JPH0595226A - Oscillation circuit and frequency conversion circuit - Google Patents
Oscillation circuit and frequency conversion circuitInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は発振回路及び、この発振
回路を用いた周波数変換回路に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an oscillator circuit and a frequency conversion circuit using the oscillator circuit.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、発振回路と増幅回路とは、別々の
能動素子を用いて構成されるのが一般的であった。例え
ば、局部発振部、中間周波増幅部、周波数混合部などか
ら構成される周波数変換回路においては、局部発振部、
中間周波増幅部はそれぞれ別々の能動素子、例えば電界
効果トランジスタを用いて構成されるのが通常であった2. Description of the Related Art Conventionally, an oscillating circuit and an amplifying circuit are generally constructed by using separate active elements. For example, in a frequency conversion circuit composed of a local oscillator, an intermediate frequency amplifier, a frequency mixer, etc., the local oscillator,
The intermediate frequency amplifiers were usually constructed using separate active devices, such as field effect transistors.
【０００３】。[0003].
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
方法では、例えば、周波数変換回路においては、発振、
増幅、混合の働きをする能動素子が各々必要であった。However, in the conventional method, for example, in the frequency conversion circuit, oscillation,
An active element for amplifying and mixing is required respectively.
【０００４】本発明は上記問題点に鑑み、一つの能動素
子で発振と増幅を同時に行なう回路構成を提供し、必要
とする能動素子の数を削減すると共に、例えば周波数変
換回路全体の回路構成を簡素化することを目的とする。In view of the above problems, the present invention provides a circuit configuration in which one active element simultaneously oscillates and amplifies, reduces the number of active elements required, and, for example, reduces the circuit configuration of the entire frequency conversion circuit. The purpose is to simplify.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明の回路は、ソース接地された電界効果トラ
ンジスタと、電界効果トランジスタのゲート端子に一端
が接続された第１のマイクロストリップ線路と、電界効
果トランジスタのドレイン端子に一端が接続された第２
のマイクロストリップ線路と、第１のマイクロストリッ
プ線路及び第２のマイクロストリップ線路に結合するよ
うに配置された誘電体共振器で構成された帰還回路を有
し、誘電体共振器の共振周波数で発振周波数を制御する
発振回路において、電界効果トランジスタのゲート端子
側に信号入力端子を接続し、ドレイン端子側に信号出力
端子を接続する回路構成をとった。In order to solve the above problems, the circuit of the present invention comprises a field-effect transistor whose source is grounded and a first microstrip whose one end is connected to the gate terminal of the field-effect transistor. A second line whose one end is connected to the line and the drain terminal of the field effect transistor
A microstrip line and a feedback circuit composed of a dielectric resonator arranged so as to be coupled to the first microstrip line and the second microstrip line, and oscillates at the resonance frequency of the dielectric resonator. In the oscillator circuit for controlling the frequency, a circuit configuration is adopted in which the signal input terminal is connected to the gate terminal side of the field effect transistor and the signal output terminal is connected to the drain terminal side.
【０００６】[0006]
【作用】本発明の回路では、ソース接地された電界効果
トランジスタと、電界効果トランジスタのゲート端子に
一端が接続された第１のマイクロストリップ線路と、電
界効果トランジスタのドレイン端子に一端が接続された
第２のマイクロストリップ線路と、第１のマイクロスト
リップ線路及び第２のマイクロストリップ線路に結合す
るように配置された誘電体共振器とで構成された帰還回
路で発振が行なえる。それと同時に、この発振状態を制
御することにより、発振周波数よりも低い周波数を有す
る信号に対しては、電界効果トランジスタのゲート端子
側に信号入力端子を接続し、ドレイン端子側に信号出力
端子を接続することにより、電界効果トランジスタを増
幅素子としても機能させられる。In the circuit of the present invention, the source-grounded field-effect transistor, the first microstrip line whose one end is connected to the gate terminal of the field-effect transistor, and the one end is connected to the drain terminal of the field-effect transistor. Oscillation can be performed by a feedback circuit including a second microstrip line and a dielectric resonator arranged so as to be coupled to the first microstrip line and the second microstrip line. At the same time, by controlling this oscillation state, for signals with a frequency lower than the oscillation frequency, the signal input terminal is connected to the gate terminal side of the field effect transistor and the signal output terminal is connected to the drain terminal side. By doing so, the field effect transistor can also function as an amplifying element.
【０００７】このように、本発明の回路構成をとること
により、発振と増幅を同時に行なえるという効果が得ら
れる。As described above, by adopting the circuit configuration of the present invention, an effect that oscillation and amplification can be performed simultaneously can be obtained.
【０００８】[0008]
【実施例】以下の実施例において、請求項１で述べた、
発振周波数よりも低い周波数を有する信号を、第２周波
数信号と記述する。EXAMPLES In the following examples, as described in claim 1,
A signal having a frequency lower than the oscillation frequency is described as a second frequency signal.
【０００９】図１は本発明の第１の実施例における発振
回路である。図１において、１０２は第２周波数信号入
力端子、１０３は第２周波数信号出力端子、１０４は発
振信号出力端子、１０５は電界効果トランジスタ、１０
８は第１のマイクロストリップ線路、１０９は第２のマ
イクロストリップ線路、１１１は誘電体共振器、１１２
は第２周波数信号阻止回路、１１３、１１４は低域通過
フィルタ、Ｇ１は電界効果トランジスタ１０５のゲート
端子、Ｄ１は電界効果トランジスタ１０５のドレイン端
子、Ｓ１は電界効果トランジスタ１０５のソース端子で
ある。FIG. 1 shows an oscillator circuit according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, 102 is a second frequency signal input terminal, 103 is a second frequency signal output terminal, 104 is an oscillation signal output terminal, 105 is a field effect transistor, 10
8 is a first microstrip line, 109 is a second microstrip line, 111 is a dielectric resonator, 112
Is a second frequency signal blocking circuit, 113 and 114 are low pass filters, G1 is a gate terminal of the field effect transistor 105, D1 is a drain terminal of the field effect transistor 105, and S1 is a source terminal of the field effect transistor 105.
【００１０】図１に示す本発明の第１の実施例では、ソ
ース接地された電界効果トランジスタ１０５と、電界効
果トランジスタ１０５のゲート端子Ｇ１に一端が接続さ
れた第１のマイクロストリップ線路１０８と、電界効果
トランジスタ１０５のドレイン端子Ｄ１に一端が接続さ
れた第２のマイクロストリップ線路１０９と、第１のマ
イクロストリップ線路１０８及び第２のマイクロストリ
ップ線路１０９に結合するように配置された誘電体共振
器１１１とで構成された帰還回路で発振を行ない、生じ
た発振信号は第１のマイクロストリップ線路１０８の他
端に接続され、第２周波数信号に対しては阻止特性を示
すが、発振信号に対しては通過特性を示す第２周波数信
号阻止回路１１２を経て、発振信号出力端子１０４より
取り出す。それと同時に、電界効果トランジスタ１０５
のゲート端子Ｇ１側に、低域通過フィルタ１１３を介し
て接続した第２周波数信号入力端子１０２より第２周波
数信号を入力し、電界効果トランジスタ１０５を用いて
増幅し、増幅した第２周波数信号を、電界効果トランジ
スタ１０５のドレイン端子Ｄ１側に接続された低域通過
フィルタ１１４を経て第２周波数信号出力端子１０３よ
り取り出す。In the first embodiment of the present invention shown in FIG. 1, the field-effect transistor 105 whose source is grounded, and the first microstrip line 108 whose one end is connected to the gate terminal G1 of the field-effect transistor 105, A second microstrip line 109 whose one end is connected to the drain terminal D1 of the field effect transistor 105, and a dielectric resonator arranged so as to be coupled to the first microstrip line 108 and the second microstrip line 109. Oscillation is performed by the feedback circuit configured by 111 and the generated oscillation signal is connected to the other end of the first microstrip line 108 and exhibits blocking characteristics with respect to the second frequency signal, but with respect to the oscillation signal. Then, it is taken out from the oscillation signal output terminal 104 through the second frequency signal blocking circuit 112 showing the pass characteristic. At the same time, the field effect transistor 105
The second frequency signal is input from the second frequency signal input terminal 102 connected through the low-pass filter 113 to the gate terminal G1 side of the, and is amplified using the field effect transistor 105, and the amplified second frequency signal is output. The signal is taken out from the second frequency signal output terminal 103 through the low pass filter 114 connected to the drain terminal D1 side of the field effect transistor 105.
