JPH0597439A - 三酸化二ヒ素の精製装置 - Google Patents
三酸化二ヒ素の精製装置Info
- Publication number
- JPH0597439A JPH0597439A JP26015491A JP26015491A JPH0597439A JP H0597439 A JPH0597439 A JP H0597439A JP 26015491 A JP26015491 A JP 26015491A JP 26015491 A JP26015491 A JP 26015491A JP H0597439 A JPH0597439 A JP H0597439A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｓｂ等の不純物の分離効率が高く、高純度の
Ａｓ2 Ｏ3 を供給することのでき、Ａｓ2 Ｏ3 の飛散に
よる環境汚染の生じることのないＡｓ2 Ｏ3 の精製装置
を提供する。 【構成】減圧昇華室、その側面に接続した原料供給室及
び両室間を移動可能な定温加熱容器を有することを特徴
とする。
Ａｓ2 Ｏ3 を供給することのでき、Ａｓ2 Ｏ3 の飛散に
よる環境汚染の生じることのないＡｓ2 Ｏ3 の精製装置
を提供する。 【構成】減圧昇華室、その側面に接続した原料供給室及
び両室間を移動可能な定温加熱容器を有することを特徴
とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、三酸化二ヒ素の精製装
置に関する。
置に関する。
【０００２】
【従来の技術及びその課題】三酸化二ヒ素（Ａｓ
2 Ｏ3 ）は、各種の化学、電子産業等の分野において金
属ヒ素及びその合金類、ヒ素のカルコゲナイドガラス
類、或いは各種の無機又は有機ヒ素化合物の出発原料と
して重要である。
2 Ｏ3 ）は、各種の化学、電子産業等の分野において金
属ヒ素及びその合金類、ヒ素のカルコゲナイドガラス
類、或いは各種の無機又は有機ヒ素化合物の出発原料と
して重要である。
【０００３】Ａｓ2 Ｏ3 は、通常、金属ヒ化物をばい焼
して得られる低品位のＡｓ2 Ｏ3 を沈降室を備えた反射
炉で再昇華して市場に供給される。しかしながら、この
様な工業規模の昇華法（乾式法）では、反射炉内での温
度分布が不均一であることからＡｓ2 Ｏ3 のみを昇華さ
せて精製することは困難であり、得られたＡｓ2 Ｏ3 中
には、アンチモン（Ｓｂ）等の不純物が数十ｐｐｍから
数百ｐｐｍの濃度で存在し、高純度のヒ素化合物の製造
原料としては好ましくない。さらに、乾式法では、原料
Ａｓ2 Ｏ3 の反射炉への供給時や得られた精製Ａｓ2 Ｏ
3 を取り出す際に、毒性の強いＡｓ2 Ｏ3 が飛散し、作
業環境を汚染するという問題がある。
して得られる低品位のＡｓ2 Ｏ3 を沈降室を備えた反射
炉で再昇華して市場に供給される。しかしながら、この
様な工業規模の昇華法（乾式法）では、反射炉内での温
度分布が不均一であることからＡｓ2 Ｏ3 のみを昇華さ
せて精製することは困難であり、得られたＡｓ2 Ｏ3 中
には、アンチモン（Ｓｂ）等の不純物が数十ｐｐｍから
数百ｐｐｍの濃度で存在し、高純度のヒ素化合物の製造
原料としては好ましくない。さらに、乾式法では、原料
Ａｓ2 Ｏ3 の反射炉への供給時や得られた精製Ａｓ2 Ｏ
3 を取り出す際に、毒性の強いＡｓ2 Ｏ3 が飛散し、作
業環境を汚染するという問題がある。
【０００４】これに対して、乾式法に代わる各種の湿式
法が提案されている。例えば、高温水からの再結晶法、
塩酸またはアルカリ水溶液からの再結晶法、三塩化ヒ素
に変えて蒸留した後加水分解する方法などが知られてい
る。しかしながら、これらの湿式法では、毒性のヒ素化
合物を含む廃水処理が問題であり、このために多額の投
資が必要となっている。
法が提案されている。例えば、高温水からの再結晶法、
塩酸またはアルカリ水溶液からの再結晶法、三塩化ヒ素
に変えて蒸留した後加水分解する方法などが知られてい
る。しかしながら、これらの湿式法では、毒性のヒ素化
