JPH06104369A - 多層リードフレーム - Google Patents
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- JPH06104369A JPH06104369A JP27527992A JP27527992A JPH06104369A JP H06104369 A JPH06104369 A JP H06104369A JP 27527992 A JP27527992 A JP 27527992A JP 27527992 A JP27527992 A JP 27527992A JP H06104369 A JPH06104369 A JP H06104369A
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- H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 狭ピッチ，多ピン化を実現でき、電気的雑音
も低減した半導体素子パッケージ用の多層リードフレー
ムを提供する。 【構成】 ポリイミド樹脂からなる保持体２から両端部
を露出させた導電体３を備えた電気的接続部材1a, 1bを
用いて、電源層, 接地層となる２枚の金属板12a, 12b
と、この２枚の金属板12a, 12bに挟まれたリードフレー
ム13とを接続させた構成をなす。
も低減した半導体素子パッケージ用の多層リードフレー
ムを提供する。 【構成】 ポリイミド樹脂からなる保持体２から両端部
を露出させた導電体３を備えた電気的接続部材1a, 1bを
用いて、電源層, 接地層となる２枚の金属板12a, 12b
と、この２枚の金属板12a, 12bに挟まれたリードフレー
ム13とを接続させた構成をなす。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導
体素子のパッケージ収納の際に用いられる多層リードフ
レームに関する。
体素子のパッケージ収納の際に用いられる多層リードフ
レームに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置に搭載されるＩＣ，Ｌ
ＳＩ等の半導体素子はますます高集積化し、その端子数
が増大しつつあるので、端子に対応する多数の入出力ピ
ンを備えたリードフレームが要望されている。そして、
入出力ピン数の増大に対応する小形のパッケージとして
ＱＦＰ（Quad Flat Package)が注目されており、例えば
入出力端子数が200 ピン程度、リード間ピッチ0.5 mm前
後までのものが実用化されている。
ＳＩ等の半導体素子はますます高集積化し、その端子数
が増大しつつあるので、端子に対応する多数の入出力ピ
ンを備えたリードフレームが要望されている。そして、
入出力ピン数の増大に対応する小形のパッケージとして
ＱＦＰ（Quad Flat Package)が注目されており、例えば
入出力端子数が200 ピン程度、リード間ピッチ0.5 mm前
後までのものが実用化されている。
【０００３】図10は、従来の一般的な多層リードフレー
ムの断面図であり、ＬＳＩ51を載置する電源層（または
接地層）となる第１の金属板52と、第１の絶縁テープ53
と、接地層（または電源層）となる第２の金属板54と、
第２の絶縁テープ55と、信号線，電源線及び接地線で構
成されたリードフレーム56とを、下方から順に積層した
構成をなす。第１の金属板52に載置されたＬＳＩ51と、
第１の金属板52，第２の金属板54及びリードフレーム56
とはワイヤ57, 57, 57にてボンディング接続されてい
る。第１の金属板52とリードフレーム56との接続部Ａに
おいては、電源層（または接地層）となる第１の金属板
52の端部に金属突起部52a が設けられ、これを介してリ
ードフレーム56の電源線（または接地線）と接続されて
いる。同様に、接地層（または電源層）となる第２の金
属板54とリードフレーム56との接続部Ｂにおいては、第
２の金属板54の接続部として金属突起部54a が設けら
れ、これを介してリードフレーム56の接地線（または電
源線）に接続されている。
ムの断面図であり、ＬＳＩ51を載置する電源層（または
接地層）となる第１の金属板52と、第１の絶縁テープ53
と、接地層（または電源層）となる第２の金属板54と、
第２の絶縁テープ55と、信号線，電源線及び接地線で構
成されたリードフレーム56とを、下方から順に積層した
構成をなす。第１の金属板52に載置されたＬＳＩ51と、
第１の金属板52，第２の金属板54及びリードフレーム56
とはワイヤ57, 57, 57にてボンディング接続されてい
る。第１の金属板52とリードフレーム56との接続部Ａに
おいては、電源層（または接地層）となる第１の金属板
52の端部に金属突起部52a が設けられ、これを介してリ
ードフレーム56の電源線（または接地線）と接続されて
いる。同様に、接地層（または電源層）となる第２の金
属板54とリードフレーム56との接続部Ｂにおいては、第
