JPH0582596A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
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- JPH0582596A JPH0582596A JP3238527A JP23852791A JPH0582596A JP H0582596 A JPH0582596 A JP H0582596A JP 3238527 A JP3238527 A JP 3238527A JP 23852791 A JP23852791 A JP 23852791A JP H0582596 A JPH0582596 A JP H0582596A
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- thermocompression bonding
- electrode
- lead
- lead frame
- electrode lead
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49548—Cross section geometry
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】テープキャリア方式によって製造される半導体
集積回路に用いるリードフレームの電極リードは、熱圧
着で半導体素子に接続されるが、この熱圧着の際の発熱
体が圧接した境界に段部ができ、この段部より発生した
亀裂等により電極リードが切断する事故を皆無とする。 【構成】リードフレームの電極リード3の先端部に熱圧
着用の発熱体6と接触する側に折り返された180°折
り返し部3eを設ける。
集積回路に用いるリードフレームの電極リードは、熱圧
着で半導体素子に接続されるが、この熱圧着の際の発熱
体が圧接した境界に段部ができ、この段部より発生した
亀裂等により電極リードが切断する事故を皆無とする。 【構成】リードフレームの電極リード3の先端部に熱圧
着用の発熱体6と接触する側に折り返された180°折
り返し部3eを設ける。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はリードフレームに関し、
特にテープキャリア方式によって製造される半導体集積
回路の熱圧着方式を接続方法として用いるリードフレー
ムに関する。
特にテープキャリア方式によって製造される半導体集積
回路の熱圧着方式を接続方法として用いるリードフレー
ムに関する。
【0002】
【従来の技術】テープキャリア方式では、ポリイミド樹
脂等でできた絶縁性のフレキシブルなフィルム上に密着
して設けられた導電性の電極リードを有するリードフレ
ームと、半導体素子に設けられた突起電極とを直接熱圧
着する組み立て方式が一般的である。
脂等でできた絶縁性のフレキシブルなフィルム上に密着
して設けられた導電性の電極リードを有するリードフレ
ームと、半導体素子に設けられた突起電極とを直接熱圧
着する組み立て方式が一般的である。
【0003】従来のテープキャリア方式用のリードフレ
ームは、図4に示すように、均質のテープ上のポリイミ
ド等の絶縁性のフィルム1の両外側に等間隔のスプロケ
ットホール2を設けて、中央部にデバイスホール4を開
けてリードパターンを金属腐触法および電気金度金法等
によって連続的に形成する。リードパターンの各電極リ
ード3の先端部3aはデバイスホール4内に突き出るよ
うに形成されて半導体素子5の突起電極に熱圧着され、
他端の電極部3cに探針を接触させて半導体素子5の電
気的な特性を測定することができるようになっている。
ームは、図4に示すように、均質のテープ上のポリイミ
ド等の絶縁性のフィルム1の両外側に等間隔のスプロケ
ットホール2を設けて、中央部にデバイスホール4を開
けてリードパターンを金属腐触法および電気金度金法等
によって連続的に形成する。リードパターンの各電極リ
ード3の先端部3aはデバイスホール4内に突き出るよ
うに形成されて半導体素子5の突起電極に熱圧着され、
他端の電極部3cに探針を接触させて半導体素子5の電
気的な特性を測定することができるようになっている。
【0004】リードパターンは、絶縁性のフィルム1上
に等間隔に形成されているのでフィルム1の両外側に等
間隔に打ち抜かれたスプロケットホール2のピッチに等
しい間隔の突起をもった歯車等により、スプロケットホ
ール2を使ってフィルム1を次々に送ることにより連続
して自動的に作業が行なわれる。
に等間隔に形成されているのでフィルム1の両外側に等
間隔に打ち抜かれたスプロケットホール2のピッチに等
しい間隔の突起をもった歯車等により、スプロケットホ
ール2を使ってフィルム1を次々に送ることにより連続
して自動的に作業が行なわれる。
【0005】このとき、半導体素子5と各電極リード3
は、図5に示すような発熱体6を電極リード3の上方よ
り所定の圧力を加えつつ半導体素子5の突起電極5aに
押しつける事によって熱圧着を行っていた。しかし、従
来のリードフレームは、電極リード3の厚みが一定であ
ったため、熱圧着時の発熱体6の圧力で押しつぶされ圧
接段部3dが生じる。このため、熱圧着後の電極リード
3は、圧接段部3dで極度に強度が弱く容易に切断され
不良となっていた。
は、図5に示すような発熱体6を電極リード3の上方よ
り所定の圧力を加えつつ半導体素子5の突起電極5aに
押しつける事によって熱圧着を行っていた。しかし、従
来のリードフレームは、電極リード3の厚みが一定であ
ったため、熱圧着時の発熱体6の圧力で押しつぶされ圧
接段部3dが生じる。このため、熱圧着後の電極リード
3は、圧接段部3dで極度に強度が弱く容易に切断され
不良となっていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上述のとおり、従来の
リードフレームの電極リードは、熱圧着で半導体素子に
接続されるが、この圧着の際の発熱体が圧接した境界に
圧接段部ができ、後工程ないしは装置への実装後に圧接
段部より発生した亀裂等により容易に電極リードが切断
する事故が発生するという問題点があった。
リードフレームの電極リードは、熱圧着で半導体素子に
接続されるが、この圧着の際の発熱体が圧接した境界に
圧接段部ができ、後工程ないしは装置への実装後に圧接
段部より発生した亀裂等により容易に電極リードが切断
する事故が発生するという問題点があった。
【0007】本発明の目的は、熱圧着の後工程で電極リ
ードが切断する事故のないリードフレームを提供するこ
とにある。
ードが切断する事故のないリードフレームを提供するこ
とにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、中央部に一連
のデバイスホールと外側に一連のスプロケットホールと
を有する長尺の絶縁性フィルム上の前記デバイスホール
の周囲に密着して形成されたリードパターンによって構
成される電極リードを備えたリードフレームにおいて、
それぞれの前記電極リードの先端部が熱圧着用の発熱体
と接触する側に少くとも90°折り返された形状を有す
る。
のデバイスホールと外側に一連のスプロケットホールと
を有する長尺の絶縁性フィルム上の前記デバイスホール
の周囲に密着して形成されたリードパターンによって構
成される電極リードを備えたリードフレームにおいて、
それぞれの前記電極リードの先端部が熱圧着用の発熱体
と接触する側に少くとも90°折り返された形状を有す
る。
【0009】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【0010】図1は本発明の第1の実施例の電極リード
先端部の断面図、図2は図1の電極リードを半導体素子
の突起電極に熱圧着する方法を説明する断面図である。
先端部の断面図、図2は図1の電極リードを半導体素子
の突起電極に熱圧着する方法を説明する断面図である。
【0011】第1の実施例は、図1に示すように、ま
ず、各電極リード3の先端部に、例えば、100μmの
長さで180°折れ曲がった180°折り返し部3eを
形成する。
ず、各電極リード3の先端部に、例えば、100μmの
長さで180°折れ曲がった180°折り返し部3eを
形成する。
【0012】次に、図2に示すように、発熱体6を上方
より所定の圧力を加えつつ半導体素子5の突起電極5a
に押しつける事により熱圧着を行うが、発熱体6で押し
つぶされるのは180°折り返し部3eの部分だけで電
極リード3に関しては熱圧着時の段部の発生が皆無とな
る。
より所定の圧力を加えつつ半導体素子5の突起電極5a
に押しつける事により熱圧着を行うが、発熱体6で押し
つぶされるのは180°折り返し部3eの部分だけで電
極リード3に関しては熱圧着時の段部の発生が皆無とな
る。
【0013】図3は本発明の第2の実施例の電極リード
先端部の断面図である。
先端部の断面図である。
【0014】第2の実施例では、図3に示すように、各
電極リード3の先端部に、例えば、50μmの長さで9
0°に折れ曲がった90°折り返し部3fを形成し、そ
の先端部に発熱体6を押しつけ熱圧着を行う。
電極リード3の先端部に、例えば、50μmの長さで9
0°に折れ曲がった90°折り返し部3fを形成し、そ
の先端部に発熱体6を押しつけ熱圧着を行う。
【0015】第2の実施例では、折り返し角が90°で
あるので第1の実施例に比べ製造工数が短縮できる利点
がある。
あるので第1の実施例に比べ製造工数が短縮できる利点
がある。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、電極リー
ド先端部を発熱体と接触する側に折れ曲がった形状とな
っているので、発熱体を所定の圧力を加えつつ半導体素
子の突起電極に押しつける事により熱圧着を行う際に、
折り返し部分のみが、発熱体で押しつぶされるだけで電
極リードの熱圧着時の段部発生を皆無とすることがで
き、組立後の工程ないしは装置への実装後の電極リード
の切断事故をなくせるという効果を有する。
ド先端部を発熱体と接触する側に折れ曲がった形状とな
っているので、発熱体を所定の圧力を加えつつ半導体素
子の突起電極に押しつける事により熱圧着を行う際に、
折り返し部分のみが、発熱体で押しつぶされるだけで電
極リードの熱圧着時の段部発生を皆無とすることがで
き、組立後の工程ないしは装置への実装後の電極リード
の切断事故をなくせるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の電極リード先端部の断
面図である。
面図である。
【図2】図1の電極リードを半導体素子の突起電極に熱
圧着する方法を説明する断面図である。
圧着する方法を説明する断面図である。
【図3】本発明の第2の実施例の電極リード先端部の断
面図である。
面図である。
【図4】従来のリードフレームの一例に半導体素子を搭
載した平面図である。
載した平面図である。
【図5】従来のリードフレームの電極リードを半導体素
子の突起電極に熱圧着する方法を説明する断面図であ
る。
子の突起電極に熱圧着する方法を説明する断面図であ
る。
【符号の説明】 1 フィルム 2 スプロケットホール 3 電極リード 3a 先端部 3c 電極部 3d 圧接段部 3e 180°折り返し部 3f 90°折り返し部 4 デバイスホール 5 半導体素子 5a 突起電極 6 発熱体
Claims (1)
- 【請求項1】 中央部に一連のデバイスホールと外側に
一連のスプロケットホールとを有する長尺の絶縁性フィ
ルム上の前記デバイスホールの周囲に密着して形成され
たリードパターンによって構成される電極リードを備え
たリードフレームにおいて、それぞれの前記電極リード
の先端部が熱圧着用の発熱体と接触する側に少くとも9
0°折り返された形状を有することを特徴とするリード
フレーム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3238527A JP2970111B2 (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | リードフレーム、半導体装置及びその製造方法 |
US07/947,266 US5359223A (en) | 1991-09-19 | 1992-09-18 | Lead frame used for semiconductor integrated circuits and method of tape carrier bonding of lead frames |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3238527A JP2970111B2 (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | リードフレーム、半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0582596A true JPH0582596A (ja) | 1993-04-02 |
JP2970111B2 JP2970111B2 (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=17031583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3238527A Expired - Lifetime JP2970111B2 (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | リードフレーム、半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5359223A (ja) |
JP (1) | JP2970111B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100625805B1 (ko) * | 2004-05-18 | 2006-09-20 | 엘에스전선 주식회사 | 접착특성이 우수한 절연 및 반도전 액상 실리콘 고무조합체와 이를 만드는 제조방법 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100269219B1 (ko) * | 1996-02-28 | 2000-10-16 | 이중구 | 반도체 리드프레임 및 패키지 방법 |
US6171888B1 (en) * | 1996-03-08 | 2001-01-09 | Lsi Logic Corp. | Multi-layer tab tape having distinct signal, power and ground planes, semiconductor device assembly employing same, apparatus for and method of assembling same |
TW335526B (en) * | 1996-07-15 | 1998-07-01 | Matsushita Electron Co Ltd | A semiconductor and the manufacturing method |
CN101385139B (zh) | 2005-12-21 | 2010-06-23 | 飞思卡尔半导体公司 | 基于引线框架的半导体封装件中或与之相关的改进及其制造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3347442A (en) * | 1965-05-18 | 1967-10-17 | Bendix Corp | Stepped bonding wedge |
US3832769A (en) * | 1971-05-26 | 1974-09-03 | Minnesota Mining & Mfg | Circuitry and method |
US3868724A (en) * | 1973-11-21 | 1975-02-25 | Fairchild Camera Instr Co | Multi-layer connecting structures for packaging semiconductor devices mounted on a flexible carrier |
JPS6342156A (ja) * | 1986-08-08 | 1988-02-23 | Nec Corp | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
US4771330A (en) * | 1987-05-13 | 1988-09-13 | Lsi Logic Corporation | Wire bonds and electrical contacts of an integrated circuit device |
US4980753A (en) * | 1988-11-21 | 1990-12-25 | Honeywell Inc. | Low-cost high-performance semiconductor chip package |
-
1991
- 1991-09-19 JP JP3238527A patent/JP2970111B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-09-18 US US07/947,266 patent/US5359223A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100625805B1 (ko) * | 2004-05-18 | 2006-09-20 | 엘에스전선 주식회사 | 접착특성이 우수한 절연 및 반도전 액상 실리콘 고무조합체와 이를 만드는 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5359223A (en) | 1994-10-25 |
JP2970111B2 (ja) | 1999-11-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990727 |