JPH0611378U - 噴流式半田付け装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半田酸化物の低減を図り、半田付け性の向上
と生産性の向上が図れる噴流式半田付け装置を提供する
ことにある。 【構成】 半田槽内に噴流ノズルを配設し、この噴流ノ
ズルから噴流する半田流によりプリント基板の半田付け
を行う噴流式半田付け装置において、前記半田槽の上部
に、前記噴流ノズル部に対応する部分を開口し、かつ、
外周を半田槽に対してシールしたカバーを被着せしめ、
槽内半田表面とカバーとの間に形成される空間に、窒素
ガスなどの不活性ガスの供給手段を連通したことを特徴
とする。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、噴流式半田付け装置の改善に関する。

【０００２】

【従来技術とその課題】

現在、プリント基板に長いリードをもつ電子部品を半田付けする手段としては 、図２に示すような静止槽方式，図３に示すようなオーバーフロー方式，図４に 示すようなハイウェーブ（噴流波）方式の３つの手段がある。

【０００３】 図２に示す静止槽方式は、静止した溶融半田上をスキーマ１にて酸化膜を排除 し、プリント基板の半田付けを行う方法であり、プリント基板を図の矢印方向に キャリアで搬送しながら、半田槽２の上部で矢印ａのようにキャリアを下降させ て半田付けを行う。また、プリント基板を矢印ｂで示すように水平のまま搬送す る場合には、半田槽２自体を矢印ｃのように上下動させなければならない。その ため、プリント基板の間隔を必要以上に大きくして障碍を避けるようにするか、 あるいは、プリント基板の搬送速度を遅くする必要があり、生産性が悪い。図中 ３はヒータである。

【０００４】 図３に示すオーバーフロー方式は、半田を広口の開口からインペラ４によりオ ーバーフローさせ、表面の酸化膜を自動的に排除する手段であるが、半田の流動 により前記静止槽方式より酸化物の発生が多く、これの除去手段が要求されると いう課題がある。尚、プリント基板の流れなどは静止槽方式と同様であるので詳 細な説明は省略する。

【０００５】 図４に示すハイウェーブ（噴流波）方式は、インペラ４の作用で半田をノズル ５から高い波（25〜30mm）を噴流させ、水平、または、斜め上向き搬送されるプ リント基板の半田付けを行うものである。この方式は前２者に比べて生産性は高 いが、酸化物が非常に多く発生するのが難点である。前記３方式の酸化物量は、 静止槽方式＜オーバーフロー方式＜ハイウェーブ方式である。

【０００６】 本考案の目的は、半田酸化物の低減を図り、半田付け性の向上と生産性の向上 が図れる噴流式半田付け装置を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】

従来技術の課題を解決する本考案の構成は、半田槽内に噴流ノズルを配設し、 この噴流ノズルから噴流する半田流によりプリント基板の半田付けを行う噴流式 半田付け装置において、前記半田槽の上部に、前記噴流ノズル部に対応する部分 を開口し、かつ、外周を半田槽に対してシールしたカバーを被着せしめ、槽内半 田表面とカバーとの間に形成される空間に、窒素ガスなどの不活性ガスの供給手 段を連通したものである。

【０００８】

【作用】

半田槽内半田表面、および、噴流半田部表面は不活性ガスによって外気との接 触が極力抑制され、半田の酸化が著しく減少される。また、開口部から外部に放 出される不活性ガスは、噴流落下半田の酸化を防ぐと同時に、プリント基板へ付 着した半田の酸化を抑制し、半田付け効率の向上が図れる。

【０００９】

【実施例】

次に、図１について本考案実施例の詳細を説明する。 １１は半田槽であって、該半田槽１１内にはインペラ１２により溶融半田１３ を噴流する噴流ノズル１４が配設してある。図中１５は半田溶融用のヒータであ る。

【００１０】 このように構成された半田槽１１において本願考案は、該半田槽１１の上部に 、前記噴流ノズル１４に対応する部分を開口１６し、外周を半田槽１１に対して シールしたカバー１７を着脱可能に被着し、半田槽内半田表面と前記カバー１７ との間に空間１８を形成するとともに、カバー１７の一側に窒素ガスなどの不活 性ガス供給用のポート１９を設けたものである。尚、このポート１９は前記半田 槽１１の上部側壁に設けてもよいので、図示構成に特定されるものではない。

【００１１】 前記半田槽１１に対するカバー１７のシール手段は、図に示すように、半田槽 １１の両側縁部１１ａにカバー１７の側縁部１７ａを被嵌し、両側縁部１１ａと １７ａとの間にパッキン部材２０を介装する。また、半田槽１１の前，後側のシ ール手段は、特に図示してないが前記カバー１７の前後縁部を下向きに屈折形成 せる下端を溶融半田１３中に浸漬するものである。

【００１２】 前記カバー１７は図に示すように、前記開口１６、即ち、前記噴流ノズル１４ 方向に向け下向き傾斜せしめるとともに、開口１６の左右開口縁の上面全長には 、端面形状がＬ字形のガイド板２１をスライド可能に設け、噴流半田の波高によ り変化する落下半田流と開口１６との隙間を調整し、この隙間から外方に流出す る不活性ガスにより落下半田の酸化を防ぐと同時に、プリント基板へ付着した半 田の酸化を防ぎ、半田付けの向上を図るようにしたものである。 また、前記カバー１７を噴流ノズル１４方向に向け下向き傾斜した理由は、ガ イド板２１の高さを大きくして落下半田流を有効に半田槽１１内に誘導するとと もに、ガイド板２１の先端が電子部品リードに当接しないようにしたものである 。更に、カバー１７の下向き傾斜により前記空間１８の容積がその分減少せしめ られ、この空間１８内に供給される不活性ガス量の節減が図りうるためである。 図中２２はカバー１７に植設したボルトナット，２３はガイド板２１に設けた案 内長孔である。

【００１３】

【考案の効果】

上述のように本考案の構成によれば、次のような効果が得られる。 （ａ）半田槽内半田表面には、空間内に供給充満された窒素ガスなどの不活性ガ スにより酸化物の発生が極力防止され、一方、噴流ノズルから噴流し半田槽内に 落下誘導される落下半田流には常に開口との隙間から外部に流出する不活性ガス との接触によって酸化が抑制せしめられ、半田付け効率の向上が図れる。 （ｂ）落下半田流と開口との間隙から放出される不活性ガスは、プリント基板へ 付着した半田の酸化をも防ぎ、良好な半田付けが連続的になし得られ、ハイウェ ーブ（噴流波）手段の特色である生産性、および、半田付け性の向上が充分に発 揮しうる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本願考案装置の縦断正面図である。

【図２】静止槽方式の説明図である。

【図３】オーバーフロー方式の説明図である。

【図４】ハイウェーブ（噴流波）方式の説明図である。

【符号の説明】

１１ 半田槽 １１ａ 側縁部 １２ インペラ １３ 溶融半田 １４ 噴流ノズル １５ ヒータ １６ 開口 １７ カバー １７ａ 側縁部 １８ 空間 １９ ポート ２０ パッキン部材 ２１ ガイド板

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 半田槽内に噴流ノズルを配設し、この噴
   流ノズルから噴流する半田流によりプリント基板の半田
   付けを行う噴流式半田付け装置において、前記半田槽の
   上部に、前記噴流ノズル部に対応する部分を開口し、か
   つ、外周を半田槽に対してシールしたカバーを被着せし
   め、槽内半田表面とカバーとの間に形成される空間に、
   窒素ガスなどの不活性ガスの供給手段を連通したことを
   特徴とする噴流式半田付け装置。