JPH05142752A - フオトマスク並びにレジストのパターニング方法並びに微小集光レンズの形成方法 - Google Patents
フオトマスク並びにレジストのパターニング方法並びに微小集光レンズの形成方法Info
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- JPH05142752A JPH05142752A JP30331191A JP30331191A JPH05142752A JP H05142752 A JPH05142752 A JP H05142752A JP 30331191 A JP30331191 A JP 30331191A JP 30331191 A JP30331191 A JP 30331191A JP H05142752 A JPH05142752 A JP H05142752A
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- lens
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＣＣＤイメージセンサにおける微小集光レン
ズを各レンズ間の間隔を減少させて形成することを可能
にする。 【構成】 ＣＣＤイメージセンサ本体１上の平坦化され
たレンズ用樹脂層６上にレジスト膜２２を塗布し、ドッ
トパターンの分布密度を変化させてなる遮光パターンを
有するフォトマスク１４を用いて、レジスト膜２２をパ
ターニングしてレンズ形状のレジストパターン２３を形
成し、その後、エッチバックしてレンズ用樹脂層６に微
小集光レンズ２４を形成する。
ズを各レンズ間の間隔を減少させて形成することを可能
にする。 【構成】 ＣＣＤイメージセンサ本体１上の平坦化され
たレンズ用樹脂層６上にレジスト膜２２を塗布し、ドッ
トパターンの分布密度を変化させてなる遮光パターンを
有するフォトマスク１４を用いて、レジスト膜２２をパ
ターニングしてレンズ形状のレジストパターン２３を形
成し、その後、エッチバックしてレンズ用樹脂層６に微
小集光レンズ２４を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体装置の製
造におけるリソグラフィ工程で使用されるフォトマスク
に関する。
造におけるリソグラフィ工程で使用されるフォトマスク
に関する。
【０００２】本発明は、例えば半導体装置の製造におけ
るリソグラフィ工程でのレジストのパターニング方法に
関する。
るリソグラフィ工程でのレジストのパターニング方法に
関する。
【０００３】更に、本発明は、例えばＣＣＤイメージセ
ンサ等における微小集光レンズの形成方法に関する。
ンサ等における微小集光レンズの形成方法に関する。
【０００４】
【従来の技術】ＣＣＤイメージセンサにおいては、各受
光部（画素）に対応して微小集光レンズを形成してい
る。図５はこのＣＣＤイメージセンサにおける微小集光
レンズの形成方法を示す一例である。
光部（画素）に対応して微小集光レンズを形成してい
る。図５はこのＣＣＤイメージセンサにおける微小集光
レンズの形成方法を示す一例である。
【０００５】同図において、１はＣＣＤイメージセンサ
本体を示し、これは例えばシリコンウェーハ２の主面上
に画素となる複数の受光部３（本例ではフォトダイオー
ド）を形成し、受光部３の信号電荷を読み出す転送領域
に転送電極（ゲート電極）４を形成して構成されてい
る。５は絶縁膜である。
本体を示し、これは例えばシリコンウェーハ２の主面上
に画素となる複数の受光部３（本例ではフォトダイオー
ド）を形成し、受光部３の信号電荷を読み出す転送領域
に転送電極（ゲート電極）４を形成して構成されてい
る。５は絶縁膜である。
【０００６】従来においては、まず、図５Ａに示すよう
に、ＣＣＤイメージセンサ本体１上に平坦化されたレン
ズ用樹脂層（例えばポリスチレン系樹脂層）６を形成
し、この樹脂層６上にレジスト膜（感光性樹脂）を塗布
し、さらに所定パターンのフォトマスク（図示せず）を
介して露光し、現像処理して各受光部３に対応する位置
にレジストパターン７を形成する。
に、ＣＣＤイメージセンサ本体１上に平坦化されたレン
ズ用樹脂層（例えばポリスチレン系樹脂層）６を形成
し、この樹脂層６上にレジスト膜（感光性樹脂）を塗布
し、さらに所定パターンのフォトマスク（図示せず）を
介して露光し、現像処理して各受光部３に対応する位置
にレジストパターン７を形成する。
【０００７】次に、熱処理を施す。この熱処理によっ
