる固体撮像素子の
作製方法を変形した方法の各工程を説明するための、固
体撮像素子の模式的な一部断面図である。
【図12】従来の固体撮像素子の作製方法の各工程を説
明するための、固体撮像素子の模式的な一部断面図であ
る。
【図13】従来の固体撮像素子の別の作製方法の各工程
を説明するための、固体撮像素子の模式的な一部断面図
である。
【図14】従来の固体撮像素子の作製方法における問題
点を説明するための、固体撮像素子の模式的な一部断面
図である。
【符号の説明】 10 受光部分 20 下地材料層 22 レジスト層 24 開口部 26 溝 28 レンズ材層 30 オンチップマイクロレンズ 32 突起 40 透明平坦化層 42,42A レンズ材層 44 熱変形樹脂層 44A レンズ形状の熱変形樹脂層 100 透明平坦化層 102 レンズ材層 104 レンズ部 106 透明材料層 108 熱変形樹脂層 108A レンズ形状の熱変形樹脂層

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】オンチップマイクロレンズが下地材料層表
    面に形成された固体撮像素子であって、 オンチップマイクロレンズが形成された領域の外側の下
    地材料層の部分に、溝が形成されていることを特徴とす
    る固体撮像素子。
  2. 【請求項2】レンズオンチップマイクロレンズが下地材
    料層表面に形成された固体撮像素子であって、 オンチップマイクロレンズが形成された領域の外側の下
    地材料層の部分に、突起が形成されていることを特徴と
    する固体撮像素子。
  3. 【請求項3】オンチップマイクロレンズを下地材料層表
    面に形成する、固体撮像素子の作製方法であって、 下地材料層表面に溝を形成する工程と、 溝の部分を除く該下地材料層表面に、オンチップマイク
    ロレンズの材料であるレンズ材層を形成する工程と、 該レンズ材層を加熱処理して、オンチップマイクロレン
    ズを形成する工程、 から成ることを特徴とする固体撮像素子の作製方法。
  4. 【請求項4】オンチップマイクロレンズを下地材料層表
    面に形成する、固体撮像素子の作製方法であって、 下地材料層表面に突起を形成する工程と、 突起の部分を除く該下地材料層表面に、オンチップマイ
    クロレンズの材料であるレンズ材層を形成する工程と、 該レンズ材層を加熱処理して、オンチップマイクロレン
    ズを形成する工程、 から成ることを特徴とする固体撮像素子の作製方法。
  5. 【請求項5】オンチップマイクロレンズを形成する、固
    体撮像素子の作製方法であって、 固体撮像素子上にオンチップマイクロレンズの材料であ
    るレンズ材層を形成し、該レンズ材層の表面に溝を形成
    する工程と、 溝の部分を除く該レンズ材層の表面に熱変形樹脂層を形
    成した後、該熱変形樹脂層を加熱処理して熱変形樹脂層
    の垂直方向断面形状をレンズ状とする工程と、 該熱変形樹脂層及びレンズ材層をエッチングして、レン
    ズ材層からオンチップマイクロレンズを形成する工程、 から成ることを特徴とする固体撮像素子の作製方法。
  6. 【請求項6】オンチップマイクロレンズを形成する、固
    体撮像素子の作製方法であって、 固体撮像素子上にオンチップマイクロレンズの材料であ
    るレンズ材層を形成し、該レンズ材層の表面に突起を形
    成する工程と、 突起の部分を除く該レンズ材層表面に熱変形樹脂層を形
    成した後、該熱変形樹脂層を加熱処理して熱変形樹脂層
    の垂直方向断面形状をレンズ状とする工程と、 該熱変形樹脂層及びレンズ材層をエッチングして、レン
    ズ材層からオンチップマイクロレンズを形成する工程、 から成ることを特徴とする固体撮像素子の作製方法。
JP4305955A 1992-10-21 1992-10-21 固体撮像素子及びその作製方法 Pending JPH06132505A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4305955A JPH06132505A (ja) 1992-10-21 1992-10-21 固体撮像素子及びその作製方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4305955A JPH06132505A (ja) 1992-10-21 1992-10-21 固体撮像素子及びその作製方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06132505A true JPH06132505A (ja) 1994-05-13

Family

ID=17951310

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4305955A Pending JPH06132505A (ja) 1992-10-21 1992-10-21 固体撮像素子及びその作製方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06132505A (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001068657A (ja) * 1999-08-26 2001-03-16 Nec Kyushu Ltd 固体撮像素子の製造方法
WO2004006336A1 (ja) * 2002-07-09 2004-01-15 Toppan Printing Co., Ltd. 固体撮像素子及びその製造方法
JP2004235635A (ja) * 2003-01-29 2004-08-19 Hynix Semiconductor Inc Cmosイメージセンサの製造方法
JP2005142468A (ja) * 2003-11-10 2005-06-02 Toppan Printing Co Ltd 固体撮像素子
US7084472B2 (en) 2002-07-09 2006-08-01 Toppan Printing Co., Ltd. Solid-state imaging device and manufacturing method therefor
US7732246B2 (en) 2004-12-29 2010-06-08 Dongbu Electronics Co., Ltd. Method for fabricating vertical CMOS image sensor
JP2011049472A (ja) * 2009-08-28 2011-03-10 Fujifilm Corp 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置
US8049257B2 (en) 2004-12-30 2011-11-01 Dongbu Electronics Co., Ltd. CMOS image sensor
JP2015154018A (ja) * 2014-02-18 2015-08-24 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びその製造方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001068657A (ja) * 1999-08-26 2001-03-16 Nec Kyushu Ltd 固体撮像素子の製造方法
JP4622516B2 (ja) * 2002-07-09 2011-02-02 凸版印刷株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
JPWO2004006336A1 (ja) * 2002-07-09 2005-11-10 凸版印刷株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
US7084472B2 (en) 2002-07-09 2006-08-01 Toppan Printing Co., Ltd. Solid-state imaging device and manufacturing method therefor
CN100440518C (zh) * 2002-07-09 2008-12-03 凸版印刷株式会社 固体摄像元件及其制造方法
WO2004006336A1 (ja) * 2002-07-09 2004-01-15 Toppan Printing Co., Ltd. 固体撮像素子及びその製造方法
JP2004235635A (ja) * 2003-01-29 2004-08-19 Hynix Semiconductor Inc Cmosイメージセンサの製造方法
US7932546B2 (en) 2003-01-29 2011-04-26 Crosstek Capital, LLC Image sensor having microlenses and high photosensitivity
JP2005142468A (ja) * 2003-11-10 2005-06-02 Toppan Printing Co Ltd 固体撮像素子
JP4547894B2 (ja) * 2003-11-10 2010-09-22 凸版印刷株式会社 固体撮像素子の製造方法
US7732246B2 (en) 2004-12-29 2010-06-08 Dongbu Electronics Co., Ltd. Method for fabricating vertical CMOS image sensor
US8049257B2 (en) 2004-12-30 2011-11-01 Dongbu Electronics Co., Ltd. CMOS image sensor
JP2011049472A (ja) * 2009-08-28 2011-03-10 Fujifilm Corp 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置
JP2015154018A (ja) * 2014-02-18 2015-08-24 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5672519A (en) Method of fabricating solid state image sensing elements
US8390931B2 (en) Micro-lenses for CMOS imagers and method for manufacturing micro-lenses
US5605783A (en) Pattern transfer techniques for fabrication of lenslet arrays for solid state imagers
JP2003332547A (ja) 固体撮像素子及びその製造方法
JP3254759B2 (ja) 光学素子およびオンチップレンズの製造方法
JP2001309395A (ja) 固体撮像素子及びその製造方法
JP2776810B2 (ja) 固体撮像装置の製造方法
KR100209752B1 (ko) 마이크로 렌즈 패턴용 마스크
JPH06132505A (ja) 固体撮像素子及びその作製方法
US20070080375A1 (en) Solid-state image sensor and method for producing the same
JPH04229802A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
JPH05326900A (ja) 固体撮像装置とその製造方法
JPH05142752A (ja) フオトマスク並びにレジストのパターニング方法並びに微小集光レンズの形成方法
JP2000260968A (ja) 固体撮像素子及びその製造方法
JP2000022117A (ja) 固体撮像装置の製造方法
JP6631004B2 (ja) カラー固体撮像素子、及びその製造方法
JP3401804B2 (ja) オンチップマイクロレンズ及びその作製方法、並びに係るオンチップマイクロレンズを備えた光学素子
JP3747682B2 (ja) 固体撮像素子及びその製造方法
JPH11289073A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
JPH11317511A (ja) 固体撮像装置の製造方法
JPH1098173A (ja) オンチップマイクロレンズの形成方法
JP2002217393A (ja) マイクロレンズの形成方法
KR20010061586A (ko) 이미지센서의 마이크로렌즈 형성 방법
JP2001024179A (ja) マイクロレンズの製造方法
KR100555480B1 (ko) 마이크로 렌즈를 갖는 고체촬상소자 및 그 제조방법