JPH0577231B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0577231B2 JPH0577231B2 JP61075928A JP7592886A JPH0577231B2 JP H0577231 B2 JPH0577231 B2 JP H0577231B2 JP 61075928 A JP61075928 A JP 61075928A JP 7592886 A JP7592886 A JP 7592886A JP H0577231 B2 JPH0577231 B2 JP H0577231B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- reading
- image information
- radiation image
- attenuation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 89
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 27
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 29
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 26
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 10
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 9
- 206010073306 Exposure to radiation Diseases 0.000 description 7
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000005562 fading Methods 0.000 description 5
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- -1 silver halide Chemical class 0.000 description 3
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002601 radiography Methods 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052915 alkaline earth metal silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910052789 astatine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000006100 radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001454 recorded image Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000012800 visualization Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Radiography Using Non-Light Waves (AREA)
- Facsimile Image Signal Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は放射線画像情報記録媒体に蓄積された
放射線画像情報の読取方法、更に詳しくは該放射
線画像を正確に再現する読取方法に関するもので
ある。
放射線画像情報の読取方法、更に詳しくは該放射
線画像を正確に再現する読取方法に関するもので
ある。
X線画像のような放射線画像は医療用として多
く用いられている。この放射線画像を得る一方法
として、被写体を透過した放射線を蛍光体層(蛍
光スクリーン)に照射し、これにより可視光を生
じさせて、この可視光を通常の写真を撮るときと
同じように銀塩感光材料を塗布したフイルムに照
射して現像する。いわゆる放射線写真が利用され
ている。しかし、近年、銀塩感光材料からなる放
射線写真フイルムを使用しないで放射線画像情報
を得る方法が工夫されるようになつた。このよう
な方法としては、被写体を透過した放射線をある
種の蛍光体に吸収せしめ、しかる後、この蛍光体
を例えば光又は熱エネルギーで励起することによ
り、この蛍光体が前記吸収により蓄積している放
射線エネルギーを蛍光として放射せしめ、この蛍
光を検出して画像化するものがある。具体的には
例えば米国特許第3859527号又は特開昭55−12144
号に開示されている。これらは輝尽性蛍光体を用
い、可視光線又は赤外線を励起光とした放射線画
像変換方法を示したもので、支持体上に輝尽性蛍
光体層を形成した放射線画像変換パネルを使用
し、この放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層
に被写体を透過した放射線を当てて被写体各部の
放射線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積
させて潜像を形成し、しかる後、この輝尽性蛍光
体層を前記励起光で走査することによつて、該パ
ネル各部に蓄積された放射線エネルギーを放射さ
せてこれを光に変換し、この光の強弱による光信
号を光電子増倍管、フオトダイオード等の光電変
換素子で検出して放射線画像を得るものである。
また、他の方法としては被写体を透過した放射線
を、一様に帯電させたセレン、シリコン等の光導
電体層を有する半導体パネルに吸収せしめて静電
潜像を形成した後、この半導体パネルを励起光で
走査することにより、該パネル上の静電潜像を電
気的に検出して画像化するものがある(例えば特
開昭54−31219号)。
く用いられている。この放射線画像を得る一方法
として、被写体を透過した放射線を蛍光体層(蛍
光スクリーン)に照射し、これにより可視光を生
じさせて、この可視光を通常の写真を撮るときと
同じように銀塩感光材料を塗布したフイルムに照
射して現像する。いわゆる放射線写真が利用され
ている。しかし、近年、銀塩感光材料からなる放
射線写真フイルムを使用しないで放射線画像情報
を得る方法が工夫されるようになつた。このよう
な方法としては、被写体を透過した放射線をある
種の蛍光体に吸収せしめ、しかる後、この蛍光体
を例えば光又は熱エネルギーで励起することによ
り、この蛍光体が前記吸収により蓄積している放
射線エネルギーを蛍光として放射せしめ、この蛍
光を検出して画像化するものがある。具体的には
例えば米国特許第3859527号又は特開昭55−12144
号に開示されている。これらは輝尽性蛍光体を用
い、可視光線又は赤外線を励起光とした放射線画
像変換方法を示したもので、支持体上に輝尽性蛍
光体層を形成した放射線画像変換パネルを使用
し、この放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層
に被写体を透過した放射線を当てて被写体各部の