【００１１】図２は本発明の第２の実施例における発振
回路である。図２において、２０２は第２周波数信号入
力端子兼発振信号出力端子、２０３は第２周波数信号出
力端子、２０５は電界効果トランジスタ、２０８は第１
のマイクロストリップ線路、２０９は第２のマイクロス
トリップ線路、２１１は誘電体共振器、２１４は低域通
過フィルタ、Ｇ１は電界効果トランジスタ２０５のゲー
ト端子、Ｄ１は電界効果トランジスタ２０５のドレイン
端子、Ｓ１は電界効果トランジスタ２０５のソース端子
である。FIG. 2 shows an oscillator circuit according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 2, 202 is a second frequency signal input terminal and oscillation signal output terminal, 203 is a second frequency signal output terminal, 205 is a field effect transistor, and 208 is a first
Microstrip line, 209 is a second microstrip line, 211 is a dielectric resonator, 214 is a low pass filter, G1 is the gate terminal of the field effect transistor 205, D1 is the drain terminal of the field effect transistor 205, and S1 is The source terminal of the field effect transistor 205.
【００１２】図２に示す本発明の第２の実施例では、ソ
ース接地された電界効果トランジスタ２０５と、電界効
果トランジスタ２０５のゲート端子Ｇ１に一端が接続さ
れた第１のマイクロストリップ線路２０８と、電界効果
トランジスタ２０５のドレイン端子Ｄ１に一端が接続さ
れた第２のマイクロストリップ線路２０９と、第１のマ
イクロストリップ線路２０８及び第２のマイクロストリ
ップ線路２０９に結合するように配置された誘電体共振
器２１１とで構成された帰還回路で発振を行ない、生じ
た発振信号は第１のマイクロストリップ線路２０８の他
端に接続された第２周波数信号入力端子兼発振信号出力
端子２０２より取り出す。それと同時に、第１のマイク
ロストリップ線路２０８の他端に接続した第２周波数信
号入力端子兼発振信号出力端子２０２を介して第２周波
数信号を入力し、電界効果トランジスタ２０５を用いて
第２周波数信号の増幅を行い、増幅された第２周波数信
号を、電界効果トランジスタ２０５のドレイン端子Ｄ１
側に接続された低域通過フィルタ２１４を介して第２周
波数信号出力端子２０３より取り出す。In the second embodiment of the present invention shown in FIG. 2, a source-grounded field effect transistor 205 and a first microstrip line 208 having one end connected to the gate terminal G1 of the field effect transistor 205, A second microstrip line 209 having one end connected to the drain terminal D1 of the field effect transistor 205, and a dielectric resonator arranged so as to be coupled to the first microstrip line 208 and the second microstrip line 209. Oscillation is generated by the feedback circuit constituted by 211 and the generated oscillation signal is taken out from the second frequency signal input terminal / oscillation signal output terminal 202 connected to the other end of the first microstrip line 208. At the same time, the second frequency signal is input through the second frequency signal input terminal / oscillation signal output terminal 202 connected to the other end of the first microstrip line 208, and the field effect transistor 205 is used to input the second frequency signal. And the amplified second frequency signal is output to the drain terminal D1 of the field effect transistor 205.
It is taken out from the second frequency signal output terminal 203 through the low-pass filter 214 connected to the side.
【００１３】図３は本発明の第３の実施例における発振
回路である。図３において、３０２は第２周波数信号入
力端子、３０３は第２周波数信号出力端子、３０４は発
振信号出力端子、３０５は電界効果トランジスタ、３０
８は第１のマイクロストリップ線路、３０９は第２のマ
イクロストリップ線路、３１１は誘電体共振器、３１２
は第２周波数信号阻止回路、３１３、３１４は低域通過
フィルタ、Ｇ１は電界効果トランジスタ３０５のゲート
端子、Ｄ１は電界効果トランジスタ３０５のドレイン端
子、Ｓ１は電界効果トランジスタ３０５のソース端子で
ある。FIG. 3 shows an oscillator circuit according to a third embodiment of the present invention. In FIG. 3, 302 is a second frequency signal input terminal, 303 is a second frequency signal output terminal, 304 is an oscillation signal output terminal, 305 is a field effect transistor, 30
Reference numeral 8 is a first microstrip line, 309 is a second microstrip line, 311 is a dielectric resonator, and 312.
Is a second frequency signal blocking circuit, 313 and 314 are low pass filters, G1 is a gate terminal of the field effect transistor 305, D1 is a drain terminal of the field effect transistor 305, and S1 is a source terminal of the field effect transistor 305.
【００１４】図３に示す本発明の第３の実施例では、ソ
ース接地された電界効果トランジスタ３０５と、電界効
果トランジスタ３０５のゲート端子Ｇ１に一端が接続さ
れた第１のマイクロストリップ線路３０８と、電界効果
トランジスタ３０５のドレイン端子Ｄ１に一端が接続さ
れた第２のマイクロストリップ線路３０９と、第１のマ
イクロストリップ線路３０８及び第２のマイクロストリ
ップ線路３０９に結合するように配置された誘電体共振
器３１１とで構成された帰還回路で発振を行ない、生じ
た発振信号は第２のマイクロストリップ線路３０９の他
端に接続され、第２周波数信号に対しては阻止特性を示
すが、発振信号に対しては通過特性を示す第２周波数信
号阻止回路３１２を経て、発振信号出力端子３０４より
取り出す。それと同時に、電界効果トランジスタ３０５
のゲート端子Ｇ１側に、低域通過フィルタ３１３を介し
て接続した第２周波数信号入力端子３０２より第２周波
数信号を入力し、電界効果トランジスタ３０５を用いて
増幅し、増幅した第２周波数信号を、電界効果トランジ
スタ３０５のドレイン端子Ｄ１側に接続された低域通過
フィルタ３１４を経て第２周波数信号出力端子３０３よ
り取り出す。In the third embodiment of the present invention shown in FIG. 3, a source-grounded field effect transistor 305 and a first microstrip line 308 having one end connected to the gate terminal G1 of the field effect transistor 305, A second microstrip line 309 having one end connected to the drain terminal D1 of the field effect transistor 305, and a dielectric resonator arranged so as to be coupled to the first microstrip line 308 and the second microstrip line 309. The feedback circuit composed of 311 and 311 oscillates, and the generated oscillation signal is connected to the other end of the second microstrip line 309 and exhibits blocking characteristics with respect to the second frequency signal, but with respect to the oscillation signal. Then, it is taken out from the oscillation signal output terminal 304 through the second frequency signal blocking circuit 312 showing the pass characteristic. At the same time, the field effect transistor 305
The second frequency signal is input from the second frequency signal input terminal 302 connected through the low-pass filter 313 to the gate terminal G1 side of the, and is amplified using the field effect transistor 305, and the amplified second frequency signal is output. , Through the low pass filter 314 connected to the drain terminal D1 side of the field effect transistor 305, and taken out from the second frequency signal output terminal 303.
【００１５】図４は本発明の第４の実施例における発振
回路である。図４において、４０２は第２周波数信号入
力端子、４０３は第２周波数信号出力端子、４０４は発
振信号出力端子、４０５は電界効果トランジスタ、４０
８は第１のマイクロストリップ線路、４０９は第２のマ
イクロストリップ線路、４１０は第３のマイクロストリ
ップ線路、４１１は誘電体共振器、４１３、４１４は低
域通過フィルタ、Ｇ１は電界効果トランジスタ４０５の
ゲート端子、Ｄ１は電界効果トランジスタ４０５のドレ
イン端子、Ｓ１は電界効果トランジスタ４０５のソース
端子である。FIG. 4 shows an oscillator circuit according to a fourth embodiment of the present invention. 4, 402 is a second frequency signal input terminal, 403 is a second frequency signal output terminal, 404 is an oscillation signal output terminal, 405 is a field effect transistor, and 40.
8 is a first microstrip line, 409 is a second microstrip line, 410 is a third microstrip line, 411 is a dielectric resonator, 413 and 414 are low-pass filters, and G1 is a field effect transistor 405. A gate terminal, D1 is a drain terminal of the field effect transistor 405, and S1 is a source terminal of the field effect transistor 405.
