JPH06100381A - トパズから製造される熱シヨツク及びクリープに耐える多孔性ムライト物品及び製造のための方法 - Google Patents

トパズから製造される熱シヨツク及びクリープに耐える多孔性ムライト物品及び製造のための方法

Info

Publication number
JPH06100381A
JPH06100381A JP3228547A JP22854791A JPH06100381A JP H06100381 A JPH06100381 A JP H06100381A JP 3228547 A JP3228547 A JP 3228547A JP 22854791 A JP22854791 A JP 22854791A JP H06100381 A JPH06100381 A JP H06100381A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
topaz
honeycomb
mullite
mixture
silicon dioxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3228547A
Other languages
English (en)
Inventor
Bulent O Yavuz
ブレント・オー・ヤブズ
Kenneth E Voss
ケネス・イー・ボス
Matthew P Larkin
マシユー・ピー・ラーキン
Gary W Rice
ゲイリー・ダブリユー・ライス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BASF Catalysts LLC
Original Assignee
Engelhard Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US07/567,995 external-priority patent/US5173349A/en
Application filed by Engelhard Corp filed Critical Engelhard Corp
Publication of JPH06100381A publication Critical patent/JPH06100381A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J21/00—Catalysts comprising the elements, oxides, or hydroxides of magnesium, boron, aluminium, carbon, silicon, titanium, zirconium, or hafnium
    • B01J21/12—Silica and alumina
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/20—Silicates
    • C01B33/26—Aluminium-containing silicates, i.e. silico-aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/16—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay
    • C04B35/18—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay rich in aluminium oxide
    • C04B35/185—Mullite 3Al2O3-2SiO2
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/632—Organic additives
    • C04B35/636—Polysaccharides or derivatives thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/632—Organic additives
    • C04B35/636—Polysaccharides or derivatives thereof
    • C04B35/6365—Cellulose or derivatives thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/71—Ceramic products containing macroscopic reinforcing agents
    • C04B35/78—Ceramic products containing macroscopic reinforcing agents containing non-metallic materials
    • C04B35/80—Fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
    • F02B—INTERNAL-COMBUSTION PISTON ENGINES; COMBUSTION ENGINES IN GENERAL
    • F02B3/00—Engines characterised by air compression and subsequent fuel addition
    • F02B3/06—Engines characterised by air compression and subsequent fuel addition with compression ignition
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24149—Honeycomb-like

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Catalysts (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Porous Artificial Stone Or Porous Ceramic Products (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】 その場でのプロセスによつてくっついた坏土
の形での水和されたフッ化アルミニウム及び二酸化ケイ
素の化学量論量に近い混合物から相互連結したトパズ結
晶を製造すること、そして次にかくして回収された相互
連結したトパズ（またはもう一つのソースからの相互連
結したトパズ結晶）を形のある物体の形の付加的なシリ
カまたはシリカ及びフッ化アルミニウムとの反応物とし
て使用してその場での合成によつて高密度化ムライトホ
イスカー物品を生成させることによつて製造する有用な
ムライトホイスカー物品の製造方法。 【効果】 本発明の方法により、非常に高い熱ショック
耐性を有する形のある物品を比較的低いコストで製造す
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の背景】本発明は、三次元相互連結したムライト
ホイスカー結晶ネットワークを基にしたセラミック物品
に関し、そして慣用の焼結無しで製造されるムライトホ
イスカー物品を高密度化及び強化するためのムライトホ
イスカーのその場での合成における反応物としてのトパ
ズ結晶の使用に特に向けられている。特に、本発明は、
形のある坏土（ｓｈａｐｅｄ ｇｒｅｅｎ ｂｏｄｉｅ
ｓ）、殊に押出されたハニカムにおける相互連結したト
パズ結晶及び二酸化ケイ素またはトパズ結晶、二酸化ケ
イ素及び水和されたフッ化アルミニウムのその場での反
応に関する。
【０００２】高度の熱ショック及びクリープ耐性を示す
形のあるセラミック物品は、多数の商業的に重要な応
用、例えばジーゼル粒子トラップ、熱ガスフィルター、
溶融金属フィルター、廃棄触媒のための基体、オゾン転
化のための触媒基体、電力ガスタービンにそして金属マ
トリックス複合物において使用される貴金属燃焼器（カ
トコム（Ｃａｔｃｏｍ））のための触媒基体としての応
用を有する。しかしながら、数個の大きな問題がセラミ
ックのこのような使用を妨げる。第一に、セラミック
は、熱ショック及び／またはクリープによって引き起こ
される損傷、例えばクラッキングに敏感である。もう一
つの問題は、セラミック構造体はしばしば機械加工する
ことまたは合わせることが困難であり、それは、複雑な
形を有するセラミック物品を製造することを困難にする
という事実から生じる。これは、薄い壁の構造体例えば
ハニカムでは殊に真実である。
【０００３】ムライトは、多数のセラミック用途におい
て広く使用され、そして近似の実験的な組成、３Ａｌ2
Ｏ3．２ＳｉＯ2の結晶性アルミニウムシリケートであ
る。ムライトは特色のある回折パターンによって特徴付
けられるが、ムライトは明瞭に異なる結晶の形で存在
し、最も一般的なものは、時には“針状の”形と呼ばれ
る、プリズムに似たシガーの形の結晶である。この形の
ムライトは“クランプ（ｃｌｕｍｐｓ）”として存在し
そして、例えば粘土を燃焼することによって得ることが
できる。ムライトはまた、滑らかな伸びた単結晶（ホイ
スカー）として合成することもできる。ホイスカーは、
慣用のムライト物質におけるプリズムに似た結晶よりも
顕著に高いアスペクト比を有する。ムライトはまた、高
度に伸びた繊維として合成することもできる。一般的
に、すべての形のムライトは、アルミナの既知の価値あ
る性質、例えば高い融点の多くを有しそして、加えて、
その他の価値ある物理的及び化学的性質を示す。しかし
ながら、ムライトがホイスカーとして生成される時に
は、単結晶に伴う通常の強度が得られる。トパズ（Ａｌ
2ＳｉＯ4Ｆ2）は、ムライトホイスカーよりも顕著に低
いアスペクト比を有するずんぐりしたバー状結晶として
通常は得られる。トパズは特異的なＸ線回折パターンに
よって特徴付けられそして二酸化ケイ素との反応によっ
て種々の形のムライトに転化することができる。
【０００４】この技術は、セラミックを強化するために
ムライトホイスカーを含む種々のホイスカーを使用する
示唆が豊富である。一般的に、このような使用において
は、ホイスカーは、慣用の焼結技術による複合物に生成
される別々の非集塊結晶として用いられる。これは、こ
のようにして製造されるセラミック物品中のムライトの
含量を本来制限しそして潜在的にフラックスする（ｆｌ
ｕｘｉｎｇ）物質を導入する。かくして、別々の単一ホ
イスカーの添加を含む複合物を基にしたムライト物品
は、純粋なムライトが生き延びることができる温度ほど
高い温度では使用することができず、そしてこのような
複合物の製造は繊維状物質を取り扱うことを必要にす
る。
【０００５】ホイスカーの形のムライトの製造のための
先行技術においては、種々の方法が示唆されてきた。一
般的に、これらはガス状副生成物の放出を伴う高い温度
での固体 - 固体反応を含む。無水三フッ化アルミニウ
ム（または三フッ化アルミニウム及びアルミナ）及び二
酸化ケイ素とトパズ中間体との反応からのムライトホイ
スカーの生成は、すべてタルミー（Ｔａｌｍｙ）らの
Ｕ．Ｓ．４，９１０，１７２、４，９１１，９０２及び
４，９８４，７６６中で述べられている。これらの反応
物は、ムライト結晶が生成される前にトパズの結晶性相
を通過する。これらの特許の教示によれば、固体反応物
は無水でなければならずそして無水四フッ化ケイ素雰囲
気がムライトホイスカーを生成させるために存在しなけ
ればならない。Ｕ．Ｓ．４，９８４，７６６において
は、反応物及び有機バインダを含む多孔性の形のある予
備成形品を、小さなディスクとしての例において例示さ
れる、高度に多孔性のフェルトに転化し、坏土はトパズ
中間体の単離無しでトパズ中間体段階を通って進む。初
期の坏土は、フェルトがそうであるように、高度に多孔
性である。
【０００６】本発明者らの共に継続している出願、ＵＳ
ＳＮ ０７／３８６，１８６は、予備成形された前駆体
からのネットに近い形の多孔性ムライトセラミック部品
を製造するためのその場での化学的ルートに向けられて
いる。本発明は、薄い壁のハニカムのような高度に複雑
な形の形成を可能にし、そしてそれは、坏土からの四フ
ッ化ケイ素及び水を含む揮発性反応生成物を吹き飛ばし
ながら、一時的なバインダと一緒に、約１２：１３のモ
ル比における細かく粉末にされ水和されたフッ化アルミ
ニウム及び二酸化ケイ素の混合物を含むくっついた（ｃ
ｏｈｅｒｅｎｔ）坏土を加熱することを必然的に伴う。
これらの反応物は、以下の式：
【０００７】
【化１】 １２AlF3．xH2O＋１３SiO2＝２(３Al2O3．２SiO2)＋９SiF4＋xH2O (1) ［式中、Ｘは適切には約３でありそして９ほど高いこと
もできる］に従ってムライトを生成させる。約６００℃
〜８００℃の温度では、トパズ中間体（Ａｌ2ＳｉＯ4Ｆ
2）が生成されそして８９０℃より上ではこの反応は結
果としてムライトホイスカーの生成をもたらす。このト
パズ中間体はこの方法においては回収されない。
【０００８】反応（１）によって得られるムライトホイ
スカー生成物は、高度に多孔性、典型的には約８０％多
孔性であり、そしてかくしてそれらは比較的弱い。しか
しながら、高いムライトホイスカー含量の形のある物品
のための重要な潜在的な商業的応用の多くは、なお望ま
しいミクロ及びマクロ構造体を有しながら、より高い強
度を要求する。
【０００９】
【発明の要約】有用なムライトホイスカー物品は、その
場でのプロセスによってくっついた坏土の形での水和さ
れたフッ化アルミニウム及び二酸化ケイ素の化学量論量
に近い混合物から相互連結したトパズ結晶を製造するこ
と、そして次にかくして回収された相互連結したトパズ
（またはもう一つのソースからの相互連結したトパズ結
晶）を形のある物体の形の付加的なシリカまたはシリカ
及びフッ化アルミニウムとの反応物として使用してその
場での合成によって高密度化ムライトホイスカー物品を
生成させることによって製造することができることがこ
こに見い出された。
【００１０】本発明の一つの実施態様においては、水和
されたフッ化アルミニウム及び二酸化ケイ素の化学量論
量に近い混合物から製造されるトパズ結晶は、一時的な
バインダと一緒の、くっついた坏土、例えばスパゲッテ
ィ状押出物と混合されそしてそれらに生成され、そして
これらの坏土は約６００〜８００℃の範囲の温度に加熱
されて、相互連結したバー状トパズ結晶から成るが、坏
土として本質的に同じサイズ及び形の坏土を生成させ
る。この反応の間に、水及び四フッ化ケイ素を含む放出
された揮発物は、固体から吹き飛ばされる。トパズ結晶
はホイスカーではないので、それらはほんの弱く相互連
結しているに過ぎない。かくしてトパズ体は比較的もろ
くはなく、そして例えば１００メッシュより細かいサイ
ズに粉砕することができ、または押出物は、相互連結し
たトパズ結晶の小さな粒子に押出物を結果として破断す
るであろうその他の成分とボールミル中で混合すること
ができる。
【００１１】本発明の一つの好ましい実施態様の実際に
おいては、このようにして生成されるトパズは、次に、
付加的な水和されたフッ化アルミニウム及び二酸化ケイ
素と一緒に、もう一つの形のある坏土、好ましくはハニ
カムに成形され、ここでこれらの物質は、二酸化ケイ素
の一部がトパズと反応してムライトホイスカーを生成さ
せるような、トパズに対する量で使用され、そしてこの
二酸化物の別の部分はフッ化アルミニウムと反応して、
付加的なムライトホイスカーを生成させる。この坏土
は、次に、空気または窒素によって揮発物を吹き飛ばし
ながら燃焼して、ムライトホイスカーの相互連結したネ
ットワークを生成させそして反応（１）によって得られ
るよりも大きな密度及び強度の物品を生成させる。特に
好ましい実施態様においては、ムライトホイスカーのこ
れらの二つのソースから誘導される燃焼された物体は、
ムライトへのアルミナ - シリカゾル前駆体に侵入させ
ることによってさらに高密度化される。この複合物は、
ゾルを、しかしながら、ホイスカー形にはないであろう
付加的なムライトに転化するために燃焼される。 本発
明のもう一つの好ましい実施態様においては、より大き
な強度及び密度のムライトホイスカー物品が、上で述べ
たようにして製造されたトパズ結晶の集塊を、一時的な
バインダと一緒にムライトを生成させるのに化学量論的
な量の二酸化ケイ素と混合することによって製造され
る。この混合物を坏土に成形し、これらの坏土をムライ
トを生成させるのに十分な温度、例えば８９０℃または
それより上、及び時間で燃焼し、それによってすべての
ムライトホイスカーを相互連結した結晶トパズ前駆体と
添加された二酸化ケイ素との反応によって生成させる。
これは、式（１）によって得られるよりも少ない多孔性
の（より密な）物品、並びにトパズ結晶の集塊と認めら
れるほどの量の添加されたフッ化アルミニウム及び二酸
化ケイ素との反応によって得られるものよりも密である
物品に導く。 ハニカムホイスカー生成物の好ましい使
用は、Ｃａｔｃｏｍ用途による使用のための貴金属触媒
のための基体としてである。このような用途において
は、熱ショック耐性の基体物質が必要とされる。何故な
らば、それは、例えば、ガスタービンの緊急停止の結果
として作られる顕著な熱傾斜によって誘導される熱スト
レスに対して生き延びなければならないからである。こ
れらの停止は、このガス発生機の寿命の間に多数回起き
ることが予期される。固体のシリンダー状物体中の熱ス
トレスを表現する簡単化された方法は、以下の関係：
【００１２】
【数１】 ［式中、σは熱ストレスであり、Ｅは弾性率であり、α
は熱膨張係数であり、ｖはポアソン比であり、ＴＳ及び
ＴＣは、それぞれ、シリンダーの表面及び中心温度であ
る］によって与えることができる。
【００１３】本発明を実施に移す際には、トパズ反応物
は、フッ化アルミニウム水和物、例えば、ＡｌＦ3．３
Ｈ2Ｏを無定形または結晶性二酸化ケイ素と、好ましく
は遊離の二酸化ケイ素無しでトパズが生成されるのに実
質的に化学量論的な割合、例えば１モルのＳｉＯ2あた
り約１モルのＡｌＦ3に対応する４２重量部の二酸化ケ
イ素に対して約５４〜６２重量部の三フッ化アルミニウ
ム（無水基準）を使用して、混合することによって好ま
しくは製造される。フッ化アルミニウム及び二酸化ケイ
素は粒子の形である。この混合物を、一時的なバインダ
物質例えばメチルセルロースと完全に混合し、ここでこ
のバインダは乾いたまま添加され続いて液体ビヒクル好
ましくは水が添加されるか、またはバインダは水溶液若
しくは分散液として添加される。押出可能な堅さ（ｃｏ
ｎｓｉｓｔｅｎｃｙ）の混合物を供給するために十分な
液体ビヒクルが添加される。押出に先立って、この混合
物を完全に混合しそして押出して乾燥及び燃焼を受け易
い形の坏土を生成させる。取り扱いを容易にするために
適当な強度のグリーン押出物を達成するために十分なバ
インダが使用される。この混合物を、任意の適当な径、
例えば０．８ｍｍ〜６．４ｍｍのものでよい、薄いスパ
ゲッティ状の押出物に押出すことによって優れた結果が
得られてきた。これらの押出物を、乾燥及び燃焼の前に
ペレットにぶち切ることもできるし、またはこれらの押
出物を乾燥及び燃焼することもできる。次に、相互連結
したトパズ結晶の押出物を、粉砕する時に、より細かな
粒子に破砕する。
【００１４】引き続く燃焼ステップの間に片をさらに容
易に取り扱うことができるように、バインダ例えばメチ
ルセルロースのゲル化によって坏土を強化するために、
燃焼の前に坏土を乾燥させることが好ましい。燃焼は、
トパズ及びムライト生成反応の間に放出されるフッ素含
有ガスを追い出す能力を有する１５００℃ほどの高い温
度で運転することができる炉によって好ましくは実施さ
れる。フッ素含有ガスの除去は、炉の外側に置かれてい
るが炉の出口ゲートに耐火物質のチューブを経由して接
続されている蠕動性ポンプによって達成される。運転さ
れている時には、ポンプは、炉の内側から外側にガスを
吸い、そして生成物を比較的無害な固体生成物例えばＮ
ａＦ及びＳｉＯ2に転化するためのスクラビング装置に
ガスを送る。蠕動性ポンプは、フッ素含有ガス、特にＨ
Ｆを反応室から除去し、炉の内側でのこれらのガスの滞
留時間を最小化することによって炉付属具（ｆｕｒｎｉ
ｔｕｒｅ）及び加熱要素を保護するために必要とされ
る。このポンプの作用の結果として、四フッ化ケイ素は
反応室から連続的に除去され、そしてまたそれが普通に
されるよりも速い。
【００１５】本発明の実施においては、好ましくは上で
述べたようにして生成された相互連結したトパズ結晶を
含むムライトを製造するための反応物を、適当なバイン
ダ例えばメチルセルロース及び水と一緒の、二酸化ケイ
素または二酸化ケイ素及び水和されたフッ化アルミニウ
ムと完全に混合する。その他の適当なバインダは、例え
ば、アルジネート、ポリエチレンオキシド、樹脂、澱
粉、グアーゴム及びワックスを含む。トパズ中間体並び
にムライトホイスカー物品を製造するための適当なバイ
ンダの選択は、米国特許４，５５１，２９５中で議論さ
れていて、その教示は引用によって本明細書中に組み込
まれる。バインダとの混合に続いて、反応物は、押出、
射出成形、低圧射出成形、プレス、テープキャスティン
グまたは任意のその他の適当なセラミック処理技術を使
用して所望の形に成形される。
【００１６】酸化アルミニウムもまた、細かな粒子とし
てそして反応性成分、即ち、フッ化アルミニウム水和物
＋二酸化ケイ素、トパズ及びアルミナの総乾燥重量を基
にして１〜１０％の重量比でフッ化アルミニウム水和
物、二酸化ケイ素及びトパズを含有して成る反応性成分
混合物に添加してもよい。α−アルミナが適当である
が、その他の形も使用することができる。酸化アルミニ
ウム添加のための主な理由は、それを未反応二酸化ケイ
素と高められた温度で反応せしめてムライト粒子を生成
させることである。二酸化ケイ素の一部は、フッ化アル
ミニウムの一部が、それが二酸化ケイ素と反応する前に
揮発する可能性があるので、未反応のままに留めてよ
い。フッ化アルミニウム及び二酸化ケイ素の化学量論量
が反応性成分混合物に添加される場合には、これは、最
終生成物中では望ましくない可能性がある過剰の二酸化
ケイ素を結果としてもたらすであろう。次に、過剰の酸
化アルミニウムをこのシリカと反応させてムライト粒子
を生成させる。酸化アルミニウムが反応性成分混合物に
添加される時には、それの幾らかの部分はこの過剰のシ
リカと反応するであろうし、一方残りは未反応に留まっ
てよい。かくして、最後の燃焼されたハニカム生成物は
未反応酸化アルミニウムを含む可能性がある。
【００１７】本発明を実施する際には、粉末化された反
応物及びバインダの成形された片を、四フッ化ケイ素及
び水を含むがこれらに限定されない揮発物を吹き飛ばす
ために空気または窒素の流動する流れ中で所望の温度
（９００℃及びそれより上）に燃焼し、そして、元の形
が保留されている間に、前駆体混合物をムライトホイス
カーに転換させる。マトリックスはなく、そして生成物
は、相互連結しそして分岐したムライトホイスカーから
本質的に成る非常に多孔性の形のある物品の形である。
【００１８】燃焼された物品が痕跡量のフッ化物イオン
を含むかもしれない可能性は、ムライトを製造するこの
方法においては固有のものである。フッ化物イオンの非
常に低い濃度でさえ多くの触媒を被毒する可能性がある
ので、それらが金属触媒のための支持体として使用され
る予定である場合には、成形されたムライト物品が本質
的にフッ化物を含まないことが重要である。本発明の一
面は、述べられたルートによってムライト物品を製造す
ること、そしてこのような物品をフッ化物を含まない条
件で得ることを包含する。フッ化物イオン除去の実用的
な方法は、スチームまたは過熱されたスチームの使用を
含む。例えば、金属触媒のための支持体として有用なハ
ニカムは、それを燃焼した後で、過熱された（９００
℃）濃硫酸浴中に浸漬させ及び／またはそれを通してス
チームを通過せしめてフッ化物イオンを除去することが
できる。その代わりに、水素パージはフッ化物イオンの
効果的な除去剤である。この結果は、本質的にフッ化物
イオンを含まないムライトハニカム支持体である。
【００１９】ここで述べた多孔性ムライト物品を製造す
る方法は、このルートによって、非常に高い熱ショック
耐性を有する形のある物品を比較的低いコストで製造す
ることができるので、殊に魅力的である。これらの物品
は軽重量でありそして非常に高いクリープ耐性を有す
る。本発明によれば、複雑なまたは薄い形を有する物品
を比較的容易に製造することができる。例は、ハニカム
形、波形シート、網形（櫛形）片、フォーム、ドーナツ
または、フィルター、触媒基体、粒子トラップ若しくは
その他の機能的な目的物として役に立つために選ばれた
任意のその他の所望の機能的な形である。これらの物品
は、クラッキング無しでネットに近い形に作られるか及
び／または広く機械加工され得る。高い粗さを有する触
媒基体の壁を製造することができ、そして高い比強度
（強度／密度）のムライト物品を何ら残留するガラスの
相が存在すること無しで達成することができる。
【００２０】耐火物触媒支持体例えば米国特許３，５６
５，８３０（引用によって本明細書中に組み込まれる）
中に述べられた支持体は、本発明の有利な利用を構成す
る。本発明に従って製造されるムライト支持体は、触媒
的に活性な酸化物、例えばアルミナによって容易にコー
トされ、そして次に触媒例えば引用特許中で述べられた
ものによる使用のために白金族金属によって含浸されて
よい。
【００２１】耐火物触媒支持体はまた、例えば米国特許
３，９２８，９６１及び４，８９３，４６５（引用によ
って本明細書中に組み込まれる）中に述べられた触媒的
に支持された熱燃焼に向けられた方法（カトコム）のた
めに必要とされる。本発明に従って製造されるムライト
触媒支持体は、これらの特許において述べられたものの
ような触媒燃焼方法における使用のために例外的に十分
に適している。
【００２２】本発明に従って前駆体混合物によって製造
された二つの物品は、熱処理によってお互いに接合する
ことができる。二つの類似の物質の間に良好な接合を製
造することは利点を有する。ある種の触媒的な応用は、
大きなサイズのハニカム片を要求する。ジーゼル粒子フ
ィルターは、径が約１２インチまたはそれ以上でよい。
ハニカム形の物品の大きな片は、触媒的な燃焼の応用の
ために必要とされる。このように大きな片の押出は非常
に困難である。この物質から作られた二つの物品の間の
接合は良好な品質を有するので、大きな片は、より小さ
な押出した部品を接合することによって組み立てること
ができる。例えば、シリンダー状ハニカム材料は、四分
の一の円のシリンダーの四つの片を融合することによっ
て組み立てることができる。この方法においては、グリ
ーン粒子のフッ化アルミニウム、二酸化ケイ素及びバイ
ンダ混合物の数個の小さな片を、燃焼の前に完全な接触
に置くことまたはより小さな未燃焼の片を一緒にプレス
することのどちらかによって接合し、その結果燃焼によ
って、比較的一層複雑な形の大きな物品を生成させる。
実施例４及び１６を参照せよ。接合体（ｊｏｉｎｔ）を
生成させるためにトパズ反応物、例えば実施例１６によ
って作られた物品は、増加した密度のために好ましい。
【００２３】本発明の純粋なムライトセラミックは、非
常に高い融点（＞１８８０℃）を有する。ホイスカーか
ら成る物品の製造は殊に簡単できれいな方法である。何
故ならばムライトまたはその他のホイスカーを分散させ
る必要はなく、前駆体混合物から作られた形のある物品
の加熱の間にこれらのホイスカーが生成され、かくして
吸い込まれ得るホイスカーに伴う健康及び安全の問題が
回避されるからである。
【００２４】粘土はまた、ハニカムの押出性を改良する
ために小量で使用することもできる。粘土は、シリカま
たはフッ化アルミニウムまたは相互連結したトパズのい
ずれよりも可塑性である。粘土添加を伴う押出物混合物
の増加した可塑性は、押出の容易さを増進する。このよ
うな粘土は、乾いた混合物に添加する、またはバインダ
溶液中に落とし入れることができる。適当な粘土は、例
えば、ベントナイト、アタパルジァイト、パリゴルスカ
イト、モントモリロナイト、パイロフィライト及びカオ
リンを含む。
【００２５】本発明の別の面は、トパズへの転化に先立
ってそしてトパズをその他の反応物と混合してムライト
ホイスカーを生成させるのに先立って反応物を粉砕する
ことによってムライト物品の強度を改良することを含
む。約４５ミクロン未満の粒子サイズへの反応物の粉砕
は、ムライト物品の圧縮強度を改良することができる。
このような粉砕または粒子サイズ減少は種々の方法によ
って実施することができ、ボールミルは比較的便利なよ
く知られた方法の一つである。ボール混合もまた、相互
連結したトパズ結晶のスパゲッティ状押出物を、相互連
結したトパズの小さな、例えば４５ミクロンより細かい
粒子に減少させるために役に立つであろう。
【００２６】最後に、当業者によって認められるよう
に、ホイスカーの処理は、由々しい健康上の危険を作り
出す潜在性を有する。本発明の製造ルートにおいては、
ホイスカーは高められた温度での粉末からその場で生成
されそして相互連結したままに留まる。かくして、本発
明の主題である製造ルートの間には放たれたホイスカー
を取り扱う必要はない。
【００２７】以下は、本発明の実施において使用される
成分を選択する際に考慮されるべきファクター、殊に本
発明のムライトホイスカー生成物のミクロ構造及びマク
ロ構造に影響を与えるファクターの詳細な説明である。
【００２８】本発明者らの共に継続中の出願（０７／３
８６，１８６）のムライトホイスカー物品は、機械的に
相互連結したムライト単結晶ホイスカーから作られてい
てそして低い弾性率を有する。低い弾性率は、主に生成
物の非常に開いた性質に起因する。式（１）に従ってフ
ッ化アルミニウム三水和物及びシリカを反応させること
によって作られる物品は、８０％またはもっと多孔性で
ある。典型的な反応においては：
【００２９】
【化２】 12(AlF3.3H2O)＋13SiO2＝2(3Al2O3.2SiO2)＋9SiF4(g)＋36H2O(g) 1656 g 780 g 852 g である。全部で２４３６ｇの固体は８５２ｇの固体ムラ
イトを生成させる。この数は、６５％の出発固体が反応
してガス状生成物を生成させることを示唆する。しかし
ながら、付加的な多孔度は、これらの反応物を新しいネ
ットの形の物品に結合させる際に使用される薬剤から誘
導される揮発性副生成物の放出によって賦与される。か
くして、これらの反応物は、好ましくは２〜８重量％の
重量比でバインダ、好ましくは有機バインダ、例えばメ
チルセルロースと混合される。液体バインダ／可塑剤、
好ましくは水を１０〜３０％の、そして典型的には約２
０％の重量比でこの混合物に添加し成形を容易にする。
次にこの混合物を、数個の利用できる混合技術の一つ、
例えばパッグミリング及びそれに続くダイオリフィスを
通しての混合物の押出を使用することによって練り粉
（ｄｏｕｇｈ）に均質化してハニカムの形を生成させ
る。次に、このハニカムを乾燥しそして炉の中で燃焼し
てムライトへの反応を完結させる。
【００３０】反応（１）によって得られる押出された坏
土は、決して１００％密ではない。分散の品質、粒径分
布、押出圧力、ダイの形及び幾つかの押出パラメーター
に依存して、坏土中に幾らかの多孔度が存在するであろ
う。坏土の多孔度は、Ｕ．Ｓ．４，９８４，７６６のグ
リーンディスクの多孔度よりも顕著に少ない１〜１５％
の間を変動するであろう。グリーンハニカム中の５％の
多孔度（即ち、実際の密度は理論的な密度より５％少な
い）を仮定しそして反応物固体の２０％及び５％の水及
びバインダ含量を仮定すると、燃焼した片の密度はムラ
イトの理論的密度の２３％であると予期される。例とし
て、１６５６ｇのフッ化アルミニウム三水和物、７８０
ｇの二酸化ケイ素、４８７ｇの水及び１２２ｇのバイン
ダを混合しそしてハニカムを生成させ、次にこのハニカ
ムを燃焼して８５２ｇのムライトを得る。生成物は元の
重量の僅かに２８％である。５％の本来の多孔度と合わ
せると、このムライトホイスカーハニカムは約２３％が
密でまたは約７７％が多孔性である。この計算は、本発
明者らの共に継続中の特許出願の燃焼したハニカム片は
８０％多孔性であることを示唆する。測定はこの推定を
確認する。
【００３１】ムライトホイスカーハニカムの製造中に含
まれる非常に重要なファクターは、燃焼したハニカム
は、坏土がその元の重量の顕著な部分を失うという事実
にも拘わらず坏土の形を留めなければならないというこ
とである。もし反応から得られるムライトのマイクロ構
造が、ムライト粒子が密でかつ等軸的、即ち、多かれ少
なかれ三次元において等方性であるようであれば、各々
の粒子の間に強い結合性が存在しない可能性がある。強
い三次元結合性の欠如によって、元のハニカムの形は保
留されない可能性がある。この生成物は、燃焼に際して
放れた粉末の形に戻り、そしてハニカムの形から崩れる
であろう。図２〜４において示されるような特異なマイ
クロ構造のために燃焼に際して堅いハニカムの形が得ら
れる。ムライト結晶はホイスカーの形で生成される。各
々のホイスカーは、図４中に示されるように分岐されて
いる密な単結晶性であり、これらのホイスカーはもう一
つに機械的に接続されていて、三次元の堅い物体を作
る。ホイスカーは異方性である。それらのアスペクト比
は高く、一般的に１００またはそれ以上である。相互連
結したホイスカーから作られた三次元物体は、８０％ま
たはそれより多い空隙空間を有しそしてなお堅い可能性
がある。水和されたフッ化アルミニウムルートから作ら
れたムライトのこの特性は特異である。単または多結晶
性ではあるが殆ど全くまたは全く異方性を持たない等軸
的である任意の密な固体のムライト粉末は、８０％の空
隙空間を有する三次元の堅い物体を製造することができ
ない。 ミクロ構造の高度に開いた性質は、望ましい低
弾性率に導く。多孔度は、一般に、セラミック物質の弾
性を減少させる。弾性率と多孔度との間の十分に理解さ
れた関係はないが、数個のモデルが開発されてきてそし
て文献中に存在する。一つのモデルは、
【００３２】
【数２】Ｅ＝Ｅ0ｅ-bpまたはＥ＝Ｅ0ｅｘｐ（−ｂＰ） ［式中、Ｅ0は、１００％密な物体の弾性率であり、Ｐ
は、多孔度であり、ｂは、実験的な定数である］によっ
て述べられる。この関係は、Ｅが多孔度につれて顕著に
減少することを示唆する。カトコム基体においては、低
いＥ値が望ましい。より低いＥは、より低い熱ショック
感受性を意味する。その個別の粒子の高度に異方性な性
質のために８０％またはそれより多い空隙空間で生成さ
せることができ、そしてこれらの粒子が相互連結されて
物体に堅さを与える密な固体単結晶から成る物質は、そ
の例外的に低い弾性率のためにカトコム用途のための良
好な候補である。
【００３３】しかしながら、基体の強度はもう一つの重
要なパラメーターである。より強い基体は、使用の間の
の使役に生き延びる一層のチャンスを有する。反応
（１）から得られるムライトホイスカー物質は弱い。本
発明者らの共に継続中の出願は、その反応によって得ら
れる基体を数個のルートの一つによってまたはそれらの
組み合わせによって強化することができる。しかしなが
ら、これらのルートのいずれも、相互連結したトパズの
集塊からムライト結晶を成長させることによって得られ
る多数の利点を提供することはない。
【００３４】本発明に従って、バー状トパズ結晶、好ま
しくは相互連結したトパズ結晶をこの混合物に添加す
る。相互連結したトパズは、好ましくは、以下の式：
【００３５】
【化３】 2(AlF3.3H2O)＋2SiO2＝Al2SiO4F2＋SiF4(g)＋6H2O(g) 276 g 120 184 を経由して６００〜８００℃の温度で成形される。この
反応によって成形されたトパズ結晶は、ずんぐりしてい
るかまたはバー状でそして相互連結している。より高い
温度では、トパズは、シリカと反応して以下の反応を経
由して相互連結したムライトホイスカーを生成させる。
【００３６】
【化４】 6Al2SiO4F2＋SiO2＝2(3Al2O3.2SiO2)＋3SiF4(g) (2) 1104 g 60 852 反応２は、重量の損失が約２７％であることを示唆す
る。この数は、反応１から得られる数よりも顕著に低
い。かくして基体が反応２を経由して作られる場合に
は、相互連結したムライトホイスカー生成物は、図９及
び１０中の顕微鏡写真中の比較によって示されるように
ずっと一層密である。それ故、トパズから得られるムラ
イト基体の強度は、フッ化アルミニウム三水和物及びシ
リカから得られる強度よりも高い。
【００３７】上で記したように、密度を増加させること
は弾性率を増加させ、これは次に熱ショック感受性を増
加させる。かくして、密度及び強度の間に兼ね合いが存
在する。上の式を固体物体中の熱応力を含むファクター
の関係のために書き直すと、熱ショック感受性のための
生成物の最適化はσ／Ｅ比を最大にすることによって達
成されることを計算することができる。
【００３８】このもっとも密なムライトホイスカー生成
物は、反応（２）によって得ることができ、そして本明
細書中では以後Ｔ−１００と名付けられ、これはこの生
成物が相互連結したトパズ及びシリカだけを使用するこ
とによって製造された相互連結したホイスカーから成る
ことを意味する。反応（１）によって得られる生成物
は、元の反応混合物にトパズが添加されなかったので、
Ｔ−０と名付けられる。Ｔ−２５生成物は、反応（２）
によって指示された適当な量のトパズ及びシリカが反応
（１）によって指示されたフッ化アルミニウム三水和物
及びシリカの混合物に添加され、その結果、燃焼する
と、２５％の相互連結したムライトホイスカーが、添加
されたトパズ粉末とシリカとの反応（反応２）によって
得られ、一方残りのホイスカーは水和されたフッ化アル
ミニウムとシリカとの反応（反応１）から生じることを
意味する。
【００３９】ムライトホイスカー物質に関する理論的な
多孔度含量（ｐｏｒｏｓｉｔｙ ｃｏｎｔｅｎｔｓ）
は、数個の仮定即ち： ａ）押出されたグリーンハニカムが９５％密である、即
ちそれは５％の多孔度を保留する； ｂ）押出されたグリーンハニカムは重量で５％の有機バ
インダを有する； ｃ）押出されたグリーンハニカムは固体反応物の重量で
全部で２０％の水及び５％の液体可塑剤を有する；を使
用して計算された。これらの仮定を基にして、理論的多
孔度含量は、物 質 多孔度，％ T-0 77 T-25 73 T-50 67 T-75 59 T-100 46 である。
【００４０】これらの計算された多孔度の値は、ムライ
トホイスカーハニカムがそれらのトパズ含量を増すにつ
れて一層密になることを明瞭に示す。これは、より多く
のフッ化物がＡｌ2ＳｉＯ4Ｆ2中でよりもＡｌＦ3・３Ｈ
2Ｏ中で失われることそしてまた含水フッ化アルミニウ
ム分子中に３モルの水が存在し、一方無水トパズ中には
水が存在しないという事実に起因する。高温ではフッ化
物中の水は、蒸発し、反応性成分混合物からの顕著な物
質損失を引き起こすであろう。またフッ化物はより高温
でさえ失われ、固相からの付加的な損失を引き起こすで
あろう。かくして、出発混合物のフッ化アルミニウム三
水和物含量が減少する（即ちＴ−数が増加する）につれ
て、物の損失はより少なくなりそして最後の生成物はよ
り密になるであろう。本発明の範囲内では、トパズ
（Ｔ）含量が式Ｔ−Ｘ［式中、Ｘは０よりも大きい］に
よって規定される混合物から生成物が製造される。Ｔ−
２５ないしＴ−１００物品（約５０％ないし７５％多孔
度）が好ましく、そしてＴ−５０ないしＴ−１００（約
４５％ないし７０％多孔度）が特に好ましい。
【００４１】反応性混合物へのトパズの添加だけが、ハ
ニカムの密度を増加させるただ一つの方法ではない。し
かしながら、トパズは、高密度化された物体がなお相互
連結したホイスカーから実質的に完全に成る物体の形で
いるので特異的である。
【００４２】かくして、相互連結したムライトホイスカ
ー基体を高密度化しそして強化するためのもう一つの手
法は、燃焼の後でその重量を増加させることである。こ
の技術は、トパズ反応物から本発明に従って得られるム
ライトホイスカー生成物をさらに高密度化するために使
用することができる。高密度化は異なる技術によって達
成することができる。一つは浸透（ｉｎｆｉｌｔｒａｔ
ｉｏｎ）である。この場合には、燃焼したムライトホイ
スカーハニカムに浸漬によってスラリまたは類似物を浸
透させる。次にこの組立体を乾燥しそして引き続いてか
焼する。このスラリの組成は、アルミノシリケート、ま
たは粘土を含むアルミニウム若しくはケイ素ベースの化
合物の任意の形でよい。ムライトを生成させるために化
学量論的である割合のアルミナシリカゾルの混合物の使
用が好ましい。次にこのスラリを乾燥しそして適当な焼
結温度、時間及び雰囲気条件でか焼する。このか焼した
基体は、未コートの基体よりも密でそして多分より強
い。スラリの代わりにコロイド溶液もまた使用すること
ができる。化学的気相堆積、化学的気相浸透、スパッタ
ー堆積または任意のその他のコーティング技術もまた高
密度化にとって適当である可能性がある。もう一つの高
密度化ルートは、反応性成分を高密度化助剤または充填
剤とブレンドし、そして次にこの混合物を押出し、乾燥
しそしてハニカムをか焼することである。これらの添加
剤は、アルミナ、シリカ、ジルコニアまたはムライト粉
末、ムライトホイスカーまたは任意のその他のケイ素、
アルミニウム若しくはジルコニウムベースの、粘土を含
む化合物でよい。説明的な例は、反応混合物の一部とし
て添加剤例えば粘土、アルミナ、ムライトまたはシリカ
ゾルと共に作られたムライトホイスカー生成物を製造す
ること、そしてトパズ前駆体を有するホイスカー生成物
に適用することもできる燃焼ハニカムの上の浸透ビヒク
ルとしてムライト前駆体を使用することを示す。
【００４３】しかしながら、高密度化は、より高い弾性
率が熱ショック感受性を増加させるので、弾性率を増加
させ、これは望ましくない。かくして、強度と熱ショッ
ク感受性の間の兼ね合いを、適切な強度及び熱ショック
耐性の両方を有するハニカムを製造するために計らねば
ならない。
【００４４】基体のためのもう一つの重要な物理的要件
は、高い温度強度及び耐久性である。カトコム基体は、
高い温度例えば１２５０℃及びそれ以上で安定な条件に
おいてそして長い期間の間、運転される。それはまた、
安定な応力レベルにさらされる。流れるガスの圧力は１
０気圧ほどの高さでよい。圧力は、基体の面の上の応力
として作用する。かくして、クリープ、即ち高められた
温度での応力下での物質の時間依存変形の条件は、カト
コム応用中に存在する。物質の選択はこの点に向けられ
るべきである。この物質は、高められた温度での十分な
強度を有するべきであるがまた耐クリープ性でなければ
ならない。
【００４５】実施例６は、Ｔ−０物品に関して１３００
℃では強度における僅かに１０％の低下が観察されたに
過ぎなかったことを示す。Ｔ−０のサンプルが１４００
℃で試験された時に、この低下は室温強度の２５％に限
られた。このムライトホイスカー物質は短い期間におけ
る高温に耐えることができ、そしてこれはＴ−０ないし
Ｔ−１００範囲の物品から予期されることがこの実施例
から明らかである。これは、ムライトの融点が約１８０
０℃でありそしてこれらの物品のすべてが、それらが完
全にムライトから成るように製造することができるので
予期される。市販のムライト生成物の殆どは、１３００
℃を越える温度での使用を限定されてきた。これは、ム
ライトの粒子境界に沿って普通に見られそしてムライト
セラミックを製造する際に一般的に使用される焼結技術
のために存在するガラス状（ｇｌａｓｓｙ）相の粘性変
形のためである。このガラス状粒子境界相は、安定な応
力下で運転される時に高められた温度で粘性が少なくな
る。顕微鏡的に起きる粘性の弛緩（ｒｅｌａｘａｔｉｏ
ｎ）は、高い応力濃度領域で損傷されたゾーンを作り出
し、粒子境界滑り、空隙成長等を引き起こす。粘性（ｖ
ｉｓｃｏｕｓ）クリープと呼ばれるこれらの時間依存変
形現象は、物質を弱くしそして、それが低い応力レベル
で運転される時でさえそれを実際に破損に導く。ムライ
トホイスカーに対して為されたＴＥＭ顕微鏡検査は、各
々の別々のホイスカーが単結晶性でありそして二つのホ
イスカーがつながる領域はガラス状相を含まないことを
示した（図４及び図５）。かくして、ムライトホイスカ
ー物質は、慣用のムライト生成物の殆どと比較して実質
的に一層耐クリープ性である。
【００４６】長期破損のもう一つの形は、腐食関連であ
る。高温では、種の原子移動性、または拡散性は、腐食
または応力腐食を引き起こすことを増加させる。これら
の現象は、さもなければ良好な性質例えば高強度、熱シ
ョック及びクリープ耐性を有する耐火物質の使用を制限
する可能性がある。基体からの若しくは基体への種の拡
散に起因するウオッシュコート（ｗａｓｈｃｏａｔ）劣
化、または粒子境界に向かう基体組成中に存在するカチ
オン性若しくはアニオン性種の偏析は、劣化の可能性の
ある原因の中の幾つかである。ムライト物質はここで利
点を有する。ムライトは、酸化物のために非常に高度の
共有結合を有する混合された酸化物物質である。Ａｌ、
Ｓｉ及びＯの拡散性は低い。ムライトホイスカー物質は
純粋でありそしてカチオン性添加剤無しで製造される。
かくして、１または２族カチオンの拡散性は主要な問題
ではない。ムライトホイスカー物質は、腐食関連の長期
破損に耐える。
【００４７】ガスタービンは、サイズ及び容量において
種々である。幾つかのシステムは、径が２２”ほど広い
基体を要求する。このサイズは押出しするのが非常に困
難である。大きな基体を製造する一つの方法は、より小
さい基体を製造しそしてそれらを接合する（ｊｏｉｎ）
ことである。より小さなムライトホイスカー基体は、押
出してそして接合してより大きな片を生成させることが
できる。ムライトホイスカー物質は比較的容易に接合す
ることができる。実施例４は、ムライトホイスカー物品
を接合してより大きな片を生成させることができ、そし
てこれはトパズ誘導生成物を使用して達成することがで
きることを示す。実施例１６を参照せよ。トパズ誘導さ
れたその場の接合は、かくして誘導されるムライトがよ
り密でありそして接合がより強いであろうので好まし
い。接合されるべき片の両方からホイスカーが成長しそ
して、お互いに機械的に接合してきれいな接合境界を生
成させる。
【００４８】基体の表面と中心との間の温度差がより大
きくなるにつれて、サンプル上に誘発される半径方向の
熱応力は増加する。誘発される応力が物質の強度に到達
する時に基体は破断する。
【００４９】温度差、かくして熱応力は、触媒装置のサ
イズに依存する。明らかに、より大きな径を有する装置
（ｕｎｉｔｓ）は、より大きな温度差及び熱応力を経験
するであろう。熱ショックの厳しさは、一つのガスター
ビン製造機から別の製造機へと変化する。しかしなが
ら、電力発生機のタイプ及びサイズに拘わらず、カトコ
ム基体は、非常時の停止失態（ｔｒｉｐｓ）に生き延び
るように設計しなければならない。
【００５０】上で与えられた熱応力に関する式は、変数
例えばＥ、ｖ及びαが、与えられたＴでの誘発される熱
応力を決定する際の重要な物理的パラメーターであるこ
とを示す。候補物質は、高強度、低弾性率及び熱膨張係
数を有し、その結果熱応力の大きさは低くそして物質の
強度より小さくなり緊急時停止の間の破損を回避すべき
である。
【００５１】カトコムのような応用のための基体のデザ
インに影響を与えるミクロ構造要因に加えて、カトコム
中の触媒を運ぶ基体に関する多数の重要なデザイン要件
がある。これらはマクロ構造要因である。支持体は、径
が２２”のような大きなサイズで製造されねばならな
い；それは、均一な断面を持たねばならない；それは、
７０％またはそれ以上のような高い開いた前面の面積を
所有しなければならない。
【００５２】タービンの面を横切って入ってくるガスの
運動量プロフィール（質量ｘ速度）は、システムの適切
な機能のために均一でなければならないということは必
須である。一定の運動量を維持するためには均一な速度
プロフィールが必要である。ガスタービンを含む多くの
応用においては流動流れの滑らかな速度プロフィールの
ためにハニカム構造が使用される。かくして、ハニカム
構造に作られたカトコム基体は、入ってくるガス流れを
改良すること及びその流れ均一性を維持することにおい
てその他の形を上回る利点を有する。ハニカムのセルの
壁における均一性もまた非常に重要である。ガスは、よ
り大きなセルを通ってより高い速度で流れるであろう。
一つのセルから別のセルへの速度の変動は回避されるべ
きである。ハニカムは、多数の技術によって製造するこ
とができる。押出プロセスは、基体の面を横切る均一な
セルサイズを生成させそして製造の好ましい方法であ
る。カトコム基体を作るために使用される任意のその他
の方法は、押出と適合するために均一なセルサイズを生
成させねばならない。セルサイズにおける均一性は、均
一な速度プロフィールを維持するためばかりではなくま
た触媒の出口面を横切る一定の温度を維持するためにも
必須である。ガス相は、それがタービンに到達する時に
均一な温度プロフィールを持たねばならないことは運転
条件のために必須である。燃焼の品質はセルサイズによ
って影響される。ウオッシュコートとガス相の間のガス
のよどんだ膜として定義される境界層は、より大きなセ
ルにおいてはより厚い。ハニカムの壁はシステムへの熱
源である。ハニカム壁からガス相への熱移動は、境界層
の厚さが増加するにつれてより硬くなる。物質移動に関
しても同じことが当て嵌まる。かくして、より開いたセ
ルにおいては反応はより遅い。ハニカム中に不均一性が
存在する場合には、セルサイズにおける不均一性の結果
として不均等な反応速度が生じるであろう。燃焼反応は
発熱的でありそして熱を発生する。より小さなセルにお
いてはより多い熱が発生し、基体の壁及びガス相の温度
を増加させ、そしてこれはタービン運転条件のために望
ましくない。ハニカムの断面以外の均一な断面は、押出
によってまたは幾つかのその他の方法によって得ること
ができる。一つの例は、同じ半径を持つ各々の円を有す
る円形ホールパターンを持つ断面である。このパターン
はまた、均一なガス速度及び温度プロフィールを可能に
するであろう。その他の何らかのデザインを上回るハニ
カムプロフィールの非常に重要な利点は、ハニカムプロ
フィールが入ってくるガス流れに対するより少ない背圧
をもたらすであろうということである。最小の背圧を得
ることは、カトコムの応用においては非常に重要であ
る。より高い背圧は、結果としてシステムに関する燃料
の不利益をもたらす、より高い圧縮力を引き起こすであ
ろう。最小の圧力低下はシステムの効率を増加させる。
エネルギーは、ガス相の膨張によってタービンに供給さ
れそしてＰＶ項によって特徴付けられる。圧力低下にお
ける増加は、結果としてタービンに供給されるエネルギ
ーの量における減少をもたらす。
【００５３】最後に、ハニカムにおいては、各々の壁の
内側表面が触媒作用のために利用可能である。
【００５４】理想的には、セルサイズは無限に小さくそ
して壁厚さは無限に薄くなければならない。しかしなが
ら、実際には、壁をより薄くすると、押出は一層困難に
なりそしてまた基体の強度は減少する。それ故、カトコ
ムの応用のために使用されるべきハニカムにおけるセル
サイズ及び壁厚さは、エンジニアリングの制約の中で最
適化されねばならない。
【００５５】均一な断面を有する押出されたプロフィー
ルは、カトコムの基体として好ましい構造である。何故
ならば押出は、均一なガス速度及び温度プロフィールを
形成しそして維持することにおいて必須である均一な断
面を有するパターンを製造するからである。ハニカムの
形が特に好ましい。何故ならばこの形状は背圧を最小に
し、一方それは触媒作用のための高い利用可能な表面積
を提供するからである。
【００５６】カトコムのためのムライトホイスカーハニ
カム基体は、例えばＵ．Ｓ．４，８９３，４６３中に述
べられたような、酸化パラジウムを含む種々の貴金属触
媒と共に使用することができる。耐火物の無機バインダ
及び触媒的に効果的な量の式Ｐｒ4ＰｄＯ7の二元酸化物
の混合物が推奨される。その教示が参照引用によって本
明細書中に組み込まれる、１９９１年４月１２日に出願
されたＵ．Ｓ．０７／６８４，６３１を参照せよ。
【００５７】
【実施例】本発明を一層完全に例示するために、以下の
実施例を与える。これらの実施例は、説明の目的のため
だけでありそして本発明の限定として解釈されてはなら
ない。
【００５８】実施例１ この実施例は、Ｔ−０ハニカムの製造を例示する。２４
４ｇのフッ化アルミニウム（アルドリッチ（Ａｌｄｒｉ
ｃｈ）、ＡＬＦ3．２．８Ｈ2Ｏ）を、１２３ｇの−３２
５メッシュの無定形シリカ（サーマル アメリカン（Ｔ
ｈｅｒｍａｌＡｍｅｒｉｃａｎ）、モンテビレ（Ｍｏｎ
ｔｖｉｌｌｅ）、ＮＪ）に添加し、そしてボールミル中
で２４時間粉砕及び混合した。次にこの混合物をパッグ
ミル中に入れ、そこで１２０ｍｌの７％メトセル（Ｍｅ
ｔｈｏｃｅｌ）溶液を、混合の間にこのバッチにゆっく
りと添加した。この混合は、押出可能なプラスチック物
体が得られるまで続けた。次に、この回分量（ｃｈａｒ
ｇｅ）を、押出室に供給し、そして簡単なハニカムダイ
を通して押出し、そして約１ １／２”径及び２”長さ
の形状物を生成させた。これらの片のセル密度は、約１
１セル／平方インチであった。
【００５９】多数のこのような押出された片を７５℃で
オーブン中に入れ、その結果メトセルバインダはゲル化
した。次にこれらの片を窒素が流れるチューブ炉中に覆
いをかけないで置き、そして３５０℃に到達するまで１
０℃／分の速度で加熱した。これらの片をこの温度で１
時間浸けそして１０００℃に到達するまで１０℃／分の
速度で加熱した。次にサンプルを炉冷却し、数時間の過
程にわたって室温を得た。これらのサンプル（本明細書
中では１（ａ）と呼ぶ）の外観は、多孔性で、破損無し
で取り扱うのに十分に強く、凝集性で、複合的でそして
色がダークグレイであった。
【００６０】一つのサンプルを、８℃／分の速度で１０
００℃に再加熱し、続いてそれを５℃／分の速度で１３
００℃に加熱した。このハニカム片をこの温度で６時間
保持した。最後に、この片を２５℃／分の速度でこの温
度から室温に冷却した。このハニカム（本明細書中では
１（ｂ）と呼ぶ）は、外観が白く、極端に多孔性で、凝
集性で、複合的で、破損無しで取り扱うのに十分に強く
そして非常に軽重量であった。このハニカムの初期及び
最終重量は、それぞれ２６．１３及び８．４２ｇであっ
た。
【００６１】実施例１（ｂ）におけるようにして製造さ
れた一つの片に、２５℃／秒の速度で１０００℃から６
００℃にガス燃焼炉中で熱ショックを与えた。視覚検査
はクラッキングの証拠を示さなかった。同じ片に、それ
ぞれ２３．８、２５、２５．９、２６．７℃／秒の速度
で１１００、１２００、１３００及び１４００℃から６
００℃に引き続いてショックを与えた。各々のショック
の後で、この片を目で検査したがクラッキングは観察さ
れなかった。二つの３点曲げビームをこの片から切っ
た。各々のビームの強度を、０．００７５ｉｎ／分のク
ロスヘッド速度でインストロン装置（モデル４２０２）
を使用して測定した。幅が二つのセルをそして厚さが一
つのセルを有する多孔性ハニカム試片の強度は１１１ｐ
ｓｉと測定された。このハニカム壁の見かけの密度は
０．４８ｇ／ｃｃと測定された。
【００６２】このハニカム物質のＸ線回折（ＸＲＤ）パ
ターンは、図１に示されている。ガラス状相の証拠は観
察されなかった。このパターンから明らかであるように
この物質は非常に結晶性のムライトである。ＥＤＸ分析
を使用して行った化学分析は、これらのホイスカーがム
ライト組成（４０．０％のＡｌ、１１．４％のＳｉ及び
４８．６％のＯ）を有することを示した。
【００６３】破砕表面の走査型電子顕微鏡写真（ＳＥ
Ｍ）は、図２中に示すようにこの物質のミクロ構造を現
わにする。この物質は基本的に開いた三次元ホイスカー
構造であり、そして相互連結したホイスカーのサイズは
径で０．０５〜１０ミクロンまたはそれより大きい範囲
である。個別のホイスカーは、非常に滑らかな表面を有
して非常に結晶性であるように見える（図３）。これら
のホイスカーの透過型電子顕微鏡写真は、それらが非常
にきれいな境界を有して分岐及び相互連結されていて、
相互連結のサイトではガラス状相を殆ど全くまたは全く
見せないことを示した（図４）。
【００６４】これらのハニカム片は機械加工できた。３
／３２ドリルビットを有する電気ドリルを使用して四つ
の穴をドリルで開けた。これらの穴はお互いに１／４”
離れていた。これらの穴の回りには明らかなクラッキン
グはなかった。
【００６５】実施例２ 水和されたフッ化アルミニウム、シリカ、メトセル及び
水から成るグリーン物質のディスクを、乾燥プレスして
５〜９ｍｍの間を変動する高さを有する径が１３ｍｍの
形状物にした。ＡｌＦ3／ＳｉＯ2比を２／０．９６８に
維持した。これらのディスクを１４００℃で流れる窒素
中で燃焼した。ディスクの圧縮強度を、０．００７５ｉ
ｎ／分のクロスヘッド速度でスクリュー駆動インストロ
ン装置（モデル４２０２）を使用して評価した。平均強
度は３１０±５６ｐｓｉとして得られた。高められた温
度試験は、それぞれ３０６±４９、２４３±３１及び２
２０−±３７ｐｓｉの、１２００℃、１３００℃及び１
４００℃での圧縮強度を示した。
【００６６】実施例３ 各々４５ミクロンのトップサイズを有するフッ化アルミ
ニウム水和物及びシリカ粉末を、ジルコニアボール媒体
を使用するアイガー（Ｅｉｇｅｒ）ミル中で無水エタノ
ール中で別々に粉砕した。この点での水のない環境中で
のフッ化アルミニウムの取り扱いは、流動性粉末を維持
するために重要である。次にこれらの粉末を１０ミクロ
ン未満に粉砕しそしてオーブン乾燥しそして上で述べた
アイガーミル中でエタノール中で１２：１３のモル比で
混合した。ボール媒体は使用しなかった。次にこの化学
量論的な混合物をオーブン乾燥した。０．２％溶液の形
のメトセルを手動的にこの混合物に添加した。ディスク
を生成させ、オーブン中で乾燥し、次に流れる窒素中で
１４００℃で燃焼した。これらのディスクの室温圧縮強
度は６６７±４１ｐｓｉであった。結果として４５ミク
ロンより細かい初期粉末をもたらした、反応物の上で述
べた予備粉砕は、かくして多孔性ムライトディスクの強
度を改良した。
【００６７】これらのディスクの上の背圧測定は、それ
らを通して窒素を流すことによって実施した。背圧は、
サンプルディスクに平行に置かれた差動圧力ゲージを使
用して測定した。入ってくるガスの流速を注意深く監視
した。流速が増加するにつれて背圧が増加した。予期し
たように、より厚いサンプルはより高い背圧を示した。
フィルター物質の透過係数をダルシー（Ｄａｒｃｅｙ）
の式を使用して計算した。その値は、３．８６±１．１
２（ｘ１０-13）ｍ2と測定された。
【００６８】実施例４ フッ化アルミニウム水和物及びシリカ粉末を粉砕しそし
て実施例３中で述べたようにしてディスクを製造した。
二つのディスクをお互いのトップの上に置きそして１４
００℃で流れる空気中で燃焼した。図５は燃焼後の二つ
のディスクの間の界面を示す。接合ゾーンは約２０ミク
ロンである。より暗い色の背景は、顕微鏡のためのサン
プル製造において使用されるエポキシである。ホイスカ
ーは各々のディスクから成長しそして二つのディスクを
接合した。この接合は均一に見えそして境界にはガラス
状相が見られない。
【００６９】実施例５ フッ化アルミニウム水和物、シリカ、メトセル混合物
を、実施例３において述べたようにして製造し、１１セ
ル／平方インチのダイを通して押出してハニカムを生成
させ、そして１４００℃で流れる窒素中で燃焼した。
【００７０】次にムライト前駆体ゾル混合物を、１５ｇ
の２６％シリカ及び４％アルミナゾル混合物（ＮＡＬＣ
Ｏ ＩＳＪ−６１２）並びに９３．３ｇの１０％アルミ
ナゾル（ＮＡＬＣＯ−ＩＳＪ−６１４）を使用して製造
した。このゾル混合物を、磁気撹拌機を使用して４日間
撹拌した。次にこのハニカム片をゾル混合物中に二回浸
漬し、１２０℃で乾燥しそして再び二回浸漬し続いて１
２０℃で乾燥した。次にハニカムを１４００℃に燃焼し
そして冷却に際して秤量した。１０％の重量増加が記録
された。繰り返した例は、２０％またはそれ以上までの
重量増加を示し、燃焼したハニカムの高密度化が容易に
達成できたことを示した。
【００７１】実施例６ ムライトホイスカー物質の二つのサンプル形状体を製造
した。これらは、簡単なハニカム（１．５インチ径で、
１１セル／平方インチ）及びディスク（１３ｍｍ径）で
あった。見かけの密度を、重要なパラメーター例えば強
度及び背圧に対する多孔度の影響を観察するために変化
させた。これらのサンプルは、グラファイトを混合物中
に添加し、このグラファイトを６００〜８００℃の温度
範囲で燃焼し去り、結果として増加した多孔度を生成さ
せることによって製造した。
【００７２】１）強度 数個のディスク（１３ｍｍ径）を乾燥プレスによって製
造した。サンプルを１３００℃で１２時間窒素中で熱処
理した。燃焼したディスクの平均圧縮強度は３１０ｐｓ
ｉであった。比強度（強度／密度）は１６６１０インチ
であった。グラファイトを使用して製造されるより大き
な多孔度を有するサンプルは、図６中で図示するように
より低い強度を有していた。
【００７３】２）耐久性 試験温度の関数としての強度を図７中に示す。室温強度
は１２００℃で維持された。１３００℃で１０％の低下
が観察された。１４００℃で強度は、室温で得られたも
のより２５％しか小さくない２２０ｐｓｉであった。こ
の物質はこの温度でなお全く使用可能であった。図８
は、試験温度の関数としてのディスクの相対堅さ（ｓｔ
ｉｆｆｎｅｓｓ）を示す。これらの値は、荷重対時間の
曲線の弾性部分の傾斜を測定することによって得られ
た。
【００７４】３）熱ショック耐性 １３００℃で燃焼した一つのハニカム片に、約２５℃／
秒の速度で１０００℃から６００℃にガス燃焼炉中で熱
ショックを与えた。視覚検査はクラッキングの証拠を示
さなかった。同じ片に、同じ速度で１１００、１２０
０、１３００及び１４００℃から６００℃に引き続いて
ショックを与えた。各々のショックの後で、この片を目
で検査したがクラッキングは観察されなかった。第二の
ハニカムに２５℃／秒の速度で５サイクル１３００℃か
らショックを与えところ最後に破損した。ＸＲＤ分析
は、この片が、高温相変態のために有害であると予期さ
れるクリストバライトをその中に有していたことを示し
た。一層厳しい熱ショック実験をその他のハニカムサン
プルに関して実施した。一つのサンプルは、約２８０℃
／秒の速度での１００及び１３００℃からの水急冷に生
き延びた。微小な割け（ｓｐａｌｌｉｎｇ）がシリンダ
ーの周囲に沿って観察された。
【００７５】実施例７ 市販のか焼されたカオリン粘土（サチントン（Ｓａｔｉ
ｎｔｏｎｅ）＃５、エンゲルハルト社によって販売され
ている細かい粒径のか焼されたカオリン）を、粉末化さ
れたＡｌＦ3水和物（５．５２ｇのＡｌＦ3、１．８０ｇ
のＳｉＯ2、２．２２ｇの粘土及び０．４８ｇのメトセ
ル）と混合し、ペレットにプレスしそして窒素中で１３
００℃に燃焼した。ＸＲＤの結果は、最終生成物が主に
ムライト、α−アルミナ及び微量のクリストバライトで
あることを示した。クリストバライトの存在は熱ショッ
ク耐性を損なう可能性があるので、初期粉末混合物にア
ルミナ粉末またはフッ化アルミニウム水和物を添加する
ことによって燃焼した生成物中の過剰のシリカを補償し
そしてそれによって１００％ムライト組成物を得ること
は有利である可能性がある。
【００７６】実施例８ １３ｇの市販の細かい粒径の含水カオリン（エンゲルハ
ルトＡＳＰ−１７２）を、ビーカー中の４６５ｍｌの水
に添加した。次にこのビーカーを９０℃に加熱し、それ
に続いて内容物をブレンダーに移し、その中でこの混合
物を低速で撹拌した。乾いたメトセル粉末、６５ｇを添
加して１４％メトセル溶液を製造し、そしてこの混合物
を冷却及び冷凍した。
【００７７】それぞれ２９７．５及び１４３．９ｇのフ
ッ化アルミニウム水和物及びシリカ粉末を、ボールミル
ジャー中で混合しそして一晩ブレンドし、乾いたフッ化
物／シリカ混合物をパッグミルし、１４５．２ｇの上で
述べたメトセル溶液をミル粉砕の間に添加した。３０分
のパッグ粉砕の後で、この混合物を、ピストン押出機を
使用して平方インチあたり約５０セルのハニカム形に押
出した。この混合物は、メトセル混合物への粘土添加無
しで押出されたものよりも柔らかくそしてずっと一層容
易に押出された。粘土添加は、凝集性の複合的な片を押
出しするために必要とされる水の量を減少させた。
【００７８】実施例９ この実施例は、中のただ一つのアルミニウム源としてト
パズを使用するムライトホイスカーハニカム（Ｔ−１０
０）を製造するための方法を述べる。
【００７９】３４８．５ｇの量のフッ化アルミニウム三
水和物を、１５１．５ｇの、サーマル アメリカン（Ｔ
ｈｅｒｍａｌ Ａｍｅｒｉｃａｎ）、モントビル、Ｎ．
Ｊ．からの無定形の無水の融解した無定形二酸化ケイ素
（−３２５メッシュ）とパッグミル中で混合した。この
混合物に、２１．６ｇの乾いたメトセル(R)メチルセル
ロースを添加した。この混合物を１５分間パッグ粉砕し
た。全部で１３０ｍｌの脱イオン水をこの混合物に添加
した。パッグ粉砕をさらに３０分間続けた。次にこのペ
ーストを、ピストン押出機を使用して１／１６”開口を
有する多段ダイを通して押出してスパゲッティの形にし
た。次に未被覆の押出物を、１２時間７５０℃で流れる
空気中で燃焼した。燃焼に際しての重量損失は５２％で
あった。ＸＲＤ分析は、燃焼した生成物中のただ一つの
結晶性相がトパズであることを示した。全部で４４１ｇ
の上で述べたようにして製造したトパズを、エチルアル
コールである液体媒体と共にボールミル中で２４ｇの二
酸化ケイ素（上で使用されたのと同じもの）と混合し
た。２４時間ボールミル粉砕した後で、この混合物を濾
過しそして乾燥した。この乾燥した混合物を、２３ｇの
メトセル２０−２１３バインダと共に混合しそしてパッ
グミル中で混合した。全部で１４０ｍｌの水を添加して
押出可能なペーストを製造した。次にこの混合物を、ピ
ストン押出機を使用して５０ｃｐｓｉの１．５”のダイ
を通してハニカムの形に押出した；壁厚さは約０．９ｍ
ｍであった。次にこれらのハニカム片を、１０℃／分で
３５０℃に上げ；３５０℃で７時間保持し；１０℃／分
で１０００℃に上げ；８℃／分で１３００℃に上げ；５
℃／分で１４００℃に上げて９０分間保持する加熱スケ
ジュールを使用して流れる空気中で燃焼した。次にこの
炉を２５℃／分で１４００℃に冷却してムライトを製造
した。最後の押出物は、フッ化アルミニウム及びシリカ
を押出しすることによって得られたものよりも強かっ
た。
【００８０】図９及び図１０は、それぞれ、このトパズ
製造されたハニカム及びフッ化アルミニウム三水和物と
シリカ単独とを燃焼することによって得られたもののミ
クロ構造を示す。この実施例のトパズルートによって製
造された物質中に存在するより密な相互連結したホイス
カーネットワークは、これらの図の比較から明らかであ
る。
【００８１】これらの片は大きなクラックを有しそして
それ故多孔度は測定しなかった；しかしながら、類似の
実験においては３５％の重量損失が観察された（実施例
１１参照）。生成物の表面積（ＢＥＴ）は１ｍ2／ｇで
あつた。ホイスカーのアスペクト比は１００：１よりも
大きかった。ホイスカーは１００％密である。ホイスカ
ーのＳＥＭ顕微鏡写真を参照せよ。
【００８２】類似の試験を、ピーク温度として１３００
〜１５００℃に窒素及び空気燃焼することによって実施
した。結果は、生成物における差を示さなかった。一層
の比較の目的のために、図１１は、極小球カオリンをム
ライトに燃焼しそして遊離のシリカを浸出することによ
って製造されたムライト物品のミクロ構造を示す。極小
球の表面上の粒子は、約０．１ミクロ径を有し３：１の
アスペクト比を有するシガー形である。
【００８３】実施例１０ この実施例は、トパズ誘導されたムライトホイスカーハ
ニカムを、押出助剤としてグリコール可塑剤を使用して
押出することによって製造することができることを示
す。
【００８４】トパズ／シリカ混合物を、実施例９中で述
べられたようにして製造した。ポリエチレングリコール
を、１重量％未満の量で乾いた混合物に添加した。全部
で５％の乾いたメトセルバインダを添加した。全部で１
１０ｍｌの水を添加して押出可能なペーストを製造し
た。次にこの混合物を、実施例９中で述べたようにして
押出しそして燃焼した。ハニカムの外観及び性質は、実
施例９中で述べたのと同じであった。燃焼に際しての重
量損失は３５％であった。
【００８５】実施例１１ この実施例は、トパズをフッ化アルミニウム三水和物及
びケイ素混合物に添加し、ハニカムの形に押出しそして
燃焼して相互連結したムライトホイスカーハニカムを製
造することができることを示す。この実施例において
は、３０％のムライトホイスカーがトパズ及びシリカの
反応から生成され、一方残りはフッ化アルミニウム三水
和物及びシリカの反応からその場で生成された。
【００８６】２４９ｇのフッ化アルミニウム三水和物、
１２０ｇの二酸化ケイ素及び７１ｇの実施例９中で述べ
たようにして製造したトパズをブレンドすることによっ
て乾いた混合物を製造した。２６ｇのメトセルバインダ
をこの乾いた混合物に添加した。全部で１０７ｍｌの水
を添加しそして４０分間こねた。次にこの混合物を、ピ
ストン押出機を経由して５０ｃｐｓｉのダイを通してハ
ニカムの形に押出した。次にこれらの押出物を空気中で
１４００℃で燃焼した。燃焼に際して５５％の重量損失
が観察された。生成した押出物はすべて相互連結したム
ライトホイスカーから成り、その３０％はトパズ及びシ
リカの反応によって生じた。これらのホイスカーの残り
は、フッ化アルミニウム及びシリカの反応によって生成
された。このハニカムは、Ｔ−０（初期の乾いた混合物
にトパズを添加しなかったもの）である実施例１中で述
べたハニカムよりも一層密でかつ一層強かった。実施例
１１の生成物は、３０％のホイスカーが初期混合物に添
加されたバー状トパズから生じたのでＴ−３０と名付け
られる。実施例９及び１０はＴ−１００生成物（即ち、
初期混合物中にＡｌＦ3．３Ｈ2Ｏを使用しなかったも
の）の製造を述べている。トパズとシリカだけがハニカ
ムを製造するために使用された。
【００８７】反応混合物中のより高いトパズ含量を使用
する時に強度及び密度はより高いが多孔度はより低いこ
とが見い出された。
【００８８】実施例１２ 四成分の乾いた粉末混合物を、パッグミル中でブレンド
した。この混合物は、２４９ｇのフッ化アルミニウム三
水和物、１２０ｇの溶融シリカ、７１ｇの実施例９中で
述べたようにして製造されたトパズ、及び２２ｇの乾い
たメトセル粉末から成っていた。ポリエチレングリコー
ル（ダウ ケミカルのポリグリコール（Ｐｏｌｙｇｌｙ
ｃｏｌ）Ｅ−４００）を、乾いた物質の０．５重量％の
量でこの混合物に添加した。９１ｍｌの容量の水をこの
混合物に添加しそして４５分間こねた。第二バッチは、
ペーストのサイズを二倍にして同じ手順に従って製造し
た。両方のバッチを二軸スクリュー押出機に供給しそし
て６４ｃｐｓｉ及び２”ｘ２”のハニカム片を押出し
た。押出物の幾らかを空気乾燥し、一方残りを慣用のキ
ッチンタイプの電子レンジ中で中庸の熱で乾燥した。電
子レンジ乾燥した片は、クラックがより少なく外側表面
上はより滑らかであるように見えた。幾つかの片を、電
子レンジの空洞の内側に置かれた１リットルのビーカー
中に存在する水によって発生させられた水蒸気の存在下
で電子レンジ中で加熱した。これらの片は、外側の上に
最も少ない数のきず（ｆｌａｗｓ）を有していた。次に
これらの片を１４００℃で燃焼して実施例１１中で述べ
たのと同じ組成を得た。
【００８９】実施例１３ この実施例は、混合及び押出の両方が装置の同じ部分を
使用して実施される二軸スクリュー押出機を使用するＴ
−５０ハニカムの製造を述べる。フッ化アルミニウム
は、フッ化アルミニウムとシリカとの反応の開始の前の
高められた温度での揮発性フッ素損失を補償するために
Ｔ−５０生成物を製造するために必要とされる化学量論
的な量よりも少し多かった。
【００９０】全部で２４．４ｌｂｓのフッ化アルミニウ
ム三水和物を、シグマミキサー中で１５．７ｌｂｓの実
施例９中におけるようにして製造されたトパズとブレン
ドした。この混合物を、７３．８ｌｂｓ／ｈｒの速度で
共回転する二軸スクリュー押出機に重量損失（ｌｏｓｓ
−ｉｎ−ｗｅｉｇｈｔ）タイプのフィーダーを経由して
乾燥供給した。１００：１５の比のシリカ（実施例１の
と同じ）及び乾いたメトセルの混合物を、２６．２ｌｂ
ｓ／ｈｒの速度で同時に供給した。水／グリコール混合
物（２．７％のグリコール）もまた独立にこの押出機に
供給した。これらの粉末及び液体を、混合しそして、押
出機の冷却されたバレルを通してそして２”ｘ２”６４
ｃｐｓｉのハニカムダイを通して運んだ。次にこれらの
押出物を、種々の長さにスライスしそして実施例９中で
述べたように水蒸気の存在下で空気中または電子レンジ
中のどちらかで乾燥した。これらの押出物は、外側表面
上にクラッキングを示さずそして、その５０％がトパズ
及びシリカの反応によって発生した相互連結したムライ
トホイスカーを生成させるために燃焼された。
【００９１】実施例１４ この実施例は、より強い生成物を生成させる形状物を製
造するために無定形溶融シリカ粉末に置き換えてコロイ
ドシリカを使用することができることを示す。９．６ｇ
の量の実施例９中で述べたようにして製造されたトパズ
及び０．４ｇの乾いたメトセル粉末を、５０重量％のシ
リカを含み残りが水である１．９２ｇの含水コロイドシ
リカ（ＮＡＬＣＯ−１０５０）と混合した。水を徐々に
添加しその結果このペーストは２１％の水を有してい
た。次にこの混合物を、８０℃で５０００ｐｓｉの圧力
で１．２５”の径のディスクにプレスした。次にこれら
のディスクを、燃焼しそして約６．８ｘ３．３ｍｍの断
面を有する曲げバーを作るために切った。これらのバー
を、三点曲げ試験によって強度に関して試験するとそれ
らの強度は７０００〜９０００ｐｓｉの間で変化した。
コロイドシリカを使用して作られたこの物質の強度は、
無定形粉末シリカによって作られたそれよりも２０００
〜３０００ｐｓｉだけ高かった。
【００９２】実施例１５ 実施例９中におけるようにして製造した全部で４５０ｇ
のフッ化アルミニウム三水和物、シリカ／メトセル混合
物及び−１００メッシュのトパズを、シグマブレードパ
ッグミル中で実施例１３において使用したのと同じ比で
ブレンドした。この混合物に、水／グリコール混合物を
２．７％グリコール溶液として添加し、そしてこの混合
物を押出のために適当なペーストが得られるまでパッグ
粉砕した。次にこのペーストを、１．５”径のハニカム
形のプロフィールを得るためにラムプレスを使用して５
０ｃｐｓｉのダイを通してプレスした。次にこれらの片
を、乾燥しそして反応物のムライトへの完全な転化のた
めに１４００℃の温度で空気中で燃焼した。次に一つの
片を、アルミナを基にした自動触媒ウオッシュコートを
含む標準的な市販の貴金属によってコートした。次にこ
の片を、乾燥しそしてか焼して触媒ウオッシュコートの
基体への接着を観察した。このウオッシュコートは、か
焼の後で均一に基体に接着した。次にこの片を、診断の
反応器を使用してＣ7Ｈ16酸化、ＳＯ2からＳＯ3、ＣＯ
からＣＯ2、及びＮＯからＮＯ2のための触媒活性に関し
て試験した。この転化の結果を以下に表示する： これらの結果は、ムライトホイスカーハニカムは市販の
貴金属ベースのウオッシュコートによってコートするこ
とができ、そして基体上に堆積した触媒は炭化水素、Ｃ
Ｏ、ＮＯ及びＳＯ2を酸化する際に活性であることを示
す。また、ムライトホイスカー物質上に堆積された触媒
も、活性でありそして炭化水素、ＣＯ、ＮＯ及びＳＯ2
を酸化する。
【００９３】実施例１６ この実施例は、強く密な接合を生成させるためにトパズ
を使用して、より大きな片を生成させるために燃焼した
ハニカムの二つの片を接合するための方法を述べる。
【００９４】実施例９中で述べたようにして、スパゲッ
ティの形にホイスカー炉中で製造された５５．２ｇのト
パズを、アルミナボールを半分まで充填した２００ｃｃ
容量のボールミル中で３．０ｇの溶融シリカ（サーモ
（Ｔｈｅｒｍｏ）アメリカン、−３２５メッシュ）と混
合した。水を添加してこれらのボールを覆い、そしてこ
の混合物を４８時間粉砕して非常に細かな粉末懸濁液に
した。次にこのスラリを回収しそして閉じたジャー中に
入れた。このジャーを７日間乱さなかった。ジャー中の
内容物がゲル化したことが観察された。
【００９５】１００ｃｐｓｉ及びＴ−５０組成を有する
二つのムライトハニカム片を、ハニカム壁の方向に平行
にスライスした。次にこのトパズ／シリカゲルをハニカ
ム壁の両方の面の上に広げ、そして二つの片を一晩１ｋ
ｇの荷重の下でプレスした。次に接合した乾いた片を、
１２時間１４００℃に空気中でホイスカー炉中で燃焼し
た。この生成物は燃焼による固体接合を有するように見
えた。
【００９６】種々の変更及び装飾が、本発明の範囲及び
精神を逸脱すること無しに、本発明の一または複数の方
法において為されることが可能である。本明細書中で開
示された種々の実施態様は、本発明をさらに説明するた
めの目的のためであり、本発明を限定することを意図し
ない。
【００９７】本発明の主なる特徴及び態様は以下の通り
である。
【００９８】１）ａ）一時的なバインダ、水和されたフ
ッ化アルミニウム及び二酸化ケイ素の混合物を製造する
こと（ここでフッ化アルミニウム及び二酸化ケイ素の割
合はトパズを生成させるためにほぼ化学量論的であ
る）； ｂ）ステップ（ａ）からの該混合物をくっついた坏土に
生成させること； ｃ）揮発物を除去しながらステップ（ｂ）からの該坏土
を、該坏土が実質的に完全に相互連結したバー状トパズ
結晶に転化するまで燃焼すること； ｄ）該相互連結したバー状トパズ結晶を回収し、そして
それらを、一時的なバインダと一緒に、二酸化ケイ素、
二酸化ケイ素及び水和されたフッ化アルミニウム、並び
に二酸化ケイ素、水和されたフッ化アルミニウム及びア
ルミナから成る群から選ばれた物質と混合すること（こ
こで該物質はムライトを製造するために実質的に化学量
論的な割合で該トパズと混合される）； ｅ）ステップ（ｄ）からの混合物をハニカムに生成させ
ること；並びに ｆ）四フッ化ケイ素を含む揮発物を除去しながら高めら
れた温度で該ハニカムを、該ハニカムのムライトホイス
カーへの実質的に完全な転化が起きるまで該揮発物が生
成されるように、燃焼すること；のステップを有して成
る相互連結したムライトホイスカーを含有して成るハニ
カム形の物品を生成させるための方法。
【００９９】２）ステップ（ｃ）においてトパズを約１
８：１の重量比で二酸化ケイ素と混合し、そしてステッ
プ（ｆ）におけるすべてのムライトを二酸化ケイ素及び
トパズの反応によって生成させる、上記１に記載の方
法。
【０１００】３）ステップ（ｃ）においてトパズを、ス
テップ（ｆ）において生成されるムライトの一部がトパ
ズ及び二酸化ケイ素の反応から誘導され、そしてその他
の部分がフッ化アルミニウム水和物及び二酸化ケイ素の
反応から誘導されるような割合で、二酸化ケイ素及びフ
ッ化アルミニウム水和物との混合物中に生成させる、上
記１に記載の方法。
【０１０１】４）フッ化アルミニウム三水和物：二酸化
ケイ素：トパズの比が、それぞれ式：
【０１０２】
【数３】 １６５６(１-ｘ／１００):６０＋７２０(１-ｘ／１００):１１０４ｘ／１００ ［式中、０＜ｘ≦１００であり、そしてｘは二酸化ケイ
素との反応性成分として添加されるトパズの反応から誘
導されるムライトの重量％である］によって決定され
る、上記１に記載の方法。
【０１０３】５）約５〜１００％のムライトホイスカー
がトパズから誘導される、上記４に記載の方法。
【０１０４】６）ステップ（ａ）におけるバインダがメ
チルセルロース及び水を含有して成る、上記１に記載の
方法。
【０１０５】７）ステップ（ｄ）におけるバインダがメ
チルセルロース及び水を含有して成る、上記１に記載の
方法。
【０１０６】８）該バインダ、トパズ及び二酸化ケイ
素、またはトパズ、二酸化ケイ素及びフッ化アルミニウ
ム水和物、またはトパズ、二酸化ケイ素、フッ化アルミ
ニウム水和物及びアルミナがダイを通して押し出され
て、ムライトへの反応に先立ってネットに近い形の予備
成形されたハニカムを生成させる、上記１に記載の方
法。 ９）該ムライトハニカムが貴金属触媒によってコートさ
れる、上記１に記載の方法。
【０１０７】１０）該ムライトハニカムが過熱されたス
チームによる処理によって本質的にフッ化物イオン無し
にされる、上記１に記載の方法。
【０１０８】１１）該ハニカムが少なくとも一つの無機
セラミック物質の添加によって高密度化される、上記１
に記載の方法。
【０１０９】１２）該ハニカムがムライト前駆体ゾル混
合物中の浸漬によって高密度化され、乾燥され、そして
８９０℃を越える温度で燃焼される、上記１に記載の方
法。 １３）ａ）一時的なバインダ、水和されたフッ化アルミ
ニウム及び二酸化ケイ素の混合物を製造すること（ここ
で水和されたフッ化アルミニウム及び二酸化ケイ素の割
合はトパズを生成させるためにほぼ化学量論的であ
る）； ｂ）ステップ（ａ）からの該混合物をくっついた坏土に
生成させること； ｃ）ステップ（ｂ）からの該坏土を、該坏土が実質的に
完全に相互連結したバー状トパズ結晶に転化するまで燃
焼すること； ｄ）該バー状トパズ結晶をトパズとの反応によってムラ
イト生成させることができる物質と共に回収すること
（ここで該物質は、一時的なバインダと一緒の、二酸化
物、二酸化ケイ素及び水和されたフッ化アルミニウム、
並びに二酸化ケイ素、水和されたフッ化アルミニウム及
びアルミナから成る群から選ばれる）； ｅ）ステップ（ｄ）からの混合物をハニカムに生成させ
ること；並びに ｆ）揮発物を除去しながら高められた温度で該ハニカム
を、該ハニカムのムライトホイスカーへの実質的に完全
な転化が起きるまでそれらが生成されるように、燃焼す
ること；のステップを有して成り、ここでステップ
（ａ）及び（ｆ）における燃焼は、該反応の間、炉の内
側から炉の外側に生成されたガスを連続的に吸う外部の
蠕動性ポンプシステムを備えた炉中で実施され、そして
炉から吸われたガスはスクラバー装置にチャージされ
る、相互連結したムライトホイスカーを含有して成るハ
ニカム形の物品を生成させるための方法。
【０１１０】１４）ムライトホイスカーの三次元相互連
結したネットワークから本質的に成り、該ハニカムが７
５％未満の多孔度を有する、熱ショック及びクリープに
耐えるハニカム。
【０１１１】１５）該多孔度が約４５％〜７０％であ
る、上記１４に記載のハニカム。
【０１１２】１６）約１８：１の重量比の二酸化ケイ素
との相互連結したバー状トパズ結晶から本質的に成る物
理的混合物の反応から製造されたムライトホイスカーを
含有して成るハニカムであって、該混合物がバインダと
一緒に保持されそして約１４００℃より高い温度での燃
焼に先立って押出されて形成されるハニカム。
【０１１３】１７）相互連結したバー状トパズ結晶と、
二酸化ケイ素及びフッ化アルミニウム水和物の混合物と
の反応によって製造された相互連結したムライトホイス
カーを含有して成るハニカムであって、該トパズ、二酸
化ケイ素及びフッ化アルミニウムがバインダと一緒に保
持されそして約１４００℃より高い温度での燃焼に先立
って押出されて形成されるハニカム。
【図面の簡単な説明】
本発明は以下の図面を参照することによってさらに理解
され得る。
【図１】Ｔ−０試片のＸ線回折パターンである。
【図２】Ｔ−０試片の表面の走査型電子顕微鏡写真であ
る。
【図３】Ｔ−０物質の顕微鏡写真である。
【図４】ムライトホイスカー物質の二つの片の間に形成
された接合を描写する顕微鏡写真である。
【図５】Ｔ−０物質の顕微鏡写真である。
【図６】ムライトホイスカー物品の圧縮強度対反応物の
炭素含量のプロットである。
【図７】ムライトホイスカー物品に関する圧縮強度対温
度のプロットである。
【図８】ムライトホイスカー物品に関する相対堅さ対温
度のプロットである。
【図９】トパズ（Ｔ−１００）ルートから製造されたハ
ニカムの構造体の顕微鏡写真である。
【図１０】フッ化アルミニウム及びシリカから直接製造
されたハニカムの構造体の顕微鏡写真である。
【図１１】燃焼してムライトにしそして次にカセイ（ｃ
ａｕｓｔｉｃ）によって浸出して反応の間に生成された
遊離のシリカを除去したカオリン粘土の極小球のミクロ
構造を示す２０，０００倍率でのＳＥＭ顕微鏡写真であ
る。
【図１２】Ｔ−５０組成を有するムライトホイスカー物
質のハニカム壁のＳＥＭ顕微鏡写真である。
【手続補正書】
【提出日】平成４年１２月２８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】 本発明は以下の図面を参照することによつてさらに理解
され得る。
【図１】図１はＴ−０試片のＸ線回折パターンである。
【図２】図２はＴ−０試片の表面のセラミツク材料の組
織を示す走査型電子顕微鏡写真である。
【図３】図３はＴ−０物質のセラミツク材料の組織を示
す顕微鏡写真である。
【図４】図４はムライトホイスカー物質の二つの片の間
に形成されたセラミツク材料の組織を示す顕微鏡写真で
ある。
【図５】図５はＴ−０物質のセラミツク材料の組織を示
す顕微鏡写真である。
【図６】図６はムライトホイスカー物品の圧縮強度対反
応物の炭素含量のプロツトである。
【図７】図７はムライトホイスカー物品に関する圧縮強
度対温度のプロツトである。
【図８】図８はムライトホイスカー物品に関する相対堅
さ対温度のプロツトである。
【図９】図９はトパズ（Ｔ−１００）ルートから製造さ
れたハニカムの構造体のセラミツク材料の組織を示す顕
微鏡写真である。
【図１０】図１０はフツ化アルミニウム及びシリカから
直接製造されたハニカムの構造体のセラミツク材料の組
織を示す顕微鏡写真である。
【図１１】図１１は燃焼してムライトにしそして次にカ
セイ（ｃａｕｓｔｉｃ）によつて浸出して反応の間に生
成された遊離のシリカを除去したカオリン粘土の極小球
の粒子構造を示す２０，０００倍率でのＳＥＭ顕微鏡写
真である。
【図１２】図１２はＴ−５０組成を有するムライトホイ
スカー物質のハニカム壁のセラミツク材料の組織を示す
ＳＥＭ顕微鏡写真である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ケネス・イー・ボス アメリカ合衆国ニユージヤージイ州08876 サマービル・コロニアルロード351 (72)発明者 マシユー・ピー・ラーキン アメリカ合衆国ニユージヤージイ州08865 フイリツプスバーグ・モリスストリート 293 (72)発明者 ゲイリー・ダブリユー・ライス アメリカ合衆国ニユージヤージイ州07076 スコツチプレインズ・ラリタンロード1221

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ａ）一時的なバインダ、水和されたフッ
    化アルミニウム及び二酸化ケイ素の混合物を製造するこ
    と（ここでフッ化アルミニウム及び二酸化ケイ素の割合
    はトパズを生成させるためにほぼ化学量論的である）； ｂ）ステップ（ａ）からの該混合物をくっついた坏土に
    生成させること； ｃ）揮発物を除去しながらステップ（ｂ）からの該坏土
    を、該坏土が相互連結したバー状トパズ結晶に実質的に
    完全に転化するまで燃焼すること； ｄ）該相互連結したバー状トパズ結晶を回収し、そして
    それらを、一時的なバインダと一緒に、二酸化ケイ素、
    二酸化ケイ素及び水和されたフッ化アルミニウム、並び
    に二酸化ケイ素、水和されたフッ化アルミニウム及びア
    ルミナから成る群から選ばれた物質と混合すること（こ
    こで該物質はムライトを製造するために実質的に化学量
    論的な割合で該トパズと混合される）； ｅ）ステップ（ｄ）からの混合物をハニカムに生成させ
    ること；並びに ｆ）四フッ化ケイ素を含む揮発物を除去しながら高めら
    れた温度で該ハニカムを、該ハニカムのムライトホイス
    カーへの実質的に完全な転化が起きるまで該揮発物が生
    成されるように、燃焼すること；のステップを有して成
    る相互連結したムライトホイスカーを含有して成るハニ
    カム形の物品を生成させるための方法。
  2. 【請求項２】 ａ）一時的なバインダ、水和されたフッ
    化アルミニウム及び二酸化ケイ素の混合物を製造するこ
    と（ここで水和されたフッ化アルミニウム及び二酸化ケ
    イ素の割合はトパズを生成させるためにほぼ化学量論的
    である）； ｂ）ステップ（ａ）からの該混合物をくっついた坏土に
    生成させること； ｃ）ステップ（ｂ）からの該坏土を、該坏土が相互連結
    したバー状トパズ結晶に実質的に完全に転化するまで燃
    焼すること； ｄ）該バー状トパズ結晶をトパズとの反応によってムラ
    イトを生成させることができる物質と共に回収すること
    （ここで該物質は、一時的なバインダと一緒の、二酸化
    物、二酸化ケイ素及び水和されたフッ化アルミニウム、
    並びに二酸化ケイ素、水和されたフッ化アルミニウム及
    びアルミナから成る群から選ばれる）； ｅ）ステップ（ｄ）からの混合物をハニカムに生成させ
    ること；並びに ｆ）揮発物を除去しながら高められた温度で該ハニカム
    を、該ハニカムのムライトホイスカーへの実質的に完全
    な転化が起きるまでそれらが生成されるように、燃焼す
    ること；のステップを有して成り、ここでステップ
    （ａ）及び（ｆ）における燃焼は、該反応の間、炉の内
    側から炉の外側に生成されたガスを連続的に吸う外部の
    蠕動性ポンプシステムを備えた炉中で実施され、そして
    炉から吸われたガスはスクラバー装置にチャージされ
    る、相互連結したムライトホイスカーを含有して成るハ
    ニカム形の物品を生成させるための方法。
  3. 【請求項３】 ムライトホイスカーの三次元相互連結し
    たネットワークから本質的に成り、該ハニカムが７５％
    未満の多孔度を有する、熱ショック及びクリープに耐え
    るハニカム。
  4. 【請求項４】 約１８：１の重量比の二酸化ケイ素との
    相互連結したバー状トパズ結晶から本質的に成る物理的
    混合物の反応から製造されたムライトホイスカーを含有
    して成るハニカムであって、該混合物がバインダと一緒
    に保持されそして約１４００℃より高い温度での燃焼に
    先立って押出されて形成されるハニカム。
  5. 【請求項５】 相互連結したバー状トパズ結晶と、二酸
    化ケイ素及びフッ化アルミニウム水和物の混合物との反
    応によって製造された相互連結したムライトホイスカー
    を含有して成るハニカムであって、該トパズ、二酸化ケ
    イ素及びフッ化アルミニウムがバインダと一緒に保持さ
    れそして約１４００℃より高い温度での燃焼に先立って
    押出されて形成されるハニカム。
JP3228547A 1990-08-16 1991-08-15 トパズから製造される熱シヨツク及びクリープに耐える多孔性ムライト物品及び製造のための方法 Pending JPH06100381A (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/567,995 US5173349A (en) 1989-07-28 1990-08-16 Thermal shock and creep resistant mullite articles prepared from topaz and process of manufacture
US567995 1990-08-16
US727207 1991-07-09
US07/727,207 US5252272A (en) 1989-07-28 1991-07-09 Thermal shock and creep resistant porous mullite articles prepared from topaz and process for manufacture

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06100381A true JPH06100381A (ja) 1994-04-12

Family

ID=27074635

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3228547A Pending JPH06100381A (ja) 1990-08-16 1991-08-15 トパズから製造される熱シヨツク及びクリープに耐える多孔性ムライト物品及び製造のための方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5252272A (ja)
EP (1) EP0471590A1 (ja)
JP (1) JPH06100381A (ja)
CA (1) CA2048502A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003517921A (ja) * 1999-12-23 2003-06-03 ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド 触媒装置
JPWO2003084640A1 (ja) * 2002-04-09 2005-08-11 イビデン株式会社 排気ガス浄化用ハニカムフィルタ
WO2005102963A1 (ja) * 2004-04-22 2005-11-03 Ngk Insulators, Ltd. 多孔質ハニカム構造体の製造方法及び多孔質ハニカム構造体
JP2014031317A (ja) * 2002-03-25 2014-02-20 Dow Global Technologies Llc ムライト体及びムライト体の形成方法

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5340516A (en) * 1989-07-28 1994-08-23 Engelhard Corporation Thermal shock and creep resistant porous mullite articles prepared from topaz and process for manufacture
US5568652A (en) * 1994-11-25 1996-10-22 Corning Incorporated Rapid setting compositions and method of making and using same
EP1042640B1 (en) * 1997-12-02 2006-03-22 Corning Incorporated Method for firing ceramic honeycomb bodies in a tunnel kiln
DE69841628D1 (de) * 1997-12-02 2010-06-02 Corning Inc Verfahren zum brennen von keramischen honigwabenstrukturen
US6325963B1 (en) 1997-12-22 2001-12-04 Corning Incorporated Method for firing ceramic honeycomb bodies
ATE368835T1 (de) * 1997-12-22 2007-08-15 Corning Inc Verfahren zum brennen von keramischen wabenstrukturen und dafür verwendeter tunnelofen
US6306335B1 (en) 1999-08-27 2001-10-23 The Dow Chemical Company Mullite bodies and methods of forming mullite bodies
ATE498598T1 (de) 2001-04-23 2011-03-15 Dow Global Technologies Inc Verfahren zur herstellung eines monolithischen wanddurchflussfilters
PL1754692T3 (pl) * 2003-04-24 2013-05-31 Dow Global Technologies Llc Masy mulitowe
US7445745B2 (en) * 2004-08-03 2008-11-04 Corning Incorporated Method for fabricating ceramic articles
US20080110147A1 (en) * 2005-03-28 2008-05-15 Beall Douglas M Low thermal expansion articles
US7485594B2 (en) * 2005-10-03 2009-02-03 Dow Global Technologies, Inc. Porous mullite bodies and methods of forming them
US7682578B2 (en) 2005-11-07 2010-03-23 Geo2 Technologies, Inc. Device for catalytically reducing exhaust
US7682577B2 (en) 2005-11-07 2010-03-23 Geo2 Technologies, Inc. Catalytic exhaust device for simplified installation or replacement
US7722828B2 (en) 2005-12-30 2010-05-25 Geo2 Technologies, Inc. Catalytic fibrous exhaust system and method for catalyzing an exhaust gas
WO2007096986A1 (ja) * 2006-02-24 2007-08-30 Ibiden Co., Ltd. 端面加熱装置、ハニカム集合体の端面乾燥方法、及び、ハニカム構造体の製造方法
WO2011005535A1 (en) 2009-06-22 2011-01-13 Dow Global Technologies, Inc. Ceramic-polymer composites
WO2011061840A1 (ja) * 2009-11-19 2011-05-26 イビデン株式会社 ハニカム構造体
WO2011094106A1 (en) 2010-01-29 2011-08-04 Oxane Materials, Inc. Self-toughened high-strengh proppant and methods of making same
CN103649013B (zh) 2011-05-12 2016-01-06 陶氏环球技术有限责任公司 莫来石体和形成所述莫来石体的方法
US20150183692A1 (en) 2012-08-16 2015-07-02 Dow Global Technologies Llc Method of preparing high porosity ceramic material
WO2014088619A1 (en) 2012-12-05 2014-06-12 Dow Global Technologies Llc Porous mullite bodies having improved thermal stability
DE112013005815T5 (de) 2012-12-05 2015-09-24 Dow Global Technologies Llc Poröse Mullitkörper mit verbesserter thermischer Beständigkeit
CN117567144B (zh) * 2024-01-15 2024-03-19 山东新广恒节能科技有限公司 一种轻质高铝聚轻砖的制备方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3951677A (en) * 1970-09-04 1976-04-20 Howard Wayne Jacobson Mullite fibrils
US3993499A (en) * 1974-10-04 1976-11-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for producing a particulate mullite fibril containing composition
SU893957A1 (ru) * 1980-05-08 1981-12-30 Белгородский технологический институт строительных материалов им.И.А.Гришманова Шихта дл изготовлени капсельного припаса
US4790929A (en) * 1983-06-20 1988-12-13 Engelhard Corporation Hydrotreating process using porous mullite
JPS60183989A (ja) * 1984-02-29 1985-09-19 Mitsubishi Electric Corp エレベ−タ制御装置
US4601997A (en) * 1984-12-14 1986-07-22 Engelhard Corporation Porous mullite
JPS61286263A (ja) * 1985-06-14 1986-12-16 日本特殊陶業株式会社 低温焼結磁器組成物
US4911902A (en) * 1987-07-06 1990-03-27 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Mullite whisker preparation
JPH01212299A (ja) * 1988-02-17 1989-08-25 Kiyoshi Okada ムライトウィスカーの製造方法
US4948766A (en) * 1988-08-05 1990-08-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Rigid mullite=whisker felt and method of preparation
US4910172A (en) * 1989-02-08 1990-03-20 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Preparation of mullite whiskers from AlF3, SiO2, and Al2 O3 powders
US5098455A (en) * 1990-12-21 1992-03-24 The Dow Chemical Company Regenerable exhaust gas filter element for diesel engines

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003517921A (ja) * 1999-12-23 2003-06-03 ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド 触媒装置
JP4917230B2 (ja) * 1999-12-23 2012-04-18 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー 触媒装置
JP2014031317A (ja) * 2002-03-25 2014-02-20 Dow Global Technologies Llc ムライト体及びムライト体の形成方法
JPWO2003084640A1 (ja) * 2002-04-09 2005-08-11 イビデン株式会社 排気ガス浄化用ハニカムフィルタ
WO2005102963A1 (ja) * 2004-04-22 2005-11-03 Ngk Insulators, Ltd. 多孔質ハニカム構造体の製造方法及び多孔質ハニカム構造体
US8366989B2 (en) 2004-04-22 2013-02-05 Ngk Insulators, Ltd. Method for producing porous honeycomb structure and porous honeycomb structure

Also Published As

Publication number Publication date
US5252272A (en) 1993-10-12
CA2048502A1 (en) 1992-02-17
EP0471590A1 (en) 1992-02-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH06100381A (ja) トパズから製造される熱シヨツク及びクリープに耐える多孔性ムライト物品及び製造のための方法
US5340516A (en) Thermal shock and creep resistant porous mullite articles prepared from topaz and process for manufacture
US5173349A (en) Thermal shock and creep resistant mullite articles prepared from topaz and process of manufacture
US6815038B2 (en) Honeycomb structure
KR100607481B1 (ko) 다공질 재료 및 그 제조 방법
US6777114B2 (en) Silicon carbide-based porous body and process for production thereof
EP1493722B1 (en) Silicon carbide based porous material and method for production thereof
JP4459052B2 (ja) ムライト・チタン酸アルミニウム製ディーゼル微粒子フィルタ
EP1728775B1 (en) Silicon nitride filter and method for its production
JPWO2009069731A1 (ja) 炭化珪素質多孔体
WO2007015495A1 (ja) セラミックハニカム構造体の製造方法
JP4980299B2 (ja) 炭化ケイ素質多孔体
JP2003511332A (ja) リン酸塩ベースのセラミックフィルタの製造方法
JP4041879B2 (ja) セラミックス多孔体及びその製造方法
JPH01194916A (ja) 炭化ケイ素質ハニカム状フィルターの製造方法
JPH11114336A (ja) 排ガスフィルタおよびその製造方法
JPH0368411A (ja) コーディエライト質ガス用フィルタとその製造方法
CA2048441A1 (en) Thermal shock and creep resistant porous mullite articles prepared from topaz and process for manufacture
JP2003175307A (ja) 窒化ケイ素フィルタおよびその製造法
FI106702B (fi) Keraaminen suodatin pölyä sisältävää kaasua varten ja menetelmä sen valmistamiseksi
JP2003292387A (ja) 炭化ケイ素質多孔体およびその製造方法