JPH06124876A - 光学素子及び光学素子の製造方法 - Google Patents
光学素子及び光学素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH06124876A JPH06124876A JP27284492A JP27284492A JPH06124876A JP H06124876 A JPH06124876 A JP H06124876A JP 27284492 A JP27284492 A JP 27284492A JP 27284492 A JP27284492 A JP 27284492A JP H06124876 A JPH06124876 A JP H06124876A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical element
- multilayer film
- thin film
- substrate
- rays
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】基板再生を可能にする反射型マスク等の光学素
子を製造する。 【構成】光学素子において基板１１と多層膜２２の間に
薄膜層１１９を設ける。 【効果】多層膜２２に欠陥が発見された場合は、多層膜
２２と薄膜層１１９を除去し高価な基板１１を再利用で
きる。多層膜の除去の際，薄膜層が基板表面を保護する
ので、基板の超平滑性を損なわずに再生できるので，光
学素子の製造において，製造コストが低減できる。
子を製造する。 【構成】光学素子において基板１１と多層膜２２の間に
薄膜層１１９を設ける。 【効果】多層膜２２に欠陥が発見された場合は、多層膜
２２と薄膜層１１９を除去し高価な基板１１を再利用で
きる。多層膜の除去の際，薄膜層が基板表面を保護する
ので、基板の超平滑性を損なわずに再生できるので，光
学素子の製造において，製造コストが低減できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光学素子及び光学素子の
製造方法、更に詳しく言えば、真空紫外線又はＸ線の照
射により，像形成を行わせるために使用する光学素子の
構成及びその製造に係り，特に半導体のパタ−ン転写に
用いる縮小Ｘ線リソグラフィ用反射型マスクに関する。
製造方法、更に詳しく言えば、真空紫外線又はＸ線の照
射により，像形成を行わせるために使用する光学素子の
構成及びその製造に係り，特に半導体のパタ−ン転写に
用いる縮小Ｘ線リソグラフィ用反射型マスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の反射型Ｘ線マスクは，文献イクス
テンデッド アブストラクツ オブジ １８ コンファ
レンス オン ソリッド ステイト デバイス アンド
マテリアル １９８６年 第１８頁−第２０頁（Exte
nded Abstracts of the 18thConference on Solid Stat
e Devices and Material，1986，p17-p20.）に記載され
ているように，真空紫外線又はＸ線に対して非反射性の
基板１に直接付着した多層膜反射鏡（以下多層膜）２が
形成され，パタ−ンは反射の有無で形成される。例えば
図５(ａ)のように集束イオンビ−ム５によって多層膜反
射鏡２を変質して非反射部３を形成するものである。ま
た図５(ｂ)のように多層膜２を除去して，非反射部３を
形成するものもある。ここで反射鏡やＸ線マスク等の光
学素子として使用する基板１には，高い反射率を得るた
めに粗さの無い超平滑基板が必要であり，一般には高価
となる。また，図５(ｃ)のように超平滑基板１に直接付
着した多層膜２の上に所定の厚さ及び形を有する吸収体
パタ−ン３５を形成し，非反射部とする反射型マスクの
例もある（公開特許公報 特開昭６４−４０２１号)。
また，他の反射型マスクの例としては，図５(ｄ)に示す
ように，反射型マスクの超平滑基板１の表面を予めエッ
チング除去し，凹凸構造３４を作り，非反射部とする所
定のパタ−ンを形成した後，基板の表面に多層膜２を形
成し，凸構造部を反射部，凹構造部を非反射部とするも
のである(公開特許公報 特開平１−１５２７２５
号）。
テンデッド アブストラクツ オブジ １８ コンファ
レンス オン ソリッド ステイト デバイス アンド
マテリアル １９８６年 第１８頁−第２０頁（Exte
nded Abstracts of the 18thConference on Solid Stat
e Devices and Material，1986，p17-p20.）に記載され
ているように，真空紫外線又はＸ線に対して非反射性の
基板１に直接付着した多層膜反射鏡（以下多層膜）２が
形成され，パタ−ンは反射の有無で形成される。例えば
図５(ａ)のように集束イオンビ−ム５によって多層膜反
射鏡２を変質して非反射部３を形成するものである。ま
た図５(ｂ)のように多層膜２を除去して，非反射部３を
形成するものもある。ここで反射鏡やＸ線マスク等の光
学素子として使用する基板１には，高い反射率を得るた
めに粗さの無い超平滑基板が必要であり，一般には高価
となる。また，図５(ｃ)のように超平滑基板１に直接付
着した多層膜２の上に所定の厚さ及び形を有する吸収体
パタ−ン３５を形成し，非反射部とする反射型マスクの
例もある（公開特許公報 特開昭６４−４０２１号)。
また，他の反射型マスクの例としては，図５(ｄ)に示す
ように，反射型マスクの超平滑基板１の表面を予めエッ
チング除去し，凹凸構造３４を作り，非反射部とする所
定のパタ−ンを形成した後，基板の表面に多層膜２を形
成し，凸構造部を反射部，凹構造部を非反射部とするも
のである(公開特許公報 特開平１−１５２７２５
号）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，図５
(ａ)，（ｂ)，（ｃ）に示される従来知られている反射
型マスクはいずれも，超平滑基板１に直接付着した多層
膜２に所定のパタ−ンを形成している。パタ−ン中の欠
陥，特に多層膜の欠陥が存在すると，多層膜２を除去し
再生する必要があるが，多層膜は超平滑基板１に直接付
着しているため、超平滑基板１の表面が荒れを生じさせ
ずに超平滑基板から多層膜を除去するのが難しい。この
ため超平滑基板１の表面に荒れを生じ，良品の超平滑基
板１が不良品となり，高価な基板１が無駄となり，製造
のコストが高くなる問題があった。
(ａ)，（ｂ)，（ｃ）に示される従来知られている反射
型マスクはいずれも，超平滑基板１に直接付着した多層
膜２に所定のパタ−ンを形成している。パタ−ン中の欠
陥，特に多層膜の欠陥が存在すると，多層膜２を除去し
再生する必要があるが，多層膜は超平滑基板１に直接付
着しているため、超平滑基板１の表面が荒れを生じさせ
ずに超平滑基板から多層膜を除去するのが難しい。この
ため超平滑基板１の表面に荒れを生じ，良品の超平滑基
板１が不良品となり，高価な基板１が無駄となり，製造
のコストが高くなる問題があった。
【０００４】また，図５(ｄ)に示される反射型マスク
は，超平滑基板１を直接加工し，凹凸構造３４を作り，
パタ−ンを形成しているためこのパタ−ンに欠陥がはい
ると，超平滑基板１が不良品となり，高価な基板が無駄
となるため，製造のコストが高くなる問題があった。従
って，本発明の目的は，基板が再利用でき，コストの安
い光学素子及びその製造方法を実現することである。
は，超平滑基板１を直接加工し，凹凸構造３４を作り，
パタ−ンを形成しているためこのパタ−ンに欠陥がはい
ると，超平滑基板１が不良品となり，高価な基板が無駄
となるため，製造のコストが高くなる問題があった。従
って，本発明の目的は，基板が再利用でき，コストの安