【００１６】図４に示す本発明の第４の実施例では、ソ
ース接地された電界効果トランジスタ４０５と、電界効
果トランジスタ４０５のゲート端子Ｇ１に一端が接続さ
れた第１のマイクロストリップ線路４０８と、電界効果
トランジスタ４０５のドレイン端子Ｄ１に一端が接続さ
れた第２のマイクロストリップ線路４０９と、第１のマ
イクロストリップ線路４０８及び第２のマイクロストリ
ップ線路４０９に結合するように配置された誘電体共振
器４１１とで構成された帰還回路で発振を行ない、生じ
た発振信号を誘電体共振器４１１と結合するように配置
した第３のマイクロストリップ線路４１０の一端に接続
した発振信号出力端子４０４より取り出す。それと同時
に、電界効果トランジスタ４０５のゲート端子Ｇ１側
に、低域通過フィルタ４１３を介して接続した第２周波
数信号入力端子４０２より第２周波数信号を入力し、電
界効果トランジスタ４０５を用いて増幅し、増幅した第
２周波数信号を、電界効果トランジスタ４０５のドレイ
ン端子Ｄ１側に接続された低域通過フィルタ４１４を介
して第２周波数信号出力端子４０３より取り出す。In the fourth embodiment of the present invention shown in FIG. 4, a source-grounded field effect transistor 405 and a first microstrip line 408 whose one end is connected to a gate terminal G1 of the field effect transistor 405, A second microstrip line 409 having one end connected to the drain terminal D1 of the field effect transistor 405, and a dielectric resonator arranged so as to be coupled to the first microstrip line 408 and the second microstrip line 409. Oscillation is performed by the feedback circuit constituted by 411 and the generated oscillation signal is taken out from the oscillation signal output terminal 404 connected to one end of the third microstrip line 410 arranged so as to be coupled with the dielectric resonator 411. At the same time, the second frequency signal is input to the gate terminal G1 side of the field effect transistor 405 from the second frequency signal input terminal 402 connected through the low pass filter 413, and amplified by using the field effect transistor 405. The amplified second frequency signal is taken out from the second frequency signal output terminal 403 via the low pass filter 414 connected to the drain terminal D1 side of the field effect transistor 405.
【００１７】図５は本発明の第５の実施例における周波
数変換回路である。図５において、５０１は高周波信号
入力端子、５０３は中間周波数信号出力端子、５０５は
第１の電界効果トランジスタ、５０６は第２の電界効果
トランジスタ、５０８は第１のマイクロストリップ線
路、５０９は第２のマイクロストリップ線路、５１１は
誘電体共振器、５１４は低域通過フィルタ、Ｇ１は第１
の電界効果トランジスタ５０５のゲート端子、Ｄ１は第
１の電界効果トランジスタ５０５のドレイン端子、Ｓ１
は第１の電界効果トランジスタ５０５のソース端子、Ｇ
２は第２の電界効果トランジスタ５０６のゲート端子、
Ｄ２は第２の電界効果トランジスタ５０６のドレイン端
子、Ｓ２は第２の電界効果トランジスタ５０６のソース
端子である。FIG. 5 shows a frequency conversion circuit according to the fifth embodiment of the present invention. In FIG. 5, 501 is a high frequency signal input terminal, 503 is an intermediate frequency signal output terminal, 505 is a first field effect transistor, 506 is a second field effect transistor, 508 is a first microstrip line, and 509 is a second. Microstrip line, 511 is a dielectric resonator, 514 is a low-pass filter, and G1 is the first
Of the first field effect transistor 505, D1 is a drain terminal of the first field effect transistor 505, S1
Is the source terminal of the first field effect transistor 505, G
2 is a gate terminal of the second field effect transistor 506,
D2 is a drain terminal of the second field effect transistor 506, and S2 is a source terminal of the second field effect transistor 506.
【００１８】図５に示す本発明の第５の実施例では、ソ
ース接地された第１の電界効果トランジスタ５０５と、
第１の電界効果トランジスタ５０５のゲート端子Ｇ１に
一端が接続された第１のマイクロストリップ線路５０８
と、第１の電界効果トランジスタ５０５のドレイン端子
Ｄ１に一端が接続された第２のマイクロストリップ線路
５０９と、第１のマイクロストリップ線路５０８及び第
２のマイクロストリップ線路５０９に結合するように配
置された誘電体共振器５１１とで構成された帰還回路で
発振を行ない、生じた発振信号を第１のマイクロストリ
ップ線路５０８の他端より、第２の電界効果トランジス
タ５０６のドレイン端子Ｄ２に注入する。注入された発
振信号は、第２の電界効果トランジスタ５０６のゲート
端子Ｇ２に接続された高周波信号入力端子５０１より入
力された高周波信号と混合され、中間周波数信号が発生
する。発生した中間周波数信号は、第２の電界効果トラ
ンジスタ５０６のドレイン端子Ｄ２より取り出され、第
１のマイクロストリップ線路５０８を経て、第１の電界
効果トランジスタ５０５のゲート端子Ｇ１に入力され
る。ゲート端子Ｇ１に入力された中間周波数信号は、第
１の電界効果トランジスタ５０５の増幅機能によって増
幅され、増幅された中間周波数信号は、第１の電界効果
トランジスタ５０５のドレイン端子Ｄ１に接続された低
域通過フィルタ５１４を経て中間周波数信号出力端子５
０３より取り出す。In the fifth embodiment of the present invention shown in FIG. 5, the source-grounded first field effect transistor 505 and
A first microstrip line 508 having one end connected to the gate terminal G1 of the first field effect transistor 505.
And a second microstrip line 509, one end of which is connected to the drain terminal D1 of the first field effect transistor 505, and the first microstrip line 508 and the second microstrip line 509. The feedback circuit configured with the dielectric resonator 511 oscillates, and the generated oscillation signal is injected from the other end of the first microstrip line 508 into the drain terminal D2 of the second field effect transistor 506. The injected oscillation signal is mixed with the high frequency signal input from the high frequency signal input terminal 501 connected to the gate terminal G2 of the second field effect transistor 506 to generate an intermediate frequency signal. The generated intermediate frequency signal is taken out from the drain terminal D2 of the second field effect transistor 506, inputted to the gate terminal G1 of the first field effect transistor 505 via the first microstrip line 508. The intermediate frequency signal input to the gate terminal G1 is amplified by the amplifying function of the first field effect transistor 505, and the amplified intermediate frequency signal is connected to the drain terminal D1 of the first field effect transistor 505. Intermediate frequency signal output terminal 5 through the band pass filter 514
Take out from 03.
【００１９】図６は本発明の第６の実施例における周波
数変換回路である。図６において、６０１は高周波信号
入力端子、６０３は中間周波数信号出力端子、６０５は
第１の電界効果トランジスタ、６０６は第２の電界効果
トランジスタ、６０８は第１のマイクロストリップ線
路、６０９は第２のマイクロストリップ線路、６１１は
誘電体共振器、６１２は中間周波数阻止回路、６１３、
６１４は低域通過フィルタ、Ｇ１は第１の電界効果トラ
ンジスタ６０５のゲート端子、Ｄ１は第１の電界効果ト
ランジスタ６０５のドレイン端子、Ｓ１は第１の電界効
果トランジスタ６０５のソース端子、Ｇ２は第２の電界
効果トランジスタ６０６のゲート端子、Ｄ２は第２の電
界効果トランジスタ６０６のドレイン端子、Ｓ２は第２
の電界効果トランジスタ６０６のソース端子である。FIG. 6 shows a frequency conversion circuit according to the sixth embodiment of the present invention. In FIG. 6, 601 is a high frequency signal input terminal, 603 is an intermediate frequency signal output terminal, 605 is a first field effect transistor, 606 is a second field effect transistor, 608 is a first microstrip line, and 609 is a second field effect transistor. , 611 is a dielectric resonator, 612 is an intermediate frequency blocking circuit, 613,
614 is a low pass filter, G1 is a gate terminal of the first field effect transistor 605, D1 is a drain terminal of the first field effect transistor 605, S1 is a source terminal of the first field effect transistor 605, and G2 is a second terminal. Of the field effect transistor 606, D2 is the drain terminal of the second field effect transistor 606, and S2 is the second
Is a source terminal of the field effect transistor 606.
【００２０】図６に示す本発明の第６の実施例では、ソ
ース接地された第１の電界効果トランジスタ６０５と、
第１の電界効果トランジスタ６０５のゲート端子Ｇ１に
一端が接続された第１のマイクロストリップ線路６０８
と、第１の電界効果トランジスタ６０５のドレイン端子
Ｄ１に一端が接続された第２のマイクロストリップ線路
６０９と、第１のマイクロストリップ線路６０８及び第
２のマイクロストリップ線路６０９に結合するように配
置された誘電体共振器６１１とで構成された帰還回路で
発振を行ない、生じた発振信号を第２のマイクロストリ
ップ線路６０９の他端より、中間周波数阻止回路６１２
を経て、第２の電界効果トランジスタ６０６のドレイン
端子Ｄ２に注入する。注入された発振信号は、第２の電
界効果トランジスタ６０６のゲート端子Ｇ２に接続され
た高周波信号入力端子６０１より入力された高周波信号
と混合され、中間周波数信号が発生する。発生した中間
周波数信号は、第２の電界効果トランジスタ６０６のド
レイン端子Ｄ２より取り出され、低域通過フィルタ６１
３を経て、第１の電界効果トランジスタ６０５のゲート
端子Ｇ１に入力される。ゲート端子Ｇ１に入力された中
間周波数信号は、第１の電界効果トランジスタ６０５の
増幅機能によって増幅され、増幅された中間周波数信号
は、第１の電界効果トランジスタ６０５のドレイン端子
Ｄ１に接続された低域通過フィルタ６１４を経て中間周
波数信号出力端子６０３より取り出す。In the sixth embodiment of the present invention shown in FIG. 6, the first field effect transistor 605 whose source is grounded,
A first microstrip line 608 having one end connected to the gate terminal G1 of the first field effect transistor 605.
And a second microstrip line 609 whose one end is connected to the drain terminal D1 of the first field effect transistor 605, and the first microstrip line 608 and the second microstrip line 609. The oscillation circuit is oscillated by the feedback circuit composed of the dielectric resonator 611 and the generated oscillation signal from the other end of the second microstrip line 609 to the intermediate frequency blocking circuit 612.
Then, it is injected into the drain terminal D2 of the second field effect transistor 606. The injected oscillation signal is mixed with the high frequency signal input from the high frequency signal input terminal 601 connected to the gate terminal G2 of the second field effect transistor 606 to generate an intermediate frequency signal. The generated intermediate frequency signal is taken out from the drain terminal D2 of the second field effect transistor 606, and is passed through the low pass filter 61.
Then, the signal is input to the gate terminal G1 of the first field effect transistor 605 via No. 3. The intermediate frequency signal input to the gate terminal G1 is amplified by the amplification function of the first field effect transistor 605, and the amplified intermediate frequency signal is connected to the drain terminal D1 of the first field effect transistor 605. It is taken out from the intermediate frequency signal output terminal 603 via the band pass filter 614.
【００２１】図７は本発明の第７の実施例における周波
数変換回路である。図７において、７０１は高周波信号
入力端子、７０３は中間周波数信号出力端子、７０５は
第１の電界効果トランジスタ、７０６は第２の電界効果
トランジスタ、７０８は第１のマイクロストリップ線
路、７０９は第２のマイクロストリップ線路、７１０は
第３のマイクロストリップ線路、７１１は誘電体共振
器、７１３、７１４は低域通過フィルタ、Ｇ１は第１の
電界効果トランジスタ７０５のゲート端子、Ｄ１は第１
の電界効果トランジスタ７０５のドレイン端子、Ｓ１は
第１の電界効果トランジスタ７０５のソース端子、Ｇ２
は第２の電界効果トランジスタ７０６のゲート端子、Ｄ
２は第２の電界効果トランジスタ７０６のドレイン端
子、Ｓ２は第２の電界効果トランジスタ７０６のソース
端子である。FIG. 7 shows a frequency conversion circuit according to the seventh embodiment of the present invention. In FIG. 7, 701 is a high frequency signal input terminal, 703 is an intermediate frequency signal output terminal, 705 is a first field effect transistor, 706 is a second field effect transistor, 708 is a first microstrip line, and 709 is a second field effect transistor. Microstrip line, 710 is a third microstrip line, 711 is a dielectric resonator, 713 and 714 are low-pass filters, G1 is the gate terminal of the first field effect transistor 705, and D1 is the first.
Drain terminal of the field effect transistor 705, S1 is a source terminal of the first field effect transistor 705, G2
Is the gate terminal of the second field effect transistor 706, D
Reference numeral 2 is a drain terminal of the second field effect transistor 706, and S2 is a source terminal of the second field effect transistor 706.
【００２２】図７に示す本発明の第７の実施例では、ソ
ース接地された第１の電界効果トランジスタ７０５と、
第１の電界効果トランジスタ７０５のゲート端子Ｇ１に
一端が接続された第１のマイクロストリップ線路７０８
と、第１の電界効果トランジスタ７０５のドレイン端子
Ｄ１に一端が接続された第２のマイクロストリップ線路
７０９と、第１のマイクロストリップ線路７０８及び第
２のマイクロストリップ線路７０９に結合するように配
置された誘電体共振器７１１とで構成された帰還回路で
発振を行ない、生じた発振信号を誘電体共振器７１１と
結合するように配置された第３のマイクロストリップ線
路７１０の一端より、第２の電界効果トランジスタ７０
６のドレイン端子Ｄ２に注入する。注入された発振信号
は、第２の電界効果トランジスタ７０６のゲート端子Ｇ
２に接続された高周波信号入力端子７０１より入力され
た高周波信号と混合され、中間周波数信号が発生する。
発生した中間周波数信号は、第２の電界効果トランジス
タ７０６のドレイン端子Ｄ２より取り出され、低域通過
フィルタ７１３を経て、第１の電界効果トランジスタ７
０５のゲート端子Ｇ１に入力される。ゲート端子Ｇ１に
入力された中間周波数信号は、第１の電界効果トランジ
スタ７０５の増幅機能によって増幅され、増幅された中
間周波数信号は、第１の電界効果トランジスタ７０５の
ドレイン端子Ｄ１に接続された低域通過フィルタ７１４
を経て中間周波数信号出力端子７０３より取り出す。In the seventh embodiment of the present invention shown in FIG. 7, the source-grounded first field effect transistor 705 and
A first microstrip line 708 having one end connected to the gate terminal G1 of the first field effect transistor 705.
And a second microstrip line 709 whose one end is connected to the drain terminal D1 of the first field effect transistor 705, and is arranged so as to be coupled to the first microstrip line 708 and the second microstrip line 709. The feedback circuit configured with the dielectric resonator 711 oscillates, and the generated oscillation signal is coupled to the dielectric resonator 711. One end of the third microstrip line 710 is connected to the second microstrip line 710. Field effect transistor 70
6 to the drain terminal D2. The injected oscillation signal is applied to the gate terminal G of the second field effect transistor 706.
The high frequency signal input from the high frequency signal input terminal 701 connected to 2 is mixed to generate an intermediate frequency signal.
The generated intermediate frequency signal is taken out from the drain terminal D2 of the second field effect transistor 706, passes through the low pass filter 713, and then passes through the first field effect transistor 7
No. 05 gate terminal G1. The intermediate frequency signal input to the gate terminal G1 is amplified by the amplification function of the first field effect transistor 705, and the amplified intermediate frequency signal is connected to the drain terminal D1 of the first field effect transistor 705. Band pass filter 714
And output from the intermediate frequency signal output terminal 703.
【００２３】図８は本発明の第８の実施例における周波
数変換回路である。図８において、８０１は高周波信号
入力端子、８０３は中間周波数信号出力端子、８０５は
電界効果トランジスタ、８０７は二重ゲート電界効果ト
ランジスタ、８０８は第１のマイクロストリップ線路、
８０９は第２のマイクロストリップ線路、８１１は誘電
体共振器、８１２は中間周波数阻止回路、８１３、８１
４は低域通過フィルタ、Ｇは電界効果トランジスタ８０
５のゲート端子、Ｄは電界効果トランジスタ８０５のド
レイン端子、Ｓは電界効果トランジスタ８０５のソース
端子、Ｇ２１は二重ゲート電界効果トランジスタ８０７
の第１ゲート端子、Ｇ２２は二重ゲート電界効果トラン
ジスタ８０７の第２ゲート端子、Ｄ２２は二重ゲート電
界効果トランジスタ８０７のドレイン端子、Ｓ２２は二
重ゲート電界効果トランジスタ８０７のソース端子であ
る。FIG. 8 shows a frequency conversion circuit according to the eighth embodiment of the present invention. In FIG. 8, 801 is a high frequency signal input terminal, 803 is an intermediate frequency signal output terminal, 805 is a field effect transistor, 807 is a double gate field effect transistor, 808 is a first microstrip line,
809 is a second microstrip line, 811 is a dielectric resonator, 812 is an intermediate frequency blocking circuit, 813 and 81.
4 is a low pass filter, G is a field effect transistor 80
5 is a gate terminal, D is a drain terminal of the field effect transistor 805, S is a source terminal of the field effect transistor 805, and G21 is a double gate field effect transistor 807.
Of the double gate field effect transistor 807, D22 is a drain terminal of the double gate field effect transistor 807, and S22 is a source terminal of the double gate field effect transistor 807.
【００２４】図８に示す本発明の第８の実施例では、ソ
ース接地された電界効果トランジスタ８０５と、電界効
果トランジスタ８０５のゲート端子Ｇに一端が接続され
た第１のマイクロストリップ線路８０８と、電界効果ト
ランジスタ８０５のドレイン端子Ｄに一端が接続された
第２のマイクロストリップ線路８０９と、第１のマイク
ロストリップ線路８０８及び第２のマイクロストリップ
線路８０９に結合するように配置された誘電体共振器８
１１とで構成された帰還回路で発振を行ない、生じた発
振信号を第１のマイクロストリップ線路８０８の他端よ
り、中間周波数阻止回路８１２を経て、二重ゲート電界
効果トランジスタ８０７の第２ゲート端子Ｇ２２に注入
する。注入された発振信号は、二重ゲート電界効果トラ
ンジスタ８０７の第１ゲート端子Ｇ２１に入力された高
周波信号と混合され、中間周波数信号が発生する。発生
した中間周波数信号は、二重ゲート電界効果トランジス
タ８０７のドレイン端子Ｄ２２より取り出され、低域通
過フィルタ８１３を経て、第１の電界効果トランジスタ
８０５のゲート端子Ｇに入力される。ゲート端子Ｇに入
力された中間周波数信号は、電界効果トランジスタ８０
５の増幅機能によって増幅され、増幅された中間周波数
信号は、電界効果トランジスタ８０５のドレイン端子Ｄ
に接続された低域通過フィルタ８１４を経て中間周波数
信号出力端子８０３より取り出す。In the eighth embodiment of the present invention shown in FIG. 8, the field-effect transistor 805 whose source is grounded, and the first microstrip line 808 whose one end is connected to the gate terminal G of the field-effect transistor 805, A second microstrip line 809 having one end connected to the drain terminal D of the field effect transistor 805, and a dielectric resonator arranged so as to be coupled to the first microstrip line 808 and the second microstrip line 809. 8
The feedback circuit constituted by 11 and 11 oscillates the generated oscillation signal from the other end of the first microstrip line 808, the intermediate frequency blocking circuit 812, and the second gate terminal of the double gate field effect transistor 807. Inject into G22. The injected oscillation signal is mixed with the high frequency signal input to the first gate terminal G21 of the double gate field effect transistor 807 to generate an intermediate frequency signal. The generated intermediate frequency signal is taken out from the drain terminal D22 of the double gate field effect transistor 807, passed through the low pass filter 813, and input to the gate terminal G of the first field effect transistor 805. The intermediate frequency signal input to the gate terminal G is the field effect transistor 80.
The intermediate frequency signal amplified by the amplification function of No. 5 is the drain terminal D of the field effect transistor 805.
The signal is taken out from the intermediate frequency signal output terminal 803 through the low pass filter 814 connected to.
【００２５】図９は本発明の第９の実施例における周波
数変換回路である。図９において、９０１は高周波信号
入力端子、９０３は中間周波数信号出力端子、９０５は
電界効果トランジスタ、９０７は二重ゲート電界効果ト
ランジスタ、９０８は第１のマイクロストリップ線路、
９０９は第２のマイクロストリップ線路、９１０は第３
のマイクロストリップ線路、９１１は誘電体共振器、９
１３、９１４は低域通過フィルタ、Ｇは電界効果トラン
ジスタ９０５のゲート端子、Ｄは電界効果トランジスタ
９０５のドレイン端子、Ｓは電界効果トランジスタ９０
５のソース端子、Ｇ２１は二重ゲート電界効果トランジ
スタ９０７の第１ゲート端子、Ｇ２２は二重ゲート電界
効果トランジスタ９０７の第２ゲート端子、Ｄ２２は二
重ゲート電界効果トランジスタ９０７のドレイン端子、
Ｓ２２は二重ゲート電界効果トランジスタ９０７のソー
ス端子である。FIG. 9 shows a frequency conversion circuit according to the ninth embodiment of the present invention. In FIG. 9, 901 is a high frequency signal input terminal, 903 is an intermediate frequency signal output terminal, 905 is a field effect transistor, 907 is a double gate field effect transistor, 908 is a first microstrip line,
909 is the second microstrip line, and 910 is the third microstrip line.
Microstrip line, 911 is a dielectric resonator, 9
13, 914 are low-pass filters, G is the gate terminal of the field effect transistor 905, D is the drain terminal of the field effect transistor 905, and S is the field effect transistor 90.
5, the source terminal of G5, the first gate terminal of the double-gate field-effect transistor 907, G22 the second gate terminal of the double-gate field-effect transistor 907, D22 the drain terminal of the double-gate field-effect transistor 907,
S22 is a source terminal of the double gate field effect transistor 907.
【００２６】図９に示す本発明の第９の実施例では、ソ
ース接地された電界効果トランジスタ９０５と、電界効
果トランジスタ９０５のゲート端子Ｇに一端が接続され
た第１のマイクロストリップ線路９０８と、電界効果ト
ランジスタ９０５のドレイン端子Ｄに一端が接続された
第２のマイクロストリップ線路９０９と、第１のマイク
ロストリップ線路９０８及び第２のマイクロストリップ
線路９０９に結合するように配置された誘電体共振器９
１１とで構成された帰還回路で発振を行ない、生じた発
振信号を誘電体共振器９１１に結合するように配置した
第３のマイクロストリップ線路９１０の一端より、二重
ゲート電界効果トランジスタ９０７の第２ゲート端子Ｇ
２２に注入する。注入された発振信号は、二重ゲート電
界効果トランジスタ９０７の第１ゲート端子Ｇ２１に入
力された高周波信号と混合され、中間周波数信号が発生
する。発生した中間周波数信号は、二重ゲート電界効果
トランジスタ９０７のドレイン端子Ｄ２２より取り出さ
れ、低域通過フィルタ９１３を経て、第１の電界効果ト
ランジスタ９０５のゲート端子Ｇに入力される。ゲート
端子Ｇに入力された中間周波数信号は、電界効果トラン
ジスタ９０５の増幅機能によって増幅され、増幅された
中間周波数信号は、電界効果トランジスタ９０５のドレ
イン端子Ｄに接続された低域通過フィルタ９１４を経て
中間周波数信号出力端子９０３より取り出す。In the ninth embodiment of the present invention shown in FIG. 9, the field-effect transistor 905 whose source is grounded, and the first microstrip line 908 whose one end is connected to the gate terminal G of the field-effect transistor 905, A second microstrip line 909 having one end connected to the drain terminal D of the field effect transistor 905, and a dielectric resonator arranged so as to be coupled to the first microstrip line 908 and the second microstrip line 909. 9
The feedback circuit constituted by 11 and 11 oscillates, and from the one end of the third microstrip line 910 arranged so as to couple the generated oscillation signal to the dielectric resonator 911, the double gate field effect transistor 907 2 gate terminals G
Inject into 22. The injected oscillation signal is mixed with the high frequency signal input to the first gate terminal G21 of the double gate field effect transistor 907 to generate an intermediate frequency signal. The generated intermediate frequency signal is taken out from the drain terminal D22 of the double gate field effect transistor 907, passed through the low pass filter 913, and input to the gate terminal G of the first field effect transistor 905. The intermediate frequency signal input to the gate terminal G is amplified by the amplification function of the field effect transistor 905, and the amplified intermediate frequency signal is passed through the low pass filter 914 connected to the drain terminal D of the field effect transistor 905. It is taken out from the intermediate frequency signal output terminal 903.
【００２７】図１０は本発明の第１０の実施例における
周波数変換回路である。図１０において、１００１は高
周波信号入力端子、１００３は中間周波数信号出力端
子、１００５は電界効果トランジスタ、１００７は二重
ゲート電界効果トランジスタ、１００８は第１のマイク
ロストリップ線路、１００９は第２のマイクロストリッ
プ線路、１０１１は誘電体共振器、１０１２は中間周波
数阻止回路、１０１３、１０１４は低域通過フィルタ、
Ｇは電界効果トランジスタ１００５のゲート端子、Ｄは
電界効果トランジスタ１００５のドレイン端子、Ｓは電
界効果トランジスタ１００５のソース端子、Ｇ２１は二
重ゲート電界効果トランジスタ１００７の第１ゲート端
子、Ｇ２２は二重ゲート電界効果トランジスタ１００７
の第２ゲート端子、Ｄ２２は二重ゲート電界効果トラン
ジスタ１００７のドレイン端子、Ｓ２２は二重ゲート電
界効果トランジスタ１００７のソース端子である。FIG. 10 shows a frequency conversion circuit according to the tenth embodiment of the present invention. In FIG. 10, 1001 is a high frequency signal input terminal, 1003 is an intermediate frequency signal output terminal, 1005 is a field effect transistor, 1007 is a double gate field effect transistor, 1008 is a first microstrip line, and 1009 is a second microstrip. A line, 1011 is a dielectric resonator, 1012 is an intermediate frequency blocking circuit, 1013 and 1014 are low pass filters,
G is the gate terminal of the field effect transistor 1005, D is the drain terminal of the field effect transistor 1005, S is the source terminal of the field effect transistor 1005, G21 is the first gate terminal of the double gate field effect transistor 1007, and G22 is the double gate. Field effect transistor 1007
Of the double gate field effect transistor 1007, D22 is a drain terminal of the double gate field effect transistor 1007, and S22 is a source terminal of the double gate field effect transistor 1007.
【００２８】図１０に示す本発明の第１０の実施例で
は、ソース接地された電界効果トランジスタ１００５
と、電界効果トランジスタ１００５のゲート端子Ｇに一
端が接続された第１のマイクロストリップ線路１００８
と、電界効果トランジスタ１００５のドレイン端子Ｄに
一端が接続された第２のマイクロストリップ線路１００
９と、第１のマイクロストリップ線路１００８及び第２
のマイクロストリップ線路１００９に結合するように配
置された誘電体共振器１０１１とで構成された帰還回路
で発振を行ない、生じた発振信号を第２のマイクロスト
リップ線路１００９の他端より、二重ゲート電界効果ト
ランジスタ１００７の第２ゲート端子Ｇ２２に注入す
る。注入された発振信号は、二重ゲート電界効果トラン
ジスタ１００７の第１ゲート端子Ｇ２１に入力された高
周波信号と混合され、中間周波数信号が発生する。発生
した中間周波数信号は、二重ゲート電界効果トランジス
タ１００７のドレイン端子Ｄ２２より取り出され、低域
通過フィルタ１０１３を経て、第１の電界効果トランジ
スタ１００５のゲート端子Ｇに入力される。ゲート端子
Ｇに入力された中間周波数信号は、電界効果トランジス
タ１００５の増幅機能によって増幅され、増幅された中
間周波数信号は、電界効果トランジスタ１００５のドレ
イン端子Ｄに接続された低域通過フィルタ１０１４を経
て中間周波数信号出力端子１００３より取り出す。In the tenth embodiment of the present invention shown in FIG. 10, the source-grounded field effect transistor 1005 is used.
And a first microstrip line 1008 whose one end is connected to the gate terminal G of the field effect transistor 1005.
And a second microstrip line 100 whose one end is connected to the drain terminal D of the field effect transistor 1005.
9, the first microstrip line 1008 and the second
Of the second microstrip line 1009 is oscillated by a feedback circuit composed of a dielectric resonator 1011 arranged so as to be coupled to the microstrip line 1009 of FIG. It is injected into the second gate terminal G22 of the field effect transistor 1007. The injected oscillation signal is mixed with the high frequency signal input to the first gate terminal G21 of the double gate field effect transistor 1007, and an intermediate frequency signal is generated. The generated intermediate frequency signal is taken out from the drain terminal D22 of the double gate field effect transistor 1007, passed through the low pass filter 1013, and input to the gate terminal G of the first field effect transistor 1005. The intermediate frequency signal input to the gate terminal G is amplified by the amplification function of the field effect transistor 1005, and the amplified intermediate frequency signal is passed through the low pass filter 1014 connected to the drain terminal D of the field effect transistor 1005. It is taken out from the intermediate frequency signal output terminal 1003.
【００２９】以上の実施例で述べた回路構成をとること
により、発振回路及び増幅回路を共に含む回路、例えば
周波数変換回路において、従来よりも能動素子数を減少
させると共に、回路構成を簡素化できる。ここで、発振
と増幅を同時に行なうには、発振出力を最大発振出力よ
りも低くすることが必要である。そして、前記の条件下
で、発振出力と、増幅利得は、発振出力を低くするにつ
れて増幅利得が増大するという関係を有する。By adopting the circuit configuration described in the above embodiments, in the circuit including both the oscillation circuit and the amplification circuit, for example, the frequency conversion circuit, the number of active elements can be reduced and the circuit configuration can be simplified as compared with the prior art. .. Here, in order to perform oscillation and amplification at the same time, it is necessary to make the oscillation output lower than the maximum oscillation output. Under the above conditions, the oscillation output and the amplification gain have a relationship that the amplification gain increases as the oscillation output decreases.
【００３０】なお、上記の実施例においては、能動素子
として電界効果型トランジスタを用いたが、バイポーラ
トランジスタを用いても同様の効果が得られる。Although the field effect transistor is used as the active element in the above embodiment, a similar effect can be obtained by using a bipolar transistor.
【００３１】[0031]
【発明の効果】本発明の発振回路は、ソース接地された
電界効果トランジスタと、電界効果トランジスタのゲー
ト端子に一端が接続された第１のマイクロストリップ線
路と、電界効果トランジスタのドレイン端子に一端が接
続された第２のマイクロストリップ線路と、第１のマイ
クロストリップ線路及び第２のマイクロストリップ線路
に結合するように配置された誘電体共振器で構成された
帰還回路を有し、誘電体共振器の共振周波数で発振周波
数を制御する発振回路において、電界効果トランジスタ
のゲート端子側に信号入力端子を接続し、ドレイン端子
側に信号出力端子を接続し、ソース接地された電界効果
トランジスタを発振周波数よりも低い周波数を有する信
号の増幅器としても機能させるものであり、一個の電界
効果トランジスタで発振と増幅を同時に行なうという効
果を備えたものである。The oscillator circuit of the present invention has a field-effect transistor whose source is grounded, a first microstrip line whose one end is connected to the gate terminal of the field-effect transistor, and one end of which is connected to the drain terminal of the field-effect transistor. A dielectric resonator having a connected second microstrip line and a feedback circuit composed of a dielectric resonator arranged so as to be coupled to the first microstrip line and the second microstrip line. In the oscillation circuit that controls the oscillation frequency with the resonance frequency of, the signal input terminal is connected to the gate terminal side of the field effect transistor, the signal output terminal is connected to the drain terminal side, and the field effect transistor whose source is grounded It also functions as an amplifier for signals having a low frequency. Those having the effect of performing oscillation and amplification at the same time.
【００３２】特に、この発振回路を周波数変換回路に用
いる際には、発振周波数よりも低い周波数を有する信号
を周波数変換回路の中間周波数信号とし、一個の電界効
果トランジスタで局部発振回路と中間周波増幅回路を兼
ねそなえるという効果を有するものである。In particular, when this oscillation circuit is used in a frequency conversion circuit, a signal having a frequency lower than the oscillation frequency is used as an intermediate frequency signal of the frequency conversion circuit, and one field effect transistor is used to amplify the local oscillation circuit and the intermediate frequency. It has the effect of serving as a circuit.
【図１】本発明の第１の実施例における発振回路の回路
図FIG. 1 is a circuit diagram of an oscillator circuit according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第２の実施例における発振回路の回路
図FIG. 2 is a circuit diagram of an oscillator circuit according to a second embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第３の実施例における発振回路の回路
図FIG. 3 is a circuit diagram of an oscillator circuit according to a third embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第４の実施例における発振回路の回路
図FIG. 4 is a circuit diagram of an oscillator circuit according to a fourth embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第５の実施例における周波数変換回路
の回路図FIG. 5 is a circuit diagram of a frequency conversion circuit according to a fifth embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第６の実施例における周波数変換回路
の回路図FIG. 6 is a circuit diagram of a frequency conversion circuit according to a sixth embodiment of the present invention.
【図７】本発明の第７の実施例における周波数変換回路
の回路図FIG. 7 is a circuit diagram of a frequency conversion circuit according to a seventh embodiment of the present invention.
【図８】本発明の第８の実施例における周波数変換回路
の回路図FIG. 8 is a circuit diagram of a frequency conversion circuit according to an eighth embodiment of the present invention.
【図９】本発明の第９の実施例における周波数変換回路
の回路図FIG. 9 is a circuit diagram of a frequency conversion circuit according to a ninth embodiment of the present invention.
【図１０】本発明の第１０の実施例における周波数変換
回路の回路図FIG. 10 is a circuit diagram of a frequency conversion circuit according to a tenth embodiment of the present invention.
１０２ 第２周波数信号入力端子 １０３ 第２周波数信号出力端子 １０４ 発振信号出力端子 １０５ 電界効果トランジスタ １０８ 第１の マイクロストリップ線路 １０９ 第２の マイクロストリップ線路 １１１ 誘電体共振器 １１２ 第２周波数信号阻止回路 １１３、１１４ 低域通過フィルタ Ｇ１ 第１の電界効果トランジスタのゲート端子 Ｄ１ 第１の電界効果トランジスタのドレイン端子 Ｓ１ 第１の電界効果トランジスタのソース端子 102 second frequency signal input terminal 103 second frequency signal output terminal 104 oscillation signal output terminal 105 field effect transistor 108 first microstrip line 109 second microstrip line 111 dielectric resonator 112 second frequency signal blocking circuit 113 , 114 low-pass filter G1 gate terminal of first field-effect transistor D1 drain terminal of first field-effect transistor S1 source terminal of first field-effect transistor
Claims (9)
と、前記電界効果トランジスタのゲート端子に一端が接
続された第１のマイクロストリップ線路と、前記電界効
果トランジスタのドレイン端子に一端が接続された第２
のマイクロストリップ線路と、前記第１のマイクロスト
リップ線路及び前記第２のマイクロストリップ線路に結
合するように配置された誘電体共振器で構成された帰還
回路を有し、前記誘電体共振器の共振周波数で発振周波
数を制御する発振回路において、前記電界効果トランジ
スタのゲート端子側に信号入力端子を接続し、前記ドレ
イン端子側に信号出力端子を接続し、ソース接地された
前記電界効果トランジスタを前記発振周波数よりも低い
周波数を有する信号の増幅器としても同時に機能させた
ことを特徴とする発振回路。1. A field-effect transistor whose source is grounded, a first microstrip line whose one end is connected to a gate terminal of the field-effect transistor, and a second microstrip line whose one end is connected to a drain terminal of the field-effect transistor.
A microstrip line, and a feedback circuit composed of a dielectric resonator arranged so as to be coupled to the first microstrip line and the second microstrip line, the resonance of the dielectric resonator being provided. In an oscillating circuit for controlling the oscillating frequency by frequency, the signal input terminal is connected to the gate terminal side of the field effect transistor, the signal output terminal is connected to the drain terminal side, and the field effect transistor grounded at the source is oscillated. An oscillating circuit characterized in that it also functions as an amplifier of a signal having a frequency lower than the frequency.
発振信号出力端子とし、電界効果トランジスタのゲート
端子を前記発振周波数よりも低い周波数を有する信号の
信号入力端子とし、前記電界効果トランジスタのドレイ
ン端子を前記発振周波数よりも低い周波数を有する信号
の信号出力端子とするとともに、前記第１のマイクロス
トリップ線路の他端に前記発振周波数よりも低い周波数
を有する信号に対しては阻止特性を示し、前記発振周波
数に対しては通過特性を示す信号阻止回路を設けたこと
を特徴とする請求項１記載の発振回路。2. The other end of the first microstrip line serves as an oscillation signal output terminal, the gate terminal of the field effect transistor serves as a signal input terminal for a signal having a frequency lower than the oscillation frequency, and the drain of the field effect transistor. The terminal is used as a signal output terminal of a signal having a frequency lower than the oscillation frequency, and at the other end of the first microstrip line, a blocking characteristic is shown for a signal having a frequency lower than the oscillation frequency, The oscillation circuit according to claim 1, further comprising a signal blocking circuit that exhibits a pass characteristic with respect to the oscillation frequency.
発振信号出力端子、及び前記発振周波数よりも低い周波
数を有する信号の信号入力端子とし、前記電界効果トラ
ンジスタのドレイン端子を前記発振周波数よりも低い周
波数を有する信号の信号出力端子としたことを特徴とす
る請求項１記載の発振回路。3. The other end of the first microstrip line is used as an oscillation signal output terminal and a signal input terminal for a signal having a frequency lower than the oscillation frequency, and the drain terminal of the field effect transistor is higher than the oscillation frequency. The oscillator circuit according to claim 1, wherein the oscillator circuit is a signal output terminal for a signal having a low frequency.
発振信号出力端子とし、電界効果トランジスタのゲート
端子を前記発振周波数よりも低い周波数を有する信号の
信号入力端子とし、前記電界効果トランジスタのドレイ
ン端子を前記発振周波数よりも低い周波数を有する信号
の信号出力端子とするとともに、前記第２のマイクロス
トリップ線路の他端に前記発振周波数よりも低い周波数
を有する信号に対しては阻止特性を示し、前記発振周波
数に対しては通過特性を示す信号阻止回路を設けたこと
を特徴とする請求項１記載の発振回路。4. The other end of the second microstrip line serves as an oscillation signal output terminal, the gate terminal of the field effect transistor serves as a signal input terminal for a signal having a frequency lower than the oscillation frequency, and the drain of the field effect transistor. The terminal is used as a signal output terminal of a signal having a frequency lower than the oscillation frequency, and at the other end of the second microstrip line, a blocking characteristic is shown for a signal having a frequency lower than the oscillation frequency, The oscillation circuit according to claim 1, further comprising a signal blocking circuit that exhibits a pass characteristic with respect to the oscillation frequency.
第３のマイクロストリップ線路の一端を発振信号出力端
子とし、電界効果トランジスタのゲート端子を前記発振
周波数よりも低い周波数を有する信号の信号入力端子と
し、前記電界効果トランジスタのドレイン端子を前記発
振周波数よりも低い周波数を有する信号の信号出力端子
としたことを特徴とする請求項１記載の発振回路。5. A signal of a signal having a frequency lower than the oscillation frequency at one end of the third microstrip line arranged so as to be coupled to the dielectric resonator as an oscillation signal output terminal, and at the gate terminal of the field effect transistor. The oscillation circuit according to claim 1, wherein the oscillation circuit is an input terminal, and a drain terminal of the field effect transistor is a signal output terminal for a signal having a frequency lower than the oscillation frequency.
ジスタと、前記第１の電界効果トランジスタのゲート端
子に一端が接続された第１のマイクロストリップ線路
と、前記第１の電界効果トランジスタのドレイン端子に
一端が接続された第２のマイクロストリップ線路と、前
記第１のマイクロストリップ線路及び前記第２のマイク
ロストリップ線路に結合するように配置された誘電体共
振器で構成された帰還回路を有し、前記誘電体共振器の
共振周波数で発振周波数を制御するとともに前記第１の
マイクロストリップ線路の他端を発振出力端子とする発
振回路と、ソース接地された第２の電界効果トランジス
タを周波数変換素子とし、前記第２の電界効果トランジ
スタのゲート端子を高周波信号入力端子とし、前記第２
の電界効果トランジスタのドレイン端子を発振信号入力
端子および中間周波信号出力端子とした電界効果トラン
ジスタ・ミキサとで構成され、前記発振回路の前記第１
のマイクロストリップ線路の他端と前記電界効果トラン
ジスタ・ミキサの前記ドレイン端子とを接続するととも
に、前記第１の電界効果トランジスタにより中間周波信
号を増幅するようにしたことを特徴とする周波数変換回
路。6. A first field effect transistor whose source is grounded, a first microstrip line whose one end is connected to a gate terminal of the first field effect transistor, and a drain of the first field effect transistor. A feedback circuit including a second microstrip line whose one end is connected to a terminal, and a dielectric resonator arranged so as to be coupled to the first microstrip line and the second microstrip line. Then, the oscillation frequency is controlled by the resonance frequency of the dielectric resonator and the frequency conversion is performed between the oscillation circuit that uses the other end of the first microstrip line as an oscillation output terminal and the second field-effect transistor whose source is grounded. And a gate terminal of the second field effect transistor as a high frequency signal input terminal,
And a field effect transistor mixer having a drain terminal of the field effect transistor as an oscillation signal input terminal and an intermediate frequency signal output terminal,
The frequency conversion circuit, wherein the other end of the microstrip line is connected to the drain terminal of the field effect transistor / mixer and the intermediate frequency signal is amplified by the first field effect transistor.
ジスタと、前記第１の電界効果トランジスタのゲート端
子に一端が接続された第１のマイクロストリップ線路
と、前記第１の電界効果トランジスタのドレイン端子に
一端が接続された第２のマイクロストリップ線路と、前
記第１のマイクロストリップ線路及び前記第２のマイク
ロストリップ線路に結合するように配置された誘電体共
振器で構成された帰還回路を有し、前記誘電体共振器の
共振周波数で発振周波数を制御するとともに前記第２の
マイクロストリップ線路の他端を発振出力端子とする発
振回路と、ソース接地された第２の電界効果トランジス
タを周波数変換素子とし、前記第２の電界効果トランジ
スタのゲート端子を高周波信号入力端子とし、前記第２
の電界効果トランジスタのドレイン端子を発振信号入力
端子および中間周波信号出力端子とした電界効果トラン
ジスタ・ミキサとで構成され、前記発振回路の前記第２
のマイクロストリップ線路の他端と前記電界効果トラン
ジスタ・ミキサの前記ドレイン端子とを接続し、前記電
界効果トランジスタ・ミキサの前記ドレイン端子と前記
第１の電界効果トランジスタのゲート端子とを低域通過
フィルタを介して接続するとともに、前記第１の電界効
果トランジスタにより中間周波信号を増幅するようにし
たことを特徴とする周波数変換回路。7. A source-grounded first field effect transistor, a first microstrip line whose one end is connected to a gate terminal of the first field effect transistor, and a drain of the first field effect transistor. A feedback circuit including a second microstrip line whose one end is connected to a terminal, and a dielectric resonator arranged so as to be coupled to the first microstrip line and the second microstrip line. Then, the oscillation frequency is controlled by the resonance frequency of the dielectric resonator and the frequency conversion is performed between the oscillation circuit that uses the other end of the second microstrip line as an oscillation output terminal and the second field-effect transistor whose source is grounded. And a gate terminal of the second field effect transistor as a high frequency signal input terminal,
A field effect transistor / mixer having a drain terminal of the field effect transistor as an oscillation signal input terminal and an intermediate frequency signal output terminal,
The other end of the microstrip line and the drain terminal of the field effect transistor / mixer are connected, and the drain terminal of the field effect transistor / mixer and the gate terminal of the first field effect transistor are connected to a low pass filter. And a frequency conversion circuit, wherein the intermediate frequency signal is amplified by the first field effect transistor.
ジスタと、前記第１の電界効果トランジスタのゲート端
子に一端が接続された第１のマイクロストリップ線路
と、前記第１の電界効果トランジスタのドレイン端子に
一端が接続された第２のマイクロストリップ線路と、前
記第１のマイクロストリップ線路及び前記第２のマイク
ロストリップ線路に結合するように配置された誘電体共
振器で構成された帰還回路を有し、前記誘電体共振器の
共振周波数で発振周波数を制御するとともに、前記誘電
体共振器と結合するように配置した第３のマイクロスト
リップ線路の一端を発振信号出力端子とする発振回路
と、ソース接地された第２の電界効果トランジスタを周
波数変換素子とし、前記第２の電界効果トランジスタの
ゲート端子を高周波信号入力端子とし、前記第２の電界
効果トランジスタのドレイン端子を発振信号入力端子お
よび中間周波信号出力端子とした電界効果トランジスタ
・ミキサとで構成され、前記発振回路の前記第３のマイ
クロストリップ線路の一端と前記電界効果トランジスタ
・ミキサの前記ドレイン端子とを接続するとともに、前
記電界効果トランジスタ・ミキサの前記ドレイン端子と
前記第１の電界効果トランジスタのゲート端子とを低域
通過フィルタを介して接続し、前記第１の電界効果トラ
ンジスタにより中間周波信号を増幅するようにしたこと
を特徴とする周波数変換回路。8. A first field effect transistor whose source is grounded, a first microstrip line whose one end is connected to a gate terminal of the first field effect transistor, and a drain of the first field effect transistor. A feedback circuit including a second microstrip line whose one end is connected to a terminal, and a dielectric resonator arranged so as to be coupled to the first microstrip line and the second microstrip line. And an oscillation circuit that controls the oscillation frequency by the resonance frequency of the dielectric resonator and uses one end of the third microstrip line arranged so as to be coupled with the dielectric resonator as an oscillation signal output terminal, and a source. The grounded second field effect transistor is used as a frequency conversion element, and the gate terminal of the second field effect transistor is a high frequency signal. One end of the third microstrip line of the oscillating circuit, which comprises an input terminal and a field effect transistor / mixer in which the drain terminal of the second field effect transistor is used as an oscillation signal input terminal and an intermediate frequency signal output terminal. And connecting the drain terminal of the field effect transistor / mixer, and connecting the drain terminal of the field effect transistor / mixer and the gate terminal of the first field effect transistor via a low-pass filter, A frequency conversion circuit, wherein an intermediate frequency signal is amplified by the first field effect transistor.
ジスタと、前記第１の電界効果トランジスタのゲート端
子に一端が接続された第１のマイクロストリップ線路
と、前記第１の電界効果トランジスタのドレイン端子に
一端が接続された第２のマイクロストリップ線路と、前
記第１のマイクロストリップ線路及び前記第２のマイク
ロストリップ線路に結合するように配置された誘電体共
振器で構成された帰還回路を有し、前記誘電体共振器の
共振周波数で発振周波数を制御した発振回路と、ソース
接地された二重ゲート電界効果トランジスタを周波数変
換素子とし、前記二重ゲート電界効果トランジスタの第
１ゲート端子を高周波信号入力端子とし、前記二重ゲー
ト電界効果トランジスタの第２ゲート端子を発振信号入
力端子とし、前記二重ゲート電界効果トランジスタのド
レイン端子を中間周波信号出力端子とした二重ゲート電
界効果トランジスタ・ミキサとで構成され、前記発振回
路の発振電力を前記二重ゲート電界効果トランジスタ・
ミキサの前記第２ゲート端子に入力するとともに、前記
二重ゲート電界効果トランジスタ・ミキサの前記ドレイ
ン端子と前記第１の電界効果トランジスタのゲート端子
とを低域通過フィルタを介して接続し、前記第１の電界
効果トランジスタにより中間周波信号を増幅するように
したことを特徴とする周波数変換回路。9. A first field effect transistor whose source is grounded, a first microstrip line whose one end is connected to a gate terminal of the first field effect transistor, and a drain of the first field effect transistor. A feedback circuit including a second microstrip line whose one end is connected to a terminal, and a dielectric resonator arranged so as to be coupled to the first microstrip line and the second microstrip line. And an oscillation circuit whose oscillation frequency is controlled by the resonance frequency of the dielectric resonator, and a dual-gate field-effect transistor whose source is grounded are frequency conversion elements, and the first gate terminal of the double-gate field-effect transistor is a high frequency. A signal input terminal, and a second gate terminal of the double gate field effect transistor as an oscillation signal input terminal; A double gate field effect transistor / mixer, in which the drain terminal of the gate field effect transistor is an intermediate frequency signal output terminal, and the oscillation power of the oscillation circuit is
Inputting to the second gate terminal of the mixer, connecting the drain terminal of the double-gate field effect transistor / mixer and the gate terminal of the first field effect transistor through a low pass filter, A frequency conversion circuit characterized in that an intermediate frequency signal is amplified by the field effect transistor of No. 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25503791A JPH0595226A (en) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | Oscillation circuit and frequency conversion circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25503791A JPH0595226A (en) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | Oscillation circuit and frequency conversion circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0595226A true JPH0595226A (en) | 1993-04-16 |
Family
ID=17273296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25503791A Pending JPH0595226A (en) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | Oscillation circuit and frequency conversion circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0595226A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100354892B1 (en) * | 1999-10-06 | 2002-09-30 | 주식회사 백금정보통신 | Dielectric resonator oscillator for Ka-band |
-
1991
- 1991-10-02 JP JP25503791A patent/JPH0595226A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100354892B1 (en) * | 1999-10-06 | 2002-09-30 | 주식회사 백금정보통신 | Dielectric resonator oscillator for Ka-band |
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