放射線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積
させて潜像を形成し、しかる後、この輝尽性蛍光
体層を前記励起光で走査することによつて、該パ
ネル各部に蓄積された放射線エネルギーを放射さ
せてこれを光に変換し、この光の強弱による光信
号を光電子増倍管、フオトダイオード等の光電変
換素子で検出して放射線画像を得るものである。
また、他の方法としては被写体を透過した放射線
を、一様に帯電させたセレン、シリコン等の光導
電体層を有する半導体パネルに吸収せしめて静電
潜像を形成した後、この半導体パネルを励起光で
走査することにより、該パネル上の静電潜像を電
気的に検出して画像化するものがある(例えば特
開昭54−31219号)。
斯くして得た放射線画像は、そのままの状態
で、或いはリアルタイムで空間周波数処理や階調
処理等の画像処理を施されて銀塩フイルム、
CRT等に出力されて可視化されるか、又は半導
体記憶装置、磁気記憶装置、光デイスク記憶装置
等の画像記憶装置に格納され、その後必要に応じ
てこれら画像記憶装置から取り出されて銀塩フイ
ルム、CRT等に出力されて可視化されている。
で、或いはリアルタイムで空間周波数処理や階調
処理等の画像処理を施されて銀塩フイルム、
CRT等に出力されて可視化されるか、又は半導
体記憶装置、磁気記憶装置、光デイスク記憶装置
等の画像記憶装置に格納され、その後必要に応じ
てこれら画像記憶装置から取り出されて銀塩フイ
ルム、CRT等に出力されて可視化されている。
前記放射線画像変換方法によれば、従来の放射
線写真法に比較して少ない被曝量で情報量の豊富
な放射線画像を得ることができるという利点を有
する。従つて、該放射線画像変換方法は特に医療
診断を目的とするX線撮影等の直接放射線撮影に
おいて利用価値の高いものである。
線写真法に比較して少ない被曝量で情報量の豊富
な放射線画像を得ることができるという利点を有
する。従つて、該放射線画像変換方法は特に医療
診断を目的とするX線撮影等の直接放射線撮影に
おいて利用価値の高いものである。
しかし、前記の方法は放射線照射によつて放射
線画像情報記録媒体に蓄えられた放射線エネルギ
ーが時間の経過と共に著しく低下するという問題
を有する(この現象をフエーデイングという)。
このため、第2図示の如く放射線による画像露光
t0後、励起光による放射線画像読取り開始t1まで
の時間の延長に伴つて読取られる画像信号の強度
が低下してしまい一定の階調のものが得られなく
なる。
線画像情報記録媒体に蓄えられた放射線エネルギ
ーが時間の経過と共に著しく低下するという問題
を有する(この現象をフエーデイングという)。
このため、第2図示の如く放射線による画像露光
t0後、励起光による放射線画像読取り開始t1まで
の時間の延長に伴つて読取られる画像信号の強度
が低下してしまい一定の階調のものが得られなく
なる。
前記問題に対処するものとして、例えば、特開
昭58−67242号公報には画像信号の読取りに先立
つて弱い輝尽励起光を用いて先読取りを行い、そ
の出力に基づいて本読取りの読取条件、画像処理
条件を設定する読取装置が開示されている。
昭58−67242号公報には画像信号の読取りに先立
つて弱い輝尽励起光を用いて先読取りを行い、そ
の出力に基づいて本読取りの読取条件、画像処理
条件を設定する読取装置が開示されている。
しかしながら、この場合には経時に伴う画像信
号強度の低下は読取りを開始t1してからその終了
t2までの間においても継続して進行しているた
め、前記t0からt1の間の減衰だけを補正しても、
画像の読取り画面の先頭部と末尾部との間に濃度
差が生じ、大きな濃度ムラ(シエーデイング)が
発生することは防止し得なかつた。
号強度の低下は読取りを開始t1してからその終了
t2までの間においても継続して進行しているた
め、前記t0からt1の間の減衰だけを補正しても、
画像の読取り画面の先頭部と末尾部との間に濃度
差が生じ、大きな濃度ムラ(シエーデイング)が
発生することは防止し得なかつた。
そこで、本出願人は既に出願した特願昭60−
51140号において、前記t1とt2の間における画像
信号強度の低下に基づくシエーデイングのない画
像記録の得られる放射線画像読取方法を提案し
た。この方法によれば放射線画像情報の読取り時
の画像信号強度の低下(フエーデイング)に基づ
くシエーデイングを補正することが可能となり、
放射線画像を正確に再現することができる。この
補正手段として最も好ましい方法は放射線を照射
t0した後の画像信号強度の減衰曲線(第2図)を
利用し、放射線による画像露光から読取り開始ま
での時間、即ち、第2図の横軸上のt1の位置を検
知し、読取開始時t1以後の画像信号量の減衰を推
定し、これに対応して読取り結果の補正を行うと
いうものである。この方法は勿論、輝尽性蛍光体
を用いた放射線画像情報記録媒体に限られること
はない。
51140号において、前記t1とt2の間における画像
信号強度の低下に基づくシエーデイングのない画
像記録の得られる放射線画像読取方法を提案し
た。この方法によれば放射線画像情報の読取り時
の画像信号強度の低下(フエーデイング)に基づ
くシエーデイングを補正することが可能となり、
放射線画像を正確に再現することができる。この
補正手段として最も好ましい方法は放射線を照射
t0した後の画像信号強度の減衰曲線(第2図)を
利用し、放射線による画像露光から読取り開始ま
での時間、即ち、第2図の横軸上のt1の位置を検
知し、読取開始時t1以後の画像信号量の減衰を推
定し、これに対応して読取り結果の補正を行うと
いうものである。この方法は勿論、輝尽性蛍光体
を用いた放射線画像情報記録媒体に限られること
はない。
しかし、前記放射線画像情報記録媒体のフエー
デイング特性は気温、湿度等の雰囲気によつて
徐々に変化するので、前記減衰曲線(第2図)は
放射線画像情報記録媒体ごとに一つに定まるもの
ではない。よつて単に前記減衰曲線を利用して、
読取り開始時t1の位置を検知し、読取り開始時以
後の画像信号量の減衰を推定し、これに対応して
読取り結果を補正しても充分な補正は行えなかつ
た。
デイング特性は気温、湿度等の雰囲気によつて
徐々に変化するので、前記減衰曲線(第2図)は
放射線画像情報記録媒体ごとに一つに定まるもの
ではない。よつて単に前記減衰曲線を利用して、
読取り開始時t1の位置を検知し、読取り開始時以
後の画像信号量の減衰を推定し、これに対応して
読取り結果を補正しても充分な補正は行えなかつ
た。
本発明は前記の点に鑑み、放射線画像情報記録
媒体ごとに定まる画像信号強度の減衰曲線を必要
なときに必要に応じて求め、これを利用して画像
信号強度の減衰に基づくシエーデイングを補正
し、良質な放射線画像が得られるようにした放射
線画像読取方法を提供することを目的としてい
る。
媒体ごとに定まる画像信号強度の減衰曲線を必要
なときに必要に応じて求め、これを利用して画像
信号強度の減衰に基づくシエーデイングを補正
し、良質な放射線画像が得られるようにした放射
線画像読取方法を提供することを目的としてい
る。
上記目的を達成するため、本発明は輝尽性蛍光
体層を有する放射線画像情報記録媒体に、放射線
による画像露光を行つて放射線画像情報を蓄積記
録し、続いて該放射線画像情報記録媒体を励起光
で走査し、発生する輝尽発光を検出することによ
つて放射線画像情報を得る放射線画像読取方法に
おいて、前記放射線画像情報記録媒体への画像露
光後の経過時間に応じた輝尽発光強度の減衰曲線
を、画像情報を含まない放射線を照射した放射線
画像情報記録媒体を励起光で走査して読取ること
により予め求め、該減衰曲線に基づいて、前記減
衰曲線を求めたと同一の放射線画像情報記録媒体
に蓄積された放射線画像情報の読取りを開始して
から読取りを終了するに至る間の輝尽発光強度の
減衰を、前記放射線による画像露光からの時間に
よつて補正するようにしたものである。即ち、画
像情報を含まない放射線を均一に照射した放射線
画像情報記録媒体をレーザ光によつて励起し、放
射線照射後t0から充分長い時間における減衰曲線
を求めておき、当該放射線画像情報記録媒体にて
実際の画像情報を含む放射線を照射して読取る際
に、その読取り開始以後読取り終了に至る間の画
像信号強度の減衰を補正しようとするものであ
る。
体層を有する放射線画像情報記録媒体に、放射線
による画像露光を行つて放射線画像情報を蓄積記
録し、続いて該放射線画像情報記録媒体を励起光
で走査し、発生する輝尽発光を検出することによ
つて放射線画像情報を得る放射線画像読取方法に
おいて、前記放射線画像情報記録媒体への画像露
光後の経過時間に応じた輝尽発光強度の減衰曲線
を、画像情報を含まない放射線を照射した放射線
画像情報記録媒体を励起光で走査して読取ること
により予め求め、該減衰曲線に基づいて、前記減
衰曲線を求めたと同一の放射線画像情報記録媒体
に蓄積された放射線画像情報の読取りを開始して
から読取りを終了するに至る間の輝尽発光強度の
減衰を、前記放射線による画像露光からの時間に
よつて補正するようにしたものである。即ち、画
像情報を含まない放射線を均一に照射した放射線
画像情報記録媒体をレーザ光によつて励起し、放
射線照射後t0から充分長い時間における減衰曲線
を求めておき、当該放射線画像情報記録媒体にて
実際の画像情報を含む放射線を照射して読取る際
に、その読取り開始以後読取り終了に至る間の画
像信号強度の減衰を補正しようとするものであ
る。
本発明に係わる放射線画像情報記録媒体には放
射線吸収体として輝尽性蛍光体が好ましく用いら
れる。この輝尽性蛍光体とは、最初の光若しくは
高エネルギー放射線が照射された後に光的、熱
的、機械的、化学的または電気的等の刺激によ
り、最初の光若しくは高エネルギー放射線の照射
量に対応した光を再発光せしめる、いわゆる輝尽
性を示す蛍光体をいう。ここに光とは電磁放射線
のうち可視光、紫外光、赤外光を含み、高エネル
ギー放射線とはX線、γ線、β線、α線、中性子
線等を含むものである。
射線吸収体として輝尽性蛍光体が好ましく用いら
れる。この輝尽性蛍光体とは、最初の光若しくは
高エネルギー放射線が照射された後に光的、熱
的、機械的、化学的または電気的等の刺激によ
り、最初の光若しくは高エネルギー放射線の照射
量に対応した光を再発光せしめる、いわゆる輝尽
性を示す蛍光体をいう。ここに光とは電磁放射線
のうち可視光、紫外光、赤外光を含み、高エネル
ギー放射線とはX線、γ線、β線、α線、中性子
線等を含むものである。
前記輝尽性蛍光体は実用的な面から好ましくは
500nm以上の励起光によつて輝尽発光を示す蛍
光体であり、特に、励起光に対する輝尽発光の応
答速度の大きい蛍光体である。半導体レーザの発
振波長領域の光に対して効率良く輝尽発光を示す
蛍光体であればさらに好ましい。このような蛍光
体としては、例えば、米国特許第3859527号に記
載されているSrS:Ce、Sm、SrS:Eu、Sm、
La2O2S:Eu、Sm及び(Zn、Cd)S:Mn、X
(但し、Xはハロゲン)で表わされる蛍光体、特
開昭55−12142号に記載されているZnS:Cu、Pb
蛍光体、一般式がBaO・xAl2O3:Eu(但し、0.8
≦x≦10)で表わされるアルミン酸バリウム蛍光
体、及び一般式がM O・xSiO2:A(但し、M
はMg、Ca、Sr、Zn、Cd又はBaであり、Aは
Ce、Tb、Eu、Tm、Pb、Tl、Bi及びMnのうち
の少なくとも一種であり、xは0.5≦x≦2.5であ
る。)で表わされるアルカリ土類金属珪酸系蛍光
体が挙げられる。また、特開昭55−12143号に記
載されている一般式が (Ba1−x−yMgxCay)FX:eEu2+ (但し、XはBr及びClの中の少なくとも一つで
あり、x、y及びeはそれぞれ0<x+y≦0.6、
xy≠0及び10-6≦e≦5×10-2なる条件を満たす
数である。)で表わされるアルカリ土類弗化ハロ
ゲン化物蛍光体、特開昭55−12144号に記載され
ている一般式が LnOX:xA (但し、LnはLa、Y、Gd及びLuの少なくとも
一つを、XはCl及び/又はBrを、AはCe及び/
又はTbを、xは0<x<0.1を満足する数を表わ
す。)で表わされる蛍光体、特開昭55−12145号に
記載されている一般式が (Ba1−xM〓x)FX:yA (但し、M〓はMg、Ca、Sr、Zn、及びCdのうち
の少なくとも一つを、XはCl、Br及びIのうち
少なくとも一つを、AはEu、Tb、Ce、Tm、
Dy、Pr、Ho、Nd、Yb及びErのうちの少なくと
も一つを、x及びyは0≦x≦0.6及び0≦y≦
0.2なる条件を満たす数を表わす。)で表わされて
いる蛍光体、特開昭55−84389号に記載されてい
る一般式が BaFV:xCe,yA (但し、XはCl、Br及びIのうち少なくとも一
つ、AはIn、Tl、Gd、Sm及びZrのうちのすくな
くとも一つであり、x及びyはそれぞれ0<x≦
2×10-1及び0<y≦5×10-2である。)で表わ
される蛍光体、特開昭55−160078号に記載されて
いる一般式が M〓FX・xA:yLn (但し、M〓はMg、Ca、Ba、Sr、Zn、及びCd
のうちの少なくとも一種、AはBeO、MgO、
CaO、SrO、BaO、ZnO、Al2O3、Y2O3、
La2O3、In2O3、SiO2、TiO2、ZrO2、GeO2、
SnO2、Nb2O5、Ta2O5及びThO2のうちの少なく
とも一種、LnはEu、Tb、Ce、Tm、Dy、Pr、
Ho、Nd、Yb、Er、Sm及びGdのうちの少なく
とも一種であり、XはCl、Br及びIのうちの少
なくとも一種であり、x及びyはそれぞれ5×
10-5≦x≦0.5及び0<y≦0.2なる条件を満たす
数である。)で表わされる希土類元素付活2価金
属フルオロハライド蛍光体、特開昭57−148285号
に記載されている下記いずれかの一般式 xM3(Po4)2・NX2:yA M3(Po4)2:yA (式中、M及びNはそれぞれMg、Ca、Ba、Zn
及びCdのうちの少なくとも一種、XはF、Cl、
Br及びIのうち少なくとも一種、AはEu、Tb、
Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Sb、
Tl、Mn及びSnのうちの少なくとも一種を表わ
す。また、x及びyは0<x≦6、0≦y≦1な
る条件を満たす数である。)で表わされる蛍光体、
下記いずれかの一般式 nReX3・mAx2′:xEu nReX3・mAx2′:xEu,ySm (式中、ReはLa、Gd、Y、Luのうち少なくと
も一種、Aはアルカリ土類金属、Ba、Sr、Caの
うち少なくとも一種、X及びX′はF、Cl、Brの
うちの少なくとも一種を表わす。また、x及びy
は1×10-4<x<3×10-1、1×10-4<y<1×
10-1なる条件を満たす数であり、n/mは1×
10-3<n/m<7×10-1なる条件を満たす。)で
表わされる蛍光体、及び下記一般式 M〓×・aM〓X′2・bM〓X″3:cA ……(1) (但し、M〓はLi、Na、K、Rb及びCsから選ば
れる少なくとも一種のアルカリ金属でありM〓は
Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNiか
ら選ばれる少なくとも一種の二価金属である。
M〓はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、
Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yd、Lu、
Al、Ga及びInから選ばれる少なくとも一種の三
価金属である。X、X′及びX″はF、Cl、Br及び
Iから選ばれる少なくとも一種のハロゲンであ
る。AはEu、Tb、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、
Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、
Ag、Cu及びMgから選ばれる少なくとも一種の
金属である。
500nm以上の励起光によつて輝尽発光を示す蛍
光体であり、特に、励起光に対する輝尽発光の応
答速度の大きい蛍光体である。半導体レーザの発
振波長領域の光に対して効率良く輝尽発光を示す
蛍光体であればさらに好ましい。このような蛍光
体としては、例えば、米国特許第3859527号に記
載されているSrS:Ce、Sm、SrS:Eu、Sm、
La2O2S:Eu、Sm及び(Zn、Cd)S:Mn、X
(但し、Xはハロゲン)で表わされる蛍光体、特
開昭55−12142号に記載されているZnS:Cu、Pb
蛍光体、一般式がBaO・xAl2O3:Eu(但し、0.8
≦x≦10)で表わされるアルミン酸バリウム蛍光
体、及び一般式がM O・xSiO2:A(但し、M
はMg、Ca、Sr、Zn、Cd又はBaであり、Aは
Ce、Tb、Eu、Tm、Pb、Tl、Bi及びMnのうち
の少なくとも一種であり、xは0.5≦x≦2.5であ
る。)で表わされるアルカリ土類金属珪酸系蛍光
体が挙げられる。また、特開昭55−12143号に記
載されている一般式が (Ba1−x−yMgxCay)FX:eEu2+ (但し、XはBr及びClの中の少なくとも一つで
あり、x、y及びeはそれぞれ0<x+y≦0.6、
xy≠0及び10-6≦e≦5×10-2なる条件を満たす
数である。)で表わされるアルカリ土類弗化ハロ
ゲン化物蛍光体、特開昭55−12144号に記載され
ている一般式が LnOX:xA (但し、LnはLa、Y、Gd及びLuの少なくとも
一つを、XはCl及び/又はBrを、AはCe及び/
又はTbを、xは0<x<0.1を満足する数を表わ
す。)で表わされる蛍光体、特開昭55−12145号に
記載されている一般式が (Ba1−xM〓x)FX:yA (但し、M〓はMg、Ca、Sr、Zn、及びCdのうち
の少なくとも一つを、XはCl、Br及びIのうち
少なくとも一つを、AはEu、Tb、Ce、Tm、
Dy、Pr、Ho、Nd、Yb及びErのうちの少なくと
も一つを、x及びyは0≦x≦0.6及び0≦y≦
0.2なる条件を満たす数を表わす。)で表わされて
いる蛍光体、特開昭55−84389号に記載されてい
る一般式が BaFV:xCe,yA (但し、XはCl、Br及びIのうち少なくとも一
つ、AはIn、Tl、Gd、Sm及びZrのうちのすくな
くとも一つであり、x及びyはそれぞれ0<x≦
2×10-1及び0<y≦5×10-2である。)で表わ
される蛍光体、特開昭55−160078号に記載されて
いる一般式が M〓FX・xA:yLn (但し、M〓はMg、Ca、Ba、Sr、Zn、及びCd
のうちの少なくとも一種、AはBeO、MgO、
CaO、SrO、BaO、ZnO、Al2O3、Y2O3、
La2O3、In2O3、SiO2、TiO2、ZrO2、GeO2、
SnO2、Nb2O5、Ta2O5及びThO2のうちの少なく
とも一種、LnはEu、Tb、Ce、Tm、Dy、Pr、
Ho、Nd、Yb、Er、Sm及びGdのうちの少なく
とも一種であり、XはCl、Br及びIのうちの少
なくとも一種であり、x及びyはそれぞれ5×
10-5≦x≦0.5及び0<y≦0.2なる条件を満たす
数である。)で表わされる希土類元素付活2価金
属フルオロハライド蛍光体、特開昭57−148285号
に記載されている下記いずれかの一般式 xM3(Po4)2・NX2:yA M3(Po4)2:yA (式中、M及びNはそれぞれMg、Ca、Ba、Zn
及びCdのうちの少なくとも一種、XはF、Cl、
Br及びIのうち少なくとも一種、AはEu、Tb、
Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Sb、
Tl、Mn及びSnのうちの少なくとも一種を表わ
す。また、x及びyは0<x≦6、0≦y≦1な
る条件を満たす数である。)で表わされる蛍光体、
下記いずれかの一般式 nReX3・mAx2′:xEu nReX3・mAx2′:xEu,ySm (式中、ReはLa、Gd、Y、Luのうち少なくと
も一種、Aはアルカリ土類金属、Ba、Sr、Caの
うち少なくとも一種、X及びX′はF、Cl、Brの
うちの少なくとも一種を表わす。また、x及びy
は1×10-4<x<3×10-1、1×10-4<y<1×
10-1なる条件を満たす数であり、n/mは1×
10-3<n/m<7×10-1なる条件を満たす。)で
表わされる蛍光体、及び下記一般式 M〓×・aM〓X′2・bM〓X″3:cA ……(1) (但し、M〓はLi、Na、K、Rb及びCsから選ば
れる少なくとも一種のアルカリ金属でありM〓は
Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNiか
ら選ばれる少なくとも一種の二価金属である。
M〓はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、
Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yd、Lu、
Al、Ga及びInから選ばれる少なくとも一種の三
価金属である。X、X′及びX″はF、Cl、Br及び
Iから選ばれる少なくとも一種のハロゲンであ
る。AはEu、Tb、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、
Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、
Ag、Cu及びMgから選ばれる少なくとも一種の
金属である。
また、aは0≦a<0.5の範囲の数値であり、
bは0≦b<0.5の範囲の数値であり、cは0<
c<0.2の範囲の数値である。)で表わされるアル
カリハライド蛍光体等が挙げられるが、特に前記
輝尽性蛍光体のうち、アルカリ土類弗化ハロゲン
化物系の蛍光体、及びアルカリハライド系の蛍光
体が好ましい。
bは0≦b<0.5の範囲の数値であり、cは0<
c<0.2の範囲の数値である。)で表わされるアル
カリハライド蛍光体等が挙げられるが、特に前記
輝尽性蛍光体のうち、アルカリ土類弗化ハロゲン
化物系の蛍光体、及びアルカリハライド系の蛍光
体が好ましい。
しかし、本発明に用いられる輝尽性蛍光体は前
述の蛍光体に限られるものではなく、放射線を照
射した後、輝尽励起光を照射した場合に輝尽発光
を示す蛍光体であればいかなる蛍光体であつても
よい。
述の蛍光体に限られるものではなく、放射線を照
射した後、輝尽励起光を照射した場合に輝尽発光
を示す蛍光体であればいかなる蛍光体であつても
よい。
また、これら輝尽性蛍光体を再発光させるため
に用いられる励起光としては、輝尽性蛍光体に蓄
積された放射線エネルギーを放射させて光に変換
するもので、可視光線又は赤外線等が使用できる
が、特に、500nm以上の波長域の光をもちいる
のが効果的で、He−Neレーザ、Arレーザ、
YAGレーザ、He−Cdレーザ、ダイレーザ、半
導体レーザ等が好ましい。また、より広帯域に発
光する発光体にフイルターを用いて500nm以上
の波長域の光に変換して用いることができる。
に用いられる励起光としては、輝尽性蛍光体に蓄
積された放射線エネルギーを放射させて光に変換
するもので、可視光線又は赤外線等が使用できる
が、特に、500nm以上の波長域の光をもちいる
のが効果的で、He−Neレーザ、Arレーザ、
YAGレーザ、He−Cdレーザ、ダイレーザ、半
導体レーザ等が好ましい。また、より広帯域に発
光する発光体にフイルターを用いて500nm以上
の波長域の光に変換して用いることができる。
本発明に用いられる放射線画像情報記録媒体の
支持体としては、一般に知られる記録層の支持性
能を有するものであれば、例えば、紙、金属板、
合成樹脂板等の材質は問わないが、厚さ50〜
500μmのポリエチレンシート、プラスチツクフ
イルム、アルミニウム板、厚さ1〜3mmのガラス
板等が通常用いられる。
支持体としては、一般に知られる記録層の支持性
能を有するものであれば、例えば、紙、金属板、
合成樹脂板等の材質は問わないが、厚さ50〜
500μmのポリエチレンシート、プラスチツクフ
イルム、アルミニウム板、厚さ1〜3mmのガラス
板等が通常用いられる。
なお、前記の例では放射線画像情報記録媒体と
して輝尽性蛍光体を用いたものについて説明した
が、これ以外の放射線画像情報記録媒体にも応用
できることは勿論である。
して輝尽性蛍光体を用いたものについて説明した
が、これ以外の放射線画像情報記録媒体にも応用
できることは勿論である。
次に、本発明を実施例によつて具体的に説明す
る。
る。
第1図は本発明の方法を実施するに適した放射
線画像読取装置の一例を示すブロツク図である。
本図において、1は励起光発生用のレーザ光源
で、該レーザ光源1はレーザドライバ回路2によ
つてドライブされる。このレーザ光源1より発生
したレーザビームLBは単色光フイルタ3、ミラ
ー4、ビーム整形光学系5、ミラー6を経て偏向
器7に達する。偏向器7は偏向器ドライバ8によ
つてドライブされるガルバノミラーを備え、レー
ザビームLBを走査領域内に一定角度で偏向する。
偏向されたレーザビームLBはfθレンズ9によつ
て走査線上において一定速度となるよう調整さ
れ、ミラー10を経て輝尽性蛍光体層を有する放
射線画像情報記録媒体(画像変換パネル)11上
を矢印aの方向に走査する。画像変換パネル11
は同時に副走査方向(矢印b方向)に移動し、全
面が走査される。前記レーザビームLBによつて
走査されて画像変換パネル11から発生する輝尽
発光は集光器12で集光され、輝尽発光の波長領
域のみを通すフイルタ13を通つて光電子増倍管
等の光電変換器を備えた受光部14に至り、アナ
ログ電気信号(画像信号)に変換される。15は
光電子増倍管に高電圧を供給する光電変換電源で
ある。光電子増倍管から電流として出力された画
像信号は電流−電圧変換増幅器16を通つて電圧
増幅され、さらに発光強度信号を画像濃度信号に
変換するLog変換器17、画像クロツク信号に同
期して信号を一定期間維持するサンプルホールド
回路18を通つてA/D変換器19に入り、該
A/D変換器19によつてデジタル信号に変換さ
れた後、メモリ20に蓄えられる。該メモリ20
はデジタル演算等を行うCPU21に接続されて
いる。このCPU21はインターフエース22を
介して外部の機器、例えば、データを保存、加工
するための大型コンピユータ、ミニコンピユー
タ、画像を出力するCRT表示装置、各種ハード
コピー作成装置等に連結することができ、前記メ
モリ20に蓄えられたデータの演算・転送を行
う。
線画像読取装置の一例を示すブロツク図である。
本図において、1は励起光発生用のレーザ光源
で、該レーザ光源1はレーザドライバ回路2によ
つてドライブされる。このレーザ光源1より発生
したレーザビームLBは単色光フイルタ3、ミラ
ー4、ビーム整形光学系5、ミラー6を経て偏向
器7に達する。偏向器7は偏向器ドライバ8によ
つてドライブされるガルバノミラーを備え、レー
ザビームLBを走査領域内に一定角度で偏向する。
偏向されたレーザビームLBはfθレンズ9によつ
て走査線上において一定速度となるよう調整さ
れ、ミラー10を経て輝尽性蛍光体層を有する放
射線画像情報記録媒体(画像変換パネル)11上
を矢印aの方向に走査する。画像変換パネル11
は同時に副走査方向(矢印b方向)に移動し、全
面が走査される。前記レーザビームLBによつて
走査されて画像変換パネル11から発生する輝尽
発光は集光器12で集光され、輝尽発光の波長領
域のみを通すフイルタ13を通つて光電子増倍管
等の光電変換器を備えた受光部14に至り、アナ
ログ電気信号(画像信号)に変換される。15は
光電子増倍管に高電圧を供給する光電変換電源で
ある。光電子増倍管から電流として出力された画
像信号は電流−電圧変換増幅器16を通つて電圧
増幅され、さらに発光強度信号を画像濃度信号に
変換するLog変換器17、画像クロツク信号に同
期して信号を一定期間維持するサンプルホールド
回路18を通つてA/D変換器19に入り、該
A/D変換器19によつてデジタル信号に変換さ
れた後、メモリ20に蓄えられる。該メモリ20
はデジタル演算等を行うCPU21に接続されて
いる。このCPU21はインターフエース22を
介して外部の機器、例えば、データを保存、加工
するための大型コンピユータ、ミニコンピユー
タ、画像を出力するCRT表示装置、各種ハード
コピー作成装置等に連結することができ、前記メ
モリ20に蓄えられたデータの演算・転送を行
う。
23は輝尽発光の読取開始から読取終了までの
期間における輝尽発光強度の減衰を補正するため
の減衰補正制御回路、24は減衰量検出手段であ
る。減衰量検出手段24は例えば日、週の始め等
必要なときに必要に応じて使用しようとする画像
変換パネルおける輝尽発光強度の減衰曲線(例え
ば第2図)を求めるためのもので、放射線画像の
撮影及び読取り時に毎回求める必要はない。即
ち、前記画像変換パネルのフエーデイング特性は
気温、湿度等の雰囲気によつて変化するといつて
もその減衰曲線は極めて短い時間の単位で動くも
のではなく、日、週のようなある程度長い時間の
単位で動くものだからである。従つて、減衰量検
出手段24は例えば第1図示の如く電流−電圧変
換増幅器16とLog変換器17との間にスイツチ
ング回路(図示せず)を介して接続し、該スイツ
チング回路の切換により、必要なときに必要に応
じて前記受光部14から電流−電圧変換増幅器1
6を通した画像信号を検出できるようにすれば足
りるものである。
期間における輝尽発光強度の減衰を補正するため
の減衰補正制御回路、24は減衰量検出手段であ
る。減衰量検出手段24は例えば日、週の始め等
必要なときに必要に応じて使用しようとする画像
変換パネルおける輝尽発光強度の減衰曲線(例え
ば第2図)を求めるためのもので、放射線画像の
撮影及び読取り時に毎回求める必要はない。即
ち、前記画像変換パネルのフエーデイング特性は
気温、湿度等の雰囲気によつて変化するといつて
もその減衰曲線は極めて短い時間の単位で動くも
のではなく、日、週のようなある程度長い時間の
単位で動くものだからである。従つて、減衰量検
出手段24は例えば第1図示の如く電流−電圧変
換増幅器16とLog変換器17との間にスイツチ
ング回路(図示せず)を介して接続し、該スイツ
チング回路の切換により、必要なときに必要に応
じて前記受光部14から電流−電圧変換増幅器1
6を通した画像信号を検出できるようにすれば足
りるものである。
前記減衰量検出手段24による減衰曲線の検出
は被写体等の画像情報の撮影に供する同じ変換パ
ネル11に予め画像情報を含まない放射線を均一
に照射し、これを励起光発生用のレーザ光源1に
より所定のように走査して輝尽発光させることに
より行われる。つまり、画像情報を含まない状態
で均一に蓄積記録された放射線を励起光により励
起し、輝尽発光させた場合のその光の信号強度は
同一画像変換パネルである限り、被写体等の画像
情報を蓄積記録した画像情報の読取り時の信号強
度と同じであり、その減衰曲線も同じとなる。従
つて、減衰量検出手段24にて検出した減衰曲線
をテーブル化し、該減衰量検出手段24に備えた
記憶装置或いは前記減衰補正制御回路23に備え
た記憶装置その他の記憶装置に記憶させておき、
演算部において時間検知手段(図示せず)からの
読取開始までの経過時間の入力に応じて放射線に
よる画像露光から読取開始までの時間、即ち、第
2図の横軸上のt1の位置を検知すれば、その開
始点t1における輝尽発光強度(t1)及び補
正すべき走査ラインの走査時刻tnに対応する輝尽
発光強度I(tn)からI(t1)/I(tn)が算出
できるから、読取開始時t1以後の輝尽発光量の
減衰が推定でき、その減衰補正信号を前記減衰補
正制御回路23から前記読取系の所要ブロツクに
出力すればその読取利得を制御するか、或いは一
旦読取りメモリに蓄えたデータに補正を加える等
により、読取結果の補正ができるようになる。
は被写体等の画像情報の撮影に供する同じ変換パ
ネル11に予め画像情報を含まない放射線を均一
に照射し、これを励起光発生用のレーザ光源1に
より所定のように走査して輝尽発光させることに
より行われる。つまり、画像情報を含まない状態
で均一に蓄積記録された放射線を励起光により励
起し、輝尽発光させた場合のその光の信号強度は
同一画像変換パネルである限り、被写体等の画像
情報を蓄積記録した画像情報の読取り時の信号強
度と同じであり、その減衰曲線も同じとなる。従
つて、減衰量検出手段24にて検出した減衰曲線
をテーブル化し、該減衰量検出手段24に備えた
記憶装置或いは前記減衰補正制御回路23に備え
た記憶装置その他の記憶装置に記憶させておき、
演算部において時間検知手段(図示せず)からの
読取開始までの経過時間の入力に応じて放射線に
よる画像露光から読取開始までの時間、即ち、第
2図の横軸上のt1の位置を検知すれば、その開
始点t1における輝尽発光強度(t1)及び補
正すべき走査ラインの走査時刻tnに対応する輝尽
発光強度I(tn)からI(t1)/I(tn)が算出
できるから、読取開始時t1以後の輝尽発光量の
減衰が推定でき、その減衰補正信号を前記減衰補
正制御回路23から前記読取系の所要ブロツクに
出力すればその読取利得を制御するか、或いは一
旦読取りメモリに蓄えたデータに補正を加える等
により、読取結果の補正ができるようになる。
なお、前記減衰曲線を求める際は画像情報を含
まない放射線を照射してから充分に長い時間を取
る必要がある。これは被写体等の画像情報を蓄積
記録した画像情報の読取りの開始時間は常に一定
でないからである。このためには実際の画像読取
りの場合よりも励起光の走査スピードを遅くする
等の処置が必要となる。尤も、放射線照射後から
画像情報読取開始までの時間が常に一定であるよ
うな場合には読取開始から終了点まで間の減衰曲
線を求めるだけで足りるし、この場合には画像情
報読取時と同じ速度で減衰曲線を求めることも可
能である。
まない放射線を照射してから充分に長い時間を取
る必要がある。これは被写体等の画像情報を蓄積
記録した画像情報の読取りの開始時間は常に一定
でないからである。このためには実際の画像読取
りの場合よりも励起光の走査スピードを遅くする
等の処置が必要となる。尤も、放射線照射後から
画像情報読取開始までの時間が常に一定であるよ
うな場合には読取開始から終了点まで間の減衰曲
線を求めるだけで足りるし、この場合には画像情
報読取時と同じ速度で減衰曲線を求めることも可
能である。
前記した如く減衰補正制御回路23から出力さ
れる減衰補正信号による読取られた信号の補正は
前記読取系の種々のブロツクで行うことができ
る。例えば、 レーザ:レーザドライバ2の制御による出力の調
整 走査部:偏向ドライバ8を制御による光束の走査
速度の調整 受光部:光電子増倍管の電源15の制御による光
電変換利得の調整 電流−電圧変換増幅器:増幅利得の制御 Log変換器:変換利得の制御 サンプルホールド回路:内部利得の制御 A/D変換器:A/D変換ダイナミツクレンジの
制御 また、CPU21に減衰補正信号を入力し、一
旦メモリ20に蓄えたデータの補正演算を行い、
再びメモリ20に入れ、インターフエイスに出力
するようにすることもできる。この補正のための
制御は前記のような処理段階のいずれか一個所に
おいて行つてもよく、多数個所を併行的に用いて
行つてもよい。減衰補正制御回路23の出力態様
は制御を行う段階に対応したものとすればよい。
れる減衰補正信号による読取られた信号の補正は
前記読取系の種々のブロツクで行うことができ
る。例えば、 レーザ:レーザドライバ2の制御による出力の調
整 走査部:偏向ドライバ8を制御による光束の走査
速度の調整 受光部:光電子増倍管の電源15の制御による光
電変換利得の調整 電流−電圧変換増幅器:増幅利得の制御 Log変換器:変換利得の制御 サンプルホールド回路:内部利得の制御 A/D変換器:A/D変換ダイナミツクレンジの
制御 また、CPU21に減衰補正信号を入力し、一
旦メモリ20に蓄えたデータの補正演算を行い、
再びメモリ20に入れ、インターフエイスに出力
するようにすることもできる。この補正のための
制御は前記のような処理段階のいずれか一個所に
おいて行つてもよく、多数個所を併行的に用いて
行つてもよい。減衰補正制御回路23の出力態様
は制御を行う段階に対応したものとすればよい。
前記読取値の補正を画像変換パネルに対する放
射線露光時から読取り開始までの時間に基づいて
行う場合の時間検知手段としては各種公知の電子
式或いは機械式のタイマユニツトを用いることが
できる。例えば、 (1) 放射線露光装置側に設け、放射線露光スイツ
チとして連動して起動して経過時間を表示する
ようにし、読取りに際し人が表示値を見て読取
り装置の減衰補正制御回路に手動入力する。
射線露光時から読取り開始までの時間に基づいて
行う場合の時間検知手段としては各種公知の電子
式或いは機械式のタイマユニツトを用いることが
できる。例えば、 (1) 放射線露光装置側に設け、放射線露光スイツ
チとして連動して起動して経過時間を表示する
ようにし、読取りに際し人が表示値を見て読取
り装置の減衰補正制御回路に手動入力する。
(2) 放射線露光装置或いは読取装置のいずれかに
設け、両装置に電気的に接して放射線露光スイ
ツチと連動して時間経過を測り、t1を読取開
始時に減衰補正制御回路に自動入力する。
設け、両装置に電気的に接して放射線露光スイ
ツチと連動して時間経過を測り、t1を読取開
始時に減衰補正制御回路に自動入力する。
(3) 画像変換パネルに付属し、放射線露光装置に
装着したとき、該装置と接続しその露光スイツ
チと連動して起動し、読取りのための読取装置
に装着することにより、該装置と接続し読取り
開始とともに経過時間を減衰補正制御回路に入
力するようにする。
装着したとき、該装置と接続しその露光スイツ
チと連動して起動し、読取りのための読取装置
に装着することにより、該装置と接続し読取り
開始とともに経過時間を減衰補正制御回路に入
力するようにする。
等の種々の方式が適用できる。第1図に示した実
施例は前記(3)の方式の時間検知手段を用いて受光
部の光電子増倍管電源15の利得制御を行つて画
像変換パネルの輝尽発光の減衰補正を行うように
したものである。図中、25はタイマユニツトを
示している。
施例は前記(3)の方式の時間検知手段を用いて受光
部の光電子増倍管電源15の利得制御を行つて画
像変換パネルの輝尽発光の減衰補正を行うように
したものである。図中、25はタイマユニツトを
示している。
第3図は前記装置における輝尽発光減衰補正動
作を示すフローチヤートである。本図の場合には
画像変換パネルに対する放射線露光時から読取り
開始までの時間を前記時間検知手段によつて時間
t1を測定(ステツプ301)し、減衰補正制御回
路23に備えた記憶部より走査開始点t1におけ
る輝尽発光強度(t1)を呼出し(ステツプ
302)、読取操作を開始(ステツプ303)する。次
いで前記記憶部より読取時点tnに対応する輝尽発
光強度I(tn)を呼出し(ステツプ304)、読取系
利得の補正係数をI(t1)/I(tn)に設定(ス
テツプ305)し、これを読取系に出力し、画像変
換パネル上の一走査ラインを励起し読取り(ステ
ツプ306)、しかる後、画像変換パネルを所定のよ
うに移動させて次のラインに進む(ステツプ
307)、画像変換パネルが次のラインに進んだ時点
で全面走査終了か否かが判断(ステツプ308)さ
れ、NOであれば前記ステツプ304に戻り、前記
操作が繰り返され、YESであれば読取り終了す
る。
作を示すフローチヤートである。本図の場合には
画像変換パネルに対する放射線露光時から読取り
開始までの時間を前記時間検知手段によつて時間
t1を測定(ステツプ301)し、減衰補正制御回
路23に備えた記憶部より走査開始点t1におけ
る輝尽発光強度(t1)を呼出し(ステツプ
302)、読取操作を開始(ステツプ303)する。次
いで前記記憶部より読取時点tnに対応する輝尽発
光強度I(tn)を呼出し(ステツプ304)、読取系
利得の補正係数をI(t1)/I(tn)に設定(ス
テツプ305)し、これを読取系に出力し、画像変
換パネル上の一走査ラインを励起し読取り(ステ
ツプ306)、しかる後、画像変換パネルを所定のよ
うに移動させて次のラインに進む(ステツプ
307)、画像変換パネルが次のラインに進んだ時点
で全面走査終了か否かが判断(ステツプ308)さ
れ、NOであれば前記ステツプ304に戻り、前記
操作が繰り返され、YESであれば読取り終了す
る。
また、第4図は読取つたデータをそのまま一旦
メモリに蓄えた後、減衰補正回路から各ライン
毎のtに対応する補正係数を発生し、CPUにメ
モリよりデータを呼出し、両者を掛け合わせて
補正を行う場合のフローチヤートで、読取値を一
旦メモリ回路に記憶せしめた後、補正係数を掛け
合わす等の処理によつて行うことができる場合の
手順を示している。
メモリに蓄えた後、減衰補正回路から各ライン
毎のtに対応する補正係数を発生し、CPUにメ
モリよりデータを呼出し、両者を掛け合わせて
補正を行う場合のフローチヤートで、読取値を一
旦メモリ回路に記憶せしめた後、補正係数を掛け
合わす等の処理によつて行うことができる場合の
手順を示している。
以上説明したように、この発明は輝尽性蛍光体
層を有する放射線画像情報記録媒体に、放射線に
よる画像露光を行つて放射線画像情報を蓄積記録
し、続いて該放射線画像情報記録媒体を励起光で
走査し、発生する輝尽発光を検出することによつ
て放射線画像情報を得る放射線画像読取方法にお
いて、前記放射線画像情報記録媒体への画像露光
後の経過時間に応じた輝尽発光強度の減衰曲線
を、画像情報を含まない放射線を照射した放射線
画像情報記録媒体を励起光で走査して読取ること
により予め求め、該減衰曲線に基づいて、前記減
衰曲線を求めたと同一の放射線画像情報記録媒体
に蓄積された放射線画像情報の読取りを開始して
から読取りを終了するに至る間の輝尽発光強度の
減衰を、前記放射線による画像露光からの時間に
よつて補正することを特徴としているから、放射
線画像情報記録媒体ごとに定まる輝尽発光強度の
減衰曲線にて補正できる。従つて、放射線画像情
報記録媒体のフエーデイング特性が気温や湿度等
の雰囲気によつて徐々に変化したり、画像信号強
度の減衰曲線が放射線画像情報記録媒体ごとに一
つに定まるものではないとしても画像信号強度の
低下に基づくシエーデイングを完全に補正でき、
良質な放射線画像が得られるという優れた効果を
奏するものである。
層を有する放射線画像情報記録媒体に、放射線に
よる画像露光を行つて放射線画像情報を蓄積記録
し、続いて該放射線画像情報記録媒体を励起光で
走査し、発生する輝尽発光を検出することによつ
て放射線画像情報を得る放射線画像読取方法にお
いて、前記放射線画像情報記録媒体への画像露光
後の経過時間に応じた輝尽発光強度の減衰曲線
を、画像情報を含まない放射線を照射した放射線
画像情報記録媒体を励起光で走査して読取ること
により予め求め、該減衰曲線に基づいて、前記減
衰曲線を求めたと同一の放射線画像情報記録媒体
に蓄積された放射線画像情報の読取りを開始して
から読取りを終了するに至る間の輝尽発光強度の
減衰を、前記放射線による画像露光からの時間に
よつて補正することを特徴としているから、放射
線画像情報記録媒体ごとに定まる輝尽発光強度の
減衰曲線にて補正できる。従つて、放射線画像情
報記録媒体のフエーデイング特性が気温や湿度等
の雰囲気によつて徐々に変化したり、画像信号強
度の減衰曲線が放射線画像情報記録媒体ごとに一
つに定まるものではないとしても画像信号強度の
低下に基づくシエーデイングを完全に補正でき、
良質な放射線画像が得られるという優れた効果を
奏するものである。
第1図は本発明の方法を実施する装置の略示的
斜視図、第2図は輝尽性蛍光体の画像信号(例え
ば輝尽発光強度)の減衰を示す図、第3図及び第
4図は本発明の方法による画像の読取り、補正手
順の一例を示すフローチヤートである。 1……レーザ光源、11……画像変換パネル
(放射線画像情報記録媒体)、12……集光器、2
3……減衰補正制御回路、24……減衰量検出手
段。
斜視図、第2図は輝尽性蛍光体の画像信号(例え
ば輝尽発光強度)の減衰を示す図、第3図及び第
4図は本発明の方法による画像の読取り、補正手
順の一例を示すフローチヤートである。 1……レーザ光源、11……画像変換パネル
(放射線画像情報記録媒体)、12……集光器、2
3……減衰補正制御回路、24……減衰量検出手
段。
Claims (1)
- 1 輝尽性蛍光体層を有する放射線画像情報記録
媒体に、放射線による画像露光を行つて放射線画
像情報を蓄積記録し、続いて該放射線画像情報記
録媒体を励起光で走査し、発生する輝尽発光を検
出することによつて放射線画像情報を得る放射線
画像読取方法において、前記放射線画像情報記録
媒体への画像露光後の経過時間に応じた輝尽発光
強度の減衰曲線を、画像情報を含まない放射線を
照射した放射線画像情報記録媒体を励起光で走査
して読取ることにより予め求め、該減衰曲線に基
づいて、前記減衰曲線を求めたと同一の放射線画
像情報記録媒体に蓄積された放射線画像情報の読
取りを開始してから読取りを終了するに至る間の
輝尽発光強度の減衰を、前記放射線による画像露
光からの時間によつて補正することを特徴とする
放射線画像読取方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61075928A JPS62232274A (ja) | 1986-04-02 | 1986-04-02 | 放射線画像読取方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61075928A JPS62232274A (ja) | 1986-04-02 | 1986-04-02 | 放射線画像読取方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62232274A JPS62232274A (ja) | 1987-10-12 |
JPH0577231B2 true JPH0577231B2 (ja) | 1993-10-26 |
Family
ID=13590426
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61075928A Granted JPS62232274A (ja) | 1986-04-02 | 1986-04-02 | 放射線画像読取方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62232274A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2654708B2 (ja) * | 1990-03-28 | 1997-09-17 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線画像表示方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5883937A (ja) * | 1981-11-13 | 1983-05-19 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線画像情報読取方法 |
JPS5975243A (ja) * | 1982-10-22 | 1984-04-27 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 放射線画像読取装置 |
JPS61238046A (ja) * | 1985-04-15 | 1986-10-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線画像情報読取方法 |
-
1986
- 1986-04-02 JP JP61075928A patent/JPS62232274A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5883937A (ja) * | 1981-11-13 | 1983-05-19 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線画像情報読取方法 |
JPS5975243A (ja) * | 1982-10-22 | 1984-04-27 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 放射線画像読取装置 |
JPS61238046A (ja) * | 1985-04-15 | 1986-10-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線画像情報読取方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62232274A (ja) | 1987-10-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0154689B2 (ja) | ||
JPS5889245A (ja) | 放射線画像情報読取方法 | |
US4922100A (en) | Method for reading a radiographic image | |
JPH0577231B2 (ja) | ||
JPS60135929A (ja) | 放射線画像読取方法 | |
JPH0693075B2 (ja) | 放射線画像の記録読取方法 | |
JPH0473936B2 (ja) | ||
JPS5974545A (ja) | 放射線画像読取方法 | |
JP2521452B2 (ja) | 放射線画像読取装置 | |
JPH07117687B2 (ja) | 放射線画像読取方法 | |
JP2791539B2 (ja) | 放射線画像情報記録読取装置 | |
JP2879138B2 (ja) | 放射線画像情報の読取方法 | |
JPS61262358A (ja) | 放射線画像再生方法 | |
JP2630389B2 (ja) | 放射線画像情報読取装置 | |
JPS61245762A (ja) | 放射線画像読取り方法 | |
JP2913404B2 (ja) | 放射線画像情報読取装置及び放射線画像情報読取方法 | |
US20040227090A1 (en) | Dosimetry system | |
JPS62232273A (ja) | 放射線画像読取方法及び装置 | |
JP2670605B2 (ja) | 放射線画像撮影読取装置 | |
JP2873834B2 (ja) | 放射線画像情報記録読取装置 | |
JPH03107941A (ja) | 放射線画像読取装置 | |
JPH0389337A (ja) | 放射線画像情報記録読取装置 | |
JP2990287B2 (ja) | 放射線画像読取方法及びその装置 | |
JPH065360B2 (ja) | 放射線画像情報読取装置 | |
JP2976122B2 (ja) | 放射線画像読取方法及びその装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |