JPH06116759A - Device for simultaneous etching on both sides - Google Patents
Device for simultaneous etching on both sidesInfo
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- JPH06116759A JPH06116759A JP28684292A JP28684292A JPH06116759A JP H06116759 A JPH06116759 A JP H06116759A JP 28684292 A JP28684292 A JP 28684292A JP 28684292 A JP28684292 A JP 28684292A JP H06116759 A JPH06116759 A JP H06116759A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はハードディスクのように
両面を同時にエッチングをするための両面同時エッチン
グ装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a double-sided simultaneous etching apparatus for simultaneously etching both sides such as a hard disk.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図４は従来の基板ホルダーを示すもので
あるが、板状部材からなる基板ホルダーは全体として３
０で示され、これに多数の基板保持部３１が形成されて
いる。この基板保持部３１の詳細は図５に示されている
ように、ほぼ円形の開口３２が形成され、図４に点線で
示すような角度範囲で、開口３２の下側領域に円弧状の
溝３３が形成されている。これに、例えばハードディス
クのようにカーボン膜の表と裏の両面にエッチング処理
がなされるドーナツ形の基板Ｄが保持される。図５は溝
３３に基板Ｄが保持されているのを示す。2. Description of the Related Art FIG. 4 shows a conventional substrate holder.
0, on which a large number of substrate holding portions 31 are formed. As shown in FIG. 5, the details of the substrate holding portion 31 are formed with a substantially circular opening 32 , and an arcuate groove is formed in a lower region of the opening 32 within an angular range shown by a dotted line in FIG. 33 is formed. A donut-shaped substrate D, such as a hard disk, on which the front and back surfaces of the carbon film are etched is held on this. FIG. 5 shows that the substrate D is held in the groove 33.
【０００３】基板Ｄが保持された基板ホルダー３０は図
６に示されているように仕込室Ａから駆動機構３７によ
りエッチング室Ｂに搬入される。エッチング室Ｂでは図
７に示すように、基板ホルダー３０とアース電極３９、
３９とが対向して配設されており、アース電極３９、３
９の四隅には図６の一点鎖線（基板ホルダー３０の手前
にはアース電極３９があるがこれを一点鎖線で示す。）
で示すように高周波電極３８の径よりも大きい開口３９
ａが形成され、ここを高周波電極３８が貫通して基板ホ
ルダー３０に対向して非接触状態で設けられている。こ
のような構造により、エッチング室Ｂが所定のエッチン
グ雰囲気となると、高周波電極３８が軸心方向の基板ホ
ルダー側に移動（一点鎖線）することにより、電導体で
ある基板ホルダー３０面に接触してこれに高周波電位が
印加され、この基板ホルダー３０を介して基板Ｄの基板
保持部３１と接触している部分に高周波電位が印加され
て、基板Ｄはエッチング処理される。The substrate holder 30 holding the substrate D is carried into the etching chamber B from the preparation chamber A by the drive mechanism 37 as shown in FIG. In the etching chamber B , as shown in FIG. 7, the substrate holder 30, the ground electrode 39,
39 are arranged to face each other, and the ground electrodes 39, 3
At the four corners of FIG. 9, the alternate long and short dash line in FIG. 6 is shown (the earth electrode 39 is present in front of the substrate holder 30, but this is indicated by the alternate long and short dash line).
As shown by, the opening 39 larger than the diameter of the high frequency electrode 38
a is formed, and the high frequency electrode 38 penetrates therethrough and is provided in a non-contact state so as to face the substrate holder 30. With such a structure, when the etching chamber B has a predetermined etching atmosphere, the high frequency electrode 38 moves to the substrate holder side in the axial direction (one-dot chain line) to contact the surface of the substrate holder 30 which is an electric conductor. A high-frequency potential is applied to this, and a high-frequency potential is applied to the portion of the substrate D that is in contact with the substrate holding portion 31 via the substrate holder 30, and the substrate D is etched.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】このような従来の両面
同時エッチング装置は、基板ホルダーに複数枚の基板を
保持させて、基板に高周波電位を直接印加させることな
く、基板ホルダーを介して基板に高周波電位を印加させ
て、同時に基板の両面にエッチング処理を行なってい
た。これは、基板の外周には「チャンファー」と呼ばれ
る特殊形状の部分があり、外周面を均一に保持する構造
とできず、基板の外周のうち、ある限られた箇所で基板
ホルダーの溝に載せる。このため、基板ホルダーの溝と
各基板の接触や接触の度合いが一様でなく、基板ホルダ
ーからの各基板への高周波電位の伝達が均一とならな
い。また、基板の外周部の限られた箇所から高周波電位
が印加されるので、基板の電位分布が同心円状にできな
いという問題があった。In such a conventional double-sided simultaneous etching apparatus, a plurality of substrates are held by a substrate holder, and a high-frequency potential is not directly applied to the substrates, and the substrates are transferred to the substrates via the substrate holder. A high-frequency potential was applied, and both surfaces of the substrate were simultaneously etched. This is because there is a special shape part called “Chamfer” on the outer circumference of the substrate, and it is not possible to have a structure that uniformly holds the outer peripheral surface. Put. Therefore, the contact between the groove of the substrate holder and each substrate or the degree of contact is not uniform, and the high-frequency potential is not evenly transmitted from the substrate holder to each substrate. Further, since the high frequency potential is applied from a limited portion of the outer peripheral portion of the substrate, there is a problem that the potential distribution of the substrate cannot be made concentric.
【０００５】本発明は上記問題に鑑みてなされ、チャン
ファーの一部変形の恐れがなく、基板毎に、また基板の
表面における高周波電位の印加電圧のばらつきがなく、
適宜エッチング条件を変更できる両面エッチング装置を
提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above problems, there is no fear of partial deformation of the chamfer, and there is no variation in the applied voltage of the high-frequency potential on each substrate and on the surface of the substrate.
It is an object of the present invention to provide a double-sided etching device capable of appropriately changing etching conditions.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的は、真空室内
で、円板状の被エッチング材料に高周波電位を印加する
ための高周波電極と、前記被エッチング材料を挟んで該
被エッチング材料のエッチング処理面と平行に配設され
た第１のアース電極と第２のアース電極とを備えた両面
同時エッチング装置において、前記被エッチング材料の
中心部を前記高周波電極で支持させることを特徴とする
両面同時エッチング装置によって達成される。The above-mentioned object is to perform a high-frequency electrode for applying a high-frequency potential to a disk-shaped material to be etched in a vacuum chamber, and an etching treatment of the material to be etched with the material to be etched being sandwiched therebetween. In a double-sided simultaneous etching apparatus provided with a first ground electrode and a second ground electrode arranged in parallel with the surface, the central portion of the material to be etched is supported by the high frequency electrode. This is achieved by an etching device.
【０００７】[0007]
【作用】被エッチング材料の中心部を高周波電極で支持
させたので、高周波電極と被エッチング材料の電気的な
接触がよくなり、被エッチング材料に印加される電位が
安定し、好適なエッチング処理ができるようになる。Since the central part of the material to be etched is supported by the high frequency electrode, the electrical contact between the high frequency electrode and the material to be etched is improved, the potential applied to the material to be etched is stabilized, and a suitable etching treatment is performed. become able to.
【０００８】[0008]
【実施例】以下、本発明の第１実施例による両面エッチ
ング装置について図面を参照して説明する。尚、被エッ
チング材料は従来の技術で説明した基板Ｄを用いて説明
する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A double-sided etching apparatus according to a first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. The material to be etched will be described using the substrate D described in the conventional technique.
【０００９】図１は本発明に係わる基板Ｄの表裏両面を
エッチングする両面同時エッチング装置１と、基板Ｄを
エッチング装置１内に搬入、搬出する取り出し機構を室
内に有する搬送装置２を示す。両面同時エッチング装置
１の真空槽３は壁部５と上蓋部４と底部６とからなり、
これらにより形成されたエッチング室Ｃは搬送装置２の
基板搬送室Ｅと仕切弁１３の開閉により連通又は気密に
遮断される。真空槽３の底部には排気口７が配設され、
この排気口７にはバルブ１５を介して真空ポンプ１８が
接続されている。FIG. 1 shows a double-sided simultaneous etching apparatus 1 for etching both front and back surfaces of a substrate D according to the present invention, and a transfer apparatus 2 having a take-out mechanism for loading and unloading the substrate D in a room. The vacuum chamber 3 of the double-sided simultaneous etching apparatus 1 comprises a wall portion 5, an upper lid portion 4 and a bottom portion 6,
The etching chamber C formed by these is connected to the substrate transfer chamber E of the transfer device 2 and opened / closed by the sluice valve 13 to communicate or airtightly shut off. An exhaust port 7 is provided at the bottom of the vacuum chamber 3,
A vacuum pump 18 is connected to the exhaust port 7 via a valve 15.
【００１０】真空槽３の底壁部６には、円筒状のロッド
１０がこの底壁部６に対し垂直に貫通し、かつ気密に配
設されている。ロッド１０は真空槽３と電気的に隔絶さ
れた中空円柱状の高周波電極１４と、そのまわりを囲繞
するアースシールド１０’とから成り、高周波電極１４
の上端部はアースシールド１０’の上端部より僅かに上
方に突出している。高周波電極１４の内部空間１４ａに
は図示されていないが、必要に応じて冷却水を流せるよ
うになっている。また、高周波電極１４の上端部は、図
に示されている通り、本実施例でエッチング処理される
基板Ｄが載置されるようになっている。A cylindrical rod 10 penetrates the bottom wall 6 of the vacuum chamber 3 perpendicularly to the bottom wall 6 and is hermetically arranged. The rod 10 is composed of a hollow cylindrical high frequency electrode 14 electrically isolated from the vacuum chamber 3 and an earth shield 10 ′ surrounding the high frequency electrode 14.
The upper end of the earth shield 10 'projects slightly above the upper end of the earth shield 10'. Although not shown in the internal space 14a of the high-frequency electrode 14, cooling water can be flowed if necessary. Further, as shown in the figure, the upper end of the high frequency electrode 14 is adapted to mount the substrate D to be etched in this embodiment.
【００１１】高周波電極１４とアースシールド１０’と
から成るロッド１０は矢印ａに示すように垂直方向に上
下動が可能であり、高周波電極１４には高周波電位が印
加できるように、高周波電源１９に接続されており、ア
ースシールド１０’はアースに接続されている。また、
高周波電極１４の上方には、この上端面に対向して、基
板保持部９ａが形成された円柱形のロッド９が、絶縁物
９ｂを介して上蓋４に固定されており、ロッド９のまわ
りは基板保持部９ａの先端部を除いて、アースシールド
９’で囲繞されている。図２に示すようにロッド１０が
上方に移動すると、基板Ｄはロッド１０の高周波電極１
４とロッド９の基板保持部９ａとの間に挟持される。The rod 10 composed of the high frequency electrode 14 and the earth shield 10 'can be vertically moved in the vertical direction as shown by an arrow a, and a high frequency power source 19 is provided so that a high frequency potential can be applied to the high frequency electrode 14. Connected, and the ground shield 10 'is connected to ground. Also,
Above the high-frequency electrode 14, a cylindrical rod 9 having a substrate holding portion 9a formed thereon is fixed to the upper lid 4 via an insulator 9b so as to face the upper end surface. The substrate holding portion 9a is surrounded by an earth shield 9 ', except for the tip portion. As shown in FIG. 2, when the rod 10 moves upward, the substrate D becomes the high frequency electrode 1 of the rod 10.
4 and the substrate holding portion 9a of the rod 9 are sandwiched.
【００１２】図１及び図２に示すように、真空槽３内に
は一対の平板状のアース電極１１、１２が設けられ、こ
れらは共に基板Ｄと同様にドーナツ形の平板形状であ
り、その中央部には開口が形成されている。これらのア
ース電極１１、１２のうち上方に配設されているアース
電極１１はロッド９に開口を貫通されて、下方のアース
電極１２はロッド１０に開口を貫通されて配設されてい
る。また、これらのアース電極１１、１２は基板Ｄのエ
ッチング面とそれぞれ平行に配設され、アース電極１
１、１２と基板Ｄとの距離は最適なエッチング処理に見
合うようにその間隔の大きさを変えることができる。As shown in FIGS. 1 and 2, a pair of flat plate-shaped ground electrodes 11 and 12 are provided in the vacuum chamber 3, both of which are doughnut-shaped flat plate like the substrate D. An opening is formed in the central portion. The earth electrode 11 arranged above the earth electrodes 11 and 12 penetrates the rod 9 through the opening, and the earth electrode 12 below the earth electrode 11 penetrates the rod 10 through the opening. Further, these ground electrodes 11 and 12 are arranged in parallel with the etching surface of the substrate D, respectively.
As for the distance between the substrates 1 and 12 and the substrate D, the size of the distance can be changed to meet the optimum etching process.
【００１３】このような構造を有する両面同時エッチン
グ装置１は、更にエッチング室Ｃ内を所定のエッチャン
トガス雰囲気にするガス導入口８が側壁部５に設けら
れ、エッチング装置１に仕切りバルブ１３を介して連接
している搬送装置２内には基板Ｄを搬入、搬送するため
の搬送機構１６が設けられている。In the double-sided simultaneous etching apparatus 1 having such a structure, the side wall 5 is further provided with a gas inlet 8 for making the inside of the etching chamber C a predetermined etchant gas atmosphere, and the etching apparatus 1 is provided with a partition valve 13. A transport mechanism 16 for loading and transporting the substrate D is provided in the transport device 2 connected to each other.
【００１４】以上、本発明の両面同時エッチング装置１
の構成について説明したが、次にその作用、効果につい
て説明する。As described above, the double-sided simultaneous etching apparatus 1 of the present invention.
The configuration has been described, and then the operation and effect will be described.
【００１５】図１に示されるように、ガス導入口８から
エッチングガスが導入され、バルブ１５を介して真空ポ
ンプ１８により、所定の圧力に排気されているエッチン
グ室Ｃにおいて、搬送機構１６のフォーク１７の操作に
より、基板Ｄが高周波電極１４の直上に移送されると、
ロッド１０が図示されていない駆動手段により上方に移
動する。ロッド１０がフォーク１７の爪１７ａ、１７ａ
の間を通り抜け、基板Ｄが高周波電極１４上に載置さ
れ、更に基板Ｄがロッド９の下端部の基板保持部９ａに
当接したところで、ロッド１０がその位置で静止する。
これにより、基板Ｄが高周波電極１４とロッド９との間
で固定される。この後、搬送機構１６のフォーク１７が
搬送装置２内に戻され、仕切りバルブ１３が閉じられ
る。As shown in FIG. 1, in the etching chamber C in which the etching gas is introduced from the gas inlet 8 and is evacuated to a predetermined pressure by the vacuum pump 18 via the valve 15, the fork of the transfer mechanism 16 is used. When the substrate D is transferred directly above the high frequency electrode 14 by the operation of 17,
The rod 10 is moved upward by a driving means (not shown). The rod 10 has the claws 17a and 17a of the fork 17.
After passing through the gap, the substrate D is placed on the high-frequency electrode 14, and when the substrate D contacts the substrate holding portion 9a at the lower end portion of the rod 9, the rod 10 stands still at that position.
As a result, the substrate D is fixed between the high frequency electrode 14 and the rod 9. After that, the fork 17 of the transport mechanism 16 is returned into the transport device 2, and the partition valve 13 is closed.
【００１６】次に、エッチング室Ｃが所定の雰囲気、圧
力となると、高周波電極１４に高周波電源１９から高周
波電位が印加され、基板Ｄのエッチング処理面にエッチ
ングがなされる。尚、高周波電位が印加される基板Ｄの
エッチング面とアース電極１１、１２との間隔は、最適
なエッチング条件となるように、予めその間隔ｄ1 、ｄ
2 が調節されている。Next, when the etching chamber C is under a predetermined atmosphere and pressure, a high-frequency potential is applied to the high-frequency electrode 14 from the high-frequency power source 19 to etch the etched surface of the substrate D. The distance between the etched surface and the ground electrodes 11, 12 of the substrate D which RF potential is applied, so that the optimum etching conditions, advance the interval d 1, d
2 is adjusted.
【００１７】本実施例では、高周波電極１４が基板Ｄの
中心部に固定されているので、これらの接触状態が完全
で、電位が基板上で同心円状に均一に印加でき、良好な
エッチングがなされる。すなわち、基板ホルダーに高周
波電位が印加され、また基板保持部の溝に、唯単に基板
を載せる構造でないことから、従来のように基板保持部
と基板の個々の接触状態の違いから生じる高周波電位の
電位差の相違によるエッチング加工のばらつきを心配す
る必要がなく、エッチング速度が安定し、かつ均一なエ
ッチング作業が可能である。また、枚葉式であることか
ら基板毎にエッチングの加工条件を変更すること、例え
ば高周波電源の印加電圧を個々に変えたり、基板Ｄとア
ース電極１１、１２間の距離を変えたりすることで、適
宜エッチングの加工条件を変えることもできる。更に、
基板Ｄをエッチング室Ｃ内に搬入、搬出するときやエッ
チング処理中において、一切、基板Ｄの外周部に触れる
必要がなく、チャンファー部の変形の心配がない。その
上、従来のように基板ホルダーを移動させるための駆動
機構は不要となり、これらの駆動によるダストの生じる
恐れがなくなる。In this embodiment, since the high-frequency electrode 14 is fixed to the center of the substrate D, the contact state between them is perfect, the potential can be applied concentrically and uniformly on the substrate, and good etching is performed. It That is, since a high-frequency potential is applied to the substrate holder and the substrate is not simply placed in the groove of the substrate holder, the high-frequency potential generated due to the difference in the contact state between the substrate holder and the substrate is different from the conventional case. There is no need to worry about variations in the etching process due to the difference in potential difference, the etching rate is stable, and uniform etching work is possible. Further, since it is a single-wafer type, it is possible to change the etching processing conditions for each substrate, for example, to change the applied voltage of the high frequency power source individually or to change the distance between the substrate D and the ground electrodes 11 and 12. The processing conditions for etching can be changed as appropriate. Furthermore,
There is no need to touch the outer peripheral portion of the substrate D at the time of loading / unloading the substrate D into / from the etching chamber C or during the etching process, and there is no fear of deformation of the chamfer portion. In addition, a drive mechanism for moving the substrate holder, which is required in the prior art, is unnecessary, and there is no risk of dust being generated by these drives.
【００１８】基板Ｄのエッチング処理が終了した後、仕
切弁１３を開弁し、搬送機構１６が基板Ｄをエッチング
室Ｃ内から搬出し、次の基板Ｄをエッチング室Ｃ内に搬
入して、作業を続行する。After the etching process of the substrate D is completed, the gate valve 13 is opened, the transport mechanism 16 carries the substrate D out of the etching chamber C , and the next substrate D is brought into the etching chamber C. Continue work.
【００１９】次に、本発明の第２実施例による両面同時
エッチング装置について図３を参照して説明する。Next, a double-sided simultaneous etching apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
【００２０】上述した第１実施例では、基板Ｄを高周波
電極１４上に水平方向に載置してエッチング処理した
が、本第２実施例では、基板Ｄを垂直方向に向けてエッ
チング処理するものである。In the above-described first embodiment, the substrate D is placed on the high-frequency electrode 14 in the horizontal direction and etched, but in the second embodiment, the substrate D is etched in the vertical direction. Is.
【００２１】すなわち、本実施例の両面同時エッチング
装置２０は図３に示すように、上部に蓋２２が設けられ
た真空槽２１の壁部２３ａ、２３ｂを貫通して、水平方
向に円筒形のロッド２５、２６が壁部２３ａ、２３ｂに
対して、気密に取り付けられている。ロッド２５は真空
槽２１と電気的に隔絶された中空円柱状の高周波電極３
０とそのまわりを囲繞するアースシールド２５’とから
成り、高周波電極３０の先端部はアースシールド２５’
の先端部より僅かに突出している。高周波電極３０の内
部空間３０ａには図示されていないが、必要に応じて冷
却水を流せるようになっている。また、高周波電極３０
は、図示されていない高周波電源に接続されており、ロ
ッド２５は矢印ｄに示すように水平方向に左右動可能に
設けられている。ロッド２５に対向して取り付けられて
いるロッド２６は、基板保持部２６ａと絶縁物２６ｂと
から成る円柱体のまわりを、基板保持部２６ａの先端部
を除いて、アースシールド２６’で囲繞したもので、矢
印ｂに示すように水平方向に左右動可能に設けられてい
る。That is, as shown in FIG. 3, the double-sided simultaneous etching apparatus 20 of this embodiment penetrates the wall portions 23a and 23b of the vacuum chamber 21 having the lid 22 on the upper portion thereof and has a horizontally cylindrical shape. The rods 25 and 26 are airtightly attached to the walls 23a and 23b. The rod 25 is a hollow cylindrical high-frequency electrode 3 that is electrically isolated from the vacuum chamber 21.
0 and an earth shield 25 'surrounding it, and the tip of the high frequency electrode 30 is an earth shield 25'.
Slightly protrudes from the tip of the. Although not shown in the drawing, the internal space 30a of the high-frequency electrode 30 is designed to allow cooling water to flow as necessary. In addition, the high frequency electrode 30
Is connected to a high frequency power source (not shown), and the rod 25 is provided so as to be horizontally movable in the horizontal direction as shown by an arrow d. The rod 26, which is attached so as to face the rod 25, has a cylindrical body composed of a substrate holding portion 26a and an insulator 26b and is surrounded by an earth shield 26 'except for the tip portion of the substrate holding portion 26a. Then, as shown by an arrow b, it is provided so as to be horizontally movable.
【００２２】基板Ｄをロッド２５の高周波電極３０とロ
ッド２６の基板保持部２６ａが対向する位置まで搬送す
る搬送機構は真空槽２１の底壁部２３ｃに、基板Ｄと搬
送機構のアーム２９が通過できるほどの開口Ｈが設けら
れ、アーム２９が矢印ｃに示すように垂直方向に、図示
されていない駆動手段で移動されることにより行われ
る。アーム２９の先端部の基板保持部は垂直方向に溝が
切られ、基板Ｄの外周部のある一定角度範囲を、この溝
に嵌め込むことにより行なわれる。尚、開口Ｈにはゲー
ト２４が設けられ、図示されていない搬送機構室と真空
槽２１内を仕切る。The transfer mechanism for transferring the substrate D to the position where the high frequency electrode 30 of the rod 25 and the substrate holding portion 26a of the rod 26 face each other is such that the substrate D and the arm 29 of the transfer mechanism pass through the bottom wall 23c of the vacuum chamber 21. The opening H is provided as much as possible, and it is performed by moving the arm 29 in the vertical direction as shown by an arrow c by a driving means (not shown). A groove is cut in the vertical direction in the substrate holding portion at the tip of the arm 29, and this is performed by fitting a certain angle range of the outer peripheral portion of the substrate D into this groove. A gate 24 is provided in the opening H to partition the inside of the vacuum chamber 21 from the transfer mechanism chamber (not shown).
【００２３】基板Ｄが搬送機構のアーム２９によりロッ
ド２５、２６間に搬送されると、ロッド２５、２６がそ
れぞれ左右に移動し、高周波電極３０と基板保持部２６
ａの間で基板Ｄを挟持する。基板Ｄが挟持されると、ア
ーム２９が戻され、エッチングが開始される。尚、真空
槽２１内には基板Ｄがロッド２５、２６間に挟持された
状態で、この基板Ｄと平行に一対のアース電極２７、２
８が配設され、図示されていないが第１実施例と同様に
真空槽の壁部にはガス導入口が、底壁部には排気口が設
けられている。When the substrate D is transferred between the rods 25 and 26 by the arm 29 of the transfer mechanism, the rods 25 and 26 move to the left and right respectively, and the high frequency electrode 30 and the substrate holding portion 26 are moved.
The substrate D is sandwiched between a. When the substrate D is clamped, the arm 29 is returned and etching is started. In the vacuum chamber 21, the substrate D is sandwiched between the rods 25 and 26, and a pair of ground electrodes 27 and 2 are provided in parallel with the substrate D.
Although not shown in the drawing, a gas introduction port 8 is provided in the wall portion of the vacuum chamber and an exhaust port is provided in the bottom wall portion thereof, which is not shown in the drawing.
【００２４】以上、本発明の第２実施例について説明し
たが、本実施例でも第１実施例と同様な効果を奏するこ
とは明らかである。Although the second embodiment of the present invention has been described above, it is clear that this embodiment also has the same effect as that of the first embodiment.
【００２５】以上、本発明の各実施例について説明した
が、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基いて種々の変形が可能である。Although the respective embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to these, and various modifications can be made based on the technical idea of the present invention.
【００２６】例えば、以上の第１実施例では高周波電極
１４が取り付けられているロッド１０を、第２実施例で
はロッド２５、２６をこの軸線方向に移動可能とした
が、ロッド９、１０の双方、又はロッド２５、２６の一
方を軸線方向に移動可能としてもよい。For example, the rod 10 to which the high-frequency electrode 14 is attached in the above-described first embodiment and the rods 25 and 26 in the second embodiment can be moved in the axial direction, but both rods 9 and 10 can be moved. Alternatively, one of the rods 25 and 26 may be movable in the axial direction.
【００２７】また、以上の各実施例では被エッチング材
料をハードディスクとして、ドーナツ形状で中央の開口
が形成されているものについて適用したが、本発明はこ
の開口が形成されていないものについても、勿論、適用
可能である。また両面を同時エッチングするものであれ
ば、ハードディスクに限らず他の部材にも適用すること
ができる。In each of the above embodiments, the material to be etched is a hard disk having a doughnut-shaped central opening. However, the present invention applies to a hard disk having no central opening. , Applicable. Further, the present invention can be applied not only to hard disks but also to other members as long as both surfaces are simultaneously etched.
【００２８】更に、以上の各実施例では枚葉式とした
が、エッチング室に高周波電極を複数個配設してもよ
い。Further, in each of the above embodiments, the single wafer type is used, but a plurality of high frequency electrodes may be arranged in the etching chamber.
【００２９】[0029]
【発明の効果】以上述べたように、本発明の両面同時エ
ッチング装置によれば、被エッチング材料に均一にエッ
チングができることにより品質が著しく向上し、被エッ
チング材料間によるばらつきが全くなくなり、被エッチ
ング材料毎の生産管理を容易にすることができる。As described above, according to the double-sided simultaneous etching apparatus of the present invention, the material to be etched can be uniformly etched, so that the quality is remarkably improved, and there is no variation among the materials to be etched. The production control for each material can be facilitated.
【図１】本発明の第１実施例による両面同時エッチング
装置と搬送装置の正面図である。FIG. 1 is a front view of a double-sided simultaneous etching apparatus and a transfer apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】同両面同時エッチング装置の正面図である。FIG. 2 is a front view of the double-sided simultaneous etching apparatus.
【図３】本発明の第２実施例による両面同時エッチング
装置の側面図である。FIG. 3 is a side view of a double-sided simultaneous etching apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図４】従来における両面同時エッチング装置の基板ホ
ルダーの正面図である。FIG. 4 is a front view of a substrate holder of a conventional double-sided simultaneous etching apparatus.
【図５】同基板ホルダーの基板保持部に基板が保持され
ているところを示す側面図である。FIG. 5 is a side view showing a substrate being held by a substrate holding portion of the substrate holder.
【図６】同両面同時エッチング装置の内部を示す正面図
である。FIG. 6 is a front view showing the inside of the double-sided simultaneous etching apparatus.
【図７】同側面図である。FIG. 7 is a side view of the same.
１ 両面同時エッチング装置 １１ アース電極 １２ アース電極 １４ 高周波電極 ２０ 両面同時エッチング装置 ２７ アース電極 ２８ アース電極 ３０ 高周波電極Ｃ エッチング室 Ｄ 基板1 Double-sided simultaneous etching device 11 Ground electrode 12 Ground electrode 14 High frequency electrode 20 Double-sided simultaneous etching device 27 Ground electrode 28 Ground electrode 30 High frequency electrode C Etching chamber D Substrate
Claims (2)
に高周波電位を印加するための高周波電極と、前記被エ
ッチング材料を挟んで該被エッチング材料のエッチング
処理面と平行に配設された第１のアース電極と第２のア
ース電極とを備えた両面同時エッチング装置において、
前記被エッチング材料の中心部を前記高周波電極で支持
させることを特徴とする両面同時エッチング装置。1. A high-frequency electrode for applying a high-frequency potential to a disk-shaped material to be etched in a vacuum chamber, and a high-frequency electrode disposed in parallel with an etching-treated surface of the material to be etched with the material to be etched sandwiched therebetween. In a double-sided simultaneous etching apparatus having a first ground electrode and a second ground electrode,
A double-sided simultaneous etching apparatus, wherein a central portion of the material to be etched is supported by the high frequency electrode.
極及び前記第２のアース電極とはそれぞれの間の距離を
調節自在に配設させた請求項１に記載の両面エッチング
装置。2. The double-sided etching apparatus according to claim 1, wherein the high-frequency electrode and the first ground electrode and the second ground electrode are arranged so that the distances between them can be adjusted.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28684292A JP3273978B2 (en) | 1992-10-01 | 1992-10-01 | Double-sided simultaneous etching equipment |
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|---|---|---|---|
| JP28684292A JP3273978B2 (en) | 1992-10-01 | 1992-10-01 | Double-sided simultaneous etching equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06116759A true JPH06116759A (en) | 1994-04-26 |
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ID=17709741
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP28684292A Expired - Lifetime JP3273978B2 (en) | 1992-10-01 | 1992-10-01 | Double-sided simultaneous etching equipment |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3273978B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007213730A (en) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Tdk Corp | Substrate holding device and manufacturing method of magnetic recording medium |
| JP2009102705A (en) * | 2007-10-24 | 2009-05-14 | Hitachi Ltd | Plasma etching apparatus, method for manufacturing magnetic recording medium, and magnetic recording medium |
-
1992
- 1992-10-01 JP JP28684292A patent/JP3273978B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
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| JP2009102705A (en) * | 2007-10-24 | 2009-05-14 | Hitachi Ltd | Plasma etching apparatus, method for manufacturing magnetic recording medium, and magnetic recording medium |
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| JP3273978B2 (en) | 2002-04-15 |
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