JPH06132273A - ウエハ洗浄装置 - Google Patents
ウエハ洗浄装置Info
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- JPH06132273A JPH06132273A JP4279915A JP27991592A JPH06132273A JP H06132273 A JPH06132273 A JP H06132273A JP 4279915 A JP4279915 A JP 4279915A JP 27991592 A JP27991592 A JP 27991592A JP H06132273 A JPH06132273 A JP H06132273A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
- B24C1/00—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods
- B24C1/003—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods using material which dissolves or changes phase after the treatment, e.g. ice, CO2
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
- B24C3/00—Abrasive blasting machines or devices; Plants
- B24C3/32—Abrasive blasting machines or devices; Plants designed for abrasive blasting of particular work, e.g. the internal surfaces of cylinder blocks
- B24C3/322—Abrasive blasting machines or devices; Plants designed for abrasive blasting of particular work, e.g. the internal surfaces of cylinder blocks for electrical components
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- Cleaning In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高度の洗浄効果が得られるように改良された
ウエハ洗浄装置を得ること。 【構成】 当該装置は、被凍結液の微細液滴と低温液化
ガスとの熱交換により、氷粒子３０を形成する製氷ホッ
パ１を備える。製氷ホッパ１には、氷粒子３０と、低温
液化ガスから生じた気化ガスと、を分離する分離手段１
１が接続される。分離手段１１によって分離された氷粒
子３０は、噴射手段９によって、ウエハ６に向けて噴射
される。これによって、ウエハ６の表面が洗浄される。
ウエハ洗浄装置を得ること。 【構成】 当該装置は、被凍結液の微細液滴と低温液化
ガスとの熱交換により、氷粒子３０を形成する製氷ホッ
パ１を備える。製氷ホッパ１には、氷粒子３０と、低温
液化ガスから生じた気化ガスと、を分離する分離手段１
１が接続される。分離手段１１によって分離された氷粒
子３０は、噴射手段９によって、ウエハ６に向けて噴射
される。これによって、ウエハ６の表面が洗浄される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、一般に、ウエハ洗浄
装置に関するものであり、より特定的には、高度の洗浄
効果が得られるように改良されたウエハ洗浄装置に関す
る。
装置に関するものであり、より特定的には、高度の洗浄
効果が得られるように改良されたウエハ洗浄装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】最近の超ＬＳＩ製造工程において、デバ
イスの歩留りおよび品質の向上を図るために、ウエハ表
面の洗浄技術のより一層の高性能化が要求されている。
レジスト残渣、微粒子、有機皮膜、自然酸化膜などの汚
