JPH06132188A - Pattern forming method - Google Patents
Pattern forming methodInfo
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- JPH06132188A JPH06132188A JP4307703A JP30770392A JPH06132188A JP H06132188 A JPH06132188 A JP H06132188A JP 4307703 A JP4307703 A JP 4307703A JP 30770392 A JP30770392 A JP 30770392A JP H06132188 A JPH06132188 A JP H06132188A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置を製造する
場合に適用して好適な、パタ―ン化層、パタ―ン化マス
ク層、パタ―ン化導電体層などを形成するパタ―ン形成
法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is a pattern for forming a patterning layer, a patterning mask layer, a patterning conductor layer, etc., which is suitable for use in manufacturing a semiconductor device. The method of forming
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、基板上に、パタ―ン化されるべき
層を介してまたは介することなしに、光、電子線、Ｘ
線、イオンビ―ムなどが照射されることによって、その
照射領域が、照射されない未照射領域とは異なるレジス
ト特性を呈する、有機レジスト材または無機レジスト材
でなるレジスト材層を形成し、次に、そのレジスト材層
に対し、上記光、電子線、Ｘ線、イオンビ―ムなどを、
所望のパタ―ンに照射させることによって、その照射領
域を、上記光、電子線、Ｘ線、イオンビ―ムなどの照射
されていない未照射領域とは異なるレジスト特性を有す
る領域として形成し、次に、上記レジスト材層に対する
上記レジスト特性の差を利用した現像処理によって、上
記レジスト材層から、上記照射領域または未照射領域に
対応したパタ―ンを有する層を、パタ―ン化層として形
成する、というパタ―ン形成法が種々提案されている。2. Description of the Related Art Conventionally, light, electron beams, X-rays, X-rays, X-rays, X-rays, X-rays, X-rays, etc.
By irradiation with a line, an ion beam, or the like, the irradiated region exhibits resist characteristics different from those of the unirradiated region, and a resist material layer made of an organic resist material or an inorganic resist material is formed. To the resist material layer, the light, electron beam, X-ray, ion beam, etc.,
By irradiating a desired pattern, the irradiated region is formed as a region having resist characteristics different from the unirradiated region such as the above-mentioned light, electron beam, X-ray, and ion beam. Then, a layer having a pattern corresponding to the irradiated region or the non-irradiated region is formed from the resist material layer as a patterning layer by a development process utilizing the difference in the resist characteristics with respect to the resist material layer. Various pattern forming methods have been proposed.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のパタ―
ン形成法による場合、レジスト材層が、有機レジスト材
または無機レジスト材でなり、そして、レジスト材層が
有機レジスト材でなる場合、そのレジスト材層から形成
されるパタ―ン化層を、材質上、高い解像度を有するも
のとして形成するのが困難であり、このため、パタ―ン
化層を、微細に且つ鮮明な輪郭を有するものに形成する
のに一定の限度を有し、また、レジスト材層が、基板上
に、パタ―ン化される層を介して形成されているとし
て、レジスト材層から形成されるパタ―ン化層をマスク
として、パタ―ン化されるべき層に対し、エッチング処
理を施す場合、レジスト材層から形成されるパタ―ン化
層のエッチング処理時における耐エッチング性が、材質
上低く、このため、レジスト材層を厚く形成する必要が
あるとともに、レジスト材層をそのように厚く形成すれ
ば、レジスト材層から形成されるパタ―ン化層、従っ
て、それをマスクにエッチング処理して得られるパタ―
ン化層を微細に形成するのに一定の限度がある、などの
欠点を有していた。DISCLOSURE OF THE INVENTION The above-mentioned conventional pattern
When the resist material layer is made of an organic resist material or an inorganic resist material, and when the resist material layer is made of an organic resist material, the patterning layer formed from the resist material layer is made of a material. In addition, it is difficult to form a pattern having a high resolution. Therefore, the patterning layer has a certain limit for forming a pattern having a fine and sharp contour, Assuming that the material layer is formed on the substrate through the layer to be patterned, the patterning layer formed from the resist material layer is used as a mask for the layer to be patterned. When performing the etching process, the etching resistance of the patterning layer formed from the resist material layer at the time of the etching process is low due to the material. Therefore, it is necessary to form the resist material layer thick and If the door material layer so thick, pattern formed from the resist material layer - emission layer, thus obtained which was etched into the mask pattern -
However, it has a certain limit in forming the micronized layer finely.
【０００４】また、上述した従来のパタ―ン形成法にお
いて、レジスト材層が無機レジスト材でなる場合、その
レジスト材層は、レジスト材層の上述した照射領域がア
モルファス構造から微結晶構造に変化するなどの結晶構
造の変化によって未照射領域とは異なるレジスト特性を
呈するのを普通とし、このため、レジスト特性の差を利
用した現像処理が、酸またはアルカリ溶液を用いて照射
領域または未照射領域を溶去する処理に限定され、ま
た、レジスト材層がそのような無機レジスト材でなるた
め、レジスト材層から形成されるパタ―ン化層を、材質
上、高い解像度を有するものとして形成するのが困難で
あり、このため、パタ―ン化層を、微細に且つ鮮明な輪
郭を有するものに形成するのに限度を有する、という欠
点を有していた。Further, in the conventional pattern forming method described above, when the resist material layer is made of an inorganic resist material, the above-mentioned irradiation region of the resist material layer is changed from an amorphous structure to a microcrystalline structure. It is common to exhibit resist characteristics different from the unirradiated area due to changes in the crystal structure, such that the development process utilizing the difference in resist characteristics is performed in the irradiated area or unirradiated area using an acid or alkali solution. Since the resist material layer is made of such an inorganic resist material, the patterning layer formed from the resist material layer is formed as a material having high resolution. Therefore, there is a drawback in that the patterned layer has a limit to be formed into one having a fine and sharp contour.
【０００５】よって、本発明は、上述した欠点のない、
新規なパタ―ン形成法を提案せんとするものである。Thus, the present invention does not have the above-mentioned drawbacks,
It proposes a new pattern formation method.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本願第１番目の発明によ
るパタ―ン形成法は、（ｉ）基板上に、電子線、Ｘ線ま
たはイオンビ―ムが照射されることによって、その照射
領域が、照射されない未照射領域とは異なる酸素組成に
変化する金属酸化物でなる層を、上記電子線、Ｘ線また
はイオンビ―ムが照射されることによって、その照射領
域が、照射されない未照射領域とは異なるレジスト特性
を呈するレジスト材層として、形成する工程と、（ｉ
ｉ）上記レジスト材層に対し、上記電子線、Ｘ線または
イオンビ―ムを、所望のパタ―ンに照射させることによ
って、その照射領域を、上記電子線、Ｘ線またはイオン
ビ―ムの照射されていない未照射領域とは異なるレジス
ト特性を有する領域として形成する工程と、（ｉｉｉ）
上記レジスト材層に対する上記電子線、Ｘ線またはイオ
ンビ―ムの照射工程後、上記レジスト材層に対する上記
レジスト特性の差を利用した現像処理によって、上記レ
ジスト材層から、上記照射領域または未照射領域に対応
したパタ―ンを有する層を、パタ―ン化層として形成す
る工程とを有する。In the pattern forming method according to the first invention of the present application, (i) the substrate is irradiated with an electron beam, an X-ray or an ion beam so that the irradiation area is By irradiating the layer made of a metal oxide that changes into an oxygen composition different from that of the unirradiated area with the electron beam, X-ray or ion beam, the irradiated area becomes unirradiated unirradiated area. Is a resist material layer exhibiting different resist characteristics, and (i
i) By irradiating the resist material layer with the electron beam, the X-ray or the ion beam in a desired pattern, the irradiation region is irradiated with the electron beam, the X-ray or the ion beam. Forming a region having resist characteristics different from the unirradiated region, and (iii)
After the step of irradiating the resist material layer with the electron beam, the X-ray, or the ion beam, a development process utilizing the difference in the resist characteristics with respect to the resist material layer is performed to expose the resist material layer to the irradiated area or the unirradiated area. And a step of forming a layer having a pattern corresponding to the above as a patterned layer.
【０００７】本願第２番目の発明によるパタ―ン形成法
は、（ｉ）基板上に、パタ―ン化されるべき層を形成す
る工程と、（ｉｉ）上記パタ―ン化されるべき層上に、
電子線、Ｘ線またはイオンビ―ムが照射されることによ
って、その照射領域が、照射されない未照射領域とは異
なる酸素組成に変化する金属酸化物でなる層を、上記電
子線、Ｘ線またはイオンビ―ムが照射されることによっ
て、その照射領域が、照射されない未照射領域とは異な
るレジスト特性を呈するレジスト材層として、形成する
工程と、（ｉｉｉ）上記レジスト材層に対し、上記電子
線、Ｘ線またはイオンビ―ムを、所望のパタ―ンに照射
させることによって、その照射領域を、上記電子線、Ｘ
線またはイオンビ―ムの照射されていない未照射領域と
は異なるレジスト特性を有する領域として形成する工程
と、（ｉｖ）上記レジスト材層に対する上記電子線、Ｘ
線またはイオンビ―ムの照射工程後、上記レジスト材層
に対する上記レジスト特性の差を利用した現像処理によ
って、上記レジスト材層から、上記照射領域または未照
射領域に対応したパタ―ンを有する層を、パタ―ン化マ
スク層として形成する工程と、（ｉｖ）上記パタ―ン化
されるべき層に対する上記パタ―ン化マスク層をマスク
とするエッチング処理によって、上記パタ―ン化される
べき層から、上記パタ―ン化マスク層に対応しているパ
タ―ンを有するパタ―ン化層を形成する。The pattern forming method according to the second aspect of the present invention comprises (i) a step of forming a layer to be patterned on a substrate, and (ii) the layer to be patterned. above,
By irradiating an electron beam, an X-ray, or an ion beam, a layer made of a metal oxide whose irradiation region changes to an oxygen composition different from that of an unirradiated region is formed by the above-mentioned electron beam, X-ray or ion beam. -The step of forming a resist material layer having a resist property different from that of a non-irradiated area which is not irradiated by the irradiation of the electron beam, and (iii) the electron beam to the resist material layer, By irradiating a desired pattern with X-rays or ion beams, the irradiation area is changed to the electron beam, X-ray
Forming a region having resist characteristics different from the unirradiated region not irradiated with the beam or ion beam, and (iv) the electron beam to the resist material layer, X
After the irradiation step of the line or ion beam, a layer having a pattern corresponding to the irradiated region or the non-irradiated region is formed from the resist material layer by a developing process utilizing the difference in the resist characteristics with respect to the resist material layer. A step of forming a patterned mask layer, and (iv) the layer to be patterned by an etching process using the patterned mask layer as a mask for the layer to be patterned. Then, a patterning layer having a pattern corresponding to the patterning mask layer is formed.
【０００８】本願第３番目の発明によるパタ―ン形成法
は、（ｉ）基板上に、電子線、Ｘ線またはイオンビ―ム
が照射されることによって、その照射領域が、照射され
ない未照射領域とは異なる酸素組成に変化する金属酸化
物でなる層を、上記電子線、Ｘ線またはイオンビ―ムが
照射されることによって、その照射領域が、照射されな
い未照射領域とは異なるレジスト特性を呈するレジスト
材層として、形成する工程と、（ｉｉ）上記レジスト材
層に対し、上記電子線、Ｘ線またはイオンビ―ムを、所
望のパタ―ンに照射させることによって、その照射領域
を、上記電子線、Ｘ線またはイオンビ―ムの照射されて
いない未照射領域とは異なるレジスト特性を有する領域
として形成する工程と、（ｉｉｉ）上記レジスト材層に
対する上記電子線、Ｘ線またはイオンビ―ムの照射工程
後、上記レジスト材層に対する上記レジスト特性の差を
利用した現像処理によって、上記レジスト材層から、上
記照射領域に対応したパタ―ンを有するパタ―ン化層を
形成する工程と、（ｉｖ）上記パタ―ン化層に対する水
素雰囲気中での還元処理によって、上記パタ―ン化層か
ら、それを構成している金属でなる層を、パタ―ン化導
電体層として形成する工程とを有する。In the pattern forming method according to the third aspect of the present invention, (i) the substrate is irradiated with an electron beam, an X-ray, or an ion beam so that the irradiated region is not irradiated and is not irradiated. By irradiating a layer made of a metal oxide that changes to an oxygen composition different from that with the electron beam, X-ray, or ion beam, the irradiated region exhibits different resist characteristics from the unirradiated region. A step of forming a resist material layer, and (ii) irradiating the resist material layer with a desired pattern with the electron beam, X-ray, or ion beam so that the irradiation area is changed to the electron beam. Forming a region having resist characteristics different from the unirradiated region not irradiated with X-rays, X-rays or ion beams, and (iii) the electron beam with respect to the resist material layer. After the X-ray or ion beam irradiation step, a patterning layer having a pattern corresponding to the irradiation region is formed from the resist material layer by a developing process utilizing the difference in the resist characteristics with respect to the resist material layer. And (iv) reducing the patterning layer in a hydrogen atmosphere to convert the patterning layer from a metal layer forming the patterning layer to a patterning conductive layer. Forming a body layer.
【０００９】なお、上述した本願第１番目の発明、本願
第２番目の発明または本願第３番目の発明によるパタ―
ン形成法において、上記レジスト材層に対する上記レジ
スト特性の差を利用した現像処理を、沸点または昇華点
の差を利用した熱処理とすることもできる。The pattern according to the above-mentioned first invention, second invention or third invention of the present application.
In the film forming method, the developing treatment utilizing the difference in the resist characteristics with respect to the resist material layer may be a heat treatment utilizing the difference in boiling point or sublimation point.
【００１０】[0010]
【作用・効果】本願第１番目の発明によるパタ―ン形成
法の場合、レジスト材層が、電子線、Ｘ線またはイオン
ビ―ムの照射によって酸素組成が変化する金属酸化物で
なり、従って、無機レジスト材でなるため、レジスト材
層が有機レジスト材でなる前述した従来のパタ―ン形成
法の欠点を、有効に回避することができる。In the pattern forming method according to the first invention of the present application, the resist material layer is a metal oxide whose oxygen composition changes by irradiation with electron beams, X-rays or ion beams. Since the resist material layer is made of an inorganic resist material, it is possible to effectively avoid the above-mentioned drawbacks of the conventional pattern forming method in which the resist material layer is made of an organic resist material.
【００１１】また、本願第１番目の発明によるパタ―ン
形成法の場合、レジスト材層が、電子線、Ｘ線またはイ
オンビ―ムの照射によって酸素組成が変化する金属酸化
物でなり、従って、無機レジスト材でなるとしても、そ
のレジスト材層は、レジスト特性の差を利用した現像処
理が、酸またはアルカリ溶液を用いて照射領域または未
照射領域を溶去する処理に限定されないレジスト材層で
あり、従って、レジスト特性の差を利用した現像処理
が、酸またはアルカリ溶液を用いて照射領域または未照
射領域を溶去する処理に限定されず、また、レジスト材
層から形成されるパタ―ン化層を、材質上、レジスト材
層が無機レジスト材でなる前述した従来のパタ―ン形成
法の場合に比し高い解像度を有するものとして、容易に
形成することができ、このため、パタ―ン化層を、微細
に且つ鮮明な輪郭を有するものに容易に形成することが
できる。Further, in the case of the pattern forming method according to the first invention of the present application, the resist material layer is a metal oxide whose oxygen composition is changed by irradiation of an electron beam, an X-ray or an ion beam. Even if the resist material layer is made of an inorganic resist material, the resist material layer is not limited to a developing treatment utilizing the difference in resist characteristics, but a treatment of removing an irradiated region or an unirradiated region with an acid or alkali solution. Therefore, the development process utilizing the difference in resist characteristics is not limited to the process of using an acid or alkali solution to dissolve away the irradiated region or unirradiated region, and the pattern formed from the resist material layer can be used. The chemical conversion layer can be easily formed as a material having a higher resolution than that of the conventional pattern forming method described above in which the resist material layer is an inorganic resist material. Therefore, pattern - the emission layer can be easily formed to have a fine and sharp outlines.
【００１２】また、本願第２番目の発明によるパタ―ン
形成法によれば、レジスト材層から形成されるパタ―ン
化マスク層が、本願第１番目の発明によるパタ―ン形成
法のレジスト材層から形成されるパタ―ン化層に対応し
ているので、詳細説明は省略するが、パタ―ン化マスク
層を、本願第１番目の発明によるパタ―ン形成法で上述
したと同様の優れた特徴を有して形成することができ、
また、そのパタ―ン化マスク層を用いて、パタ―ン化さ
れるべき層から、パタ―ン化マスク層に対応しているパ
タ―ンを有するパタ―ン化層を良好に容易に形成するこ
とができる。According to the pattern forming method of the second invention of the present application, the patterning mask layer formed from the resist material layer is the resist of the pattern forming method of the first invention of the present application. Since it corresponds to the patterning layer formed from the material layer, detailed description is omitted, but the patterning mask layer is the same as that described in the patterning method according to the first invention of the present application. Can be formed with the excellent features of
Further, by using the patterning mask layer, a patterning layer having a pattern corresponding to the patterning mask layer can be formed easily and easily from the layer to be patterned. can do.
【００１３】さらに、本願第３番目の発明によるパタ―
ン形成法によれば、レジスト材層から形成されるパタ―
ン化層が、本願第１番目の発明によるレジスト材層から
形成されるパタ―ン化層に対応しているので、詳細説明
は省略するが、レジスト材層から形成されるパタ―ン化
層を、本願第１番目の発明によるパタ―ン形成法で上述
したと同様の優れた特徴を有して形成することができ、
また、そのパタ―ン化層から、良好なパタ―ン化導電体
層を、直ちに且つ容易に形成することができる。Further, the pattern according to the third invention of the present application
According to the pattern formation method, a pattern formed from a resist material layer
The patterning layer corresponds to the patterning layer formed from the resist material layer according to the first invention of the present application, so a detailed description is omitted, but the patterning layer formed from the resist material layer is omitted. Can be formed with the same excellent features as described above in the pattern forming method according to the first invention of the present application,
Moreover, a good patterned conductor layer can be formed immediately and easily from the patterned layer.
【００１４】[0014]
【実施例１】次に、図１及び図２を伴って、本発明によ
るパタ―ン形成法の第１の実施例を述べよう。First Embodiment Next, a first embodiment of the pattern forming method according to the present invention will be described with reference to FIGS.
【００１５】図１及び図２に示す本発明によるパタ―ン
形成法は、次に述べる順次の工程をとって、基板上のパ
タ―ン化層を形成する。In the pattern forming method according to the present invention shown in FIGS. 1 and 2, the patterned layer on the substrate is formed by the following sequential steps.
【００１６】すなわち、予め用意された、基板本体だけ
でなるまたは基板本体上に絶縁層、半導体層などの層が
形成されている構成を有する基板１上に、パタ―ン化さ
れるべき層２を、それ自体は公知の方法によって形成す
る（図１Ａ）。That is, the layer 2 to be patterned is formed on the substrate 1 which is prepared in advance and has only the substrate body or the substrate body on which the layers such as the insulating layer and the semiconductor layer are formed. Are formed by a method known per se (FIG. 1A).
【００１７】次に、パタ―ン化されるべき層２上に、電
子線が照射されることによって、その照射領域が、照射
されない未照射領域とは異なる酸素組成に変化する金属
酸化物でなる層３を、電子線が照射されることによっ
て、その照射領域が、照射されない未照射領域とは異な
るレジスト特性を呈するレジスト材層として形成する
（図１Ｂ）。この場合、金属酸化物でなるレジスト材層
３を、パタ―ン化されるべき層２上に、Ｍｏでなる金属
層を、スパッタリング法によって、１８ｎｍの厚さに形
成し、次で、酸素雰囲気中で、４００℃の温度の熱酸化
処理を行うことによって、ＭｏＯ3 でなり且つ６０ｎｍ
の厚さを有するものとして形成した。Next, by irradiating the layer 2 to be patterned with an electron beam, the irradiated region is made of a metal oxide whose oxygen composition changes to a different oxygen composition from the unirradiated region. When the layer 3 is irradiated with an electron beam, the irradiated region is formed as a resist material layer having resist characteristics different from those of the unirradiated region (FIG. 1B). In this case, a resist material layer 3 made of a metal oxide is formed on the layer 2 to be patterned, a metal layer made of Mo is formed to a thickness of 18 nm by a sputtering method, and then an oxygen atmosphere is formed. In which the thermal oxidation treatment at a temperature of 400 ° C. gives MoO 3 and 60 nm.
Formed to have a thickness of.
【００１８】次に、レジスト材層３に対し、電子線４を
所望のパタ―ンに照射させることによって、その照射領
域５を、電子線の照射されていない未照射領域６とは異
なるレジスト特性を有する領域として形成する（図１
Ｃ）。この場合、照射領域５を、ＭｏＯ2 でなるものと
して形成した。Next, by irradiating the resist material layer 3 with an electron beam 4 in a desired pattern, the irradiation region 5 thereof has resist characteristics different from those of the unirradiated region 6 not irradiated with the electron beam. Is formed as a region having
C). In this case, the irradiation region 5 was formed by being made of MoO 2 .
【００１９】次に、レジスト材層３に対し、上述した照
射領域５と未照射領域６とのレジスト特性の差を利用し
た現像処理によって、レジスト材層３から、照射領域５
に対応したパタ―ンを有する層７を、パタ―ン化マスク
層として形成する（図２Ｄ）。この場合、レジスト特性
の差を利用した現像処理を、アンモニア水に浸漬するこ
とによって、未照射領域６を基板１上から溶去する処理
とし、よって、マスク層７を、照射領域５に対応したパ
タ―ンを有する層に形成した。Next, the resist material layer 3 is subjected to a development process utilizing the difference in resist characteristics between the irradiated region 5 and the non-irradiated region 6 described above, so that the resist material layer 3 is irradiated with the irradiated region 5.
A layer 7 having a pattern corresponding to is formed as a patterning mask layer (FIG. 2D). In this case, the developing process utilizing the difference in resist characteristics is a process of leaching the unirradiated region 6 from the substrate 1 by immersing it in ammonia water, so that the mask layer 7 corresponds to the irradiated region 5. It was formed in a layer having a pattern.
【００２０】次に、パタ―ン化されるべき層２に対する
パタ―ン化マスク層７をマスクとするエッチング処理に
よって、パタ―ン化されるべき層２から、パタ―ン化マ
スク層７に対応しているパタ―ンを有するパタ―ン化層
８を形成する（図２Ｅ）。Next, the layer 2 to be patterned is etched from the layer 2 to be patterned to the patterning mask layer 7 by an etching process using the patterning mask layer 7 as a mask. A patterning layer 8 having a corresponding pattern is formed (FIG. 2E).
【００２１】次に、パタ―ン化層８上から、マスク層７
を除去する（図２Ｆ）。Next, the mask layer 7 is formed from above the patterning layer 8.
Are removed (FIG. 2F).
【００２２】以上が、本発明によるパタ―ン形成法の第
１の実施例である。The above is the first embodiment of the pattern forming method according to the present invention.
【００２３】このような本発明によるパタ―ン形成法に
よれば、レジスト材層３が、電子線によって酸素組成が
変化する金属酸化物（ＭｏＯ3 ）でなり、従って、無機
レジスト材でなるため、レジスト材層が有機レジスト材
でなる前述した従来のパタ―ン形成法の欠点を、有効に
回避することができる。According to the pattern forming method of the present invention as described above, the resist material layer 3 is made of a metal oxide (MoO 3 ) whose oxygen composition is changed by an electron beam, and is therefore made of an inorganic resist material. It is possible to effectively avoid the above-mentioned drawbacks of the conventional pattern forming method in which the resist material layer is an organic resist material.
【００２４】また、レジスト材層３が、電子線の照射に
よって酸素組成が変化する金属酸化物（ＭｏＯ3 ）でな
り、従って、無機レジスト材でなるとしても、そのレジ
スト材層３は、レジスト特性の差を利用した現像処理を
アンモニア水を用いて未照射領域６を溶去する処理とす
ることができるレジスト材層であり、従って、レジスト
特性の差を利用した現像処理を、アンモニア水を用いて
未照射領域６を溶去する処理にすることができ、また、
レジスト材層３から形成されるパタ―ン化マスク層７
を、材質上、レジスト材層が無機レジスト材でなる前述
した従来のパタ―ン形成法において形成するパタ―ン化
層に比し高い解像度を有するものとして、容易に形成す
ることができ、このため、パタ―ン化マスク層７を、微
細に且つ鮮明な輪郭を有するものに容易に形成すること
ができる。Further, even if the resist material layer 3 is made of a metal oxide (MoO 3 ) whose oxygen composition changes by the irradiation of an electron beam, and therefore it is made of an inorganic resist material, the resist material layer 3 still has resist characteristics. Is a resist material layer in which the unirradiated region 6 is removed by using an aqueous ammonia solution. Therefore, the developing process utilizing the difference in the resist characteristics is performed by using the aqueous ammonia solution. Can be carried out to remove the unirradiated area 6 by
Patterning mask layer 7 formed from resist material layer 3
In terms of material, the resist material layer can be easily formed as having a higher resolution than the patterning layer formed in the above-mentioned conventional pattern forming method in which the resist material layer is an inorganic resist material. Therefore, the patterning mask layer 7 can be easily formed to have a fine and sharp contour.
