JPH0589718A - Conductor paste - Google Patents

Conductor paste

Info

Publication number
JPH0589718A
JPH0589718A JP1834292A JP1834292A JPH0589718A JP H0589718 A JPH0589718 A JP H0589718A JP 1834292 A JP1834292 A JP 1834292A JP 1834292 A JP1834292 A JP 1834292A JP H0589718 A JPH0589718 A JP H0589718A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
oxide
powder
conductor paste
bismuth
binder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1834292A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Atsushi Yamanaka
厚志 山中
Kenji Adachi
健治 足立
Masatoshi Ikeda
雅俊 池田
Hiroko Inage
裕子 稲毛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Mining Co Ltd filed Critical Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority to JP1834292A priority Critical patent/JPH0589718A/en
Publication of JPH0589718A publication Critical patent/JPH0589718A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide a conductor paste, which causes no discoloring to a low- temperature sintered alumina substrate rich in CaO content, easy in being soldered, and capable of forming an electrode excellent in an adhesive strength to a substrate. CONSTITUTION:In an conducting paste comprising metal powders, glass powders, and oxide powders, Bi2O3 and at least one selected from the group consisting of Ca, Sr, Ta, Zr, Sb, Nb, Cr, Y, La, Ce, Sm, Dy, Lu, Nd, Pr, Eu, Ho, Gd, Hf, No, W, V, etc., which are oxidethemselves, a solid solution or a compound with bismuth oxide, are contained.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、特にRuO2 系抵抗体
の電極として好適な導体ペーストに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a conductor paste suitable as an electrode of a RuO 2 type resistor.

【0002】[0002]

【従来の技術】厚膜抵抗体の電極として、銀粉、パラジ
ウム粉、銀−パラジウム合金粉等を導電成分とし、無機
質結合剤と共に有機ビヒクルに均一に分散混練したAg
−Pd系厚膜導体ペーストが用いられている。このペー
ストは無機成分を100%とすると通常導電成分80〜
95重量%(Ag/Pd比=1.6〜19)、無機質結
合剤5〜20重量%からなる固形分を有機ビヒクルに分
散させたもので、無機質結合剤は一般にガラスおよび酸
化ビスマスよりなっている。全組成としては例えばAg
65重量%、Pd7.5重量%、ガラス4.4重量%、
Bi23 6重量%、その他の酸化物(例えばCuO、
25 等)2.6重量%、有機ビヒクル14.5重量
%のようである。通常この様なペーストをセラミック基
板上に印刷、乾燥後、焼成して電極を形成する。
2. Description of the Related Art Ag used as a thick film resistor electrode is silver powder, palladium powder, silver-palladium alloy powder or the like as a conductive component, which is uniformly dispersed and kneaded in an organic vehicle together with an inorganic binder.
-Pd-based thick film conductor paste is used. This paste is usually a conductive component 80-
95% by weight (Ag / Pd ratio = 1.6 to 19) and 5 to 20% by weight of inorganic binder are dispersed in an organic vehicle, and the inorganic binder is generally composed of glass and bismuth oxide. There is. For example, the total composition is Ag
65% by weight, Pd 7.5% by weight, glass 4.4% by weight,
Bi 2 O 3 6% by weight, other oxides (eg CuO,
V 2 O 5 etc.) 2.6% by weight, organic vehicle 14.5% by weight. Usually, such a paste is printed on a ceramic substrate, dried and then fired to form an electrode.

【0003】これまで用いられるセラミック基板は、通
常96重量%アルミナ品であり、1500℃程度で焼成
されバルク組成としては例えばAl23 94重量%、
SiO2 4重量%、MgO0.8重量%、CaO0.1
重量%以下である。ところが、さらに電子部品のコスト
ダウンをはかるためセラミック基板として同じ96重量
%品でもより低温で焼成したアルミナ基板の使用がなさ
れつつある。
Ceramic substrates used up to now are usually 96 wt% alumina products, which are fired at about 1500 ° C. and have a bulk composition of, for example, Al 2 O 3 94 wt%,
SiO 2 4% by weight, MgO 0.8% by weight, CaO 0.1
It is less than or equal to weight%. However, in order to further reduce the cost of electronic parts, an alumina substrate fired at a lower temperature is being used even for the same 96 wt% product as a ceramic substrate.

【0004】低温焼成した96重量%アルミナ基板は、
低温での焼成を可能とするために通常焼成の基板とは焼
結助材の組成が異なっている。特にCaO濃度において
明かな差が認められ、通常焼成品では、約0.1重量%
であるのに対して低温焼成した基板では約0.25重量
%であることが確認された。このような不純物特にCa
Oは、粒界および表面に析出し、濃縮され、バルク組成
よりも表面組成の方が約10倍程度濃度が高くなること
が報告されている。(P.F.Becherand
J.S.Murday,Proc.ISHM Symp
osium,p235(1976))。酸化ビスマスは
酸化カルシウムと固溶体を形成し酸化ビスマスの融体の
表面張力を減少させるため、この表面層の高いCaO濃
度が原因となって染みだしを生じていることが見いださ
れた。この染みだしの原因となっているペースト中の酸
化ビスマスは半田濡れ性およびアルミナ基板との接着強
度を維持するためには導体ペーストの結合剤として欠く
べからざる成分である。
The low-temperature baked 96 wt% alumina substrate is
The composition of the sintering aid is different from that of the normally fired substrate in order to enable firing at a low temperature. In particular, a clear difference was observed in the CaO concentration.
On the other hand, it was confirmed that it was about 0.25% by weight in the substrate baked at low temperature. Such impurities, especially Ca
It is reported that O precipitates on grain boundaries and surfaces and is concentrated, and the surface composition has a concentration about 10 times higher than that of the bulk composition. (PF Becherand
J. S. Murday, Proc. ISHM Symp
osium, p235 (1976)). Since bismuth oxide forms a solid solution with calcium oxide and reduces the surface tension of the melt of bismuth oxide, it was found that the high CaO concentration in this surface layer causes exudation. Bismuth oxide in the paste, which causes this bleeding, is an essential component as a binder for the conductor paste in order to maintain solder wettability and adhesive strength with the alumina substrate.

【0005】そこでこの問題を解決するためには、導体
ペーストの酸化ビスマスの含有率を少なくすれば良いこ
とになる。しかしながら、この様にすると電極と基板の
接着強度が低下するだけでなく、半田濡れ性、耐半田性
の低下を招くため、酸化ビスマス含有率を下げるわけに
はいかない。このため、CaO含有率の高い低温焼成ア
ルミナ基板に対しても変色が生じない導体ペーストの開
発が望まれている。
Therefore, in order to solve this problem, the content of bismuth oxide in the conductor paste should be reduced. However, in this case, not only the adhesive strength between the electrode and the substrate is lowered, but also the solder wettability and the solder resistance are lowered, so that the bismuth oxide content cannot be lowered. Therefore, it is desired to develop a conductor paste that does not cause discoloration even on a low temperature fired alumina substrate having a high CaO content.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】そこで本発明の目的
は、CaO含量が多い低温焼成したアルミナ基板にたい
しても変色が発生せず、半田付けが容易でしかも基板と
の接着力の良好な電極を形成し得る導体ペーストを提供
することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to form an electrode which does not cause discoloration even on a low-temperature-calcined alumina substrate having a high CaO content, is easy to solder, and has good adhesion to the substrate. It is to provide a conductor paste that can be used.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、第1に銀粉、パラジウム粉、銀−パラジ
ウム合金粉等を導電成分とし、ガラス粉および酸化物粉
を結合剤として含有する導体ペーストにおいて、前記結
合剤中に1〜8重量%の酸化ビスマスを含有し、酸化カ
ルシウム、酸化ストロンチウム、酸化タンタル、酸化ジ
ルコニウム、酸化アンチモン、酸化ニオブ、酸化クロ
ム、酸化イットリウム、酸化ランタン、酸化セリウム、
酸化サマリウム、酸化ジスプロシウム、酸化ルテチニウ
ム、酸化ネオジウム、酸化プラセオジウム、酸化ユーロ
ピウム、酸化ホルミウム、酸化ガドリニウムおよび酸化
ハフニウムのうちから選ばれる一種類以上の酸化物を含
有する点に特徴がある。更に酸化ビスマスに対するモル
比が酸化カルシウムおよび酸化ストロンチウムでは0.
8〜1.3、酸化クロム、酸化アンチモンおよび酸化イ
ットリウムでは0.48〜1.9、酸化タンタルおよび
酸化ニオブでは0.21〜1.9、酸化ジルコニウムで
は0.3〜1.8、酸化ハフニウムでは0.3〜1.
5、酸化ランタン、酸化セリウム、酸化サマリウム、酸
化ジスプロシウム、酸化ルテチニウム、酸化ネオジウ
ム、酸化プラセオジウム、酸化ユーロピウム、酸化ホル
ミウムおよび酸化ガドリニウムでは0.29〜1.4で
あることを特徴とするものである。
In order to achieve the above object, the present invention firstly uses silver powder, palladium powder, silver-palladium alloy powder or the like as a conductive component, and glass powder and oxide powder as a binder. In the conductive paste containing, 1 to 8% by weight of bismuth oxide is contained in the binder, and calcium oxide, strontium oxide, tantalum oxide, zirconium oxide, antimony oxide, niobium oxide, chromium oxide, yttrium oxide, lanthanum oxide, Cerium oxide,
It is characterized in that it contains one or more kinds of oxides selected from samarium oxide, dysprosium oxide, lutetium oxide, neodymium oxide, praseodymium oxide, europium oxide, holmium oxide, gadolinium oxide and hafnium oxide. Further, the molar ratio of bismuth oxide to calcium oxide and strontium oxide is 0.
8 to 1.3, 0.48 to 1.9 for chromium oxide, antimony oxide and yttrium oxide, 0.21 to 1.9 for tantalum oxide and niobium oxide, 0.3 to 1.8 for zirconium oxide, and hafnium oxide. Then 0.3-1.
5, lanthanum oxide, cerium oxide, samarium oxide, dysprosium oxide, lutetium oxide, neodymium oxide, praseodymium oxide, europium oxide, holmium oxide and gadolinium oxide are characterized by 0.29 to 1.4.

【0008】第2に銀粉、パラジウム粉、銀−パラジウ
ム合金粉等を導電成分とし、ガラス粉および酸化物粉を
結合剤として含有する導体ペーストにおいて、前記結合
剤中に1〜8重量%の酸化ビスマスを含有し、酸化カル
シウム、酸化ストロンチウム、酸化タンタル、酸化ジル
コニウム、酸化アンチモン、酸化ニオブ、酸化モリブデ
ン、酸化タングステン、酸化バナジウム、酸化クロム、
酸化イットリウム、酸化ランタン、酸化セリウム、酸化
サマリウム、酸化ジスプロシウム、酸化ルテチニウム、
酸化ネオジウム、酸化プラセオジウム、酸化ユーロピウ
ム、酸化ホルミウム、酸化ガドリニウムおよび酸化ハフ
ニウムのうちから選ばれる一種類以上と該酸化ビスマス
との固溶体または化合物からなる酸化物を含有する点に
特徴があり、更に酸化ビスマスに対するモル比が酸化カ
ルシウムおよび酸化ストロンチウムでは0.19〜0.
43、酸化バナジウム、酸化タンタルおよび酸化ニオブ
では0.04〜0.11、酸化モリブデンおよび酸化タ
ングステンでは0.09〜0.18、酸化イットリウム
では0.04〜0.14、酸化クロムでは0.08〜
0.19、酸化アンチモンでは0.02〜0.25、酸
化ジルコニウムでは0.02〜0.06、酸化ランタ
ン、酸化セリウム、酸化サマリウム、酸化ジスプロシウ
ム、酸化ルテチニウム、酸化ネオジウム、酸化プラセオ
ジウム、酸化ユーロピウム、酸化ホルミウムおよび酸化
ガドリニウムでは0.04〜0.25であることを特徴
とするものである。
Secondly, in a conductor paste containing silver powder, palladium powder, silver-palladium alloy powder or the like as a conductive component and glass powder and oxide powder as a binder, 1 to 8% by weight of the binder is oxidized. Contains bismuth, calcium oxide, strontium oxide, tantalum oxide, zirconium oxide, antimony oxide, niobium oxide, molybdenum oxide, tungsten oxide, vanadium oxide, chromium oxide,
Yttrium oxide, lanthanum oxide, cerium oxide, samarium oxide, dysprosium oxide, lutetium oxide,
Characterized in that it contains an oxide composed of a solid solution or a compound of one or more kinds selected from neodymium oxide, praseodymium oxide, europium oxide, holmium oxide, gadolinium oxide and hafnium oxide and the bismuth oxide, and further bismuth oxide. And calcium oxide and strontium oxide have a molar ratio of 0.19 to 0.
43, vanadium oxide, tantalum oxide and niobium oxide 0.04 to 0.11, molybdenum oxide and tungsten oxide 0.09 to 0.18, yttrium oxide 0.04 to 0.14, and chromium oxide 0.08. ~
0.19, 0.02-0.25 for antimony oxide, 0.02-0.06 for zirconium oxide, lanthanum oxide, cerium oxide, samarium oxide, dysprosium oxide, lutetium oxide, neodymium oxide, praseodymium oxide, europium oxide, The characteristics of holmium oxide and gadolinium oxide are 0.04 to 0.25.

【0009】[0009]

【作用】該導体ペースト中において酸化ビスマスは該結
合剤中に1〜8重量%、望ましくは4〜6重量%含有さ
れねばならない。1重量%未満では耐半田性が悪化し、
8重量%を越えると半田の濡れ性が減少して問題を生ず
る。
In the conductor paste, bismuth oxide should be contained in the binder in an amount of 1 to 8% by weight, preferably 4 to 6% by weight. If it is less than 1% by weight, the solder resistance is deteriorated,
If it exceeds 8% by weight, the wettability of the solder decreases and a problem occurs.

【0010】酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸
化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化アンチモン、酸化
ニオブ、酸化クロム、酸化イットリウム、酸化ランタ
ン、酸化セリウム、酸化サマリウム、酸化ジスプロシウ
ム、酸化ルテチニウム、酸化ネオジウム、酸化プラセオ
ジウム、酸化ユーロピウム、酸化ホルミウム、酸化ガド
リニウムおよび酸化ハフニウム等の酸化物は、これらの
1種類以上を該結合剤中に含有しなければならないが、
更にこれらの酸化物は酸化ビスマスとの固溶体又は化合
物の形態で含有してもよい。しかしながら、酸化モリブ
デン、酸化タングステンおよび酸化バナジウムについて
は、必ず酸化ビスマスとの固溶体又は化合物の形態で該
結合剤中に含有させなければならない。
Calcium oxide, strontium oxide, tantalum oxide, zirconium oxide, antimony oxide, niobium oxide, chromium oxide, yttrium oxide, lanthanum oxide, cerium oxide, samarium oxide, dysprosium oxide, lutetium oxide, neodymium oxide, praseodymium oxide, europium oxide. Oxides such as holmium oxide, gadolinium oxide and hafnium oxide must contain at least one of these in the binder,
Further, these oxides may be contained in the form of a solid solution with bismuth oxide or a compound. However, molybdenum oxide, tungsten oxide and vanadium oxide must be contained in the binder in the form of solid solution or compound with bismuth oxide.

【0011】該酸化物、酸化物との固溶体または化合物
は、酸化ビスマスに対してそれぞれ前記したモル比の範
囲で配合しなければならない。それぞれのモル比の範囲
で、下限値未満では変色防止の効果が劣り、上限値を超
えると基板とペーストとの接着強度および半田濡れ性が
悪化するので問題である。酸化ビスマスについては、該
ガラス粉中であっても、該酸化物粉中であっても差し支
えなく利用できる。該固溶体は、例えば酸化ビスマスと
酸化ジルコニウムの場合では、酸化ビスマスに対して
0.02〜0.06のモル比で混合し、約800℃に加
熱し、15時間保持すれば立方晶体として得ることがで
きる。該酸化物、固溶体および化合物は325メッシュ
以上の紛体として添加することが望ましい。
The oxide, the solid solution with the oxide, or the compound must be mixed in the above-mentioned molar ratio with respect to bismuth oxide. If the amount is less than the lower limit in each molar ratio range, the effect of preventing discoloration is poor, and if it exceeds the upper limit, the adhesive strength between the substrate and the paste and the solder wettability deteriorate, which is a problem. Bismuth oxide can be used in the glass powder or the oxide powder without any problem. For example, in the case of bismuth oxide and zirconium oxide, the solid solution is obtained as a cubic crystal by mixing at a molar ratio of 0.02 to 0.06 with respect to bismuth oxide, heating to about 800 ° C., and holding for 15 hours. You can It is desirable that the oxide, solid solution and compound be added as a powder of 325 mesh or more.

【0012】[0012]

【実施例】組成がBaO51重量%、SiO2 35重量
%、Al23 5重量%、B23 5重量%、ZnO
2.5重量%、V25 1.5重量%のガラス粉を用意
し、このガラス粉にBi23 および各酸化物を添加し
Ag−Pd系導体ペーストを調製した。ペーストの組成
を表1〜表5に示す。有機ビヒクルはエチルセルロース
を20重量%含有するタービネオール溶液であり、Ag
粉は平均粒径1μmの粒状粉、Pdは平均粒径0.05
μmのものを用いた。調製した導体ペーストをアルミナ
基板上に印刷後、焼成し、基板に変色が現われるか否か
を調べた。この時、用意した基板は96重量%アルミナ
基板で、バルクのCaO濃度は0.24重量%のもので
ある。
Example: The composition is 51% by weight of BaO, 35% by weight of SiO 2 , 5% by weight of Al 2 O 3, 5% by weight of B 2 O 3 , and ZnO.
Glass powder of 2.5 wt% and V 2 O 5 1.5 wt% was prepared, and Bi 2 O 3 and each oxide were added to this glass powder to prepare an Ag-Pd-based conductor paste. The composition of the paste is shown in Tables 1-5. The organic vehicle is a terbineol solution containing 20% by weight of ethyl cellulose.
The powder is granular powder with an average particle size of 1 μm, and Pd is an average particle size of 0.05.
The thing with a micrometer was used. The prepared conductor paste was printed on an alumina substrate and then baked to examine whether discoloration appears on the substrate. At this time, the prepared substrate was a 96 wt% alumina substrate, and the bulk CaO concentration was 0.24 wt%.

【0013】2.54cm角のアルミナ基板に2mm角
の電極を2mm間隔で9個(3×3)パターンでスクリ
ーン印刷し、850℃で焼成し電極を形成した。変色の
有無は目視で変色が認められるものを×、光学顕微鏡観
察で変色が認められるものを△、また認められないもの
を○とした。
Nine (3 × 3) patterns of 2 mm square electrodes were screen-printed on a 2.54 cm square alumina substrate at intervals of 2 mm and baked at 850 ° C. to form electrodes. Regarding the presence or absence of discoloration, x indicates that discoloration was visually observed, Δ indicates discoloration observed by an optical microscope, and ○ indicates that discoloration was not observed.

【0014】さらに2.54cm角のアルミナ基板に導
体ペーストを2mm角で印刷し、850℃で焼成後、導
体部に線径0.65mmの錫メッキ銅線を37重量%P
b−Sn半田で接合し、引っ張り試験を行なった。引っ
張り試験は接合直後と150℃に24時間放置した後の
2回行なった。直後では4.5kg以上150℃24時
間放置後では1.5kg以上を合格とする。表1〜表5
に試験結果を示す。明らかなように本発明例はCaOの
含有量が高い低温焼成基板を用いても、基板の変色を起
こさず、接着強度も維持できる。
Further, a 2 mm square conductor paste was printed on a 2.54 cm square alumina substrate and baked at 850 ° C., and a tin-plated copper wire having a wire diameter of 0.65 mm was applied to the conductor portion at 37% by weight P.
Bonding was performed with b-Sn solder, and a tensile test was performed. The tensile test was performed twice immediately after joining and after standing at 150 ° C. for 24 hours. Immediately after that, 4.5 kg or more is passed after passing 150 ° C. for 24 hours and 1.5 kg or more. Table 1-Table 5
The test results are shown in. As is apparent, even when a low temperature firing substrate having a high CaO content is used in the example of the present invention, discoloration of the substrate does not occur and the adhesive strength can be maintained.

【0015】[0015]

【表1】 [Table 1]

【0016】[0016]

【表2】 [Table 2]

【0017】[0017]

【表3】 [Table 3]

【0018】[0018]

【表4】 [Table 4]

【0019】[0019]

【表5】 [Table 5]

【発明の効果】本発明を実施することにより、CaO含
量の多い低温焼成アルミナ基板に対して、変色を発生せ
ず、半田付けが容易で基板との接着力も良好な電極を形
成できるので、その効果は大である。
By carrying out the present invention, it is possible to form an electrode which does not cause discoloration, is easy to solder, and has good adhesiveness to a substrate for a low-temperature-fired alumina substrate having a high CaO content. The effect is great.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 銀粉、パラジウム粉、銀−パラジウム合
金粉等を導電成分とし、ガラス粉および酸化物粉を結合
剤として含有する導体ペーストにおいて、前記結合剤中
に1〜8重量%の酸化ビスマスを含有し、酸化カルシウ
ム、酸化ストロンチウム、酸化タンタル、酸化ジルコニ
ウム、酸化アンチモン、酸化ニオブ、酸化クロム、酸化
イットリウム、酸化ランタン、酸化セリウム、酸化サマ
リウム、酸化ジスプロシウム、酸化ルテチニウム、酸化
ネオジウム、酸化プラセオジウム、酸化ユーロピウム、
酸化ホルミウム、酸化ガドリニウムおよび酸化ハフニウ
ムのうちから選ばれる一種類以上の酸化物を含有するこ
とを特徴とする導体ペースト。
1. A conductor paste containing silver powder, palladium powder, silver-palladium alloy powder, etc. as a conductive component, and glass powder and oxide powder as a binder, wherein 1 to 8% by weight of bismuth oxide is contained in the binder. Contains calcium oxide, strontium oxide, tantalum oxide, zirconium oxide, antimony oxide, niobium oxide, chromium oxide, yttrium oxide, lanthanum oxide, cerium oxide, samarium oxide, dysprosium oxide, lutetium oxide, neodymium oxide, praseodymium oxide, oxide europium,
A conductor paste containing one or more kinds of oxides selected from holmium oxide, gadolinium oxide and hafnium oxide.
【請求項2】 銀粉、パラジウム粉、銀−パラジウム合
金粉等を導電成分とし、ガラス粉および酸化物粉を結合
剤として含有する導体ペーストにおいて、前記結合剤中
に1〜8重量%の酸化ビスマスを含有し、酸化カルシウ
ム、酸化ストロンチウム、酸化タンタル、酸化ジルコニ
ウム、酸化アンチモン、酸化ニオブ、酸化モリブデン、
酸化タングステン、酸化バナジウム、酸化クロム、酸化
イットリウム、酸化ランタン、酸化セリウム、酸化サマ
リウム、酸化ジスプロシウム、酸化ルテチニウム、酸化
ネオジウム、酸化プラセオジウム、酸化ユーロピウム、
酸化ホルミウム、酸化ガドリニウムおよび酸化ハフニウ
ムのうちから選ばれる一種類以上と該酸化ビスマスとの
固溶体または化合物からなる酸化物を含有することを特
徴とする導体ペースト。
2. A conductor paste containing silver powder, palladium powder, silver-palladium alloy powder or the like as a conductive component, and glass powder and oxide powder as a binder, wherein 1 to 8% by weight of bismuth oxide is contained in the binder. Containing calcium oxide, strontium oxide, tantalum oxide, zirconium oxide, antimony oxide, niobium oxide, molybdenum oxide,
Tungsten oxide, vanadium oxide, chromium oxide, yttrium oxide, lanthanum oxide, cerium oxide, samarium oxide, dysprosium oxide, lutetium oxide, neodymium oxide, praseodymium oxide, europium oxide,
A conductor paste comprising an oxide composed of a solid solution or a compound of at least one selected from holmium oxide, gadolinium oxide and hafnium oxide and bismuth oxide.
【請求項3】 酸化ビスマスに対するモル比が酸化カル
シウムおよび酸化ストロンチウムでは0.8〜1.3、
酸化クロム、酸化アンチモンおよび酸化イットリウムで
は0.48〜1.9、酸化タンタルおよび酸化ニオブで
は0.21〜1.9、酸化ジルコニウムでは0.3〜
1.8、酸化ハフニウムでは0.3〜1.5、酸化ラン
タン、酸化セリウム、酸化サマリウム、酸化ジスプロシ
ウム、酸化ルテチニウム、酸化ネオジウム、酸化プラセ
オジウム、酸化ユーロピウム、酸化ホルミウムおよび酸
化ガドリニウムでは0.29〜1.4であることを特徴
とする請求項1記載の導体ペースト。
3. The molar ratio of bismuth oxide to calcium oxide and strontium oxide is 0.8 to 1.3,
Chromium oxide, antimony oxide and yttrium oxide are 0.48 to 1.9, tantalum oxide and niobium oxide are 0.21 to 1.9, and zirconium oxide is 0.3 to
1.8, 0.3-1.5 for hafnium oxide, 0.29-1 for lanthanum oxide, cerium oxide, samarium oxide, dysprosium oxide, lutetium oxide, neodymium oxide, praseodymium oxide, europium oxide, holmium oxide and gadolinium oxide. 4. The conductor paste according to claim 1, wherein the conductor paste is 0.4.
【請求項4】 酸化ビスマスに対するモル比が酸化カル
シウムおよび酸化ストロンチウムでは0.19〜0.4
3、酸化バナジウム、酸化タンタルおよび酸化ニオブで
は0.04〜0.11、酸化モリブデンおよび酸化タン
グステンでは0.09〜0.18、酸化イットリウムで
は0.04〜0.14、酸化クロムでは0.08〜0.
19、酸化アンチモンでは0.02〜0.25、酸化ジ
ルコニウムでは0.02〜0.06、酸化ランタン、酸
化セリウム、酸化サマリウム、酸化ジスプロシウム、酸
化ルテチニウム、酸化ネオジウム、酸化プラセオジウ
ム、酸化ユーロピウム、酸化ホルミウムおよび酸化ガド
リニウムでは0.04〜0.25であることを特徴とす
る請求項2記載の導体ペースト。
4. The molar ratio of bismuth oxide to calcium oxide and strontium oxide is 0.19 to 0.4.
3, vanadium oxide, tantalum oxide and niobium oxide 0.04 to 0.11, molybdenum oxide and tungsten oxide 0.09 to 0.18, yttrium oxide 0.04 to 0.14, and chromium oxide 0.08. ~ 0.
19, antimony oxide 0.02-0.25, zirconium oxide 0.02-0.06, lanthanum oxide, cerium oxide, samarium oxide, dysprosium oxide, lutetium oxide, neodymium oxide, praseodymium oxide, europium oxide, holmium oxide. And gadolinium oxide is 0.04 to 0.25, and the conductor paste according to claim 2.
JP1834292A 1991-01-16 1992-01-08 Conductor paste Pending JPH0589718A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1834292A JPH0589718A (en) 1991-01-16 1992-01-08 Conductor paste

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1489091 1991-01-16
JP3-82986 1991-03-25
JP8298691 1991-03-25
JP3-14890 1991-03-25
JP1834292A JPH0589718A (en) 1991-01-16 1992-01-08 Conductor paste

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0589718A true JPH0589718A (en) 1993-04-09

Family

ID=27280806

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1834292A Pending JPH0589718A (en) 1991-01-16 1992-01-08 Conductor paste

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0589718A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998005045A1 (en) * 1996-07-26 1998-02-05 Tdk Corporation Conductor paste and multilayer ceramic part using the same
US6110569A (en) * 1997-10-16 2000-08-29 Tdk Corporation Conductive paste and non-reciprocal device using the same
WO2008014677A1 (en) * 2006-07-28 2008-02-07 Kezheng Wang Rare earth electrode slurry for rare earth thick-film circuit based on metal substrate and producing process thereof
JP2008192401A (en) * 2007-02-02 2008-08-21 Kyoto Elex Kk Conductive paste
CN102270513A (en) * 2010-06-03 2011-12-07 西安宏星电子浆料科技有限责任公司 Thick-film conductor paste used for alumina substrate and preparation method of thick-film conductor paste
KR101148259B1 (en) * 2010-11-29 2012-05-21 삼성전기주식회사 Chip resistor device and preparing method of the same

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998005045A1 (en) * 1996-07-26 1998-02-05 Tdk Corporation Conductor paste and multilayer ceramic part using the same
US6110569A (en) * 1997-10-16 2000-08-29 Tdk Corporation Conductive paste and non-reciprocal device using the same
WO2008014677A1 (en) * 2006-07-28 2008-02-07 Kezheng Wang Rare earth electrode slurry for rare earth thick-film circuit based on metal substrate and producing process thereof
JP2008192401A (en) * 2007-02-02 2008-08-21 Kyoto Elex Kk Conductive paste
CN102270513A (en) * 2010-06-03 2011-12-07 西安宏星电子浆料科技有限责任公司 Thick-film conductor paste used for alumina substrate and preparation method of thick-film conductor paste
KR101148259B1 (en) * 2010-11-29 2012-05-21 삼성전기주식회사 Chip resistor device and preparing method of the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100693896B1 (en) Thick-film resistor paste and thick-film resistor
US4004057A (en) Gold conductor compositions
JP2009152399A (en) Varistor
JPH0589718A (en) Conductor paste
JPH0574166B2 (en)
IE53277B1 (en) Conductive composition comprising copper,and flash bar produced therewith
KR100686533B1 (en) Glass composition for thick film resistor paste, thick film resistor paste, thick-film resistor, and electronic device
JPH0955118A (en) Conductive paste and ceramic-layered capacitor
JP2002163928A (en) Glass composite and thick film paste using this
KR100585909B1 (en) Thick Film Conductor Compositions for Use on Aluminum Nitride Substrates
JP2598872B2 (en) Glass ceramic multilayer substrate
US5792716A (en) Thick film having acid resistance
JPH05128909A (en) Conductor paste
JP3030558B2 (en) Dielectric porcelain material
JPH1012043A (en) Conductive composition and boundary layer ceramic capacitor
JP2937073B2 (en) Resistance material composition, resistance paste and resistor
JPS625508A (en) Conducting paste
JP3538699B2 (en) Resistance material, resistance paste and resistor using the same, and ceramic multilayer substrate
JP3315182B2 (en) Composition for ceramic substrate
JPH0548225A (en) Conductive paste
JPS62179103A (en) Voltage-dependant nonlinear resistance porcelain compound
JPH05159620A (en) Conductive paste
JPH038760A (en) Production of voltage-dependent nonlinear resistor porcelain composition and varistor
JPH0770370B2 (en) Thick film resistor forming composition
JPH0443602A (en) Manufacture of voltage-dependent nonlinear resistor ceramic composition and varistor