JPH058822B2 - - Google Patents
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- JPH058822B2 JPH058822B2 JP19270184A JP19270184A JPH058822B2 JP H058822 B2 JPH058822 B2 JP H058822B2 JP 19270184 A JP19270184 A JP 19270184A JP 19270184 A JP19270184 A JP 19270184A JP H058822 B2 JPH058822 B2 JP H058822B2
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
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- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はパターンの欠陥検査装置、特に半導体
集積回路の製造に使用するレチクルパターンの欠
陥検査装置に用いるパターンの判定方法に関する
ものである。
集積回路の製造に使用するレチクルパターンの欠
陥検査装置に用いるパターンの判定方法に関する
ものである。
(従来の技術)
従来、シリコンウエハーに対してホトエツチン
グする際に用いられるホトマスクの作成に用いら
れるレチクルパターンの欠陥を検査するために、
本願人は特開昭58−46636号公報において、マス
ク原版を作成するときに使用するPG(Pattern
Generation)テープに記憶された基準情報と、
このテープに基づいて製作された実際のパターン
を走査して得た走査情報とを比較することによつ
て信頼度の高い欠陥検査をすることができる装置
を開発している。
グする際に用いられるホトマスクの作成に用いら
れるレチクルパターンの欠陥を検査するために、
本願人は特開昭58−46636号公報において、マス
ク原版を作成するときに使用するPG(Pattern
Generation)テープに記憶された基準情報と、
このテープに基づいて製作された実際のパターン
を走査して得た走査情報とを比較することによつ
て信頼度の高い欠陥検査をすることができる装置
を開発している。
上述した装置においては、パターンはPGテー
プから各単位走査領域(1mm×1mm)毎のパター
ンに分割して、その単位走査領域毎にレチクルテ
ープ中に矩形要素の集合として記憶されている。
一方、レチクルパターンは、単位走査領域の一辺
の長さを受光できる長さのリニアイメージセンサ
ーを用い、レチクルパターンを載せたステージを
イメージセンサーと直交する方向に移動させて撮
像している。
プから各単位走査領域(1mm×1mm)毎のパター
ンに分割して、その単位走査領域毎にレチクルテ
ープ中に矩形要素の集合として記憶されている。
一方、レチクルパターンは、単位走査領域の一辺
の長さを受光できる長さのリニアイメージセンサ
ーを用い、レチクルパターンを載せたステージを
イメージセンサーと直交する方向に移動させて撮
像している。
(発明が解決しようとする問題点)
従来これら矩形要素の数は単位走査領域当り千
個以下で、十分にデータをビデオ信号に変換する
時間的余裕があり上述して装置で欠陥検査可能で
あつたが、最近の高密度化したパターンではこれ
ら矩形要素の数が数千にものぼり、単位走査領域
全体のデータをビデオ信号に変換するのに時間が
かかる欠点が顕著になつてきた。
個以下で、十分にデータをビデオ信号に変換する
時間的余裕があり上述して装置で欠陥検査可能で
あつたが、最近の高密度化したパターンではこれ
ら矩形要素の数が数千にものぼり、単位走査領域
全体のデータをビデオ信号に変換するのに時間が
かかる欠点が顕著になつてきた。
これに対処するため、変換にかかる時間を考え
て従来のステージ移動速度を遅くすることも考え
られるが、ステージを一定の遅い速度で移動させ
るのは困難であると共にそれに伴なう制御が難し
い欠点があつた。さらに上述したように構成しよ
うとすると、既存の制御をそのまま利用できない
欠点もあつた。
て従来のステージ移動速度を遅くすることも考え
られるが、ステージを一定の遅い速度で移動させ
るのは困難であると共にそれに伴なう制御が難し
い欠点があつた。さらに上述したように構成しよ
うとすると、既存の制御をそのまま利用できない
欠点もあつた。
本発明の目的は上述した不具合を解消して、既
存の制御をそのまま利用してステージ移動速度も
変えることなく多量のパターンの存在するレチク
ルマスクの欠陥を検査することのできるパターン
の欠陥検査法を提供しようとするものである。
存の制御をそのまま利用してステージ移動速度も
変えることなく多量のパターンの存在するレチク
ルマスクの欠陥を検査することのできるパターン
の欠陥検査法を提供しようとするものである。
(問題点を解決するための手段)
本発明のパターンの判定方法は、被検体のパタ
ーンの欠陥、特に半導体集積回路の製造に用いる
マスクのパターンの欠陥を、前記被検体のパター
ンに対応した基準情報を蓄積した記録媒体から読
み出した基準情報と、前記被検体のパターンを、
ラインセンサを使用して、ラインセンサのライン
方向の主走査方向とこの主走査方向と直角にライ
ンセンサをステージにより移動する副走査方向と
に実際に走査して得た走査情報とを比較すること
により自動的に検出する欠陥検査方法において、
前記記録媒体への記録を、前記ラインセンサの1
回の走査で走査可能な単位領域を複数領域に分割
したサブ領域毎に行なうとともに、前記走査情報
を得るにあたり、副走査をサブ領域の数だけくり
返し行ない、各くり返し毎にサブ領域をサブ領域
を変えて読み出して走査情報を得ることにより、
複数のくり返し走査毎に走査対象のサブ領域に対
する欠陥検査を行なうことを特徴とするものであ
る。
ーンの欠陥、特に半導体集積回路の製造に用いる
マスクのパターンの欠陥を、前記被検体のパター
ンに対応した基準情報を蓄積した記録媒体から読
み出した基準情報と、前記被検体のパターンを、
ラインセンサを使用して、ラインセンサのライン
方向の主走査方向とこの主走査方向と直角にライ
ンセンサをステージにより移動する副走査方向と
に実際に走査して得た走査情報とを比較すること
により自動的に検出する欠陥検査方法において、
前記記録媒体への記録を、前記ラインセンサの1
回の走査で走査可能な単位領域を複数領域に分割
したサブ領域毎に行なうとともに、前記走査情報
を得るにあたり、副走査をサブ領域の数だけくり
返し行ない、各くり返し毎にサブ領域をサブ領域
を変えて読み出して走査情報を得ることにより、
複数のくり返し走査毎に走査対象のサブ領域に対
する欠陥検査を行なうことを特徴とするものであ
る。
(作用)
本発明のパターン判定方法によれば、各単位領
域を例えば4つのサブ領域に分解し、先ず一回目
のステージ移動ですべての単位領域の第1のサブ
領域を検査し、二回目のステージ移動で再びすべ
ての単位領域の第2のサブ領域を検査し、以下同
様の検査を合計4回行うことによりパターン全体
を検査を行うことができる。このような方法では
各単位領域のサブ領域の個数に等しい回数だけ走
査を繰返し行なうことにより各検査におけるステ
ージ移動方法、データ読出方法などをまつたく共
通とすることができ、したがつてサブ領域の個数
も任意とすることができる。すなわち、矩形要素
の数が多いときには多数のサブ領域に分割し、少
ない場合には少数のサブ領域に分割することによ
りパターンに応じた最適の検査を行なうことがで
きるようになる。また、1回のステージ移動の動
作は既存の装置と殆んど同じであるから、既存の
装置を殆んどそのまま用いることができ、安価に
実施できる。
域を例えば4つのサブ領域に分解し、先ず一回目
のステージ移動ですべての単位領域の第1のサブ
領域を検査し、二回目のステージ移動で再びすべ
ての単位領域の第2のサブ領域を検査し、以下同
様の検査を合計4回行うことによりパターン全体
を検査を行うことができる。このような方法では
各単位領域のサブ領域の個数に等しい回数だけ走
査を繰返し行なうことにより各検査におけるステ
ージ移動方法、データ読出方法などをまつたく共
通とすることができ、したがつてサブ領域の個数
も任意とすることができる。すなわち、矩形要素
の数が多いときには多数のサブ領域に分割し、少
ない場合には少数のサブ領域に分割することによ
りパターンに応じた最適の検査を行なうことがで
きるようになる。また、1回のステージ移動の動
作は既存の装置と殆んど同じであるから、既存の
装置を殆んどそのまま用いることができ、安価に
実施できる。
(実施例)
以下図面を参照して本発明を詳細に説明する。
第1図は本発明のパターンの判定方法を実施す
るパターンの欠陥検査装置の全体の構成を示すブ
ロツク図である。全体の構成は大きく分類してス
テージユニツト10、ビデオ信号変換ユニツト3
0、制御ユニツト40の3つのユニツトから成つ
ている。以下上述した順に各部の動作を簡単に説
明する。
るパターンの欠陥検査装置の全体の構成を示すブ
ロツク図である。全体の構成は大きく分類してス
テージユニツト10、ビデオ信号変換ユニツト3
0、制御ユニツト40の3つのユニツトから成つ
ている。以下上述した順に各部の動作を簡単に説
明する。
まずステージユニツト10においては、被検体
18のパターン(例えばレチクルパターン等)に
光源11よりの光を照射し、その透過光をビツト
アレイよりなるイメージセンサー23に入射して
1ライン分の走査データを得た後、その走査デー
タを制御部40へ出力している。自動焦点機構1
4を具えた対物レンズ17は透過光を例えば25倍
に拡大して、イメージセンサー23のビツトアレ
イに投影するのに使用されている。本例で使用す
る自動焦点の機構は、本願人による特公昭54−
31348号公報で提案されている機構と同一である。
走査領域の選択および走査はXテーブル15、Y
テーブル16を駆動機構13,12によつて駆動
することで実行している。X,Yテーブル15,
16の制御は、それらの動きをリニアエンコーダ
19,20により検知してステージポジシヨンコ
レクター21に供給することによつて行なわれ
る。ここで、X,Y方向のずれが検知され、その
ずれより得られる補正信号が駆動機構13,12
に供給されて補正が行なわれる。また、この補正
だけでは精度の面で問題があるため、特にX方向
に対しては、ステージポジシヨンコレクター21
からのX方向のずれ量に対する補正信号をイメー
ジセンサードライバー22に供給してイメージセ
ンサー23中のビツトアレイに入射する光のう
ち、左端、右端の余りの12個のビツトを使用し
て、誤差を対してずらして1000点での走査データ
を得るようにする。
18のパターン(例えばレチクルパターン等)に
光源11よりの光を照射し、その透過光をビツト
アレイよりなるイメージセンサー23に入射して
1ライン分の走査データを得た後、その走査デー
タを制御部40へ出力している。自動焦点機構1
4を具えた対物レンズ17は透過光を例えば25倍
に拡大して、イメージセンサー23のビツトアレ
イに投影するのに使用されている。本例で使用す
る自動焦点の機構は、本願人による特公昭54−
31348号公報で提案されている機構と同一である。
走査領域の選択および走査はXテーブル15、Y
テーブル16を駆動機構13,12によつて駆動
することで実行している。X,Yテーブル15,
16の制御は、それらの動きをリニアエンコーダ
19,20により検知してステージポジシヨンコ
レクター21に供給することによつて行なわれ
る。ここで、X,Y方向のずれが検知され、その
ずれより得られる補正信号が駆動機構13,12
に供給されて補正が行なわれる。また、この補正
だけでは精度の面で問題があるため、特にX方向
に対しては、ステージポジシヨンコレクター21
からのX方向のずれ量に対する補正信号をイメー
ジセンサードライバー22に供給してイメージセ
ンサー23中のビツトアレイに入射する光のう
ち、左端、右端の余りの12個のビツトを使用し
て、誤差を対してずらして1000点での走査データ
を得るようにする。
次に第1図中のビデオ変換ユニツト30につい
て説明する。CADシステム等により作成された
PGテープは、本システムのフオーマツトを持つ
検査用レチクルテープ31に変換され、ビデオ変
換ユニツトに供給される。このレチクルテープ3
1は、テープユニツト32に取り付けられた後、
制御ユニツト40中のCPUの制御により磁気テ
ープ制御部36を介してステージ部10で検査さ
れているレチクルマスク18に対応する場所をレ
チクルテープ31から読み出し、2つ設けてある
磁気テープメモリーのうちの一方へ記憶する。こ
の磁気テープメモリーに記憶されたレチクルテー
プ31よりの点の座標群より、磁気テープ制御部
36からの周期信号の制御のもとにビデオ信号変
換部35により画像に変換された後、2つ設けて
あるビデオメモリーのうちの一方に記憶される。
画像としてビデオメモリーに記憶されたデータ
は、磁気テープ制御部36の制御によるステージ
部10のイメージセンサー23で走査された部分
に対応してビデオ信号出力制御部39より読み出
され、制御ユニツト40の比較器45に出力され
る。
て説明する。CADシステム等により作成された
PGテープは、本システムのフオーマツトを持つ
検査用レチクルテープ31に変換され、ビデオ変
換ユニツトに供給される。このレチクルテープ3
1は、テープユニツト32に取り付けられた後、
制御ユニツト40中のCPUの制御により磁気テ
ープ制御部36を介してステージ部10で検査さ
れているレチクルマスク18に対応する場所をレ
チクルテープ31から読み出し、2つ設けてある
磁気テープメモリーのうちの一方へ記憶する。こ
の磁気テープメモリーに記憶されたレチクルテー
プ31よりの点の座標群より、磁気テープ制御部
36からの周期信号の制御のもとにビデオ信号変
換部35により画像に変換された後、2つ設けて
あるビデオメモリーのうちの一方に記憶される。
画像としてビデオメモリーに記憶されたデータ
は、磁気テープ制御部36の制御によるステージ
部10のイメージセンサー23で走査された部分
に対応してビデオ信号出力制御部39より読み出
され、制御ユニツト40の比較器45に出力され
る。
上述のようにして作成されたステージユニツト
10、ビデオ変換ユニツト30からの両出力は、
制御ユニツト40に供給される。制御ユニツト4
0においては、その欠陥部分を検知するために両
出力信号を比較器45により比較している。本装
置のレチクルテープには後述する方法によりザブ
領域毎に画像データが記憶されそのためサブ領域
毎に画像となるため、単位走査領域の幅全体の長
さをもつイメージセンサー23の走査情報は全部
使用する必要はなく、比較の対象としてビデオ変
換ユニツト30から供給される特定のサブ領域に
対応する部分の走査情報だけが必要となる。その
ため、本実施例では、比較の終了した比較結果信
号に対してデータ処理部47の制御のもとに欠陥
マスク回路49により処理を行ない、必要な部分
の比較結果情報を得ている。
10、ビデオ変換ユニツト30からの両出力は、
制御ユニツト40に供給される。制御ユニツト4
0においては、その欠陥部分を検知するために両
出力信号を比較器45により比較している。本装
置のレチクルテープには後述する方法によりザブ
領域毎に画像データが記憶されそのためサブ領域
毎に画像となるため、単位走査領域の幅全体の長
さをもつイメージセンサー23の走査情報は全部
使用する必要はなく、比較の対象としてビデオ変
換ユニツト30から供給される特定のサブ領域に
対応する部分の走査情報だけが必要となる。その
ため、本実施例では、比較の終了した比較結果信
号に対してデータ処理部47の制御のもとに欠陥
マスク回路49により処理を行ない、必要な部分
の比較結果情報を得ている。
比較器45を介して比較操作の終了した信号
は、データ処理部47に供給され各種の処理が行
なわれる。データ処理部47は各種I/Oインタ
ーフエース、RAM、ROM、CPU、表示部から
構成され、処理されたデータはプリンター48よ
り出力される。さらに、モニター41〜44によ
つて各画像を映出し、その処理を確認できる。
は、データ処理部47に供給され各種の処理が行
なわれる。データ処理部47は各種I/Oインタ
ーフエース、RAM、ROM、CPU、表示部から
構成され、処理されたデータはプリンター48よ
り出力される。さらに、モニター41〜44によ
つて各画像を映出し、その処理を確認できる。
第2図は本発明のパターンの判定方法を説明す
るための線図である。第2図の実施例では、一例
として各単位走査領域をY方向にA〜Dの4つの
サブ領域に分割し、X方向にはn個、Y方向には
m個の単位走査領域が存在する例を示している。
上述した実施例に対しては、第3図に示すサブ領
域のパターン毎に矩形要素のデータを記憶したレ
チクルテープを準備して実際の欠陥検査を行な
う。すなわち、本実施例では既存の欠陥検査を4
回くり返して以下の用に実施する。まず第1回目
の走査ではA1-1、A2-1…Ao-1、A1-2、A2-2…
Ao-nのサブ領域の欠陥検査をこの順に行ない、
2回目の走査ではB1-1、…B2-1…Bo-1、B1-2、
B2-2…Bo-nを、3回目にはC1-1、C2-1…Co-1、
C1-2、C2-2…Co-nを、そして最後の4回目の走査
ではD1-1…Do-nの各単位サブ領域の欠陥検査を
して、全単位走査領域の欠陥検査を終了する。
るための線図である。第2図の実施例では、一例
として各単位走査領域をY方向にA〜Dの4つの
サブ領域に分割し、X方向にはn個、Y方向には
m個の単位走査領域が存在する例を示している。
上述した実施例に対しては、第3図に示すサブ領
域のパターン毎に矩形要素のデータを記憶したレ
チクルテープを準備して実際の欠陥検査を行な
う。すなわち、本実施例では既存の欠陥検査を4
回くり返して以下の用に実施する。まず第1回目
の走査ではA1-1、A2-1…Ao-1、A1-2、A2-2…
Ao-nのサブ領域の欠陥検査をこの順に行ない、
2回目の走査ではB1-1、…B2-1…Bo-1、B1-2、
B2-2…Bo-nを、3回目にはC1-1、C2-1…Co-1、
C1-2、C2-2…Co-nを、そして最後の4回目の走査
ではD1-1…Do-nの各単位サブ領域の欠陥検査を
して、全単位走査領域の欠陥検査を終了する。
このとき、単位走査領域の幅の対応してY方向
に並んでいるラインセンサーの全センサーからの
出力に基づく比較結果の出力を取り出すことはで
きず、例えば第1回目の走査ではA領域に対応す
る位置からだけ比較結果の出力を得る必要があ
る。そのため、データ処理部47の制御のもとに
第4図に示す欠陥マスク回路49を比較器45と
データ処理部47に設けて、信号処理によつて比
較結果のうち出力を取り出す必要のない部分、こ
の場合はB、C、D領域に対応する比較結果の出
力をブランクにして、A領域に対応する比較結果
信号だけを得ている。
に並んでいるラインセンサーの全センサーからの
出力に基づく比較結果の出力を取り出すことはで
きず、例えば第1回目の走査ではA領域に対応す
る位置からだけ比較結果の出力を得る必要があ
る。そのため、データ処理部47の制御のもとに
第4図に示す欠陥マスク回路49を比較器45と
データ処理部47に設けて、信号処理によつて比
較結果のうち出力を取り出す必要のない部分、こ
の場合はB、C、D領域に対応する比較結果の出
力をブランクにして、A領域に対応する比較結果
信号だけを得ている。
その制御は、第4図に示すANDゲート50に
比較器45からの比較結果信号と第5図a〜dに
示す出力制御回路51よりのラインセンサー出力
制御信号を供給して行なつている。すなわち、ラ
インセンサーのライン方向の比較結果信号に同期
して、例えば第1回目の走査時には第5図aに示
す信号をラインセンサー出力制御信号として
ANDゲート50に供給して、A領域に対応する
位置だけから比較結果情報を得ている。同様に2
回目の走査時には第5図bに示す信号を、3回目
の走査時には第5図cに示す信号を、そして4回
目の走査時には第5図dに示す信号をラインセン
サー出力制御信号として供給し、B、C、D領域
に対応する比較結果情報を得ている。なお、各領
域に対する第5図a〜dに示すラインセンサー出
力制御信号の切換は、データ処理部47で自動的
に行なつても良いし、また手動で切換えるよう構
成しても良い。
比較器45からの比較結果信号と第5図a〜dに
示す出力制御回路51よりのラインセンサー出力
制御信号を供給して行なつている。すなわち、ラ
インセンサーのライン方向の比較結果信号に同期
して、例えば第1回目の走査時には第5図aに示
す信号をラインセンサー出力制御信号として
ANDゲート50に供給して、A領域に対応する
位置だけから比較結果情報を得ている。同様に2
回目の走査時には第5図bに示す信号を、3回目
の走査時には第5図cに示す信号を、そして4回
目の走査時には第5図dに示す信号をラインセン
サー出力制御信号として供給し、B、C、D領域
に対応する比較結果情報を得ている。なお、各領
域に対する第5図a〜dに示すラインセンサー出
力制御信号の切換は、データ処理部47で自動的
に行なつても良いし、また手動で切換えるよう構
成しても良い。
本発明は上述した実施例にのみに限定されるも
のではなく、幾多の変形、変更が可能である。例
えば、上述した実施例ではサブ領域の分割方向を
第2図中X方向としたが、Y方向でも可能であ
る。ただしこの場合には第5図に示す出力制御信
号を1単位領域の走査時間を4分割したものとす
る必要がある。また分割数も4個に限定されるも
のではなく、任意の個数に分割することができ
る。
のではなく、幾多の変形、変更が可能である。例
えば、上述した実施例ではサブ領域の分割方向を
第2図中X方向としたが、Y方向でも可能であ
る。ただしこの場合には第5図に示す出力制御信
号を1単位領域の走査時間を4分割したものとす
る必要がある。また分割数も4個に限定されるも
のではなく、任意の個数に分割することができ
る。
さらに、上述した例では欠陥マスク回路49を
比較器45の出力側に設け、誤つた比較判定結果
を出力しないようにしたが、同様の欠陥マスク回
路を比較器45の入力側、すなわち比較器45と
ビデオ増幅器46との間またはこれに加えて比較
器45とビデオ信号出力制御部との間に設け、検
査中のサブ領域以外のサブ領域からの画像信号が
比較器45に入力されないように構成することも
できる。
比較器45の出力側に設け、誤つた比較判定結果
を出力しないようにしたが、同様の欠陥マスク回
路を比較器45の入力側、すなわち比較器45と
ビデオ増幅器46との間またはこれに加えて比較
器45とビデオ信号出力制御部との間に設け、検
査中のサブ領域以外のサブ領域からの画像信号が
比較器45に入力されないように構成することも
できる。
(発明の効果)
以上詳細に説明したところから明らかなよう
に、本発明のパターンの判定方法によれば、既存
の装置の制御及びステージ移動速度を変更するこ
となく、従来の装置では処理できなかつた多量の
パターンを含むレチクルマスクの欠陥を検査する
ことができる。また、サブ領域に対応するライン
センサーの部分をラインセンサー出力制御信号に
より電気的に選択しているので、簡単に単位領域
中のサブ領域の数を増減することができる。
に、本発明のパターンの判定方法によれば、既存
の装置の制御及びステージ移動速度を変更するこ
となく、従来の装置では処理できなかつた多量の
パターンを含むレチクルマスクの欠陥を検査する
ことができる。また、サブ領域に対応するライン
センサーの部分をラインセンサー出力制御信号に
より電気的に選択しているので、簡単に単位領域
中のサブ領域の数を増減することができる。
第1図は本発明のパターンの判定方法を実施す
るパターンの欠陥検査装置の全体の構成を示すブ
ロツク図、第2図は本発明のパターンの判定方法
を説明するための線図、第3図は本発明に用いる
レチクルテープの一実施例のフオーマツトを示す
線図、第4図は本発明のパターンの判定方法を実
施する制御回路の一実施例を示すブロツク図、第
5図a〜dは本発明のラインセンサー出力信号の
一実施例を示す波形図である。 10……ステージユニツト、30……ビデオ変
換ユニツト、40……制御ユニツト、49……欠
陥マスク回路。
るパターンの欠陥検査装置の全体の構成を示すブ
ロツク図、第2図は本発明のパターンの判定方法
を説明するための線図、第3図は本発明に用いる
レチクルテープの一実施例のフオーマツトを示す
線図、第4図は本発明のパターンの判定方法を実
施する制御回路の一実施例を示すブロツク図、第
5図a〜dは本発明のラインセンサー出力信号の
一実施例を示す波形図である。 10……ステージユニツト、30……ビデオ変
換ユニツト、40……制御ユニツト、49……欠
陥マスク回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 被検体のパターンの欠陥、特に半導体集積回
路の製造に用いるマスクのパターンの欠陥を、前
記被検体のパターンに対応した基準情報を蓄積し
た記録媒体から読み出した基準情報と、前記被検
体のパターンを、ラインセンサを使用して、ライ
ンセンサのライン方向の主走査方向とこの主走査
方向と直角にラインセンサをステージにより移動
する副走査方向とに実際に走査して得た走査情報
とを比較することにより自動的に検出する欠陥検
査方法において、 前記記録媒体への記録を、前記ラインセンサの
1回の走査で走査可能な単位領域を複数領域に分
割したサブ領域毎に行なうとともに、前記走査情
報を得るにあたり、副走査をサブ領域の数だけく
り返し行ない、各くり返し毎にサブ領域をサブ領
域を変えて読み出して走査情報を得ることによ
り、複数のくり返し走査毎に走査対象のサブ領域
に対する欠陥検査を行うことを特徴とするパター
ンの欠陥検査装置に用いるパターンの判定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59192701A JPS6171630A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | パタ−ンの欠陥検査装置に用いるパタ−ンの判定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59192701A JPS6171630A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | パタ−ンの欠陥検査装置に用いるパタ−ンの判定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6171630A JPS6171630A (ja) | 1986-04-12 |
JPH058822B2 true JPH058822B2 (ja) | 1993-02-03 |
Family
ID=16295609
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59192701A Granted JPS6171630A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | パタ−ンの欠陥検査装置に用いるパタ−ンの判定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6171630A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4741747B2 (ja) * | 2001-06-01 | 2011-08-10 | 日本車輌製造株式会社 | 振れ止め装置 |
JP5278783B1 (ja) | 2012-05-30 | 2013-09-04 | レーザーテック株式会社 | 欠陥検査装置、欠陥検査方法、及び欠陥検査プログラム |
CN110517969B (zh) * | 2019-08-27 | 2022-09-02 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 晶圆缺陷监测方法及***和计算机存储介质 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5846636A (ja) * | 1981-09-16 | 1983-03-18 | Nippon Jido Seigyo Kk | パタ−ンの欠陥検査装置 |
-
1984
- 1984-09-17 JP JP59192701A patent/JPS6171630A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5846636A (ja) * | 1981-09-16 | 1983-03-18 | Nippon Jido Seigyo Kk | パタ−ンの欠陥検査装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6171630A (ja) | 1986-04-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |