JPH0582444A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH0582444A JPH0582444A JP23843391A JP23843391A JPH0582444A JP H0582444 A JPH0582444 A JP H0582444A JP 23843391 A JP23843391 A JP 23843391A JP 23843391 A JP23843391 A JP 23843391A JP H0582444 A JPH0582444 A JP H0582444A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- shutter
- semiconductor manufacturing
- shape
- mounting port
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明はウエハに被膜される媒体をシャッタを
用いて制御する構成とされた半導体製造装置に関し、装
置の小型化を図ると共に良好な膜形成を行うことを目的
とする。 【構成】不要なターゲット分子がウエハ１２に付着する
のを防止する防着板１６と、この防着板１６に形成され
ておりウエハ１２の加工時にウエハ１２が装着される装
着口２０と、ウエハ１２の非加工時に装着口２０を閉塞
するシャッタ１９とを設けてなる半導体製造装置におい
て、シャッタ１９の形状をウエハ１２の形状と略同一形
状とすると共に、上記被膜形成時に装着口２０を開放す
るようシャッタ１９を移動させ、かつ、上記非加工時に
シャッタ１９が防着板１６と密着しつつ装着口２０を閉
塞するようシャッタ１９を移動させるシャッタ移動機構
２１を設ける。
用いて制御する構成とされた半導体製造装置に関し、装
置の小型化を図ると共に良好な膜形成を行うことを目的
とする。 【構成】不要なターゲット分子がウエハ１２に付着する
のを防止する防着板１６と、この防着板１６に形成され
ておりウエハ１２の加工時にウエハ１２が装着される装
着口２０と、ウエハ１２の非加工時に装着口２０を閉塞
するシャッタ１９とを設けてなる半導体製造装置におい
て、シャッタ１９の形状をウエハ１２の形状と略同一形
状とすると共に、上記被膜形成時に装着口２０を開放す
るようシャッタ１９を移動させ、かつ、上記非加工時に
シャッタ１９が防着板１６と密着しつつ装着口２０を閉
塞するようシャッタ１９を移動させるシャッタ移動機構
２１を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置に係り、
特にウエハに被膜される媒体をシャッタを用いて制御す
る構成とされた半導体製造装置に関する。
特にウエハに被膜される媒体をシャッタを用いて制御す
る構成とされた半導体製造装置に関する。
【０００２】例えばスパッタリング装置等の半導体製造
装置では、装置起動時にはターゲット表面に存在する不
純物の影響や放電がまだ不安定である等の理由により、
ウエハに対し安定した薄膜を形成できない。よって、半
導体製造装置がこのようにウエハに対し安定した薄膜を
形成できない状態には、ウエハをシャッタで覆い、ター
ゲットから飛散してくる分子がウエハに付着しないよう
構成している。
装置では、装置起動時にはターゲット表面に存在する不
純物の影響や放電がまだ不安定である等の理由により、
ウエハに対し安定した薄膜を形成できない。よって、半
導体製造装置がこのようにウエハに対し安定した薄膜を
形成できない状態には、ウエハをシャッタで覆い、ター
ゲットから飛散してくる分子がウエハに付着しないよう
構成している。
【０００３】また近年の半導体素子は高密度化，高精度
化が飛躍的に進んでおり、これに対応すべく半導体製造
装置の加工精度の向上が望まれている。一方、半導体製
造ラインにおいては製造ラインの合理化の面より半導体
製造装置の小型化が望まれている。
化が飛躍的に進んでおり、これに対応すべく半導体製造
装置の加工精度の向上が望まれている。一方、半導体製
造ラインにおいては製造ラインの合理化の面より半導体
製造装置の小型化が望まれている。
【０００４】よって、上記のようにシャッタを有する半
導体製造装置においても加工精度の向上及び装置の小型
化が望まれている。
導体製造装置においても加工精度の向上及び装置の小型
化が望まれている。
【０００５】
【従来の技術】図５は従来における半導体製造装置の一
例を示している。ここではスパッタリング装置１を例に
挙げて説明するものとし、図には説明の便宜上、ターゲ
ット２近傍の構成のみを示している。
例を示している。ここではスパッタリング装置１を例に
挙げて説明するものとし、図には説明の便宜上、ターゲ
ット２近傍の構成のみを示している。
【０００６】ターゲット２の前方位置には、このターゲ
ット２を囲繞するように碗状のターゲット側防着板３が
配設されている。このターゲット側防着板３のターゲッ
ト２と対向する中央位置には、開口４が形成されてい
る。
ット２を囲繞するように碗状のターゲット側防着板３が
配設されている。このターゲット側防着板３のターゲッ
ト２と対向する中央位置には、開口４が形成されてい
る。
【０００７】また、ターゲット側防着板３から所定位置
離間した位置にはウエハ側防着板５が配設されると共
に、このウエハ側防着板５の上記開口４と対向する位置
には、ウエハ６を装着しうる構成でウエハ装着口７が形
成されている。
離間した位置にはウエハ側防着板５が配設されると共
に、このウエハ側防着板５の上記開口４と対向する位置
には、ウエハ６を装着しうる構成でウエハ装着口７が形
成されている。
【０００８】このウエハ装着口７はウエハ６の形状より
も若干小さな形状とされており、また図示しない装着機
構によりウエハ６はウエハ側防着板５に押圧される構成
となっている。よって、ウエハ６はその外周縁がウエハ
装着口７の縁部と係合することにより、ウエハ側防着板
５に装着される。
も若干小さな形状とされており、また図示しない装着機
構によりウエハ６はウエハ側防着板５に押圧される構成
となっている。よって、ウエハ６はその外周縁がウエハ
装着口７の縁部と係合することにより、ウエハ側防着板
５に装着される。
【０００９】シャッタ８は、ターゲット側防着板３とウ
エハ側防着板５との間に位置するよう構成されている。
このシャッタ８は、図示しないシャッタ移動機構により
移動する構成とされており、上記のようにスパッタリン
グ装置１がウエハ６に対し安定した薄膜を形成できない
場合に、開口４及びウエハ装着口７を閉塞しターゲット
２から飛散してくる分子がウエハ６に付着しないよう機
能するものである。
エハ側防着板５との間に位置するよう構成されている。
このシャッタ８は、図示しないシャッタ移動機構により
移動する構成とされており、上記のようにスパッタリン
グ装置１がウエハ６に対し安定した薄膜を形成できない
場合に、開口４及びウエハ装着口７を閉塞しターゲット
２から飛散してくる分子がウエハ６に付着しないよう機
能するものである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記のスパ
ッタリング装置１では、シャッタ８の構成に起因して次
のような種々の問題点を有していた。
ッタリング装置１では、シャッタ８の構成に起因して次
のような種々の問題点を有していた。
【００１１】 二つの防着板３，５を必要とするため
スパッタリング装置１の構造が複雑となり、装置が大型
化してしまう。
スパッタリング装置１の構造が複雑となり、装置が大型
化してしまう。
【００１２】 部品点数が多くなることより装置のコ
ストが上昇してしまう。
ストが上昇してしまう。
【００１３】 防着板３，５が複雑な形状となるため
ターゲット２から飛び出した分子が付着し易くなり、こ
れが後に剥離して塵埃が発生する原因となる。
ターゲット２から飛び出した分子が付着し易くなり、こ
れが後に剥離して塵埃が発生する原因となる。
【００１４】 ターゲット側防着板３に形成される開
口４は、ターゲット２から打ち出された分子が効率よく
ウエハ６に付着するよう、ウエハ６の径寸法に対して大
きな径寸法とされている。このため、シャッタ８もウエ
ハ６の大きさに対して十分に大きくする必要があり、こ
れに伴い装置が大型化してしまう。
口４は、ターゲット２から打ち出された分子が効率よく
ウエハ６に付着するよう、ウエハ６の径寸法に対して大
きな径寸法とされている。このため、シャッタ８もウエ
ハ６の大きさに対して十分に大きくする必要があり、こ
れに伴い装置が大型化してしまう。
【００１５】 シャッタ８が大型化することに伴い、
装置内にシャッタ８の移動空間を大きく取る必要があ
り、これによっても装置が大型化してしまう。
装置内にシャッタ８の移動空間を大きく取る必要があ
り、これによっても装置が大型化してしまう。
【００１６】一方、シャッタ８を有した半導体製造装置
では、上記のように種々の問題点が生じるため、シャッ
タを用いない構成の半導体製造装置も提案されている。
この半導体製造装置は、スパッタガンの電源のＯＮ／Ｏ
ＦＦによりウエハに対する分子の付着を制御する構成と
されている。
では、上記のように種々の問題点が生じるため、シャッ
タを用いない構成の半導体製造装置も提案されている。
この半導体製造装置は、スパッタガンの電源のＯＮ／Ｏ
ＦＦによりウエハに対する分子の付着を制御する構成と
されている。
【００１７】しかるに、このシャッタを用いない半導体
製造装置では、スパッタガンの電源ＯＦＦの時間が長く
なると、ターゲット表面でガスの吸着が生じて不純物が
生成され、ターゲットをクリーンな状態に維持する事が
出来なくなる。このため、上記の半導体製造装置では、
ダミーウエハ等を用いてクリーニング処理が必要とな
り、その作業が面倒であるという問題点がある。このク
リーニング処理を怠った場合には、ウエハ上に形成され
る薄膜の純度及び精度が低下してしまう。
製造装置では、スパッタガンの電源ＯＦＦの時間が長く
なると、ターゲット表面でガスの吸着が生じて不純物が
生成され、ターゲットをクリーンな状態に維持する事が
出来なくなる。このため、上記の半導体製造装置では、
ダミーウエハ等を用いてクリーニング処理が必要とな
り、その作業が面倒であるという問題点がある。このク
リーニング処理を怠った場合には、ウエハ上に形成され
る薄膜の純度及び精度が低下してしまう。
【００１８】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、装置の小型化を図りうると共に良好な膜形成を行
いうる半導体製造装置を提供することを目的とする。
あり、装置の小型化を図りうると共に良好な膜形成を行
いうる半導体製造装置を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、ウエハに被膜形成される媒体が飛散す
る通路途中に配設され、不要な媒体がウエハに付着する
のを防止する防着板と、この防着板に形成されており、
上記媒体をウエハに膜形成する際、ウエハが装着される
装着口と、上記ウエハの非加工時に装着口を閉塞するシ
ャッタとを設けてなる半導体製造装置において、上記シ
ャッタの形状をウエハの形状と略同一形状とすると共
に、上記被膜形成時に装着口を開放するようシャッタを
移動させ、かつ、上記非加工時にシャッタが開防着板と
密着しつつ装着口を閉塞するようシャッタを移動させる
シャッタ移動機構を設けたことを特徴とするものであ
る。
に、本発明では、ウエハに被膜形成される媒体が飛散す
る通路途中に配設され、不要な媒体がウエハに付着する
のを防止する防着板と、この防着板に形成されており、
上記媒体をウエハに膜形成する際、ウエハが装着される
装着口と、上記ウエハの非加工時に装着口を閉塞するシ
ャッタとを設けてなる半導体製造装置において、上記シ
ャッタの形状をウエハの形状と略同一形状とすると共
に、上記被膜形成時に装着口を開放するようシャッタを
移動させ、かつ、上記非加工時にシャッタが開防着板と
密着しつつ装着口を閉塞するようシャッタを移動させる
シャッタ移動機構を設けたことを特徴とするものであ
る。
【００２０】
【作用】上記構成とされた半導体製造装置では、非加工
時にシャッタが防着板と密着しつつ装着口を閉塞する構
成であるため防着板は一つで足り、またシャッタの形状
をウエハの形状と略同一形状とすることにより装着口の
大きさもウエハの形状と略同一の大きさとすることがで
きると共にシャッタの移動空間が小さくなるため、装置
の小型化を図ることができる。また、非加工時にシャッ
タが防着板と密着しつつ装着口を閉塞するため、装着口
は間隙無く閉塞され、媒体がウエハに付着することはな
く、ウエハに対し良好な膜形成を行うことができる。
時にシャッタが防着板と密着しつつ装着口を閉塞する構
成であるため防着板は一つで足り、またシャッタの形状
をウエハの形状と略同一形状とすることにより装着口の
大きさもウエハの形状と略同一の大きさとすることがで
きると共にシャッタの移動空間が小さくなるため、装置
の小型化を図ることができる。また、非加工時にシャッ
タが防着板と密着しつつ装着口を閉塞するため、装着口
は間隙無く閉塞され、媒体がウエハに付着することはな
く、ウエハに対し良好な膜形成を行うことができる。
【００２１】
【実施例】次に本発明の実施例について図面と共に説明
する。本実施例では半導体製造装置としてスパッタリン
グ装置１０を例に挙げて説明する。図１は本発明の一実
施例であるスパッタリング装置１０を示す断面図であ
り、図２は後述するスパッタガンを取り外した状態のス
パッタリング装置１０を示す平面図である。
する。本実施例では半導体製造装置としてスパッタリン
グ装置１０を例に挙げて説明する。図１は本発明の一実
施例であるスパッタリング装置１０を示す断面図であ
り、図２は後述するスパッタガンを取り外した状態のス
パッタリング装置１０を示す平面図である。
【００２２】図中、１１はチャンバであり、接続された
真空ポンプ（図示せず）により所定の真空度に保たれる
構成となっている。このチャンバ１１の下部には、ウエ
ハ１２が載置されるウエハステージ１３が配設されてい
る。ウエハステージ１３の内部にはヒータが組み込まれ
ており、加工時（スパッタリング時）にウエハ１２を加
熱する構成となっている。また、ウエハステージ１３下
部には昇降機構１４が設けられており、この昇降機構１
４によりウエハステージ１３は昇降動作しうるよう構成
されている。
真空ポンプ（図示せず）により所定の真空度に保たれる
構成となっている。このチャンバ１１の下部には、ウエ
ハ１２が載置されるウエハステージ１３が配設されてい
る。ウエハステージ１３の内部にはヒータが組み込まれ
ており、加工時（スパッタリング時）にウエハ１２を加
熱する構成となっている。また、ウエハステージ１３下
部には昇降機構１４が設けられており、この昇降機構１
４によりウエハステージ１３は昇降動作しうるよう構成
されている。
【００２３】また、チャンバ１１の上部には、スパッタ
ガン１５及び防着板１６が配設されている。スパッタガ
ン１５の内部にはマグネトロンスパッタを構成するため
の磁石１７が設けられると共に、ウエハ１２と対向する
位置にはターゲット１８が装着される。このスパッタガ
ン１５は、磁石１７に高周波電流を印加することにより
ターゲット１８よりターゲット１８を構成する分子（媒
体）をウエハ１２に向け飛散させる。
ガン１５及び防着板１６が配設されている。スパッタガ
ン１５の内部にはマグネトロンスパッタを構成するため
の磁石１７が設けられると共に、ウエハ１２と対向する
位置にはターゲット１８が装着される。このスパッタガ
ン１５は、磁石１７に高周波電流を印加することにより
ターゲット１８よりターゲット１８を構成する分子（媒
体）をウエハ１２に向け飛散させる。
【００２４】防着板１６は、ウエハ１２とターゲット１
８との間の位置、即ちウエハ１２に被膜形成されるター
ゲット１８より飛び出した分子が飛散する通路途中に一
つのみ配設され、後述するシャッタ１９と協働して不要
なターゲット分子がウエハ１２に付着するのを防止する
機能を奏する。この防着板１６は碗状形状を有し、ウエ
ハ１２と対向するその中央位置には、装着口２０が形成
されている。装着口２０は、ウエハ１２と対応した形状
を有しており、その大きさはウエハ１２よりも若干小さ
な大きさとされている。この装着口２０は、加工時にお
いてウエハ１２が装着され、また被加工時にはシャッタ
１９が装着される。
８との間の位置、即ちウエハ１２に被膜形成されるター
ゲット１８より飛び出した分子が飛散する通路途中に一
つのみ配設され、後述するシャッタ１９と協働して不要
なターゲット分子がウエハ１２に付着するのを防止する
機能を奏する。この防着板１６は碗状形状を有し、ウエ
ハ１２と対向するその中央位置には、装着口２０が形成
されている。装着口２０は、ウエハ１２と対応した形状
を有しており、その大きさはウエハ１２よりも若干小さ
な大きさとされている。この装着口２０は、加工時にお
いてウエハ１２が装着され、また被加工時にはシャッタ
１９が装着される。
【００２５】上記防着板１６の側部位置には、シャッタ
移動機構２１が配設されている。シャッタ移動機構２１
は、シャッタ１９，アーム２２，駆動軸２３等により構
成されている。シャッタ１９はウエハ１２と同一形状と
されており、アーム２２に取り付けられている。またア
ーム２２は駆動軸２３に取り付けられており、駆動軸２
３の回転によりシャッタ１９は移動しうる構成となって
いる。駆動軸２３は、アーム２２を図２中矢印Ａ1,Ａ2
で示す方向に回動させると共に、図１中矢印Ｂ 1,Ｂ2 で
示す方向にも移動しうる構成とされている。
移動機構２１が配設されている。シャッタ移動機構２１
は、シャッタ１９，アーム２２，駆動軸２３等により構
成されている。シャッタ１９はウエハ１２と同一形状と
されており、アーム２２に取り付けられている。またア
ーム２２は駆動軸２３に取り付けられており、駆動軸２
３の回転によりシャッタ１９は移動しうる構成となって
いる。駆動軸２３は、アーム２２を図２中矢印Ａ1,Ａ2
で示す方向に回動させると共に、図１中矢印Ｂ 1,Ｂ2 で
示す方向にも移動しうる構成とされている。
【００２６】シャッタ１９が上記装着口２０を閉塞する
時、駆動軸２３はアーム２２を図中矢印Ａ1 方向に回動
させると共に、Ｂ1 方向に移動させる。また、シャッタ
１９が装着口２０を開放する時、駆動軸２３はアーム２
２を図中矢印Ａ2 方向に回動させると共に、Ｂ2 方向に
移動させる。そして、アーム２２がシャッタ１９が装着
口２０を閉塞した状態において、シャッタ１９は防着板
１６に押し付けられるよう構成されている。尚、図中２
４は、アーム２２がＡ2 方向に回動した際、シャッタ１
９が収納されるシャッタ収納チャンバである。
時、駆動軸２３はアーム２２を図中矢印Ａ1 方向に回動
させると共に、Ｂ1 方向に移動させる。また、シャッタ
１９が装着口２０を開放する時、駆動軸２３はアーム２
２を図中矢印Ａ2 方向に回動させると共に、Ｂ2 方向に
移動させる。そして、アーム２２がシャッタ１９が装着
口２０を閉塞した状態において、シャッタ１９は防着板
１６に押し付けられるよう構成されている。尚、図中２
４は、アーム２２がＡ2 方向に回動した際、シャッタ１
９が収納されるシャッタ収納チャンバである。
【００２７】続いて、上記構成とされたスパッタリング
装置１０の動作について説明する。
装置１０の動作について説明する。
【００２８】装置起動時のように、スパッタリング装置
１０が安定せずウエハ１２に良好な薄膜を形成できない
装置状態の場合、シャッタ１９により装着口２０を閉塞
し、所謂シャッタ１９に対して空とばしを行う。このた
め、シャッタ移動機構２１を駆動させ、アーム２２を図
中矢印Ａ1 方向に回動させると共にＢ1 方向に移動さ
せ、シャッタ１９を防着板１６に押圧させつつ装着口２
０を閉塞する（この状態を図３に拡大して示す）。
１０が安定せずウエハ１２に良好な薄膜を形成できない
装置状態の場合、シャッタ１９により装着口２０を閉塞
し、所謂シャッタ１９に対して空とばしを行う。このた
め、シャッタ移動機構２１を駆動させ、アーム２２を図
中矢印Ａ1 方向に回動させると共にＢ1 方向に移動さ
せ、シャッタ１９を防着板１６に押圧させつつ装着口２
０を閉塞する（この状態を図３に拡大して示す）。
【００２９】この際、シャッタ１９は防着板１６に押し
付けられつつ装着口２０を閉塞するため、装着口２０は
確実に閉塞される。この構成とすることにより、ターゲ
ット１８から飛び出したターゲット分子が装着口２０を
通過することを確実に防止することができるため、ウエ
ハ１２に不良薄膜が形成されるのを確実に防止すること
ができる。
付けられつつ装着口２０を閉塞するため、装着口２０は
確実に閉塞される。この構成とすることにより、ターゲ
ット１８から飛び出したターゲット分子が装着口２０を
通過することを確実に防止することができるため、ウエ
ハ１２に不良薄膜が形成されるのを確実に防止すること
ができる。
【００３０】一方、スパッタリング装置１０が安定し、
ウエハ１２に良好な薄膜を形成できる装置状態となる
と、装着口２０を開放しウエハ１２に対し膜形成を開始
する。このため、シャッタ移動機構２１を駆動させ、ア
ーム２２を図中矢印Ａ2 方向に回動させると共にＢ2 方
向に移動させ、シャッタ１９を移動させて装着口２０を
開放する。このように装着口２０が開放されると、続い
て昇降機構１４が作動しウエハ１２を載置したウエハス
テージ１３が上動し、ウエハ１２は防着板１６に押し付
けられつつ装着口２０に装着され、ウエハ１２に対する
スパッタリングが開始される（この状態を図４に拡大し
て示す）。
ウエハ１２に良好な薄膜を形成できる装置状態となる
と、装着口２０を開放しウエハ１２に対し膜形成を開始
する。このため、シャッタ移動機構２１を駆動させ、ア
ーム２２を図中矢印Ａ2 方向に回動させると共にＢ2 方
向に移動させ、シャッタ１９を移動させて装着口２０を
開放する。このように装着口２０が開放されると、続い
て昇降機構１４が作動しウエハ１２を載置したウエハス
テージ１３が上動し、ウエハ１２は防着板１６に押し付
けられつつ装着口２０に装着され、ウエハ１２に対する
スパッタリングが開始される（この状態を図４に拡大し
て示す）。
【００３１】前記したようにシャッタ１９の形状はウエ
ハ１２と同一形状とされておりその形状は小さい。この
ため、シャッタ１９を移動させるために設けられるシャ
ッタ収納チャンバ２４の形状は小さくてすむため、スパ
ッタリング装置１０の小型化を図ることができる。
ハ１２と同一形状とされておりその形状は小さい。この
ため、シャッタ１９を移動させるために設けられるシャ
ッタ収納チャンバ２４の形状は小さくてすむため、スパ
ッタリング装置１０の小型化を図ることができる。
【００３２】また、シャッタ１９の形状をウエハ１２と
同一形状とすることにより、装着口２０にウエハ１２及
びシャッタ１９を共に装着することが可能となる。よっ
て、従来二つの装着板で奏していた機能を一つの防着板
１６で行わせることができ、部品点数の削減，装置の小
型化及びコストの低減を図ることができる。また、チャ
ンバ１１内の構造が簡単化するため、塵埃の発生を防止
することができる。更に、装着口２０も従来に比べて小
さくできるため、防着板１６の小型化、延いてはスパッ
タリング装置１０の小型化を図ることができる。
同一形状とすることにより、装着口２０にウエハ１２及
びシャッタ１９を共に装着することが可能となる。よっ
て、従来二つの装着板で奏していた機能を一つの防着板
１６で行わせることができ、部品点数の削減，装置の小
型化及びコストの低減を図ることができる。また、チャ
ンバ１１内の構造が簡単化するため、塵埃の発生を防止
することができる。更に、装着口２０も従来に比べて小
さくできるため、防着板１６の小型化、延いてはスパッ
タリング装置１０の小型化を図ることができる。
【００３３】尚、上記した実施例では、半導体製造装置
としてスパッタリング装置１０を例に挙げて説明した
が、本発明の適用はスパッタリング装置に限定されるも
のではなく、たとえば化学的気相成長法（ＣＶＤ：Chem
ical Vapor Deposition)等に適用することも可能であ
る。
としてスパッタリング装置１０を例に挙げて説明した
が、本発明の適用はスパッタリング装置に限定されるも
のではなく、たとえば化学的気相成長法（ＣＶＤ：Chem
ical Vapor Deposition)等に適用することも可能であ
る。
【００３４】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、防着板は一
つで済み、かつシャッタ及び装着口を小さくできるた
め、装置の小型化及び低コスト化を図ることができると
共に、所謂空とばし時にターゲット分子がウエハに付着
することを確実に防止することができるため、ウエハに
対して良好な薄膜形成を行うことができる等の特長を有
する。
つで済み、かつシャッタ及び装着口を小さくできるた
め、装置の小型化及び低コスト化を図ることができると
共に、所謂空とばし時にターゲット分子がウエハに付着
することを確実に防止することができるため、ウエハに
対して良好な薄膜形成を行うことができる等の特長を有
する。
【図１】本発明の一実施例である半導体製造装置の断面
図である。
図である。
【図２】図１に示す半導体製造装置においてスパッタガ
ンを取り外した状態を示す平面図である。
ンを取り外した状態を示す平面図である。
【図３】非加工状態における防着板近傍を拡大して示す
図である。
図である。
【図４】加工状態における防着板近傍を拡大して示す図
である。
である。
【図５】従来における半導体製造装置の位置を示す図で
ある。
ある。
１０ スパッタリング装置 １１ チャンバ １２ ウエハ １３ ウエハステージ １４ 昇降機構 １５ スパッタガン １６ 防着板 １８ ターゲット １９ シャッタ ２０ 装着口 ２１ シャッタ移動機構 ２２ アーム ２３ 駆動軸 ２４ シャッタ収納チャンバ
Claims (1)
- 【請求項１】 ウエハ（１２）に被膜形成される媒体が
飛散する通路途中に配設され、不要な媒体が該ウエハ
（１２）に付着するのを防止する防着板（１６）と、 該防着板（１６）に形成されており、該媒体を該ウエハ
（１２）に膜形成する際、該ウエハ（１２）が装着され
る装着口（２０）と、 該ウエハ（１２）の非加工時に該装着口（２０）を閉塞
するシャッタ（１９）とを設けてなる半導体製造装置に
おいて、 該シャッタ（１９）の形状を該ウエハ（１２）の形状と
略同一形状とすると共に、 上記被膜形成時に該装着口（２０）を開放するよう該シ
ャッタ（１９）を移動させ、かつ、上記非加工時に該シ
ャッタ（１９）が該防着板（１６）と密着しつつ該装着
口（２０）を閉塞するよう該シャッタ（１９）を移動さ
せるシャッタ移動機構（２１）を設けたことを特徴とす
る半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23843391A JPH0582444A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23843391A JPH0582444A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582444A true JPH0582444A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17030145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23843391A Withdrawn JPH0582444A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0582444A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6309525B2 (en) * | 1998-02-17 | 2001-10-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Sputtering apparatus capable of changing distance between substrate and deposition preventing plate used for film formation |
| DE10122070B4 (de) * | 2001-05-07 | 2005-07-07 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Kathodenzerstäubungskammer zum Aufbringen von Material auf der Oberfläche einer in der Kammer befindlichen Halbleiterscheibe |
| JP2012177191A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-09-13 | Canon Inc | 成膜装置及び成膜方法 |
-
1991
- 1991-09-18 JP JP23843391A patent/JPH0582444A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6309525B2 (en) * | 1998-02-17 | 2001-10-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Sputtering apparatus capable of changing distance between substrate and deposition preventing plate used for film formation |
| DE10122070B4 (de) * | 2001-05-07 | 2005-07-07 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Kathodenzerstäubungskammer zum Aufbringen von Material auf der Oberfläche einer in der Kammer befindlichen Halbleiterscheibe |
| JP2012177191A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-09-13 | Canon Inc | 成膜装置及び成膜方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981203 |