【００２５】さらに、このため、レジスト材層３から形
成されるパタ―ン化マスク層７を用いて、パタ―ン化さ
れるべき層２から、パタ―ン化マスク層７に対応してい
るパタ―ンを有するパタ―ン化層８を良好に容易に形成
することができる。Further, for this reason, the patterning mask layer 7 formed from the resist material layer 3 is used to correspond to the patterning mask layer 7 from the layer 2 to be patterned. The patterning layer 8 having a pattern can be favorably and easily formed.
【００２６】[0026]
【実施例２】次に、本発明によるパタ―ン形成法の第２
の実施例を述べよう。[Embodiment 2] Next, the second embodiment of the pattern forming method according to the present invention.
Examples of
【００２７】本発明によるパタ―ン形成法の第２の実施
例は、図示詳細説明は省略するが、図１及び図２に示す
本発明によるパタ―ン形成法の第１の実施例における、
レジスト材層３に対する照射領域５と未照射領域６との
レジスト特性の差を利用した現像処理によって、レジス
ト材層３からパタ―ン化マスク層７を形成する工程（図
２Ｄ）において、現像処理を、アンモニア水に浸漬する
ことによって未照射領域６を基板１上から溶去する処理
としたのに代え、弗素系または塩素系ガスのプラズマを
用いて未照射領域６を基板１上から除去する処理とした
ことを除いて、図１及び図２に示す本発明によるパタ―
ン形成法の第１の実施例の場合と同様の工程をとって、
パタ―ン化層８を形成する。The second embodiment of the pattern forming method according to the present invention is not described in detail in the drawings, but in the first embodiment of the pattern forming method according to the present invention shown in FIGS.
In the step (FIG. 2D) of forming the patterning mask layer 7 from the resist material layer 3 by the development processing utilizing the difference in resist characteristics between the irradiated area 5 and the non-irradiated area 6 with respect to the resist material layer 3. Instead of immersing the non-irradiated region 6 from the substrate 1 by immersing it in ammonia water, the non-irradiated region 6 is removed from the substrate 1 using plasma of a fluorine-based gas or a chlorine-based gas. The pattern according to the present invention shown in FIGS. 1 and 2 except that it is treated.
The same steps as in the first embodiment of
A patterned layer 8 is formed.
【００２８】以上が、本発明によるパタ―ン形成法の第
２の実施例である。The above is the second embodiment of the pattern forming method according to the present invention.
【００２９】このような本発明によるパタ―ン形成法に
よれば、上述した事項を除いて、図１及び図２に示す本
発明によるパタ―ン形成法と同様であるので、詳細説明
は省略するが、図１及び図２に示す本発明によるパタ―
ン形成法の場合と同様の作用効果が得られる。The pattern forming method according to the present invention is the same as the pattern forming method according to the present invention shown in FIGS. 1 and 2 except the above-mentioned matters, and detailed description thereof will be omitted. However, the pattern according to the present invention shown in FIGS.
The same effects and advantages as in the case of the method for forming a film can be obtained.
【００３０】また、本発明によるパタ―ン形成法の第２
の実施例によれば、レジスト材層３に対する照射領域５
と未照射領域６とのレジスト特性の差を利用した現像処
理を、弗素系または塩素系ガスのプラズマを用いて未照
射領域６を除去する処理にすることができ、また、レジ
スト材層３からマスク層７を形成する工程においてとっ
た現像処理が、いわゆるドライ処理であるので、現像処
理によってパタ―ン化マスク層７を形成する工程後、そ
のパタ―ン化マスク層７を用いたエッチング処理によっ
てパタ―ン化層８を形成する工程前において、水洗、乾
燥の工程を省略することができるので、パタ―ン化層８
を、簡易に形成することができる。The second method of pattern formation according to the present invention
According to the embodiment of FIG.
The developing process utilizing the difference in resist characteristics between the unirradiated region 6 and the unirradiated region 6 can be a process of removing the unirradiated region 6 by using plasma of fluorine-based gas or chlorine-based gas. Since the developing process performed in the step of forming the mask layer 7 is a so-called dry process, an etching process using the patterned mask layer 7 is performed after the step of forming the patterned mask layer 7 by the developing process. Since the steps of washing and drying can be omitted before the step of forming the patterned layer 8 by the above, the patterned layer 8
Can be easily formed.
【００３１】[0031]
【実施例３】次に、本発明によるパタ―ン形成法の第３
の実施例を述べよう。[Embodiment 3] Next, the third embodiment of the pattern forming method according to the present invention.
Examples of
【００３２】本発明によるパタ―ン形成法の第３の実施
例は、図示詳細説明は省略するが、図１及び図２に示す
本発明によるパタ―ン形成法の第１の実施例における、
レジスト材層３に対する照射領域５と未照射領域６との
レジスト特性の差を利用した現像処理によって、レジス
ト材層３からパタ―ン化マスク層７を形成する工程（図
２Ｄ）において、現像処理を、アンモニア水に浸漬する
ことによって未照射領域６を基板１上から溶去する処理
としたのに代え、真空中における５００℃以上の温度、
望ましくは７００℃の温度での熱処理によって未照射領
域６を基板１上から昇華させる処理としたことを除い
て、図１及び図２に示す本発明によるパタ―ン形成法の
第１の実施例の場合と同様の工程をとって、パタ―ン化
層８を形成する。The third embodiment of the pattern forming method according to the present invention is not described in detail in the drawings, but in the first embodiment of the pattern forming method according to the present invention shown in FIGS.
In the step (FIG. 2D) of forming the patterning mask layer 7 from the resist material layer 3 by the development processing utilizing the difference in resist characteristics between the irradiated area 5 and the non-irradiated area 6 with respect to the resist material layer 3. Instead of immersing the unirradiated region 6 on the substrate 1 by immersing it in ammonia water, a temperature of 500 ° C. or higher in vacuum,
A first embodiment of the pattern forming method according to the present invention shown in FIGS. 1 and 2 except that the unirradiated region 6 is sublimated from the substrate 1 by heat treatment at a temperature of 700 ° C. The patterned layer 8 is formed by taking the same steps as in the above case.
【００３３】以上が、本発明によるパタ―ン形成法の第
２の実施例である。The above is the second embodiment of the pattern forming method according to the present invention.
【００３４】このような本発明によるパタ―ン形成法に
よれば、上述した事項を除いて、図１及び図２に示す本
発明によるパタ―ン形成法と同様であるので、詳細説明
は省略するが、レジスト材層３に対する照射領域５と未
照射領域６とのレジスト特性の差を利用した現像処理
を、熱処理によって未照射領域６を昇華させる処理にさ
せることができる外、図１及び図２に示す本発明による
パタ―ン形成法の場合と同様の作用効果が得られる。The pattern forming method according to the present invention is the same as the pattern forming method according to the present invention shown in FIGS. 1 and 2 except the above-mentioned matters, and detailed description thereof will be omitted. However, the development process utilizing the difference in resist characteristics between the irradiated region 5 and the non-irradiated region 6 with respect to the resist material layer 3 can be a process for sublimating the unirradiated region 6 by heat treatment. The same operation and effect as in the case of the pattern forming method according to the present invention shown in 2 can be obtained.
【００３５】[0035]
【実施例４】次に、図３を伴って、本発明によるパタ―
ン形成法の第４の実施例を述べよう。Fourth Embodiment Next, referring to FIG. 3, a pattern according to the present invention will be described.
Let us now describe a fourth embodiment of the method of forming a film.
【００３６】図３において、図１及び図２との対応部分
には同一符号を付して示す。In FIG. 3, parts corresponding to those in FIGS. 1 and 2 are designated by the same reference numerals.
【００３７】図３に示す本発明によるパタ―ン形成法の
実施例は、次に述べる順次の工程をとって、基板上にパ
タ―ン化導電体層を形成する。In the embodiment of the pattern forming method according to the present invention shown in FIG. 3, the patterned conductor layer is formed on the substrate through the following sequential steps.
【００３８】すなわち、基板本体だけでなるまたは基板
本体上に絶縁層、半導体層などの層が形成されている構
成を有する基板１上に、電子線の照射によって、その照
射領域が、照射されない未照射領域とは異なる酸素組成
に変化する金属酸化物でなる層３を、レジスト材層とし
て形成する（図３Ａ）。この場合、レジスト材層３を、
Ｍｏでなるタ―ゲットを用いた酸素雰囲気中での反応性
スパッタリング法によって図１及び図２で上述した本発
明によるパタ―ン形成法の場合と同様に、ＭｏＯ3 でな
るものとして形成した。That is, the irradiation area is not irradiated with the electron beam on the substrate 1 having only the substrate body or the substrate body having a layer such as an insulating layer or a semiconductor layer formed thereon. A layer 3 made of a metal oxide that changes to an oxygen composition different from that of the irradiation region is formed as a resist material layer (FIG. 3A). In this case, the resist material layer 3 is
As in the case of the pattern forming method according to the present invention described above with reference to FIGS. 1 and 2, the film was formed by MoO 3 by the reactive sputtering method in the oxygen atmosphere using the Mo target.
【００３９】次に、レジスト材層３に対し、図１及び図
２で上述した本発明によるパタ―ン形成法の場合と同様
に、電子線４を所望のパタ―ンに照射させることによっ
て、その照射領域５を、電子線の照射されていない未照
射領域６とは異なるレジスト特性を有する領域として形
成する（図３Ｂ）。この場合、照射領域４を、図１及び
図２で上述した本発明によるパタ―ン形成法の場合と同
様に、ＭｏＯ3 でなるものとして形成した。Next, by irradiating the resist material layer 3 with an electron beam 4 in a desired pattern in the same manner as in the pattern forming method according to the present invention described above with reference to FIGS. The irradiated region 5 is formed as a region having resist characteristics different from those of the unirradiated region 6 which is not irradiated with the electron beam (FIG. 3B). In this case, the irradiation region 4 was formed of MoO 3 as in the case of the pattern forming method according to the present invention described above with reference to FIGS. 1 and 2.
【００４０】次に、レジスト材層３に対し、図１及び図
２で上述した本発明によるパタ―ン形成法の場合と同様
に、照射領域５と未照射領域６とのレジスト特性の差を
利用した現像処理によって、レジスト材層３から、照射
領域５に対応したパタ―ンを有するパタ―ン化層７を形
成する（図３Ｃ）。この場合、レジスト特性の差を利用
した現像処理を、真空雰囲気中における７００℃の温度
での加熱処理を１０分間行うことによって未照射領域６
を基板１上から昇華させる処理とし、よって、パタ―ン
化層７を、照射領域５に対応したパタ―ンを有する層に
形成した。Next, with respect to the resist material layer 3, as in the case of the pattern forming method according to the present invention described above with reference to FIGS. 1 and 2, the difference in resist characteristics between the irradiated region 5 and the unirradiated region 6 is measured. The patterning layer 7 having a pattern corresponding to the irradiation region 5 is formed from the resist material layer 3 by the developing process used (FIG. 3C). In this case, the unirradiated area 6 is formed by performing the development process utilizing the difference in the resist characteristics by the heating process at a temperature of 700 ° C. in a vacuum atmosphere for 10 minutes.
Then, the patterning layer 7 was formed into a layer having a pattern corresponding to the irradiation region 5.
【００４１】次に、パタ―ン化層７に対する水素雰囲気
中での還元処理によって、パタ―ン化層７から、それを
構成している金属でなる層９を、パタ―ン化導電体層と
して形成する（図３Ｄ）。この場合、水素雰囲気中での
還元処理を、７００℃の温度で行うことによって、パタ
―ン化導電体層９を、Ｍｏでなるものとして形成した。Next, the patterned layer 7 is subjected to reduction treatment in a hydrogen atmosphere to transform the patterned layer 7 into a layer 9 made of the metal constituting the patterned layer 7 and a patterned conductor layer. (FIG. 3D). In this case, the patterned conductor layer 9 was formed of Mo by performing the reduction treatment in a hydrogen atmosphere at a temperature of 700 ° C.
【００４２】以上が、本発明によるパタ―ン形成法の第
４の実施例である。The above is the fourth embodiment of the pattern forming method according to the present invention.
【００４３】このような本発明によるパタ―ン形成法に
よれば、レジスト材層３から形成されるパタ―ン化層９
が、図１及び図２で上述した本発明によるパタ―ン形成
法のレジスト材層３から形成されるパタ―ン化層７に対
応しているので、詳細説明は省略するが、レジスト材層
３に対する照射領域５と未照射領域６とのレジスト特性
の差を利用した現像処理を、熱処理によって未照射領域
６を昇華させる処理にさせることができる外、レジスト
材層３から形成されるパタ―ン化層９を、図１及び図２
で上述した本発明によるパタ―ン形成法で上述したと同
様の優れた特徴を有して形成することができ、また、そ
のパタ―ン化層９から、良好なパタ―ン化導電体層１０
を、直ちに且つ容易に形成することができる。According to the pattern forming method of the present invention, the patterning layer 9 formed from the resist material layer 3 is used.
Corresponds to the patterning layer 7 formed from the resist material layer 3 of the pattern forming method according to the present invention described above with reference to FIGS. 1 and 2, so a detailed description is omitted, but the resist material layer is omitted. The development process utilizing the difference in resist characteristics between the irradiated region 5 and the non-irradiated region 6 with respect to No. 3 can be a process of sublimating the non-irradiated region 6 by heat treatment, and also a pattern formed from the resist material layer 3. 1 and FIG.
The patterning method according to the present invention described above can be formed with the same excellent characteristics as those described above, and from the patterning layer 9 to the good patterning conductor layer. 10
Can be formed immediately and easily.
【００４４】なお、上述した各実施例においては、レジ
スト材層３に電子線４を照射することによって、その照
射領域５を、未照射領域６とは異なるレジスト特性を有
する領域として形成する場合について述べたが、レジス
ト材層３に、Ｘ線または種々のイオンビ―ム（光子を含
む）を照射することによって、同様の照射領域を形成
し、上述したと同様の作用効果を得るようにすることが
できることは明らかであろう。In each of the above-described embodiments, the irradiation region 5 is formed as a region having resist characteristics different from that of the non-irradiated region 6 by irradiating the resist material layer 3 with the electron beam 4. As mentioned above, by irradiating the resist material layer 3 with X-rays or various ion beams (including photons), a similar irradiation region is formed so that the same effect as described above can be obtained. It will be clear that this can be done.
【００４５】また、上述した各実施例においては、金属
酸化物でなるレジスト材層３を、モリブデン酸化物でな
るものとして形成した場合について述べたが、電子線ま
たはＸ線もしくはイオンビ―ムの照射によって、その照
射領域が、未照射領域とは異なる酸素組成に変化するタ
ングステン酸化物、チタン酸化物などの他の金属酸化物
でなるものとして形成し、上述したと同様の作用効果を
得るようにすることができることも明らかであろう。In each of the above-described embodiments, the case where the resist material layer 3 made of a metal oxide is formed as a material made of molybdenum oxide has been described. However, irradiation with an electron beam, an X-ray or an ion beam is performed. The irradiated region is formed by being made of another metal oxide such as tungsten oxide or titanium oxide that changes to an oxygen composition different from that of the unirradiated region, so that the same effect as described above can be obtained. It will also be clear that you can do that.
【００４６】さらに、上述した各実施例においては、レ
ジスト材層３に対するレジスト特性の差を利用した現像
処理が、未照射領域６を除去する処理である場合につき
述べたが、照射領域５を除去する処理にすることもで
き、その他、本発明の精神を脱することなしに、種々の
変型、変更をなし得るであろう。Further, in each of the above-mentioned embodiments, the case where the developing process utilizing the difference in the resist characteristics with respect to the resist material layer 3 is the process of removing the non-irradiated region 6 has been described. Alternatively, various modifications and changes may be made without departing from the spirit of the present invention.
【図１】本発明によるパタ―ン形成法の実施例を示す、
順次の工程における略線的断面図である。FIG. 1 shows an embodiment of a pattern forming method according to the present invention,
It is an approximate line sectional view in a sequential process.
【図２】本発明によるパタ―ン形成法の実施例を示す、
図１に示す順次の工程に続く順次の工程における略線的
断面図である。FIG. 2 shows an embodiment of a pattern forming method according to the present invention,
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view in a sequential process that follows the sequential process shown in FIG. 1.
【図３】本発明によるパタ―ン形成法の他の実施例を示
す、順次の工程における略線的断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view in a sequential process showing another embodiment of the pattern forming method according to the present invention.
１ 基板本体 ２ パタ―ン化されるべき層 ３ レジスト材層 ４ 電子線 ５ 照射領域 ６ 未照射領域 ７ パタ―ン化マスク層 ８、９ パタ―ン化層 １０ パタ―ン化導電体層 1 Substrate Body 2 Layer to be Patterned 3 Resist Material Layer 4 Electron Beam 5 Irradiated Area 6 Unirradiated Area 7 Patterned Mask Layer 8, 9 Patterned Layer 10 Patterned Conductor Layer
Claims (4)
―ムが照射されることによって、その照射領域が、照射
されない未照射領域とは異なる酸素組成に変化する金属
酸化物でなる層を、上記電子線、Ｘ線またはイオンビ―
ムが照射されることによって、その照射領域が、照射さ
れない未照射領域とは異なるレジスト特性を呈するレジ
スト材層として、形成する工程と、 上記レジスト材層に対し、上記電子線、Ｘ線またはイオ
ンビ―ムを、所望のパタ―ンに照射させることによっ
て、その照射領域を、上記電子線、Ｘ線またはイオンビ
―ムの照射されていない未照射領域とは異なるレジスト
特性を有する領域として形成する工程と、 上記レジスト材層に対する上記電子線、Ｘ線またはイオ
ンビ―ムの照射工程後、上記レジスト材層に対する上記
レジスト特性の差を利用した現像処理によって、上記レ
ジスト材層から、上記照射領域または未照射領域に対応
したパタ―ンを有する層を、パタ―ン化層として形成す
る工程とを有するパタ―ン形成法。1. A layer made of a metal oxide, which is irradiated with an electron beam, an X-ray, or an ion beam to change its irradiation region to an oxygen composition different from that of an unirradiated region which is not irradiated. , The electron beam, X-ray or ion beam
When the irradiated region is irradiated with an electron beam, an X-ray or an ion beam is formed on the resist material layer as a resist material layer exhibiting resist characteristics different from those of the unirradiated area. -A step of irradiating a desired pattern with a beam to form an irradiated region as a region having resist characteristics different from the unirradiated region not irradiated with the electron beam, X-ray or ion beam. After the step of irradiating the resist material layer with the electron beam, the X-ray or the ion beam, a development process utilizing the difference in the resist characteristics with respect to the resist material layer is performed so that the irradiated area or the unexposed area is removed from the resist material layer. And a step of forming a layer having a pattern corresponding to an irradiation region as a patterning layer.
成する工程と、 上記パタ―ン化されるべき層上に、電子線、Ｘ線または
イオンビ―ムが照射されることによって、その照射領域
が、照射されない未照射領域とは異なる酸素組成に変化
する金属酸化物でなる層を、上記電子線、Ｘ線またはイ
オンビ―ムが照射されることによって、その照射領域
が、照射されない未照射領域とは異なるレジスト特性を
呈するレジスト材層として、形成する工程と、 上記レジスト材層に対し、上記電子線、Ｘ線またはイオ
ンビ―ムを、所望のパタ―ンに照射させることによっ
て、その照射領域を、上記電子線、Ｘ線またはイオンビ
―ムの照射されていない未照射領域とは異なるレジスト
特性を有する領域として形成する工程と、 上記レジスト材層に対する上記電子線、Ｘ線またはイオ
ンビ―ムの照射工程後、上記レジスト材層に対する上記
レジスト特性の差を利用した現像処理によって、上記レ
ジスト材層から、上記照射領域または未照射領域に対応
したパタ―ンを有する層を、パタ―ン化マスク層として
形成する工程と、 上記パタ―ン化されるべき層に対する上記パタ―ン化マ
スク層をマスクとするエッチング処理によって、上記パ
タ―ン化されるべき層から、上記パタ―ン化マスク層に
対応しているパタ―ンを有するパタ―ン化層を形成する
ことを特徴とするパタ―ン形成法。2. A step of forming a layer to be patterned on a substrate, and irradiating the layer to be patterned with an electron beam, an X-ray or an ion beam. By irradiating the electron beam, the X-ray, or the ion beam on the layer made of a metal oxide whose irradiated region changes to an oxygen composition different from that of the unirradiated region, the irradiated region is irradiated. By forming a resist material layer exhibiting resist characteristics different from those of the unirradiated area, and irradiating the resist material layer with the electron beam, X-ray or ion beam in a desired pattern. A step of forming the irradiated region as a region having resist characteristics different from those of the unirradiated region which is not irradiated with the electron beam, X-ray or ion beam; After the irradiation step of electron beam, X-ray or ion beam, a pattern corresponding to the irradiated region or the non-irradiated region is formed from the resist material layer by a developing process utilizing the difference in the resist characteristics with respect to the resist material layer. Forming a layer having a pattern as a patterning mask layer, and etching the layer to be patterned by using the patterning mask layer as a mask. A pattern forming method, which comprises forming a patterning layer having a pattern corresponding to the patterning mask layer from the power layer.
―ムが照射されることによって、その照射領域が、照射
されない未照射領域とは異なる酸素組成に変化する金属
酸化物でなる層を、上記電子線、Ｘ線またはイオンビ―
ムが照射されることによって、その照射領域が、照射さ
れない未照射領域とは異なるレジスト特性を呈するレジ
スト材層として、形成する工程と、 上記レジスト材層に対し、上記電子線、Ｘ線またはイオ
ンビ―ムを、所望のパタ―ンに照射させることによっ
て、その照射領域を、上記電子線、Ｘ線またはイオンビ
―ムの照射されていない未照射領域とは異なるレジスト
特性を有する領域として形成する工程と、 上記レジスト材層に対する上記電子線、Ｘ線またはイオ
ンビ―ムの照射工程後、上記レジスト材層に対する上記
レジスト特性の差を利用した現像処理によって、上記レ
ジスト材層から、上記照射領域に対応したパタ―ンを有
するパタ―ン化層を形成する工程と、 上記パタ―ン化層に対する水素雰囲気中での還元処理に
よって、上記パタ―ン化層から、それを構成している金
属でなる層を、パタ―ン化導電体層として形成する工程
とを有することを特徴とするパタ―ン形成法。3. A layer made of a metal oxide, which is irradiated with an electron beam, an X-ray, or an ion beam on the substrate to change its irradiation region to an oxygen composition different from that of an unirradiated region. , The electron beam, X-ray or ion beam
When the irradiated region is irradiated with an electron beam, an X-ray or an ion beam is formed on the resist material layer as a resist material layer exhibiting resist characteristics different from those of the unirradiated area. -A step of irradiating a desired pattern with a beam to form an irradiated region as a region having resist characteristics different from the unirradiated region not irradiated with the electron beam, X-ray or ion beam. After the step of irradiating the resist material layer with the electron beam, the X-ray, or the ion beam, a development process utilizing the difference in the resist characteristics with respect to the resist material layer is performed to correspond to the irradiated area from the resist material layer. By a step of forming a patterned layer having a patterned pattern, and a reduction treatment in the hydrogen atmosphere for the patterned layer, Data - from emission layer, a layer made of a metal constituting it, pattern - down forming method - pattern, characterized by a step of forming a down influencing for good conductor layer.
３記載のパタ―ン形成法において、 上記レジスト材層に対する上記レジスト特性の差を利用
した現像処理が、沸点または昇華点の差を利用した熱処
理でなることを特徴とするパタ―ン形成法。4. The pattern forming method according to claim 1, 2 or 3, wherein the developing process utilizing the difference in the resist characteristics of the resist material layer utilizes the difference in boiling point or sublimation point. A pattern forming method, characterized in that the heat treatment is performed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4307703A JPH06132188A (en) | 1992-10-21 | 1992-10-21 | Pattern forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4307703A JPH06132188A (en) | 1992-10-21 | 1992-10-21 | Pattern forming method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06132188A true JPH06132188A (en) | 1994-05-13 |
Family
ID=17972222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4307703A Pending JPH06132188A (en) | 1992-10-21 | 1992-10-21 | Pattern forming method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06132188A (en) |
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