合物を含む廃水処理が問題であり、このために多額の投
資が必要となっている。
【０００５】このため、Ａｓ2 Ｏ3 の精製法として、Ｓ
ｂなどの不純物を効果的に除去し得る方法であって、廃
水、飛散粉塵などの問題のない方法が望まれている。
ｂなどの不純物を効果的に除去し得る方法であって、廃
水、飛散粉塵などの問題のない方法が望まれている。
【０００６】本発明の目的は、Ｓｂ等の不純物の分離効
率が高く、高純度のＡｓ2 Ｏ3 を供給することができ、
Ａｓ2 Ｏ3の飛散による環境汚染の生じることのないＡ
ｓ2 Ｏ3 の精製装置を提供することにある。
率が高く、高純度のＡｓ2 Ｏ3 を供給することができ、
Ａｓ2 Ｏ3の飛散による環境汚染の生じることのないＡ
ｓ2 Ｏ3 の精製装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、減
圧昇華室、その側面に接続した原料供給室及び両室間を
移動可能な定温加熱容器を有することを特徴とする三酸
化二ヒ素の精製装置により達成される。
圧昇華室、その側面に接続した原料供給室及び両室間を
移動可能な定温加熱容器を有することを特徴とする三酸
化二ヒ素の精製装置により達成される。
【０００８】本発明の装置では、Ａｓ2 Ｏ3 の精製のた
めの減圧昇華室と原料供給室とを分離することによっ
て、原料を供給する際に、原料のＡｓ2 Ｏ3 が精製され
たＡｓ2 Ｏ3 に混入することが防止される。また、原料
のＡｓ2 Ｏ3 を定温保持可能な加熱容器中で加熱するた
め、均一な定温加熱が可能となって精度よくＡｓ2 Ｏ3
のみを昇華させることができ、Ｓｂ等の不純物の混入を
防止して、高純度のＡｓ2 Ｏ3 を得ることができる。
めの減圧昇華室と原料供給室とを分離することによっ
て、原料を供給する際に、原料のＡｓ2 Ｏ3 が精製され
たＡｓ2 Ｏ3 に混入することが防止される。また、原料
のＡｓ2 Ｏ3 を定温保持可能な加熱容器中で加熱するた
め、均一な定温加熱が可能となって精度よくＡｓ2 Ｏ3
のみを昇華させることができ、Ｓｂ等の不純物の混入を
防止して、高純度のＡｓ2 Ｏ3 を得ることができる。
【０００９】また、原料供給室に排気用のバルブを取り
付けた場合には、排気用バルブから排気しつつ原料を供
給することによって、原料のＡｓ2 Ｏ3 粉末の飛散によ
る作業環境の汚染を防止することができる。
付けた場合には、排気用バルブから排気しつつ原料を供
給することによって、原料のＡｓ2 Ｏ3 粉末の飛散によ
る作業環境の汚染を防止することができる。
【００１０】
【実施例】次に本発明の実施例を添付図面に基づいて説
明する。
明する。
【００１１】図１は、本発明のＡｓ2 Ｏ3 精製装置の好
ましい実施態様の一例を示すものである。
ましい実施態様の一例を示すものである。
【００１２】減圧昇華室１は、Ａｓ2 Ｏ3 を減圧昇華さ
せて精製する部分であり、ステンレススチール材等で作
製される。減圧昇華室１の上部には、減圧ラインに接続
するためのバルブ４、下部には沈析した精製Ａｓ2 Ｏ3
の取り出し口５がある。本発明装置では、取り出し口５
に包装バッグを取り付けた後、バルブを開いて製品を袋
詰めすることによって、製品の飛散を防止することがで
きる。また、この製品の取り出し操作を計量器と連動さ
せても良い。
せて精製する部分であり、ステンレススチール材等で作
製される。減圧昇華室１の上部には、減圧ラインに接続
するためのバルブ４、下部には沈析した精製Ａｓ2 Ｏ3
の取り出し口５がある。本発明装置では、取り出し口５
に包装バッグを取り付けた後、バルブを開いて製品を袋
詰めすることによって、製品の飛散を防止することがで
きる。また、この製品の取り出し操作を計量器と連動さ
せても良い。
【００１３】減圧昇華室１の側面には、原料供給室２が
接続される。原料供給室２には上部にＡｓ2 Ｏ3 供給用
の開閉蓋６と反応終了時に常圧に戻すための空気送入用
バルブ７を取り付ける。空気送入用バルブ７はこの位置
に限定されず、任意の位置で良く、減圧昇華室１に設置
