JP2640698B2 - Automatic wafer cleaning equipment - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ウエーハを１枚ずつ自
動的に洗浄する毎葉式の自動洗浄装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an automatic cleaning apparatus of a leaf type for automatically cleaning wafers one by one.

【０００２】[0002]

【従来の技術】半導体素子製造において、半導体ウエー
ハの表面に付着した不純物は半導体素子の性能に悪影響
を及ぼす。2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor devices, impurities adhering to the surface of a semiconductor wafer adversely affect the performance of the semiconductor device.

【０００３】そこで、半導体ウエーハの製造工程の中に
は洗浄工程が含まれており、この洗浄工程ではウエーハ
が種々の方法によって洗浄されるが、ウエーハの洗浄方
法には大別して物理的洗浄方法と化学的洗浄方法とがあ
る。[0003] Therefore, the manufacturing process of a semiconductor wafer includes a cleaning process. In this cleaning process, the wafer is cleaned by various methods. The method of cleaning a wafer is roughly classified into a physical cleaning method. There is a chemical cleaning method.

【０００４】上記前者の物理的洗浄方法としては、洗浄
ブラシ等を用いてウエーハ表面に付着した不純物を直接
除去する方法、噴射ノズルから加圧流体をウエーハの一
部又は全体に向けて噴射し、これによって不純物を除去
する方法、ウエーハを液中に浸漬してこれに超音波を当
てて該ウエーハに付着した不純物を除去する方法（超音
波洗浄法）等がある。[0004] As the former physical cleaning method, a method of directly removing impurities adhered to the wafer surface using a cleaning brush or the like, a method in which a pressurized fluid is jetted from a jet nozzle toward a part or the whole of the wafer, Thus, there are a method of removing impurities, a method of immersing a wafer in a liquid and applying ultrasonic waves to the wafer to remove impurities attached to the wafer (ultrasonic cleaning method), and the like.

【０００５】又、前記後者の化学的洗浄方法としては、
種々の薬剤、酵素等によってウエーハ表面に付着した不
純物を化学的に分解除去する方法等がある。尚、物理的
洗浄方法と化学的洗浄方法が併用されることもある。[0005] The latter chemical cleaning methods include:
There is a method of chemically decomposing and removing impurities attached to the wafer surface by various chemicals, enzymes and the like. Incidentally, a physical cleaning method and a chemical cleaning method may be used in combination.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体の製
造分野においては、近年の半導体デバイスの高集積化の
傾向に伴って半導体ウエーハが大口径化し、複数枚のウ
エーハをキャリアに収容して洗浄する従来の方式によれ
ば、多大な労力を要する。In the field of semiconductor manufacturing, semiconductor wafers have become larger in diameter with the recent trend toward higher integration of semiconductor devices, and a plurality of wafers are accommodated in a carrier for cleaning. According to the conventional method, a great deal of labor is required.

【０００７】又、ウエーハをキャリアに収容して運搬す
る方式を採ると、ウエーハとキャリアとの接触等によっ
てウエーハにパーティクル等が付着してウエーハが汚染
されるという問題も生じる。[0007] In addition, if a method is adopted in which a wafer is accommodated in a carrier and transported, there is also a problem that particles or the like adhere to the wafer due to contact between the wafer and the carrier and the wafer is contaminated.

【０００８】更に、研磨が終了したウエーハを次の洗浄
工程に移るまで一時的にストックしておくと、ウエーハ
の表面が乾燥して該表面に付着した不純物が除去されな
いという問題もあった。Further, if the polished wafer is temporarily stored until the next cleaning step, there is a problem that the surface of the wafer is dried and impurities attached to the surface cannot be removed.

【０００９】本発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、その目的とする処は、研磨工程に引き続いてウエー
ハを１枚ずつ連続的に自動洗浄することによって、従来
用いられていたキャリアを廃し（キャリアレスの実
現）、省力化、品質向上等を図ることができるウエーハ
の自動洗浄装置を提供することにある。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and an object thereof is to eliminate a carrier which has been conventionally used by automatically cleaning wafers one by one continuously after a polishing step. An object of the present invention is to provide an automatic wafer cleaning apparatus capable of achieving (carrier-less), labor saving, quality improvement, and the like.

【００１０】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく本
発明は、洗浄すべきウエーハを液中で１枚ずつ受け入れ
るローダ部と、受け入れられたウエーハを回転する一対
の回転ブラシ間に挟持してこれの両面を同時に洗浄する
ブラシ洗浄槽と、洗浄液を収容する複数の洗浄槽と、洗
浄が終了したウエーハを乾燥させる乾燥槽と、乾燥され
たウエーハを収納するアンローダ部と、ウエーハを支持
してこれを搬送する搬送手段を含んでウエーハの自動洗
浄装置を構成したことをその特徴とする。SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above object, the present invention provides a loader for receiving wafers to be washed one by one in a liquid and a pair of rotating brushes for rotating the received wafers. A brush cleaning tank for simultaneously cleaning both sides of the wafer, a plurality of cleaning tanks for storing the cleaning liquid, a drying tank for drying the wafer after the cleaning, an unloader section for storing the dried wafer, and a wafer. And an automatic wafer cleaning apparatus including a transport means for transporting the wafer.

【００１１】[0011]

【作用】本発明に係る自動洗浄装置は毎葉式であって、
ウエーハは搬送手段によって１枚ずつ支持されて搬送さ
れ、且つ連続的に洗浄処理される（即ち、一時的にスト
ックされない）ため、従来用いられていたキャリアが不
要となって所謂キャリアレスを実現することができ、キ
ャリアでの搬送に伴うウエーハの汚染の問題が解消さ
れ、ウエーハの品質向上を図ることができる。The automatic cleaning device according to the present invention is of a leaf-to-leaf type,
Since the wafers are supported and transported one by one by the transport means and are continuously washed (that is, they are not temporarily stocked), the conventionally used carrier is not required, and a so-called carrier-less is realized. Thus, the problem of wafer contamination due to transport by the carrier can be solved, and the quality of the wafer can be improved.

【００１２】又、特にウエーハが大口径であるために重
い場合であっても、ウエーハは搬送手段によって１枚ず
つ自動搬送されるため、作業者に負担を強いることがな
く、省力化が図られる。In addition, even if the wafer is heavy due to its large diameter, the wafers are automatically transferred one by one by the transfer means, so that no burden is imposed on the operator and labor can be saved. .

【００１３】[0013]

【実施例】以下に本発明の一実施例を添付図面に基づい
て説明する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

【００１４】図１、図２、図３は本発明に係る自動洗浄
装置の正面図、平面図、側面図、図４はフロシートであ
り、該自動洗浄装置は、ローダ部Ａ、ウエーハ受槽Ｂ、
予備洗浄槽Ｃ、ブラシ洗浄槽Ｄ、洗浄槽Ｅ，Ｆ，Ｇ，
Ｈ，Ｉ、２つの予備槽Ｊ，Ｋ、乾燥槽Ｌ及びアンローダ
部Ｍを有している。1, 2 and 3 are a front view, a plan view and a side view of an automatic cleaning apparatus according to the present invention, and FIG. 4 is a flow sheet. The automatic cleaning apparatus includes a loader section A, a wafer receiving tank B,
Pre-cleaning tank C, brush cleaning tank D, cleaning tanks E, F, G,
H, I, two preliminary tanks J, K, a drying tank L, and an unloader section M are provided.