２の金属板54の接続部として金属突起部54a が設けら
れ、これを介してリードフレーム56の接地線（または電
源線）に接続されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述の構成をなす従来
の多層リードフレームでは、リードフレーム56に第１の
金属板52の金属突起部52a 及び第２の金属板54の金属突
起部54a を接続させるためには、金属突起部52a, 54aが
リードフレーム56と接触するように、金属突起部52a, 5
4aを折り曲げ加工しなければならず、この折り曲げ加工
時の位置合わせを行う必要がある。また、これらの金属
突起部52a, 54aの幅は、接続するリードフレーム56のリ
ード幅と同寸法かまたはそれより小さくなければ、隣合
うリードと接触して電気的短絡が生じる可能性が高い。
更に、金属突起部とリードフレーム56との接続は、スポ
ット抵抗溶接にて行われているが、このスポット抵抗溶
接では、溶接対象の電極サイズに限界がある。以上のよ
うな各事項は、多層リードフレームの狭ピッチ，多ピン
化には障害となり、前述したような多層リードフレーム
（ピッチ0.5 mm前後，200 ピン程度）が限界となってい
る。
の多層リードフレームでは、リードフレーム56に第１の
金属板52の金属突起部52a 及び第２の金属板54の金属突
起部54a を接続させるためには、金属突起部52a, 54aが
リードフレーム56と接触するように、金属突起部52a, 5
4aを折り曲げ加工しなければならず、この折り曲げ加工
時の位置合わせを行う必要がある。また、これらの金属
突起部52a, 54aの幅は、接続するリードフレーム56のリ
ード幅と同寸法かまたはそれより小さくなければ、隣合
うリードと接触して電気的短絡が生じる可能性が高い。
更に、金属突起部とリードフレーム56との接続は、スポ
ット抵抗溶接にて行われているが、このスポット抵抗溶
接では、溶接対象の電極サイズに限界がある。以上のよ
うな各事項は、多層リードフレームの狭ピッチ，多ピン
化には障害となり、前述したような多層リードフレーム
（ピッチ0.5 mm前後，200 ピン程度）が限界となってい
る。
【０００５】また、信号線（リードフレーム56）が最上
層に配置されているので、電気的雑音が高いという問題
がある。
層に配置されているので、電気的雑音が高いという問題
がある。
【０００６】本発明は斯かる事情に鑑みてなされたもの
であり、従来より、狭ピッチ，多ピン化を実現でき、電
気的雑音も低減できる多層リードフレームを提供するこ
とを目的とする。
であり、従来より、狭ピッチ，多ピン化を実現でき、電
気的雑音も低減できる多層リードフレームを提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る多層リード
フレームは、リードフレームと、絶縁材からなる保持体
に形成された貫通孔にその両端部を前記保持体の両面か
ら露出させて導電体を埋設した構成をなし、前記リード
フレームの片面または両面にその一方の露出部を接して
配設された１または２枚の電気的接続部材と、該電気的
接続部材の他方の露出部に接する平面状の１または２枚
の金属板とを有し、前記リードフレームと前記金属板と
が前記電気的接続部材により電気的に接続されて構成さ
れていることを特徴とする。
フレームは、リードフレームと、絶縁材からなる保持体
に形成された貫通孔にその両端部を前記保持体の両面か
ら露出させて導電体を埋設した構成をなし、前記リード
フレームの片面または両面にその一方の露出部を接して
配設された１または２枚の電気的接続部材と、該電気的
接続部材の他方の露出部に接する平面状の１または２枚
の金属板とを有し、前記リードフレームと前記金属板と
が前記電気的接続部材により電気的に接続されて構成さ
れていることを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明の多層リードフレームでは、リードフレ
ームと金属板との間に介在させる電気的接続部材が、従
来例の絶縁テープ及び金属突起部の役割を果たす。この
電気的接続部材は、絶縁性の保持体の表面から導電体が
露出しているので、接続部における金属板を折り曲げる
ことなく、電気的接続部材（導電体）を介してリードフ
レームと金属板とを接続できる。従って、従来のような
折り曲げ加工における位置合わせが不要である。また、
リードフレーム及び金属板の接続部分に金属膜を前処理
として形成しておけば、熱圧着法または超音波併用熱圧
着法にて電気的接続部材（導電材）とリードフレーム及
び金属板とが容易に接合される。以上の理由により、従
来に比べて狭ピッチ，多ピン化を実現できる。
ームと金属板との間に介在させる電気的接続部材が、従
来例の絶縁テープ及び金属突起部の役割を果たす。この
電気的接続部材は、絶縁性の保持体の表面から導電体が
露出しているので、接続部における金属板を折り曲げる
ことなく、電気的接続部材（導電体）を介してリードフ
レームと金属板とを接続できる。従って、従来のような
折り曲げ加工における位置合わせが不要である。また、
リードフレーム及び金属板の接続部分に金属膜を前処理
として形成しておけば、熱圧着法または超音波併用熱圧
着法にて電気的接続部材（導電材）とリードフレーム及
び金属板とが容易に接合される。以上の理由により、従
来に比べて狭ピッチ，多ピン化を実現できる。
【０００９】また、リードフレームを２枚の金属板にて
挟む構成にすると、電気的雑音は低くなる。
挟む構成にすると、電気的雑音は低くなる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
いて具体的に説明する。
いて具体的に説明する。
【００１１】まず、本発明の多層リードフレームに使用
する電気的接続部材について説明する。図１, 図２はこ
の電気的接続部材の平面図，断面図である。電気的接続
部材１は、ポリイミド樹脂からなる保持体２（厚さ10μ
ｍ程度）に形成された多数の貫通孔2a中に、例えば金
（Ａｕ）からなる複数の導電体３を、夫々の導電体３同
士が電気的絶縁状態になるように埋設させて構成されて
いる。各導電体３の両端部は、保持体２の表面から露出
しており、その露出する両端部の径は保持体２内に埋設
される部分の径より大きくなっている。
する電気的接続部材について説明する。図１, 図２はこ
の電気的接続部材の平面図，断面図である。電気的接続
部材１は、ポリイミド樹脂からなる保持体２（厚さ10μ
ｍ程度）に形成された多数の貫通孔2a中に、例えば金
（Ａｕ）からなる複数の導電体３を、夫々の導電体３同
士が電気的絶縁状態になるように埋設させて構成されて
いる。各導電体３の両端部は、保持体２の表面から露出
しており、その露出する両端部の径は保持体２内に埋設
される部分の径より大きくなっている。
【００１２】図３は、本発明の一実施例における多層リ
ードフレームの断面図、図４はこの実施例における多層
リードフレームの構成部材を示す斜視図である。また、
図５に、一般的なＱＦＰにおけるリードフレームの電源
ピンｐ1 と接地ピンｐ2 との配置例を示す。なお、この
電源ピンｐ1 及び接地ピンｐ2 の配置位置は、設計する
ＬＳＩによって決定される。
ードフレームの断面図、図４はこの実施例における多層
リードフレームの構成部材を示す斜視図である。また、
図５に、一般的なＱＦＰにおけるリードフレームの電源
ピンｐ1 と接地ピンｐ2 との配置例を示す。なお、この
電源ピンｐ1 及び接地ピンｐ2 の配置位置は、設計する
ＬＳＩによって決定される。
【００１３】図３，４に示す実施例の多層リードフレー
ムは、ＬＳＩ11を載置する電源層（または接地層）とな
る平板状の銅（Ｃｕ）またはＣｕ合金製の第１の金属板
12aと、図１，２に示す構成をなす第１の電気的接続部
材1aと、信号線，電源線及び接地線で構成されたＱＦＰ
用の一般的なＣｕまたはＣｕ合金製のリードフレーム13
と、図１，２に示す構成をなす第２の電気的接続部材1b
と、接地層（または電源層）となる平板状のＣｕまたは
Ｃｕ合金製の第２の金属板12b とを、下方から順に積層
した構成をなす。第１の金属板12a に載置されたＬＳＩ
11と、第１の金属板12a,リードフレーム13及び第２の金
属板12b とはＡｕまたはアルミニウム（Ａｌ）からなる
ワイヤ14, 14, 14にてボンディング接続されている。こ
れらの各部材は、リードフレーム13の各リードを外部に
引き出した状態で、樹脂にて一体的に封止されている。
ムは、ＬＳＩ11を載置する電源層（または接地層）とな
る平板状の銅（Ｃｕ）またはＣｕ合金製の第１の金属板
12aと、図１，２に示す構成をなす第１の電気的接続部
材1aと、信号線，電源線及び接地線で構成されたＱＦＰ
用の一般的なＣｕまたはＣｕ合金製のリードフレーム13
と、図１，２に示す構成をなす第２の電気的接続部材1b
と、接地層（または電源層）となる平板状のＣｕまたは
Ｃｕ合金製の第２の金属板12b とを、下方から順に積層
した構成をなす。第１の金属板12a に載置されたＬＳＩ
11と、第１の金属板12a,リードフレーム13及び第２の金
属板12b とはＡｕまたはアルミニウム（Ａｌ）からなる
ワイヤ14, 14, 14にてボンディング接続されている。こ
れらの各部材は、リードフレーム13の各リードを外部に
引き出した状態で、樹脂にて一体的に封止されている。
【００１４】ＱＦＰにおける電気特性の改善（インダク
タンス，雑音の低減）を図るためには、本実施例のよう
に、電源層，接地層を平板状の金属板として接続し、多
層化することが有効である。リードフレーム13の下側に
設けられる第１の金属板12aのＬＳＩ11が載置される部
分とワイヤボンディングされる部分とには、メッキ，蒸
着，スパッタリング法等によって銀（Ａｇ），Ａｕまた
はＡｌの金属薄膜が形成されており、また、第１の電気
的接続部材1aの導電体３との接続部分には、メッキ，蒸
着，スパッタリング法等によってＡｇ，ＡｕまたはＡｌ
膜が形成されている。この第１の金属板12a とリードフ
レーム13との間には、これらを接続するための第１の電
気的接続部材1aが介装される。第１の電気的接続部材1a
の中央部にはＬＳＩ11を設置するための開口部10a が設
けられており、第１の金属板12aと接続させたいリード
フレーム13の電源（または接地）ピンだけに接触するよ
うに複数の導電体３が設けられている。リードフレーム
13のワイヤボンディングされる部分には、メッキ，蒸
着，スパッタリング法等によってＡｇ，ＡｕまたはＡｌ
の金属薄膜が形成されており、第１，第２の電気的接続
部材1a，1bの導電体３，３との接続部分には、メッキ，
蒸着，スパッタリング法等によってＡｇ，ＡｕまたはＡ
ｌ膜が形成されている。リードフレーム13の上側に設け
られる第２の金属板12b の中央部にはＬＳＩ11を設置す
るための開口部20が設けられている。第２の金属板12b
のワイヤボンディングされる部分には、メッキ，蒸着，
スパッタリング法等によってＡｇ，ＡｕまたはＡｌの金
属薄膜が形成されており、第２の電気的接続部材1bの導
電体３との接続部分には、メッキ，蒸着，スパッタリン
グ法等によってＡｇ，ＡｕまたはＡｌ膜が形成されてい
る。この第２の金属板12bとリードフレーム13との間に
は、これらを接続するための第２の電気的接続部材1bが
介装される。第２の電気的接続部材1bの中央部にはＬＳ
Ｉ11を設置するための開口部10b が設けられており、第
２の金属板12b と接続させたいリードフレーム13の接地
（または電源）ピンだけに接触するように複数の導電体
３が設けられている。
タンス，雑音の低減）を図るためには、本実施例のよう
に、電源層，接地層を平板状の金属板として接続し、多
層化することが有効である。リードフレーム13の下側に
設けられる第１の金属板12aのＬＳＩ11が載置される部
分とワイヤボンディングされる部分とには、メッキ，蒸
着，スパッタリング法等によって銀（Ａｇ），Ａｕまた
はＡｌの金属薄膜が形成されており、また、第１の電気
的接続部材1aの導電体３との接続部分には、メッキ，蒸
着，スパッタリング法等によってＡｇ，ＡｕまたはＡｌ
膜が形成されている。この第１の金属板12a とリードフ
レーム13との間には、これらを接続するための第１の電
気的接続部材1aが介装される。第１の電気的接続部材1a
の中央部にはＬＳＩ11を設置するための開口部10a が設
けられており、第１の金属板12aと接続させたいリード
フレーム13の電源（または接地）ピンだけに接触するよ
うに複数の導電体３が設けられている。リードフレーム
13のワイヤボンディングされる部分には、メッキ，蒸
着，スパッタリング法等によってＡｇ，ＡｕまたはＡｌ
の金属薄膜が形成されており、第１，第２の電気的接続
部材1a，1bの導電体３，３との接続部分には、メッキ，
蒸着，スパッタリング法等によってＡｇ，ＡｕまたはＡ
ｌ膜が形成されている。リードフレーム13の上側に設け
られる第２の金属板12b の中央部にはＬＳＩ11を設置す
るための開口部20が設けられている。第２の金属板12b
のワイヤボンディングされる部分には、メッキ，蒸着，
スパッタリング法等によってＡｇ，ＡｕまたはＡｌの金
属薄膜が形成されており、第２の電気的接続部材1bの導
電体３との接続部分には、メッキ，蒸着，スパッタリン
グ法等によってＡｇ，ＡｕまたはＡｌ膜が形成されてい
る。この第２の金属板12bとリードフレーム13との間に
は、これらを接続するための第２の電気的接続部材1bが
介装される。第２の電気的接続部材1bの中央部にはＬＳ
Ｉ11を設置するための開口部10b が設けられており、第
２の金属板12b と接続させたいリードフレーム13の接地
（または電源）ピンだけに接触するように複数の導電体
３が設けられている。
【００１５】図６に、第１の電気的接続部材1bを用いた
リードフレーム13と第２の金属板12b との接合例を示
す。リードフレーム13の接地ピンｐ2(または電源ピンｐ
1)と同じ大きさ（幅）の導電体３を有する電気的接続部
材を用いても良いが、導電体３の位置合わせを容易にす
るために、小さな導電体３を多数配置させた電気的接続
部材を使用しても良い。使用する第１の電気的接続部材
1bにおける導電体３の寸法，配置パターンなどは、リー
ドフレーム13の寸法，形状，接地ピンｐ2(または電源ピ
ンｐ1)の位置によって決定される。なお、第２の電気的
接続部材1aを用いたリードフレーム13と第１の金属板12
a との接合例もこれと同様である。
リードフレーム13と第２の金属板12b との接合例を示
す。リードフレーム13の接地ピンｐ2(または電源ピンｐ
1)と同じ大きさ（幅）の導電体３を有する電気的接続部
材を用いても良いが、導電体３の位置合わせを容易にす
るために、小さな導電体３を多数配置させた電気的接続
部材を使用しても良い。使用する第１の電気的接続部材
1bにおける導電体３の寸法，配置パターンなどは、リー
ドフレーム13の寸法，形状，接地ピンｐ2(または電源ピ
ンｐ1)の位置によって決定される。なお、第２の電気的
接続部材1aを用いたリードフレーム13と第１の金属板12
a との接合例もこれと同様である。
【００１６】第１，第２の金属板12a, 12bとリードフレ
ーム13との位置合わせは、それぞれに設けた位置合わせ
用の貫通孔にピンを差し込んで行うが、ラフな位置合わ
せで十分である。リードフレーム13の電源ピンｐ1 及び
接地ピンｐ2 と第１，第２の電気的接続部材1a, 1bとの
位置合わせは、それぞれに付けられた位置合わせマーク
を用いて行う。更に、目視にて確認したい場合には、図
７に示すように、例えば第２の金属板12b に金属突起部
21を設けることによって、容易に位置合わせを調節でき
る。なお、図７に示すように、辺縁部全域に導電体３を
設けた第２の電気的接続部材1b（または第１の電気的接
続部材1a）を使用すれば、位置合わせの自由度は更に向
上する。この例は、第２の金属板12b の金属突起部21に
接続した導電体３のみがリードフレーム13との電気的接
続を行うというものである。
ーム13との位置合わせは、それぞれに設けた位置合わせ
用の貫通孔にピンを差し込んで行うが、ラフな位置合わ
せで十分である。リードフレーム13の電源ピンｐ1 及び
接地ピンｐ2 と第１，第２の電気的接続部材1a, 1bとの
位置合わせは、それぞれに付けられた位置合わせマーク
を用いて行う。更に、目視にて確認したい場合には、図
７に示すように、例えば第２の金属板12b に金属突起部
21を設けることによって、容易に位置合わせを調節でき
る。なお、図７に示すように、辺縁部全域に導電体３を
設けた第２の電気的接続部材1b（または第１の電気的接
続部材1a）を使用すれば、位置合わせの自由度は更に向
上する。この例は、第２の金属板12b の金属突起部21に
接続した導電体３のみがリードフレーム13との電気的接
続を行うというものである。
【００１７】位置合わせを終了した後に、これらのリー
ドフレーム13と第１，第２の電気的接続部材1a, 1bと第
１，第２の金属板12a, 12bとを一体的に接合する。この
際の接合方法には、熱圧着法，超音波併用熱圧着法，電
気抵抗溶接法などを利用する。また、これらの接合形態
は、全リードに対して一括に行う一括接合法，各リード
について１本ずつ行うシングルポイント接合法の何れで
もよい。第１，第２の金属板12a, 12bに金属突起部21を
設けない場合には、熱圧着法による一括接合が一般的で
あり、第１，第２の金属板12a, 12bに金属突起部21を設
ける場合には、熱圧着法によるシングルポイント接合が
一般的である。
ドフレーム13と第１，第２の電気的接続部材1a, 1bと第
１，第２の金属板12a, 12bとを一体的に接合する。この
際の接合方法には、熱圧着法，超音波併用熱圧着法，電
気抵抗溶接法などを利用する。また、これらの接合形態
は、全リードに対して一括に行う一括接合法，各リード
について１本ずつ行うシングルポイント接合法の何れで
もよい。第１，第２の金属板12a, 12bに金属突起部21を
設けない場合には、熱圧着法による一括接合が一般的で
あり、第１，第２の金属板12a, 12bに金属突起部21を設
ける場合には、熱圧着法によるシングルポイント接合が
一般的である。
【００１８】なお、接合性を高めるために、第１，第２
の電気的接続部材1a, 1bの保持体２の表面に接着剤、及
び／またはリードフレーム13，第１，第２の金属板12a,
12bの表面に接着剤を塗布するようにしてもよい。但
し、この接着剤はエレクトロマイグレーションを誘発す
るおそれがあるので、導電体３の接合力にて十分な電気
的接続が得られる場合には、接着剤を塗布しない方がよ
い。
の電気的接続部材1a, 1bの保持体２の表面に接着剤、及
び／またはリードフレーム13，第１，第２の金属板12a,
12bの表面に接着剤を塗布するようにしてもよい。但
し、この接着剤はエレクトロマイグレーションを誘発す
るおそれがあるので、導電体３の接合力にて十分な電気
的接続が得られる場合には、接着剤を塗布しない方がよ
い。
【００１９】なお、上述の実施例において、リードフレ
ーム13と第１，第２の金属板12a, 12bとをＣｕまたはＣ
ｕ合金製とし、第１，第２の電気的接続部材1a, 1bとの
接続部分にはＡｇ，ＡｕまたはＡｌ膜を形成している
が、この場合に、Ａｇ，ＡｕまたはＡｌへのＣｕの拡散
を防止するために、中間層としてＮｉまたはＭｏ層を設
けるようにしてもよい。また、ＣｕまたはＣｕ合金は最
も電気的特性は優れるが、リードフレーム13と第１，第
２の金属板12a, 12bとをＦｅ−42％Ｎｉ合金製としても
よい。更に、上述の実施例では導電体３の全部がＡｕか
らなるが、その接合部にのみハンダを被せた構成として
もよい。このような場合には、接合方法としてハンダリ
フローが用いられる。
ーム13と第１，第２の金属板12a, 12bとをＣｕまたはＣ
ｕ合金製とし、第１，第２の電気的接続部材1a, 1bとの
接続部分にはＡｇ，ＡｕまたはＡｌ膜を形成している
が、この場合に、Ａｇ，ＡｕまたはＡｌへのＣｕの拡散
を防止するために、中間層としてＮｉまたはＭｏ層を設
けるようにしてもよい。また、ＣｕまたはＣｕ合金は最
も電気的特性は優れるが、リードフレーム13と第１，第
２の金属板12a, 12bとをＦｅ−42％Ｎｉ合金製としても
よい。更に、上述の実施例では導電体３の全部がＡｕか
らなるが、その接合部にのみハンダを被せた構成として
もよい。このような場合には、接合方法としてハンダリ
フローが用いられる。
【００２０】なお、上述の実施例では、リードフレーム
13及び第１，第２の金属板12a, 12bの電気的接続部分に
のみＡｇ，ＡｕまたはＡｌ膜が形成されているが、それ
らの全表面にメッキ，蒸着，スパッタリング法等によっ
てＡｕ膜を形成するようにしてもよい。
13及び第１，第２の金属板12a, 12bの電気的接続部分に
のみＡｇ，ＡｕまたはＡｌ膜が形成されているが、それ
らの全表面にメッキ，蒸着，スパッタリング法等によっ
てＡｕ膜を形成するようにしてもよい。
【００２１】従来の多層リードフレームでは、金属板間
を絶縁するために絶縁テープを必要とし、またリードフ
レームと金属板とを接続するために金属突起部を必要と
し、しかも金属板の折り曲げ加工処理が必要である。と
ころが、本実施例にあっては、絶縁材からなる保持体２
と保持体２から両端部が露出している接続用の導電体３
とから構成される電気的接続部材１を用いることによっ
て、折り曲げ工程は不要となり、容易に多層リードフレ
ームを製造でき、狭ピッチ，多ピン化を実現できる。
を絶縁するために絶縁テープを必要とし、またリードフ
レームと金属板とを接続するために金属突起部を必要と
し、しかも金属板の折り曲げ加工処理が必要である。と
ころが、本実施例にあっては、絶縁材からなる保持体２
と保持体２から両端部が露出している接続用の導電体３
とから構成される電気的接続部材１を用いることによっ
て、折り曲げ工程は不要となり、容易に多層リードフレ
ームを製造でき、狭ピッチ，多ピン化を実現できる。
【００２２】また、従来のようなスポット抵抗溶接を用
いなくても接合が可能であるので、この点からも狭ピッ
チ，多ピン化を推進させることが可能である。
いなくても接合が可能であるので、この点からも狭ピッ
チ，多ピン化を推進させることが可能である。
【００２３】さらに、信号線であるリードフレーム13を
電源層, 接地層の２枚の金属板12a,12bにて挟む構成に
なっているので、電気的雑音の低減化を図ることができ
る。また、これらの上下の金属板12a, 12bは放熱板とし
ての役割を果たすことになり、ＬＳＩ11からの熱を放散
する機能が高い。
電源層, 接地層の２枚の金属板12a,12bにて挟む構成に
なっているので、電気的雑音の低減化を図ることができ
る。また、これらの上下の金属板12a, 12bは放熱板とし
ての役割を果たすことになり、ＬＳＩ11からの熱を放散
する機能が高い。
【００２４】従来の多層リードフレームでは、前述した
ように、リードピッチは0.5 mmが限界であり、リード数
は最大200 ピンであったが、本実施例の多層リードフレ
ームでは、リードピッチを0.1 mm程度まで狭小化でき、
リード数も最大600 ピン程度まで増大できる。
ように、リードピッチは0.5 mmが限界であり、リード数
は最大200 ピンであったが、本実施例の多層リードフレ
ームでは、リードピッチを0.1 mm程度まで狭小化でき、
リード数も最大600 ピン程度まで増大できる。
【００２５】図８は、本発明の変形例における多層リー
ドフレームの断面図、図９はこの実施例における多層リ
ードフレームの構成部材を示す斜視図である。図８に示
す実施例の多層リードフレームは、ＬＳＩ11を載置する
電源層（または接地層）となる平板状のＣｕまたはＣｕ
合金製の第１の金属板12a と、絶縁テープ15と、接地層
（または電源層）となる平板状のＣｕまたはＣｕ合金製
の第２の金属板12b と、図１，２に示す構成をなす電気
的接続部材１と、信号線，電源線および接続線からなる
ＱＦＰ用の一般的なＣｕまたはＣｕ合金製のリードフレ
ーム13とを、下方から順に積層した構成をなす。絶縁テ
ープ15，第２の金属板12b 及び電気的接続部材１の各中
央部にはＬＳＩ11を設置するための開口部が設けられ、
また、第１，第２の金属板12a, 12bには金属突起部21a,
21bが形成されている。リードフレーム13と第１の金属
板12a の金属突起部21a 、リードフレーム13と第２の金
属板12b の金属突起部21b とは、電気的接続部材１の導
電体３を介して電気的に接続されている。但し、本実施
例では、第１の金属板12a の金属突起部21a の折り曲げ
加工を必要とする。第１の金属板12a に載置されたＬＳ
Ｉ11と、第１の金属板12a ，リードフレーム13及び第２
の金属板12b とはＡｕまたはＡｌからなるワイヤ14, 1
4, 14にてボンディング接続されている。なお、この実
施例における他の構成、位置合わせ、接合動作などは、
前述した実施例（図３，４相当）に準じるので、その説
明は省略する。
ドフレームの断面図、図９はこの実施例における多層リ
ードフレームの構成部材を示す斜視図である。図８に示
す実施例の多層リードフレームは、ＬＳＩ11を載置する
電源層（または接地層）となる平板状のＣｕまたはＣｕ
合金製の第１の金属板12a と、絶縁テープ15と、接地層
（または電源層）となる平板状のＣｕまたはＣｕ合金製
の第２の金属板12b と、図１，２に示す構成をなす電気
的接続部材１と、信号線，電源線および接続線からなる
ＱＦＰ用の一般的なＣｕまたはＣｕ合金製のリードフレ
ーム13とを、下方から順に積層した構成をなす。絶縁テ
ープ15，第２の金属板12b 及び電気的接続部材１の各中
央部にはＬＳＩ11を設置するための開口部が設けられ、
また、第１，第２の金属板12a, 12bには金属突起部21a,
21bが形成されている。リードフレーム13と第１の金属
板12a の金属突起部21a 、リードフレーム13と第２の金
属板12b の金属突起部21b とは、電気的接続部材１の導
電体３を介して電気的に接続されている。但し、本実施
例では、第１の金属板12a の金属突起部21a の折り曲げ
加工を必要とする。第１の金属板12a に載置されたＬＳ
Ｉ11と、第１の金属板12a ，リードフレーム13及び第２
の金属板12b とはＡｕまたはＡｌからなるワイヤ14, 1
4, 14にてボンディング接続されている。なお、この実
施例における他の構成、位置合わせ、接合動作などは、
前述した実施例（図３，４相当）に準じるので、その説
明は省略する。
【００２６】
【発明の効果】以上のように、本発明の多層リードフレ
ームでは、絶縁性の保持体から両端部を露出させた複数
の導電体を備えた電気的接続部材を用いて、リードフレ
ームと金属板とを接続するように構成したので、従来例
に比べて、狭ピッチ，多ピン化を実現することができ
る。また、リードフレームを２枚の金属板にて挟む構成
にしたので、従来例に比べて、電気的雑音の低減化な
ど、電気特性の改善を図ることができる。
ームでは、絶縁性の保持体から両端部を露出させた複数
の導電体を備えた電気的接続部材を用いて、リードフレ
ームと金属板とを接続するように構成したので、従来例
に比べて、狭ピッチ，多ピン化を実現することができ
る。また、リードフレームを２枚の金属板にて挟む構成
にしたので、従来例に比べて、電気的雑音の低減化な
ど、電気特性の改善を図ることができる。
【図１】本発明の多層リードフレームに使用する電気的
接続部材の平面図である。
接続部材の平面図である。
【図２】本発明の多層リードフレームに使用する電気的
接続部材の断面図である。
接続部材の断面図である。
【図３】本発明の多層リードフレームの断面図である。
【図４】本発明の多層リードフレームの構成部材を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図５】ＱＦＰにおけるリードフレームの電源ピンと接
地ピンとの配置例を示す平面図である。
地ピンとの配置例を示す平面図である。
【図６】電気的接続部材を用いたリードフレームと金属
板との接合例を示す断面図である。
板との接合例を示す断面図である。
【図７】電気的接続部材及び金属板の他の実施例を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図８】本発明の変形例の多層リードフレームの断面図
である。
である。
【図９】本発明の変形例の多層リードフレームの構成部
材を示す斜視図である。
材を示す斜視図である。
【図１０】従来の多層リードフレームの断面図である。
１ 電気的接続部材 ２ 保持体 2a 貫通孔 ３ 導電体 1a 第１の電気的接続部材 1b 第２の電気的接続部材 11 ＬＳＩ 12a 第１の金属板 12b 第２の金属板 13 リードフレーム 14 ワイヤ
Claims (1)
- 【請求項１】 リードフレームと、絶縁材からなる保持
体に形成された貫通孔にその両端部を前記保持体の両面
から露出させて導電体を埋設した構成をなし、前記リー
ドフレームの片面または両面にその一方の露出部を接し
て配設された１または２枚の電気的接続部材と、該電気
的接続部材の他方の露出部に接する平面状の１または２
枚の金属板とを有し、前記リードフレームと前記金属板
とが前記電気的接続部材により電気的に接続されて構成
されていることを特徴とする多層リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27527992A JPH06104369A (ja) | 1992-09-19 | 1992-09-19 | 多層リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27527992A JPH06104369A (ja) | 1992-09-19 | 1992-09-19 | 多層リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06104369A true JPH06104369A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17553215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27527992A Pending JPH06104369A (ja) | 1992-09-19 | 1992-09-19 | 多層リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06104369A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5767570A (en) * | 1993-03-18 | 1998-06-16 | Lsi Logic Corporation | Semiconductor packages for high I/O semiconductor dies |
| US5818102A (en) * | 1995-12-29 | 1998-10-06 | Lsi Logic Corporation | System having integrated circuit package with lead frame having internal power and ground busses |
| US5864173A (en) * | 1995-04-05 | 1999-01-26 | National Semiconductor Corporation | Multi-layer lead frame |
| KR100708040B1 (ko) * | 2001-04-20 | 2007-04-16 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 다층 써킷테이프 및 이를 이용한 반도체패키지와 그 제조방법 |
| CN111864050A (zh) * | 2020-04-16 | 2020-10-30 | 诺思(天津)微***有限责任公司 | 半导体器件、半导体组件及电子设备 |
| JP2021082638A (ja) * | 2019-11-15 | 2021-05-27 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板、電子装置及び配線基板の製造方法 |
-
1992
- 1992-09-19 JP JP27527992A patent/JPH06104369A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5767570A (en) * | 1993-03-18 | 1998-06-16 | Lsi Logic Corporation | Semiconductor packages for high I/O semiconductor dies |
| US5864173A (en) * | 1995-04-05 | 1999-01-26 | National Semiconductor Corporation | Multi-layer lead frame |
| US5994768A (en) * | 1995-04-05 | 1999-11-30 | National Semiconductor Corporation | Multi-layer lead frame |
| US6087204A (en) * | 1995-04-05 | 2000-07-11 | National Semiconductor Corporation | Method of making a multi-layer lead frame |
| US5818102A (en) * | 1995-12-29 | 1998-10-06 | Lsi Logic Corporation | System having integrated circuit package with lead frame having internal power and ground busses |
| KR100708040B1 (ko) * | 2001-04-20 | 2007-04-16 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 다층 써킷테이프 및 이를 이용한 반도체패키지와 그 제조방법 |
| JP2021082638A (ja) * | 2019-11-15 | 2021-05-27 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板、電子装置及び配線基板の製造方法 |
| CN111864050A (zh) * | 2020-04-16 | 2020-10-30 | 诺思(天津)微***有限责任公司 | 半导体器件、半导体组件及电子设备 |
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