JPH06131688A - ２レーザ光ヘッド及び記録再生装置 - Google Patents

２レーザ光ヘッド及び記録再生装置

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JPH06131688A
JPH06131688A JP4281873A JP28187392A JPH06131688A JP H06131688 A JPH06131688 A JP H06131688A JP 4281873 A JP4281873 A JP 4281873A JP 28187392 A JP28187392 A JP 28187392A JP H06131688 A JPH06131688 A JP H06131688A
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optical
light
laser
beam splitter
spot
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JP4281873A
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Toru Sasaki
徹 佐々木
Kunikazu Onishi
邦一 大西
Yasuo Kitada
保夫 北田
Masayuki Inoue
雅之 井上
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 光学部品の部品点数が少なく、配置も簡単で
光学系全体を小型に構成できる２レーザ光ヘッド。 【構成】 再生用半導体レーザ素子１から発射されたレ
ーザ光束１１６を透過し、書換え用半導体レーザ素子６
から発射されたレーザ光束１１０を反射するビームスプ
リッタ９と、レーザ光束１１６とレーザ光束１１０を集
光して光磁気ディスク５の記録面５ａ上に照射し、再生
用のスポット２６および書換え用のスポット２５を形成
する対物レンズと４、スポット２６の記録面５ａからの
反射光１１８を検出する検出光学系５０と、スポット２
５の記録面５ａからの反射光１１５を検出する検出光学
系５１とを少なくとも有する２レーザ光ヘッドにおい
て、２色性ビームスプリッタ９を入射面９ｂ，９ｃの法
線ベクトル９ａが入射光軸１１８，１１５と４５度とな
るように配置し、それに伴う偏向状態の劣化となる位相
差の発生をビームスプリッタ２によって補正する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は記録用半導体レーザ素子
と再生用半導体レーザ素子と該半導体レーザ素子から発
射された２光束を分離合成するビームスプリッタと１個
の対物レンズとを少なくとも有する２レーザ光ヘッドに
関し、特に光ヘッドに必要な光利用率および偏光特性を
満足し記録用光束と再生用光束を分離、合成するための
構成、および２レーザ光ヘッドを用いた記録再生装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の２レーザ光ヘッドを示す構
成図である。図２の２レーザ光ヘッドは、発振波長λ２
の長い（例えば、λ２＝７８０ｎｍ）半導体レーザ素子
６を用いた光学系３００を情報信号の書換え用とし、発
振波長λ１の短い（例えば、λ１＝６８０ｎｍ）半導体
レーザ素子１を用いた光学系３０１を情報信号の再生用
とし、情報記録媒体である光磁気ディスク５上の同一ト
ラック５ｂ上に、再生用スポット２６に対して書換え用
スポット２５を一定間隔だけ先行して位置させた構成で
ある。この２レーザ光ヘッドにおいて書換え用の光学系
３００と再生用の光学系３０１を分離合成する２色性ビ
ームスプリッタ３は、光利用率（波長λ１は透過、波長
λ２は反射）を確保するとともに偏光特性も満足する必
要がある。光磁気ディスク５を再生する光学ヘッド（２
レーザ光ヘッドでは再生光学系３０１）では、偏光状態
を劣化させる位相差（Ｐ偏光とＳ偏光との位相差）は情
報信号の品質を劣化させる原因となる。よって光学ヘッ
ドの位相差を一定値以下に抑える必要がある。この位相
差の値に関しては、光ディスクシステムから出される光
ヘッドへの要求性能により、一概に特定はできない。し
かし、一般に光ヘッドの位相差は３０〜１０度以下が要
求される。よって２レーザ光ヘッドの再生光学系３０１
に要求される位相差を厳しく見積もって１０度以下とす
ると、２レーザ光ヘッドを構成する光学部品の１つであ
る２色性ビームスプリッタ３の位相差δ１は５度以下に
する必要がある。
【０００３】図３は２色性ビームスプリッタ３の位相差
δ１と入射光束の角度依存性を示した図である。横軸は
波長λ１、縦軸は位相差δ１である。図から判るよう
に、一般に使用される入射角度４５度では、使用波長
（中心波長６８０ｎｍに対して±２０ｎｍの範囲）内
で、位相差の仕様（δ１≦｜５°｜）を満足しない。よ
って、この２色性ビームスプリッタを使用する場合、入
射角度を位相差の仕様を満足する１０度とする必要があ
る。
【０００４】以下、従来例の２レーザ光ヘッドの構成を
図２を用いて詳細に説明する。
【０００５】半導体レーザ素子１（波長λ１）から発射
された光束１００は、ビームスプリッタ２を透過し、波
長選択性を有している２色性ビームスプリッタ３を通過
する。ここで、入射光束１０１の２色性ビームスプリッ
タ３への入射角度（法線ベクトル３ａと入射光束１０１
との相対角度）は４５度より小さい１０度である。２色
性ビームスプリッタ３を透過した光束１０２は、ミラー
１５を反射後、対物レンズ４により（磁気光学的）情報
記録媒体である光磁気ディスク５のトラック５ｂ上に再
生用スポット２６として照射される。ディスク５からの
反射光束１０３は、対物レンズ４、ミラー１５を経て、
２色性ビームスプリッタ３を透過し、ビームスプリッタ
２で反射された後、検出光学系５０に入射する。一方、
半導体レーザ素子６（波長λ２）から発射された光束１
０４は、ビームスプリッタ７を透過する。そして、透過
光束１０５は光束１０１と同じ入射角度１０度で２色性
ビームスプリッタ３へ入射する。よって光束１０５は２
色性ビームスプリッタ３で光束１０２と同一方向に反射
された後、対物レンズ４によりディスク５のトラック５
ｂ上に記録用（書換え用）スポット２５として照射され
る。ディスク５からの反射光束１０６は、対物レンズ
４、ミラー１５を経て、再び２色性ビームスプリッタ３
で反射され、さらにビームスプリッタ７で反射された
後、検出光学系５１に入射するようになっている。
【０００６】また、他の公知例としてＳＰＩＥ(The Int
ernational Society for Optical Engineering)vol.149
9 Optical Data Strage 1991に発表された“Three-beam
Overwritable magneto-optic disk drive”がある。こ
の発表された技術では、２色性ビームスプリッタ３は入
射角度を１０度として使用し、入射する光束１０１と光
束１０５のなす角度は１６０度とした構成で、反射部材
を使用することで半導体レーザ素子１を用いた光学系３
０１と、半導体レーザ素子６を用いた光学系３００内の
光学部品の配置を垂直または平行とし、２色性ビームス
プリッタ３を入射角度４５度として使用する光学系の配
置と同じにしている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前者の従来技
術（図２）による２レーザ光ヘッドでは、２色性ビーム
スプリッタ３に入射する光束１０１と光束１０５のなす
角度は９０度でなく１６０度となっている。それに伴っ
て半導体レーザ素子１を用いた光学系３０１と、半導体
レーザ素子６を用いた光学系３００の光学部品の配置が
複雑になるとともに、光学系全体も大型になることは否
めない。また、後者の従来技術では、光路を曲げる反射
部品が必要で、光学部品点数が多くなり、必然的に光ヘ
ッドの価格が高くなる。
【０００８】本発明は、このような背景に鑑みてなされ
たもので、その目的は、光学部品の部品点数が少なく、
配置も簡単で光学系全体を小型に構成できる２レーザ光
ヘッド、およびこのヘッドを使用した記録再生装置を提
供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的は、第１および
第２の半導体レーザから光を出射して情報記録媒体側に
導き、照射された光の記録面からの反射光をそれぞれ第
１および第２の検出手段を介して検出する第１および第
２の光学系と、２つの光学系を分離合成するビームスプ
リッタと、第１および第２の半導体レーザから出射され
た第１および第２のレーザ光束を集光して情報記録媒体
の記録面上に照射し、それぞれ第１および第２のスポッ
トを形成するための対物レンズとを有する２レーザ光ヘ
ッドにおいて、前記ビームスプリッタの位相差を補正す
るための光学的補正手段を設けることによって達成され
る。この場合、ビームスプリッタを、当該ビームスプリ
ッタの法線ベクトルが第１のレーザ光束および第２のレ
ーザ光束の入射光軸とそれぞれ４５度となるように配置
する。また、前記第１の光学系、前記第２の光学系およ
びビームスプリッタを含む第３の光学系を、少なくとも
２個の独立した光学ベース上に設けることが好ましい。
【００１０】
【作用】上述のような構成による作用を図４を用いて説
明する。
【００１１】図４において、図２と同一ととみなせる構
成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は適宜