【００１５】図４に示すように、前記ローダ部Ａとウエ
ーハ受槽Ｂにはライン１，２より純水（ＨＷ）が供給さ
れ、これらには純水が満たされている。尚、ローダ部Ａ
とウエーハ受槽Ｂのオーバーフロタンク３，４から漏れ
出た純水はライン５，６を経て排水ラインへ流れ、ロー
ダ部Ａとウエーハ受槽Ｂの純水のレベルは一定に保たれ
ている。As shown in FIG. 4, pure water (HW) is supplied to the loader section A and the wafer receiving tank B from lines 1 and 2, and these are filled with pure water. The loader unit A
The pure water leaked from the overflow tanks 3 and 4 of the wafer receiving tank B flows to the drain line via the lines 5 and 6, and the level of the pure water in the loader unit A and the wafer receiving tank B is kept constant.

【００１６】而して、前工程である研磨工程においてそ
の表面を鏡面研磨されたウエーハＷは、図２に示すよう
に、そのまま継続してローダ部Ａに１枚ずつ搬入され、
純水の流れに沿ってウエーハ受槽Ｂ内に送られる。The wafers W whose surfaces have been mirror-polished in the polishing step, which is the preceding step, are continuously loaded one by one into the loader section A as shown in FIG.
The wafer is sent into the wafer receiving tank B along the flow of pure water.

【００１７】ところで、ウエーハ受槽Ｂには、図５乃至
図７に示すウエーハ起立装置７が設けられている。尚、
図５はウエーハ起立装置７の平面図、図６、図７はそれ
ぞれ図５のａ−ａ線、ｂ−ｂ線断面図である。The wafer receiving tank B is provided with a wafer raising device 7 shown in FIGS. still,
FIG. 5 is a plan view of the wafer erecting device 7, and FIGS. 6 and 7 are sectional views taken along line aa and line bb of FIG. 5, respectively.

【００１８】図示のように、ウエーハ受槽Ｂには回転軸
８が軸受９，９を介して回転自在に支承されており、該
回転軸８の中央部には吸着アーム１０が結着されてい
る。そして、この吸着アーム１０の先部には吸着ノズル
１１が設けられており、該吸着ノズル１１には真空路１
２が開口している。尚、真空路１２は不図示の真空源に
接続されている。As shown in the figure, a rotating shaft 8 is rotatably supported on the wafer receiving tank B via bearings 9 and 9, and a suction arm 10 is attached to the center of the rotating shaft 8. . A suction nozzle 11 is provided at the tip of the suction arm 10, and the suction nozzle 11 has a vacuum path 1.
2 is open. The vacuum path 12 is connected to a vacuum source (not shown).

【００１９】又、上記吸着アーム１０上にはウエーハ受
け板１３が結着されており、該ウエーハ受け板１３には
４本のストッパピン１４…が円弧状に立設されている。A wafer receiving plate 13 is attached to the suction arm 10, and four stopper pins 14 are arranged on the wafer receiving plate 13 in an arc shape.

【００２０】一方、図７に示すように、前記回転軸８の
一端にはギヤ１５が結着されており、該ギヤ１５にはサ
ーボモータ１６の出力軸端に結着されたギヤ１７が噛合
している。On the other hand, as shown in FIG. 7, a gear 15 is connected to one end of the rotary shaft 8, and a gear 17 connected to an output shaft end of a servo motor 16 meshes with the gear 15. doing.

【００２１】而して、ウエーハ受槽Ｂ内に搬入されたウ
エーハＷは、図６に実線にて示すように、純水中で水平
を保って待機する吸着アーム１０の吸着ノズル１１上に
載置されるとともに、その外周の一部がウエーハ受け板
１３のストッパピン１４…に当接して位置決めされる。
その後、不図示の真空源が駆動されると、ウエーハＷは
真空ノズル１１に作用する負圧によって吸着保持され
る。As shown by the solid line in FIG. 6, the wafer W carried into the wafer receiving tank B is placed on the suction nozzle 11 of the suction arm 10 which is kept horizontal in pure water and stands by. At the same time, a part of the outer periphery of the wafer abuts against the stopper pins 14 of the wafer receiving plate 13 and is positioned.
Thereafter, when a vacuum source (not shown) is driven, the wafer W is sucked and held by the negative pressure acting on the vacuum nozzle 11.

【００２２】次に、サーボモータ１６が駆動されると、
これの回転はギヤ１７，１５を介して回転軸８に伝達さ
れ、該回転軸８と吸着アーム１０及びウエーハＷは図６
の矢印方向（時計方向）に９０°回動し、図６に鎖線に
て示すように、ウエーハＷは垂直に起立する。Next, when the servo motor 16 is driven,
The rotation is transmitted to the rotating shaft 8 via gears 17 and 15, and the rotating shaft 8, the suction arm 10 and the wafer W are
Then, the wafer W stands upright as shown by a chain line in FIG.

【００２３】上記のようにウエーハ起立装置７によって
起立せしめられたウエーハＷは、図８及び図９に示す搬
送ロボット２０によって垂直にハンドリングされてウエ
ーハ受槽Ｂから予備洗浄槽Ｃまで自動的に搬送される。The wafer W erected by the wafer erecting device 7 as described above is vertically handled by the transfer robot 20 shown in FIGS. 8 and 9, and is automatically transferred from the wafer receiving tank B to the pre-cleaning tank C. You.

【００２４】ここで、搬送ロボット２０のハンドリング
部の構成及び作用を図８及び図９に基づいて説明する。
尚、図８はハンドリング部の側断面図、図９は同ハンド
リング部の平面図である。Here, the configuration and operation of the handling unit of the transfer robot 20 will be described with reference to FIGS.
FIG. 8 is a side sectional view of the handling unit, and FIG. 9 is a plan view of the handling unit.

【００２５】図において、２１は上下動自在な軸２２の
上端に結着されたベースであり、該ベース２１には二重
軸構造を成す軸２３，２４が水平動自在に支持されてい
る。即ち、外側の中空状の軸２３はベース２１上に立設
された軸受２５に水平動自在に支承されており、該軸２
３内には小径の軸２４が軸受２６，２６にて摺動自在に
支持されて挿通している。そして、これら軸２３，２４
の各一端には、ウエーハＷをハンドリングすべきハンド
リングアーム２７，２８が垂直に支持されており、他端
にはアーム２９，３０がそれぞれ結着されている。In the figure, reference numeral 21 denotes a base which is connected to the upper end of a shaft 22 which can move up and down. Shafts 23 and 24 which form a double shaft structure are supported on the base 21 so as to be movable horizontally. That is, the outer hollow shaft 23 is supported by a bearing 25 erected on the base 21 so as to be horizontally movable.
A small-diameter shaft 24 is slidably supported by bearings 26 and 26 and is inserted into the inside 3. And these shafts 23, 24
At one end, handling arms 27 and 28 for handling the wafer W are vertically supported, and at the other end, arms 29 and 30 are respectively connected.

【００２６】上記各アーム２９，３０には軸３１，３２
が摺動自在に挿通しており、これらの軸３１，３２の相
対向する端部にはフランジ３３，３４が結着されてい
る。そして、フランジ３３，３４とアーム２９，３０の
間にはスプリング３５，３６が縮装されている。The arms 29 and 30 have shafts 31 and 32, respectively.
Are slidably inserted, and flanges 33 and 34 are connected to opposite ends of the shafts 31 and 32, respectively. Further, springs 35 and 36 are contracted between the flanges 33 and 34 and the arms 29 and 30.

【００２７】又、図９に示すように、前記ベース２１上
にはアクチュエータ３７が設置されており、該アクチュ
エータ３７の左右に延出するロッド３８…の端部にはフ
ランジ３９，４０が結着されている。そして、これらの
フランジ３９，４０は前記フランジ３３，３４に連結さ
れている。尚、前記軸２４の軸２３から延出する部分は
ベローズ４１にて被われている。As shown in FIG. 9, an actuator 37 is provided on the base 21. Flanges 39 and 40 are attached to ends of rods 38 extending to the left and right of the actuator 37. Have been. These flanges 39, 40 are connected to the flanges 33, 34. A portion of the shaft 24 extending from the shaft 23 is covered with a bellows 41.

【００２８】而して、アクチュエータ３７を駆動してロ
ッド３８…を同量だけ縮めると、軸２３，２４は互いに
逆方向に同量だけ移動し、これらに結着されたハンドリ
ングアーム２７，２８は図８に鎖線にて示すように開
き、ロッド３８…を同量だけ伸ばすと、軸２３，２４は
逆方向に同量移動してこれらに結着されたハンドリング
アーム２７，２８が閉じ、これらハンドリングアーム２
７，２８は図８に実線にて示すようにウエーハＷをハン
ドリングしてこれを垂直に支持する。尚、ハンドリング
アーム２７，２８がウエーハＷの外周に当接した後、軸
２３，２４がハンドリングアーム２７，２８を閉じる方
向に移動しても、この移動はスプリング３５，３６の圧
縮変形によって吸収されるため、ウエーハＷが過大な力
を受けて破損することがない。又、ハンドリングアーム
２７，２８の閉じ量は、図９に示すストッパ４３がフラ
ンジ３９に当接することよって規制される。When the actuators 37 are driven to contract the rods 38 by the same amount, the shafts 23 and 24 move in the opposite directions by the same amount, and the handling arms 27 and 28 attached thereto are moved. When the rods 38 are opened by the same amount as shown by the chain line in FIG. 8, the shafts 23 and 24 are moved in the opposite directions by the same amount, and the handling arms 27 and 28 attached thereto are closed. Arm 2
7 and 28 handle the wafer W and support it vertically as indicated by the solid line in FIG. After the handling arms 27 and 28 abut on the outer periphery of the wafer W, even if the shafts 23 and 24 move in the direction to close the handling arms 27 and 28, this movement is absorbed by the compression deformation of the springs 35 and 36. Therefore, the wafer W is not damaged by an excessive force. Further, the closing amount of the handling arms 27 and 28 is regulated by the stopper 43 shown in FIG.

【００２９】以上のようにして搬送ロボット２０によっ
てハンドリングされて予備洗浄槽Ｃに搬送されたウエー
ハＷは、予備洗浄槽Ｃ内に収容された洗浄液中に浸漬さ
れてその背面に付着したワックスが除去される。尚、図
４に示すように、予備洗浄槽Ｃ内へは、不図示の精製装
置から洗浄液がライン４４を経て供給される。The wafer W handled by the transfer robot 20 and transferred to the pre-cleaning tank C as described above is immersed in the cleaning liquid contained in the pre-cleaning tank C to remove wax adhering to the back surface. Is done. As shown in FIG. 4, a cleaning liquid is supplied into the preliminary cleaning tank C from a purification device (not shown) via a line 44.

【００３０】而して、予備洗浄槽Ｃにてワックスを除去
されたウエーハＷは、搬送ロボット２０によって再びハ
ンドリングされてブラシ洗浄槽Ｄに送られ、このブラシ
洗浄槽Ｄにてその両面を同時にブラシ洗浄される。The wafer W from which the wax has been removed in the pre-cleaning tank C is again handled by the transfer robot 20 and sent to the brush cleaning tank D. In the brush cleaning tank D, both surfaces are simultaneously brushed. Washed.

【００３１】ここで、ブラシ洗浄槽Ｄに設けられるブラ
シ洗浄装置５０の構成を図１０乃至図１４に基づいて説
明する。尚、図１０はブラシ洗浄装置５０の破断側面
図、図１１は図１０の矢視ｄ方向の図、図１２は同ブラ
シ洗浄装置５０の破断平面図、図１３は図１２のｅ−ｅ
線断面図、図１４は図１２の矢視ｆ方向の図である。Here, the structure of the brush cleaning device 50 provided in the brush cleaning tank D will be described with reference to FIGS. 10 is a cutaway side view of the brush cleaning device 50, FIG. 11 is a view taken in the direction of arrow d in FIG. 10, FIG. 12 is a cutaway plan view of the brush cleaning device 50, and FIG.
14 is a view in the direction of arrow f in FIG. 12.

【００３２】図１０及び図１１において、５１は垂直に
回転自在に支承されたネジ軸であって、このネジ軸５１
にはガイド５２，５２に沿って上下動するスライダ５３
が螺合しており、このスライダ５３にはベース部材５４
が支持されている。そして、ネジ軸５１の上端部にはギ
ヤ５５が結着されており、該ギヤ５５は駆動モータ５６
の出力軸端に結着されたギヤ５７に噛合している。In FIGS. 10 and 11, reference numeral 51 denotes a screw shaft which is vertically rotatably supported.
A slider 53 that moves up and down along guides 52
The slider 53 has a base member 54
Is supported. A gear 55 is connected to the upper end of the screw shaft 51, and the gear 55 is
And the gear 57 connected to the end of the output shaft.

【００３３】又、前記ベース部材５４には、図１２に示
すように、２本の回転軸５８，５９が水平、且つ回転自
在に支承されており、これらの回転軸５８，５９の先部
には駆動ローラ６０，６１が結着されている。そして、
回転軸５８，５９の先部に結着されたプレート６２には
２つのガイドローラ６３，６４が回転自在に支承されて
おり、これらのガイドローラ６３，６４と前記駆動ロー
ラ６０，６１とは、図１３に示すように、ウエーハＷの
外周部を支持すべく円弧状に配されている。As shown in FIG. 12, two rotating shafts 58, 59 are horizontally and rotatably supported on the base member 54. Are connected to drive rollers 60 and 61. And
Two guide rollers 63 and 64 are rotatably supported on a plate 62 attached to the front ends of the rotating shafts 58 and 59. These guide rollers 63 and 64 and the driving rollers 60 and 61 As shown in FIG. 13, the wafer W is arranged in an arc shape to support the outer peripheral portion of the wafer W.

【００３４】更に、前記ベース部材５４上には駆動モー
タ６５が設置されており、図１１に示すように、該駆動
モータ６５の出力軸端に結着されたプーリ６６と前記回
転軸５８に結着されたプーリ６７間にはベルト６８が巻
装されている。又、回転軸５８の中間部にはもう一方の
プーリ６９が結着されており、該プーリ６９と前記回転
軸５９に結着されたプーリ７０間にはベルト７１が巻装
されている。尚、ベルト７１には、図１１に示すよう
に、軸７２を中心に回動するテンションプーリ７３によ
って所定の張力が付与されている。A drive motor 65 is mounted on the base member 54. As shown in FIG. 11, a drive motor 65 is connected to a pulley 66 connected to an output shaft end of the drive motor 65 and the rotary shaft 58. A belt 68 is wound between the attached pulleys 67. Another pulley 69 is connected to an intermediate portion of the rotary shaft 58, and a belt 71 is wound between the pulley 69 and the pulley 70 connected to the rotary shaft 59. As shown in FIG. 11, a predetermined tension is applied to the belt 71 by a tension pulley 73 that rotates around a shaft 72.

【００３５】一方、図１２に示すように、前記回転軸５
８，５９の軸方向と直交する方向には２本の回転ブラシ
７４，７５が回転自在に配されており、これらの回転ブ
ラシ７４，７５は回転軸５８，５９の軸方向（図１２の
左右方向）に移動自在に支持されている。即ち、回転ブ
ラシ７４，７５を支持する回転軸７６，７７は、平行に
敷設されたガイドレール７８，７８に沿って移動自在な
軸受部材７９，７９，８０，８０によて回転自在に支承
されている。尚、回転軸７６，７７は、これらの外周に
縮装されたスプリング８１，８２によって一方向に付勢
されており、その一端にはプーリ８３，８４が各々結着
されている。On the other hand, as shown in FIG.
Two rotating brushes 74, 75 are rotatably arranged in a direction orthogonal to the axial direction of the rotating shafts 8, 59, and these rotating brushes 74, 75 are arranged in the axial direction of the rotating shafts 58, 59 (the left and right in FIG. 12). Direction). That is, the rotating shafts 76, 77 supporting the rotating brushes 74, 75 are rotatably supported by bearing members 79, 79, 80, 80 which are movable along guide rails 78, 78 laid in parallel. ing. The rotation shafts 76 and 77 are urged in one direction by springs 81 and 82 compressed around their outer circumferences, and pulleys 83 and 84 are respectively connected to one ends thereof.

【００３６】又、前記各一方の軸受部材７９，８０を支
持するベース部材８５，８６上には、駆動モータ８７，
８８が各々設置されており、これらの駆動モータ８７，
８８の各出力軸端にはプーリ８９，９０が結着されてい
る。そして、プーリ８９とプーリ８３間、プーリ９０と
プーリ８４間にはベルト９１，９２がそれぞれ巻装され
ている。On the base members 85, 86 supporting the one bearing members 79, 80, drive motors 87, 86 are provided.
88 are provided respectively, and these drive motors 87,
Pulleys 89 and 90 are connected to the ends of the output shafts 88. Belts 91 and 92 are wound between the pulley 89 and the pulley 83 and between the pulley 90 and the pulley 84, respectively.

【００３７】更に、図１４に示すように、固定ベース９
３上にはアクチュエータ９４が設置されており、該アク
チュエータ９４の左右に延出するローラ９５…にはジョ
イント９６，９６，９７，９７を介して前記ベース部材
８５，８６が連結されている。尚、各ベース部材８５，
８６は各ジョイント９６，９６と固定ベース９３上に立
設されたリテーナ９８，９８間に介設されたスプリング
９９，９９によって互いに離反する方向に付勢されてい
る。又、固定ベース９３上にはストッパ支持部材１０
０，１００が立設されており、これらの支持部材１０
０，１００にはベース部材８５，８６の移動量を規制す
るためのストッパ１０１，１０１が進退自在に螺合して
いる。Further, as shown in FIG.
An actuator 94 is installed on the base 3, and the base members 85 and 86 are connected to rollers 95... Extending to the left and right of the actuator 94 via joints 96, 96, 97 and 97. In addition, each base member 85,
The springs 86 are urged away from each other by springs 99, 99 interposed between the joints 96, 96 and retainers 98, 98 erected on the fixed base 93. The stopper support member 10 is provided on the fixed base 93.
0, 100 are erected, and these support members 10
Stoppers 101, 101 for restricting the amount of movement of the base members 85, 86 are threadably engaged with the reference numerals 0, 100, respectively.

【００３８】而して、図４に示すように、ブラシ洗浄槽
Ｄ内へは、ヒータ槽１０２で所定温度（例えば、４０
℃）に加熱された薬液及び純水（ＨＷ）が供給され、ブ
ラシ洗浄槽ＤにおいてはウエーハＷが図１０乃至図１４
に示したブラシ洗浄装置５０によってその両面を同時に
ブラシ洗浄されてパーティクルが除去される。尚、ヒー
タ槽１０２にはライン１０３，１０４，１０５からそれ
ぞれ薬液、純水が供給され、ブラシ洗浄槽Ｄにはライン
１０６，１０７から薬液、純水がそれぞれ供給される。
そして、ブラシ洗浄槽Ｄで使用された薬液や純水は、ラ
イン１０８を経て排出される。Then, as shown in FIG. 4, a predetermined temperature (for example, 40
° C) and a chemical solution and pure water (HW) are supplied to the brush cleaning tank D.
Are brush-cleaned on both sides thereof at the same time to remove particles. A chemical solution and pure water are supplied to the heater tank 102 from lines 103, 104, and 105, respectively, and a chemical solution and pure water are supplied to the brush cleaning tank D from lines 106 and 107, respectively.
Then, the chemical solution and pure water used in the brush cleaning tank D are discharged through the line 108.

【００３９】ここで、ブラシ洗浄装置５０の作用を図１
０乃至図１４に従って説明する。The operation of the brush cleaning device 50 will now be described with reference to FIG.
0 to FIG.

【００４０】ブラシ洗浄装置５０においては、ウエーハ
Ｗが投入される以前は図１４に示すアクチュエータ９４
のロッド９５…はスプリング９９，９９の弾発力を受け
て伸長しており、従って回転ブラシ７４，７５は図１０
に鎖線にて示すように互いに離間しており、両者の間に
は所定の隙間が形成されている。In the brush cleaning device 50, before the wafer W is loaded, the actuator 94 shown in FIG.
Are extended by the resilience of the springs 99, 99, so that the rotating brushes 74, 75
Are separated from each other as shown by a chain line, and a predetermined gap is formed between the two.

【００４１】而して、前記搬送ロボット２０（図８参
照）によってハンドリングされたウエーハＷは回転ブラ
シ７４，７５間の隙間に垂直に嵌め込まれ、その下半部
外周が前記駆動ローラ６０，６１及びガイドローラ６
３，６４によって受けられる。Thus, the wafer W handled by the transfer robot 20 (see FIG. 8) is vertically fitted into the gap between the rotating brushes 74 and 75, and the outer periphery of the lower half thereof is covered with the drive rollers 60 and 61 and the drive rollers 60 and 61. Guide roller 6
3,64.

【００４２】その後、アクチュエータ９４が駆動されて
ロッド９５…が縮められると、回転ブラシ７４，７５は
互いに近づいてこれらの間でウエーハＷを挟持する。Thereafter, when the actuators 94 are driven and the rods 95 are contracted, the rotating brushes 74 and 75 approach each other and sandwich the wafer W between them.

【００４３】上記状態において駆動モータ６５を駆動す
れば（図１１参照）、これの回転はプーリ６６、ベルト
６８及びプーリ６７を経て回転軸５８に伝達されるとと
もに、更にプーリ６９、ベルト７１及びプーリ７０を経
て回転軸５９に伝達され、これによって両回転軸５８，
５９が回転駆動され、これらに支持されたウエーハＷが
所定の速度で回転駆動される。When the drive motor 65 is driven in the above state (see FIG. 11), the rotation is transmitted to the rotary shaft 58 via the pulley 66, the belt 68 and the pulley 67, and further, the pulley 69, the belt 71 and the pulley 70 to the rotating shaft 59, whereby the two rotating shafts 58,
59 is driven to rotate, and the wafer W supported by them is driven to rotate at a predetermined speed.

【００４４】又、図１２において駆動モータ８７，８８
を駆動すれば、これらの回転はプーリ８９，９０、ベル
ト９１，９２及びプーリ８３，８４を経て回転軸７６，
７７に伝達され、該回転軸７６，７７及びこれらに各々
支持された回転ブラシ７４，７５が互いに逆方向（ウエ
ーハＷを駆動ローラ６０，６１及びガイドローラ６３，
６４に押し付ける方向）に回転し、ウエーハＷの両面は
回転ブラシ７４，７５によって洗浄されてパーティクル
が除去される。そして、このブラシ洗浄時においては、
駆動モータ５６（図１１参照）が周期的に正逆転駆動さ
れ、これの回転はギヤ５７，５５を経てネジ軸５１に伝
達され、このネジ軸５１の正逆の回転によってこれに螺
合するスライダ５３がベース部材５４と共に上下動する
ため、駆動ローラ６０，６１及びガイドローラ６３，６
４とこれらに支持されたウエーハＷも一体的に上下動
し、ウエーハＷの中心部も回転ブラシ７４，７５によっ
てムラ無く洗浄される。In FIG. 12, the driving motors 87, 88
, These rotations are transmitted through pulleys 89 and 90, belts 91 and 92, and pulleys 83 and 84 to rotate shafts 76 and 90.
The rotating shafts 76 and 77 and the rotating brushes 74 and 75 respectively supported by the rotating shafts 77 and 77 rotate the wafer W in opposite directions (the wafer W is driven by the driving rollers 60 and 61 and the guide rollers 63 and 75).
The wafer W is rotated in the direction of pressing against the wafer 64, and both surfaces of the wafer W are cleaned by the rotating brushes 74 and 75 to remove particles. And at the time of this brush cleaning,
A drive motor 56 (see FIG. 11) is periodically driven forward and reverse, and the rotation of the drive motor 56 is transmitted to the screw shaft 51 via gears 57 and 55, and the forward and reverse rotation of the screw shaft 51 causes the slider to be screwed thereto. Since the 53 moves up and down together with the base member 54, the driving rollers 60 and 61 and the guide rollers 63 and 6
4 and the wafer W supported thereon also move up and down as a unit, and the center of the wafer W is also cleaned by the rotating brushes 74 and 75 without unevenness.

【００４５】以上のようにブラシ洗浄されたウエーハＷ
は、搬送ロボット２０によってハンドリングされて次の
洗浄槽Ｅへ搬送されてここでリンス処理される。The wafer W brush-washed as described above
Is handled by the transfer robot 20 and transferred to the next cleaning tank E where it is rinsed.

【００４６】ここで、洗浄槽Ｅの構成を図１５乃至図１
９に基づいて説明する。尚、図１５は洗浄槽Ｅの破断正
面図、図１６は同平面図、図１７は同破断側面図、図１
８は図１７のｇ部拡大詳細図、図１９は図１５の矢視ｈ
方向の図である。Here, the structure of the cleaning tank E is shown in FIGS.
9 will be described. FIG. 15 is a cutaway front view of the cleaning tank E, FIG. 16 is a plan view thereof, FIG. 17 is a cutaway side view thereof, and FIG.
8 is an enlarged detailed view of a part g in FIG. 17, and FIG. 19 is an arrow h in FIG.
FIG.

【００４７】洗浄槽Ｅは偏平なタンク１１０を構成して
おり、該タンク１１０の長壁面にはオーバーフロータン
ク１１１が形成されており、該オーバーフロータンク１
１１の底部にはオーバーフローパイプ１１２が接続され
ている。尚、オーバーフローパイプ１１２は図４に示す
排水ライン１３２に接続されている。The washing tank E constitutes a flat tank 110, and an overflow tank 111 is formed on the long wall of the tank 110.
An overflow pipe 112 is connected to the bottom of the pipe 11. The overflow pipe 112 is connected to a drain line 132 shown in FIG.

【００４８】又、タンク１１０の底部にはドレインパイ
プ１１３が接続されており、図１５及び図１９に示すよ
うに、タンク１１０の底面は長辺方向にはドレインパイ
プ１１３に向かって下方に傾斜し、短辺方向にも一方に
向かって下方に傾斜している。A drain pipe 113 is connected to the bottom of the tank 110. As shown in FIGS. 15 and 19, the bottom of the tank 110 is inclined downward toward the drain pipe 113 in the long side direction. , Are also inclined downward toward one side in the short side direction.

【００４９】更に、タンク１１０の上部には、長手方向
に長いカバー部材１１４によって区画されるチャンバー
Ｓが形成されており、該チャンバーＳには図４に示す給
水ライン１１５の給水パイプ１１６が接続されている。
そして、図１８に詳細に示すように、前記チャンバーＳ
はタンク１１０の壁に斜めに穿設された複数のノズル１
１７…を介してタンク１１０内に連通している。Further, a chamber S defined by a cover member 114 which is long in the longitudinal direction is formed on the upper part of the tank 110, and a water supply pipe 116 of a water supply line 115 shown in FIG. ing.
Then, as shown in detail in FIG.
Denotes a plurality of nozzles 1 obliquely formed in the wall of the tank 110
17 communicates with the inside of the tank 110.

【００５０】又、タンク１１０の前記給水パイプ１１６
の下方には、同じく給水ライン１１５（図４参照）に接
続された給水パイプ１１８が接続されている。尚、図１
５において、１１９は薬液供給パイプである。The water supply pipe 116 of the tank 110
Below, a water supply pipe 118 also connected to a water supply line 115 (see FIG. 4) is connected. FIG.
In 5, reference numeral 119 denotes a chemical supply pipe.

【００５１】一方、タンク１１０内にはウエーハＷを垂
直に対して若干傾いた状態で支持する矩形枠状のホルダ
ー１２０が収容されている。このホルダー１２０の下端
部の左右には、ウエーハＷの外周を支持すべきローラ１
２１，１２１が回転自在に軸支されており、該ホルダー
１２０は、図１７に示すように、その上端部に形成され
た鍵部１２０ａがタンク１１０の上端縁に引っ掛けられ
ることによって、タンク１１０内に垂直に支持されてい
る。On the other hand, a rectangular frame-shaped holder 120 for supporting the wafer W in a slightly inclined state with respect to the vertical is accommodated in the tank 110. Rollers 1 to support the outer periphery of the wafer W are provided on the left and right of the lower end of the holder 120.
As shown in FIG. 17, the holder 120 has a key portion 120a formed on the upper end thereof hooked on the upper end edge of the tank 110, so that the holder 120 is rotatable. It is supported vertically.

【００５２】ところで、図４に示すように、当該洗浄槽
Ｅ全体は、純水で満たされたタンク１２２内に浸漬され
ており、タンク１２２の下部には超音波発振器１２３が
取り付けられている。As shown in FIG. 4, the entire cleaning tank E is immersed in a tank 122 filled with pure water, and an ultrasonic oscillator 123 is mounted below the tank 122.

【００５３】而して、前記搬送ロボット２０（図８及び
図９参照）に支持されたウエーハＷは、図１５に示すよ
うに、ホルダー１２０のローラ１２１，１２１にその外
周が支持された状態でタンク１１０内の純水中に浸漬さ
れており、これは前記複数のノズル１１７…（図１８参
照）からタンク１１０内に噴出される水流をその上面に
受けて図１７に示すように垂直に対して若干傾いた状態
でホルダー１２０に受けられ、その姿勢が安定に保たれ
ている。尚、純水は主に給水パイプ１１８からタンク１
１０内に供給され、タンク１１０からオーバーフロータ
ンク１１１にオーバーフローした純水は、オーバーフロ
ーパイプ１１２から排出ライン１３２（図４参照）へと
排出される。As shown in FIG. 15, the wafer W supported by the transfer robot 20 (see FIGS. 8 and 9) is held in a state where the outer periphery thereof is supported by the rollers 121 of the holder 120. It is immersed in pure water in a tank 110, which receives a stream of water jetted into the tank 110 from the plurality of nozzles 117 ... (see FIG. 18) on its upper surface, and as shown in FIG. It is received by the holder 120 in a slightly inclined state, and its posture is kept stable. The pure water is mainly supplied from the water supply pipe 118 to the tank 1.
Pure water supplied into the tank 10 and overflowing from the tank 110 to the overflow tank 111 is discharged from the overflow pipe 112 to a discharge line 132 (see FIG. 4).

【００５４】上記状態において、洗浄槽Ｅ全体は前記超
音波発振器１２３による超音波振動を受け、該洗浄槽Ｅ
内ではホルダー１２０に支持されたウエーハＷが純水に
よってリンス処理される。In the above state, the entire cleaning tank E is subjected to ultrasonic vibration by the ultrasonic oscillator 123, and
Inside, the wafer W supported by the holder 120 is rinsed with pure water.

【００５５】次に、前記洗浄槽Ｆについて述べるが、該
洗浄槽Ｆの構成は洗浄槽Ｅのそれと同じであって、図４
に示すように、該洗浄槽Ｆの下方にはタンク１２４が設
置されている。Next, the cleaning tank F will be described. The configuration of the cleaning tank F is the same as that of the cleaning tank E.
As shown in the figure, a tank 124 is provided below the cleaning tank F.

【００５６】而して、タンク１２４内には薬液がライン
１２５，１２６を経て供給され、薬液はポンプ１２７に
よって昇圧された後、ラインヒータ１２８によって所定
温度（約８０℃）に加熱された後、フィルタ１２９を通
過して洗浄槽Ｆ内に供給される。A chemical solution is supplied into the tank 124 through the lines 125 and 126, and after the chemical solution is pressurized by the pump 127 and heated to a predetermined temperature (about 80 ° C.) by the line heater 128, After passing through the filter 129, it is supplied into the cleaning tank F.

【００５７】一方、前記洗浄槽Ｅでリンス処理されたウ
エーハＷは、搬送ロボット２０にハンドリングされて洗
浄槽Ｅから取り出された後、洗浄槽Ｆまで搬送され、図
１５に示したと同じ状態で洗浄槽Ｆ中の薬液中に浸漬さ
れ、その表面に付着したパーティクルが除去される。On the other hand, the wafer W rinsed in the cleaning tank E is handled by the transfer robot 20 and taken out of the cleaning tank E, then transferred to the cleaning tank F, and cleaned in the same state as shown in FIG. The particles immersed in the chemical solution in the tank F and attached to the surface thereof are removed.

【００５８】尚、洗浄槽Ｆ中でパーティクルが除去され
たウエーハＷは高温（約８０℃）であって、これをその
まま引き上げると表面が乾燥して不具合が生ずるため、
洗浄槽Ｆ中の高温の薬液は図４に示すライン１３０から
タンク１２４内に戻され、これと同時に純水ライン１１
５から洗浄槽Ｆ中に純水が供給され、この純水によって
ウエーハＷが急冷されると同時にリンス処理される。そ
して、ウエーハＷの冷却に供された純水は、ライン１３
１から排水ライン１３２へと排出される。Incidentally, the wafer W from which particles have been removed in the cleaning tank F is at a high temperature (about 80 ° C.).
The high temperature chemical in the cleaning tank F is returned to the tank 124 from the line 130 shown in FIG.
From 5, pure water is supplied into the cleaning tank F, and the wafer W is rapidly cooled by the pure water and simultaneously rinsed. The pure water used for cooling the wafer W is supplied to the line 13
1 to a drain line 132.

【００５９】ところで、前記洗浄槽Ｇ，Ｈ，Ｉの構成も
前記洗浄槽Ｅ，Ｆのそれと同じであって、洗浄槽Ｈにて
洗浄されたウエーハＷは、搬送ロボット２０によって洗
浄槽Ｇ，Ｈ，Ｉに順次搬送され、該ウエーハＷは洗浄槽
Ｇ，Ｉでは純水によってリンス処理され、洗浄槽Ｈでは
薬液によって洗浄されてその表面に付着したイオン性不
純物が除去される。The cleaning tanks G, H and I have the same construction as that of the cleaning tanks E and F. The wafer W cleaned in the cleaning tank H is transferred by the transfer robot 20 to the cleaning tanks G and H. , I are sequentially conveyed, and the wafer W is rinsed with pure water in the cleaning tanks G and I, and washed with a chemical solution in the cleaning tank H to remove ionic impurities attached to the surface.

【００６０】而して、予備洗浄槽Ｃ乃至洗浄槽Ｉによっ
て洗浄処理されたウエーハＷは、搬送ロボット２０によ
って前記乾燥槽Ｌに搬送され、ここで速成乾燥される。The wafer W cleaned by the pre-cleaning tanks C to I is transported by the transport robot 20 to the drying tank L, where it is rapidly dried.

【００６１】ここで、乾燥槽Ｌの構成の詳細を図２０に
基づいて説明する。Here, the configuration of the drying tank L will be described in detail with reference to FIG.

【００６２】乾燥槽Ｌは断熱性の高いＳＵＳ製のケーシ
ング１４１を有し、該ケーシング１４１内の中央部には
石英製のビーカ１４２が立設されている。ビーカ１４２
の上部は開口しており、その上端部には純水を噴出すべ
きシャワー１４３が設けられており、下端部には不活性
ガス供給パイプ１４４及び純水ドレインパイプ１４５が
接続されている。The drying tank L has a casing 141 made of SUS having high heat insulating properties, and a beaker 142 made of quartz stands upright in the center of the casing 141. Beaker 142
The upper part is open, the upper end thereof is provided with a shower 143 for ejecting pure water, and the lower end thereof is connected with an inert gas supply pipe 144 and a pure water drain pipe 145.

【００６３】又、上記ビーカ１４２はその周囲を筒状の
遮蔽板１４６によって被われており、該遮蔽板１４６の
一方の内面には短波長赤外線ランプで構成される短波ラ
ジエータ１４７，１４７が上下２段に設けられ、同じく
遮蔽板１４６の内面の短波ラジエータ１４７，１４７に
対向する位置には中波長赤外線ランプで構成される中波
ラジエータ１４８，１４８が設けられている。The beaker 142 is covered at its periphery by a cylindrical shielding plate 146, and short-wave radiators 147, 147 each composed of a short-wave infrared lamp are provided on one inner surface of the shielding plate 146. Medium-wave radiators 148, 148, each of which is constituted by a medium-wavelength infrared lamp, are provided on the inner surface of the shield plate 146 and at positions facing the short-wave radiators 147, 147.

【００６４】ところで、ビーカ１４２の上面開口部は蓋
部材１４９によって閉塞されており、前記ケーシング１
４１の上部には２台の冷却ファン１５０，１５０が設け
られている。The upper opening of the beaker 142 is closed by a cover member 149, and the casing 1
Two cooling fans 150, 150 are provided in the upper part of 41.

【００６５】而して、ビーカ１４２の内部はシャワー１
４３から噴出される純水によって洗浄され、洗浄に共さ
れた純水は前記純水ドレインパイプ１４５からケーシン
グ１４１外へ排出される。その後、中波ラジエータ１４
８，１４８と冷却ファン１５０，１５０がＯＮされ、中
波ラジエータ１４８，１４８によってビーカ１４２が先
ず温められる。尚、中波ラジエータ１４８，１４８（８
００Ｗ×２）による中波長赤外線の照射時間と槽内温度
との関係を図２１に示す。The inside of the beaker 142 is the shower 1
The pure water ejected from the nozzle 43 is washed, and the pure water that has been washed is discharged from the pure water drain pipe 145 to the outside of the casing 141. Then, the medium wave radiator 14
8, 148 and cooling fans 150, 150 are turned on, and the beaker 142 is first warmed by the medium-wave radiators 148, 148. The medium wave radiators 148, 148 (8
FIG. 21 shows the relationship between the irradiation time of the middle-wavelength infrared ray (00W × 2) and the temperature in the bath.

【００６６】次に、ビーカ１４２内にウエーハＷがセッ
トされると、短波ラジエータ１４７，１４７がＯＮされ
るとともに、ビーカ１４２内には不活性ガス供給パイプ
１４４から不活性ガス（Ｎ2 ，Ａｒガス等）が封入さ
れ、ウエーハＷは不活性ガス雰囲気中でその鏡面（研磨
面）を短波ラジエータ１４７，１４７によって短波長赤
外線の照射を受けて強制的に速成乾燥せしめられる。こ
こで、短波ラジエータ１４７，１４７（１．５ＫＷ×
２）による短波長赤外線の照射時間と槽内温度との関係
を図２２に示すが、中波ラジエータ１４８，１４８によ
って中波長赤外線を３０秒間照射すると槽内温度が約２
５℃となる（図２１参照）のに対し、短波長ラジエータ
１４７，１４７によって短波長赤外線を同じ時間（３０
秒間）だけ照射すると約７０℃に急上昇することがわか
る。尚、短波ラジエータ１４７，１４７、中波ラジエー
タ１４８，１４８がＯＮされると冷却ファン１５０，１
５０が駆動され、これら短波ラジエータ１４７，１４７
及び中波ラジエータ１４８，１４８が冷却される。Next, when the wafer W is set in the beaker 142, the short-wave radiators 147, 147 are turned on, and the inert gas (N2, Ar gas, etc.) is supplied from the inert gas supply pipe 144 into the beaker 142. ) Is sealed, and the mirror surface (polished surface) of the wafer W is irradiated with short-wavelength infrared rays by short-wave radiators 147 and 147 in an inert gas atmosphere to be forcibly dried quickly. Here, the short-wave radiators 147, 147 (1.5 KW ×
FIG. 22 shows the relationship between the irradiation time of the short-wavelength infrared ray according to 2) and the temperature in the chamber.
5 ° C. (see FIG. 21), while short-wavelength radiators 147 and 147 radiate short-wavelength infrared rays for the same time (30 seconds).
It can be seen that the temperature rises sharply to about 70 ° C. when the irradiation is performed for only (seconds). When the short-wave radiators 147 and 147 and the medium-wave radiators 148 and 148 are turned on, the cooling fans 150 and 1 are turned on.
50 are driven, and these short-wave radiators 147, 147
And the medium-wave radiators 148, 148 are cooled.

【００６７】以上のように、赤外線によって乾燥された
ウエーハＷは、搬送ロボット２０によって乾燥槽Ｌから
取り出されてアンローダ部Ｍにセットされたウエーハカ
セット１５１（図４参照）内に１枚ずつ収納され、ここ
にウエーハＷの洗浄が１枚ずつ連続的、且つ自動的にな
される。このように、本発明に係る自動洗浄装置は毎葉
式であって、ウエーハＷは搬送ロボット２０によって１
枚ずつ支持されて搬送され、且つ連続的に処理される
（即ち、一時的にストックされない）ため、従来用いら
れていたキャリアが不要となって所謂キャリアレスを実
現することができ、キャリアでの搬送に伴うウエーハＷ
の汚染の問題が解消され、ウエーハＷの品質向上を図る
ことができる。又、特にウエーハＷが大径であるために
重い場合であっても、ウエーハＷは搬送ロボット２０に
よって１枚ずつ自動搬送されるため、作業者に負担を強
いることがなく、省力化が図られる。As described above, the wafers W dried by infrared rays are taken out of the drying tank L by the transfer robot 20 and stored one by one in the wafer cassette 151 (see FIG. 4) set in the unloader section M. Here, the cleaning of the wafer W is continuously and automatically performed one by one. As described above, the automatic cleaning apparatus according to the present invention is of a leaf-to-leaf type, and
Since the sheets are supported and conveyed one by one and are continuously processed (that is, they are not temporarily stocked), the so-called carrier-less can be realized by eliminating the conventionally used carrier, and the carrier can be used. Wafer W for transport
Is solved, and the quality of the wafer W can be improved. In addition, even if the wafer W is heavy due to its large diameter, the wafer W is automatically transferred one by one by the transfer robot 20, so that no burden is imposed on the worker and labor is saved. .

【００６８】[0068]

【発明の効果】以上の説明で明らかな如く、本発明によ
れば、洗浄すべきウエーハを液中で１枚ずつ受け入れる
ローダ部と、受け入れられたウエーハを回転する一対の
回転ブラシ間に挟持してこれの両面を同時に洗浄するブ
ラシ洗浄槽と、洗浄液を収容する複数の洗浄槽と、洗浄
が終了したウエーハを乾燥させる乾燥槽と、乾燥された
ウエーハを収納するアンローダ部と、ウエーハを支持し
てこれを搬送する搬送手段を含んでウエーハの自動洗浄
装置を構成したため、従来用いられていたキャリアを廃
し（キャリアレスの実現）、省力化、品質向上等を図る
ことができるという効果が得られる。As is apparent from the above description, according to the present invention, a loader unit for receiving wafers to be washed one by one in a liquid and a pair of rotating brushes for rotating the received wafers are held. A brush cleaning tank for simultaneously cleaning both sides of the wafer, a plurality of cleaning tanks for storing the cleaning liquid, a drying tank for drying the wafer after the cleaning, an unloader section for storing the dried wafer, and a wafer. Since an automatic wafer cleaning apparatus is configured to include a transport means for transporting the carrier, an effect that a conventionally used carrier is eliminated (realization of a carrier-less), labor saving and quality improvement can be achieved. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明に係る自動洗浄装置の正面図である。FIG. 1 is a front view of an automatic cleaning device according to the present invention.

【図２】本発明に係る自動洗浄装置の平面図である。FIG. 2 is a plan view of the automatic cleaning device according to the present invention.

【図３】本発明に係る自動洗浄装置の側面図である。FIG. 3 is a side view of the automatic cleaning device according to the present invention.

【図４】本発明に係る自動洗浄装置のフロシートであ
る。FIG. 4 is a flow sheet of the automatic cleaning device according to the present invention.

【図５】ウエーハ起立装置の平面図である。FIG. 5 is a plan view of the wafer standing device.

【図６】図５のａ−ａ線断面図である。FIG. 6 is a sectional view taken along line aa of FIG. 5;

【図７】図５のｂ−ｂ線断面図である。FIG. 7 is a sectional view taken along line bb of FIG. 5;

【図８】搬送ロボットのハンドリング部の側断面図であ
る。FIG. 8 is a side sectional view of a handling unit of the transfer robot.

【図９】搬送ロボットのハンドリング部の平面図であ
る。FIG. 9 is a plan view of a handling unit of the transfer robot.

【図１０】ブラシ洗浄装置の破断側面図である。FIG. 10 is a cutaway side view of the brush cleaning device.

【図１１】図１０の矢視ｄ方向の図である。11 is a view in the direction of arrow d in FIG. 10;

【図１２】ブラシ洗浄装置の破断平面図である。FIG. 12 is a cutaway plan view of the brush cleaning device.

【図１３】図１２のｅ−ｅ線断面図である。FIG. 13 is a sectional view taken along line ee of FIG. 12;

【図１４】図１２の矢視ｆ方向の図である。14 is a view in the direction of arrow f in FIG.

【図１５】洗浄槽の破断正面図である。FIG. 15 is a cutaway front view of the cleaning tank.

【図１６】洗浄槽の平面図である。FIG. 16 is a plan view of a cleaning tank.

【図１７】洗浄槽の破断側面図である。FIG. 17 is a cutaway side view of the cleaning tank.

【図１８】図１７のｇ部拡大詳細図である。18 is an enlarged detailed view of a part g in FIG. 17;

【図１９】図１５の矢視ｈ方向の図である。19 is a view in the direction of arrow h in FIG.

【図２０】乾燥槽の断面図である。FIG. 20 is a sectional view of a drying tank.

【図２１】中波ラジエータによる中波長赤外線の照射時
間と槽内温度との関係を示す図である。FIG. 21 is a diagram showing the relationship between the irradiation time of medium-wavelength infrared rays by the medium-wave radiator and the temperature in the bath.

【図２２】短波ラジエータによる短波長赤外線の照射時
間と槽内温度との関係を示す図である。FIG. 22 is a diagram showing the relationship between the irradiation time of short-wave infrared rays by a short-wave radiator and the temperature in a bath.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

Ａ ローダ部 Ｂ ウエーハ受槽 Ｃ 予備洗浄槽 Ｄ ブラシ洗浄槽 Ｅ〜Ｉ 洗浄槽 Ｌ 乾燥槽 Ｍ アンローダ部 ２０ 搬送ロボット（搬送手段） ５０ ブラシ洗浄装置 ７４，７５ 回転ブラシ A Loader section B Wafer receiving tank C Pre-cleaning tank D Brush cleaning tank EI Cleaning tank L Drying tank M Unloader section 20 Transfer robot (transporting means) 50 Brush cleaning device 74, 75 Rotary brush

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木村 嘉晴 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地信越半導体株式会社 半導体白 河研究所内 (72)発明者 鈴木 盛江 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地信越半導体株式会社 半導体白 河研究所内 (56)参考文献 特開 平２−250324（ＪＰ，Ａ) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yoshiharu Kimura Fukushima Prefecture Nishishirakawa-gun Nishigo-mura Odakura-shi Ohira 150 Semiconductor-Shirakawa Research Laboratories Shin-Etsu Semiconductor Co., Ltd. Odakura Ohira 150 Address Shin-Etsu Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor Shirakawa Laboratory (56) References JP-A-2-250324 (JP, A)

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 洗浄すべきウエーハを液中で１枚ずつ受
け入れるローダ部と、受け入れられたウエーハを回転す
る一対の回転ブラシ間に挟持してこれの両面を同時に洗
浄するブラシ洗浄槽と、洗浄液を収容する複数の洗浄槽
と、洗浄が終了したウエーハを乾燥させる乾燥槽と、乾
燥されたウエーハを収納するアンローダ部と、ウエーハ
を支持してこれを搬送する搬送手段を含んで構成される
ことを特徴とするウエーハの自動洗浄装置。1. A loader for receiving wafers to be cleaned one by one in a liquid, a brush cleaning tank for sandwiching the received wafer between a pair of rotating brushes for rotating and simultaneously cleaning both surfaces of the wafer, and a cleaning liquid. , A drying tank for drying the washed wafer, an unloader unit for storing the dried wafer, and a transport unit for supporting and transporting the wafer. Automatic wafer cleaning device characterized by the following. 【請求項２】 前記ローダ部はウエーハ起立装置を備
え、該ウエーハ起立装置は、流体中を流れに沿って水平
に移送されるウエーハを支持してこれを垂直に起立せし
める装置であって、吸着手段と位置決め手段を備える吸
着アームと、該吸着アームを水平軸回りに回動せしめる
駆動手段を含んで構成されることを特徴とする請求項１
記載のウエーハの自動洗浄装置。2. The apparatus according to claim 1, wherein the loader unit includes a wafer erecting device. The wafer erecting device is a device for supporting a wafer conveyed horizontally along a flow in a fluid and erecting the wafer vertically. 2. A suction arm comprising means and a positioning means, and a driving means for rotating the suction arm about a horizontal axis.
The automatic wafer cleaning apparatus described in the above. 【請求項３】 前記ブラシ洗浄槽は、垂直に起立するウ
エーハを一対の回転ブラシ間に挟持してこれの両面を同
時にブラシ洗浄するブラシ洗浄装置を有し、該ブラシ洗
浄装置は、水平、且つ回転自在に配される一対の回転ブ
ラシと、該回転ブラシを回転駆動するブラシ駆動手段
と、ウエーハを支持してこれを回転駆動するウエーハ駆
動手段を含んで構成されることを特徴とする請求項１記
載のウエーハの自動洗浄装置。3. The brush cleaning tank has a brush cleaning device that sandwiches a vertically standing wafer between a pair of rotating brushes and simultaneously brush-cleans both surfaces of the wafer, and the brush cleaning device is horizontal and The apparatus according to claim 1, further comprising a pair of rotatable brushes rotatably arranged, brush driving means for rotating and driving said rotating brushes, and wafer driving means for supporting and rotating said wafers. 2. The automatic cleaning apparatus for a wafer according to 1. 【請求項４】 前記ウエーハ洗浄槽は、ウエーハを洗浄
液中に１枚ずつ略垂直に浸漬してこれを洗浄するもので
あって、洗浄液を収容する偏平なタンクと、ウエーハを
タンク内で略垂直に支持するホルダーと、該ホルダーに
支持されたウエーハの上部面に向けて洗浄液を噴出する
噴射ノズルを含んで構成されることを特徴とする請求項
１記載のウエーハの自動洗浄装置。4. The wafer cleaning tank is for immersing wafers in a cleaning liquid one by one substantially vertically and cleaning the wafers. The flat tank containing the cleaning liquid and the wafer are disposed substantially vertically in the tank. 2. The automatic wafer cleaning apparatus according to claim 1, further comprising: a holder for supporting the wafer, and a spray nozzle for spraying a cleaning liquid toward an upper surface of the wafer supported by the holder. 【請求項５】 前記乾燥槽は、中波長赤外線ランプから
成る中波ラジエータと短波長赤外線ランプから成る短波
ラジエータを含んで構成されることを特徴とする請求項
１記載のウエーハの自動洗浄装置。5. The automatic wafer cleaning apparatus according to claim 1, wherein the drying tank includes a medium-wave radiator composed of a medium-wave infrared lamp and a short-wave radiator composed of a short-wave infrared lamp. 【請求項６】 前記搬送手段はウエーハハンドリング装
置を備え、該ウエーハハンドリング装置は、内外二重軸
構造を成す内、外軸を有し、外軸を水平動自在に支持
し、該外軸内に内軸を摺動自在に挿通せしめ、これら
内、外軸の各一端にハンドリングアームを結着し、内、
外軸を互いに逆方向に同量だけ移動せしめるアクチュエ
ータを設けて構成されることを特徴とする請求項１記載
のウエーハの自動洗浄装置。6. The wafer handling device includes a wafer handling device, the wafer handling device having an inner shaft and an outer shaft having an inner / outer double shaft structure, and supporting the outer shaft so as to be horizontally movable. The inner shaft is slidably inserted into the shaft, and a handling arm is attached to each end of the inner and outer shafts.
2. The automatic wafer cleaning apparatus according to claim 1, further comprising an actuator for moving the outer shaft in opposite directions by the same amount.