してもよい。また、原料供給室２の下部には、必要に応
じて、昇華残渣を集めるための排出溜容器８を設ける。
排出溜容器８の上部には、排気用のバルブ９を取り付け
てもよく、原料供給時に排気用のバルブ９を開いて供給
室を負圧にすることによって、Ａｓ2 Ｏ3 粉末の飛散を
防止できる。排気用のバルブ９の取り付け位置はこの部
分に限定されず、原料供給室２の任意の部分とすること
がきる。
接続される。原料供給室２には上部にＡｓ2 Ｏ3 供給用
の開閉蓋６と反応終了時に常圧に戻すための空気送入用
バルブ７を取り付ける。空気送入用バルブ７はこの位置
に限定されず、任意の位置で良く、減圧昇華室１に設置
してもよい。また、原料供給室２の下部には、必要に応
じて、昇華残渣を集めるための排出溜容器８を設ける。
排出溜容器８の上部には、排気用のバルブ９を取り付け
てもよく、原料供給時に排気用のバルブ９を開いて供給
室を負圧にすることによって、Ａｓ2 Ｏ3 粉末の飛散を
防止できる。排気用のバルブ９の取り付け位置はこの部
分に限定されず、原料供給室２の任意の部分とすること
がきる。
【００１４】加熱容器３は、ステンレススチール材等で
作製され、減圧昇華室１と原料供給室２の間を移動でき
るように構成される。加熱容器３には、ヒーター及び温
度センサーを設置して、定温加熱を可能とする。例え
ば、加熱容器を二重壁の材料で構成し、その内部にヒー
ター及び温度センサーを設置すればよい。加熱容器３は
ステンレスパイプ１０に固定され、このパイプ１０を通
してヒーター及び温度センサーのリード線を導き、温調
電源１１に接続される。パイプ１０は減圧昇華室１と原
料供給室２を分ける移動隔壁１２に固定され、他端はリ
ーク止め用シール１３を付けた蓋１４により保持され
る。移動隔壁１２は、減圧昇華室１と原料供給室２の境
に付けたストッパー１５と、蓋１４との間を移動し、減
圧昇華室１及び原料供給室２において加熱容器３を位置
決めする働きもする。移動隔壁１２は、原料供給室の底
を滑らかに移動させるために接触部１６を、ポリテトラ
フルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等の材料を用いて構成す
ることが好ましい。また、加熱容器３は、昇華残渣を取
り除くために、排出溜容器８の上部で回転可能とする。
作製され、減圧昇華室１と原料供給室２の間を移動でき
るように構成される。加熱容器３には、ヒーター及び温
度センサーを設置して、定温加熱を可能とする。例え
ば、加熱容器を二重壁の材料で構成し、その内部にヒー
ター及び温度センサーを設置すればよい。加熱容器３は
ステンレスパイプ１０に固定され、このパイプ１０を通
してヒーター及び温度センサーのリード線を導き、温調
電源１１に接続される。パイプ１０は減圧昇華室１と原
料供給室２を分ける移動隔壁１２に固定され、他端はリ
ーク止め用シール１３を付けた蓋１４により保持され
る。移動隔壁１２は、減圧昇華室１と原料供給室２の境
に付けたストッパー１５と、蓋１４との間を移動し、減
圧昇華室１及び原料供給室２において加熱容器３を位置
決めする働きもする。移動隔壁１２は、原料供給室の底
を滑らかに移動させるために接触部１６を、ポリテトラ
フルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等の材料を用いて構成す
ることが好ましい。また、加熱容器３は、昇華残渣を取
り除くために、排出溜容器８の上部で回転可能とする。
【００１５】装置の各接続部は、ガスケット又はＯリン
グを用いて緊密に締め付け、２６．６×１０Ｐａ（２０
ｍｍＨｇ）程度以下、好ましくは１３．３×１０〜１．
３３×１０Ｐａ程度の減圧操作に耐えるようにする。
グを用いて緊密に締め付け、２６．６×１０Ｐａ（２０
ｍｍＨｇ）程度以下、好ましくは１３．３×１０〜１．
３３×１０Ｐａ程度の減圧操作に耐えるようにする。
【００１６】本発明装置を用いてＡｓ2 Ｏ3 を精製する
方法を以下に示す。
方法を以下に示す。
【００１７】まず、原料供給室２において、原料供給用
の開閉蓋６を開けて原料の工業用Ａｓ2 Ｏ3 １７を加熱
容器３に入れる。原料供給の際には、好ましくは排気用
バルブ９から排気して原料供給室２を負圧にする。次い
で、各接続部を締め付け、バルブ４を開いて２６．６×
１０Ｐａ（２０ｍｍＨｇ）程度以下、好ましくは１３．
３×１０〜１．３３×１０Ｐａ程度の減圧状態とし、加
熱容器３を減圧昇華室１に移動させる。その後、加熱容
器３を２００〜３５０℃程度、好ましくは２５０〜２８
０℃程度の間の一定温度に保ってＡｓ2 Ｏ3 昇華させ
る。３５０℃以上の温度では、Ａｓ2 Ｏ3 が溶融して容
器を腐食し、昇華の速度、Ａｓ2 Ｏ3 の純度等が低下す
るので好ましくない。
の開閉蓋６を開けて原料の工業用Ａｓ2 Ｏ3 １７を加熱
容器３に入れる。原料供給の際には、好ましくは排気用
バルブ９から排気して原料供給室２を負圧にする。次い
で、各接続部を締め付け、バルブ４を開いて２６．６×
１０Ｐａ（２０ｍｍＨｇ）程度以下、好ましくは１３．
３×１０〜１．３３×１０Ｐａ程度の減圧状態とし、加
熱容器３を減圧昇華室１に移動させる。その後、加熱容
器３を２００〜３５０℃程度、好ましくは２５０〜２８
０℃程度の間の一定温度に保ってＡｓ2 Ｏ3 昇華させ
る。３５０℃以上の温度では、Ａｓ2 Ｏ3 が溶融して容
器を腐食し、昇華の速度、Ａｓ2 Ｏ3 の純度等が低下す
るので好ましくない。
【００１８】昇華を終えた時点で加熱を止め、バルブ７
を開いて徐々に空気を入れて大気圧に戻す。次いで、加
熱容器３を原料供給室２に戻し、開閉蓋６から次の原料
を加え、再び昇華を行う。昇華残分の多いときには加熱
容器３内の残分をかき集め、容器を１８０度回転させ
て、排出溜容器８に集めて取り出す。或いは、この操作
が煩雑であれば、加熱容器３の中に別の原料受皿を入れ
るようなカートリッジ式にしてもよい。通常、原料補給
を数回繰り返して昇華し、昇華物が単位重量に達した
後、減圧昇華室１の底部から精製Ａｓ2 Ｏ3 １８を取り
出す。
を開いて徐々に空気を入れて大気圧に戻す。次いで、加
熱容器３を原料供給室２に戻し、開閉蓋６から次の原料
を加え、再び昇華を行う。昇華残分の多いときには加熱
容器３内の残分をかき集め、容器を１８０度回転させ
て、排出溜容器８に集めて取り出す。或いは、この操作
が煩雑であれば、加熱容器３の中に別の原料受皿を入れ
るようなカートリッジ式にしてもよい。通常、原料補給
を数回繰り返して昇華し、昇華物が単位重量に達した
後、減圧昇華室１の底部から精製Ａｓ2 Ｏ3 １８を取り
出す。
【００１９】減圧条件及び加熱温度が最適範囲とされた
場合には、５００〜５０ｐｐｍ程度のＳｂを含む工業用
Ａｓ2 Ｏ3 を原料として、Ｓｂ含量１〜２０ｐｐｍ程度
の高純度Ａｓ2 Ｏ3 を得ることができる。
場合には、５００〜５０ｐｐｍ程度のＳｂを含む工業用
Ａｓ2 Ｏ3 を原料として、Ｓｂ含量１〜２０ｐｐｍ程度
の高純度Ａｓ2 Ｏ3 を得ることができる。
【００２０】操作例 本発明装置を用いた操作例を次に示す。
【００２１】原料としては、下記表１に示す試料Ｎｏ．
１〜３の三種類の工業用Ａｓ2 Ｏ3 を用いた。
１〜３の三種類の工業用Ａｓ2 Ｏ3 を用いた。
【００２２】 表１ 試料 強熱残分 塩化物 鉄(Fe) 硫化物 重金属 Ｓｅ Ｓｂ 含量Ｎｏ ％ ％ ％ (S)% ％ ｐｐｍ ｐｐｍ ％ １ 0.1 0.01 0.02 0.02 0.15 10 500 98.8 ２ 0.05 0.002 0.004 0.01 0.10 5 220 99.5 ３ 0.08 0.01 0.02 0.02 0.10 3 100 99.0 原料供給室２に加熱容器３（内容量６．８リットル）を
移動させて、原料投入用の開閉蓋６を開き、排気用バル
ブ９から排気しつつ原料８ｋｇを加熱容器３に入れた
後、各接続部を締め付け、バルブ４を通して、真空ポン
プで６．６×１０Ｐａ（５ｍｍＨｇ）に減圧した。
移動させて、原料投入用の開閉蓋６を開き、排気用バル
ブ９から排気しつつ原料８ｋｇを加熱容器３に入れた
後、各接続部を締め付け、バルブ４を通して、真空ポン
プで６．６×１０Ｐａ（５ｍｍＨｇ）に減圧した。
【００２３】移動隔壁１２をストッパー１５の位置まで
押し込んで加熱容器３を減圧昇華室１（内容量約２３０
リットル）に移動させ、電源を作動させて２８０℃に加
熱し、この間圧力を６．６×１０Ｐａ以下に保ち、約８
時間放置した。バルブ７を開いて徐々に大気圧まで戻
し、加熱容器３を原料供給室側に戻して、再び原料投入
用の開閉蓋６から原料Ａｓ2 Ｏ3 を８ｋｇ加え、同様の
操作を繰り返した。
押し込んで加熱容器３を減圧昇華室１（内容量約２３０
リットル）に移動させ、電源を作動させて２８０℃に加
熱し、この間圧力を６．６×１０Ｐａ以下に保ち、約８
時間放置した。バルブ７を開いて徐々に大気圧まで戻
し、加熱容器３を原料供給室側に戻して、再び原料投入
用の開閉蓋６から原料Ａｓ2 Ｏ3 を８ｋｇ加え、同様の
操作を繰り返した。
【００２４】４回の操作の後、開閉蓋６を開けて容器３
の残渣をかき集め、容器３を回転させて、排出溜容器８
に残渣を集めて廃棄した。その後、上記操作を繰り返し
て、昇華を行った。
の残渣をかき集め、容器３を回転させて、排出溜容器８
に残渣を集めて廃棄した。その後、上記操作を繰り返し
て、昇華を行った。
【００２５】昇華したＡｓ2 Ｏ3 は、減圧昇華室１の壁
にはほとんど付着せずに減圧昇華室１の底部に沈降して
くるので、取り出し口５のキャップを外して、製品袋を
取り出し口５に取り付け、コックを開いて精製Ａｓ2 Ｏ
3 を収集することによって、飛散することなく、精製Ａ
ｓ2 Ｏ3 が得られた。
にはほとんど付着せずに減圧昇華室１の底部に沈降して
くるので、取り出し口５のキャップを外して、製品袋を
取り出し口５に取り付け、コックを開いて精製Ａｓ2 Ｏ
3 を収集することによって、飛散することなく、精製Ａ
ｓ2 Ｏ3 が得られた。
【００２６】４回の処理による精製Ａｓ2 Ｏ3 の収量
は、原料により多少の変動はあるが、約３０ｋｇ、収率
は約９４％であった。除去の困難なＳｂの含量は下記表
２に示す通りである。なお、その他の不純物はＪＩＳ特
級に相当する含有量であった。比較として、従来の常圧
法昇華装置を用いた結果も併記する。
は、原料により多少の変動はあるが、約３０ｋｇ、収率
は約９４％であった。除去の困難なＳｂの含量は下記表
２に示す通りである。なお、その他の不純物はＪＩＳ特
級に相当する含有量であった。比較として、従来の常圧
法昇華装置を用いた結果も併記する。
【００２７】 表２ 試料 原料Ａｓ2 Ｏ3 精製Ａｓ2 Ｏ3 精製Ａｓ2 Ｏ3 Ｎｏ Ｓｂ（ｐｐｍ） Ｓｂ（ｐｐｍ） Ｓｂ（ｐｐｍ） （本発明法） （従来法） １ ５００ ２０ １２０ ２ ２２０ ２０ １００ ３ １００ １０ ５０ 以上の結果から、本発明の精製装置によれば、従来の常
圧法昇華装置を用いた場合と比べて、高純度のＡｓ2 Ｏ
3 が得られることが判る。
圧法昇華装置を用いた場合と比べて、高純度のＡｓ2 Ｏ
3 が得られることが判る。
【００２８】
【発明の効果】本発明の精製装置によれば、Ａｓ2 Ｏ3
の精製のための減圧昇華室と原料供給室とを分離するこ
とによって、原料を供給する際に、精製されたＡｓ2 Ｏ
3 に原料のＡｓ2 Ｏ3 が混入することが防止される。ま
た減圧昇華を定温保持可能な加熱容器中で行うために厳
密な温度設定が可能となり、Ａｓ2 Ｏ3とＳｂ2 Ｏ3 の
分離効率が向上する。このため高純度のＡｓ2 Ｏ3 を得
ることができ、また反射炉を用いる場合と比べて省エネ
ルギー化の利点がある。また、原料の仕込み、精製品の
取り出しの際の粉塵の飛散を防止できるために環境汚染
防止の点でも極めて価値の高いものである。
の精製のための減圧昇華室と原料供給室とを分離するこ
とによって、原料を供給する際に、精製されたＡｓ2 Ｏ
3 に原料のＡｓ2 Ｏ3 が混入することが防止される。ま
た減圧昇華を定温保持可能な加熱容器中で行うために厳
密な温度設定が可能となり、Ａｓ2 Ｏ3とＳｂ2 Ｏ3 の
分離効率が向上する。このため高純度のＡｓ2 Ｏ3 を得
ることができ、また反射炉を用いる場合と比べて省エネ
ルギー化の利点がある。また、原料の仕込み、精製品の
取り出しの際の粉塵の飛散を防止できるために環境汚染
防止の点でも極めて価値の高いものである。
【図１】本発明の精製装置の一例を示す断面図である。
【符号の説明】 １ 減圧昇華室 ２ 原料供給室 ３ 加熱容器 ４ 減圧用バルブ ５ 製品取り出し口 ６ 原料供給用の開閉蓋 ７ 空気送入用バルブ ８ 排出溜容器 ９ 排気用のバルブ １０ パイプ １１ 温調電源 １２ 移動隔壁 １３ リーク止め用シール １４ 蓋 １５ ストッパー １６ 移動隔壁の接触部 １７ 原料Ａｓ2 Ｏ3 １８ 精製Ａｓ2 Ｏ３
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山下 晴堂 香川県小豆郡内海町苗羽甲946−６ (72)発明者 安村 利昭 大阪府大阪市東淀川区東淡路１丁目５番２ −1115
Claims (2)
- 【請求項１】減圧昇華室、その側面に接続した原料供給
室及び両室間を移動可能な定温加熱容器を有することを
特徴とする三酸化二ヒ素の精製装置。 - 【請求項２】原料供給室に排気用バルブを設けた請求項
１に記載の三酸化二ヒ素の精製装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26015491A JPH0597439A (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 三酸化二ヒ素の精製装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26015491A JPH0597439A (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 三酸化二ヒ素の精製装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0597439A true JPH0597439A (ja) | 1993-04-20 |
Family
ID=17344066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26015491A Pending JPH0597439A (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 三酸化二ヒ素の精製装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0597439A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7232554B2 (en) * | 2000-12-14 | 2007-06-19 | Barrick Gold Corporation | Process for recovering arsenic from acidic aqueous solution |
| CN111377478A (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-07 | 东泰高科装备科技有限公司 | 三氧化二砷的纯化方法 |
| CN113481385A (zh) * | 2021-07-13 | 2021-10-08 | 广西凯玺有色金属有限公司 | 一种砷产品清洁精炼的工艺方法 |
| CN114314657A (zh) * | 2022-02-18 | 2022-04-12 | 郑州德凯科技有限公司 | 一种连续制备三氧化二砷的生产装置及方法 |
-
1991
- 1991-10-08 JP JP26015491A patent/JPH0597439A/ja active Pending
Cited By (5)
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