染物は、デバイスの歩留りおよび性能を決める大きな要
因の１つである。サブミクロンデバイスにおいては、
０．１μｍレベルの汚染粒子を除去しなければならな
い。
イスの歩留りおよび品質の向上を図るために、ウエハ表
面の洗浄技術のより一層の高性能化が要求されている。
レジスト残渣、微粒子、有機皮膜、自然酸化膜などの汚
染物は、デバイスの歩留りおよび性能を決める大きな要
因の１つである。サブミクロンデバイスにおいては、
０．１μｍレベルの汚染粒子を除去しなければならな
い。
【０００３】図５は、氷粒子をウエハ上へ噴射すること
によって、ウエハの洗浄を行なう従来のウエハ洗浄装置
の模式図である。
によって、ウエハの洗浄を行なう従来のウエハ洗浄装置
の模式図である。
【０００４】従来のウエハ洗浄装置は、被凍結液の微細
液滴と低温液化ガスとの熱交換により、氷粒子を形成す
る製氷ホッパ１を備える。製氷ホッパ１には、製氷ホッ
パ１内に被凍結液の微細液滴を供給する供給スプレー２
が設けられる。供給スプレー２には、フィルタ３でパー
ティクルが除去された被凍結液が送込まれる。製氷ホッ
パ１には、低温液化ガス（以下、単に液化ガスという）
の供給スプレー４が設けられる。液化ガスは、フィルタ
５を通って、供給スプレー４に送込まれる。供給スプレ
ー４とフィルタ５は配管２０により接続される。製氷ホ
ッパ１は、噴霧手段９に連結されている。噴射ノズル９
は洗浄槽７内に配置される。洗浄槽７内には、ウエハ６
が配置される。ウエハ６は、図５と図６を参照して、ロ
ーラ６にて、保持され、かつ回転される。洗浄槽７内に
は、また、ウエハ６の表面に純水を吹付ける純水ノズル
１０が設けられる。
液滴と低温液化ガスとの熱交換により、氷粒子を形成す
る製氷ホッパ１を備える。製氷ホッパ１には、製氷ホッ
パ１内に被凍結液の微細液滴を供給する供給スプレー２
が設けられる。供給スプレー２には、フィルタ３でパー
ティクルが除去された被凍結液が送込まれる。製氷ホッ
パ１には、低温液化ガス（以下、単に液化ガスという）
の供給スプレー４が設けられる。液化ガスは、フィルタ
５を通って、供給スプレー４に送込まれる。供給スプレ
ー４とフィルタ５は配管２０により接続される。製氷ホ
ッパ１は、噴霧手段９に連結されている。噴射ノズル９
は洗浄槽７内に配置される。洗浄槽７内には、ウエハ６
が配置される。ウエハ６は、図５と図６を参照して、ロ
ーラ６にて、保持され、かつ回転される。洗浄槽７内に
は、また、ウエハ６の表面に純水を吹付ける純水ノズル
１０が設けられる。
【０００５】次に、従来のウエハ洗浄装置の動作につい
て説明する。液体窒素等の液化ガス中に含まれるパーテ
ィクルを、フィルタ５によって除去する。パーティクル
が除去された液化ガスを、供給スプレー４により製氷ホ
ッパ１内へ供給し、これによって、製氷ホッパ１内を−
１００℃〜−１５０℃程度に冷却する。次に純水等の被
凍結液中に含まれるパーティクルを、フィルタ３によっ
て除去し、パーティクルが除去された該純水を供給スプ
レー２により製氷ホッパ内に供給する。製氷ホッパ１内
への、液化ガスと被凍結液の供給は、ほぼ同時に行なわ
れる。被凍結液の微細液滴は、液化ガスとの熱交換によ
って、氷粒子３０となる。熱交換を効率的に行なうため
に、液化ガスの供給スプレー４は複数個設けられる。液
化ガスを製氷ホッパ１内に噴霧し、気化させ、その気化
熱を利用して、被凍結液の微細液滴を氷粒子３０とす
る。得られる氷粒子の径は、数μｍ〜５０μｍである。
製氷ホッパ１は、ＳＵＳ剤で形成され、フィルタ３はＳ
ＵＳ剤またはセラミック材で形成される。製氷ホッパ１
内で発生した氷粒子３０は、洗浄槽７内に配置された噴
射ノズル９によって吸引され、ウエハ６に向けて噴射さ
れる。噴射ノズル９は、乾燥空気や窒素ガスをキャリア
ガスとして用いる、エジェクタで形成される。
て説明する。液体窒素等の液化ガス中に含まれるパーテ
ィクルを、フィルタ５によって除去する。パーティクル
が除去された液化ガスを、供給スプレー４により製氷ホ
ッパ１内へ供給し、これによって、製氷ホッパ１内を−
１００℃〜−１５０℃程度に冷却する。次に純水等の被
凍結液中に含まれるパーティクルを、フィルタ３によっ
て除去し、パーティクルが除去された該純水を供給スプ
レー２により製氷ホッパ内に供給する。製氷ホッパ１内
