JPH058936U - Semiconductor manufacturing equipment - Google Patents
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- JPH058936U JPH058936U JP5472191U JP5472191U JPH058936U JP H058936 U JPH058936 U JP H058936U JP 5472191 U JP5472191 U JP 5472191U JP 5472191 U JP5472191 U JP 5472191U JP H058936 U JPH058936 U JP H058936U
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 鉛直姿勢の炉芯管内に、多数枚の半導体ウェ
ーハを整列保持したボートを収納する際に、炉芯管内に
大気が流入しないようにしたＣＶＤ装置を提供する。
【構成】 鉛直姿勢の炉芯管２及び炉芯管の下方のロー
ド・アンロード部３を、不活性ガス雰囲気を形成するチ
ャンバ１０で囲繞する。チャンバ１０には、半導体ウェ
ーハ７の出入口部１０ａにシャッター１１を設ける。半
導体ウェーハ７を整列保持したボート８がチャンバ内に
あるときに、シャッター１１を閉じて、チャンバ内を不
活性ガス雰囲気にする。
(57) [Summary] (Corrected) [Purpose] A CVD device that prevents atmospheric air from flowing into the furnace core tube when accommodating a boat in which a large number of semiconductor wafers are aligned and held in the furnace core tube in a vertical position. I will provide a. [Structure] A furnace core tube 2 in a vertical position and a load / unload section 3 below the furnace core tube are surrounded by a chamber 10 that forms an inert gas atmosphere. In the chamber 10, a shutter 11 is provided at the entrance / exit portion 10 a of the semiconductor wafer 7. When the boat 8 in which the semiconductor wafers 7 are aligned and held is in the chamber, the shutter 11 is closed to create an inert gas atmosphere in the chamber.
Description
【０００１】[0001]
本考案は、鉛直方向姿勢の炉芯管内に多数枚の半導体ウェーハを収納する半導 体製造装置に関し、詳しくは、炉芯管内に半導体ウェーハを収納した際に、炉芯 管内の状態を変化させないようにした半導体製造装置に関する。 The present invention is a semiconductor device that houses a large number of semiconductor wafers in a furnace core tube in a vertical posture. For details of the body manufacturing equipment, refer to the furnace core when storing semiconductor wafers in the furnace core tube. The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus that does not change the state inside a pipe.
【０００２】[0002]
半導体装置の製造では、電極形成や不純物のドーピング等の加工処理の際、半 導体ウェーハ上に多結晶シリコンを積層して、ポリシリコン膜を形成することが ある。このポリシリコン膜の形成に使用されている半導体製造装置は、一般的に 減圧ＣＶＤ装置である。ＣＶＤ装置には、縦型と横型があるが、ポリシリコン膜 の膜厚分布が良好で８インチ型の半導体ウェーハに好都合な縦型のＣＶＤ装置が 賞用されている。 In the manufacture of semiconductor devices, during processing such as electrode formation and impurity doping, Polysilicon film can be laminated on a conductor wafer to form a polysilicon film. is there. The semiconductor manufacturing equipment used to form this polysilicon film is generally It is a low pressure CVD apparatus. There are vertical and horizontal CVD devices, but a polysilicon film The vertical CVD system, which has a good film thickness distribution and is convenient for 8-inch semiconductor wafers, Has been prized.
【０００３】 この縦型のＣＶＤ装置の従来例を図３及び図４を参照して説明する。ＣＶＤ装 置は、チャンバ（１）内の上部に鉛直姿勢の炉芯管（２）を収納し、チャンバ（ １）内の下部であって炉芯管（２）の下方にロード・アンロード部（３）を配置 したものである。炉芯管（２）の外周にヒータ（４）が配設され、炉芯管（２） 内が加熱される。炉芯管（２）の下部から炉芯管（２）内の上部までガス導入管 （５）が配管される。炉芯管（２）の下部には排気管（６）が設けられる。炉芯 管（２）とロード・アンロード部（３）との間を、多数枚の水平姿勢の半導体ウ ェーハ（７）を鉛直方向に整列保持したボート（８）が昇降動する。ボート（８ ）の下端部に蓋体（９）を取付け、ボート（８）が上昇したときに蓋体（９）に よって炉芯管（２）の下端開口部（2a）が閉鎖される。ロード・アンロード部（ ３）のチャンバ（１）の一部は多数枚の半導体ウェーハ（７）を収納したキャリ ア（図示せず）のロード・アンロード部（３）内への出入口部（1a）として、開 口されている。[0003] A conventional example of this vertical CVD apparatus will be described with reference to FIGS. CVD equipment The vertical core furnace tube (2) is housed in the upper part of the chamber (1), and the chamber (1 1) Place the load / unload section (3) below the core tube (2) in the lower part It was done. A heater (4) is arranged on the outer periphery of the furnace core tube (2), The inside is heated. Gas introduction pipe from the lower part of the furnace core tube (2) to the upper part in the furnace core tube (2) (5) is piped. An exhaust pipe (6) is provided below the furnace core pipe (2). Furnace core Between the tube (2) and the loading / unloading section (3), a large number of semiconductor wafers in a horizontal position are placed. The boat (8) holding the wafer (7) vertically aligned moves up and down. Boat (8 ) Is attached to the lower end of the boat, and the lid (9) is attached when the boat (8) rises. Therefore, the lower end opening (2a) of the furnace core tube (2) is closed. Load / unload section ( A part of the chamber (1) of 3) is a carrier containing a large number of semiconductor wafers (7). Opening as an entrance / exit (1a) to the loading / unloading part (3) of a (not shown) It is said.
