JPH0579667B2

JPH0579667B2 -

Info

Publication number: JPH0579667B2
Application number: JP59261198A
Authority: JP
Inventors: Juko Takahashi; Tatsuo Kanechika; Eizo Okino; Juzo Maekawa; Haruki Okamura; Shinichi Yago; Tamaki Ishii
Original assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date: 1984-12-11
Filing date: 1984-12-11
Publication date: 1993-11-04
Also published as: JPS61140566A; US4670489A

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は一般式（）

【化】（式中、R₂は水素、炭素数１〜３のアルキル
基または炭素数１〜18のアシル基を表し；は１
〜３の整数を、ｎは１または２を表し；ｎが１の
とき、R₁は水酸基が置換してもよい炭素数１〜
20の１価の炭化水素基を表し；ｎが２のとき、
R₁は直接結合を表すかまたは、基中に異種原子
が介在してもよい炭素数１〜26の２価の炭化水素
基を表す。）で示されるピペリジン誘導体、その
製造方法およびこれらを有効成分とする有機物質
用安定剤に関する。ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリウレタン、ABS樹脂等の合成樹脂およ
び塗料などの有機物質は光により劣化し、軟化、
脆化または変色などの現象を伴つて、その物性が
著しく低下することは良く知られている。このような光による劣化を防止する目的で、従
来より各種の光安定剤、例えば２−ヒドロキシ−
４−メトキシベンゾフエノン、２−ヒドロキシ−
４−ｎ−オクトキシベンゾフエノン、２−（２−
ヒドロキシ−５−メチルフエニル）ベンゾトリア
ゾール、２−（２−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチル
−５−メチルフエニル）−５−クロロベンゾトリ
アゾール、２−（２−ヒドロキシ−３，５−ジペ
ンチルフエニル）ベンゾトリアゾール、エチル−
２−シアノ−３，３−ジフエニルアクリレート、
２，４−ジ−ｔ−ブチルフエニル−３，５−ジ−
ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンゾエート、〔２，
2′−チオビス（４−ｔ−オクチルフエノラト）〕−
ｎ−ブチルアミン・ニツケル（）、ビス（３，
５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジルホ
スホリツクアシドモノエチルエステル）のNi塩、
ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペ
リジル）セバケートなどを使用することが知られ
ているが、これらの光安定剤は耐光性の点でまだ
充分満足すべきものではない。本発明者らはこれらの点に解決を与えるべく
種々検討の結果、前記一般式（）で示されるピ
ペリジン誘導体が、合成樹脂および塗料などの有
機物質に対する光による劣化の防止に非常にすぐ
れた効果を有することを見出し、本発明に至つ
た。本発明の前記一般式（）で示されるピペリジ
ン誘導体は本発明者らによつて初めて合成された
化合物であり、 (i) 一般式（）

【化】（式中、R₁，およびｎは前記と同じ意味を
示し、R₃は炭素数１〜４のアルキル基を示す。）で示されるイミノジアルカン酸誘導体と一般式
（）

【化】（式中、R₂は前記と同じ意味を示す。）で示されるピペリジノール誘導体とを反応せしめ
るか、あるいは (ii) 一般式（）

【化】（式中、R₂，は前記と同じ意味を示す。）で示されるイミノジアルカン酸誘導体と一般式
（）

【化】（式中、R₁，ｎは前記と同じ意味を、Ｘはハ
ロゲン原子を示す。）で示されるカルボン酸ハライドとを反応せしめる
等の方法により製造することができる。ここで、R₁は、具体的には１価または２価の
カルボン酸からカルボキシル基を除いてできる残
基であり、下記(a)〜(j)のグループが例示される。 (a) 炭素数１〜20の非環状脂肪族基である１価の
カルボン酸残基。具体的には、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イ
ソ酪酸、吉草酸、カプロン酸、カプリル酸、カ
プリン酸、ラウリン酸、パルミチン酸、ステア
リン酸などの残基が挙げられる。 (b) (a)で示した非環状脂肪族基の末端に環状脂肪
族基が結合した炭素数20までの１価の基。 (c) (a)で示した非環状脂肪族基の末端に芳香族基
が結合した炭素数20までの１価の基。 (d) １価の芳香族基または環状脂肪族基。具体的には、安息香酸残基およびシクロヘキ
サンカルボン酸残基が挙げられる。 (e) 炭素数１〜18の非環状脂肪族基である２価の
カルボン酸残基。具体的には、マロン酸、マレイン酸、コハク
酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、ス
ベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、テトラ
デカン−１，14−ジカルボン酸、オクタデカン
−１，18−ジカルボン酸、６−エチルドデカン
−１，12−ジカルボン酸、７−エチルヘキサデ
カン−１，16−ジカルボン酸などの２価のカル
ボン酸残基が挙げられる。 (f) 直接結合である２価の基。換言すれば、シュウ酸残基である。 (g) 炭素数５〜16の環状脂肪族基である２価のカ
ルボン酸残基。具体的には、１，２−シクロペンタンジカル
ボン酸、１，１−シクロペンタンジ酢酸、１，
２−シクロヘキサンジカルボン酸、１，４−シ
クロヘキサンジカルボン酸、１，１−シクロヘ
キサンジ酢酸、１，１−シクロトリデカンジ酢
酸、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸
などの残基が挙げられる。 (h) 炭素数６または10の芳香族基である２価のカ
ルボン酸残基。具体的には、フタル酸、イソフタル酸、テレ
フタル酸、１，４−ナフタレンジカルボン酸、
１，８−ナフタレンジカルボン酸などの残基が
挙げられる。 (i) 側鎖または主鎖に芳香族基を含有した脂肪族
基であつて、脂肪族部分の炭素数が１〜16であ
る２価のカルボン酸残基。具体的には、フエニルマロン酸、ｏ−フエニ
レンジ酢酸、ｍ−フエニレンジ酢酸、ｐ−フエ
ニレンジ酢酸、７，８−ジフエニルテトラデカ
ン−１，14−ジカルボン酸などの残基が挙げ
られる。 (j) 基中に窒素、イオウなどの異種原子が介在す
る炭素数２〜20の２価のカルボン酸残基。またR₂としては、水素のほか、メチル、エチ
ル、イソプロピルなどのアルキル基、およびアセ
チル、プロピオニル、バレリル、パルミトイル、
ステアロイル、オレオイルなどのアシル基が例示
でき、R₃としては、メチル、エチル、ｎ−プロ
ピル、ｎ−ブチル、イソブチルなどのアルキル基
が例示できる。さらに、−CH₂−として具体
的には、メチレン基、エチレン基、イソプロピレ
ン基、トリメチレン基などが例示できる。（）の反応は無溶媒または溶媒中で行なうこ
とができる。溶媒としては、トルエン、キシレン
等の芳香族炭化水素、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタ
ン等の脂肪族炭化水素、シクロヘキサン等の脂環
式炭化水素、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジ
メチルスルホキシド、スルホラン等の水溶性極性
溶媒、エーテル、THF、ジオキサン、メチルセ
ロソルブ等のエーテル類およびメタノール等のア
ルコール類を用いることができる。この反応はエステル交換反応であり、通常塩基
性触媒を用いて反応を促進させることができる。
塩基性触媒としては、水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム、水酸化リチウム等の金属水酸化物、水
素化ホウ素ナトリウム、水素化ナトリウム、水素
化リチウム等の水素化物、ナトリウムアミド、リ
チウムアミド等の金属アミド、カリウムｔ−ブト
キシド、ナトリウムメトキシド、ナトリウムフエ
ノキシド等のアルカリ金属アルコキシド、アルカ
リ金属フエノキシド等が例示される。これらの中
で好ましい触媒はカリウムｔ−ブトキシド、リチ
ウムアミド、水酸化ナトリウムである。かかる触
媒の使用量は出発原料の一般式（）で示される
ピペリジノール誘導体１モルに対して、0.01〜３
モル倍、好ましくは0.1〜１モル倍の範囲である。反応温度は０〜200℃、好ましくは30〜160℃の
範囲である。一般式（）で示されるピペリジノール誘導体
と一般式（）で示されるイミノジアルカン酸誘
導体の反応モル比は、ｎ＝１のときは、（）：
（）＝２：１〜５：１の範囲であり、ｎ＝２のと
きは（）：（）＝４：１〜10：１の範囲である。溶媒の使用量は任意であるが、通常は一般式
（）で示されるイミノジアルカン酸誘導体に対
して０〜20重量倍の範囲である。反応終了後は、使用した触媒を別あるいは水
洗などの方法により除去し、溶媒を留去し生成物
を得る。（）の反応は不活性溶媒中、脱ハロゲン化水
素剤存在下に行なう。不活性溶媒としては、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプ
タン等の脂肪族炭化水素、シクロヘキサン等の脂
環式炭化水素、トルエン、キシレン等の芳香族炭
化水素、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルスルホキシド、スルホラン等の水溶性極性溶
媒、エーテル、ジオキサン、THF等のエーテル
類、ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン
化炭化水素、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステ
ル類などが例示される。これらは単独または複数
を併用して使用される。脱ハロゲン化水素剤としては、トリエチルアミ
ン、ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジ
ルアミン、テトラメチル尿素等の三級アミン類、
ピリジン、４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ピリ
ジン等のピリジン誘導体、炭酸ナトリウム、炭酸
水素カリウム等の炭酸塩などが例示される。ま
た、さらにここにあげた脱ハロゲン化水素剤の代
りに一般式（）で示されるイミノジアルカン酸
誘導体を脱ハロゲン化水素剤そのものとして使用
することもいつこうにさしつかえない。かかる脱
ハロゲン化水素剤の使用量はカルボン酸ハライド
１当量につき0.9〜1.2当量の範囲である。カルボン酸ハライドのハロゲン原子としては、
塩素、臭素、ヨウ素が例示されるが、最も好まし
くは塩素、その次は臭素である。かかるカルボン
酸ハライドは対応するカルボン酸より公知の方法
によつて合成される。一般式（）で示されるイミノジアルカン酸誘
導体と１価または２価のカルボン酸ハライドを反
応させる場合の両者の反応モル比は、１価のカル
ボン酸ハライドの場合は（）：カルボン酸ハラ
イド＝0.9：１〜1.1：１の範囲であり、また、２
価のカルボン酸ハライドの場合は（）：カルボ
ン酸ハライド＝1.8：１〜2.2：１の範囲である。また、反応温度は−30℃〜120℃、好ましくは
−10℃〜80℃の範囲である。溶媒の使用量は任意であるが、通常１〜30重量
倍の範囲である。反応終了後は、反応の進行に伴つて生成したハ
ロゲン化水素と脱ハロゲン化水素剤との塩等を、
別あるいは水洗等の方法によつて除き、次に溶
媒を留去して生成物を得る。以上（）および（）の方法で得られた一般
式（）で示されるピペリジン誘導体は再結晶、
溶媒洗浄、クロマト分離等の公知の方法により精
製することができる。かくして得られる本発明のピペリジン誘導体の
代表例としては以下の化合物が例示される。Ｎ，Ｎ−ビス（２，２，６，６−テトラメチル
−４−ピペリジニルオキシカルボニルメチル）ア
セタミドＮ，Ｎ−ビス（２，２，６，６−テトラメチル
−４−ピペリジニルオキシカルボニルメチル）オ
クタンアミドＮ，Ｎ−ビス（２，２，６，６−テトラメチル
−４−ピペリジニルオキシカルボニルメチル）オ
クタデカンアミドＮ，Ｎ−ビス（１，２，６，６−ペンタメチル
−４−ピペリジニルオキシカルボニルメチル）ド
デカンアミドＮ，Ｎ−ビス（２，２，６，６−テトラメチル
−４−ピペリジニルオキシカルボニルメチル）シ
クロヘキサンプロピオンアミドＮ，Ｎ−ビス（２，２，６，６−テトラメチル
−４−ピペリジニルオキシカルボニルメチル）シ
クロヘキサンカーボアミドＮ，Ｎ−ビス（１，２，２，６，６−ペンタメ
チル−４−ピペリジニルオキシカルボニルメチ
ル）シクロヘキサンプロピオンアミドＮ，Ｎ−ビス（２，２，６，６−テトラメチル
−４−ピペリジニルオキシカルボニルメチル）フ
エニルプロピオンアミドＮ，Ｎ−ビス（１，２，２，６，６−ペンタメ
チル−４−ピペリジニルオキシカルボニルメチ
ル）３−ｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキ
シフエニルプロピオンアミドＮ，Ｎ−ビス（１，２，２，６，６−ペンタメ
チル−４−ピペリジニルオキシカルボニルメチ
ル）ベンズアミドＮ，Ｎ，N′，N′−テトラキス（２，２，６，
６−テトラメチル−４−ピペリジニルオキシカル
ボニルメチル）マロンアミドＮ，Ｎ，N′，N′−テトラキス（２，２，６，
６−テトラメチル−４−ピペリジニルオキシカル
ボニルメチル）アジポイルアミドＮ，Ｎ，N′，N′−テトラキス（２，２，６，
６−テトラメチル−４−ピペリジニルオキシカル
ボニルメチル）セバコイルアミドＮ，Ｎ，N′，N′−テトラキス（２，２，６，
６−テトラメチル−４−ピペリジニルオキシカル
ボニルメチル）テトラデカン二酸アミドＮ，Ｎ，N′，N′−テトラキス（１，２，２，
６，６−ペンタメチル−４−ピペリジニルオキシ
カルボニルメチル）７−エチルヘキサデカン−
１，12−ジカーボアミドＮ，Ｎ，N′，N′−テトラキス（２，２，６，
６−テトラメチル−４−ピペリジニルオキシカル
ボニルメチル）オキサミドＮ，Ｎ，N′，N′−テトラキス（２，２，６，
６−テトラメチル−４−ピペリジニルオキシカル
ボニルメチル）１，４−シクロヘキサンジカーボ
アミドＮ，Ｎ，N′，N′−テトラキス（２，２，６，
６−テトラメチル−４−ピペリジニルオキシカル
ボニルメチル）５−ノルボルネン−２，３−ジカ
ーボアミドＮ，Ｎ，N′，N′−テトラキス（２，２，６，
６−テトラメチル−４−ピペリジニルオキシカル
ボニルメチル）フタルアミドＮ，Ｎ，N′，N′−テトラキス（２，２，６，
６−テトラメチル−４−ピペリジニルオキシカル
ボニルメチル）１，４−ナフタレンジカーボアミ
ドＮ，Ｎ，N′，N′−テトラキス（１，２，２，
６，６−ペンタメチル−４−ピペリジニルオキシ
カルボニルメチル）イソフタルアミドＮ，Ｎ，N′，N′−テトラキス（１，２，２，
６，６−ペンタメチル−４−ピペリジニルオキシ
カルボニルメチル）フエニルマロンアミドＮ，Ｎ，N′，N′−テトラキス（１，２，２，
６，６−ペンタメチル−４−ピペリジニルオキシ
カルボニルメチル）７，８−ジフエニルテトラデ
カン−１，14−ジカーボアミドＮ，Ｎ，N′，N′−テトラキス（２，２，６，
６−テトラメチル−４−ピペリジニルオキシカル
ボニルメチル）チオジプロピオンアミドＮ，Ｎ，N′，N′−テトラキス（１，２，２，
６，６−ペンタメチル−４−ピペリジニルオキシ
カルボニルメチル）イミノジアセタミド等が例示
される。本発明のピペリジン誘導体を合成樹脂および塗
料用安定剤として使用する場合、合成樹脂および
塗料への配合量は合成樹脂100重量部に対して通
常0.01〜５重量部、好ましくは0.05〜２重量部で
あり、その配合方法としては合成樹脂中に安定
剤、顔料、充填剤等を混和配合するための公知の
装置および操作法が殆んどそのまま適用できる。本発明の合成樹脂用安定剤を使用するにあたつ
ては他の添加剤、たとえば酸化防止剤、光安定
剤、金属不活性化剤、金属石ケン類、造核剤、滑
剤、帯電防止剤、難燃剤、顔料および充填剤など
を併用してもよい。とりわけフエノール系酸化防止剤を併用するこ
とによつて熱および酸化安定性を改善することが
できる。これらのフエノール系酸化防止剤として
は、たとえば２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチ
ルフエノール、ｎ−オクタデシル−β−（３，５
−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフエニル）プ
ロピオネート、１，１，３−トリス（２−メチル
−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフエニル）ブ
タン、１，３，５−トリメチル−２，４，６−ト
リス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ
ベンジル）ベンゼン、１，３，５−トリス（３，
５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）
イソシアヌレート、１，３，５−トリス〔β−
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフエ
ニル）プロピオニルオキシエチル〕イソシアヌレ
ート、１，３，５−トリス（２，６−ジ−メチル
−３−ヒドロキシ−４−ｔ−ブチルベンジル）イ
ソシアヌレート、ベンタエリスリトール−テトラ
キス〔β−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒド
ロキシフエニル）プロピオネート〕などがあげら
れる。また、ホスフアイト系酸化防止剤を併用するこ
とによつて、その色相を改善することができる。これらのホスフアイト系酸化防止剤としては、
たとえばトリス（ノニルフエニル）ホスフアイ
ト、ジステアリルペンタエリスリトールジホスフ
アイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフエニ
ル）ホスフアイト、トリス（２−ｔ−ブチル−４
−メチルフエニル）ホスフアイト、ビス（２，４
−ジ−ｔ−ブチルフエニル）ペンタエリスリトー
ルジホスフアイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔ
−ブチルフエニル）−４，4′−ビフエニレンジホ
スフオナイトなどがあげられる。また、ジラウリルチオジプロピオネート、ジミ
リスチルチオジプロピオネート、ジステアリルチ
オジプロピオネート、ペンタエリスリトールテト
ラキス（β−ラウリルチオプロピオネート）、ペ
ンタエリスリトール−テトラキス（β−ヘキシル
チオプロピオネート）などのイオウ系酸化防止剤
を併用することもできる。本発明の有機物質用安定剤により安定化される
合成樹脂としては、低密度ポリエチレン、高密度
ポリエチレン、リニヤー低密度ポリエチレン、塩
素化ポリエチレン、EVA樹脂、ポリプロピレン、
ポリ塩化ビニル、メタクリル樹脂、ポリスチレ
ン、耐衝撃性ポリスチレン、ABS樹脂、AES樹
脂、MBS樹脂、ポリエチレンテレフタレート、
ポリブチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリ
イミド、ポリカーボネート、ポリアセタール、ポ
リウレタン、不飽和ポリエステル樹脂などがあげ
られ、塗料としては、油性塗料、酒精塗料、繊維
素誘導体塗料、合成樹脂塗料、合成樹脂エマルジ
ヨンペイント、水性焼付塗料等があげられる。次に実施例を挙げて本発明を詳細に説明する
が、本発明はこれにより限定されるものではな
い。実施例１Ｎ，Ｎ−ビス（２，２，６，６−テトラメチル
−４−ピペリジニルオキシカルボニルメチル）
オクタンアミド〔HA−１〕

【化】温度計、攪拌装置、蒸留装置をそなえた300ml
フラスコに、Ｎ，Ｎ−ビス（エトキシカルボニル
メチル）オクタンアミド25.2g（0.08モル）、２，
２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジノール
27.0g（0.17モル）、トルエン50mlおよびｔ−ブト
キシカリ0.5g（0.04モル）を仕込み、昇温し、110
〜130℃で８時間、溶媒を蒸留しながら反応させ
た。反応終了後、室温まで冷却し、トルエン100ml
で溶解した後、触媒を過し、液のトルエンを
蒸留した。蒸留残渣は38.4gあつた（収率89.3
％）。これをヘキサンに溶解して活性炭処理し、
次いで再結晶することにより白色結晶のＮ，Ｎ−
ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペ
リジニルオキシカルボニルメチル）オクタンアミ
ド32.3g（収率75％）を得た。融点78〜79℃ FD−MSにて親イオンピーク（537）を確認し
た。元素分析 C₃₀H₅₅N₃O₅（）内計算値Ｃ；67.01％（67.00）Ｈ；10.43％（10.31）Ｎ；7.77％（7.81）実施例２Ｎ，Ｎ−ビス（２，２，６，６−テトラメチル
−４−ピペリジニルオキシカルボニルメチル）
ブタンアミド〔HA−２〕

【化】実施例１と同様の反応装置に、Ｎ，Ｎ−ビス
（エトキシカルボニルメチル）ブタンアミド23.3g
（0.09モル）、２，２，６，６−テトラメチル−４
−ピペリジノール28.2g（0.18モル）、トルエン50
mlおよびｔ−ブトキシカリ0.5g（0.04モル）を仕
込み、実施例１と同様に反応させ、後処理するこ
とにより白色結晶のＮ，Ｎ−ビス（２，２，６，
６−テトラメチル−４−ピペリジニルオキシカル
ボニルメチル）ブタンアミド30.3g（収率70％）を
得た。融点96〜98℃ FD−MSにて親イオンピーク（481）を確認し
た。元素分析 C₂₆H₄₇N₃O₅（）内計算値Ｃ；64.55％（64.83）Ｈ；9.76％（9.84）Ｎ；8.54％（8.72）実施例３Ｎ，Ｎ，N′，N′−テトラキス（２，２，６，
６−テトラメチル−４−ピペリジニルオキシカ
ルボニルメチル）アジポアミド〔HA−３〕

【化】実施例１と同様の反応装置にＮ，Ｎ，N′，
N′−テトラキス（エトキシカルボニルメチル）
アジポイルアミド8.0g（0.016モル）、２，２，６，
６−テトラメチル−４−ピペリジノール10.4g
（0.066モル）トルエン70mlおよびｔ−ブトキシカ
リ0.5g（0.04モル）を仕込み、実施例１と同様に
反応させた。反応終了後、トルエン200mlに溶解し、水洗分
液をくり返すことにより結晶が析出したので、こ
れを別して、白色結晶として、Ｎ，Ｎ，N′，
N′−テトラキス（２，２，６，６−テトラメチ
ル−４−ピペリジニルオキシカルボニルメチル）
アジポイルアミド9.4g（収率63％）を得た。融点
133〜134℃ FD−MSにて親イオンピーク（932）を確認し
た。元素分析 C₅₀H₈₈N₆O₁₀・2H₂Ｏ（）内計算値Ｃ；62.05％（61.96）Ｈ；9.48％（9.57）Ｎ；8.66％（8.67）実施例４Ｎ，Ｎ，N′，N′−テトラキス（２，２，６，
６−テトラメチル−４−ピペリジニルオキシカ
ルボニルメチル）テレフタルアミド〔HA−
４〕

【化】実施例１と同様の反応装置にＮ，Ｎ，N′，
N′−テトラキス（エトキシカルボニルメチル）
テレフタルアミド19.8g（0.039モル）、２，２，
６，６−テトラメチル−４−ピペリジノール
29.2g（0.186モル）、ｎ−オクタン100gおよびリチ
ウムアミド0.4g（0.017モル）を仕込み、昇温し、
125〜135℃で溶媒を蒸留しながら３時間反応させ
た。反応終了後、室温まで冷却し、水洗分液後に結
晶が析出したので、これを別し、白色結晶とし
てＮ，Ｎ，N′，N′−テトラキス（２，２，６，
６−テトラメチル−４−ピヘリジニルオキシカル
ボニルメチル）テレフタルアミド28.3g（収率76
％）を得た。融点191〜193℃ FD−MSにて親イオンピーク（952）を確認し
た。元素分析 C₅₂H₈₄N₆O₁₀・2H₂Ｏ（）内計算値Ｃ；62.71％（63.13）Ｈ；8.96％（8.97）Ｎ；8.37％（8.50）実施例５Ｎ，Ｎ，N′，N′−テトラキス（２，２，６，
６−テトラメチル−４−ピペリジニルオキシカ
ルボニルメチル）イソフタルアミド〔HA−
５〕

【化】実施例４のＮ，Ｎ，N′，N′−テトラキス（エ
トキシカルボニルメチル）テレフタルアミドを
Ｎ，Ｎ，N′，N′−テトラキス（エトキシカルボ
ニルメチル）イソフタルアミドに変える以外は実
施例４と同様に操作することにより、白色結晶の
Ｎ，Ｎ，N′，N′−テトラキス（２，２，６，６
−テトラメチル−４−ピペリジニルオキシカルボ
ニルメチル）イソフタルアミド30.1g（収率81％）
を得た。融点 138〜139℃ FD−MSにて親イオンピーク（952）を確認し
た。元素分析 C₅₂H₈₄N₆O₁₀・2H₂Ｏ（）内計算値Ｃ；63.66％（63.13）Ｈ；8.73％（8.97）Ｎ；8.42％（8.50）実施例６Ｎ，Ｎ−ビス（２，２，６，６−テトラメチル
−４−ピペリジニルオキシカルボニルメチル）
シクロヘキサンカーボアミド〔HA−６〕

【化】実施例１と同様の反応装置にＮ，Ｎ−ビス（エ
トキシカルボニルメチル）シクロヘキサンカーボ
アミド24.0g（0.080モル）、２，２，６，６−テト
ラメチル−４−ピペリジノール27.7g（0.176モ
ル）、トルエン50mlおよびｔ−ブトキシカリ1.0g
（0.009モル）を仕込み、110〜130℃で溶媒を蒸留
しながら８時間反応させた。反応終了後、室温まで冷却し、トルエン50mlで
溶解した後、触媒を過し、活性炭処理した後に
ｎ−ヘキサンより再結晶して白色結晶としてＮ，
Ｎ−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−
ピペリジニルオキシカルボニルメチル）シクロヘ
キサンカーボアミド28.4g（収率68％）を得た。融点 124〜126℃ FD−MS親イオンピーク（521）を確認した。元素分析 C₂₉H₅₁N₃O₅（）内計算値Ｃ；66.47％（66.76）Ｈ；9.98％（9.85）Ｎ；8.00％（8.05）実施例７Ｎ，Ｎ−ビス（２，２，６，６−テトラメチル
−４−ピペリジニルオキシカルボニルメチル）
ドデカンアミド〔HA−７〕

【化】温度計、滴下漏斗、攪拌装置をそなえた300ml
フラスコにビス（２，２，６，６−テトラメチル
４−ピペリジニル）イミノジアセテート37.0g
（0.090モル）、トリエチルアミン10.0g（0.099モル）
およびトルエン100mlを仕込み、滴下漏斗よりラ
ウリロイルクロリド19.7g（0.090モル）を１時間
かけて滴下した。滴下後30分間攪拌をつづけた
後、反応マスを水50mlで２回洗浄し、有機層のト
ルエンを蒸留し、蒸留残渣につきヘキサンより再
結晶することにより白色結晶のＮ，Ｎ−ビス
（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジ
ニルオキシカルボニルメチル）ドデカンアミド
46.0g（収率86％）を得た。融点 73〜74℃ FD−MSにて親イオン＋１ピーク（594）を確
認した。元素分析 C₃₄H₆₃N₃O₅（）内計算値Ｃ；68.38％（68.76）Ｈ；10.63％（10.69）Ｎ；7.07％（7.08）実施例８Ｎ，Ｎ−ビス（２，２，６，６−テトラメチル
−４−ピペリジニルオキシカルボニルメチル）
ベンゾイルアミド〔HA−８〕

【化】実施例７のラウリロイルクロリド19.7g（0.090
モル）をベンゾイルクロリド12.6g（0.090モル）
に変える以外は実施例７と同様に反応させ、後処
理することにより、白色結晶のＮ，Ｎ−ビス
（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジ
ニルオキシカルボニルメチル）ベンゾイルアミド
40.8g（収率88％）を得た。融点 103〜106℃ FD−MSにて親イオン＋１ピーク（516）を確
認した。元素分析 C₂₉H₄₅N₃O₅（）内計算値Ｃ；67.19％（67.54）Ｈ；8.79％（8.80）Ｎ；8.11％（8.15）実施例９Ｎ，Ｎ−ビス（１，２，２，６，６−ペンタメ
チル−４−ピペリジニルオキシカルボニルメチ
ル）シクロヘキサンプロピオンアミド〔HA−
９〕

【化】実施例７と同様の反応装置にビス（１，２，
２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジニル）
イミノジアセテート39.6g（0.090モル）、トリエチ
ルアミン10.0g（0.099モル）およびｎ−ヘプタン
200mlを仕込み、60℃に昇温した後、滴下漏斗よ
りシクロヘキサンプロピオニルクロリド15.7g
（0.090モル）を１時間かけて滴下した。滴下後30
分間攪拌をつづけた後反応マスを水50mlで洗浄し
有機層のｎ−ヘプタンを蒸留し、蒸留残渣をクロ
マト法によつて精製し、淡黄色透明粘稠物のＮ，
Ｎ−ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−
４−ピペリジニルオキシカルボニルメチル）シク
ロヘキサンプロピオンアミド13.0g（収率25％）を
得た。 FD−MSにて親イオンピーク（577）を確認し
た。元素分析 C₃₃H₅₉N₃O₅（）内計算値Ｃ；68.90％（68.59）Ｈ；10.30％（10.29）Ｎ；7.40％（7.27）実施例 10 Ｎ，Ｎ，N′，N′−テトラキス（１，２，２，
６，６−ペンタメチル−４−ピペリジニルオキ
シカルボニルメチル）−１，４−シクロヘキサ
ンジカーボアミド〔HA−10〕

【化】実施例７と同様の反応装置にビス（１，２，
２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジニル）
イミノジアセテート44.0g（0.100モル）、トリエチ
ルアミン10.6g（0.105モル）および酢酸ブチル100
mlを仕込み、60℃に昇温した後、１，４−シクロ
ヘキサンカルボン酸クロリド10.5g（0.050モル）
を１時間かけて滴下した。滴下終了後は実施例９
と同様に後処理、精製をして淡黄色粘稠物として
Ｎ，Ｎ，N′，N′−テトラキス（１，２，２，６，
６−ペンタメチル−４−ピペリジニルオキシカル
ボニルメチル）１，４−シクロヘキサンジカーボ
アミド11.7g（収率22％）を得た。 FD−MSにて親イオンピーク（1014）を確認
した。元素分析 C₅₆H₉₈N₆O₁₀（）内計算値Ｃ；66.10％（66.24）Ｈ；9.92％（9.73）Ｎ；8.27％（8.28）実施例 11 Ｎ，Ｎ−ビス（１，２，２，６，６−ペンタメ
チル−４−ピペリジニルオキシカルボニル−１
−メチルエチル）シクロヘキサンプロピオンア
ミド〔HA−11〕

【化】実施例７と同様の反応装置にビス（１，２，
２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジニル）
イミノビス（２−メチルプロピオネート）44.6g
（0.090モル）およびトルエン200mlを仕込み、滴
下漏斗よりシクロヘキサンプロピオニルクロリド
15.7g（0.090モル）を１時間かけて滴下した。滴
下後30分間攪拌をつづけた後、反応マスを10％炭
酸ソーダ水50g（0.047モル）で洗浄し、更に水50
mlで洗浄し、更に水50mlで洗浄し有機層のトルエ
ンを蒸留し、蒸留残渣をクロマト法によつて精製
し、黄色粘稠のＮ，Ｎ−ビス（１，２，２，６，
６−ペンタメチル−４−ピペリジニルオキシカル
ボニル−１−メチルエチル）シクロヘキサンプロ
ピオンアミド5.8g（収率10.2％）を得た。 FD−MSにて親イオンピーク（633）を確認し
た。元素分析 C₃₇H₆₇N₃O₅（）内計算値Ｃ；69.54％（70.10）Ｈ；11.18％（10.65）Ｎ；6.45％（6.63）実施例 12 下記配合物をミキサーで５分間混和した後、
180℃ミキシングロールで溶融混練して得たコン
パウンドを210℃の熱プレスで厚さ１mmのシート
に成形し、150×30×１mmの試験片を作成した。この試験片をサンシヤインウエザーメーター
（光栄：カーボンアーク、ブラツクパネル温度：
83±３℃、スプレー周期：120分、スプレー時
間：18分）中で光照射させ、60時間毎にエビ状に
折り曲げ、折れ切れるまでの時間を測定し耐候性
を評価した。その結果を表−２に示す。＜配合＞未安定化ポリプロピレン 100重量部ステアリン酸カルシウム 0.1重量部供試化合物 0.15重量部なお、表においてUVA−１〜UVA−３は以下
の化合物を示すものである。 HA−１〜HA−11は実施例１〜実施例11に記
載の化合物。

【表】

Claims

【特許請求の範囲】１一般式（）【化】（式中、R₂は水素、炭素数１〜３のアルキル
基または炭素数１〜18のアシル基を表し；は１
〜３の整数を、ｎは１または２を表し；ｎが１の
とき、R₁は水酸基が置換してもよい炭素数１〜
20の１価の炭化水素基を表し；ｎが２のとき、
R₁は直接結合を表すかまたは、基中に異種原子
が介在してもよい炭素数１〜26の２価の炭化水素
基を表す。）で示されるピペリジン誘導体。２一般式（）【化】（式中、R₃は炭素数１〜４のアルキル基を表
し；は１〜３の整数を、ｎは１または２を表し；
ｎが１のとき、R₁は水酸基が置換してもよい炭
素数１〜20の１価の炭化水素基を表し；ｎが２の
とき、R₁は直接結合を表すかまたは、基中に異
種原子が介在してもよい炭素数１〜26の２価の炭
化水素基を表す。）で示されるイミノジアルカン酸誘導体と一般式（）【式】（式中、R₂は水素、炭素数１〜３のアルキル
基または炭素数１〜18のアシル基を表す。）で示されるピペリジノール誘導体とを反応せしめ
ることを特徴とする一般式（）【化】（式中、R₁、R₂、、ｎはそれぞれ前記の意
味を有する。）で示されるピペリジン誘導体の製造方法。３一般式（）【化】（式中、R₂は水素、炭素数１〜３のアルキル
基または炭素数１〜18のアシル基を表し；は１
〜３の整数を表す。）で示されるイミノジアルカン酸誘導体と一般式（）【式】（式中、Ｘはハロゲン原子を表し；ｎは１または２を表し；ｎが１のとき、R₁は水酸基が置換してもよい
炭素数１〜20の１価の炭化水素基を表し；ｎが２
のとき、R₁は直接結合を表すかまたは、基中に
異種原子が介在してもよい炭素数１〜26の２価の
炭化水素基を表す。）で示されるカルボン酸ハライドとを反応せしめる
ことを特徴とする一般式（）【化】（式中、R₁、R₂、、ｎはそれぞれ前記の意
味を有する。）で示されるピペリジン誘導体の製造方法。４一般式（）【化】（式中、R₂は水素、炭素数１〜３のアルキル
基または炭素数１〜18のアシル基を表し；は１
〜３の整数を、ｎは１または２を表し；ｎが１の
とき、R₁は水酸基が置換してもよい炭素数１〜
20の１価の炭化水素基を表し；ｎが２のとき、
R₁は直接結合を表すかまたは、基中に異種原子
が介在してもよい炭素数１〜26の２価の炭化水素
基を表す。）で示されるピペリジン誘導体を有効成分とする有
機物質用安定剤。