て、図５Ｂに示すように、レジストパターン７は熱流動
を起こし、凸レンズ形状となる。
て、図５Ｂに示すように、レジストパターン７は熱流動
を起こし、凸レンズ形状となる。
【０００８】次に、図５Ｃに示すように、例えば反応性
イオンエッチング（ＲＩＥ）によるエッチバックを行っ
て、レンズ形成用樹脂層６の各受光部３に対応する位置
に微小集光レンズ９を形成するようになす。
イオンエッチング（ＲＩＥ）によるエッチバックを行っ
て、レンズ形成用樹脂層６の各受光部３に対応する位置
に微小集光レンズ９を形成するようになす。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来の微小集光レンズの形成方法においては、レジストパ
ターン７を熱流動によって凸レンズ形状とするために、
各凸レンズ形状のレジストパターン７間にある程度の間
隔ｄを設ける必要がある。このような間隔ｄを設けてお
かないと、図６に示すように隣り合うレジストパターン
７同士が接触し一体化してしまい、微小集光レンズとし
て設計通りの形状にすることができない。したがって、
最終的に各レンズ９間に間隔ｄをとることになり、各受
光部３において、開口率の向上をはかるときの妨げにな
っていた。
来の微小集光レンズの形成方法においては、レジストパ
ターン７を熱流動によって凸レンズ形状とするために、
各凸レンズ形状のレジストパターン７間にある程度の間
隔ｄを設ける必要がある。このような間隔ｄを設けてお
かないと、図６に示すように隣り合うレジストパターン
７同士が接触し一体化してしまい、微小集光レンズとし
て設計通りの形状にすることができない。したがって、
最終的に各レンズ９間に間隔ｄをとることになり、各受
光部３において、開口率の向上をはかるときの妨げにな
っていた。
【００１０】ＣＣＤイメージセンサの感度を向上させる
ためには、受光部３の開口率を上げる必要があり、その
ためには各レンズ９間の間隔ｄをなくしていく必要があ
る。
ためには、受光部３の開口率を上げる必要があり、その
ためには各レンズ９間の間隔ｄをなくしていく必要があ
る。
【００１１】本発明は、上述の点に鑑み、例えばレンズ
作成等に適した新規なフォトマスクを提供するものであ
る。
作成等に適した新規なフォトマスクを提供するものであ
る。
【００１２】また、本発明は、このフォトマスクを用い
て直接レジストを傾斜面及び／またはほぼ曲面を有する
所望パターンに形成することができるレジストのパター
ニング方法を提供するものである。
て直接レジストを傾斜面及び／またはほぼ曲面を有する
所望パターンに形成することができるレジストのパター
ニング方法を提供するものである。
【００１３】さらに、本発明は、このパターニング方法
を用いて良好な微小集光レンズを形成することができる
微小集光レンズの形成方法を提供するものである。
を用いて良好な微小集光レンズを形成することができる
微小集光レンズの形成方法を提供するものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、光透過性支持
体１１上に遮光パターン１３を形成したフォトマスク１
４において、遮光パターン１３を選択的に描画したドッ
トパターンより形成し、このドット１２の密度を段階的
に変化させて構成する。
体１１上に遮光パターン１３を形成したフォトマスク１
４において、遮光パターン１３を選択的に描画したドッ
トパターンより形成し、このドット１２の密度を段階的
に変化させて構成する。
【００１５】また、本発明は、フォトマスクを用いてレ
ジストをパターニングするリソグラフィ工程において、
上述のフォトマスク１４を用いてレジスト２２の露光密
度を制御してレジスト２２を傾斜面及び／またはほぼ曲
面を有する所望のパターン２３に形成する。
ジストをパターニングするリソグラフィ工程において、
上述のフォトマスク１４を用いてレジスト２２の露光密
度を制御してレジスト２２を傾斜面及び／またはほぼ曲
面を有する所望のパターン２３に形成する。
【００１６】更に、本発明は、微小集光レンズの形成方
法において、平坦化されたレンズ用樹脂層６上にレジス
ト膜２２を塗布し、上述のレジストのパターニング方法
によってレジスト膜２２をレンズ形状にパターニングし
た後、エッチバックしてレジスト膜２３を除去すると同
時に、上記レンズ用樹脂層６にレンズ２４を形成するよ
うになす。
法において、平坦化されたレンズ用樹脂層６上にレジス
ト膜２２を塗布し、上述のレジストのパターニング方法