への、液化ガスと被凍結液の供給は、ほぼ同時に行なわ
れる。被凍結液の微細液滴は、液化ガスとの熱交換によ
って、氷粒子３０となる。熱交換を効率的に行なうため
に、液化ガスの供給スプレー４は複数個設けられる。液
化ガスを製氷ホッパ１内に噴霧し、気化させ、その気化
熱を利用して、被凍結液の微細液滴を氷粒子３０とす
る。得られる氷粒子の径は、数μｍ〜５０μｍである。
製氷ホッパ１は、ＳＵＳ剤で形成され、フィルタ３はＳ
ＵＳ剤またはセラミック材で形成される。製氷ホッパ１
内で発生した氷粒子３０は、洗浄槽７内に配置された噴
射ノズル９によって吸引され、ウエハ６に向けて噴射さ
れる。噴射ノズル９は、乾燥空気や窒素ガスをキャリア
ガスとして用いる、エジェクタで形成される。
【０００６】ウエハ６は、洗浄槽７内に設けられたロー
ラ８によって、保持される。氷粒子３０の噴射時には、
ウエハ６は、ローラ８によって上下左右に移動させら
れ、かつ回転させられ、これによって、ウエハ６の全面
に、氷粒子３０が噴射される。また、氷粒子３０噴射時
には、洗浄効果を高める目的で、ウエハ６に、純水ノズ
ル１０から、純水が吹付けられる。
ラ８によって、保持される。氷粒子３０の噴射時には、
ウエハ６は、ローラ８によって上下左右に移動させら
れ、かつ回転させられ、これによって、ウエハ６の全面
に、氷粒子３０が噴射される。また、氷粒子３０噴射時
には、洗浄効果を高める目的で、ウエハ６に、純水ノズ
ル１０から、純水が吹付けられる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来のウエハ洗浄装置
は以上のように構成されているので、図５を参照して、
液化ガスが接触する配管２０、製氷ホッパ１、供給スプ
レー４、フィルタ５から発塵し、氷粒子の径より小さい
Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ等のパーティクルが生成する。このパ
ーティクルが氷粒子３０とともに、ウエハ６上に噴射さ
れて、このパーティクルがウエハ６を汚染し、かつ、ウ
エハ６にダメージを与えるという問題点があった。
は以上のように構成されているので、図５を参照して、
液化ガスが接触する配管２０、製氷ホッパ１、供給スプ
レー４、フィルタ５から発塵し、氷粒子の径より小さい
Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ等のパーティクルが生成する。このパ
ーティクルが氷粒子３０とともに、ウエハ６上に噴射さ
れて、このパーティクルがウエハ６を汚染し、かつ、ウ
エハ６にダメージを与えるという問題点があった。
【０００８】発塵の発生機構は、次のように考えられ
る。すなわち、たとえば、ＳＵＳ剤で形成される製氷ホ
ッパの内壁面に、液体窒素が接触したとき、この液体窒
素が製氷ホッパの内壁面で気化し、急激に膨脹する。こ
の急激な膨脹により、ＳＵＳ剤の、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ等
のパーティクルが剥がれ、発塵するのである。
る。すなわち、たとえば、ＳＵＳ剤で形成される製氷ホ
ッパの内壁面に、液体窒素が接触したとき、この液体窒
素が製氷ホッパの内壁面で気化し、急激に膨脹する。こ
の急激な膨脹により、ＳＵＳ剤の、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ等
のパーティクルが剥がれ、発塵するのである。
【０００９】この発明は、上記のような発塵を減少させ
ることができるように改良された、ウエハ洗浄装置を提
供することを目的とする。
ることができるように改良された、ウエハ洗浄装置を提
供することを目的とする。
【００１０】この発明は、また、発塵したパーティクル
が、ウエハ上へ噴射されないように改良された、ウエハ
洗浄装置を提供することを目的とする。
が、ウエハ上へ噴射されないように改良された、ウエハ
洗浄装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明の第１の局面に
従うウエハ洗浄装置は、被凍結液の微細液滴と低温液化
ガスとの熱交換により、氷粒子を形成する製氷ホッパを
備える。上記製氷ホッパには、上記氷粒子と、上記低温
液化ガスから生じた気化ガスと、を分離する分離手段が
接続されている。当該装置は、上記分離手段により分離
された上記氷粒子をウエハに向けて噴射し、それによっ
て上記ウエハの表面を洗浄する噴射手段を備える。
従うウエハ洗浄装置は、被凍結液の微細液滴と低温液化
ガスとの熱交換により、氷粒子を形成する製氷ホッパを
備える。上記製氷ホッパには、上記氷粒子と、上記低温
液化ガスから生じた気化ガスと、を分離する分離手段が
接続されている。当該装置は、上記分離手段により分離
された上記氷粒子をウエハに向けて噴射し、それによっ
て上記ウエハの表面を洗浄する噴射手段を備える。
【００１２】この発明の、好ましい実施態様によれば、
上記分離手段はサイクロンを含む。この発明の第２の局
面に従うウエハ洗浄装置は、被凍結液の微細液滴と低温
液化ガスとの熱交換により、氷粒子を形成する製氷ホッ
パを備える。上記製氷ホッパには、該製氷ホッパ内に上
記被凍結液の上記微細液滴を供給する被凍結液供給手段
が取付けられている。上記製氷ホッパには、該製氷ホッ
パ内に供給される上記低温液化ガス中に含まれるパーテ
ィクルを除去するフィルタ手段が取付けられている。上
記フィルタ手段には、該フィルタ手段を介在させて上記
製氷ホッパ内に低温液化ガスを供給する供給配管が連結
されている。当該装置は、上記製氷ホッパにより形成さ
れた上記氷粒子をウエハに噴射する噴射手段を備える。
当該装置は、さらに、上記製氷ホッパ、上記フィルタ手
段および上記供給配管を、外部から、上記低温液化ガス
の液化温度まで冷却する冷却手段を備える。
上記分離手段はサイクロンを含む。この発明の第２の局
面に従うウエハ洗浄装置は、被凍結液の微細液滴と低温
液化ガスとの熱交換により、氷粒子を形成する製氷ホッ
パを備える。上記製氷ホッパには、該製氷ホッパ内に上
記被凍結液の上記微細液滴を供給する被凍結液供給手段
が取付けられている。上記製氷ホッパには、該製氷ホッ
パ内に供給される上記低温液化ガス中に含まれるパーテ
ィクルを除去するフィルタ手段が取付けられている。上
記フィルタ手段には、該フィルタ手段を介在させて上記
製氷ホッパ内に低温液化ガスを供給する供給配管が連結
されている。当該装置は、上記製氷ホッパにより形成さ
れた上記氷粒子をウエハに噴射する噴射手段を備える。
当該装置は、さらに、上記製氷ホッパ、上記フィルタ手
段および上記供給配管を、外部から、上記低温液化ガス
の液化温度まで冷却する冷却手段を備える。
【００１３】
【作用】この発明の第１の局面に従うウエハ洗浄装置に
よれば、氷粒子と、低温液化ガスから生じた気化ガスと
を分離する分離手段を備えているので、発塵により生成
したパーティクルは気化ガスとともに除去され、氷粒子
から分離される。それゆえに、氷粒子の中には、発塵に
より生成したパーティクルが混入していない。
よれば、氷粒子と、低温液化ガスから生じた気化ガスと
を分離する分離手段を備えているので、発塵により生成
したパーティクルは気化ガスとともに除去され、氷粒子
から分離される。それゆえに、氷粒子の中には、発塵に
より生成したパーティクルが混入していない。
【００１４】この発明の第２の局面に従うウエハ洗浄装
置によれば、製氷ホッパ、フィルタ手段および供給配管
を、外部から低温液化ガスの液化温度まで冷却する冷却
手段を備えているので、これらに液化ガスが接触して
も、液化ガスが急激に膨脹しない。それゆえに、発塵は
抑制される。
置によれば、製氷ホッパ、フィルタ手段および供給配管
を、外部から低温液化ガスの液化温度まで冷却する冷却
手段を備えているので、これらに液化ガスが接触して
も、液化ガスが急激に膨脹しない。それゆえに、発塵は
抑制される。
【００１５】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。
する。
【００１６】図１は、この発明の一実施例に係る、ウエ
ハ洗浄装置の模式図である。実施例に係るウエハ洗浄装
置は、被凍結液の微細液滴と低温液化ガスとの熱交換に
より、氷粒子を形成する製氷ホッパ１を備える。製氷ホ
ッパ１には、被凍結液を製氷ホッパ１内に供給するため
の供給スプレー２が設けられている。供給スプレー２に
は、フィルタ３を通じて、被凍結液が供給される。製氷
ホッパ１には、製氷ホッパ１内に低温液化ガスの供給ス
プレー４が設けられる。供給スプレー４には、フィルタ
５を通って、低温液化ガスが供給される。製氷ホッパ１
には、氷粒子３０と、低温液化ガスから生じた気化ガス
と、を分離する分離手段１１が設けられている。分離手
段１１の構造については、後述する。分離手段１１に
は、分離手段によって分離された気化ガス、からパーテ
ィクルを除去する手段である、フィルタ１２が取付けら
れている。分離手段１１とフィルタ１２と噴射ノズル９
には、分離手段１１によって分離された氷粒子３０と、
フィルタ１２によってパーティクルが除去された気化ガ
スとを混合し、これらの混合物を噴射ノズル９に送込む
混合手段１３が取付けられている。
ハ洗浄装置の模式図である。実施例に係るウエハ洗浄装
置は、被凍結液の微細液滴と低温液化ガスとの熱交換に
より、氷粒子を形成する製氷ホッパ１を備える。製氷ホ
ッパ１には、被凍結液を製氷ホッパ１内に供給するため
の供給スプレー２が設けられている。供給スプレー２に
は、フィルタ３を通じて、被凍結液が供給される。製氷
ホッパ１には、製氷ホッパ１内に低温液化ガスの供給ス
プレー４が設けられる。供給スプレー４には、フィルタ
５を通って、低温液化ガスが供給される。製氷ホッパ１
には、氷粒子３０と、低温液化ガスから生じた気化ガス
と、を分離する分離手段１１が設けられている。分離手
段１１の構造については、後述する。分離手段１１に
は、分離手段によって分離された気化ガス、からパーテ
ィクルを除去する手段である、フィルタ１２が取付けら
れている。分離手段１１とフィルタ１２と噴射ノズル９
には、分離手段１１によって分離された氷粒子３０と、
フィルタ１２によってパーティクルが除去された気化ガ
スとを混合し、これらの混合物を噴射ノズル９に送込む
混合手段１３が取付けられている。
【００１７】図２と図３を用いて、分離手段１１を詳細
に説明する。図２は、分離手段の平面図であり、図３は
図２におけるＡ−Ｂ線に沿う断面図である。図示した分
離手段は、サイクロンと呼ばれているものである。
に説明する。図２は、分離手段の平面図であり、図３は
図２におけるＡ−Ｂ線に沿う断面図である。図示した分
離手段は、サイクロンと呼ばれているものである。
【００１８】この装置によれば、入口１１ａから入っ
た、氷粒子３０と気化ガスの混合物には、円筒１１ｂ内
における回転流により、遠心力が与えられる。この遠心
力によって、気化ガスと氷粒子３０は分離される。気化
ガスは気化ガス出口１１ｃから排出され、氷粒子は氷粒
子出口１１ｄから排出される。
た、氷粒子３０と気化ガスの混合物には、円筒１１ｂ内
における回転流により、遠心力が与えられる。この遠心
力によって、気化ガスと氷粒子３０は分離される。気化
ガスは気化ガス出口１１ｃから排出され、氷粒子は氷粒
子出口１１ｄから排出される。
【００１９】図１に戻って、混合手段１３にはたとえば
エジェクタが用いられる。次に、動作について説明す
る。
エジェクタが用いられる。次に、動作について説明す
る。
【００２０】分離手段１１内に入る前の、氷粒子３０と
気化ガスの混合物には、パーティクルすなわちダストが
含まれる。このダストは、既に述べたように、製氷ホッ
パ１、供給スプレー４、フィルタ５、液化ガス用配管２
０に使用されているＳＵＳ剤に、低温液化ガスが接触す
ることによって、生じる。ダストを含む、これらの混合
物が分離手段１１内に入ると、図３を参照して、ダスト
のほとんどは、気化ガスとともに、気化ガス出口１１ａ
から排出される。
気化ガスの混合物には、パーティクルすなわちダストが
含まれる。このダストは、既に述べたように、製氷ホッ
パ１、供給スプレー４、フィルタ５、液化ガス用配管２
０に使用されているＳＵＳ剤に、低温液化ガスが接触す
ることによって、生じる。ダストを含む、これらの混合
物が分離手段１１内に入ると、図３を参照して、ダスト
のほとんどは、気化ガスとともに、気化ガス出口１１ａ
から排出される。
【００２１】図１に戻って、気化ガス中に含まれるダス
トは、フィルタ１２によって除去される。ダストが除去
された気化ガスは、混合手段１３の中で、氷粒子出口１
１ｄから送られてきた氷粒子３０と混合される。混合手
段１３の中で混合された氷粒子３０と気化ガスは、噴射
ノズル９に送られ、さらにウエハ６に噴射される。
トは、フィルタ１２によって除去される。ダストが除去
された気化ガスは、混合手段１３の中で、氷粒子出口１
１ｄから送られてきた氷粒子３０と混合される。混合手
段１３の中で混合された氷粒子３０と気化ガスは、噴射
ノズル９に送られ、さらにウエハ６に噴射される。
【００２２】実施例によれば、噴射ノズル９に送られる
氷粒子３０と気化ガスの混合物の中には、ダストがほと
んど含まれない。それゆえに、ウエハ６の洗浄効果は高
まる。
氷粒子３０と気化ガスの混合物の中には、ダストがほと
んど含まれない。それゆえに、ウエハ６の洗浄効果は高
まる。
【００２３】製氷ホッパ１内で生成した氷粒子３０と気
化ガスに含まれるダストの除去効率は、分離手段１１の
分離効率と、フィルタ１２のダストの捕集効率とにより
決定される。
化ガスに含まれるダストの除去効率は、分離手段１１の
分離効率と、フィルタ１２のダストの捕集効率とにより
決定される。
【００２４】図４は、この発明の他の実施例に係るウエ
ハ洗浄装置の模式図である。実施例に係る装置は、被凍
結液の微細液滴と低温液化ガスとの熱交換により、氷粒
子３０を形成する製氷ホッパ１を備える。製氷ホッパ１
には、被凍結液を製氷ホッパ１内に供給する供給スプレ
ー２が設けられる。供給スプレー２には、フィルタ３を
通ってきた被凍結液すなわち純水が供給される。製氷ホ
ッパ１には、低温液化ガスを製氷ホッパ１内に供給する
供給スプレー４が設けられる。供給スプレー４には、フ
ィルタ５を通ってきた低温液化ガスが供給される。供給
スプレー４とフィルタ５は、供給配管２０によって接続
される。当該装置は、製氷ホッパ１、供給スプレー４、
フィルタ５、供給配管２０を取囲むように設けられた冷
却チャンバ１４を備える。冷却チャンバ１４内は、低温
液化ガス５０で満たされている。これによって、製氷ホ
ッパ１、供給スプレー４、フィルタ、供給配管２０は、
低温液化ガスの液化温度まで冷却される。なお、低温液
化ガスは供給口２１から冷却チャンバ１４内に入り、気
化ガスは出口２２から排出される。実施例に係る装置に
よれば、製氷ホッパ１、供給スプレー４、フィルタ５、
供給配管２０が低温液化ガスの液化温度まで冷却される
ので、これらに低温液化ガスが接触しても、液化ガスは
急激に膨脹（気化）しない。ひいては、発塵が低減され
る。したがって、噴射ノズル９に送られる氷粒子３０と
気化ガスの混合物の中には、ダストが少ない。それゆえ
に、ウエハ６の洗浄効果は高まる。
ハ洗浄装置の模式図である。実施例に係る装置は、被凍
結液の微細液滴と低温液化ガスとの熱交換により、氷粒
子３０を形成する製氷ホッパ１を備える。製氷ホッパ１
には、被凍結液を製氷ホッパ１内に供給する供給スプレ
ー２が設けられる。供給スプレー２には、フィルタ３を
通ってきた被凍結液すなわち純水が供給される。製氷ホ
ッパ１には、低温液化ガスを製氷ホッパ１内に供給する
供給スプレー４が設けられる。供給スプレー４には、フ
ィルタ５を通ってきた低温液化ガスが供給される。供給
スプレー４とフィルタ５は、供給配管２０によって接続
される。当該装置は、製氷ホッパ１、供給スプレー４、
フィルタ５、供給配管２０を取囲むように設けられた冷
却チャンバ１４を備える。冷却チャンバ１４内は、低温
液化ガス５０で満たされている。これによって、製氷ホ
ッパ１、供給スプレー４、フィルタ、供給配管２０は、
低温液化ガスの液化温度まで冷却される。なお、低温液
化ガスは供給口２１から冷却チャンバ１４内に入り、気
化ガスは出口２２から排出される。実施例に係る装置に
よれば、製氷ホッパ１、供給スプレー４、フィルタ５、
供給配管２０が低温液化ガスの液化温度まで冷却される
ので、これらに低温液化ガスが接触しても、液化ガスは
急激に膨脹（気化）しない。ひいては、発塵が低減され
る。したがって、噴射ノズル９に送られる氷粒子３０と
気化ガスの混合物の中には、ダストが少ない。それゆえ
に、ウエハ６の洗浄効果は高まる。
【００２５】なお、上記実施例では、低温液化ガスとし
て、液化窒素ガスを用いる場合を例示したが、この発明
はこれに限られるものではなく、液体酸素、液体窒素、
液体ヘリウム等も好ましく使用できる。
て、液化窒素ガスを用いる場合を例示したが、この発明
はこれに限られるものではなく、液体酸素、液体窒素、
液体ヘリウム等も好ましく使用できる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したとおり、この発明の第１の
局面に従うウエハ洗浄装置によれば、氷粒子と、低温液
化ガスから生じた気化ガスと、を分離する分離手段を備
えているので、発塵により生成したパーティクルは気化
ガスとともに除去され、氷粒子から分離される。それゆ
えに、氷粒子の中には、パーティクルは混入されない。
その結果、噴射ノズルに送られる氷粒子には、ダストが
含まれない。それゆえに、ウエハの洗浄効果が高まると
いう効果を槽する。
局面に従うウエハ洗浄装置によれば、氷粒子と、低温液
化ガスから生じた気化ガスと、を分離する分離手段を備
えているので、発塵により生成したパーティクルは気化
ガスとともに除去され、氷粒子から分離される。それゆ
えに、氷粒子の中には、パーティクルは混入されない。
その結果、噴射ノズルに送られる氷粒子には、ダストが
含まれない。それゆえに、ウエハの洗浄効果が高まると
いう効果を槽する。
【００２７】この発明の第２の局面に従うウエハ洗浄装
置によれば、製氷ホッパ、フィルタ手段、供給配管を外
部から、低温液化ガスの液化温度まで冷却する冷却手段
を備えているので、これらに液化ガスが接触しても、液
化ガスは急激に膨脹しない。ひいては、発塵は抑制され
る。その結果、噴射ノズルに送られる氷粒子と気化ガス
の混合物の中にはダストは少ない。それゆえに、ウエハ
の洗浄効果が高まるという効果を奏する。
置によれば、製氷ホッパ、フィルタ手段、供給配管を外
部から、低温液化ガスの液化温度まで冷却する冷却手段
を備えているので、これらに液化ガスが接触しても、液
化ガスは急激に膨脹しない。ひいては、発塵は抑制され
る。その結果、噴射ノズルに送られる氷粒子と気化ガス
の混合物の中にはダストは少ない。それゆえに、ウエハ
の洗浄効果が高まるという効果を奏する。
【図１】この発明の一実施例に係るウエハ洗浄装置の模
式図である。
式図である。
【図２】実施例において採用される混合手段の平面図で
ある。
ある。
【図３】図２におけるＡ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図４】この発明の他の実施例に係るウエハ洗浄装置の
模式図である。
模式図である。
【図５】従来のウエハ洗浄装置の模式図である。
【図６】ウエハを保持するローラの平面図である。
１ 製氷ホッパ ６ ウエハ ９ 噴射ノズル １１ 分離手段
Claims (2)
- 【請求項１】 被凍結液の微細液滴と低温液化ガスとの
熱交換により、氷粒子を形成する製氷ホッパと、 前記製氷ホッパに接続され、前記氷粒子と、前記低温液
化ガスから生じた気化ガスと、を分離する分離手段と、 前記分離手段により分離された氷粒子をウエハに向けて
噴射し、それによって前記ウエハの表面を洗浄する噴射
手段と、 を備えたウエハ洗浄装置。 - 【請求項２】 被凍結液の微細液滴と低温液化ガスとの
熱交換により、氷粒子を形成する製氷ホッパと、 前記製氷ホッパに取付けられ、該製氷ホッパ内に前記被
凍結液の前記微細液滴を供給する被凍結液供給手段と、 前記製氷ホッパに取付けられ、該製氷ホッパ内に供給さ
れる前記低温液化ガス中に含まれるパーティクルを除去
するフィルタ手段と、 前記フィルタ手段に連結され、該フィルタ手段を介在さ
せて前記製氷ホッパ内に低温液化ガスを供給する供給配
管と、 前記製氷ホッパにより形成された前記氷粒子をウエハに
噴射する噴射手段と、 前記製氷ホッパ、前記フィルタ手段および前記供給配管
を、外部から、前記低温液化ガスの液化温度まで冷却す
る冷却手段と、を備えた、ウエハ洗浄装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4279915A JPH06132273A (ja) | 1992-10-19 | 1992-10-19 | ウエハ洗浄装置 |
| US08/045,162 US5357718A (en) | 1992-10-19 | 1993-04-12 | Wafer rinsing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4279915A JPH06132273A (ja) | 1992-10-19 | 1992-10-19 | ウエハ洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06132273A true JPH06132273A (ja) | 1994-05-13 |
Family
ID=17617688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4279915A Withdrawn JPH06132273A (ja) | 1992-10-19 | 1992-10-19 | ウエハ洗浄装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5357718A (ja) |
| JP (1) | JPH06132273A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4540163B2 (ja) * | 2000-01-14 | 2010-09-08 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 洗浄装置及びその洗浄装置を利用した被洗浄物の洗浄方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5785581A (en) * | 1995-10-19 | 1998-07-28 | The Penn State Research Foundation | Supersonic abrasive iceblasting apparatus |
| US5964644A (en) * | 1996-03-01 | 1999-10-12 | Extrude Hone Corporation | Abrasive jet stream polishing |
| US6174225B1 (en) * | 1997-11-13 | 2001-01-16 | Waste Minimization And Containment Inc. | Dry ice pellet surface removal apparatus and method |
| US6951221B2 (en) * | 2000-09-22 | 2005-10-04 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| US6624060B2 (en) * | 2002-01-12 | 2003-09-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Method and apparatus for pretreating a substrate prior to electroplating |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62120978A (ja) * | 1985-11-18 | 1987-06-02 | Fuji Seiki Seizosho:Kk | 氷粒を噴射するクリ−ニング装置 |
| DE3844649C2 (ja) * | 1987-06-23 | 1992-04-23 | Taiyo Sanso Co. Ltd., Osaka, Jp | |
| JP2529431B2 (ja) * | 1990-02-09 | 1996-08-28 | 大陽酸素株式会社 | 洗浄装置 |
-
1992
- 1992-10-19 JP JP4279915A patent/JPH06132273A/ja not_active Withdrawn
-
1993
- 1993-04-12 US US08/045,162 patent/US5357718A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4540163B2 (ja) * | 2000-01-14 | 2010-09-08 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 洗浄装置及びその洗浄装置を利用した被洗浄物の洗浄方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5357718A (en) | 1994-10-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000104 |