【０００４】 ＣＶＤ装置は以上のように構成され、次に半導体ウェーハ（７）の被処理面上 にポリシリコン膜を形成する方法について説明する。[0004] The CVD apparatus is configured as described above, and next, on the surface to be processed of the semiconductor wafer (7). A method of forming a polysilicon film will be described.
【０００５】 先ず、ヒータ（４）によって炉芯管（２）内を加熱するとともに、多数枚の半 導体ウェーハ（７）を収納したキャリアをチャンバ（１）の開口部からロード・ アンロード部（３）に搬入し、図３に示すようにロード・アンロード部（３）で 半導体ウェーハ（７）をキャリアからボート（８）へ移載する。そして、図４に 示すように多数枚の半導体ウェーハ（７）を整列保持したボート（８）を上昇さ せて、半導体ウェーハ（７）を炉芯管（２）内に収納し、ガス導入管（５）から 炉芯管（２）内にSiH4等の反応ガスを導入する。反応ガスはガス導入管（５）内 を上昇している間に加熱され、炉芯管（２）内を上部から下方へ流動する反応ガ スが、炉芯管（２）内に収納された半導体ウェーハ（７）を冷却しないようにさ れている。炉芯管（２）内を上部から下方へ流動する反応ガスによって、半導体 ウェーハ（７）の被処理面上に多結晶シリコンを積層してポリシリコン膜を形成 する。処理済みのガスは排気管（６）から排気される。半導体ウェーハ（７）へ のポリシリコン膜の形成が完了すると、ボート（８）を下降して、ロード・アン ロード部（３）でその半導体ウェーハ（７）をキャリアへ移載し、後工程へ搬送 する。[0005] First, while heating the inside of the furnace core tube (2) by the heater (4), Load the carrier containing the conductor wafer (7) from the opening of the chamber (1). Carry it into the unloading section (3), and at the loading / unloading section (3) as shown in FIG. The semiconductor wafer (7) is transferred from the carrier to the boat (8). And in FIG. Raise the boat (8) holding a number of semiconductor wafers (7) aligned as shown. Then, the semiconductor wafer (7) is housed in the furnace core tube (2), and the gas is introduced from the gas introduction tube (5). A reaction gas such as SiH4 is introduced into the furnace core tube (2). The reaction gas is in the gas introduction pipe (5) Reactor gas that is heated while rising and flows in the furnace core tube (2) from top to bottom. To prevent the semiconductor wafer (7) housed in the furnace core tube (2) from cooling. Has been. The reaction gas flowing from the upper part to the lower part in the furnace core tube (2) allows the semiconductor Polysilicon film is formed by stacking polycrystalline silicon on the surface to be processed of wafer (7). To do. The treated gas is exhausted from the exhaust pipe (6). To semiconductor wafer (7) When the formation of the polysilicon film of is completed, the boat (8) is lowered to load and unload. The semiconductor wafer (7) is transferred to the carrier at the load part (3) and transferred to the subsequent process. To do.