によってレジスト膜２２をレンズ形状にパターニングし
た後、エッチバックしてレジスト膜２３を除去すると同
時に、上記レンズ用樹脂層６にレンズ２４を形成するよ
うになす。
【００１７】
【作用】第１の発明に係るフォトマスク１４において
は、光透過性支持体１１上にドット１２の密度を段階的
に変化させてなる遮光パターン１３を形成して構成する
ことにより、このフォトマスク１４を介して露光したと
きその露光量が段階的に変化した状態で露光することが
できる。
は、光透過性支持体１１上にドット１２の密度を段階的
に変化させてなる遮光パターン１３を形成して構成する
ことにより、このフォトマスク１４を介して露光したと
きその露光量が段階的に変化した状態で露光することが
できる。
【００１８】第２の発明に係るレジストのパターニング
方法においては、上述のドット１２の密度を段階的に変
化させたフォトマスク１４を用いて露光することによ
り、現像処理したときに段階的に変化する露光密度に応
じてそのレジスト２２を斜面及び／またはほぼ曲面を有
するパターン２３に形成することが可能となる。
方法においては、上述のドット１２の密度を段階的に変
化させたフォトマスク１４を用いて露光することによ
り、現像処理したときに段階的に変化する露光密度に応
じてそのレジスト２２を斜面及び／またはほぼ曲面を有
するパターン２３に形成することが可能となる。
【００１９】第３の発明に係る微小集光レンズの形成方
法においては、平坦化されたレンズ用樹脂層６上にレジ
スト膜２２を形成して上述のレジストのパターニング方
法によってレジスト膜２２をパターニングすることによ
り、従来の熱処理を施すことなく、パターニングの時点
でレンズ形状のレジストパターン２３が形成できる。こ
のように熱処理を行わないで直接レンズ形状のレジスト
パターン２３が形成できるので、隣り合うレジストパタ
ーン２３間の間隔をあけることなくレジストパターン２
３の形成が可能になる。従って、その後のエッジバック
により、隣り合う間隔をできるだけ少なくした微小集光
レンズ２４が形成される。
法においては、平坦化されたレンズ用樹脂層６上にレジ
スト膜２２を形成して上述のレジストのパターニング方
法によってレジスト膜２２をパターニングすることによ
り、従来の熱処理を施すことなく、パターニングの時点
でレンズ形状のレジストパターン２３が形成できる。こ
のように熱処理を行わないで直接レンズ形状のレジスト
パターン２３が形成できるので、隣り合うレジストパタ
ーン２３間の間隔をあけることなくレジストパターン２
３の形成が可能になる。従って、その後のエッジバック
により、隣り合う間隔をできるだけ少なくした微小集光
レンズ２４が形成される。
【００２０】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。
する。
【００２１】図１は本発明に係るフォトマスクの一例で
ある。本例においては、光透過性支持体１１上に、選択
的に描画したドットパターン即ちドット１２の密度を段
階的に変化させた所望のドットパターンによる遮光パタ
ーン１３を形成してフォトマスク１４を構成する。この
場合、ドット１２は一定の形状、本例では同一の正方形
に形成される。
ある。本例においては、光透過性支持体１１上に、選択
的に描画したドットパターン即ちドット１２の密度を段
階的に変化させた所望のドットパターンによる遮光パタ
ーン１３を形成してフォトマスク１４を構成する。この
場合、ドット１２は一定の形状、本例では同一の正方形
に形成される。
【００２２】そして、本例では中心から横方向の両端に
向かって漸次ドット１２の密度が疎になるように、すな
わち中心付近が最も密度が高く、左右両端に向かって段
階的に密度が疎になるようにドット１２を分布して構成
するものである。ドット１２の横方向の密度は計算によ
って求めてあり、縦方向には恣意的な配列にならぬよ
う、ランダムに配置してある。
向かって漸次ドット１２の密度が疎になるように、すな
わち中心付近が最も密度が高く、左右両端に向かって段
階的に密度が疎になるようにドット１２を分布して構成
するものである。ドット１２の横方向の密度は計算によ
って求めてあり、縦方向には恣意的な配列にならぬよ
う、ランダムに配置してある。
【００２３】図１では左右方向にそのドット密度が変化
する遮光パターンとしたが、その他、中心より同心円状
に周辺に向ってドット密度が変化するように形成するこ
とも可能であり、その遮光パターンのドット分布密度は
必要に応じて適宜選択することができる。
する遮光パターンとしたが、その他、中心より同心円状
に周辺に向ってドット密度が変化するように形成するこ
とも可能であり、その遮光パターンのドット分布密度は
必要に応じて適宜選択することができる。
【００２４】レジスト膜をパターニングするリソグラフ
ィ工程に上記のフォトマスク１４を利用した例を図２に
示す。所定の基板２１上にレジスト膜（ポジ型の感光性
樹脂膜）２２を形成し、図１のフォトマスク１４を介し
て露光２６を行う。この場合、フォトマスク１４におけ
るドット１２の密度が中心付近から左右両端に向かって
疎に変化するのに伴って、露光量が中心付近では少な
く、左右両端に向かうにしたがって漸次多くなるように
変化する。したがって、現像処理したときに、レジスト
パターン２２Ａの中心付近は厚く残り、左右両端に向か
うに従って漸次薄くなる。その結果、図２Ｂに示すよう
に表面が曲面となるようなレジストパターン２２Ａが形
成される。
ィ工程に上記のフォトマスク１４を利用した例を図２に
示す。所定の基板２１上にレジスト膜（ポジ型の感光性
樹脂膜）２２を形成し、図１のフォトマスク１４を介し
て露光２６を行う。この場合、フォトマスク１４におけ
るドット１２の密度が中心付近から左右両端に向かって
疎に変化するのに伴って、露光量が中心付近では少な
く、左右両端に向かうにしたがって漸次多くなるように
変化する。したがって、現像処理したときに、レジスト
パターン２２Ａの中心付近は厚く残り、左右両端に向か
うに従って漸次薄くなる。その結果、図２Ｂに示すよう
に表面が曲面となるようなレジストパターン２２Ａが形
成される。
【００２５】尚、フォトマスク１４のドットパターンに
応じて、現像後のレジストパターン２２Ａとして表面が
傾斜面またはほぼ円形もしくはその両者を有するような
レジストパターンを形成することができる。
応じて、現像後のレジストパターン２２Ａとして表面が
傾斜面またはほぼ円形もしくはその両者を有するような
レジストパターンを形成することができる。
【００２６】次に図３及び図４を用いて上述したフォト
マスク１４及びレジストのパターニング方法を用いてＣ
ＣＤイメージセンサにおける微小集光レンズの形成方法
を説明する。
マスク１４及びレジストのパターニング方法を用いてＣ
ＣＤイメージセンサにおける微小集光レンズの形成方法
を説明する。
【００２７】同図において、１はＣＣＤイメージセンサ
本体を示し、之は前述と同様に例えばシリコンウェーハ
２の主面上に画素となる複数の受光部３（本例ではフォ
トダイオード）を形成し、受光部３の信号電荷を読み出
す転送領域に転送電極（ゲート電極）４を形成して構成
されている。５は絶縁膜である。
本体を示し、之は前述と同様に例えばシリコンウェーハ
２の主面上に画素となる複数の受光部３（本例ではフォ
トダイオード）を形成し、受光部３の信号電荷を読み出
す転送領域に転送電極（ゲート電極）４を形成して構成
されている。５は絶縁膜である。
【００２８】本例においては、図３Ａに示すように、Ｃ
ＣＤイメージセンサ本体１上に表面を平坦化したレンズ
用樹脂層（例えばポリスチレン系の樹脂層）６を形成
し、このレンズ用樹脂層６上にポジ型のレジスト膜（感
光性樹脂膜）２２を形成する。そして、図１に示すフォ
トマスク、即ち各画素に対応する部分を夫々図１に示す
遮光パターン１３としたフォトマスク１４を配置し、こ
のフォトマスク１４を介して露光する。この遮光パター
ン１３は最終的に円筒レンズ形状のレジストパターンが
残るような露光分布が得られるドット密度分布（図４の
曲線Ｉ参照）を有して成る。
ＣＤイメージセンサ本体１上に表面を平坦化したレンズ
用樹脂層（例えばポリスチレン系の樹脂層）６を形成
し、このレンズ用樹脂層６上にポジ型のレジスト膜（感
光性樹脂膜）２２を形成する。そして、図１に示すフォ
トマスク、即ち各画素に対応する部分を夫々図１に示す
遮光パターン１３としたフォトマスク１４を配置し、こ
のフォトマスク１４を介して露光する。この遮光パター
ン１３は最終的に円筒レンズ形状のレジストパターンが
残るような露光分布が得られるドット密度分布（図４の
曲線Ｉ参照）を有して成る。
【００２９】このフォトマスク１４を介しての露光によ
って図４に示すようにレジスト膜２２は各受光部３に対
応する部分において、ドット分布密度（曲線Ｉ）に応じ
て中央部は露光量が少なく、左右両側に向かって露光量
が多くなるように露光される。
って図４に示すようにレジスト膜２２は各受光部３に対
応する部分において、ドット分布密度（曲線Ｉ）に応じ
て中央部は露光量が少なく、左右両側に向かって露光量
が多くなるように露光される。
【００３０】次に、現像処理することによって、図３Ｂ
に示すように、各受光部３に対し、円筒レンズ形状のレ
ジストパターン２３が形成される。
に示すように、各受光部３に対し、円筒レンズ形状のレ
ジストパターン２３が形成される。
【００３１】次に、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）
によってエッチバックしてレジスト膜を除去すると同時
に、レンズ用樹脂層６を選択エッチングする。これによ
って円筒レンズ形状のレジストパターン２３の形状に沿
ってレンズ用樹脂層６がエッチングされ、図３Ｃに示す
ように、各受光部３に対応して微小集光レンズすなわち
円筒レンズ２４が形成される。
によってエッチバックしてレジスト膜を除去すると同時
に、レンズ用樹脂層６を選択エッチングする。これによ
って円筒レンズ形状のレジストパターン２３の形状に沿
ってレンズ用樹脂層６がエッチングされ、図３Ｃに示す
ように、各受光部３に対応して微小集光レンズすなわち
円筒レンズ２４が形成される。
【００３２】上述のレンズ形成方法によれば、ドットパ
ターンの分布をレンズ形状にしたがって疎密にしたフォ
トマスク１４を用いてレンズ用樹脂層６上のポジ型レジ
スト膜２２を露光することにより、熱処理を行わずに、
現像処理した時点でレンズ形状のレジストパターン２３
を形成することができる。従って、隣り合う間隔をでき
るだけ小さく（可及的に零）にした状態でレンズ形状の
レジストパターン２３を形成することができる。
ターンの分布をレンズ形状にしたがって疎密にしたフォ
トマスク１４を用いてレンズ用樹脂層６上のポジ型レジ
スト膜２２を露光することにより、熱処理を行わずに、
現像処理した時点でレンズ形状のレジストパターン２３
を形成することができる。従って、隣り合う間隔をでき
るだけ小さく（可及的に零）にした状態でレンズ形状の
レジストパターン２３を形成することができる。
【００３３】従って、エッチバックによって隣り合う間
隔を最小（可及的に零）にした微小集光レンズ２４を各
受光部３上に形成することができる。その結果、ＣＣＤ
イメージセンサーの各受光部３の開口率を向上すること
ができる。
隔を最小（可及的に零）にした微小集光レンズ２４を各
受光部３上に形成することができる。その結果、ＣＣＤ
イメージセンサーの各受光部３の開口率を向上すること
ができる。
【００３４】尚、上例のレンズは図１に示すストライプ
パターンのフォトマスク１４を用いて形成したが、その
他、ドットパターンの分布を球面レンズ形状にしたがい
同心円的に疎密とするフォトマスクを用いれば、最終的
に各受光部３上に球面凸レンズの微小集光レンズを形成
することができる。
パターンのフォトマスク１４を用いて形成したが、その
他、ドットパターンの分布を球面レンズ形状にしたがい
同心円的に疎密とするフォトマスクを用いれば、最終的
に各受光部３上に球面凸レンズの微小集光レンズを形成
することができる。
【００３５】また、レジスト膜、及びフォトマスクの解
像度を考慮すると、ドットパターンの密度分布とレジス
ト膜の厚さとが１：１に対応するとは限らないが、相関
関係よりドットパターンを適切に配置することで所望の
レンズ形状を作成できる。
像度を考慮すると、ドットパターンの密度分布とレジス
ト膜の厚さとが１：１に対応するとは限らないが、相関
関係よりドットパターンを適切に配置することで所望の
レンズ形状を作成できる。
【００３６】また、このプロセスではレンズ表面の形状
に凹凸が生じることが考えられるが、しかしレジスト膜
の解像度及びドットパターンのサイズ等を適当に選ぶこ
とで改善される。
に凹凸が生じることが考えられるが、しかしレジスト膜
の解像度及びドットパターンのサイズ等を適当に選ぶこ
とで改善される。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、ドットパターンの疎密
分布によって露光量が変化するフォトマスクを提供する
ことができる。そして、このフォトマスクを用いてレジ
ストをパターニングすることによって、表面がフォトマ
スクの遮光パターン（即ちドットパターンの疎密分布）
に応じて傾斜面及び／またはほぼ曲面となるような所望
形状のレジストパターンを形成することができる。
分布によって露光量が変化するフォトマスクを提供する
ことができる。そして、このフォトマスクを用いてレジ
ストをパターニングすることによって、表面がフォトマ
スクの遮光パターン（即ちドットパターンの疎密分布）
に応じて傾斜面及び／またはほぼ曲面となるような所望
形状のレジストパターンを形成することができる。
【００３８】更に、このようなフォトマスク及びパター
ニング法を用いることによって、例えばＣＣＤイメージ
センサにおける微小集光レンズを隣り合うレンズ間の間
隔を可及的に無くすことができ、各受光部の開口率を向
上して、ＣＣＤセンサーの感度を向上させることができ
る。
ニング法を用いることによって、例えばＣＣＤイメージ
センサにおける微小集光レンズを隣り合うレンズ間の間
隔を可及的に無くすことができ、各受光部の開口率を向
上して、ＣＣＤセンサーの感度を向上させることができ
る。
【図１】本発明のフォトマスクの例を示す平面図であ
る。
る。
【図２】本発明のレジストのパターニング方法の例を示
す工程図である。
す工程図である。
【図３】本発明の微小集光レンズの形成方法の例を示す
製造工程図である。
製造工程図である。
【図４】微小集光レンズの形成工程の説明図である。
【図５】従来の微小集光レンズの形成方法の製造工程図
である。
である。
【図６】従来の微小集光レンズ形成方法に係る説明図で
ある。
ある。
１ ＣＣＤイメージセンサ本体 ２ シリコンウェーハ ３ 受光部（フォトダイオード） ４ 転送電極（ゲート電極） ６ レンズ用樹脂層 ７、２２Ａ、２３ レジストパターン ９、２４ 微小集光レンズ １１ 光透過性支持体 １２ ドット １３ 遮光パターン １４ フォトマスク ２２ ポジ型のレジスト膜
Claims (3)
- 【請求項１】 光透過性支持体上に遮光パターンを形成
したフォトマスクにおいて、前記遮光パターンは選択的
に描画されたドットパターンよりなり、該ドットの密度
を段階的に変化させて成ることを特徴とするフォトマス
ク。 - 【請求項２】 フォトマスクを用いてレジストをパター
ニングするリソグラフィ工程において、請求項１記載の
フォトマスクを用いて前記レジストの露光密度を制御し
て前記レジストを傾斜面及び／またはほぼ曲面を有する
所望のパターンに形成することを特徴とするレジストの
パターニング方法。 - 【請求項３】 平坦化されたレンズ用樹脂層上にレジス
ト膜を塗布し、請求項２記載のレジストのパターニング
方法によって前記レジスト膜をレンズ形状にパターニン
グした後、エッチバックして前記レジスト膜を除去する
と同時に上記レンズ用樹脂層にレンズを形成することを
特徴とする微小集光レンズの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30331191A JP3158296B2 (ja) | 1991-11-19 | 1991-11-19 | 微小集光レンズの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30331191A JP3158296B2 (ja) | 1991-11-19 | 1991-11-19 | 微小集光レンズの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05142752A true JPH05142752A (ja) | 1993-06-11 |
| JP3158296B2 JP3158296B2 (ja) | 2001-04-23 |
Family
ID=17919439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30331191A Expired - Fee Related JP3158296B2 (ja) | 1991-11-19 | 1991-11-19 | 微小集光レンズの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3158296B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001069316A1 (fr) * | 2000-03-14 | 2001-09-20 | Takashi Nishi | Photomasque de regulation de l'exposition et procede de production correspondant |
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