JPH06108240A - スパッタリング源 - Google Patents
スパッタリング源Info
- Publication number
- JPH06108240A JPH06108240A JP26203192A JP26203192A JPH06108240A JP H06108240 A JPH06108240 A JP H06108240A JP 26203192 A JP26203192 A JP 26203192A JP 26203192 A JP26203192 A JP 26203192A JP H06108240 A JPH06108240 A JP H06108240A
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- Japan
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- plate
- target
- backing plate
- shaped target
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 板状ターゲットを、エロージョンされる箇所
と外周部分を分離することにより、取り外しができるよ
うに配慮する点。 【構成】 板状ターゲットのエロージョンされる箇所を
サポートリングで構成し、これとバッキングプレートを
機械的機構たとえばねじにより固定することにより、サ
ポートリング内に設置する板状ターゲットをバッキング
プレートに密着する。これにより板状ターゲットの利用
効率を向上すると共に冷却効率も上げる。
と外周部分を分離することにより、取り外しができるよ
うに配慮する点。 【構成】 板状ターゲットのエロージョンされる箇所を
サポートリングで構成し、これとバッキングプレートを
機械的機構たとえばねじにより固定することにより、サ
ポートリング内に設置する板状ターゲットをバッキング
プレートに密着する。これにより板状ターゲットの利用
効率を向上すると共に冷却効率も上げる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリング装置特
にプレーナ型マグネトロンスパッタリング装置に使用す
るスパッタリング源の改良に関する。
にプレーナ型マグネトロンスパッタリング装置に使用す
るスパッタリング源の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】デジタル化した音声信号や画像情報を大
量に記憶する手段としてコンパクトディスク（以下ＣＤ
と略称する）が最近広く使われており、ＣＤの機能につ
いて説明する。ポリカーボネイトなどのように透明な合
成樹脂基板（以下基板と記載する）表面には、「１」
「０」のデジタル情報に合わせてピットと称する小さな
凹凸を設け更に、この表面にスパッタリング法により高
光反射率のアルミニウム薄膜を形成後、この凹凸の有無
をレーザ光と比較するなどの方法で、記録情報を読みだ
すことができる。また、一枚の基板に薄膜を形成するの
には、スパッタリング法により比較的短時間で行われる
ことから、多数の基板に連続的に行うことができる装置
も利用する。
量に記憶する手段としてコンパクトディスク（以下ＣＤ
と略称する）が最近広く使われており、ＣＤの機能につ
いて説明する。ポリカーボネイトなどのように透明な合
成樹脂基板（以下基板と記載する）表面には、「１」
「０」のデジタル情報に合わせてピットと称する小さな
凹凸を設け更に、この表面にスパッタリング法により高
光反射率のアルミニウム薄膜を形成後、この凹凸の有無
をレーザ光と比較するなどの方法で、記録情報を読みだ
すことができる。また、一枚の基板に薄膜を形成するの
には、スパッタリング法により比較的短時間で行われる
ことから、多数の基板に連続的に行うことができる装置
も利用する。
【０００３】このスパッタリング装置として利用するプ
レーナ型マグネトロンスパッタリング装置では、減圧機
構を備え更に放電に必要なガスを導入可能としかつ、気
密な成膜室１を設けてある。成膜室１には、スパッタリ
ング工程に必要な部品を設置するが、図１に示すように
金属、セラミックス及びプラスチックなどから成る基板
２に対向してスパッタ源３を成膜室１内に配置する。ス
パッタ源３を構成する板状ターゲット３は、冷却可能な
バッキングプレート４に固定し、その裏側に配置する磁
界装置５から発生する磁力線により高効率のスパッタリ
ングを行う。
レーナ型マグネトロンスパッタリング装置では、減圧機
構を備え更に放電に必要なガスを導入可能としかつ、気
密な成膜室１を設けてある。成膜室１には、スパッタリ
ング工程に必要な部品を設置するが、図１に示すように
金属、セラミックス及びプラスチックなどから成る基板
２に対向してスパッタ源３を成膜室１内に配置する。ス
パッタ源３を構成する板状ターゲット３は、冷却可能な
バッキングプレート４に固定し、その裏側に配置する磁
界装置５から発生する磁力線により高効率のスパッタリ
ングを行う。
【０００４】このために磁界装置５は、内側磁石５a 及
びこれを囲む外側磁石５b を並列状に設置してリング状
の磁場を発生する。一方、板状ターゲット３の周囲に
は、環状アノード６を多少距離をおいて配置して両者間
に直流または高周波電力を供給するので、磁場により拘
束された放電が発生する。
びこれを囲む外側磁石５b を並列状に設置してリング状
の磁場を発生する。一方、板状ターゲット３の周囲に
は、環状アノード６を多少距離をおいて配置して両者間
に直流または高周波電力を供給するので、磁場により拘
束された放電が発生する。
【０００５】この放電は、ガス導入口７から供給するア
ルゴンガスなどの不活性雰囲気のもとでスパッタリング
を行う。この時、排気管２２から放出ガスと余分な不活
性ガスを排気する。
ルゴンガスなどの不活性雰囲気のもとでスパッタリング
を行う。この時、排気管２２から放出ガスと余分な不活
性ガスを排気する。
【０００６】図１に示すプレーナ型マグネトロンスパッ
タリング装置は、連続的な処理を可能にする搬送機構を
備えており、図２に搬送機構の構成図を示す。即ち、ベ
ルトコンベアなどの外部搬送機構９により次々に搬送さ
れる基板２は、軸中心に回転し更に、上下方向に移動可
能なハンドリング機構１０に取付けた吸着パッド１１に
吸着後図１に示すスパッタリング装置内部１２に搬送す
る。
タリング装置は、連続的な処理を可能にする搬送機構を
備えており、図２に搬送機構の構成図を示す。即ち、ベ
ルトコンベアなどの外部搬送機構９により次々に搬送さ
れる基板２は、軸中心に回転し更に、上下方向に移動可
能なハンドリング機構１０に取付けた吸着パッド１１に
吸着後図１に示すスパッタリング装置内部１２に搬送す
る。
【０００７】スパッタリング装置内部１２では、ハンド
リング機構１０と同じく軸中心に回転すると共に上下方
向に移動可能な搬送テーブル１３に乗せてから、図１に
示すスパッタリング装置により所定の工程を施す。即
ち、搬送テーブル１３によって成膜室１下部に運ばれた
基板２は、プッシャー１４により押上げる。基板２の中
央部分と外周部分を残して薄膜を堆積するために成膜室
１の下部には、その一部を構成するようにマスク１５を
設けており、プッシャー１４の稼働によりマスク１５端
面に基板２を密着する。
リング機構１０と同じく軸中心に回転すると共に上下方
向に移動可能な搬送テーブル１３に乗せてから、図１に
示すスパッタリング装置により所定の工程を施す。即
ち、搬送テーブル１３によって成膜室１下部に運ばれた
基板２は、プッシャー１４により押上げる。基板２の中
央部分と外周部分を残して薄膜を堆積するために成膜室
１の下部には、その一部を構成するようにマスク１５を
設けており、プッシャー１４の稼働によりマスク１５端
面に基板２を密着する。
【０００８】また、成膜室１即ちスパッタリング領域
は、内接した防着シールド１６a 、１６b とマスク１５
ならびにターゲット３が配置され、ターゲット３は、バ
ッキングプレート４に密着して固定する。バッキングプ
レート４内部には、空洞に給水管内を配置し、ここを流
れる冷媒により前記温度に冷却する冷却機構を併設する
ことにより、ターゲット３表面に投入される５０Ｗ／ｃ
ｍ2 程度の放電電力により生ずる相当な熱を冷却する。
これによりターゲット３表面を約１００℃に抑えること
ができるので、ターゲット３とバッキングプレート４間
に、板状ターゲット３の変形による隙間の形成を防止す
るのに役立てる。空洞に給水管内を配置し、ここを流れ
る冷媒により前記温度に冷却する。
は、内接した防着シールド１６a 、１６b とマスク１５
ならびにターゲット３が配置され、ターゲット３は、バ
ッキングプレート４に密着して固定する。バッキングプ
レート４内部には、空洞に給水管内を配置し、ここを流
れる冷媒により前記温度に冷却する冷却機構を併設する
ことにより、ターゲット３表面に投入される５０Ｗ／ｃ
ｍ2 程度の放電電力により生ずる相当な熱を冷却する。
これによりターゲット３表面を約１００℃に抑えること
ができるので、ターゲット３とバッキングプレート４間
に、板状ターゲット３の変形による隙間の形成を防止す
るのに役立てる。空洞に給水管内を配置し、ここを流れ
る冷媒により前記温度に冷却する。
【０００９】ターゲット３とバッキングプレート４の固
定は、機械的手段例えばねじ１７を成膜室１側から挿入
して行う。
定は、機械的手段例えばねじ１７を成膜室１側から挿入
して行う。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】以上のように板状ター
ゲット３とバッキングプレート４の固定に際しては、前
記のように機械的に固定する手法の外に、半田などによ
る固着手段を採って、板状ターゲット３の冷却効率を高
める方式が採用されている。従って板状ターゲット３の
外周部分に機械的固定方法を用いる場合は、板状タ−ゲ
ットの中心や外周り部などのエロ−ジョンされない部分
にボルトなどを設置するのが一般的である。
ゲット３とバッキングプレート４の固定に際しては、前
記のように機械的に固定する手法の外に、半田などによ
る固着手段を採って、板状ターゲット３の冷却効率を高
める方式が採用されている。従って板状ターゲット３の
外周部分に機械的固定方法を用いる場合は、板状タ−ゲ
ットの中心や外周り部などのエロ−ジョンされない部分
にボルトなどを設置するのが一般的である。
【００１１】本発明は、このような事情により成された
もので、新規なスパッタリング源を提供することを目的
とする。
もので、新規なスパッタリング源を提供することを目的
とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】冷却可能なバッキングプ
レートと，このバッキングプレートに密着して配置する
板状ターゲットと，この板状ターゲット周囲に位置し板
状ターゲットを前記バッキングプレートに機械的に固定
するサポ−トリングとを具備し，前記板状ターゲットを
前記サポ−トリングを介して間接的に前記バッキングプ
レートに密着する点に本発明に係わるスパッタリング源
の特徴がある。
レートと，このバッキングプレートに密着して配置する
板状ターゲットと，この板状ターゲット周囲に位置し板
状ターゲットを前記バッキングプレートに機械的に固定
するサポ−トリングとを具備し，前記板状ターゲットを
前記サポ−トリングを介して間接的に前記バッキングプ
レートに密着する点に本発明に係わるスパッタリング源
の特徴がある。
【００１３】
【作用】本発明に係わるスパッタリング源では、エロ−
ジョンされる部分と外周部分を切り離す手法を採用す
る。即ち板状ターゲットの外周部分に相当する位置にタ
ーゲットサポートリングを設置しかつ、ここに例えばね
じなどのような機械的に固定する機構を設けることによ
りバッキングプレートと板状ターゲットの密着を確保す
ると共に、板状ターゲットの利用効率を向上する。
ジョンされる部分と外周部分を切り離す手法を採用す
る。即ち板状ターゲットの外周部分に相当する位置にタ
ーゲットサポートリングを設置しかつ、ここに例えばね
じなどのような機械的に固定する機構を設けることによ
りバッキングプレートと板状ターゲットの密着を確保す
ると共に、板状ターゲットの利用効率を向上する。
【００１４】
【実施例】本発明に係わる一実施例を図３乃至図５を参
照して説明する。図３は、本発明のスパッタリング源を
備えたプレーナ型マグネトロンスパッタリング装置の概
略を示す断面図，図４がターゲットとターゲットサポー
トリングを拡大した断面図であり、図５にターゲットと
バッキングプレ−トの他の固定方法を示し、これらの図
の番号は従来の技術欄で使用したものを引継ぐ。
照して説明する。図３は、本発明のスパッタリング源を
備えたプレーナ型マグネトロンスパッタリング装置の概
略を示す断面図，図４がターゲットとターゲットサポー
トリングを拡大した断面図であり、図５にターゲットと
バッキングプレ−トの他の固定方法を示し、これらの図
の番号は従来の技術欄で使用したものを引継ぐ。
【００１５】図３にあるようにスパッタリングに必要な
磁界装置５、板状ターゲット３及び基板２を設置する外
に、連続的な処理を可能にするために従来の技術として
図１に明らかにする搬送装置を設置するが、重複を避け
るために説明を省略する。最重要な成膜室１は、板状タ
ーゲット３とこれに対向して被処理物例えばポリカーボ
ネイトから成る基板２を配置し、更に板状ターゲット３
を囲んでアノードを兼ねる防着シールド１６及びマスク
１５などで構成する。
磁界装置５、板状ターゲット３及び基板２を設置する外
に、連続的な処理を可能にするために従来の技術として
図１に明らかにする搬送装置を設置するが、重複を避け
るために説明を省略する。最重要な成膜室１は、板状タ
ーゲット３とこれに対向して被処理物例えばポリカーボ
ネイトから成る基板２を配置し、更に板状ターゲット３
を囲んでアノードを兼ねる防着シールド１６及びマスク
１５などで構成する。
【００１６】約５０Ｗ／ｃｍ2 の放電電力が投入される
板状ターゲット３には、バッキングプレート４を重ねた
状態で取付けると共に、内部に設ける空洞（図示せず）
を設けて給水管８に連結する。これにより冷却水を循環
させて、板状ターゲット３の表面温度を約１００℃に維
持する。
板状ターゲット３には、バッキングプレート４を重ねた
状態で取付けると共に、内部に設ける空洞（図示せず）
を設けて給水管８に連結する。これにより冷却水を循環
させて、板状ターゲット３の表面温度を約１００℃に維
持する。
【００１７】これにより板状ターゲット３の変形を防止
したり、バッキングプレート４との間に隙間が形成され
るのを防止できる。両者の固定に関しては、図７により
後述する。
したり、バッキングプレート４との間に隙間が形成され
るのを防止できる。両者の固定に関しては、図７により
後述する。
【００１８】スパッタリング工程に必要なアルコンガス
は、導入部７より供給後、スパッタ電力を供給してアル
ゴンガスイオンがターゲット表面を衝突してターゲット
材料例えばＡｌをスパッタリングして、基板２にＡｌが
堆積する。このようなスパッタリング工程により生じる
ガスなどを排気するには、外周マスク１５b に設置する
排気口２４を利用する。
は、導入部７より供給後、スパッタ電力を供給してアル
ゴンガスイオンがターゲット表面を衝突してターゲット
材料例えばＡｌをスパッタリングして、基板２にＡｌが
堆積する。このようなスパッタリング工程により生じる
ガスなどを排気するには、外周マスク１５b に設置する
排気口２４を利用する。
【００１９】本発明に係わるスパッタリング源を構成す
る板状ターゲット３とバッキングプレート４の固定は、
図４に明らかなようにバッキングプレート４にサポート
リング２７を機械的機構例えばネジ２５により行って、
サポートリング２７内に配置する板状ターゲット３も固
定するものである。また、板状ターゲット３とサポート
リング２７の境界面である側面には、不連続部分２６が
できる。板状ターゲット３の寸法は、外径が１６０ｍｍ
〜１８０ｍｍ厚さ約２０ｍｍであり、サポートリング２
４は、外径２３２ｍｍ程度内径１６０ｍｍ〜１８０ｍｍ
位であり、厚さがほぼ１０ｍｍである。
る板状ターゲット３とバッキングプレート４の固定は、
図４に明らかなようにバッキングプレート４にサポート
リング２７を機械的機構例えばネジ２５により行って、
サポートリング２７内に配置する板状ターゲット３も固
定するものである。また、板状ターゲット３とサポート
リング２７の境界面である側面には、不連続部分２６が
できる。板状ターゲット３の寸法は、外径が１６０ｍｍ
〜１８０ｍｍ厚さ約２０ｍｍであり、サポートリング２
４は、外径２３２ｍｍ程度内径１６０ｍｍ〜１８０ｍｍ
位であり、厚さがほぼ１０ｍｍである。
【００２０】図５には、板状ターゲット３とバッキング
プレート４の他の固定例を明らかにした。例えば両者端
をクランプ２８を利用する方法もある。その外側に輪を
嵌めて熱膨張を利用して固定するか、ねじなどをここに
設置するなどの手段が利用できる。またサポ−トリング
２７とクランプ２８を一体化することも可能である。
プレート４の他の固定例を明らかにした。例えば両者端
をクランプ２８を利用する方法もある。その外側に輪を
嵌めて熱膨張を利用して固定するか、ねじなどをここに
設置するなどの手段が利用できる。またサポ−トリング
２７とクランプ２８を一体化することも可能である。
【００２１】
【発明の効果】このように、バッキングプレート４と板
状ターゲット３間に半田などがない本発明に係わるスパ
ッタリング源では、板状ターゲット３の交換が極めて手
軽にできる外に、利用効率が向上する。更に，両者の側
部に不連続部が存在するために、夫々に生ずる応力を分
断する機能を果すことにより平均的に密着力が得られる
ために、密着面積が大きく取れるので冷却効率をあげる
ことができる。
状ターゲット３間に半田などがない本発明に係わるスパ
ッタリング源では、板状ターゲット３の交換が極めて手
軽にできる外に、利用効率が向上する。更に，両者の側
部に不連続部が存在するために、夫々に生ずる応力を分
断する機能を果すことにより平均的に密着力が得られる
ために、密着面積が大きく取れるので冷却効率をあげる
ことができる。
【図１】従来のスパッタリング装置の要部を示す断面図
である。
である。
【図２】図１における搬送機構の一部を示す断面図であ
る。
る。
【図３】本発明に係わるスパッタリング源を適用するス
パッタリング装置の要部を示す断面図である。
パッタリング装置の要部を示す断面図である。
【図４】図３のスパッタリング装置の板状ターゲットと
バッキングプレートの固定状態を示す断面図である。
バッキングプレートの固定状態を示す断面図である。
【図５】図３のスパッタリング装置の板状ターゲットと
バッキングプレートの他の固定状態を示す断面図であ
る。
バッキングプレートの他の固定状態を示す断面図であ
る。
１：成膜室、 ２：基板、 ３：板状ターゲット、 ４：バッキングプレート、 ５：磁界装置、 ６：アノード、 ２７：サポートリング、 ２５：ねじ、 ２６：不連続部、 ２８：クランプ。
Claims (1)
- 【請求項１】 冷却可能なバッキングプレートと，この
バッキングプレートに密着して配置する板状ターゲット
と，この板状ターゲット周囲に位置し板状ターゲットを
前記バッキングプレートに機械的に固定するサポ−トリ
ングとを具備し，前記板状ターゲットを前記サポ−トリ
ングを介して間接的に前記バッキングプレートに密着す
ることを特徴とする特徴とするスパッタリング源
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26203192A JPH06108240A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | スパッタリング源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26203192A JPH06108240A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | スパッタリング源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06108240A true JPH06108240A (ja) | 1994-04-19 |
Family
ID=17370070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26203192A Pending JPH06108240A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | スパッタリング源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06108240A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013129871A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-07-04 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | マグネトロンスパッタリングカソード及びこれを備えたスパッタリング装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5589471A (en) * | 1978-12-26 | 1980-07-07 | Murata Mfg Co Ltd | Target for sputtering |
| JPS57145981A (en) * | 1981-03-03 | 1982-09-09 | Toshiba Corp | Target for sputtering device |
| JPS58194105A (ja) * | 1982-05-07 | 1983-11-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁石式消去ヘツド装置 |
-
1992
- 1992-09-30 JP JP26203192A patent/JPH06108240A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5589471A (en) * | 1978-12-26 | 1980-07-07 | Murata Mfg Co Ltd | Target for sputtering |
| JPS57145981A (en) * | 1981-03-03 | 1982-09-09 | Toshiba Corp | Target for sputtering device |
| JPS58194105A (ja) * | 1982-05-07 | 1983-11-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁石式消去ヘツド装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013129871A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-07-04 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | マグネトロンスパッタリングカソード及びこれを備えたスパッタリング装置 |
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