【０００６】[0006]
ロード・アンロード部（３）が出入口部（1a）と連通し、大気に開放されてい ることから、ボート（８）によって、ロード・アンロード部（３）から炉芯管（ ２）内に半導体ウェーハ（７）を収納する際、大気を炉芯管（２）内に巻き込ん でしまう。炉芯管（２）内は高温に加熱されていることから、炉芯管（２）内に 巻き込まれた大気は高温に加熱され、半導体ウェーハ（７）を酸化させてしまう 。すると、半導体（７）とポリシリコン膜の間に酸化膜が介在して予定の特性が 得られないという不具合があった。 The loading / unloading section (3) communicates with the entrance / exit section (1a) and is open to the atmosphere. Therefore, from the loading / unloading section (3) to the furnace core tube ( When storing the semiconductor wafer (7) in 2), the atmosphere is drawn into the furnace core tube (2). I will get out. Since the inside of the furnace core tube (2) is heated to a high temperature, the inside of the furnace core tube (2) is The trapped atmosphere is heated to a high temperature and oxidizes the semiconductor wafer (7). . Then, the oxide film is interposed between the semiconductor (7) and the polysilicon film, and the expected characteristics are There was a problem that I could not get it.
【０００７】 さらに、縦型のＣＶＤ装置は、天井に規制されて、ロード・アンロード部（３ ）と炉芯管（２）との距離が短い。従って、ヒータ（４）によって加熱されてい る炉芯管（２）内の温度は、加熱されていないロード・アンロード部（３）内の 温度から急激に変化する。すると、炉芯管（２）内に巻き込まれる大気は徐々に 加熱されず、冷たい大気と熱い大気とが乱流した状態となる。冷たい大気と接触 した半導体ウェーハ（７）には酸化膜が形成されにくく、逆に、熱い大気と接触 した半導体ウェーハ（７）には酸化膜が厚く形成されてしまうから、半導体ウェ ーハ（７）に形成される酸化膜の状態が不均一となり、半導体ウェーハ（７）か ら製造される半導体装置の品質管理が困難であるといった不具合があった。さら に、炉芯管（２）から取り出すときにも同様なことが生ずる。[0007] Further, the vertical CVD apparatus is restricted by the ceiling, and the load / unload unit (3 ) And the furnace core tube (2) are short. Therefore, it is heated by the heater (4) The temperature inside the furnace core tube (2) is equal to the temperature inside the unloaded load / unload section (3). The temperature changes rapidly. Then, the atmosphere trapped in the furnace core tube (2) gradually It is not heated, and the cold atmosphere and the hot atmosphere are in a turbulent state. Contact with cold atmosphere It is difficult for an oxide film to be formed on the formed semiconductor wafer (7), and conversely, contact with hot air Since a thick oxide film is formed on the completed semiconductor wafer (7), the semiconductor wafer If the state of the oxide film formed on the wafer (7) becomes non-uniform, However, there is a problem that it is difficult to control the quality of the semiconductor device manufactured from the above. Furthermore In addition, the same thing occurs when taking out from the furnace core tube (2).
【０００８】 そこで、本考案は大気が炉芯管内に流入しないようにした半導体製造装置を提 供することを目的とする。[0008] Therefore, the present invention proposes a semiconductor manufacturing apparatus that prevents atmospheric air from flowing into the furnace core tube. The purpose is to serve.
【０００９】[0009]
上記目的を達成するため、多数枚の水平姿勢の半導体ウェーハを鉛直方向に整 列保持するボートを、鉛直姿勢の炉芯管と炉芯管の下方のロード・アンロード部 との間で往復動させる半導体製造装置において、ロード・アンロード部をチャン バで囲繞して、該チャンバ内を不活性ガス雰囲気にしたものである。 In order to achieve the above objectives, a large number of horizontally oriented semiconductor wafers are vertically aligned. The boats that hold the rows are equipped with the vertical furnace core tube and the loading / unloading section below the furnace core tube. In the semiconductor manufacturing equipment that reciprocates between the The chamber is surrounded by a bar and the inside of the chamber is set to an inert gas atmosphere.
【００１０】 上記チャンバの半導体ウェーハの出入口部にシャッターを設け、半導体ウェー ハを整列保持したボートがチャンバ内にあるとき、シャッターを閉じて、チャン バ内を不活性ガス雰囲気にすることもできる。[0010] A shutter is installed at the entrance / exit of the semiconductor wafer in the above chamber to When the boat with the c The inside of the bar may be made an inert gas atmosphere.
【００１１】[0011]
上記手段によれば、多数枚の半導体ウェーハを整列保持したボートが炉芯管内 に収納される際は、ロード・アンロード部内が不活性ガス雰囲気に保たれている ため、炉芯管内に大気が流入せず、炉芯管内で熱処理される半導体ウェーハの被 処理面に酸化膜が形成されることがなくなる。 According to the above means, the boat in which a large number of semiconductor wafers are aligned and held is inside the furnace core tube. The inside of the load / unload section is kept in an inert gas atmosphere when stored in Therefore, the atmosphere does not flow into the furnace core tube, and the semiconductor wafer to be heat-treated in the furnace core tube is not covered. No oxide film is formed on the treated surface.
【００１２】[0012]
本考案に係る一実施例を図１及び図２を参照しながら説明する。但し、従来と 同一部分は同一符号を付して、その説明を省略する。 An embodiment according to the present invention will be described with reference to FIGS. However, The same parts are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
【００１３】 本考案に係る縦型のＣＶＤ装置は、チャンバ（10）の下部に形成したキャリア の出入口部（10a）にシャッター（11）を設け、シャッター（11）を閉扉するこ とにより、チャンバ（10）内を不活性ガス雰囲気にするものである。そして、チ ャンバ（10）の底面部に、例えば窒素ガスを導入する吸気口（12）を設け、炉芯 管（２）の下端開口部（2a）に対応する側面部に排気口（13）を設ける。[0013] The vertical CVD apparatus according to the present invention is a carrier formed at the bottom of the chamber (10). Provide a shutter (11) at the entrance (10a) of the door and close the shutter (11). With the above, the inside of the chamber (10) is made an inert gas atmosphere. And Chi An inlet (12) for introducing, for example, nitrogen gas is provided on the bottom surface of the chamber (10), and the furnace core is An exhaust port (13) is provided on the side surface portion corresponding to the lower end opening (2a) of the pipe (2).
【００１４】 他の部分は従来と同一であるので、次に半導体ウェーハ（７）の被処理面上に ポリシリコン膜を形成する方法について説明する。[0014] Since the other parts are the same as the conventional ones, next, on the surface to be processed of the semiconductor wafer (7), A method of forming the polysilicon film will be described.
【００１５】 先ず、シャッター（11）を開扉した状態で、半導体ウェーハ（７）を収納した キャリア（図示せず）をロード・アンロード部（３）に搬入する。そして、シャ ッター（11）を閉扉するとともに、半導体ウェーハ（７）をキャリアからボート （８）に移載する。キャリアはロード・アンロード部（３）内に待機させておく 。そして、吸気口（12）からチャンバ（10）内に、例えば窒素ガスを供給し、大 気を排気口（13）から排気して、チャンバ（10）内を不活性ガス雰囲気にする。 炉芯管（２）の下端開口部（2a）は、ロード・アンロード部（３）と連通してい るため、炉芯管（２）内も不活性ガス雰囲気になる。従って、ボート（８）を上 昇させて、半導体ウェーハ（７）を炉芯管（２）内に収納した際に、窒素ガスが 炉芯管（２）内に巻き込まれるだけであり、炉芯管（２）内に大気が流入するこ とがない。そして、炉芯管（２）内にガス導入管（５）から活性ガスを導入し、 半導体ウェーハ（７）の被処理面上にポリシリコン膜を形成する。このとき、炉 芯管（２）内の温度が、ロード・アンロード部（３）の温度から急激に変化して も、炉芯管（２）内には大気が流入されず、半導体ウェーハ（７）を酸化させる ことがない窒素ガスが流入するだけであるから、炉芯管（２）内で窒素ガスが乱 流しても、半導体ウェーハ（７）の被処理面に酸化膜が形成されることがなく、 品質の均一なポリシリコン膜が形成される。半導体ウェーハ（７）の被処理面上 にポリシリコン膜が形成された後、ボート（８）を下降して、ロード・アンロー ド部（３）で待機しているキャリアにその半導体ウェーハ（７）を移載する。そ して、シャッター（11）を開扉して、キャリアをロード・アンロード部（３）か ら後工程へ搬送する。シャッター（11）が開扉されることにより、出入口部（10 a）からロード・アンロード部（３）に大気が流入するが、次の半導体ウェーハ （７）を収納したキャリアをロード・アンロード部（３）に搬入した後に、シャ ッター（11）を閉扉して、キャリアからボート（８）に半導体ウェーハ（７）を 移載している間に、チャンバ（10）内に吸入口から窒素ガスを供給し、チャンバ （10）内を再び不活性ガス雰囲気とすることができる。[0015] First, the semiconductor wafer (7) was stored with the shutter (11) opened. A carrier (not shown) is loaded into the load / unload unit (3). And sha The semiconductor wafer (7) from the carrier while the door (11) is closed. Transfer to (8). Keep the carrier in the loading / unloading section (3) . Then, for example, nitrogen gas is supplied from the intake port (12) into the chamber (10) to Air is exhausted from the exhaust port (13) to make the inside of the chamber (10) an inert gas atmosphere. The lower end opening (2a) of the furnace core tube (2) communicates with the load / unload section (3). Therefore, the inside of the furnace core tube (2) also becomes an inert gas atmosphere. Therefore, take the boat (8) up When the semiconductor wafer (7) is raised and stored in the furnace core tube (2), nitrogen gas Only the air is drawn into the furnace core tube (2), and the atmosphere can flow into the furnace core tube (2). There is no. Then, the active gas is introduced from the gas introduction pipe (5) into the furnace core pipe (2), A polysilicon film is formed on the surface to be processed of the semiconductor wafer (7). At this time, the furnace The temperature inside the core tube (2) changes suddenly from the temperature of the load / unload section (3). Also, the atmosphere does not flow into the furnace core tube (2) and the semiconductor wafer (7) is oxidized. Since only nitrogen gas that does not flow into the furnace core tube (2), the nitrogen gas is disturbed. Even if flowing, an oxide film is not formed on the surface to be processed of the semiconductor wafer (7), A polysilicon film of uniform quality is formed. On the surface to be processed of semiconductor wafer (7) After the polysilicon film is formed on the boat, lower the boat (8) to load and unload it. The semiconductor wafer (7) is transferred to the carrier waiting in the scanning section (3). So Then, open the shutter (11) and load the carrier with the loading / unloading section (3). To the subsequent process. By opening the shutter (11), the doorway (10 Atmosphere flows from a) into the load / unload section (3), but the next semiconductor wafer After loading the carrier containing (7) into the loading / unloading section (3), The semiconductor wafer (7) from the carrier to the boat (8) by closing the door (11). While transferring, supply nitrogen gas into the chamber (10) through the suction port, The inside of (10) can be made to be an inert gas atmosphere again.
【００１６】[0016]
本考案によれば、半導体ウェーハの被処理面に均質なポリシリコン膜を形成す ることができるため、半導体装置の品質を向上させることができる。 According to the present invention, a uniform polysilicon film is formed on the processed surface of a semiconductor wafer. Therefore, the quality of the semiconductor device can be improved.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】本考案に係る半導体装置の断面図。FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor device according to the present invention.
【図２】本考案に係る半導体装置の断面図。FIG. 2 is a sectional view of a semiconductor device according to the present invention.
【図３】従来の半導体装置の断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view of a conventional semiconductor device.
【図４】従来の半導体装置の断面図。FIG. 4 is a sectional view of a conventional semiconductor device.
２ 炉芯管 ３ ロード・アンロード部 ７ 半導体ウェーハ ８ ボート 10 チャンバ 10a 出入口部 11 シャッター 2 furnace core tube 3 load / unload section 7 Semiconductor wafer 8 boats 10 chamber 10a entrance / exit 11 shutter
Claims (2)
方向に整列保持するボートを、鉛直姿勢の炉芯管と炉芯
管の下方のロード・アンロード部との間で往復動させる
半導体製造装置において、ロード・アンロード部をチャ
ンバで囲繞して、該チャンバ内を不活性ガス雰囲気にし
たことを特徴とする半導体製造装置。Claim: What is claimed is: 1. A semiconductor manufacturing method in which a boat for holding a large number of horizontal semiconductor wafers aligned in a vertical direction is reciprocated between a vertical furnace core tube and a load / unload section below the furnace core tube. In the apparatus, the load / unload unit is surrounded by a chamber, and the inside of the chamber is set to an inert gas atmosphere, wherein the semiconductor manufacturing apparatus is characterized.
の出入口部にシャッターを設け、半導体ウェーハを整列
保持したボートがチャンバ内にあるとき、シャッターを
閉じて、チャンバ内を不活性ガス雰囲気にしたことを特
徴とする半導体製造装置。2. A shutter is provided at the inlet / outlet portion of the semiconductor wafer of the chamber according to claim 1, and when the boat holding the semiconductor wafers in alignment is inside the chamber, the shutter is closed to create an inert gas atmosphere inside the chamber. A semiconductor manufacturing apparatus characterized by the above.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5472191U JPH058936U (en) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | Semiconductor manufacturing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5472191U JPH058936U (en) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | Semiconductor manufacturing equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH058936U true JPH058936U (en) | 1993-02-05 |
Family
ID=12978670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5472191U Pending JPH058936U (en) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | Semiconductor manufacturing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH058936U (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1991
- 1991-07-15 JP JP5472191U patent/JPH058936U/en active Pending
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