JPH0583517B2 - - Google Patents
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- JPH0583517B2 JPH0583517B2 JP63077595A JP7759588A JPH0583517B2 JP H0583517 B2 JPH0583517 B2 JP H0583517B2 JP 63077595 A JP63077595 A JP 63077595A JP 7759588 A JP7759588 A JP 7759588A JP H0583517 B2 JPH0583517 B2 JP H0583517B2
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- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 58
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 57
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 57
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 57
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 49
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 36
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 31
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 26
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 18
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 5
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 7
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 SiCl 4 and SiHCl 3 Chemical class 0.000 description 2
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002296 pyrolytic carbon Substances 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5053—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials non-oxide ceramics
- C04B41/5057—Carbides
- C04B41/5059—Silicon carbide
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は黒鉛−炭化珪素複合体及びその製造法
に関し、特に黒鉛基材の表層部が黒鉛と炭化珪素
との複合体となつており、更にその上に炭化珪素
が被覆されている複合体及びこれを製造する方法
に関し、その目的は集積回路の製造プロセス就中
半導体ウエハーを処理するために使用される耐酸
化性及び耐食性構造物、エピタキシヤル成長用サ
セプター、拡散炉用部品、プラズマCVD用部品、
ボート等に好適な複合材料を提供することであ
る。 〔従来技術〕 従来、黒鉛基材の表面に炭化珪素層を被覆した
構造材料は知られている。このような炭化珪素被
覆黒鉛複合材料に於いては、使用する黒鉛基材と
しては炭化珪素の熱膨張係数に近く、黒鉛表面の
気孔が小さいものを使用してきた。その理由とし
て、炭化珪素の熱膨張係数に近似していないもの
を使用すると、黒鉛と炭化珪素の間で剥離や亀裂
が起こり、気孔が大きいとピンホールの原因とな
る。これらの問題を緩和する技術がいくつかすで
に提案されている。例えば、特公昭48−26597号
においては、炭化珪素（以下SiCという場合があ
る）と黒鉛とから成る中間層を設けることが提案
されており、その中間層の厚みは50〜100μmと限
定されている。 また、特開昭49−83706号においては、5μm以
下の気孔を有する黒鉛基材に、溶融珪素を浸入さ
せることにより、該珪素と黒鉛が反応してSiCと
なり気孔がすべて炭化珪素で密封された複合材料
が得られることが開示されている。尚この際の複
合層の厚さは0.125mm以上となつている。 また、特開昭50−130363号においては、熱分解
炭素を中間層として10〜100μm形成することが提
案されている。 〔発明が解決しようとする課題〕 しかし乍ら、上記各提案によるこの種黒鉛−炭
化珪素複合基材は、なお満足出来る性能を有さ
ず、急熱急冷等の過酷な条件下では形成された
SiC被膜の亀裂や剥離等が生じ、またピンホール
の発生もなおかなり多い。しかも最近の技術進歩
に伴い、ますます過酷な条件が要求され、上記問
題点の解決がますます強く要望される現状にあ
る。たとえば特公昭48−26597号においては、
SiC−黒鉛混合物の中の中間層の厚みを50〜
100μmと限定しているために黒鉛基材として薄い
基材を使用すると、亀裂及び変形等が起こり、ま
た厚い基材については、ピンホール、剥離等が生
じる。特開昭49−83706号においては、黒鉛に浸
入した炭化珪素層の厚みを0.125mm以上としてい
るために上記と同様の不都合が生じ、さらに黒鉛
気孔部を炭化珪素により密封することは黒鉛基材
が珪化されることにより膨張し、亀裂及び変形が
生じ実用的ではない。また、特開昭50−130363号
においては、熱分解炭素の熱膨張係数を炭化珪素
の4.4×10-6／Ｋに近づけることは非常に困難で
あり、炭化珪素膜が剥離することは避け難い。 〔課題を解決するための手段〕 本発明者等は、前述した従来技術が抱える問題
点を種々調べたところ、黒鉛表面を溶融珪素と反
応させると黒鉛細孔部より溶融珪素が浸透し、バ
インダー部と骨材黒鉛の一部が珪化されることが
判明した。特に、黒鉛の全細孔容積の含浸率がポ
アー半径及び熱膨張係数と相関があることが明ら
かとなつた。そしてこれらの現象を有効に利用す
ることにより炭化珪素被膜のピンホール、剥離及
び亀裂のない炭化珪素被覆用黒鉛−炭化珪素複合
体が得られ、従来の問題点を解決できることが判
明した。本発明はこの新しい事実に基づいて完成
されたものであつて、即ち本発明は黒鉛基材の表
層部に炭化珪素が含浸され、更にその上から炭化
珪素を被覆した黒鉛−炭化珪素複合体及びその製
造法に係るものである。 〔作用〕 本発明の如く黒鉛表面を溶融珪素と反応させる
と黒鉛細孔部に溶融珪素が浸透し、黒鉛の一部が
炭化珪素となる（この反応を含浸処理と呼ぶ）。
この反応により、種々の熱膨張係数の黒鉛基材が
炭化珪素の熱膨張係数（4.4×10-6／Ｋ）に収斂
される。また、ポアー半径及び細孔容積も小さく
なる。これらのことは、化学気相蒸着法（以下
CVD法という）により炭化珪素を被覆する場合
に、前者は剥離及び亀裂を防止する作用があり、
後者はピンホール発生を防止する作用を発揮す
る。 しかし乍ら、炭化珪素の含浸が全細孔容積の５
％に達しないと、熱膨張係数が近似し難く、また
ポアー半径もピンホールの原因となる1μm以下と
はなり難い。60％より多くなると熱膨張係数は近
似するが、体積膨張により黒鉛基材の変形又は亀
裂を生じる傾向がある。従つて本発明の上記作用
を特に顕著に発揮させるためには、使用する黒鉛
基材の全細孔容積の５〜60％が炭化珪素で含浸さ
れるようにする。 以下に本発明をその製法に従つて説明する。 本発明に於いては黒鉛基材に溶融珪素を浸透せ
しめて、反応を行うことをその基本としている。
この際使用する黒鉛基材としては、比較的多孔性
の小さいものが好ましく、通常嵩密度が1.70〜
1.90g／cm3、全細孔容積が10〜20cm3／ｇ及び平均
ポアー半径が1.0〜2.0μm黒鉛基材が使用される。 但し、上記特性は夫々次のことを示す。 嵩密度：黒鉛基材の全体積当たりの質量（ｇ／
cm3） 気孔率：黒鉛基材の体積中の全気孔の割合 真比重−嵩密度／真比重×100％ 全細孔容積：Hgポロシメーター（Hg圧入法）に
より求めた開気孔の全容積（cm3／ｇ） 平均ポアー半径：Hgポロシメーターから求めた
細孔容積の平均ポアー半径（μm） 更に本発明に於いては黒鉛基材として高純度の
ものを使用することにより、更に高純度の複合材
料が収得出来る。高純度黒鉛基材としてはその純
度としては不純物（灰分）が10ppm以下、とくに
好ましくは2ppm以下のものが好ましい。高純度
化の方法としては特に制限されず、各種の方法が
任意に適用される。好ましい方法としては特願昭
61−224131号に記載の方法を例示することが出来
る。 珪素としては溶融金属珪素に黒鉛基材を浸すば
かりでなく、CVD法や珪素蒸気により黒鉛基材
上に珪素を形成せしめ、これを溶融して反応せし
めてもよい。しかし乍ら溶融珪素浸漬法は含浸率
を調節するのがむずかしいためCVD法が望まし
い。 本発明に於いて珪素と黒鉛基材とを反応せしめ
るに際しては、特に黒鉛基材の全細孔容積の５〜
60％が炭化珪素で含浸されるように調整する。５
％に達しないとすでに述べた通り、炭化珪素と黒
鉛との熱膨張係数が近似せず、且つポアー半径が
小さくならず、ピンホールの発生、剥離、亀裂等
が生じ、また60％よりも多くなると体積膨張によ
り黒鉛基材の変形や亀裂が発生する。 而して珪素と黒鉛基材との反応に際しては、溶
融珪素に黒鉛基材を浸して反応させる方法、
CVD法または珪素蒸気により黒鉛基材表面に珪
素被覆を行い、珪素の融点以上の温度で熱処理を
行つてもよい。CVD法は、SiCl4またはSiHCl3の
ようなハロゲン化シランまたはSiH4を用い、水
素をキヤリアガスとして、1300〜1600Kで黒鉛基
材上に化学気相蒸着を行えば、均一にSi被膜が生
成する。続いて、温度を珪素の融点以上好ましく
は1750〜1900Kで熱処理を行うと被覆した珪素の
90％以上は黒鉛の気孔の中に浸透し炭化珪素とな
る。 このようにして得られる黒鉛−炭化珪素複合材
料は参考写真でも示す通り、その表面層がほぼ均
一な状態で黒鉛と炭化珪素とから成つている。但
し参考写真は実施例１に於いて製造された複合材
料の断面の走査型電子顕微鏡写真（100倍）であ
り、白く見える部分は炭化珪素、また黒く見える
部分は黒鉛である。 本発明に於いては、黒鉛基材に溶融炭化珪素層
を形成せしめた後、さらにこの上に常法により
SiC被覆を行うことである。即ち本発明に於いて
はSiC被覆を行う前の複合材料の表面は黒鉛と炭
化珪素との複合層から成つているために、この上
にSiC被覆を行うと極めて強固にSiC被膜が形成
される。その結果として熱衝撃に極めて強く、且
つピンホールの全く存在しない三層複合材料が得
られる。このような更にSiC被膜を形成した三層
複合材料は上記の特性を有するため、たとえば集
積回路（IC）の製造プロセス中半導体ウエハー
を処理するために使用される耐酸化性及び耐食性
構造物、エピタキシヤル成長用サセプター、拡散
炉用部品、プラズマCVD用部品、ボート等に極
めて好適な材料となる。 この第三層にあたるSiC層を形成せしめる手段
自体は何等限定されず、従来から知られている各
種の手段がいずれも有効に使用出来、その一例を
示せばCVD法による被覆手段を例示出来る。 更に詳しくはSiCl4、SiHCl3等のハロゲン化シ
ランやSiH4とCH4、C3H8等の炭化水素又はCCl4
等を水素をキヤリアとして炉内へ導入する方法、
またはCH3SiCl3等の有機シラン系ガスや石英−
炭素系等のSiOガスを用いて蒸着させてもよい。 〔実施例〕 次にその実施例を述べる。 実施例 １〜３ 高純度黒鉛（嵩密度1.78g／cm3、平均ポアー半
径1.4μm、全細孔容積0.085cm3／ｇ、熱膨張係数
4.0×10-6／Ｋ）を直径100mm、厚さ５mmに加工し
た。この黒鉛基材を温度1400Kに加熱し、SiCl4
0.9×10-2mol／min、H20.9mol／minを流し、珪
素被覆を行つた。さらにH20.05mol／minを流し
ながら温度を1800Kに昇温し、１時間加熱した。
尚、珪素被覆時間は、全細孔容積に対する炭化珪
素の含浸率によつて決めた。その結果、炭化珪素
含浸率５、30、及び60％の試料を３種類得た。そ
れらの試料の熱膨張係数、ポアー半径を測定し
た。この結果を表１に示す。 続いて、得られた黒鉛−炭化珪素複合体を
1500Kに加熱し、SiCl40.9×10-2mol／min、H2
1.8mol／min、C3H81.3×10-3mol／minで90分、
更に炉内で基材と支持台との支点を変え90分被覆
を行つた。膜厚は重量増加から計算して100μmで
あつた。 比較例 １〜３ 上記実施例に於いて炭化珪素含浸率を夫々０、
0.2及び80％とし、その他はすべて実施例と同様
に処理した。その結果を表１に示す。 これ等実施例１〜３及び比較例１〜２で得られ
た試料についてランニングテスト（90℃で35時間
空気中で加熱）及び熱衝撃テスト（450℃に加熱
された電気炉中に30分間保持し、その後水中へ浸
し、クラツク等の確認操作の10回繰り返し）を行
つた。その結果を表２に示す。
に関し、特に黒鉛基材の表層部が黒鉛と炭化珪素
との複合体となつており、更にその上に炭化珪素
が被覆されている複合体及びこれを製造する方法
に関し、その目的は集積回路の製造プロセス就中
半導体ウエハーを処理するために使用される耐酸
化性及び耐食性構造物、エピタキシヤル成長用サ
セプター、拡散炉用部品、プラズマCVD用部品、
ボート等に好適な複合材料を提供することであ
る。 〔従来技術〕 従来、黒鉛基材の表面に炭化珪素層を被覆した
構造材料は知られている。このような炭化珪素被
覆黒鉛複合材料に於いては、使用する黒鉛基材と
しては炭化珪素の熱膨張係数に近く、黒鉛表面の
気孔が小さいものを使用してきた。その理由とし
て、炭化珪素の熱膨張係数に近似していないもの
を使用すると、黒鉛と炭化珪素の間で剥離や亀裂
が起こり、気孔が大きいとピンホールの原因とな
る。これらの問題を緩和する技術がいくつかすで
に提案されている。例えば、特公昭48−26597号
においては、炭化珪素（以下SiCという場合があ
る）と黒鉛とから成る中間層を設けることが提案
されており、その中間層の厚みは50〜100μmと限
定されている。 また、特開昭49−83706号においては、5μm以
下の気孔を有する黒鉛基材に、溶融珪素を浸入さ
せることにより、該珪素と黒鉛が反応してSiCと
なり気孔がすべて炭化珪素で密封された複合材料
が得られることが開示されている。尚この際の複
合層の厚さは0.125mm以上となつている。 また、特開昭50−130363号においては、熱分解
炭素を中間層として10〜100μm形成することが提
案されている。 〔発明が解決しようとする課題〕 しかし乍ら、上記各提案によるこの種黒鉛−炭
化珪素複合基材は、なお満足出来る性能を有さ
ず、急熱急冷等の過酷な条件下では形成された
SiC被膜の亀裂や剥離等が生じ、またピンホール
の発生もなおかなり多い。しかも最近の技術進歩
に伴い、ますます過酷な条件が要求され、上記問
題点の解決がますます強く要望される現状にあ
る。たとえば特公昭48−26597号においては、
SiC−黒鉛混合物の中の中間層の厚みを50〜
100μmと限定しているために黒鉛基材として薄い
基材を使用すると、亀裂及び変形等が起こり、ま
た厚い基材については、ピンホール、剥離等が生
じる。特開昭49−83706号においては、黒鉛に浸
入した炭化珪素層の厚みを0.125mm以上としてい
るために上記と同様の不都合が生じ、さらに黒鉛
気孔部を炭化珪素により密封することは黒鉛基材
が珪化されることにより膨張し、亀裂及び変形が
生じ実用的ではない。また、特開昭50−130363号
においては、熱分解炭素の熱膨張係数を炭化珪素
の4.4×10-6／Ｋに近づけることは非常に困難で
あり、炭化珪素膜が剥離することは避け難い。 〔課題を解決するための手段〕 本発明者等は、前述した従来技術が抱える問題
点を種々調べたところ、黒鉛表面を溶融珪素と反
応させると黒鉛細孔部より溶融珪素が浸透し、バ
インダー部と骨材黒鉛の一部が珪化されることが
判明した。特に、黒鉛の全細孔容積の含浸率がポ
アー半径及び熱膨張係数と相関があることが明ら
かとなつた。そしてこれらの現象を有効に利用す
ることにより炭化珪素被膜のピンホール、剥離及
び亀裂のない炭化珪素被覆用黒鉛−炭化珪素複合
体が得られ、従来の問題点を解決できることが判
明した。本発明はこの新しい事実に基づいて完成
されたものであつて、即ち本発明は黒鉛基材の表
層部に炭化珪素が含浸され、更にその上から炭化
珪素を被覆した黒鉛−炭化珪素複合体及びその製
造法に係るものである。 〔作用〕 本発明の如く黒鉛表面を溶融珪素と反応させる
と黒鉛細孔部に溶融珪素が浸透し、黒鉛の一部が
炭化珪素となる（この反応を含浸処理と呼ぶ）。
この反応により、種々の熱膨張係数の黒鉛基材が
炭化珪素の熱膨張係数（4.4×10-6／Ｋ）に収斂
される。また、ポアー半径及び細孔容積も小さく
なる。これらのことは、化学気相蒸着法（以下
CVD法という）により炭化珪素を被覆する場合
に、前者は剥離及び亀裂を防止する作用があり、
後者はピンホール発生を防止する作用を発揮す
る。 しかし乍ら、炭化珪素の含浸が全細孔容積の５
％に達しないと、熱膨張係数が近似し難く、また
ポアー半径もピンホールの原因となる1μm以下と
はなり難い。60％より多くなると熱膨張係数は近
似するが、体積膨張により黒鉛基材の変形又は亀
裂を生じる傾向がある。従つて本発明の上記作用
を特に顕著に発揮させるためには、使用する黒鉛
基材の全細孔容積の５〜60％が炭化珪素で含浸さ
れるようにする。 以下に本発明をその製法に従つて説明する。 本発明に於いては黒鉛基材に溶融珪素を浸透せ
しめて、反応を行うことをその基本としている。
この際使用する黒鉛基材としては、比較的多孔性
の小さいものが好ましく、通常嵩密度が1.70〜
1.90g／cm3、全細孔容積が10〜20cm3／ｇ及び平均
ポアー半径が1.0〜2.0μm黒鉛基材が使用される。 但し、上記特性は夫々次のことを示す。 嵩密度：黒鉛基材の全体積当たりの質量（ｇ／
cm3） 気孔率：黒鉛基材の体積中の全気孔の割合 真比重−嵩密度／真比重×100％ 全細孔容積：Hgポロシメーター（Hg圧入法）に
より求めた開気孔の全容積（cm3／ｇ） 平均ポアー半径：Hgポロシメーターから求めた
細孔容積の平均ポアー半径（μm） 更に本発明に於いては黒鉛基材として高純度の
ものを使用することにより、更に高純度の複合材
料が収得出来る。高純度黒鉛基材としてはその純
度としては不純物（灰分）が10ppm以下、とくに
好ましくは2ppm以下のものが好ましい。高純度
化の方法としては特に制限されず、各種の方法が
任意に適用される。好ましい方法としては特願昭
61−224131号に記載の方法を例示することが出来
る。 珪素としては溶融金属珪素に黒鉛基材を浸すば
かりでなく、CVD法や珪素蒸気により黒鉛基材
上に珪素を形成せしめ、これを溶融して反応せし
めてもよい。しかし乍ら溶融珪素浸漬法は含浸率
を調節するのがむずかしいためCVD法が望まし
い。 本発明に於いて珪素と黒鉛基材とを反応せしめ
るに際しては、特に黒鉛基材の全細孔容積の５〜
60％が炭化珪素で含浸されるように調整する。５
％に達しないとすでに述べた通り、炭化珪素と黒
鉛との熱膨張係数が近似せず、且つポアー半径が
小さくならず、ピンホールの発生、剥離、亀裂等
が生じ、また60％よりも多くなると体積膨張によ
り黒鉛基材の変形や亀裂が発生する。 而して珪素と黒鉛基材との反応に際しては、溶
融珪素に黒鉛基材を浸して反応させる方法、
CVD法または珪素蒸気により黒鉛基材表面に珪
素被覆を行い、珪素の融点以上の温度で熱処理を
行つてもよい。CVD法は、SiCl4またはSiHCl3の
ようなハロゲン化シランまたはSiH4を用い、水
素をキヤリアガスとして、1300〜1600Kで黒鉛基
材上に化学気相蒸着を行えば、均一にSi被膜が生
成する。続いて、温度を珪素の融点以上好ましく
は1750〜1900Kで熱処理を行うと被覆した珪素の
90％以上は黒鉛の気孔の中に浸透し炭化珪素とな
る。 このようにして得られる黒鉛−炭化珪素複合材
料は参考写真でも示す通り、その表面層がほぼ均
一な状態で黒鉛と炭化珪素とから成つている。但
し参考写真は実施例１に於いて製造された複合材
料の断面の走査型電子顕微鏡写真（100倍）であ
り、白く見える部分は炭化珪素、また黒く見える
部分は黒鉛である。 本発明に於いては、黒鉛基材に溶融炭化珪素層
を形成せしめた後、さらにこの上に常法により
SiC被覆を行うことである。即ち本発明に於いて
はSiC被覆を行う前の複合材料の表面は黒鉛と炭
化珪素との複合層から成つているために、この上
にSiC被覆を行うと極めて強固にSiC被膜が形成
される。その結果として熱衝撃に極めて強く、且
つピンホールの全く存在しない三層複合材料が得
られる。このような更にSiC被膜を形成した三層
複合材料は上記の特性を有するため、たとえば集
積回路（IC）の製造プロセス中半導体ウエハー
を処理するために使用される耐酸化性及び耐食性
構造物、エピタキシヤル成長用サセプター、拡散
炉用部品、プラズマCVD用部品、ボート等に極
めて好適な材料となる。 この第三層にあたるSiC層を形成せしめる手段
自体は何等限定されず、従来から知られている各
種の手段がいずれも有効に使用出来、その一例を
示せばCVD法による被覆手段を例示出来る。 更に詳しくはSiCl4、SiHCl3等のハロゲン化シ
ランやSiH4とCH4、C3H8等の炭化水素又はCCl4
等を水素をキヤリアとして炉内へ導入する方法、
またはCH3SiCl3等の有機シラン系ガスや石英−
炭素系等のSiOガスを用いて蒸着させてもよい。 〔実施例〕 次にその実施例を述べる。 実施例 １〜３ 高純度黒鉛（嵩密度1.78g／cm3、平均ポアー半
径1.4μm、全細孔容積0.085cm3／ｇ、熱膨張係数
4.0×10-6／Ｋ）を直径100mm、厚さ５mmに加工し
た。この黒鉛基材を温度1400Kに加熱し、SiCl4
0.9×10-2mol／min、H20.9mol／minを流し、珪
素被覆を行つた。さらにH20.05mol／minを流し
ながら温度を1800Kに昇温し、１時間加熱した。
尚、珪素被覆時間は、全細孔容積に対する炭化珪
素の含浸率によつて決めた。その結果、炭化珪素
含浸率５、30、及び60％の試料を３種類得た。そ
れらの試料の熱膨張係数、ポアー半径を測定し
た。この結果を表１に示す。 続いて、得られた黒鉛−炭化珪素複合体を
1500Kに加熱し、SiCl40.9×10-2mol／min、H2
1.8mol／min、C3H81.3×10-3mol／minで90分、
更に炉内で基材と支持台との支点を変え90分被覆
を行つた。膜厚は重量増加から計算して100μmで
あつた。 比較例 １〜３ 上記実施例に於いて炭化珪素含浸率を夫々０、
0.2及び80％とし、その他はすべて実施例と同様
に処理した。その結果を表１に示す。 これ等実施例１〜３及び比較例１〜２で得られ
た試料についてランニングテスト（90℃で35時間
空気中で加熱）及び熱衝撃テスト（450℃に加熱
された電気炉中に30分間保持し、その後水中へ浸
し、クラツク等の確認操作の10回繰り返し）を行
つた。その結果を表２に示す。
【表】
本発明の黒鉛−炭化珪素複合材料に更に炭化珪
素を被覆した炭化珪素被覆黒鉛はピンホールが皆
無で剥離、亀裂の極めて少ないもので半導体その
他各種の製造用材料として極めて好適なものであ
り、産業上の利用価値は高い。
素を被覆した炭化珪素被覆黒鉛はピンホールが皆
無で剥離、亀裂の極めて少ないもので半導体その
他各種の製造用材料として極めて好適なものであ
り、産業上の利用価値は高い。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 黒鉛基材の表層部に黒鉛基材の全細孔容積の
５〜60％に炭化珪素が含浸された含浸炭化珪素
層、及びこの含浸炭化珪素層の上に更に炭化珪素
被覆層を有する黒鉛−炭化珪素複合体。 ２ 黒鉛基材の全細孔容積の５〜60％が炭化珪素
で含浸されるように溶融珪素を浸透、反応せし
め、次いでここに形成された黒鉛と炭化珪素との
複合層の上に更に炭化珪素を被覆することを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の黒鉛−炭化
珪素複合体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63077595A JPH01249679A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | 黒鉛一炭化珪素複合体並びにその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63077595A JPH01249679A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | 黒鉛一炭化珪素複合体並びにその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01249679A JPH01249679A (ja) | 1989-10-04 |
| JPH0583517B2 true JPH0583517B2 (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=13638311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63077595A Granted JPH01249679A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | 黒鉛一炭化珪素複合体並びにその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01249679A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000319080A (ja) * | 1999-05-07 | 2000-11-21 | Tokai Carbon Co Ltd | 炭化珪素被覆黒鉛部材 |
| JP4641536B2 (ja) * | 2007-07-27 | 2011-03-02 | 東洋炭素株式会社 | 還元性雰囲気炉用炭素複合材料及びその製造方法 |
| JP4641535B2 (ja) * | 2007-07-27 | 2011-03-02 | 東洋炭素株式会社 | 還元性雰囲気炉用炭素複合材料及びその製造方法 |
| CN102220108A (zh) * | 2011-01-12 | 2011-10-19 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用堵漏剂 |
| EP3338306A4 (en) * | 2015-08-20 | 2019-05-01 | Entegris, Inc. | SILICON / GRAPHITE CARBIDE COMPOSITE AND ARTICLES AND ASSEMBLIES COMPRISING THE SAME |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS62297467A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-24 | Fujitsu Ltd | 炭化ケイ素被膜形成方法 |
-
1988
- 1988-03-29 JP JP63077595A patent/JPH01249679A/ja active Granted
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS62297467A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-24 | Fujitsu Ltd | 炭化ケイ素被膜形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01249679A (ja) | 1989-10-04 |
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