い光学素子及びその製造方法を実現することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め，本発明は，光学素子を基板上に真空紫外線又はＸ線
に対して相対的に反射率の低い領域と，真空紫外線又は
Ｘ線に対して相対的に反射率の高い領域が，所定のパタ
−ンに応じて配置された光学素子において，上記反射率
の高い領域と基板の間に少なくとも１層の薄膜層を形成
した。また，基板上に真空紫外線又はＸ線に対して相対
的に反射率の低い領域と，真空紫外線又はＸ線に対して
屈折率の異なる少なくとも２種類の物質を交互に積層し
た多層膜で形成された反射率の高い領域が，所定のパタ
−ンに応じて配置された光学素子において，上記多層膜
で形成された反射率の高い領域と基板の間に少なくとも
１層の薄膜層を形成した。さらに，上記光学素子の製造
において，光学素子の基板となる超平滑基板上に，まず
少なくとも１層の薄膜層を形成した後，真空紫外線又は
Ｘ線に対して光学定数の異なる少なくとも２種類の物質
を交互に積層して多層膜を形成して光学素子を製造す
る。
め，本発明は，光学素子を基板上に真空紫外線又はＸ線
に対して相対的に反射率の低い領域と，真空紫外線又は
Ｘ線に対して相対的に反射率の高い領域が，所定のパタ
−ンに応じて配置された光学素子において，上記反射率
の高い領域と基板の間に少なくとも１層の薄膜層を形成
した。また，基板上に真空紫外線又はＸ線に対して相対
的に反射率の低い領域と，真空紫外線又はＸ線に対して
屈折率の異なる少なくとも２種類の物質を交互に積層し
た多層膜で形成された反射率の高い領域が，所定のパタ
−ンに応じて配置された光学素子において，上記多層膜
で形成された反射率の高い領域と基板の間に少なくとも
１層の薄膜層を形成した。さらに，上記光学素子の製造
において，光学素子の基板となる超平滑基板上に，まず
少なくとも１層の薄膜層を形成した後，真空紫外線又は
Ｘ線に対して光学定数の異なる少なくとも２種類の物質
を交互に積層して多層膜を形成して光学素子を製造す
る。
【０００６】
【作用】超平滑基板上に，まず少なくとも１層の薄膜層
を形成した後，真空紫外線又はＸ線に対して光学定数の
異なる少なくとも２種類の物質を交互に積層して多層膜
を形成する。ここで，パタ−ン中の欠陥，特に多層膜の
欠陥が存在して多層膜を除去し再生する必要がある場
合，多層膜は超平滑基板に直接付着せず薄膜層上に形成
しているため，多層膜を除去する際，薄膜層が超平滑基
板の表面を保護するため，超平滑基板の表面の荒れを生
じさせずに多層膜の除去が可能となる。多層膜の除去
後，薄膜層の表面は一般に荒れが生じているが，この薄
膜層を湿式処理等により超平滑基板になんら影響無く除
去できる。
を形成した後，真空紫外線又はＸ線に対して光学定数の
異なる少なくとも２種類の物質を交互に積層して多層膜
を形成する。ここで，パタ−ン中の欠陥，特に多層膜の
欠陥が存在して多層膜を除去し再生する必要がある場
合，多層膜は超平滑基板に直接付着せず薄膜層上に形成
しているため，多層膜を除去する際，薄膜層が超平滑基
板の表面を保護するため，超平滑基板の表面の荒れを生
じさせずに多層膜の除去が可能となる。多層膜の除去
後，薄膜層の表面は一般に荒れが生じているが，この薄
膜層を湿式処理等により超平滑基板になんら影響無く除
去できる。
【０００７】また，超平滑基板上に，まず薄膜層形成し
た後，この薄膜層表面に所定のパタ−ンに応じて粗さを
形成するか，又は凹凸を形成するか，又は表面に対して
所定の角度で溝を形成した後，真空紫外線又はＸ線に対
して光学定数の異なる少なくとも２種類の物質を交互に
積層して多層膜を形成する。ここで，パタ−ン中の欠陥
が存在して多層膜を除去し再生する必要がある場合，多
層膜は超平滑基板に直接付着せず薄膜層上に形成してい
るため，多層膜を除去する際，薄膜層が超平滑基板の表
面を保護するため，超平滑基板の表面の荒れを生じさせ
ずに多層膜の除去が可能となる。多層膜の除去後，薄膜
層の表面は一般に荒れが生じているが，この薄膜層を湿
式処理等で超平滑基板になんら影響無く除去できる。い
ずれの光学素子の製造方法の場合にも，再生処理にて高
価な超平滑基板は再度使用可能となり，製造のコストの
低減に大きく寄与する。
た後，この薄膜層表面に所定のパタ−ンに応じて粗さを
形成するか，又は凹凸を形成するか，又は表面に対して
所定の角度で溝を形成した後，真空紫外線又はＸ線に対
して光学定数の異なる少なくとも２種類の物質を交互に
積層して多層膜を形成する。ここで，パタ−ン中の欠陥
が存在して多層膜を除去し再生する必要がある場合，多
層膜は超平滑基板に直接付着せず薄膜層上に形成してい
るため，多層膜を除去する際，薄膜層が超平滑基板の表
面を保護するため，超平滑基板の表面の荒れを生じさせ
ずに多層膜の除去が可能となる。多層膜の除去後，薄膜
層の表面は一般に荒れが生じているが，この薄膜層を湿
式処理等で超平滑基板になんら影響無く除去できる。い
ずれの光学素子の製造方法の場合にも，再生処理にて高
価な超平滑基板は再度使用可能となり，製造のコストの
低減に大きく寄与する。
【０００８】
＜実施例１＞図１は，本発明による光学素子である反射
型Ｘ線マスクの一実施例の断面構成図である。シリコン
基板又はＳｉＣ基板１１上に１層のアルミニウム(Al)の
薄膜層１１９が形成され，その上に，真空紫外線又はＸ
線に対して相対的に反射率の低い領域と，真空紫外線又
はＸ線に対して相対的に反射率の高い炭素(Ｃ)膜ニッケ
ル(Ｎｉ)膜の多層膜の領域が，所定のパタ−ンに応じて
配置された多層膜パターン２２で反射型Ｘ線マスクが構
成されている。
型Ｘ線マスクの一実施例の断面構成図である。シリコン
基板又はＳｉＣ基板１１上に１層のアルミニウム(Al)の
薄膜層１１９が形成され，その上に，真空紫外線又はＸ
線に対して相対的に反射率の低い領域と，真空紫外線又
はＸ線に対して相対的に反射率の高い炭素(Ｃ)膜ニッケ
ル(Ｎｉ)膜の多層膜の領域が，所定のパタ−ンに応じて
配置された多層膜パターン２２で反射型Ｘ線マスクが構
成されている。
【０００９】図６は，図１の反射型Ｘ線マスクの製造方
法の一実施例の製造工程を示す図である。超平滑面を有
するシリコン基板又はＳｉＣ基板１１にスパッタリング
蒸着法の一つであるマグネトロンスパッタ法で，アルミ
ニウム(Al)膜１１９を２００ｎｍ厚程度蒸着する。この
ときスパッタガスの圧力は出来るかぎり低圧が望まし
い。次に炭素(Ｃ)膜1.27nm厚とニッケル(Ｎｉ)膜1.27nm
厚とを交互に160層ずつ形成し，多層膜２１を作る。そ
の上に，レジストを塗布し，電子線リソグラフィにてレ
ジストパターン３８を形成し，レジストパターンをマス
クにして，反応性イオンエッチングにて多層膜を除去
し，多層膜のパターン２２を形成し，図１に示されるよ
うな反射型Ｘ線マスクを形成した。
法の一実施例の製造工程を示す図である。超平滑面を有
するシリコン基板又はＳｉＣ基板１１にスパッタリング
蒸着法の一つであるマグネトロンスパッタ法で，アルミ
ニウム(Al)膜１１９を２００ｎｍ厚程度蒸着する。この
ときスパッタガスの圧力は出来るかぎり低圧が望まし
い。次に炭素(Ｃ)膜1.27nm厚とニッケル(Ｎｉ)膜1.27nm
厚とを交互に160層ずつ形成し，多層膜２１を作る。そ
の上に，レジストを塗布し，電子線リソグラフィにてレ
ジストパターン３８を形成し，レジストパターンをマス
クにして，反応性イオンエッチングにて多層膜を除去
し，多層膜のパターン２２を形成し，図１に示されるよ
うな反射型Ｘ線マスクを形成した。
【００１０】＜実施例２＞図２は，本発明による光学素
子である反射型Ｘ線マスクの第２の実施例の断面構成図
である。シリコン基板又はＳｉＣ基板１１上に１層のア
ルミニウム(Al)の薄膜層１１９が形成され，その上に真
空紫外線又はＸ線に対して相対的に反射率の低い領域２
２２（Beイオンを含む炭素(Ｃ)膜ニッケル(Ｎｉ)膜の多
層膜）と，真空紫外線又はＸ線に対して相対的に反射率
の高い炭素(Ｃ)膜ニッケル(Ｎｉ)膜の多層膜２１の領域
が，所定のパタ−ンに応じて配置された層で反射型Ｘ線
マスクが構成されている。
子である反射型Ｘ線マスクの第２の実施例の断面構成図
である。シリコン基板又はＳｉＣ基板１１上に１層のア
ルミニウム(Al)の薄膜層１１９が形成され，その上に真
空紫外線又はＸ線に対して相対的に反射率の低い領域２
２２（Beイオンを含む炭素(Ｃ)膜ニッケル(Ｎｉ)膜の多
層膜）と，真空紫外線又はＸ線に対して相対的に反射率
の高い炭素(Ｃ)膜ニッケル(Ｎｉ)膜の多層膜２１の領域
が，所定のパタ−ンに応じて配置された層で反射型Ｘ線
マスクが構成されている。
【００１１】図７は図２の反射型Ｘ線マスクの製造方法
の一実施例の製造工程を示す図である。本発明の実施例
１と同様に超平滑シリコン基板又はＳｉＣ基板１１にマ
グネトロンスパッタ法にて，アルミニウム(Al)膜１１９
を２００ｎｍ厚ほど蒸着する。このときスパッタガスの
圧力は出来るかぎり低圧が望ましい。次にマグネトロン
スパッタ法にて，炭素(Ｃ)膜1.27nm厚とニッケル(Ｎｉ)
膜1.27nm厚とを交互に160層ずつ形成し，多層膜２１を
作る。次にBeイオンからなる指向性の強い集束イオンビ
−ム５を入射し，所望のパタ−ン２２２を描画する。こ
のとき入射イオンの種類とイオンビ−ムの入射エネルギ
−を多層膜の厚さに応じて適宜選ぶ必要がある。入射イ
オンの元素はＢｅの他，Ｎ，Ｏ，Ｃ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｐ，
Ｘｅ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂ等が挙げられる。イオンビ−ムの入
射した領域２２２の多層膜はＮｉ膜とＣ膜間の界面の急
峻さがなくなり，波長５nmの軟Ｘ線の反射率は零にな
る。
の一実施例の製造工程を示す図である。本発明の実施例
１と同様に超平滑シリコン基板又はＳｉＣ基板１１にマ
グネトロンスパッタ法にて，アルミニウム(Al)膜１１９
を２００ｎｍ厚ほど蒸着する。このときスパッタガスの
圧力は出来るかぎり低圧が望ましい。次にマグネトロン
スパッタ法にて，炭素(Ｃ)膜1.27nm厚とニッケル(Ｎｉ)
膜1.27nm厚とを交互に160層ずつ形成し，多層膜２１を
作る。次にBeイオンからなる指向性の強い集束イオンビ
−ム５を入射し，所望のパタ−ン２２２を描画する。こ
のとき入射イオンの種類とイオンビ−ムの入射エネルギ
−を多層膜の厚さに応じて適宜選ぶ必要がある。入射イ
オンの元素はＢｅの他，Ｎ，Ｏ，Ｃ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｐ，
Ｘｅ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂ等が挙げられる。イオンビ−ムの入
射した領域２２２の多層膜はＮｉ膜とＣ膜間の界面の急
峻さがなくなり，波長５nmの軟Ｘ線の反射率は零にな
る。
【００１２】＜実施例３＞図３は，本発明による光学素
子である反射型Ｘ線マスクの第３の実施例の断面構成図
である。石英基板１１上に１層のアルミニウム(Al)の薄
膜層１１９が形成され，その上に真空紫外線又はＸ線に
対して相対的に反射率の低い領域２１１（Beイオンを含
む炭素(Ｃ)膜ニッケル(Ｎｉ)膜の多層膜）と，真空紫外
線又はＸ線に対して相対的に反射率の高い炭素(Ｃ)膜ニ
ッケル(Ｎｉ)膜の多層膜の領域が，所定のパタ−ンに応
じて配置された層２１で反射型Ｘ線マスクが構成されて
いる。また，薄膜層１１９の領域２１１と接する面は粗
い面１１９１が形成されている。
子である反射型Ｘ線マスクの第３の実施例の断面構成図
である。石英基板１１上に１層のアルミニウム(Al)の薄
膜層１１９が形成され，その上に真空紫外線又はＸ線に
対して相対的に反射率の低い領域２１１（Beイオンを含
む炭素(Ｃ)膜ニッケル(Ｎｉ)膜の多層膜）と，真空紫外
線又はＸ線に対して相対的に反射率の高い炭素(Ｃ)膜ニ
ッケル(Ｎｉ)膜の多層膜の領域が，所定のパタ−ンに応
じて配置された層２１で反射型Ｘ線マスクが構成されて
いる。また，薄膜層１１９の領域２１１と接する面は粗
い面１１９１が形成されている。
【００１３】図８は，図３の反射型Ｘ線マスクの製造方
法の一実施例の製造工程を示す図である。実施例１と同
様に超平滑石英基板１１にマグネトロンスパッタ法に
て，アルミニウム(Al)膜１１９を２００ｎｍ厚ほど蒸着
する。このときスパッタガスの圧力はできるかぎり低圧
が望ましい。次に，アルミニウム(Al)膜１１９の上に，
レジストを塗布し，電子線リソグラフィにてレジストパ
ターン３８１を形成した。次にレジストパターンをマス
クにして，イオンミリングにてＡｌの露出している部分
の表面に荒れ１１９１を形成した。次にニッケル(Ｎｉ)
膜1.27nm厚と炭素(Ｃ)膜1.27nm厚とを交互に160層ずつ
形成し，多層膜２１を作り，別の反射型Ｘ線マスクを形
成した。このとき表面荒れを形成した面の上に形成され
た多層膜は界面粗さが大きく，真空紫外線又はＸ線に対
して反射率はほぼ零に近い。
法の一実施例の製造工程を示す図である。実施例１と同
様に超平滑石英基板１１にマグネトロンスパッタ法に
て，アルミニウム(Al)膜１１９を２００ｎｍ厚ほど蒸着
する。このときスパッタガスの圧力はできるかぎり低圧
が望ましい。次に，アルミニウム(Al)膜１１９の上に，
レジストを塗布し，電子線リソグラフィにてレジストパ
ターン３８１を形成した。次にレジストパターンをマス
クにして，イオンミリングにてＡｌの露出している部分
の表面に荒れ１１９１を形成した。次にニッケル(Ｎｉ)
膜1.27nm厚と炭素(Ｃ)膜1.27nm厚とを交互に160層ずつ
形成し，多層膜２１を作り，別の反射型Ｘ線マスクを形
成した。このとき表面荒れを形成した面の上に形成され
た多層膜は界面粗さが大きく，真空紫外線又はＸ線に対
して反射率はほぼ零に近い。
【００１４】＜実施例４＞図４は，本発明による光学素
子である反射型Ｘ線マスクの第４の実施例の断面構成図
である。石英基板１１上に１層のアルミニウム(Al)の薄
膜層１１９，その上に真空紫外線又はＸ線に対して相対
的に反射率の低い炭素(Ｃ)膜ニッケル(Ｎｉ)膜の多層膜
２１でが形成され，多層膜２１上面に所定のパタ−ンの
真空紫外線又はＸ線を吸収する層３５が形成されてい
る。
子である反射型Ｘ線マスクの第４の実施例の断面構成図
である。石英基板１１上に１層のアルミニウム(Al)の薄
膜層１１９，その上に真空紫外線又はＸ線に対して相対
的に反射率の低い炭素(Ｃ)膜ニッケル(Ｎｉ)膜の多層膜
２１でが形成され，多層膜２１上面に所定のパタ−ンの
真空紫外線又はＸ線を吸収する層３５が形成されてい
る。
【００１５】図９は，図４の反射型Ｘ線マスクの製造方
法の一実施例の製造工程を示す図である。実施例１と同
様に超平滑面を有するシリコン基板又はＳｉＣ基板１１
にマグネトロンスパッタ法で，アルミニウム(Al)膜１１
９を２００ｎｍ厚ほど蒸着する。このときスパッタガス
の圧力は出来るかぎり低圧が望ましい。次に炭素(Ｃ)膜
1.27nm厚とニッケル(Ｎｉ)膜1.27nm厚とを交互に160層
ずつ形成し，多層膜２１を作る。その上に，レジストを
塗布し，電子線リソグラフィにてレジストパターン３８
を形成し，レジストパターンをマスクにして，Ａｕ３５
を電子ビ−ム加熱蒸着により２００ｎｍ厚蒸着し，リフ
トオフ法にてレジストパタ−ンを除去し，多層膜上にＡ
ｕのパタ−ン３５を形成し，反射型Ｘ線マスクを形成し
た。
法の一実施例の製造工程を示す図である。実施例１と同
様に超平滑面を有するシリコン基板又はＳｉＣ基板１１