省略する。
【００１２】半導体レーザ素子１（波長λ１）から発射
された光束１００は、光束分離手段であるビームスプリ
ッタ８を透過し、波長選択性を有している２色性ビーム
スプリッタ９を通過する。ここで、入射光束１０１の２
色性ビームスプリッタ９への入射角度（法線ベクトル９
ａと入射光束１０１との相対角度）は４５度である。２
色性ビームスプリッタ９を透過した光束１０２は、ミラ
ー１５で反射された後、対物レンズ４によりディスク５
のトラック５ｂ上に再生用スポット２６として照射され
る。ディスク５からの反射光束１０３は、対物レンズ
４、ミラー１５を経て、２色性ビームスプリッタ９を透
過し、ビームスプリッタ８で反射された後、検出光学系
５０に導かれ、光検出器５２に入射する。
【００１３】この構成において、図５に示すように、ビ
ームスプリッタ８の反射時に生ずる位相差δ２は、２色
性ビームスプリッタ９で生ずる位相差δ１とは波長に対
する関係が逆向きになっている。すなわち、中心波長６
８０ｎｍではお互いにほぼゼロで、一方（δ１）が大き
くなれば、片方（δ２）は小さくなる関係にあり、δ１
＋δ２が仕様値（±５度）以下となるように設計されて
いる。よって、２色性ビームスプリッタ９で生ずる位相
差δ１は打ち消され、２色性ビームスプリッタ９への入
射角度を４５度としたことによる位相差の発生は補正さ
れる。
【００１４】一方、半導体レーザ素子６（波長λ２）か
ら発射された光束１０４は、光束分離手段であるビーム
スプリッタ７を透過する。透過光１０５は、入射光束１
０５（入射光軸）に対して入射面９ｂの法線ベクトル９
ａが４５度をなす２色性ビームスプリッタ９で反射され
る。そして反射光束１０６は光束１０２と同一方向に進
行し、ミラー１５で反射された後、対物レンズ４により
ディスク５のトラック５ｂ上に書換え用スポット２５と
して照射される。ディスク５からの反射光束１０７は、
対物レンズ４、ミラー１５を経て、２色性ビームスプリ
ッタ９で再び反射され、さらにビームスプリッタ７で検
出光学系５１に反射された後、光検出器５３に入射す
る。
【００１５】以上説明したように２色性ビームスプリッ
タ９を、入射面９ｂ，９ｃの法線ベクトル９ａが入射光
軸１０５，１０１と４５度となるように配置し、それに
伴う２色性ビームスプリッタ９の偏光状態の劣化となる
位相差の発生を再生光学系３０１の対物レンズ４から光
検出器５２までの光路中の光学部品、すなわち光学的補
正手段としてのビームスプリッタ８を用いて補正する。
これにより、２レーザ光ヘッドは、２色性ビームスプリ
ッタ９に入射する光束１０１と光束１０５とのなす角度
を９０度とすることが可能となる。それに伴って半導体
レーザ素子１を用いた光学系３０１と半導体レーザ素子
６を用いた光学系３００の光学部品の配置が簡素化さ
れ、光ヘッドを小型化できる。
【００１６】また、上述のように各光学系を独立した光
学ベース上に設ければ、光学ベースの位置を相対的に移
動させることによって光学軸の調整が簡単に行える。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の２レーザ光ヘッドを図面を参
照して詳細に説明する。なお、以下の説明において、図
２ないし図５で説明したもの同一とみなせるものには同
一の参照符号を付し、重複する説明は適宜省略する。
【００１８】図１は本発明の２レーザ光ヘッドの第１の
実施例を示す構成図である。
【００１９】第１の実施例に係る２レーザ光ヘッドは、
発振波長λ２の長い（例えば、λ２＝７８０ｎｍ）半導
体レーザ素子６を用いた光学系３００を情報信号の書換
え用とし、発振波長λ１の短い（例えば、λ１＝６８０
ｎｍ）半導体レーザ素子を用いた光学系３０１を情報信
号の再生用とし、磁気光学的情報記録媒体である光磁気
ディスク５上の同一トラック５ｂ上に、再生用スポット
２６対して書換え用スポット２５を一定間隔だけ先行し
て位置させた構成である。
【００２０】図１において、直線偏光光源である発振波
長λ１が７８０ｎｍの半導体レーザ素子６から出射され
た発散光束１１０は、コリメータレンズ１０により平行
光束となり、ビーム整形プリズム１１により強度の非等
方性を補正された後、第１の光束分離手段であるビーム
スプリッタ７に入射し透過光束１１２と反射光束１１１
とになる。このビームスプリッタ７は、Ｐ偏光とＳ偏光
とで反射率および透過率が異なる例えばＰ偏光透過率Ｔ
ｐ＝０．９、Ｐ偏光反射率Ｒｐ＝０．１、Ｓ偏光透過率
Ｔｓ＝０、Ｓ偏光反射率Ｒｓ＝１の偏光特性を有するも
のである。ビームスプリッタ７を反射した平行光束１１
１は、レンズ１２により集光され、光検出器１３に入射
する。光検出器１３の出力信号９０は半導体レーザ素子
６の光強度を制御する信号として使用される。この点に
ついては本実施例と本質的に関係ないので詳細な説明は
省略する。
【００２１】一方、ビームスプリッタ７を透過した平行
光束１１２は、１／４波長板１４で円偏光１１３に変換
され、波長選択性（本実施例では、波長７８０ｎｍは反
射し、６８０ｎｍを透過する。）を有する２色性ビーム
スプリッタ９で進行方向を９０度偏向される。ここで、
２色性ビームスプリッタ９は平面９ｂと平面９ｃが平行
な平行平板で構成され、平面９ｂ（または平面９ｃ）の
法線ベクトル９ａが入射光束１１３に対して４５度とな
るように設けられている。２色性ビームスプリッタ９で
反射された光束１１４は、立ち上げミラー１５を経て、
対物レンズ４により集光されて、ディスク５の情報記録
面５ａ上のトラック５ｂ上に情報信号の書換え用として
照射（スポット２５）される。ディスク５からの反射光
束は、対物レンズ４により再び平行光束１１５に変換さ
れ、ミラー１５および２色性ビームスプリッタ９の反射
面９ｂでそれぞれ反射された後、当該光束１１５は１／
４波長板１４を再び通過することで円偏光から、直線偏
光（Ｐ偏光）である光束１１２の偏光方向が９０度回転
した直線偏光（Ｓ偏光）光束９９となる。Ｓ偏光である
光束９９は、ビームスプリッタ７で反射された後、第１
の検出光学系５１へ導かれ、光検出器５３に入射する。
そして、この光検出器５３よりディスク５上にあらかじ
め形成された情報信号９３（凹凸状のピット信号で設け
られた信号、例えば、アドレス信号等）、およびスポッ
ト２５を情報記録面５ａ上に正確に位置決めるするため
のサーボ信号９２が得られる。なお本実施例においてサ
ーボ信号９２の検出方法に応じた光学部品（例えば、フ
ォーカス誤差検出法に非点収差方式を用いる場合、集光
レンズと円柱レンズ等）およびその配置、また光束９９
が光検出器５３に入射した後の各信号の生成および処理
回路は当然必要であるが本発明と本質的に関係ないので
図面上省略してある。
【００２２】一方、直線偏光光源である発振波長λ１が
６８０ｎｍの半導体レーザ素子１から出射された発散光
である光束１１６は、コリメータレンズ１６により平行
光束とされ、ビーム整形プリズム６０により強度の非等
方性を補正された後、第２の光分離手段であるビームス
プリッタ２を透過後、入射面である平面９ｃの法線ベク
トル９ａが入射光束１１６に対して４５度となるように
設けられている２色性ビームスプリッタ９を透過する。
前記ビームスプリッタ２は、Ｐ偏光とＳ偏光とで反射率
および透過率が異なる例えば、Ｐ偏光透過率Ｔｐ＝０．
７、Ｐ偏光反射率Ｒｐ＝０．３、Ｓ偏光透過率Ｔｓ＝
０、Ｓ偏光反射率Ｒｓ＝１の偏光特性を有する。そし
て、透過光束１１７は２色性ビームスプリッタ９を反射
した光束１１４と略平行に進行し、ミラー１５を経て、
色消しレンズである対物レンズ４により集光され、ディ
スク５の情報記録面５ａ上のトラック５ｂ上に照射（ス
ポット２６）される。ディスク５からの反射光束は、対
物レンズ４により再び平行光束１１８に変換され、ミラ
ー１５で反射された後に、２色性ビームスプリッタ９を
透過し、さらにビームスプリッタ２の反射面２ａで反射
され、第２の検出光学系５０へ導かれ、光検出器５２に
入射する。光検出器５２より光磁気信号である情報信号
９４、およびスポット２６を情報記録面５ａ上に正確に
位置決めるするためのサーボ信号９５等が得られる。
【００２３】なお本実施例においてサーボ信号９５の検
出方法に応じた光学部品、および光磁気信号である情報
信号９４の検出方法に応じた光学部品（検光子等）は当
然必要であるが本発明と本質的に関係ないので省略して
ある。実施例において、図面には検出光学系５０に一個
の光検出器５２、検出光学系５１に一個の光検出器５３
を図示してあるが、サーボ信号検出方式または光磁気検
出方式により複数の光検出器が必要になる場合もあるこ
とはいうまでもない。
【００２４】この構成において、図５に示したように、
ビームスプリッタ２の反射時に生ずる位相差δ２で、２
色性ビームスプリッタ９の透過時に生ずる位相差δ１を
補正している。よって２色性ビームスプリッタ９への入
射角度を４５度で使用する場合においても、位相差の増
大は低減され、光磁気信号である情報信号９４の品質を
劣化することなく検出できる。また、２色性ビームスプ
リッタ９を入射角度４５度で使用できるため、半導体レ
ーザ素子６を用いた情報信号の書換え用の光学系３００
と、半導体レーザ素子１を用いた情報信号の再生用の光
学系３０１内の光軸を互いに垂直または平行に構成で
き、光ヘッドの光学部品の配置が簡素化できる。
【００２５】本実施例の２レーザ光ヘッドにおいては、
２色性ビームスプリッタ９の透過時に生ずる位相差δ１
を、ディスク５からの反射光束を検出光学系に分離する
光束分離手段であるビームスプリッタ２の反射時に生ず
る位相差δ２により補正している。しかし、これに限る
ものではない。
【００２６】次に、本発明の第２の実施例を図６に示
す。本実施例の２レーザ光ヘッドは、２色性ビームスプ
リッタ９の位相差を補正する補正手段として、検出光学
系の光路中に設けられた光学部品を用いる構成の実施例
である。図６において、図１と同一の構成要素には、同
一の参照符号を付す。なお、半導体レーザ素子６を用い
た光学系３００については第１の実施例と同様なので説
明は省略する。
【００２７】図６において、直線偏光光源である発振波
長λ１が６８０ｎｍの半導体レーザ素子１から発射され
た発散光である光束１１６は、コリメータレンズ１６に
より平行光束とされ、ビーム整形プリズム６０により強
度の非等方性を補正された後、光束分離手段であるビー
ムスプリッタ１８を透過後、入射面である平面９ｃの法
線ベクトル９ａが入射光束１１６に対して４５度となる
ように設けられている２色性ビームスプリッタ９を透過
する。ビームスプリッタ１８は、Ｐ偏光とＳ偏光とで反
射率および透過率が異なる例えばＰ偏光透過率Ｔｐ＝
０．７、Ｐ偏光反射率Ｒｐ＝０．３、Ｓ偏光透過率Ｔｓ
＝０、Ｓ偏光反射率Ｒｓ＝１の偏光特性を有している。
そして、透過光束１１７は２色性ビームスプリッタ９を
反射した光束１１４と略平行に進行し、ミラー１５を経
て、色消しレンズである対物レンズ４により集光されて
磁気光学的情報記録媒体であるディスク５の情報記録面
５ａ上に照射（スポット２６）される。
【００２８】ディスク５からの反射光束は、対物レンズ
４により再び平行光束１１８に変換され、ミラー１５で
反射された後に、２色性ビームスプリッタ９を透過後さ
らにビームスプリッタ１８の反射面１８ａで反射され検
出光学系５０へ導かれる。検出光学系に導かれた光束１
１９は全反射ミラー１９の反射面１９ａで反射された
後、光検出器５２に入射する。光検出器５２より光磁気
信号である情報信号９４およびサーボ信号９５等が得ら
れる。これらの信号を得る方法については本発明と本質
的に関係ないので詳細説明は省略する。
【００２９】第１の実施例においては、２色性ビームス
プリッタ９の透過時に生ずる位相差δ１を、ビームスプ
リッタ２の反射時に生ずる位相差δ２により補正してい
た。しかし、本実施例では、これに代わってミラー１９
の反射面１９ａでの反射により生ずる位相差δ３により
補正している。
【００３０】よって２色性ビームスプリッタ９への入射
角度が４５度で使用する場合においても、位相差の増大
は低減され、光磁気信号である情報信号９４の品質を劣
化することなく検出できる。また、２色性ビームスプリ
ッタ９を入射角度４５度で使用できるため、半導体レー
ザ素子６を用いた情報信号の書換え用の光学系３００
と、半導体レーザ素子１を用いた情報信号の再生用の光
学系３０１内の光軸が、互いに垂直または平行に構成可
能である。これにより、光ヘッドの工作が簡単になり、
小型、低価格化につながる。
【００３１】なお、本実施例の２レーザ光ヘッドにおい
ては、２色性ビームスプリッタ９の透過時に生ずる位相
差δ１を、検出光学系の光路中に設けられた光学部品で
あるミラー１９の反射時に生ずる位相差δ３により補正
している。しかし、これに限るものではない。
【００３２】次に、本発明の第３の実施例を図７に示
す。本実施例の２レーザ光ヘッドは、２色性ビームスプ
リッタ９の位相差δ１を補正する光学的補正手段とし
て、２色性ビームスプリッタ９と、ディスク５からの反
射光束を検出光学系に分離する光束分離手段（本実施例
ではビームスプリッタ２０）との往復光路中に設けられ
た光学部品を用いる構成の実施例である。図７におい
て、図１と同一符号は同一部品を示す。なお半導体レー
ザ素子６を用いた光学系３００については第１の実施例
と同様なので説明は省略する。
【００３３】直線偏光光源である発振波長λ１が６８０
ｎｍの半導体レーザ素子１から発射された発散光である
光束１１６は、コリメータレンズ１６により平行光束と
され、光路偏向手段と光束分離手段を複合化した光学部
品であるビームスプリッタ２０に入射する。光束１１６
はビームスプリッタ２０の反射面２０ａで反射され、ビ
ームスプリッタ面２０ｂで再び反射される。このビーム
スプリッタ面２０ｂは、Ｐ偏光とＳ偏光とで反射率およ
び透過率が異なる例えばＰ偏光透過率Ｔｐ＝１．０、Ｐ
偏光反射率Ｒｐ＝０、Ｓ偏光透過率Ｔｓ＝０．３、Ｓ偏
光反射率Ｒｓ＝０．７の偏光特性を有するものである。
そして、ビームスプリッタ２０を出射した光束１２０
は、全反射ミラー２１の反射面２１ａで反射された後、
入射面である平面９ｃの法線ベクトル９ａが入射光束１
２０に対して４５度となるように設けられている２色性
ビームスプリッタ９を透過する。そして透過光束１２１
は、２色性ビームスプリッタ９を反射した光束１１４と
略平行に進行し、ミラー１５を経て、色消しレンズであ
る対物レンズ４により集光され、ディスク５の情報記録
面５ａ上に照射（スポット２６）される。
【００３４】ディスク５からの反射光束は、対物レンズ
４により再び平行光束１２２に変換され、ミラー１５で
反射された後に、２色性ビームスプリッタ９を透過し、
さらにミラー２１の反射面２１ａで反射され、更にビー
ムスプリッタ２０を透過して検出光学系５０へ導かれ、
光束１２３となって光検出器５２に入射する。そして、
光検出器５２から光磁気信号である情報信号９４および
サーボ信号９５等が得られる。これらの信号を得る方法
については本発明と本質的に関係ないので詳細説明は省
略する。
【００３５】この構成においては、第１の実施例におい
て２色性ビームスプリッタ９の透過時に生ずる位相差δ
１を、全反射ミラー２１の反射面２１ａでの反射により
生ずる位相差δ４により補正している。
【００３６】図８に、本実施例の２レーザ光ヘッドのデ
ィスク５上のスポットの状態を示す。書換え用スポット
２５と再生用スポット２６は、ディスク５のある任意の
同一トラック５ｂ上に照射される。ここで、スポット２
５はスポット２６に対して先行した位置に一定間隔（ス
ポット間隔Ｓ）離れて照射される。この関係は第１およ
び第２の実施例でも同じである。書換え用スポット２５
は情報信号９４の書換え特性を確保するために半導体レ
ーザ素子６の発行強度の非等方性をビーム整形プリズム
１１を用いて補正し略真円の強度のスポットとしてい
る。本実施例においては、スポットの大きさＤｅ（ピー
ク強度の１／２の強度値）は、Ｄｅｔ≒０．７９μｍ、
Ｄｅｒ≒０．７９μｍでスポット形状はほぼ真円であ
る。このときの光学定数は、対物レンズ４のＮＡ１＝
０．５５、焦点距離ｆ１＝３．３ｍｍ、コリメータレン
ズ１０の焦点距離ｆ２＝６．２ｍｍ、半導体レーザ素子
６の発光強度（ピーク強度の１／２の強度値）の拡がり
角度θ⊥（活性層に垂直な方向）＝２３°、θ‖（活性
層に平行な方向）＝９．４４°、ビーム整形プリズム１
１の倍率ｍ＝２．５である。
【００３７】なお、半導体レーザ素子６の発光強度の非
等方性を補正する別の方法としては、コリメータレンズ
１０の実効ＮＡｅ（＝ＮＡ１×ｆ１／ｆ２）を小さくす
る方法がある。本実施例では、実効ＮＡｅ＝０．５５×
３．３ｍｍ／６．２ｍｍ≒０．２９である。この方法は
光利用率が低下するため使用する半導体レーザ素子６が
高出力であることが要求される。よって、本実施例にお
いては、光利用率を確保するためにビーム整形プリズム
１１を用いて半導体レーザ素子６の発光強度の非等方性
を補正し、ディスク上スポット２５の強度を略真円にし
ている。また光利用率を確保するために、半導体レーザ
素子６を用いた光学系３００は、光束分離手段であるビ
ームスプリッタ７と、ビームスプリッタ７と２色性ビー
ムスプリッタ９までの往復光路中に１／４波長板１４を
設けた光学系を用いている。よって対物レンズ４に入射
する光束１１４は円偏光であり、スポット２５と偏光の
関係は図８に示すようになる。
【００３８】一方、本実施例での、再生スポット２６の
強度は楕円形状である。スポット２６の大きさＤｒ（ピ
ーク強度の１／２の強度値）は、Ｄｒｒ≒０．７４μ
ｍ、Ｄｒｔ≒０．６１μｍでスポット形状は楕円であ
る。この時の光学定数は、対物レンズ４のＮＡ１＝０．
５５、焦点距離ｆ１＝３．３ｍｍ、コリメータレンズ１
６の焦点距離ｆ２＝１５ｍｍ、半導体レーザ素子１の発
光強度（ピーク強度の１／２の強度値）の拡がり角度θ
⊥（活性層に垂直な方向）＝２７．２°、θ‖（活性層
に平行な方向）＝７．５°である。半導体レーザ素子６
の発光強度の非等方性を補正する方法として、第１およ
び第２の実施例では、ビーム整形プリズムを用いたのに
対して、本実施例では、再生光学系３０１が光利用率を
ある程度犠牲にできる点を考慮し、コリメータレンズ１
６の実効ＮＡｒを出来る限り小さくする方法をとってい
る。実効ＮＡｒは０．１２（≒０．５５×３．３ｍｍ／
１５ｍｍ）である。スポット２６の強度形状と偏光状態
の関係は、強度形状がディスク５の半径方向に長い楕円
である。偏光状態は、対物レンズ４に入射する光束１２
１は直線偏光（Ｓ偏光）であり、ディスク５上では半径
方向の直線偏光７０ｒとなる。本実施例において、スポ
ット２６の強度の楕円の方向を、再生特性の点からディ
スク５の半径方向に長い楕円とした。これにより偏光は
ディスク５の半径方向の直線偏光７０ｒとなっている。
しかし、これに限るものではなく。１／２波長板等を用
いて対物レンズ４への光束１２１の偏光を９０度旋光さ
せることにより、スポット２６の強度の楕円の方向を、
ディスク５の半径方向に長い楕円としたまま、偏光はデ
ィスク５の接線方向の直線偏光７０ｔとすることが出来
る。１／２波長板はビームスプリッタ２０とディスク５
までの往復光路中に設ければよい。実際には、半導体レ
ーザ素子６のレーザ光束（λ２）への影響を考慮する
と、例えば本実施例の光ヘッドでは全反射ミラー２１と
２色性ビームスプリッタ９までの往復光路中に設ける。
【００３９】以下に、２色性ビームスプリッタ９の反射
時に生じる位相差δＲの補正の実施例について、第３の
実施例の２レーザ光ヘッド（図７）と図９を用いて説明
する。図９は、横軸に１／４波長板１４の回転角に対す
る検出光量比Ｉｓ／Ｉｏの関係を示したものである。こ
こで１／４波長板１４の回転角は光学軸の方向を表し、
直線偏光（Ｐ偏光）１１２は回転角４５度で円偏光１１
３となる。また検出光量比はビームスプリッタ７を出射
した光束１１２の光量Ｉｏに対する検出光学系５１に入
射する光量Ｉｓの比（＝Ｉｓ／Ｉｏ）である。計算上、
各光学部品及びディスクでの光量損失、及び位相差はな
いものとしてある。
【００４０】本発明のように２色性ビームスプリッタ９
を入射角度４５度で使用する場合、２色性ビームスプリ
ッタ９の反射時で発生する位相差δＲは、設計誤差等を
考慮すると使用波長範囲７８０ｎｍ±２０ｎｍで１５０
°〜１７０°と見積もられる。この位相差が発生する場
合、１／４波長板１４の回転角が４５°では検出光量比
の変動は２２％も発生するのに対して、回転角を３６°
に設定すると変動は４．４％に低減できる。以上説明し
たように、１／４波長板１４の光学軸の調整により２色
性ビームスプリッタ９の反射時で発生する位相差δＲが
起因する検出光量の変動を小さくできる。
【００４１】本実施例の２レーザ光ヘッドにおいては、
２色性ビームスプリッタ９の透過時に生ずる位相差δ１
を、２色性ビームスプリッタ９とディスク５からの反射
光束を検出光学系に分離する光分離手段であるビームス
プリッタ２０との往復光路中に設けられた光学部品であ
るミラー２１の反射時に生ずる位相差δ４により補正し
ている。また２色性ビームスプリッタ９の反射時に生ず
る位相差δＲを、ビームスプリッタ７と２色性ビームス
プリッタ９との往復光路中に設けられた光学部品である
１／４波長板１４を回転させることにより補正してい
る。しかしこれに限るものではない。
【００４２】次に、本発明の第４の実施例を図１０に示
す。本実施例の２レーザ光ヘッドは、２色性ビームスプ
リッタ９の透過時に生ずる位相差δ１を補正する補正手
段として、２色性ビームスプリッタ９と、ディスク５か
らの反射光束を検出光学系に分離する光束分離手段であ
るビームスプリッタ２との往復光路中に設けられた光学
部品を用いる構成の他の実施例である。１０図におい
て、図１と同一とみなせる各部には同一の参照符号を付
す。また、半導体レーザ素子６を用いた光学系３００
は、第１ないし第３の実施例と同じなので説明は省略す
る。
【００４３】直線偏光光源である発振波長λ１が６８０
ｎｍの半導体レーザ素子１から発射された発散光である
光束１１６は、コリメータレンズ１６により平行光束１
２４とされ、光束分離手段であるビームスプリッタ１８
の反射面１８ａを反射する。ビームスプリッタ１８を反
射した光束１２４は、前記２色性ビームスプリッタ９と
同じ偏光特性を有する２色性ビームスプリッタ２２を透
過する。図１１に示すように、このビームスプリッタ２
２は、入射面である平面２２ｂの法線ベクトル２２ａ
が、ＸＹ平面に対して垂直なＺＹ平面内にあり、かつ入
射光束１２４に対して４５度となるように設けられてい
る。この２色性ビームスプリッタ２２を透過した光束１
２５は２色性ビームスプリッタ９を透過して光束１２６
となり、２色性ビームスプリッタ９を反射した光束１１
４と略平行に進行し、ミラー１５を経て色消しレンズで
ある対物レンズ４により集光され、ディスク５の情報記
録面５ａ上に照射（スポット２６）される。
【００４４】ディスク５からの反射光束は、対物レンズ
４により再び平行光束１２７に変換され、ミラー１５で
反射された後に、２色性ビームスプリッタ９、さらに２
色性ビームスプリッタ２２を透過し、ビームスプリッタ
１８を透過して検出光学系５０へ導かれ、光検出器５２
に入射する。光検出器５２に入射した光束１２８より光
磁気信号である情報信号９４およびサーボ信号９５等が
得られる。これらの信号を得る方法については本発明と
本質的に関係ないので詳細説明は省略する。
【００４５】この構成においては、２色性ビームスプリ
ッタ９の透過時に生ずる位相差δ１を、２色性ビームス
プリッタ９と同じ偏光特性を有する２色性ビームスプリ
ッタ２２を透過する際に生ずる位相差δ５により補正し
ている。実際には製造工程において、同一ロットで生産
された２個の２色性ビームスプリッタを使用すれば、ほ
ぼ同一の偏光特性のものが得られる。また２色性ビーム
スプリッタ９と２色性ビームスプリッタ２２の配置の関
係は、入射光束（光束１２４、光束１２５）と入射面
（２２ｂ，９ｂ）の法線ベクトル（２２ａ，９ａ）を含
む面がお互いに垂直な関係（本実施例においては、入射
光束１２４と入射面２２ｂの法線ベクトル２２ａを含む
面ＺＹ平面と入射光束１２５と入射面９ｂの法線ベクト
ル９ａを含む面ＸＹ平面）で、かつ傾斜角度が等しい
（本実施例では４５度）ことが望ましい。なお２色性ビ
ームスプリッタ２２を検出系５０内の光路中に設けても
よい。
【００４６】よって２色性ビームスプリッタ９への入射
角度が４５度で使用する場合においても、位相差の増大
は低減され、光磁気信号である情報信号９４の品質を劣
化することなく検出できる。
【００４７】次に、本発明の第５の実施例を図１２に示
す。図１２において、図７と同一とみなせる各部には同
一の参照符号を付す。本実施例は２色性ビームスプリッ
タ９のλ２（＝７８０ｎｍ）に対する反射率を１．０か
ら０．９にし、入射した光束のうち透過光束を用いて半
導体レーザ素子６の強度を制御する構成の一例である。
【００４８】図１２において、直線偏光光源である発振
波長λ２が７８０ｎｍの半導体レーザ素子６から発射さ
れた発散光である光束１１０は、コリメータレンズ１０
により平行光束となり、ビーム整形プリズム１１により
強度の非等方性を補正された後、光分離手段であるＰ偏
光は透過しＳ偏光は反射率する偏光面２３ａを有するビ
ームスプリッタ２３を透過する。ビームスプリッタ２３
を透過した平行光束１２９（Ｐ偏光）は、１／４波長板
１４で円偏光１３０に変換され、波長選択性を有する２
色性ビームスプリッタ２４に入射する。この２色性ビー
ムスプリッタ２４は、波長λ１（＝７８０ｎｍ）に関し
ては入射光の一部を透過し、残りを反射する光学特性を
有している。本実施例においては、透過率Ｔ＝０．１、
反射率Ｒ＝０．９の光利用率である。また平面２４ｂと
平面２４ｃが平行な平行平板で構成され、平面２４ｂ
（または平面２４ｃ）の法線ベクトル２４ａが入射光束
１３０に対して４５度となるように設けられている。こ
こでビームスプリッタ２４を入射光束に対して４５度配
置にすることによる波長λ１（６８０ｎｍ）の位相差δ
１は、第３の実施例の構成で説明したので位相差補正つ
いての説明は省略する。なお符号７０は１／２波長板で
あり、本実施例では第３の実施例に対して対物レンズ４
に入射する光束１１７の偏光が９０度回転している。こ
れにより、図８に示したように、ディスク５上の再生ス
ポット２６の光強度は、光ディスク５の半径方向に長い
楕円で、かつ偏光は光ディスク５の接線方向の直線偏光
７０ｔとなる。
【００４９】１／４波長板１４を出射した光束１３０は
２色性ビームスプリッタ２４に入射し、透過光束１３１
と反射光束１３２とになる。透過光束１３１は、レンズ
２５により集光され光検出器２６に入射する。光検出器
２６の出力信号９１は半導体レーザ素子６の光強度を制
御する信号として使用される。
【００５０】一方、２色性ビームスプリッタ２４で反射
された光束１３２は、立ち上げミラー１５を経て、対物
レンズ４により集光されて、ディスク５の情報記録面５
ａ上に情報信号の書換え用として照射（スポット２５）
される。ディスク５からの反射光束は、対物レンズ４に
より再び平行光束１３３に変換され、ミラー１５、２色
性ビームスプリッタ２４の反射面２４ｂで反射された後
に、再び１／４波長板１４を通過することで円偏光１３
３から、直線偏光（Ｐ偏光）である光束１２９の偏光方
向が９０度回転した直線偏光（Ｓ偏光）である光束１３
４となる。Ｓ偏光である光束１３４は、ビームスプリッ
タ２３の反射面２３ａで反射された後、検出光学系５１
へ導かれ光検出器５３に入射する。これにより光検出器
５３から情報信号９２およびサーボ信号９３が得られ
る。この点については本実施例と本質的に関係ないので
詳細説明は省略する。
【００５１】以上の構成において、ビームスプリッタ２
４を透過した光束１３１を用いて半導体レーザ素子６の
光強度を制御したがこれに限るものではない。例えばビ
ームスプリッタ２４に入射する再生光学系３０１の光束
（本実施例では光束１２０）の一部を反射させ、その反
射光を用いて半導体レーザ素子１の光強度を制御しても
よい。また本実施例において、ディスク５から反射した
光束が２色性ビームスプリッタ２４に入射すると、入射
光１３３の一部（本実施例では１０％）が光学系３０１
に入射する。この光束１３３ｔが再生スポット２６の信
号検出に問題となる場合、この光束１３３ｔを遮光する
必要がある。このために本実施例においては、波長フィ
ルタ３５０を検出光学系５０に設けている。またこのフ
ィルタ３５０は光学部品のある面に一体に設けてもよ
い。
【００５２】以上の実施例では、２色性ビームスプリッ
タ２４を入射角度４５度で使用したがこれに限るもので
はなく、要するに２色性ビームスプリッタに入射した光
束の一部を用いて半導体レーザ素子の光強度を制御する
構成であればよい。以上の構成において、２色性ビーム
スプリッタ２４の反射率を小さくすることによる光利用
率の低下はない。すなわちビームスプリッタ７（第１な
いし第４の実施例）のＰ偏光透過率０．９に対して、本
実施例のビームスプリッタ２３は１．０であり全体の光
利用率としては低下していない。
【００５３】次に、本発明の第６の実施例を図１３に示
す。図１３において、図７と同一とみなせる各部には同
一の参照符号を付す。本実施例は半導体レーザ素子６を
用いた光学系３００を情報信号の書換え用と共に光磁気
信号を再生可能にした構成の一例である。半導体レーザ
素子１を用いた再生光学系３０１は、図７と同じなので
説明は省略した。
【００５４】直線偏光光源である発振波長λ１が７８０
ｎｍの半導体レーザ素子６から発射された発散光束１１
０は、コリメータレンズ１０により平行光束となり、ビ
ーム整形プリズム１１により強度の非等方性を補正され
た後、第１の光束分離手段であるビームスプリッタ２７
に入射し、透過光束１３６と反射光束１３５とになる。
このビームスプリッタ２７は、Ｐ偏光とＳ偏光とで反射
率および透過率が異なる例えばＰ偏光透過率Ｔｐ＝０．
７、Ｐ偏光反射率Ｒｐ＝０．３、Ｓ偏光透過率Ｔｓ＝
０、Ｓ偏光反射率Ｒｓ＝１の偏光特性を有するものであ
る。ビームスプリッタ２７を反射した平行光束１３５
は、レンズ１２により集光され光検出器１３に入射す
る。光検出器１３の出力信号９０は半導体レーザ素子６
の光強度を制御する信号として使用される。この点につ
いては本実施例と本質的に関係ないので詳細説明は省略
する。
【００５５】一方、ビームスプリッタ２７を透過した平
行光束１３６は、波長選択性（本実施例では、波長７８
０ｎｍは反射し、６８０ｎｍを透過する。）を有する２
色性ビームスプリッタ９で進行方向を９０度偏向され
る。ここで、２色性ビームスプリッタ９は平面９ｂと平
面９ｃが平行な平行平板で構成され、平面９ｂ（または
平面９ｃ）の法線ベクトル９ａが入射光束１３６に対し
て４５度となるように設けられている。２色性ビームス
プリッタ９で反射された光束１３７は、立ち上げミラー
１５を経て、対物レンズ４により集光されて、ディスク
５の情報記録面５ａ上に情報信号の書換え用として照射
（スポット２５）される。ディスク５からの反射光束
は、対物レンズ４により再び平行光束１３８に変換さ
れ、ミラー１５および２色性ビームスプリッタ９の反射
面９ｂで反射されて光束１３９となり、この光束１３９
は、さらに、ビームスプリッタ２７の反射面２７ａで反
射された後、第１の検出光学系５５へ導かれ光検出器５
６に入射する。そして、光検出器５６より光磁気信号で
ある情報信号９４およびサーボ信号９２が得られる。
【００５６】なお本実施例においてサーボ信号９２の検
出方法に応じた光学部品、および光磁気信号である情報
信号９４の検出方法に応じた光学部品（検光子等）は当
然必要であるが本発明と本質的に関係ないので省略して
ある。また２色性ビームスプリッタ９の反射時に生ずる
位相差δＲを補正する方法に関しては、２色性ビームス
プリッタ９の透過時に生ずる位相差δ１を補正する方法
（第１ないし第５の実施例で説明した手段）を用いて行
えばよい。ここでの詳細な説明は省略する。
【００５７】以上の２レーザ光ヘッドにおいては、半導
体レーザ素子６を用いた光磁気信号の書換え用の光学系
３００に、光磁気信号を検出する光学系も付加した。こ
れにより、従来の１レーザ光ヘッド（波長７８０ｎｍ）
用のディスクを再生する場合、半導体レーザ素子１の光
強度をＯＦＦすることができる。すなわちこの２レーザ
光ヘッドを用いた装置において、従来ディスクとの互換
性の面での付加機能が上げる長所がある。
【００５８】次に、本発明の第７の実施例を図１４に示
す。図１４において、図１３と同一とみなせる各部には
同一の参照符号を付す。本実施例は半導体レーザ素子６
を用いた光学系３００を信号の書換え用と共に光磁気信
号を再生可能にした構成の他の実施例である。
【００５９】直線偏光光源である発振波長λ１が７８０
ｎｍの半導体レーザ素子６０から発射された発散光束１
４０は、コリメータレンズ２８により平行光束となり、
光束分離手段であるビームスプリッタ２９に入射し透過
光束１４１と反射光束１４２とになる。このビームスプ
リッタ２９は、Ｐ偏光とＳ偏光とで反射率および透過率
が異なる例えばＰ偏光透過率Ｔｐ＝１．０、Ｐ偏光反射
率Ｒｐ＝０、Ｓ偏光透過率Ｔｓ＝０．３、Ｓ偏光反射率
Ｒｓ＝０．７の偏光特性を有するものである。ビームス
プリッタ２９を透過した平行光束１４１は、レンズ１２
により集光され光検出器１３に入射する。光検出器１３
の出力信号９０は半導体レーザ素子６０の光強度を制御
する信号として使用される。この点については本実施例
と本質的に関係ないので詳細説明は省略する。
【００６０】一方、ビームスプリッタ２９を反射した平
行光束１４２は、波長選択性（本実施例では、波長７８
０ｎｍは反射し、６８０ｎｍを透過する。）を有する２
色性ビームスプリッタ９で進行方向を９０度偏向され
る。２色性ビームスプリッタ９で反射された光束１４３
は、立ち上げミラー１５を経て、対物レンズ４により集
光されて、ディスク５の情報記録面５ａ上に情報信号の
書換え用として照射（スポット２５）される。ディスク
５からの反射光束は、対物レンズ４により再び平行光束
１４４に変換され、ミラー１５、２色性ビームスプリッ
タ９の反射面９ｂで反射された光束１４５は、ビームス
プリッタ２９を透過後、第１の検出光学系５５へ導かれ
光検出器５７入射する。光検出器５７より光磁気信号で
ある情報信号９４およびサーボ信号９２等が得られる。
なお本実施例においてサーボ信号９２の検出方法に応じ
た光学部品、および光磁気信号である情報信号９４の検
出方法に応じた光学部品（検光子等）は当然必要である
が本発明と本質的に関係ないので省略する。
【００６１】一方、直線偏光光源である発振波長λ１が
６８０ｎｍの半導体レーザ素子１から発射された発散光
である光束１１６は、トラッキング検出法の一つである
３スポット法のための回折格子６１で主光束１４６ａと
副光束１４６ｂ（＋１次光）副光束１４６ｃ（−１次
光）に回折され、それぞれ第２の光束分離手段であるビ
ームスプリッタ３０の反射面３０ａを反射後、コリメー
タレンズ３１により平行光束とされ、入射面である平面
９ｃの法線ベクトル９ａが入射光束１１６に対して４５
度となるように設けられている２色性ビームスプリッタ
９を透過する。ビームスプリッタ３０は、Ｐ偏光とＳ偏
光とで反射率および透過率が異なる例えばＰ偏光透過率
Ｔｐ＝１．０、Ｐ偏光反射率Ｒｐ＝０、Ｓ偏光透過率Ｔ
ｓ＝０．３、Ｓ偏光反射率Ｒｓ＝０．７の偏光特性を有
するものである。そして、透過光束１４７ａ（副光束１
４７ｂ，１４７ｃは図示せず）は、２色性ビームスプリ
ッタ９を反射した光束１４３と略平行に進行しミラー１
５を経て、色消しレンズである対物レンズ４により集光
されて、ディスク５の情報記録面５ａ上にそれぞれ主光
束１４７ａはスポット２６ａ（図示せず）、副光束１４
７ｂ，１４７ｃはスポット２６ｂ，２６ｃ（図示せず）
として照射される。ディスク５からの反射光束は、対物
レンズ４により再び平行光束１４８ａ（副光束１４８
ｂ，１４８ｃは図示せず）に変換され、ミラー１５で反
射された後に、２色性ビームスプリッタ９を透過し、さ
らにビームスプリッタ３０を透過して第２の検出光学系
５８へ導かれ、光検出器５９入射する。光検出器５９に
入射した主光束１４８ａ、副光束１４８ｂ，１４８ｃよ
り光磁気信号である情報信号９４、およびスポット２６
ａを情報記録面５ａ上に正確に位置決めるするためのサ
ーボ信号９７が得られる。
【００６２】なお、本実施例においてサーボ信号９７に
おいて、トラッキング誤差検出に関しては３スポット法
用いたトラッキング誤差信号が検出される。なお光検出
器５９に光束を集光するためのレンズ等の光学部品、お
よび光磁気信号である情報信号９４の検出方法に応じた
検光子等は当然必要であるが本発明と本質的に関係ない
ので省略する。
【００６３】以上の構成の２レーザ光ヘッドを、図１５
に示すような対物レンズ４およびミラー１５のみ搭載し
た可動光学系６２をディスク半径方向の可動範囲内をア
クセスし、他の光学部品は固定（固定光学系６３）する
分離型光ヘッドに適応した場合について説明する。分離
型光ヘッドでは、可動光学系６２はディスク半径方向に
平行なアクセス軸２００上を可動に構成されている。２
レーザ光ヘッドでは、ディスク５のある任意の同一情報
トラック５ｂ上に、スポット２６とスポット２５を接線
方向に一定間隔Ｓ離れて照射する。よって光束１４３と
光束１４８ａの光軸はお互いに傾斜（相対傾き角度θ）
している。例えばスポット間隔Ｓが３０μｍ、対物レン
ズ４の焦点距離ｆ１が３．３ｍｍの場合、相対傾き角度
θは０．５２°となる。図１６に示すように、相対傾き
角度θを得るために、光束１４３の光軸２０２と光束１
４８ａの光軸２０３を、対物レンズ４の中心を通る軸２
０１（アクセス軸２００に平行）に対してほぼ同じだけ
傾けた場合（θ１≒θ２＝０．２６°）、図１７に示す
ように、分離型光ヘッドにおいては、可動範囲において
対物レンズ４に対する入射する光束の位置が変化する。
一般に入射光束１４８ａ，１４８ｂ，１４８ｃは対物レ
ンズ４の有効径（２ＮＡ１×ｆ１）より大きい光束径で
ある。しかし、入射光束１４８ａ，１４８ｂ，１４８ｃ
の強度分布がガウシアンであるため、対物レンズ４に入
射する光量が変動する。これに伴い本実施例のようにト
ラッキング検出に３スポット法を用いる場合、例えば、
中周位置２５１で初期状態においてゲイン調整等により
光量アンバランスを補正したとしても、可動光学系が動
くことにより副光束１４８ｂ，１４８ｃで光量アンバラ
ンスが生じるため、トラッキングオフセットが生じる問
題がある。よって、本実施例においては、図１８に示す
ように、３スポット法を用いる光学系（本実施例では、
再生光学系３０１）の主光束１４８ａの光軸は２０３
は、アクセス軸２００と一致させるようにする。このと
きスポット間隔Ｓを得るための２光束（１４３，１４８
ａ）の相対傾きθは、光束１４３の光軸２０２をアクセ
ス軸２００に対してθだけ傾斜させる。よって、本実施
例においては、図１６におけるθ１とθ２は、θ１≒θ
＝０．５２°、θ２≒０°となる。なお、対物レンズ４
の結象性能（傾いた光束が入射することによる波面収差
の増大）の劣化を考慮して、θ２をわずかに発生させる
構成としても良い。
【００６４】以上により、トラッキング誤差検出に３ス
ポット法を用いる場合、可動光学系が動くことによる副
光束１４８ｂと副光束１４８ｃ間の光量アンバランスを
低減でき、トラッキングオフセットの発生の問題点を解
決できる。
【００６５】次に、本発明の第８の実施例を図１９に示
す。本実施例の２レーザ光ヘッドは、２色性ビームスプ
リッタを用いた構成に関するものである。本実施例に用
いる情報信号の書換え用光学系３００に用いる半導体レ
ーザ２２０と、再生光学系３０１に用いる半導体レーザ
２２８は、筐体内部にサーボ信号を検出するための光学
的手段を組み入れた構成である。図１９において、図１
と同一とみなせる各部には同一の参照符号を付してあ
る。
【００６６】直線偏光光源である発振波長λ１が６８０
ｎｍの半導体レーザ素子１を具備した半導体レーザ２２
８から発射された発散光である光束２２９は、コリメー
タレンズ２３０により平行光束２３１とされ、光束分離
手段であるビームスプリッタ２３９の反射面２３９ａを
反射する。ビームスプリッタ２３９を反射した光束２３
１は、２色性ビームスプリッタ２４を透過し、光束２３
２となってミラー１５を経て、色消しレンズである対物
レンズ４により集光され、ディスク５の情報記録面５ａ
上に照射（スポット２６）される。
【００６７】ディスク５からの反射光束は、対物レンズ
４により再び平行光束２３３に変換され、ミラー１５で
反射された後に、２色性ビームスプリッタ２４を透過
し、ビームスプリッタ２３９で透過光２３５と反射光２
３４に分離される。透過光２３５は検出光学系５０へ導
かれ光検出器２３６に入射する。光検出器２３６に入射
した光束２３５より光磁気信号である情報信号９４が得
られる。一方、ビームスプリッタ２３９の反射面２３９
ａで反射された平行光束２３４は、コリメータレンズ２
３０で再び収束光束２３７とされ、半導体レーザ２２８
に入射後、サーボ信号９５が得られる。ここで、サーボ
信号９５を検出するための半導体レーザ内に具備された
光学部品、及び配置についての詳細説明は省略する。
【００６８】直線偏光光源である発振波長λ２が７８０
ｎｍの半導体レーザ素子６を具備した半導体レーザ２２
０から発射された発散光である光束２２１は、コリメー
タレンズ２２２により平行光束２２３となり、図１２で
説明した波長選択性を有する２色性ビームスプリッタ２
４に入射する。この２色性ビームスプリッタ２４は、波
長λ１（＝７８０ｎｍ）に関しては、入射光の一部を透
過し、残りを反射する光学特性を有している。入射光束
２２３は２色性ビームスプリッタ２４に入射し、透過光
束２３８と反射光束２２４とになる。透過光束２３８
は、レンズ２５により集光され光検出器２６に入射す
る。光検出器２６の出力信号９０は半導体レーザ素子６
の光強度を制御する信号として使用される。
【００６９】一方、２色性ビームスプリッタ２４で反射
された光束２２４は、立ち上げミラー１５を経て、対物
レンズ４により集光されて、ディスク５の情報記録面５
ａ上に情報信号の書換え用として照射（スポット２５）
される。ディスク５からの反射光束は、対物レンズ４に
より再び平行光束２２５に変換され、ミラー１５および
２色性ビームスプリッタ２４の反射面２４ｂで反射され
て平行光束２２６となり、コリメータレンズ２２２で収
束光２２７に変換され、半導体レーザ２２０に入射後、
情報信号９３およびサーボ信号９２が得られる。ここ
で、サーボ信号９２を検出するための半導体レーザ２２
０内に具備された光学部品、及び配置についての詳細説
明は省略する。
【００７０】以上の構成の２レーザ光ヘッドを用いれば
光ヘッドが小型化できる。
【００７１】次に、本発明の第９の実施例を図２０に示
す。本実施例の２レーザ光ヘッドは、２色性ビームスプ
リッタを用いた構成に関するものである。図２０におい
て、図１と同一とみなせる各部には同一の参照符号を付
してある。
【００７２】本実施例の２レーザ光ヘッドは、同一の光
学ベースにすべての光学部品を配置する構成ではなく、
図に示すように、情報信号の書換え用光学系３００を具
備した光学ベース３００ａと、情報信号の再生用光学系
３０１を具備した光学ベース３０１ａと、２色性ビーム
スプリッタ９を具備した光学ベース３０３は独立してお
り、光学ベース３０３に光学ベース３００ａと光学ベー
ス３０１ａを取り付ける構成である。この構成では、図
１６で説明したスポット間隔Ｓを得るための光軸間の傾
きを光学部品（半導体レーザ等）の移動により得る必要
がなく、光学ベース全体を傾ければよいので、調整およ
び取付けが簡単となる。また、分離型光ヘッド等で問題
となる光学軸調整も光学ベースの位置調整で行える。
【００７３】以上の実施例では、３個の光学ベース３０
０ａ，３０１ａ，３０３を用いたがこれに限るものでな
く、例えば、情報信号の書換え用光学系３００を具備し
た光学ベース３００ａと、２色性ビームスプリッタ９を
具備した光学ベース３０３は同じベースとし２個の光学
ベースで構成しても良い。
【００７４】次に、本発明の半導体レーザ素子６の発光
強度の制御方法の実施例について図２１を用いて説明す
る。なお、本実施例では、情報の書換えは光強度変調に
よって行う場合である。図２１は、半導体レーザ素子６
の発光に要する駆動電流Ｉｆとそれに対する発光強度Ｐ
ｏを示したものである。半導体レーザ素子６は情報の書
換え用に使用されるために、図に示すように、発光強度
が３段階となる。すなわち、再生状態Ｐｒ（情報信号は
書換えないがサーボ信号等は検出している状態。）、消
去状態Ｐｅ（情報信号を書換えている状態で、低出力状
態）、記録状態Ｐｗ（情報信号を書換えている状態で、
高出力状態）である。しかし上記２レーザ光ヘッドにお
いて、再生用の光学系のみを駆動する場合、従来は、半
導体レーザ素子６の駆動電流ＩｆはＩｏとして発光停止
状態としていた。したがって、例えばば瞬時に情報信号
を書換えようとした場合、半導体レーザ素子６の駆動電
流ＩｆはＩｏから半導体レーザ素子６の発光強度に対応
した電流まで、瞬時に切換える必要があるが、この電流
切換えに伴う応答の遅れもあって実際に情報を書き始め
るには、この応答の遅れも含めてある程度時間を要する
という課題があった。よって、本実施例の２レーザ光ヘ
ッドでは、書換え用光学系３００が待機状態の場合、半
導体レーザ素子６の発光強度Ｐを、再生状態Ｐｒ以下で
かつレーザ発光が始まる閾値Ｉｔｈ以上のＰｋに設定し
ている。これにより、書換え用光学系３００は待機状態
から瞬時に情報の書換えを開始できる。
【００７５】次に、本発明の２レーザ光ヘッドを用いた
記録再生装置の構成について図２２を用いて説明する。
【００７６】以上詳細に説明した２レーザ光ヘッドで
は、書換え用スポット２５は、光学系３００から検出さ
れるサーボ信号９２（フォーカス誤差信号９２ｆ、トラ
ッキング誤差信号９２ｔ）を用いて、対物レンズ４をフ
ォーカス方向Ｚとトラッキング方向Ｙの２次元に可動す
る２次元アクチュエータ３０５を駆動することによりデ
ィスク５の情報記録面上５ａに正確に位置決めしてい
る。
【００７７】一方、再生スポット２６は、光学系３０１
から検出されるサーボ信号９５（フォーカス誤差信号９
５ｆ、トラッキング誤差信号９５ｔ）の内、トラッキン
グ誤差信号９５ｔを用いて、光学系３０１内に設けられ
た光束偏光手段３１０を駆動することにより、書換え用
スポット２５と同一トッラク５ｂ上に位置決めされてい
る。フォーカス方向の位置決め（再生スポット２６を光
ディスク５の記録面５ａ上に合焦させる。）に関して
は、初期調整において、書換え用スポット２５と合焦点
が一致するように調整がなされ、動作時においては、書
換え用スポット２５に追従する構成である。なお、光束
偏光手段３１０はスポット２６を半径方向に移動するた
めに、対物レンズ４に入射する光束の傾きを変えるため
の光学的手段である。構成としてミラー（反射で使用）
およびプリズム（透過で使用）等を用いた構成があるが
本発明と本質的に関係ないので詳細な説明は省略する。
【００７８】以上の構成において、２次元アクチュエー
タ３０５を制御する光学系を主制御系、光束偏光手段３
１０を制御する系を副制御系とする。副制御系は、サー
ボ信号９５として光束偏光手段３１０を制御するために
トラッキング誤差信号９５ｔだけ検出する光学系であれ
ばよいが、本実施例ではフォーカス誤差信号９５ｆも検
出している。
【００７９】以上の構成において、情報の書換えを行う
場合、２次元アクチュエータ３０５を制御する主制御系
を情報書換え用の光学系３００とする。また情報の再生
のみを行う場合、２次元アクチュエータ３０５を制御す
る主制御系を情報書換え用の光学系３００としてもよい
し、また再生用の光学系３０１に切り換えてもよい。す
なわち２次元アクチュエータ３０５を制御する主制御系
を切換え信号３１２により切換え回路３０４を用いて、
２次元アクチュエータ３０５を制御する信号を、サーボ
信号９２（９２ｆ，９２ｔ）からサーボ信号９５（９５
ｆ，９５ｔ）に切り換えればよい。このとき、たとえば
機構的な手段を用いて、あるいは別途光束偏光手段３１
０の変位を検出するセンサを設け、このセンサ出力から
光束偏光手段３１０の変位を検出し、電気的に変位がゼ
ロとなるようにフィードバック制御して、出射光束が偏
向しないようにしたり、２次元アクチュエータ３０５の
機構的な手段を用いて、あるいは２次元アクチュエータ
３０５のトッラキング方向の変位を検出するセンサを設
け、このセンサ出力からアクチュエータ３０５のトッラ
キング方向の変位を検出して、電気的に変位がゼロとな
るようにフィードバック制御してトッラキング方向に動
かないようにし、光束偏光手段３１０を用いてトラッキ
ング方向のスポットの位置制御を行っても良い。
【００８０】以上の構成では、２つの光学系はフォーカ
ス誤差信号、トラッキング誤差信号を各々検出する光学
系を具備しており、２次元アクチュエータ３０５を制御
する信号を切替ることが特徴である。また、本実施例の
ように半導体レーザ素子１から出射し光束の一部を検出
して制御信号３１１を得、この信号３１１を用いて半導
体レーザ素子１の発光強度を制御してもよい。
【００８１】以上、本発明について図面を用いて詳細に
説明した。本実施例においては２色性ビームスプリッタ
を波長の短い光学系（λ１＝６８０ｎｍ）を透過に使っ
た構成であったが、反射に用いた構成でもよい。また、
主制御を信号の書換え用の光学系３０１としたが再生光
学系３００としても良い。また、２色性ビームスプリッ
タをあえて入射角度４５度で使用したが、入射角度を４
５度以外で構成しても良い。
【００８２】なお、上述の実施例では情報記録媒体とし
て磁気光学的情報記録媒体、言い換えれば光磁気ディス
クを例にとって説明しているが、光学的情報記録媒体、
言い換えれば光ディスクを使用することもできる。
【００８３】
【発明の効果】これまでの説明で明らかなように、第１
および第２の半導体レーザから光を出射して情報記録媒
体側に導き、照射された光の記録面からの反射光をそれ
ぞれ第１および第２の検出手段を介して検出する第１お
よび第２の光学系と、２つの光学系を分離合成するビー
ムスプリッタと、第１および第２の半導体レーザから出
射された第１および第２のレーザ光束を集光して情報記
録媒体の記録面上に照射し、それぞれ第１および第２の
スポットを形成するための対物レンズとを有する２レー
ザ光ヘッドにおいて、前記ビームスプリッタの位相差を
補正するための光学的補正手段を設けたこの発明によれ
ば、光学的補正手段により光学的な劣化を補正すること
が可能となるので、ビームスプリッタを入射光束に対し
て４５度に配置しても、情報信号の劣化を招くことなく
良好な情報信号を得ることができる。また、２つの光学
系内の光軸を平行、または垂直に構成できるので光学部
品の配置が簡略化し、光ヘッドの工作が簡単になる。こ
れにより低価格で、小型の２レーザ光ヘッドを提供でき
る。
【００８４】さらに、このような構成を２レーザ光ヘッ
ドを記録再生装置に使用すれば、光学部品の配置を簡略
化し、低価格で、小型の記録再生装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例を示す構成図である。
【図２】従来の２レーザ光ヘッドの構成図である。
【図３】２色性ビームスプリッタ位相差と入射角度依存
性を示す図である。
【図４】本発明の作用を説明する図である。
【図５】本発明の２色性ビームスプリッタの位相差補正
を説明する図である。
【図６】本発明の第２の実施例を示す構成図である。
【図７】本発明の第３の実施例を示す構成図である。
【図８】ディスク上に形成されるスポットの説明図であ
る。
【図９】波長板による補正の効果の説明図である。
【図１０】本発明の第４の実施例を示す構成図である。
【図１１】第４の実施例の２レーザ光ヘッドの説明図で
ある。
【図１２】本発明の第５の実施例を示す構成図である。
【図１３】本発明の第６の実施例を示す構成図である。
【図１４】本発明の第７の実施例を示す構成図である。
【図１５】分離型光ヘッドの説明図である。
【図１６】２光軸の相対傾きの説明図である。
【図１７】３スポット法における主光束、副光束の傾き
の説明図である。
【図１８】３スポット法における２光軸の相対傾きの説
明図である。
【図１９】本発明の第８の実施例を示す構成図である。
【図２０】本発明の第９の実施例を示す構成図である。
【図２１】レーザ光強度の制御の実施例を示す図であ
る。
【図２２】本発明の第１０の実施例を示す構成図であ
る。
【符号の説明】
１，６ 半導体レーザ素子 ２，７，１８，２０，２３，２７，３０，２３９ ビー
ムスプリッタ、 ３，９，２２，２４ ２色性ビームスプリッタ ４ 対物レンズ ５ （光磁気）ディスク ５ａ 記録面 ５ｂ トラック ９ａ 法線ベクトル ９ｂ，９ｃ 平面 １０，１６，２８，２９，３１，，２２２，２３０ コ
リメータレンズ １１ ビーム整形プリズム １３，２６，５２，５３，２３６ 光検出器 １４ １／４波長板 １５ ミラー １９，２１ 全反射ミラー ２５ 書換え用スポット ２６ 再生用スポット ６０ ビーム整形プリズム ６１ 回折格子 ６２ 可動光学系 ６３ 固定光学系 １４３ 光束 １４６ａ，１４８ａ 主光束 １４６ｂ，１４６ｃ，１４８ｂ，１４８ｃ 副光束 ２００ アクセス軸 ２０１ 軸 ２０２ 光軸 ２２０，２２８ 半導体レーザ ３００ 書換え（記録）用光学系 ３００ａ，３０１ａ 光学ベース ３０１ 再生用光学系 ３０３ 光学ベース ３０４ 切換え回路 ３０５ ２次元アクチュエータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井上 雅之 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所映像メディア研究所内

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１および第２の半導体レーザから光を
    出射して情報記録媒体側に導き、照射された光の記録面
    からの反射光をそれぞれ第１および第２の検出手段を介
    して検出する第１および第２の光学系と、２つの光学系
    を分離合成するビームスプリッタと、第１および第２の
    半導体レーザから出射された第１および第２のレーザ光
    束を集光して情報記録媒体の記録面上に照射し、それぞ
    れ第１および第２のスポットを形成するための対物レン
    ズとを有する２レーザ光ヘッドにおいて、 前記ビームスプリッタの位相差を補正するための光学的
    補正手段を備えていることを特徴とする２レーザ光ヘッ
    ド。
  2. 【請求項２】 前記光学的補正手段が、前記ビームスプ
    リッタと同一の偏光特性を有する当該ビームスプリッタ
    とは別体に設けた他のビームスプリッタからなることを
    特徴とする請求項１記載の２レーザ光ヘッド。
  3. 【請求項３】 情報記録媒体が光磁気ディスクであり、
    第１および第２の半導体レーザ素子の発振波長はそれぞ
    れ異なり、かつ前記両ビームスプリッタが波長選択性を
    有していることを特徴とする請求項２記載の２レーザ光
    ヘッド。
  4. 【請求項４】 前記光学的補正手段が、光路を偏向する
    ための全反射ミラーからなることを特徴とする請求項１
    記載の２レーザ光ヘッド。
  5. 【請求項５】 前記光学的補正手段が、複屈折媒体から
    なることを特徴とする請求項１記載の２レーザ光ヘッ
    ド。
  6. 【請求項６】 前記光学的補正手段が１／４波長板から
    なり、該１／４波長板の光学軸の方位角を回転すること
    により、前記ビームスプリッタの位相差を補正すること
    を特徴とする請求項１記載の２レーザ光ヘッド。
  7. 【請求項７】 前記光学的補正手段が、第１の反射光を
    第１の検出光学系に分離する第１の光束分離手段、また
    は第２の反射光を２の検出光学系に分離する第２の光束
    分離手段のいずれかからなることを特徴とする請求項１
    記載の２レーザ光ヘッド。
  8. 【請求項８】 前記ビームスプリッタは平行平板からな
    り、前記第１の半導体レーザ素子から発射された第１の
    レーザ光束に対して、該平行平板の法線ベクトルが略４
    ５度をなすように設けられていることを特徴とする請求
    項１記載の２レーザ光ヘッド。
  9. 【請求項９】 第１および第２の半導体レーザから光を
    出射して情報記録媒体側に導き、照射された光の記録面
    からの反射光をそれぞれ第１および第２の検出手段を介
    して検出する第１および第２の光学系と、２つの光学系
    を分離合成するビームスプリッタと、第１および第２の
    半導体レーザから出射された第１および第２のレーザ光
    束を集光して情報記録媒体の記録面上に照射し、それぞ
    れ第１および第２のスポットを形成するための対物レン
    ズとを有する２レーザ光ヘッドにおいて、 前記ビームスプリッタを透過または反射した前記記録面
    上に照射されない第１のレーザ光束または第２のレーザ
    光束を検出し、検出したレーザ光束に基づいて第１の半
    導体レーザ素子のレーザ光束の強度または第２の半導体
    レーザ素子のレーザ光束の強度を制御することを特徴と
    する２レーザ光ヘッド。
  10. 【請求項１０】 第１および第２の半導体レーザから光
    を出射して情報記録媒体側に導き、照射された光の記録
    面からの反射光をそれぞれ第１および第２の検出手段を
    介して検出する第１および第２の光学系と、２つの光学
    系を分離合成するビームスプリッタと、第１および第２
    の半導体レーザから出射された第１および第２のレーザ
    光束を集光して情報記録媒体の記録面上に照射し、それ
    ぞれ第１および第２のスポットを形成するための対物レ
    ンズとを有する２レーザ光ヘッドにおいて、 第２の半導体レーザ素子から発射された第２のレーザ光
    束の強度の非等方性を補正するビーム整形プリズムを備
    え、中心強度の１／２の強度で表されるスポットの強度
    形状が、第１のスポットは略楕円でかつ直線偏光であ
    り、第２のスポットは略真円でかつ円偏光であることを
    特徴とする２レーザ光ヘッド。
  11. 【請求項１１】 前記情報記録媒体がディスク状に形成
    され、前記第１のスポットの強度形状が、前記ディスク
    状の情報記録媒体の半径方向に長い楕円であり、かつ直
    線偏光の向きは当該ディスク状の情報記録媒体の接線方
    向であることを特徴とする請求項１０記載の２レーザ光
    ヘッド。
  12. 【請求項１２】 第１および第２の半導体レーザから光
    を出射して情報記録媒体側に導き、照射された光の記録
    面からの反射光をそれぞれ第１および第２の検出手段を
    介して検出する第１および第２の光学系と、２つの光学
    系を分離合成するビームスプリッタと、第１および第２
    の半導体レーザから出射された第１および第２のレーザ
    光束を集光して情報記録媒体の記録面上に照射し、それ
    ぞれ第１および第２のスポットを形成するための対物レ
    ンズとを有する２レーザ光ヘッドにおいて、 前記第２の半導体レーザ素子の発光強度を、情報信号の
    再生時に必要な発光強度未満でかつレーザ発光の閾値以
    上の光強度で発光するように制御したことを特徴とする
    ２レーザ光ヘッド。
  13. 【請求項１３】 第１および第２の半導体レーザから光
    を出射して情報記録媒体側に導き、照射された光の記録
    面からの反射光をそれぞれ第１および第２の検出手段を
    介して検出する第１および第２の光学系と、２つの光学
    系を分離合成するビームスプリッタと、第１および第２
    の半導体レーザから出射された第１および第２のレーザ
    光束を集光して情報記録媒体の記録面上に照射し、それ
    ぞれ第１および第２のスポットを形成するための対物レ
    ンズとを有する２レーザ光ヘッドにおいて、 第１の光学系に第１の半導体レーザら出射された第１の
    レーザ光束を１つの主光束と２つの副光束に分離する回
    折してビームスプリッタ側に導く回折格子と、対物レン
    ズを含んだ可動光学系のみを前記情報記録媒体の所定の
    方向に対応したアクセス軸に平行に移動させてアクセス
    動作を行うアクセス手段とを備え、前記主光束と副光束
    とによって形成される記録面上の３つのスポットからの
    反射光を対物レンズによって第１の光学系に導き、主光
    束の光軸を前記アクセス軸と一致させ、前記第２のレー
    ザ光束を当該アクセス軸に対して傾斜させたことを特徴
    とする２レーザ光ヘッド。
  14. 【請求項１４】 第１および第２の半導体レーザから光
    を出射して情報記録媒体側に導き、照射された光の記録
    面からの反射光をそれぞれ第１および第２の検出手段を
    介して検出する第１および第２の光学系と、２つの光学
    系を分離合成するビームスプリッタと、第１および第２
    の半導体レーザから出射された第１および第２のレーザ
    光束を集光して情報記録媒体の記録面上に照射し、それ
    ぞれ第１および第２のスポットを形成するための対物レ
    ンズとを有する２レーザ光ヘッドにおいて、 第１のスポットをトラッキング方向に移動させるための
    光学的偏向手段と、第２のスポットをフォーカス方向お
    よびトラッキング方向に移動させるためのスポット移動
    手段とを設け、前記第１の検出光学系からは、第１のス
    ポットを位置決めするための第１のフォーカス誤差信号
    と第１のトラッキング誤差信号とからなる第１のサーボ
    信号を検出し、かつ前記第２の検出光学系からは、第２
    のスポットを位置決めするための第２のフォーカス誤差
    信号と第２のトラッキング誤差信号とからなる第２のサ
    ーボ信号を検出し、当該サーボ信号によって光学的偏向
    手段およびスポット移動手段を介してスポットの位置決
    め制御を行うことを特徴とする２レーザ光ヘッド。
  15. 【請求項１５】 前記スポット移動手段を駆動するサー
    ボ信号を第２のサーボ信号から第１のサーボ信号に切り
    換える切り換え手段をさらに備えていることを特徴とす
    る請求項１４に記載の２レーザ光ヘッド。
  16. 【請求項１６】 前記スポット移動手段は前記対物レン
    ズをフォーカス方向およびトラッキング方向に移動する
    ２次元アクチュエータであることを特徴とする請求項１
    ３または請求項１４のいずれかに記載の２レーザ光ヘッ
    ド。
  17. 【請求項１７】 第１および第２の半導体レーザから光
    を出射して情報記録媒体側に導き、照射された光の記録
    面からの反射光をそれぞれ第１および第２の検出手段を
    介して検出する第１および第２の光学系と、２つの光学
    系を分離合成するビームスプリッタと、第１および第２
    の半導体レーザから出射された第１および第２のレーザ
    光束を集光して情報記録媒体の記録面上に照射し、それ
    ぞれ第１および第２のスポットを形成するための対物レ
    ンズとを有する２レーザ光ヘッドにおいて、 前記第１の光学系と、前記第２の光学系と、該第１の光
    学系と該第２の光学系を分離合成する前記ビームスプリ
    ッタを含む第３の光学系とが、少なくとも２個の独立し
    た光学ベース上に設けられていることを特徴とする２レ
    ーザ光ヘッド。
  18. 【請求項１８】 第１および第２の半導体レーザから光
    を出射して情報記録媒体側に導き、照射された光の記録
    面からの反射光をそれぞれ第１および第２の検出手段を
    介して検出する第１および第２の光学系と、２つの光学
    系を分離合成するビームスプリッタと、第１および第２
    の半導体レーザから出射された第１および第２のレーザ
    光束を集光して情報記録媒体の記録面上に照射し、それ
    ぞれ第１および第２のスポットを形成するための対物レ
    ンズとを有し、情報記録媒体に情報の記録および／また
    は再生を行う記録再生装置において、 第１のスポットをトラッキング方向に移動させるための
    光学的偏向手段と、第２のスポットをフォーカス方向お
    よびトラッキング方向に移動させるためのスポット移動
    手段とを備え、前記第１の検出光学系からは、第１のス
    ポットを位置決めするための第１のフォーカス誤差信号
    と第１のトラッキング誤差信号とからなる第１のサーボ
    信号を検出し、前記第２の検出光学系からは、第２のス
    ポットを位置決めするための第２のフォーカス誤差信号
    と第２のトラッキング誤差信号とからなる第２のサーボ
    信号を検出し、当該サーボ信号によって光学的偏向手段
    およびスポット移動手段を介してスポットの位置決め制
    御を行うように設定されていることを特徴とする記録再
    生装置。
  19. 【請求項１９】 前記スポット移動手段を駆動するサー
    ボ信号を第２のサーボ信号から第１のサーボ信号に切り
    換える切り換え手段をさらに備えていることを特徴とす
    る請求項１８に記載の記録再生装置。
  20. 【請求項２０】 第１および第２の半導体レーザから光
    を出射して情報記録媒体側に導き、照射された光の記録
    面からの反射光をそれぞれ第１および第２の検出手段を
    介して検出する第１および第２の光学系と、２つの光学
    系を分離合成するビームスプリッタと、第１および第２
    の半導体レーザから出射された第１および第２のレーザ
    光束を集光して情報記録媒体の記録面上に照射し、それ
    ぞれ第１および第２のスポットを形成するための対物レ
    ンズとを有し、情報記録媒体に情報の記録および／また
    は再生を行う記録再生装置において、 前記第１の光学系と、前記第２の光学系と、該第１の光
    学系と該第２の光学系を分離合成する前記ビームスプリ
    ッタを含む第３の光学系とが、少なくとも２個の独立し
    た光学ベース上に設けられていることを特徴とする記録
    再生装置。
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