JPH0582909A - 半導体デバイス成長用マスクおよび半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
半導体デバイス成長用マスクおよび半導体デバイスの製造方法Info
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- JPH0582909A JPH0582909A JP24350591A JP24350591A JPH0582909A JP H0582909 A JPH0582909 A JP H0582909A JP 24350591 A JP24350591 A JP 24350591A JP 24350591 A JP24350591 A JP 24350591A JP H0582909 A JPH0582909 A JP H0582909A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 遷移領域におけるエキシトンの影響を抑制
し、その吸収による挿入損失を低減化する。 【構成】 基板上にそれぞれ異なる機能を有する２つ以
上の機能部を有する半導体デバイスを作成するためのマ
スクであって、２つ以上の機能部を接続する接続導波路
用領域におけるマスクの幅Ｗ３が、機能部を成長させる
ための機能部用領域におけるマスクの幅Ｗ１及びＷ２よ
りも狭い。
し、その吸収による挿入損失を低減化する。 【構成】 基板上にそれぞれ異なる機能を有する２つ以
上の機能部を有する半導体デバイスを作成するためのマ
スクであって、２つ以上の機能部を接続する接続導波路
用領域におけるマスクの幅Ｗ３が、機能部を成長させる
ための機能部用領域におけるマスクの幅Ｗ１及びＷ２よ
りも狭い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体デバイスの製造方
法に関し、特に量子サイズ効果に優れ、低損失なモノリ
シック半導体デバイスの製造方法に関する。
法に関し、特に量子サイズ効果に優れ、低損失なモノリ
シック半導体デバイスの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３に従来の半導体成長用マスクを用い
て成長させて製作したＤＦＢ−ＬＤ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕ
ｔｅｄ Ｆｅｅｄｂａｃｋ Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ）
と多重量子井戸（ＭＱＷ）光変調器のモノリシック光変
調器の斜視図を示す（文献：１９９１年電子情報通信学
会秋期大会Ｃ−１３３）。ここで、１はｐ側電極、２は
絶縁層、３はｐ+ −ＩｎＧａＡｓＰキャップ層、４はｐ
−ＩｎＰ埋め込み層、５はｐ−ＩｎＰクラッド、６はｉ
−ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰからなるＭＱＷ層、７
はｎ−ＩｎＰクラッド層、８はｎ−ＩｎＰスペース層、
９はｎ−ＩｎＧａＡｓＰガイド層、１０はｎ−ＩｎＰ基
板、１１はｎ側電極である。
て成長させて製作したＤＦＢ−ＬＤ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕ
ｔｅｄ Ｆｅｅｄｂａｃｋ Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ）
と多重量子井戸（ＭＱＷ）光変調器のモノリシック光変
調器の斜視図を示す（文献：１９９１年電子情報通信学
会秋期大会Ｃ−１３３）。ここで、１はｐ側電極、２は
絶縁層、３はｐ+ −ＩｎＧａＡｓＰキャップ層、４はｐ
−ＩｎＰ埋め込み層、５はｐ−ＩｎＰクラッド、６はｉ
−ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰからなるＭＱＷ層、７
はｎ−ＩｎＰクラッド層、８はｎ−ＩｎＰスペース層、
９はｎ−ＩｎＧａＡｓＰガイド層、１０はｎ−ＩｎＰ基
板、１１はｎ側電極である。
【０００３】これを製作するには、ｎ−ＩｎＰスペース
層８まで成長させた後、その上に図４に示すように半導
体成長用ＳｉＯ2 マスク１２を形成し、ｐ−ＩｎＰクラ
ッド５まで一括成長させた後、ＳｉＯ2 マスク１２間の
ギャップを広げｐ−ＩｎＰ埋め込み層４，ｐ+ −ＩｎＧ
ａＡｓＰキャップ層３まで成長させる。
層８まで成長させた後、その上に図４に示すように半導
体成長用ＳｉＯ2 マスク１２を形成し、ｐ−ＩｎＰクラ
ッド５まで一括成長させた後、ＳｉＯ2 マスク１２間の
ギャップを広げｐ−ＩｎＰ埋め込み層４，ｐ+ −ＩｎＧ
ａＡｓＰキャップ層３まで成長させる。
【０００４】さて、ＳｉＯ2 マスク上には半導体は成長
しないので、半導体成長時にＳｉＯ2 マスク上に来た半
導体原子は他の場所へ移動することになる。図４に示す
ように、ＳｉＯ2 マスクの幅はＭＱＷ変調器領域用の部
分がＤＦＢ−ＬＤ領域用の部分よりも狭くなっている。
従って、変調器領域におけるＭＱＷ層へ半導体原子が来
る確率はＤＦＢ−ＬＤの領域よりも少なくなる。なぜな
ら、ＤＦＢ−ＬＤ領域では、ＳｉＯ2 の上の原子数が多
く、これらがＤＦＢ−ＬＤのＭＱＷ層を形成する確率も
高くなるからである。つまり、ウェル層の厚みはＤＦＢ
−ＬＤ領域でのＭＱＷ変調器のウェル層の厚みよりも薄
くなる。また、ＳｉＯ2 マスクの幅が広い方が組成がＩ
ｎリッチとなる。これらのことから、ＤＦＢ−ＬＤの発
振波長と比較してＭＱＷ変調器のエキシトンピーク波長
は短波長化できることになり、図３に示すモノリシック
光変調器を一括成長できる。
しないので、半導体成長時にＳｉＯ2 マスク上に来た半
導体原子は他の場所へ移動することになる。図４に示す
ように、ＳｉＯ2 マスクの幅はＭＱＷ変調器領域用の部
分がＤＦＢ−ＬＤ領域用の部分よりも狭くなっている。
従って、変調器領域におけるＭＱＷ層へ半導体原子が来
る確率はＤＦＢ−ＬＤの領域よりも少なくなる。なぜな
ら、ＤＦＢ−ＬＤ領域では、ＳｉＯ2 の上の原子数が多
く、これらがＤＦＢ−ＬＤのＭＱＷ層を形成する確率も
高くなるからである。つまり、ウェル層の厚みはＤＦＢ
−ＬＤ領域でのＭＱＷ変調器のウェル層の厚みよりも薄
くなる。また、ＳｉＯ2 マスクの幅が広い方が組成がＩ
ｎリッチとなる。これらのことから、ＤＦＢ−ＬＤの発
振波長と比較してＭＱＷ変調器のエキシトンピーク波長
は短波長化できることになり、図３に示すモノリシック
光変調器を一括成長できる。
【０００５】ところが、この従来例では、図３の構造か
らわかるように、ＤＦＢ−ＬＤ領域とＭＱＷ光変調領域
との接続領域（ここでは遷移領域と呼ぶ）の形状がテー
パ状となっている。つまり、マスクの遷移領域の形状は
図４に示すように直線のテーパ状となっていた。その結
果、遷移領域のウェル厚と組成はＤＦＢ−ＬＤ領域とＭ
ＱＷ変調器領域のものの中間となり、そのエキシトンピ
ーク波長はＭＱＷ光変調器部よりも長波長化される。そ
のため、この従来例では、ＤＦＢ−ＬＤ光の吸収特性は
ＭＱＷ変調器におけるエキシトンによるものとそれより
長波長側にある遷移領域のエキシトンによるものの重畳
となり、挿入損失が大きくなるとともに吸収特性がシャ
ープでなくなるという問題点があった。
らわかるように、ＤＦＢ−ＬＤ領域とＭＱＷ光変調領域
との接続領域（ここでは遷移領域と呼ぶ）の形状がテー
パ状となっている。つまり、マスクの遷移領域の形状は
図４に示すように直線のテーパ状となっていた。その結
果、遷移領域のウェル厚と組成はＤＦＢ−ＬＤ領域とＭ
ＱＷ変調器領域のものの中間となり、そのエキシトンピ
ーク波長はＭＱＷ光変調器部よりも長波長化される。そ
のため、この従来例では、ＤＦＢ−ＬＤ光の吸収特性は
ＭＱＷ変調器におけるエキシトンによるものとそれより
長波長側にある遷移領域のエキシトンによるものの重畳
となり、挿入損失が大きくなるとともに吸収特性がシャ
ープでなくなるという問題点があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の目的
は、遷移領域におけるエキシトンの影響を抑制し、その
吸収による挿入損失を低減化すると共に、シャープな吸
収特性を実現するための半導体成長用マスクおよびシャ
ープな吸収特性を有する半導体デバイスの製造方法を提
供することにある。
は、遷移領域におけるエキシトンの影響を抑制し、その
吸収による挿入損失を低減化すると共に、シャープな吸
収特性を実現するための半導体成長用マスクおよびシャ
ープな吸収特性を有する半導体デバイスの製造方法を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の半導体成長用マスクは、基板上にそ
れぞれ異なる機能を有する２つ以上の機能部を有する半
導体デバイスを作成するためのマスクであって、前記２
つ以上の機能部を接続する接続導波路用領域におけるマ
スク幅が、前記機能部を成長させるための機能部用領域
におけるマスク幅よりも狭いことを特徴とする。
るために、本発明の半導体成長用マスクは、基板上にそ
れぞれ異なる機能を有する２つ以上の機能部を有する半
導体デバイスを作成するためのマスクであって、前記２
つ以上の機能部を接続する接続導波路用領域におけるマ
スク幅が、前記機能部を成長させるための機能部用領域
におけるマスク幅よりも狭いことを特徴とする。
【０００８】さらに、本発明は、基板上にそれぞれ異な
る機能を有する２つ以上の機能部を有する半導体デバイ
スの製造方法であって、前記半導体デバイスを作成する
ためのマスクを有し、前記マスクの幅が前記２つ以上の
機能部を接続する接続導波路用領域において、前記機能
部を成長させる機能部領域におけるマスク幅よりも狭い
半導体成長用マスクを用い、前記２つ以上の機能部と接
続する接続領域における量子井戸層の厚みを、前記２つ
以上の機能部における量子井戸層の厚みよりも薄くする
ことを特徴とする。
る機能を有する２つ以上の機能部を有する半導体デバイ
スの製造方法であって、前記半導体デバイスを作成する
ためのマスクを有し、前記マスクの幅が前記２つ以上の
機能部を接続する接続導波路用領域において、前記機能
部を成長させる機能部領域におけるマスク幅よりも狭い
半導体成長用マスクを用い、前記２つ以上の機能部と接
続する接続領域における量子井戸層の厚みを、前記２つ
以上の機能部における量子井戸層の厚みよりも薄くする
ことを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明によれば、ＤＦＢ−ＬＤ領域とＭＱＷ変
調器領域との間の遷移領域のマスク幅を上述した両者の
マスク幅よりも狭くすることにより、遷移領域における
エキシトンによる吸収がＭＱＷ変調器におけるエキシト
ンによる吸収と重畳することなく、挿入損失が小さくな
ると共に、吸収特性がシャープになる。
調器領域との間の遷移領域のマスク幅を上述した両者の
マスク幅よりも狭くすることにより、遷移領域における
エキシトンによる吸収がＭＱＷ変調器におけるエキシト
ンによる吸収と重畳することなく、挿入損失が小さくな
ると共に、吸収特性がシャープになる。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の実施例を詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１１】図１は本発明を適用したＳｉＯ2 マスク１
２の上面図である。図１は図４に対応しており、その他
の構造は図３と同様である。
２の上面図である。図１は図４に対応しており、その他
の構造は図３と同様である。
【００１２】図１からわかるように、遷移領域のマスク
はＷ3 はＤＦＢ−ＬＤ領域のマスク幅Ｗ1 のみならず、
ＭＱＷ変調器領域のマスク幅Ｗ2 よりも狭くした。すな
わち、マスクの幅をＷ1 ＞Ｗ2 ＞Ｗ3 に設定した。
はＷ3 はＤＦＢ−ＬＤ領域のマスク幅Ｗ1 のみならず、
ＭＱＷ変調器領域のマスク幅Ｗ2 よりも狭くした。すな
わち、マスクの幅をＷ1 ＞Ｗ2 ＞Ｗ3 に設定した。
【００１３】ｎ−ＩｎＰ基板上に、従来例の図３と同様
に、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰガイド層とｎ−ＩｎＰスペーサ
層をこの順序に積層し、かつ、この上にｎ−ＩｎＰクラ
ッド層を形成した。
に、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰガイド層とｎ−ＩｎＰスペーサ
層をこの順序に積層し、かつ、この上にｎ−ＩｎＰクラ
ッド層を形成した。
【００１４】前述したように、場所によって幅の異なる
マスクを使用し、ＴＭＧ（トリメチルガリウム），ＴＭ
Ｉ（トリメチルインジウム），ＡｓＨ3 （アルシン）お
よびＰＨ3 （ホスフィン）を出発原料として減圧ＭＯＶ
ＰＥ（ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ ｖａｐｏｒ ｐｈａ
ｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ）法を用いてバリア層（ＩｎＧａ
ＡｓＰ層）を形成し、また、同様にしてＴＭＩ，ＡｓＨ
3 およびＰＨ3 を出発原料として減圧ＭＯＶＰＥ法によ
りバリア層上にウェル層（ｉ−ＩｎＧａＡｓ層）を形成
した。このような方法を用いてバリア層とウェル層とを
積層して多重量子井戸層を形成した。
マスクを使用し、ＴＭＧ（トリメチルガリウム），ＴＭ
Ｉ（トリメチルインジウム），ＡｓＨ3 （アルシン）お
よびＰＨ3 （ホスフィン）を出発原料として減圧ＭＯＶ
ＰＥ（ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ ｖａｐｏｒ ｐｈａ
ｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ）法を用いてバリア層（ＩｎＧａ
ＡｓＰ層）を形成し、また、同様にしてＴＭＩ，ＡｓＨ
3 およびＰＨ3 を出発原料として減圧ＭＯＶＰＥ法によ
りバリア層上にウェル層（ｉ−ＩｎＧａＡｓ層）を形成
した。このような方法を用いてバリア層とウェル層とを
積層して多重量子井戸層を形成した。
【００１５】次にｉ−ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ層
（ＭＱＷ層）上に、ｐ−ＩｎＰクラッド層を積層し、以
下は従来例と同様にしてモノリシック光変調器を作製し
た。
（ＭＱＷ層）上に、ｐ−ＩｎＰクラッド層を積層し、以
下は従来例と同様にしてモノリシック光変調器を作製し
た。
【００１６】このようにして作製した光変調器は、マス
ク幅をＷ1 ＞Ｗ2 ＞Ｗ3 に設定したので、遷移領域のｎ
−ＩｎＰ基板８に堆積するＭＱＷ層のウェル層の厚み
は、ＤＦＢ−ＬＤのＭＱＷ層のウェル層の厚みのみなら
ず、ＭＱＷ変調器のＭＱＷ層のウェル層の厚みよりも薄
くなる。
ク幅をＷ1 ＞Ｗ2 ＞Ｗ3 に設定したので、遷移領域のｎ
−ＩｎＰ基板８に堆積するＭＱＷ層のウェル層の厚み
は、ＤＦＢ−ＬＤのＭＱＷ層のウェル層の厚みのみなら
ず、ＭＱＷ変調器のＭＱＷ層のウェル層の厚みよりも薄
くなる。
【００１７】従って、遷移領域に形成されるＭＱＷ層の
エキシトンピーク波長はＭＱＷ変調器領域におけるＭＱ
Ｗ層のエキシトンピーク波長よりも短波長化され、遷移
領域に起因する吸収を抑制することができる。
エキシトンピーク波長はＭＱＷ変調器領域におけるＭＱ
Ｗ層のエキシトンピーク波長よりも短波長化され、遷移
領域に起因する吸収を抑制することができる。
【００１８】図２はこの様子を示した吸収特性図であ
る。遷移領域とＭＱＷ変調器領域におけるそれぞれの２
つのピークは、重い正孔（ｈｅａｖｙ ｈｏｌｅ）と軽
い正孔（ｌｉｇｈｔ ｈｏｌｅ）の吸収ピークである。
本図から、遷移層領域に起因する量子サイズ効果は短波
長化され、ＤＦＢ−ＬＤの発振波長においてはその影響
が抑圧されるとともに、吸収特性がシャープになってい
ることがわかる。
る。遷移領域とＭＱＷ変調器領域におけるそれぞれの２
つのピークは、重い正孔（ｈｅａｖｙ ｈｏｌｅ）と軽
い正孔（ｌｉｇｈｔ ｈｏｌｅ）の吸収ピークである。
本図から、遷移層領域に起因する量子サイズ効果は短波
長化され、ＤＦＢ−ＬＤの発振波長においてはその影響
が抑圧されるとともに、吸収特性がシャープになってい
ることがわかる。
【００１９】ＭＱＷ変調器領域におけるｈｅａｖｙ ｈ
ｏｌｅの吸収ピーク波長は例えば１．４７μｍであり、
ＤＦＢ−ＬＤの発振波長１．５５μｍに極めて近い。そ
のためにｈｅａｖｙ ｈｏｌｅの吸収ピークシフト量が
少なくてすみ、従ってＭＱＷ変調器の駆動電圧を低くす
ることができる。
ｏｌｅの吸収ピーク波長は例えば１．４７μｍであり、
ＤＦＢ−ＬＤの発振波長１．５５μｍに極めて近い。そ
のためにｈｅａｖｙ ｈｏｌｅの吸収ピークシフト量が
少なくてすみ、従ってＭＱＷ変調器の駆動電圧を低くす
ることができる。
【００２０】以上の説明においては、ＤＦＢ−ＬＤとＭ
ＱＷ光変調器のモノリシック構造について述べたが、本
発明は波長可変レーザ等２つ以上のウェル厚を必要とす
る種々のＭＱＷデバイスに適用可能である。また、ここ
ではＭＱＷ層としてｉ−ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ
について述べたが、その他のＭＱＷ材料にも適用可能で
あるし、ＳｉＯ2 以外のマスク材料にも適用可能であ
る。
ＱＷ光変調器のモノリシック構造について述べたが、本
発明は波長可変レーザ等２つ以上のウェル厚を必要とす
る種々のＭＱＷデバイスに適用可能である。また、ここ
ではＭＱＷ層としてｉ−ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ
について述べたが、その他のＭＱＷ材料にも適用可能で
あるし、ＳｉＯ2 以外のマスク材料にも適用可能であ
る。
【００２１】さらに、本発明において、部分的にマスク
の材質を変える、部分的にマスクの厚みや形状を変える
等の構成を取り入れてもよい。
の材質を変える、部分的にマスクの厚みや形状を変える
等の構成を取り入れてもよい。
【００２２】また、遷移領域の形状は直線の場合につい
て説明したが、遷移領域の幅を狭くしておけばテーパや
曲率を持たせてもよいことは言うまでもない。
て説明したが、遷移領域の幅を狭くしておけばテーパや
曲率を持たせてもよいことは言うまでもない。
【００２３】なお、遷移領域のマスクの外側には半導体
が成長することになるが、導波光がこの部分に結合する
ようであれば、マスクの外側に成長したエピタキシャル
膜は最終的にエッチングして除去すればよい。
が成長することになるが、導波光がこの部分に結合する
ようであれば、マスクの外側に成長したエピタキシャル
膜は最終的にエッチングして除去すればよい。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＤＦＢ−ＬＤ領域とＭＱＷ変調器領域との間の遷移領域
のマスク幅を上述した両者のマスク幅よりも狭くすると
いう簡単な方法によって、遷移領域のＭＱＷ層の厚みが
機能部のウェルの厚みより薄くなり、かつその組成も影
響して遷移領域におけるエキシトンによる吸収が短波長
化しＭＱＷ変調器におけるエキシトンによる吸収と重畳
することなく、挿入損失が小さくなると共に、吸収特性
がシャープになる。
ＤＦＢ−ＬＤ領域とＭＱＷ変調器領域との間の遷移領域
のマスク幅を上述した両者のマスク幅よりも狭くすると
いう簡単な方法によって、遷移領域のＭＱＷ層の厚みが
機能部のウェルの厚みより薄くなり、かつその組成も影
響して遷移領域におけるエキシトンによる吸収が短波長
化しＭＱＷ変調器におけるエキシトンによる吸収と重畳
することなく、挿入損失が小さくなると共に、吸収特性
がシャープになる。
【００２５】さらに、遷移領域における吸収損失を抑制
することができると共に、量子サイス効果を抑圧するこ
とができるため、ＭＱＷ変調器の駆動電圧が低くなる。
することができると共に、量子サイス効果を抑圧するこ
とができるため、ＭＱＷ変調器の駆動電圧が低くなる。
【００２６】本発明はマスクの特定の部分の幅を他の部
分より狭くするという簡単な構成なので、素子の製作性
が優れている。
分より狭くするという簡単な構成なので、素子の製作性
が優れている。
【図１】本発明を適用したマスクの模式的上面図であ
る。
る。
【図２】本発明を適用した光変調器の吸収特性図であ
る。
る。
【図３】従来の光変調器の模式的斜視図である。
【図４】従来のマスクの模式的上面図である。
１ ｐ側電極 ２ 絶縁層 ３ ｐ+ −ＩｎＧａＡｓＰキャップ層 ４ ｐ−ＩｎＰ埋め込み層 ５ ｐ−ＩｎＰクラッド ６ ｉ−ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ ７ クラッド層 ８ ＩｎＰスペーサ層 ９ ＩｎＧａＡｓＰガイド層 １０ ｎ−ＩｎＰ基板 １１ ｎ側電極 １２ ＳｉＯ2 マスク
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上にそれぞれ異なる機能を有する２
つ以上の機能部を有する半導体デバイスを作成するため
のマスクであって、前記２つ以上の機能部を接続する接
続導波路用領域におけるマスク幅が、前記機能部を成長
させるための機能部用領域におけるマスク幅よりも狭い
ことを特徴とする半導体デバイス成長用マスク。 - 【請求項２】 基板上にそれぞれ異なる機能を有する２
つ以上の機能部を有する半導体デバイスの製造方法にお
いて、請求項１に記載のマスクを用い、前記２つ以上の
機能部を接続する接続領域における量子井戸層の厚み
を、前記２つ以上の機能部における量子井戸層の厚みよ
りも薄くすることを特徴とする半導体デバイスの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24350591A JPH0582909A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 半導体デバイス成長用マスクおよび半導体デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24350591A JPH0582909A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 半導体デバイス成長用マスクおよび半導体デバイスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582909A true JPH0582909A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17104903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24350591A Pending JPH0582909A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 半導体デバイス成長用マスクおよび半導体デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0582909A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4429772A1 (de) * | 1993-08-20 | 1995-02-23 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren zum Herstellen einer integrierten Modulator-Halbleiterlaservorrichtung |
| US5580818A (en) * | 1994-04-28 | 1996-12-03 | Nec Corporation | Fabrication process for semiconductor optical device |
| US5614436A (en) * | 1992-12-22 | 1997-03-25 | Nec Corporation | Multiple quantum well distributed feedback semiconductor laser device and method for fabricating the same |
| US5770466A (en) * | 1993-01-07 | 1998-06-23 | Nec Corporation | Semiconductor optical integrated circuits and method for fabricating the same |
-
1991
- 1991-09-24 JP JP24350591A patent/JPH0582909A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5614436A (en) * | 1992-12-22 | 1997-03-25 | Nec Corporation | Multiple quantum well distributed feedback semiconductor laser device and method for fabricating the same |
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| DE4429772A1 (de) * | 1993-08-20 | 1995-02-23 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren zum Herstellen einer integrierten Modulator-Halbleiterlaservorrichtung |
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| US5580818A (en) * | 1994-04-28 | 1996-12-03 | Nec Corporation | Fabrication process for semiconductor optical device |
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