にマグネトロンスパッタ法で，アルミニウム(Al)膜１１
９を２００ｎｍ厚ほど蒸着する。このときスパッタガス
の圧力は出来るかぎり低圧が望ましい。次に炭素(Ｃ)膜
1.27nm厚とニッケル(Ｎｉ)膜1.27nm厚とを交互に160層
ずつ形成し，多層膜２１を作る。その上に，レジストを
塗布し，電子線リソグラフィにてレジストパターン３８
を形成し，レジストパターンをマスクにして，Ａｕ３５
を電子ビ−ム加熱蒸着により２００ｎｍ厚蒸着し，リフ
トオフ法にてレジストパタ−ンを除去し，多層膜上にＡ
ｕのパタ−ン３５を形成し，反射型Ｘ線マスクを形成し
た。
【００１６】＜実施例５＞実施例１，２，３，４で形成
した反射型Ｘ線マスクをＸ線顕微鏡にて検査したとこ
ろ，多層膜の欠陥が発見された。そこでＡｌ１９と多層
膜２１が形成されている超平滑基板１１を再生するた
め，まず多層膜２１をイオンミリングにて除去した。こ
こで薄膜層のＡｌ（１１９）の表面は荒れて粗い面を形
成しているが，薄膜層１１９の下の超平滑基板１１には
なんら損傷はなかった。次にりん酸６５％，過酸化水素
１３％，酢酸１３％，硝酸４％，水４％の混合液にＡｌ
が蒸着された基板１１を浸すことにより，Ａｌを除去
し，さらに水とメタノ−ルで基板１１を洗浄した。この
洗浄後の基板表面は超平滑面であった。次に実施例１，
２，３，４と同様ににて再度，超平滑基板から反射型マ
スクを形成した。再度，Ｘ線顕微鏡にて検査したとこ
ろ，多層膜の欠陥は発見されなかった。
した反射型Ｘ線マスクをＸ線顕微鏡にて検査したとこ
ろ，多層膜の欠陥が発見された。そこでＡｌ１９と多層
膜２１が形成されている超平滑基板１１を再生するた
め，まず多層膜２１をイオンミリングにて除去した。こ
こで薄膜層のＡｌ（１１９）の表面は荒れて粗い面を形
成しているが，薄膜層１１９の下の超平滑基板１１には
なんら損傷はなかった。次にりん酸６５％，過酸化水素
１３％，酢酸１３％，硝酸４％，水４％の混合液にＡｌ
が蒸着された基板１１を浸すことにより，Ａｌを除去
し，さらに水とメタノ−ルで基板１１を洗浄した。この
洗浄後の基板表面は超平滑面であった。次に実施例１，
２，３，４と同様ににて再度，超平滑基板から反射型マ
スクを形成した。再度，Ｘ線顕微鏡にて検査したとこ
ろ，多層膜の欠陥は発見されなかった。
【００１７】＜実施例６＞図１１に示すＸ線投影露光装
置に上記実施例５で再生したマスクを装着して，転写実
験を行った。マスク８１とウェハ８２は，それぞれマス
クステ−ジ８３とウェハステ−ジ８４に搭載されてい
る。まずマスク８１とウェハ８２との相対位置をアライ
メント装置８５を用いて検出し，制御装置８６により駆
動装置８７，８８を介して位置合せを行う。Ｘ線源８９
から放射されたＸ線を反射鏡９０で集光４１１し，マス
ク８１上の円弧領域を照明する。マスク８１と入射Ｘ線
４１１の位置関係は図１２に示すように，より細いパタ
−ンの短軸方向と入射Ｘ線の球欠方向，より細いパタ−
ンの長軸方向が入射Ｘ線の子午方向になるように設定し
た。
置に上記実施例５で再生したマスクを装着して，転写実
験を行った。マスク８１とウェハ８２は，それぞれマス
クステ−ジ８３とウェハステ−ジ８４に搭載されてい
る。まずマスク８１とウェハ８２との相対位置をアライ
メント装置８５を用いて検出し，制御装置８６により駆
動装置８７，８８を介して位置合せを行う。Ｘ線源８９
から放射されたＸ線を反射鏡９０で集光４１１し，マス
ク８１上の円弧領域を照明する。マスク８１と入射Ｘ線
４１１の位置関係は図１２に示すように，より細いパタ
−ンの短軸方向と入射Ｘ線の球欠方向，より細いパタ−
ンの長軸方向が入射Ｘ線の子午方向になるように設定し
た。
【００１８】マスク８１で反射されたＸ線４１は，波長
５ｎｍ近傍のＸ線からなり，反射鏡９１，９２，９３及
び９４からなる結像光学系９５により，ウェハ８２上に
倍率１／５で結像する。反射鏡９１，９２，９３及び９
４は，マスク８１と同様なＮｉ／Ｃ系多層膜を蒸着し，
各多層膜の周期長は反射Ｘ線の波長が一致するように調
節されている。マスク８１とウェハ８２を倍率に応じて
同期走査して，マスク８１全面のパターン８２をウェハ
に転写した。この方法により，ウェハ８２上の３０ｍｍ
角の領域で０.０５μｍ幅のパターンを得ることができ
た。実施例５及び実施例６の転写実験の処理過程の流れ
を図１０に示す。
５ｎｍ近傍のＸ線からなり，反射鏡９１，９２，９３及
び９４からなる結像光学系９５により，ウェハ８２上に
倍率１／５で結像する。反射鏡９１，９２，９３及び９
４は，マスク８１と同様なＮｉ／Ｃ系多層膜を蒸着し，
各多層膜の周期長は反射Ｘ線の波長が一致するように調
節されている。マスク８１とウェハ８２を倍率に応じて
同期走査して，マスク８１全面のパターン８２をウェハ
に転写した。この方法により，ウェハ８２上の３０ｍｍ
角の領域で０.０５μｍ幅のパターンを得ることができ
た。実施例５及び実施例６の転写実験の処理過程の流れ
を図１０に示す。
【００１９】＜実施例７＞反射型マスクの多層膜とし
て，マグネトロンスパッタ法にて，ルテニウム(Ｒｕ)膜
1.8nm厚と窒化ホウ素(ＢＮ)膜1.8nm厚を交互に150層ず
つ形成し，実施例１,２，３，４と同様に反射型Ｘ線マ
スクを形成した。次に図１１に示すＸ線投影露光装置を
用いて露光照明し，ウエハ８２に反射型マスクのパタ−
ンを結像転写した。反射鏡９１，９２，９３及び９４
は，マスクと同様なＲｕ／ＢＮ系多層膜を蒸着されてい
る。ここでマスクで反射されたＸ線は，波長７ｎｍ近傍
のＸ線からなる。実施例４と同様に結像転写したところ
０.０７μｍ幅のパターンを得ることができた。
て，マグネトロンスパッタ法にて，ルテニウム(Ｒｕ)膜
1.8nm厚と窒化ホウ素(ＢＮ)膜1.8nm厚を交互に150層ず
つ形成し，実施例１,２，３，４と同様に反射型Ｘ線マ
スクを形成した。次に図１１に示すＸ線投影露光装置を
用いて露光照明し，ウエハ８２に反射型マスクのパタ−
ンを結像転写した。反射鏡９１，９２，９３及び９４
は，マスクと同様なＲｕ／ＢＮ系多層膜を蒸着されてい
る。ここでマスクで反射されたＸ線は，波長７ｎｍ近傍
のＸ線からなる。実施例４と同様に結像転写したところ
０.０７μｍ幅のパターンを得ることができた。
【００２０】＜実施例８＞反射型マスクの多層膜とし
て，マグネトロンスパッタ法にて，ロジウム(Ｒｈ)膜2.
6nm厚とＢＮ膜2.6nm厚を交互に100層ずつ形成し，実施
例１,２，３，４と同様に反射型Ｘ線マスクを形成し
た。次に図１１に示すＸ線投影露光装置を用いて露光照
明し，ウエハ８２に反射型マスク８１のパタ−ンを結像
転写した。反射鏡９１，９２，９３及び９４は，マスク
８１と同様なＲh／ＢＮ系多層膜が蒸着されている。こ
こでマスク８１で反射されたＸ線４１は，波長10ｎｍ近
傍のＸ線からなる。実施例４と同様に結像転写したとこ
ろ０.０８μｍ幅のパターンを得ることができた。
て，マグネトロンスパッタ法にて，ロジウム(Ｒｈ)膜2.
6nm厚とＢＮ膜2.6nm厚を交互に100層ずつ形成し，実施
例１,２，３，４と同様に反射型Ｘ線マスクを形成し
た。次に図１１に示すＸ線投影露光装置を用いて露光照
明し，ウエハ８２に反射型マスク８１のパタ−ンを結像
転写した。反射鏡９１，９２，９３及び９４は，マスク
８１と同様なＲh／ＢＮ系多層膜が蒸着されている。こ
こでマスク８１で反射されたＸ線４１は，波長10ｎｍ近
傍のＸ線からなる。実施例４と同様に結像転写したとこ
ろ０.０８μｍ幅のパターンを得ることができた。
【００２１】＜実施例９＞反射型マスクの多層膜とし
て，マグネトロンスパッタ法にて，モリブデン(Ｍｏ)膜
３．３７nm厚と炭化ケイ素(ＳｉＣ)膜３．３７nm厚を交
互に５０層ずつ形成し，実施例１,２,３，４と同様に反
射型Ｘ線マスクを形成した。次に図１１に示すＸ線投影
露光装置を用いて露光照明し，ウエハ８２に反射型マス
ク８１のパタ−ンを結像転写した。反射鏡９１，９２，
９３及び９４は，マスクと同様なＭｏ／ＳｉＣ系多層膜
が蒸着されている。ここでマスク８１で反射されたＸ線
４１は，波長１３ｎｍ近傍のＸ線からなる。実施例４と
同様に結像転写したところ０.１μｍ幅のパターンを得
ることができた。
て，マグネトロンスパッタ法にて，モリブデン(Ｍｏ)膜
３．３７nm厚と炭化ケイ素(ＳｉＣ)膜３．３７nm厚を交
互に５０層ずつ形成し，実施例１,２,３，４と同様に反
射型Ｘ線マスクを形成した。次に図１１に示すＸ線投影
露光装置を用いて露光照明し，ウエハ８２に反射型マス
ク８１のパタ−ンを結像転写した。反射鏡９１，９２，
９３及び９４は，マスクと同様なＭｏ／ＳｉＣ系多層膜
が蒸着されている。ここでマスク８１で反射されたＸ線
４１は，波長１３ｎｍ近傍のＸ線からなる。実施例４と
同様に結像転写したところ０.１μｍ幅のパターンを得
ることができた。
【００２２】＜実施例１０＞超平滑基板１１と多層膜２
２の間の層としてＣｒを真空蒸着法のひとつである電子
ビ−ム加熱蒸着法にて，２００ｎｍ厚蒸着し，実施例７
と同様に反射型Ｘ線マスク８１を形成した。次に実施例
５と同様にＸ線顕微鏡を用いて検査を行い，多層膜２２
の欠陥を発見したので，基板再生を行った。イオンミリ
ングで多層膜２２を除去した後，硝酸第２セリウムアン
モニウム塩溶液を用いてＣｒを除去した。実施例５と同
様に基板１１は超平滑であった。次に再度Ｃｒを蒸着
し，実施例７と同様に反射型Ｘ線マスクを形成した。こ
れらのマスクを再度Ｘ線顕微鏡を用いて検査を行い，多
層膜に欠陥が無いことを確認した後，実施例７と同様に
結像転写したところ０.０７μｍ幅のパターンを得るこ
とができた。
２の間の層としてＣｒを真空蒸着法のひとつである電子
ビ−ム加熱蒸着法にて，２００ｎｍ厚蒸着し，実施例７
と同様に反射型Ｘ線マスク８１を形成した。次に実施例
５と同様にＸ線顕微鏡を用いて検査を行い，多層膜２２
の欠陥を発見したので，基板再生を行った。イオンミリ
ングで多層膜２２を除去した後，硝酸第２セリウムアン
モニウム塩溶液を用いてＣｒを除去した。実施例５と同
様に基板１１は超平滑であった。次に再度Ｃｒを蒸着
し，実施例７と同様に反射型Ｘ線マスクを形成した。こ
れらのマスクを再度Ｘ線顕微鏡を用いて検査を行い，多
層膜に欠陥が無いことを確認した後，実施例７と同様に
結像転写したところ０.０７μｍ幅のパターンを得るこ
とができた。
【００２３】上記実施例では，超平滑基板と多層膜の間
の薄膜層としてＡｌとＣｒの場合のみ説明したが，本発
明は上記実施例の材料に制限されることなく，例えば，
例えば，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｔａ，Ｗ，Ｎ
ｉ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｐ
ｂ，Ｓｎ等の少なくとも１種類からなる材料であれば、
実施可能である。このとき薄膜材料が湿式処理により除
去できる場合が望ましい。湿式処理に用いる溶液とし
て，りん酸，過酸化水素水，酢酸，硝酸，水，ＮａＯ
Ｈ，ＫＯＨ，硝酸第２セリウム，アンモニウム塩，硫
酸，塩酸，弗酸，エチレンジアンミン，ホウ酸を少なく
とも１つを含む溶液を各種薄膜材料ごとに選んで用いる
ことができる。また，薄膜層の形成方法としては本実施
例で述べたようなスパッタリング蒸着法や真空蒸着法の
他に，化学気相成長法，スピン塗布法，液相成長法，メ
ッキ法等が挙げられる。ここで該薄膜層の表面のッキ法
等が実施できる。ここで上記薄膜層の表面の粗さを無く
すように薄膜の形成温度等のプロセス条件に注意する必
要がある。
の薄膜層としてＡｌとＣｒの場合のみ説明したが，本発
明は上記実施例の材料に制限されることなく，例えば，
例えば，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｔａ，Ｗ，Ｎ
ｉ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｐ
ｂ，Ｓｎ等の少なくとも１種類からなる材料であれば、
実施可能である。このとき薄膜材料が湿式処理により除
去できる場合が望ましい。湿式処理に用いる溶液とし
て，りん酸，過酸化水素水，酢酸，硝酸，水，ＮａＯ
Ｈ，ＫＯＨ，硝酸第２セリウム，アンモニウム塩，硫
酸，塩酸，弗酸，エチレンジアンミン，ホウ酸を少なく
とも１つを含む溶液を各種薄膜材料ごとに選んで用いる
ことができる。また，薄膜層の形成方法としては本実施
例で述べたようなスパッタリング蒸着法や真空蒸着法の
他に，化学気相成長法，スピン塗布法，液相成長法，メ
ッキ法等が挙げられる。ここで該薄膜層の表面のッキ法
等が実施できる。ここで上記薄膜層の表面の粗さを無く
すように薄膜の形成温度等のプロセス条件に注意する必
要がある。
【００２４】本実施例では，多層膜で用いた材料に関し
て，Ｎｉ／Ｃ，Ｒｕ／ＢＮ，Ｒｈ／ＢＮ，Ｍｏ／ＳｉＣ
系多層膜の場合のみを説明したが，本発明は，実施例で
述べたような材料に制限されることなく，例えば，Ｎｉ
Ｃｒ／Ｃ，Ｎｉ／Ｔｉ，Ｗ／Ｃ，Ｒｕ／Ｃ，Ｒｈ／Ｃ，
Ｒｕ／ＢＮ，Ｒｈ／Ｂ4Ｃ，ＲｈＲｕ／ＢＮ，Ｒｕ／Ｂ4
Ｃ，Ｍｏ／Ｓｉ，Ｐｄ／ＢＮ，Ａｇ／ＢＮ，Ｍｏ／Ｓｉ
Ｎ，Ｍｏ／Ｂ4Ｃ，Ｍｏ／Ｃ，Ｒｕ／Ｂｅなどの多層膜
の形成可能な材料であれば，実施可能である また、本実施例は反射型マスクの場合のみを説明した
が，反射型マスクに何ら限定されることなく回折格子や
リニアゾーンプレートなどの反射面に微細パタ−ンを有
する光学素子にも適用できる。更に、薄膜層及び多層膜
の除去は、多層膜の欠陥が有る場合のみに限られず，本
発明によって製造された光学素子の基板を他の光学素子
に利用するためにも実施してもよいことは説明するまで
もない。
て，Ｎｉ／Ｃ，Ｒｕ／ＢＮ，Ｒｈ／ＢＮ，Ｍｏ／ＳｉＣ
系多層膜の場合のみを説明したが，本発明は，実施例で
述べたような材料に制限されることなく，例えば，Ｎｉ
Ｃｒ／Ｃ，Ｎｉ／Ｔｉ，Ｗ／Ｃ，Ｒｕ／Ｃ，Ｒｈ／Ｃ，
Ｒｕ／ＢＮ，Ｒｈ／Ｂ4Ｃ，ＲｈＲｕ／ＢＮ，Ｒｕ／Ｂ4
Ｃ，Ｍｏ／Ｓｉ，Ｐｄ／ＢＮ，Ａｇ／ＢＮ，Ｍｏ／Ｓｉ
Ｎ，Ｍｏ／Ｂ4Ｃ，Ｍｏ／Ｃ，Ｒｕ／Ｂｅなどの多層膜
の形成可能な材料であれば，実施可能である また、本実施例は反射型マスクの場合のみを説明した
が，反射型マスクに何ら限定されることなく回折格子や
リニアゾーンプレートなどの反射面に微細パタ−ンを有
する光学素子にも適用できる。更に、薄膜層及び多層膜
の除去は、多層膜の欠陥が有る場合のみに限られず，本
発明によって製造された光学素子の基板を他の光学素子
に利用するためにも実施してもよいことは説明するまで
もない。
【００２５】
【発明の効果】以上述べてきたように，光学素子の製造
において本発明の製造方法を適用することによって，再
生処理にて高価な超平滑基板は再度使用可能となり，光
学素子の製造のコストの低減に大きく寄与する。
において本発明の製造方法を適用することによって，再
生処理にて高価な超平滑基板は再度使用可能となり，光
学素子の製造のコストの低減に大きく寄与する。
【図１】本発明による反射型マスクの第１の実施例の側
断面図を示すものである。
断面図を示すものである。
【図２】本発明による反射型マスクの第２の実施例の側
断面図を示すものである。
断面図を示すものである。
【図３】本発明による反射型マスクの第３の実施例の側
断面図を示すものである。
断面図を示すものである。
【図４】本発明による反射型マスクの第４の実施例の側
断面図を示すものである。
断面図を示すものである。
【図５】従来の反射型マスクの側断面図を示すものであ
る。
る。
【図６】図１の反射型マスクの製造工程をを示す図であ
る。
る。
【図７】図２の反射型マスクの製造工程をを示す図であ
る。
る。
【図８】図３の反射型マスクの製造工程をを示す図であ
る。
る。
【図９】図４の反射型マスクの製造工程をを示す図であ
る。
る。
【図１０】本発明の反射型マスク効果を測定する処理夫
フロー図である。
フロー図である。
【図１１】本発明の反射型マスク効果を測定するＸ線投
影露光装置の構成図を示す。
影露光装置の構成図を示す。
【図１２】図１１のマスクと入射Ｘ線の関係を示す図で
ある。
ある。
１…基板， ２…反射部，３…
非反射部， ２１…多層膜，２２…
多層膜パターン， ５…イオンビーム，３３
…非反射部の段差， ３４…非反射部の段差
上の多層膜，１１…シリコン基板又はＳｉＣ基板又は石
英基板，３５…真空紫外線又はＸ線を吸収する層，４１
…反射率の高い領域からの正反射した真空紫外線又はＸ
線，４２…正反射した真空紫外線又はＸ線の入射角，３
８，３８１…レジストパターン， ８１…マスク，８２
…ウェハ， ８３…マスクステー
ジ，８４…ウェハステージ， ８５…アライ
メント装置，８６…制御装置， ８７
…駆動装置，８８…駆動装置， ８９
…Ｘ線源，９０…反射鏡， ９１…
反射鏡，９２…反射鏡， ９３…反
射鏡，９４…反射鏡， ９５…結像
光学系，９６…同期走査方向， １１９…
基板と多層膜間の薄膜層，１１９１…薄膜層の表面の荒
れた部分，４１１…入射真空紫外線又はＸ線，２２２…
イオンビ−ムを打ち込まれ反射率の低下した多層膜のパ
タ−ン，２１１…薄膜層の表面の荒れた部分の上に形成
された界面の荒れた多層膜。
非反射部， ２１…多層膜，２２…
多層膜パターン， ５…イオンビーム，３３
…非反射部の段差， ３４…非反射部の段差
上の多層膜，１１…シリコン基板又はＳｉＣ基板又は石
英基板，３５…真空紫外線又はＸ線を吸収する層，４１
…反射率の高い領域からの正反射した真空紫外線又はＸ
線，４２…正反射した真空紫外線又はＸ線の入射角，３
８，３８１…レジストパターン， ８１…マスク，８２
…ウェハ， ８３…マスクステー
ジ，８４…ウェハステージ， ８５…アライ
メント装置，８６…制御装置， ８７
…駆動装置，８８…駆動装置， ８９
…Ｘ線源，９０…反射鏡， ９１…
反射鏡，９２…反射鏡， ９３…反
射鏡，９４…反射鏡， ９５…結像
光学系，９６…同期走査方向， １１９…
基板と多層膜間の薄膜層，１１９１…薄膜層の表面の荒
れた部分，４１１…入射真空紫外線又はＸ線，２２２…
イオンビ−ムを打ち込まれ反射率の低下した多層膜のパ
タ−ン，２１１…薄膜層の表面の荒れた部分の上に形成
された界面の荒れた多層膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 曽我 隆 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株 式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 武田 英次 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株 式会社日立製作所中央研究所内
Claims (17)
- 【請求項１】基板上に真空紫外線又はＸ線に対して相対
的に反射率の低い領域と，真空紫外線又はＸ線に対して
相対的に反射率の高い領域が，所定のパタ−ンに応じて
配置された光学素子において，上記反射率の高い領域と
上記基板の間に少なくとも１層の薄膜層を形成したこと
を特徴とする光学素子。 - 【請求項２】基板上に真空紫外線又はＸ線に対して相対
的に反射率の低い領域と，真空紫外線又はＸ線に対して
屈折率の異なる少なくとも２種類の物質を交互に積層し
た多層膜で形成された反射率の高い領域が，所定のパタ
−ンに応じて配置された光学素子において，上記多層膜
で形成された反射率の高い領域と上記基板の間に少なく
とも１層の薄膜層を形成したことを特徴とする光学素
子。 - 【請求項３】請求項２記載の光学素子において，上記反
射率の低い領域が真空紫外線又はＸ線に対して屈折率の
異なる少なくとも２種類の物質を交互に積層した多層膜
で形成された反射率の高い多層膜の上部に真空紫外線又
はＸ線を吸収する物質で形成されたことを特徴とする光
学素子。 - 【請求項４】請求項２記載の光学素子おいて，上記薄膜
層表面と上記多層膜との間に上記所定のパタ−ンに応じ
た粗い面の領域，凹凸面領域又は表面に対して所定の角
度の溝が形成されたことを特徴とする光学素子。 - 【請求項５】請求項１，２，３又は４記載の光学素子お
いて，上記薄膜層が湿式処理により除去可能な材料であ
ることを特徴とする光学素子。 - 【請求項６】請求項５記載の光学素子おいて，上記薄膜
層が，Ａｌ，Ｃｒ，Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｎｉ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｎｂ，
Ｚｒ，Ｐｂ，Ｓｎの少なくとも１種類からなることを特
徴とする光学素子。 - 【請求項７】請求項１，２，３，４，５又は６記載の光
学素子おいて，上記多層膜の一方の材料が，Ｃ，Ｓi，
Ｂ，Ａｌ，Ｇe，ＳiＯ2，ＳiＮ，ＢＮ，Ｂ4Ｃ，ＳiＣ，
Ｂe，ＡlＮ及びこれらの合金の内，少なく一つを含み，
他の材料がＭo，Ｗ，Ｎi，Ｒu，Ｒe，Ｒh，Ａu，Ｐｄ，
Ｐt，Ｖ，Ｃu，Ｃr，Ｃo，Ｐb，Ｔa及びこれらの合金，
窒化物，炭化物，ホウ化物の内，少なく一つを含むこと
を特徴とする光学素子。 - 【請求項８】基板上に，少なくとも１層の薄膜層を形成
する第１の工程と，上記薄膜の上に真空紫外線又はＸ線
に対して光学定数の異なる少なくとも２種類の物質を交
互に積層した多層膜を形成する第２の工程と，上記多層
膜に真空紫外線又はＸ線に対して相対的に反射率の高い
領域と反射率の低い領域を所定のパタ−ンに応じて配置
する第３の工程とを含むことを特徴とする光学素子の製
造方法。 - 【請求項９】請求項８記載の光学素子の製造方法におい
て、上記第１の工程が，スパッタリング蒸着法，化学気
相成長法，真空蒸着法，スピン塗布法，液相成長法，メ
ッキ法のうち，少なくともいずれか１つの方法を含むこ
とを特徴とする製造方法。 - 【請求項１０】請求項８記載の光学素子の製造方法にお
いて、上記第３の工程が，上記多層膜の上部に真空紫外
線又はＸ線を吸収する物質で上記を形成することを特徴
とする光学素子の製造方法。 - 【請求項１１】請求項８記載の光学素子の製造方法にお
いて、上記第３の工程が，上記反射率の低い領域として
上記多層膜を変質させる工程を含むことを特徴とする光
学素子の製造方法。 - 【請求項１２】請求項８記載の光学素子の製造方法にお
いて、上記第３の工程が，上記反射率の低い領域として
上記多層膜を除去させる工程を含むことを特徴とする光
学素子の製造方法。 - 【請求項１３】基板上に，少なくとも１層の薄膜層を形
成する第１の工程と，上記薄膜層表面に所定のパタ−ン
に応じて粗さを形成するか，凹凸を形成するか又は表面
に対して所定の角度で溝を形成する第２の工程と，上記
薄膜層上に真空紫外線又はＸ線に対して屈折率の異なる
少なくとも２種類の物質を交互に積層した多層膜を形成
する第３の工程を含むことを特徴とする製造方法。 - 【請求項１４】請求項８，９，１０，１１，１２又は１
３記載の光学素子の製造方法によって製造された光学素
子の上記薄膜層及び上記多層膜を除去し、上記薄膜層及
び上記多層膜が除かれた基板上に更に薄膜層又は多層膜
の少なくとも１つの層を形成する第４の工程を含むこと
を特徴とする製造方法。 - 【請求項１５】請求項１４記載の光学素子の製造方法に
おいて、上記第４の工程が請求項８，９，１０，１１，
１２又は１３記載の光学素子の製造方法によって製造さ
れた光学素子を検査する工程を含み，上記光学素子の多
層膜に欠陥がある場合に上記基板から上記薄膜層と多層
膜を除去することを特徴とする光学素子の製造方法。 - 【請求項１６】請求項１５記載の光学素子の製造方法に
おいて、上記光学素子を検査する工程がＸ線顕微鏡によ
り検査することを含むことを特徴とする光学素子の製造
方法。 - 【請求項１７】請求項１４，又は１５又は１６記載の光
学素子の製造方法において、上記基板から上記薄膜層と
多層膜を除去する工程がりん酸，過酸化水素水，酢酸，
硝酸，水，ＮａＯＨ，ＫＯＨ，硝酸第２セリウム，アン
モニウム塩，硫酸，塩酸，弗酸，エチレンジアンミン，
ホウ酸の少なくとも１つを含む溶液の湿式処理により行
うことを特徴とする光学素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27284492A JP3240189B2 (ja) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | 光学素子及び光学素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27284492A JP3240189B2 (ja) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | 光学素子及び光学素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06124876A true JPH06124876A (ja) | 1994-05-06 |
| JP3240189B2 JP3240189B2 (ja) | 2001-12-17 |
Family
ID=17519567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27284492A Expired - Fee Related JP3240189B2 (ja) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | 光学素子及び光学素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3240189B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1191356A2 (de) * | 2000-09-20 | 2002-03-27 | Carl Zeiss Stiftung | Optisches Element und Verfahren zur Wiedergewinnung des Substrates |
| JP2003287875A (ja) * | 2002-01-24 | 2003-10-10 | Hitachi Ltd | マスクの製造方法および半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2005302963A (ja) * | 2004-04-09 | 2005-10-27 | Canon Inc | 露光装置 |
| DE102008054882A1 (de) | 2008-01-08 | 2009-07-16 | Carl Zeiss Smt Ag | Reparaturverfahren für optische Elemente mit Beschichtung und entsprechende optische Elemente |
| JP2011103344A (ja) * | 2009-11-10 | 2011-05-26 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型投影露光マスクブランク、反射型投影露光マスク及び反射型投影露光マスクの製造方法 |
| JP2011222612A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Toppan Printing Co Ltd | Ｅｕｖ用反射型マスク及びｅｕｖ用反射型マスク製造方法 |
| JP2012182289A (ja) * | 2011-03-01 | 2012-09-20 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスク及びその製造方法 |
| US8488127B2 (en) | 2004-06-04 | 2013-07-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | System for measuring the image quality of an optical imaging system |
| CN104932194A (zh) * | 2015-07-22 | 2015-09-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜板及其制备方法、掩膜板的回收方法 |
| US9334830B2 (en) | 2014-06-06 | 2016-05-10 | General Electric Company | Piston assembly for a reciprocating engine |
| US9470179B2 (en) | 2014-06-06 | 2016-10-18 | General Electric Company | Piston assembly for a reciprocating engine |
| JP2017181733A (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | Hoya株式会社 | 多層膜付き基板の再生方法、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法 |
-
1992
- 1992-10-12 JP JP27284492A patent/JP3240189B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1191356A3 (de) * | 2000-09-20 | 2003-11-19 | Carl Zeiss Stiftung | Optisches Element und Verfahren zur Wiedergewinnung des Substrates |
| EP1191356A2 (de) * | 2000-09-20 | 2002-03-27 | Carl Zeiss Stiftung | Optisches Element und Verfahren zur Wiedergewinnung des Substrates |
| JP2003287875A (ja) * | 2002-01-24 | 2003-10-10 | Hitachi Ltd | マスクの製造方法および半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2005302963A (ja) * | 2004-04-09 | 2005-10-27 | Canon Inc | 露光装置 |
| US8488127B2 (en) | 2004-06-04 | 2013-07-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | System for measuring the image quality of an optical imaging system |
| US9429495B2 (en) | 2004-06-04 | 2016-08-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | System for measuring the image quality of an optical imaging system |
| US8823948B2 (en) | 2004-06-04 | 2014-09-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | System for measuring the image quality of an optical imaging system |
| DE102008054882A1 (de) | 2008-01-08 | 2009-07-16 | Carl Zeiss Smt Ag | Reparaturverfahren für optische Elemente mit Beschichtung und entsprechende optische Elemente |
| US8795839B2 (en) | 2008-01-08 | 2014-08-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Repair method for optical elements having a coating and corresponding optical elements |
| JP2011103344A (ja) * | 2009-11-10 | 2011-05-26 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型投影露光マスクブランク、反射型投影露光マスク及び反射型投影露光マスクの製造方法 |
| JP2011222612A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Toppan Printing Co Ltd | Ｅｕｖ用反射型マスク及びｅｕｖ用反射型マスク製造方法 |
| JP2012182289A (ja) * | 2011-03-01 | 2012-09-20 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスク及びその製造方法 |
| US9334830B2 (en) | 2014-06-06 | 2016-05-10 | General Electric Company | Piston assembly for a reciprocating engine |
| US9470179B2 (en) | 2014-06-06 | 2016-10-18 | General Electric Company | Piston assembly for a reciprocating engine |
| CN104932194A (zh) * | 2015-07-22 | 2015-09-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜板及其制备方法、掩膜板的回收方法 |
| JP2017181733A (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | Hoya株式会社 | 多層膜付き基板の再生方法、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3240189B2 (ja) | 2001-12-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4652946B2 (ja) | 反射型マスクブランク用基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 | |
| US6048652A (en) | Backside polish EUV mask and method of manufacture | |
| US5265143A (en) | X-ray optical element including a multilayer coating | |
| US5272744A (en) | Reflection mask | |
| TWI464528B (zh) | EUV micro-shadow with a reflective mask base, and EUV micro-shadow with a reflective mask | |
| EP1421443B1 (en) | Damascene extreme ultraviolet lithography alternative phase shift photomask and method of making | |
| KR101800882B1 (ko) | 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크의 제조 방법 | |
| US20220299862A1 (en) | Reflective mask blank for euv lithography, reflective mask for euv lithography, and method for manufacturing mask blank and mask | |
| US5356662A (en) | Method for repairing an optical element which includes a multilayer coating | |
| JP3240189B2 (ja) | 光学素子及び光学素子の製造方法 | |
| US11822229B2 (en) | Reflective mask blank for EUV lithography, mask blank for EUV lithography, and manufacturing methods thereof | |
| US6905801B2 (en) | High performance EUV mask | |
| JP7478842B2 (ja) | 極端紫外線マスク吸収体材料 | |
| KR20060119798A (ko) | Ｅｕｖ 노광용 마스크 블랭크스 및 그 제조 방법, ｅｕｖ노광용 마스크 | |
| CN115427888A (zh) | 极紫外掩模吸收体材料 | |
| US5485497A (en) | Optical element and projection exposure apparatus employing the same | |
| JPH0727198B2 (ja) | 多層膜反射型マスク | |
| KR20220139879A (ko) | 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| WO2022065144A1 (ja) | 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2000031021A (ja) | 反射型マスクおよびそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JPH05144710A (ja) | 光学素子及びその製造方法 | |
| JP2005099571A (ja) | 多層膜反射鏡、反射多層膜の成膜方法、成膜装置及び露光装置 | |
| JP2009519593A (ja) | 反射フォトリソグラフィーマスクおよびこのマスクの作製方法 | |
| JPH06177019A (ja) | 光学素子およびその製造方法 | |
| JP3266994B2 (ja) | 反射型マスク |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |