JPH0575293B2 - - Google Patents
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- JPH0575293B2 JPH0575293B2 JP62145035A JP14503587A JPH0575293B2 JP H0575293 B2 JPH0575293 B2 JP H0575293B2 JP 62145035 A JP62145035 A JP 62145035A JP 14503587 A JP14503587 A JP 14503587A JP H0575293 B2 JPH0575293 B2 JP H0575293B2
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- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 3
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 21
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 15
- 230000006870 function Effects 0.000 description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 2
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 2
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- 102100034033 Alpha-adducin Human genes 0.000 description 1
- 101000799076 Homo sapiens Alpha-adducin Proteins 0.000 description 1
- 101000629598 Rattus norvegicus Sterol regulatory element-binding protein 1 Proteins 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/173—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using elementary logic circuits as components
- H03K19/177—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using elementary logic circuits as components arranged in matrix form
- H03K19/17704—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using elementary logic circuits as components arranged in matrix form the logic functions being realised by the interconnection of rows and columns
- H03K19/17708—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using elementary logic circuits as components arranged in matrix form the logic functions being realised by the interconnection of rows and columns using an AND matrix followed by an OR matrix, i.e. programmable logic arrays
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、プログラマブル論理回路であつて、
複数の入力項線および積項線の交差部にメモリセ
ルを有するアンドアレイと、複数の積項線および
出力項線の交差部にメモリセルを有するオアアレ
イと、各アレイ毎にデータをプログラムする(書
込む)時と論理動作を行わせる時に各入出力項線
および積項線をアドレス指定に基づき選択するデ
コーダ手段と、アンドアレイとオアアレイの間に
接続されたバツフアとを備え、該バツフアをデー
タの書込み時においてもイネーブル状態となるよ
うに構成することにより、データを書込んだ後で
行う該データのベリフアイ・チエツクを容易に実
行可能とするものである。
複数の入力項線および積項線の交差部にメモリセ
ルを有するアンドアレイと、複数の積項線および
出力項線の交差部にメモリセルを有するオアアレ
イと、各アレイ毎にデータをプログラムする(書
込む)時と論理動作を行わせる時に各入出力項線
および積項線をアドレス指定に基づき選択するデ
コーダ手段と、アンドアレイとオアアレイの間に
接続されたバツフアとを備え、該バツフアをデー
タの書込み時においてもイネーブル状態となるよ
うに構成することにより、データを書込んだ後で
行う該データのベリフアイ・チエツクを容易に実
行可能とするものである。
本発明は、プログラマブル論理回路に関し、よ
り詳細には、論理積演算を行うアンド(AND)
アレイと論理和演算を行うオア(OR)アレイと
を備え、各アレイ毎にプログラム可能なプログラ
マブル・ロジツク・アレイ(Programmable
Logic Array;PLA)の構成に関する。
り詳細には、論理積演算を行うアンド(AND)
アレイと論理和演算を行うオア(OR)アレイと
を備え、各アレイ毎にプログラム可能なプログラ
マブル・ロジツク・アレイ(Programmable
Logic Array;PLA)の構成に関する。
第4図には従来形の一例としてのPLAの構成
が示される。同図に示されるPLAは、Siemens社
によつて提案されたものである(米国特許第
4041459号参照)。
が示される。同図に示されるPLAは、Siemens社
によつて提案されたものである(米国特許第
4041459号参照)。
同図において、1はANDアレイ、2はORアレ
イを示し、このANDアレイ1の出力端とORアレ
イ2の入力端の間にはバツフア6,7が介在され
ている。また、4はデータ入出力バツフア、5は
デコーダを示し、これらのデータ入出力バツフア
4およびデコーダ5は、ANDアレイ1とORアレ
イ2の各セルアレイ毎に対応して設けられてい
る。
イを示し、このANDアレイ1の出力端とORアレ
イ2の入力端の間にはバツフア6,7が介在され
ている。また、4はデータ入出力バツフア、5は
デコーダを示し、これらのデータ入出力バツフア
4およびデコーダ5は、ANDアレイ1とORアレ
イ2の各セルアレイ毎に対応して設けられてい
る。
プログラムモードの時は、データ入出力バツフ
ア4およびデコーダ5を用いてセルアレイにデー
タを書込み、同じくバツフア4を通してデータが
正常に書込まれたかどうかの確認(プログラム・
ベリフアイ)を行うようになつている。例えば
ORアレイの場合、データ書込み時には積項線
P1′〜Po′は高い電圧(読出し時より高い電圧)に
駆動される。従つて、この積項線上の高電圧によ
る影響がANDアレイ側に波及しないようにする
ために、バツフア6,7はフローテイング状態、
すなわちデイセーブル(disable)状態になる。
この時、バツフア6内のCMOSインバータ61,
62と電源UDDとの間に逆方向に介在されたダ
イオード63により、該積項線P1′〜Po′から該電
源に電流が流れるのをカツトしている。
ア4およびデコーダ5を用いてセルアレイにデー
タを書込み、同じくバツフア4を通してデータが
正常に書込まれたかどうかの確認(プログラム・
ベリフアイ)を行うようになつている。例えば
ORアレイの場合、データ書込み時には積項線
P1′〜Po′は高い電圧(読出し時より高い電圧)に
駆動される。従つて、この積項線上の高電圧によ
る影響がANDアレイ側に波及しないようにする
ために、バツフア6,7はフローテイング状態、
すなわちデイセーブル(disable)状態になる。
この時、バツフア6内のCMOSインバータ61,
62と電源UDDとの間に逆方向に介在されたダ
イオード63により、該積項線P1′〜Po′から該電
源に電流が流れるのをカツトしている。
すなわち、第4図に示されるPLAの構成によ
れば、セルアレイへのデータの書込み時において
バツフア6,7がデイセーブル状態となり、
ANDアレイ1とORアレイ2は動作上互いに分断
されるようになつている。
れば、セルアレイへのデータの書込み時において
バツフア6,7がデイセーブル状態となり、
ANDアレイ1とORアレイ2は動作上互いに分断
されるようになつている。
上述した従来形のプログラマブル論理回路にお
いては、ANDアレイにデータを書込んだ後、該
データをORアレイを通して読出す際、すなわち
論理ベリフアイを行う際に不都合が生じる。
いては、ANDアレイにデータを書込んだ後、該
データをORアレイを通して読出す際、すなわち
論理ベリフアイを行う際に不都合が生じる。
すなわち、データ書込み時にはバツフア6,7
がデイセーブル状態になつており、ANDアレイ
側とORアレイ側とは分断された状態になつてい
るので、ANDアレイに書込まれたデータを読出
すためには該バツフアをイネーブル(enable)状
態にする必要がある。この時、ANDアレイのベ
リフアイ・チエツクを行う前に、該バツフアが正
常に機能するかどうかを確認する必要がある。そ
してこの確認を行うためには、膨大な量のテスト
パターンデータを用いて論理ベリフアイを行わね
ばならない。このように、セルアレイにデータを
書込んだ後で該データの論理ベリフアイを行う際
にその作業が極めて煩雑なものとなり、効率的な
ベリフアイ・チエツクという観点から、好ましい
とは言えない。
がデイセーブル状態になつており、ANDアレイ
側とORアレイ側とは分断された状態になつてい
るので、ANDアレイに書込まれたデータを読出
すためには該バツフアをイネーブル(enable)状
態にする必要がある。この時、ANDアレイのベ
リフアイ・チエツクを行う前に、該バツフアが正
常に機能するかどうかを確認する必要がある。そ
してこの確認を行うためには、膨大な量のテスト
パターンデータを用いて論理ベリフアイを行わね
ばならない。このように、セルアレイにデータを
書込んだ後で該データの論理ベリフアイを行う際
にその作業が極めて煩雑なものとなり、効率的な
ベリフアイ・チエツクという観点から、好ましい
とは言えない。
また、セルアレイにデータを書込む時は、各セ
ルアレイに対応のデコーダより該データ書込みに
必要な高い電圧を供給する必要があるので、高電
圧供給機能の分だけ該デコーダの回路構成が複雑
になるという問題もある。
ルアレイに対応のデコーダより該データ書込みに
必要な高い電圧を供給する必要があるので、高電
圧供給機能の分だけ該デコーダの回路構成が複雑
になるという問題もある。
本発明は、上述した従来技術における問題点に
鑑み創作されたもので、比較的簡易構成で、セル
アレイにデータを書込んだ後で行う該データのベ
リフアイ・チエツクを容易に実行可能とするプロ
グラマブル論理回路を提供することを目的として
いる。
鑑み創作されたもので、比較的簡易構成で、セル
アレイにデータを書込んだ後で行う該データのベ
リフアイ・チエツクを容易に実行可能とするプロ
グラマブル論理回路を提供することを目的として
いる。
上述した従来技術における問題点を解決するた
め、本発明によれば、複数の入力項線と複数の積
項線の交差部にそれぞれメモリセルを有し、論理
積演算を行うアンドアレイと、前記複数の積項線
に対応する数の積項線と複数の出力項線の交差部
にそれぞれメモリセルを有し、論理和演算を行う
オアアレイと、アドレス指定に基づいて前記入力
項線の選択を行う第1のデコーダと、アドレス指
定に基づいて前記アンドアレイの積項線の選択を
行う第2のデコーダと、前記オアアレイのプログ
ラム時にアドレス指定に基づいて前記出力項線の
選択を行う第3のデコーダと、前記アンドアレイ
の積項線のオアアレイの積項線の間に接続された
バツフアとを具備し、該バツフアは、2つの電圧
値に設定可能な電源ラインに接続されると共に該
電源ラインの電圧に基づいて前記アンドアレイの
積項線の電圧を所定電位に設定し前記オアアレイ
の対応する積項線へ伝達する手段を有し、データ
の書込み時に前記所定電位を書込み用の高電位に
設定し、それ以外の時に該所定電位を通常動作の
ための電位に設定することを特徴とするプログラ
マブル論理回路が提供される。
め、本発明によれば、複数の入力項線と複数の積
項線の交差部にそれぞれメモリセルを有し、論理
積演算を行うアンドアレイと、前記複数の積項線
に対応する数の積項線と複数の出力項線の交差部
にそれぞれメモリセルを有し、論理和演算を行う
オアアレイと、アドレス指定に基づいて前記入力
項線の選択を行う第1のデコーダと、アドレス指
定に基づいて前記アンドアレイの積項線の選択を
行う第2のデコーダと、前記オアアレイのプログ
ラム時にアドレス指定に基づいて前記出力項線の
選択を行う第3のデコーダと、前記アンドアレイ
の積項線のオアアレイの積項線の間に接続された
バツフアとを具備し、該バツフアは、2つの電圧
値に設定可能な電源ラインに接続されると共に該
電源ラインの電圧に基づいて前記アンドアレイの
積項線の電圧を所定電位に設定し前記オアアレイ
の対応する積項線へ伝達する手段を有し、データ
の書込み時に前記所定電位を書込み用の高電位に
設定し、それ以外の時に該所定電位を通常動作の
ための電位に設定することを特徴とするプログラ
マブル論理回路が提供される。
上述した構成によれば、バツフア内の駆動用ト
ランジスタは、データのプログラム時(高電位の
電源ラインに所定の電圧が供給されている時)お
よびそれ以外の時(高電位の電源ラインに該所定
の電圧よりは低い電圧が供給されている時)のい
ずれの場合でも、アンドアレイ側の積項線のレベ
ルに応答してオアアレイ側の対応する積項線を駆
動するようになつている。
ランジスタは、データのプログラム時(高電位の
電源ラインに所定の電圧が供給されている時)お
よびそれ以外の時(高電位の電源ラインに該所定
の電圧よりは低い電圧が供給されている時)のい
ずれの場合でも、アンドアレイ側の積項線のレベ
ルに応答してオアアレイ側の対応する積項線を駆
動するようになつている。
従つて、例えばアンドアレイにデータを書込ん
でいる時でも、バツフアはイネーブル状態となつ
ているので、データ書込み後に行うベリフアイ・
チエツク時には、バツフア自体が正常に機能する
かどうかを確認するための論理ベリフアイを行う
必要がない。すなわちこの場合には、第1および
第2のデコーダを用いてデータ書込みを行うこと
になるが、該データを読出す際には、バツフア自
体の論理ベリフアイを行う必要がないので、単に
第2のデコーダを無効として代わりに第4のデコ
ーダを有効とすることにより、書込まれたデータ
のベリフアイ・チエツクを即座に実行することが
できる。
でいる時でも、バツフアはイネーブル状態となつ
ているので、データ書込み後に行うベリフアイ・
チエツク時には、バツフア自体が正常に機能する
かどうかを確認するための論理ベリフアイを行う
必要がない。すなわちこの場合には、第1および
第2のデコーダを用いてデータ書込みを行うこと
になるが、該データを読出す際には、バツフア自
体の論理ベリフアイを行う必要がないので、単に
第2のデコーダを無効として代わりに第4のデコ
ーダを有効とすることにより、書込まれたデータ
のベリフアイ・チエツクを即座に実行することが
できる。
なお、本発明によるプログラマブル論理回路の
他の特徴および作用の詳細については、添付図面
を参照しての以下の実施例を用いて説明する。
他の特徴および作用の詳細については、添付図面
を参照しての以下の実施例を用いて説明する。
第1図には本発明の一実施例としてのプログラ
マブル論理回路の構成がブロツク的に示される。
第1図の例示は、消去およびプログラムが可能な
読出し専用メモリ(Erasable and
Programmable Read Only Memory;
EPROM)を用いて構成されたPLAの場合を示
す。
マブル論理回路の構成がブロツク的に示される。
第1図の例示は、消去およびプログラムが可能な
読出し専用メモリ(Erasable and
Programmable Read Only Memory;
EPROM)を用いて構成されたPLAの場合を示
す。
第1図において、11はANDアレイであつて、
m本の入力項線Eとl本の積項線PAとの交差部
にそれぞれ記憶セルとしてEPROMセル(第1図
には図示せず)を有し、該入力項線が選択された
時に論理積演算を行うものである。同様に、12
はORアレイであつて、l本の積項線POとn本の
出力項線Aとの交差部にEPROMセルを有し、上
述の入力項線が選択された時に論理和演算を行う
ものである。
m本の入力項線Eとl本の積項線PAとの交差部
にそれぞれ記憶セルとしてEPROMセル(第1図
には図示せず)を有し、該入力項線が選択された
時に論理積演算を行うものである。同様に、12
はORアレイであつて、l本の積項線POとn本の
出力項線Aとの交差部にEPROMセルを有し、上
述の入力項線が選択された時に論理和演算を行う
ものである。
ANDアレイ11の入力項線Eには入力バツフ
ア13が接続されており、該入力バツフアは、ア
ドレス入力ADD1に基づいて入力項線Eのいずれ
かを選択するロウデコーダとして機能する。さら
に入力バツフア13は、データ書込み時には該入
力項線をデータ書込み用の高い電圧(Vpp;
12.5V)に駆動する機能を有している。
ア13が接続されており、該入力バツフアは、ア
ドレス入力ADD1に基づいて入力項線Eのいずれ
かを選択するロウデコーダとして機能する。さら
に入力バツフア13は、データ書込み時には該入
力項線をデータ書込み用の高い電圧(Vpp;
12.5V)に駆動する機能を有している。
ANDアレイ11の積項線PAにはデコーダ14
が接続され、さらに該デコーダには書込み用デー
タD1のバツフアリングを行うデータ入力バツフ
ア14Aが接続されている。デコーダ14は、
ANDアレイ11とORアレイ12の双方に対して
適用されるもので、前者に適用される時はアドレ
ス入力ADD2に基づき、後者に適用される時はア
ドレス入力ADD3に基づいて、積項線PAのいず
れかを選択する機能を有している。
が接続され、さらに該デコーダには書込み用デー
タD1のバツフアリングを行うデータ入力バツフ
ア14Aが接続されている。デコーダ14は、
ANDアレイ11とORアレイ12の双方に対して
適用されるもので、前者に適用される時はアドレ
ス入力ADD2に基づき、後者に適用される時はア
ドレス入力ADD3に基づいて、積項線PAのいず
れかを選択する機能を有している。
ORアレイ12の出力項線Aにはデコーダ15
が接続され、さらに該デコーダには書込み用デー
タD2のバツフアリングを行うデータ入力バツフ
ア15Aが接続されている。デコーダ15は、
ORアレイ12へのデータ書込み時にアドレス入
力ADD4に基づいて出力項線Aのいずれかを選択
する機能を有している。
が接続され、さらに該デコーダには書込み用デー
タD2のバツフアリングを行うデータ入力バツフ
ア15Aが接続されている。デコーダ15は、
ORアレイ12へのデータ書込み時にアドレス入
力ADD4に基づいて出力項線Aのいずれかを選択
する機能を有している。
ORアレイ12の積項線OPにはデコーダ16が
接続され、さらに該デコーダには、該デコーダか
ら出力されたデータのバツフアリングを行なつた
後で読出しデータD3として出力するデータ出力
バツフア16Aが接続されている。デコーダ16
は、ANDアレイ11からのデータ読出し時にア
ドレス入力ADD5に基づいて積項線POのいずれ
かを選択する機能を有している。
接続され、さらに該デコーダには、該デコーダか
ら出力されたデータのバツフアリングを行なつた
後で読出しデータD3として出力するデータ出力
バツフア16Aが接続されている。デコーダ16
は、ANDアレイ11からのデータ読出し時にア
ドレス入力ADD5に基づいて積項線POのいずれ
かを選択する機能を有している。
ORアレイ12の出力項線Aには、該出力項線
上のデータをセンスするために該出力項線のそれ
ぞれに対応して設けられた複数のセンス増幅器か
らなるセンス増幅回路(S/A)19が接続さ
れ、さらに該S/Aには、該S/Aを通して出力
されたデータを外部からのクロツクCLKに応答
して出力する複数のフリツプフロツプ(図示せ
ず)を有するマクロセル20と、デコーダ17と
が接続されている。さらにこのデコーダ17に
は、該デコーダから出力されたデータのバツフア
リングを行なつた後で読出しデータD4として出
力するデータ出力バツフア17Aが接続されてい
る。デコーダ17は、アドレス入力ADD6に基づ
いて出力項線Aのいずれかを選択する機能を有し
ている。
上のデータをセンスするために該出力項線のそれ
ぞれに対応して設けられた複数のセンス増幅器か
らなるセンス増幅回路(S/A)19が接続さ
れ、さらに該S/Aには、該S/Aを通して出力
されたデータを外部からのクロツクCLKに応答
して出力する複数のフリツプフロツプ(図示せ
ず)を有するマクロセル20と、デコーダ17と
が接続されている。さらにこのデコーダ17に
は、該デコーダから出力されたデータのバツフア
リングを行なつた後で読出しデータD4として出
力するデータ出力バツフア17Aが接続されてい
る。デコーダ17は、アドレス入力ADD6に基づ
いて出力項線Aのいずれかを選択する機能を有し
ている。
18は積項線バツフアであつて、ANDアレイ
11の積項線PAとORアレイ12の積項線POの
間に接続され、その具体的な構成および作用につ
いては後で詳述する。
11の積項線PAとORアレイ12の積項線POの
間に接続され、その具体的な構成および作用につ
いては後で詳述する。
第1図のPLAに用いられる5個のデコーダの
うち、通常動作時、すなわち論理積演算と論理和
演算に基づく論理動作時に有効となるのは入力バ
ツフア13である。また、ANDアレイ11にデ
ータを書込む時に有効となるデコーダは入力バツ
フア13とAND書込み用コラムデコーダ14で
あり、その書込まれたデータを読出す時(ベリフ
アイ・チエツク時)に有効となるデコーダは入力
バツフア13とAND読出しコラムデコーダ16
である。同様に、ORアレイ12にデータを書込
む時に有効となるデコーダはオア用ロウデコーダ
14とオア書込み用コラムデコーダ15であり、
その書込まれたデータのベリフアイ・チエツク時
に有効となるデコーダはオア用ロウデコーダ14
とオア読出し用コラムデコーダ17である。
うち、通常動作時、すなわち論理積演算と論理和
演算に基づく論理動作時に有効となるのは入力バ
ツフア13である。また、ANDアレイ11にデ
ータを書込む時に有効となるデコーダは入力バツ
フア13とAND書込み用コラムデコーダ14で
あり、その書込まれたデータを読出す時(ベリフ
アイ・チエツク時)に有効となるデコーダは入力
バツフア13とAND読出しコラムデコーダ16
である。同様に、ORアレイ12にデータを書込
む時に有効となるデコーダはオア用ロウデコーダ
14とオア書込み用コラムデコーダ15であり、
その書込まれたデータのベリフアイ・チエツク時
に有効となるデコーダはオア用ロウデコーダ14
とオア読出し用コラムデコーダ17である。
次に、第2図を参照しながら第1図に示される
積項線バツフア18について説明する。なお、説
明の簡単化のため、線項線PAおよびPOの数は1
本、入力項線Eの数は4本、出力項線Aの数は3
本とする。
積項線バツフア18について説明する。なお、説
明の簡単化のため、線項線PAおよびPOの数は1
本、入力項線Eの数は4本、出力項線Aの数は3
本とする。
同図において、FQ1〜FQ4はANDアレイ1
1において記憶セルを構成するEPROMセルを示
し、該セルのソースは接地され、ドレインは積項
線PAに接続され、制御ゲートはそれぞれ入力項
線1〜4に接続されている。ここで、各入力項
線のレベルが反転しているのは、ANDアレイ1
1がNOR構成になつているためであり、このよ
うな反転されたレベルの信号を供給するために
は、入力項線Eのレベルを入力バツフア13の出
力段においてインバータ等を用いて反転させるこ
とにより実現することができる。同様に、FQ5
〜FQ7はORアレイ12において記憶セルを構成
するEPROMセルを示し、該セルのソースは接地
され、ドレインはそれぞれ出力項線1〜3に接
続され、制御ゲートは積項線POに接続されてい
る。ここで、各出力項線のレベルが反転している
のは、ORアレイ12がNOR構成になつているた
めであり、このような反転されたレベルを有する
出力項線は、S/A19の入力段においてインバ
ータ等を用いて反転させることにより元のレベル
を有する出力項線Aとなる。
1において記憶セルを構成するEPROMセルを示
し、該セルのソースは接地され、ドレインは積項
線PAに接続され、制御ゲートはそれぞれ入力項
線1〜4に接続されている。ここで、各入力項
線のレベルが反転しているのは、ANDアレイ1
1がNOR構成になつているためであり、このよ
うな反転されたレベルの信号を供給するために
は、入力項線Eのレベルを入力バツフア13の出
力段においてインバータ等を用いて反転させるこ
とにより実現することができる。同様に、FQ5
〜FQ7はORアレイ12において記憶セルを構成
するEPROMセルを示し、該セルのソースは接地
され、ドレインはそれぞれ出力項線1〜3に接
続され、制御ゲートは積項線POに接続されてい
る。ここで、各出力項線のレベルが反転している
のは、ORアレイ12がNOR構成になつているた
めであり、このような反転されたレベルを有する
出力項線は、S/A19の入力段においてインバ
ータ等を用いて反転させることにより元のレベル
を有する出力項線Aとなる。
積項線バツフア18において、デプレツシヨン
モードの負荷用トランジスタQ1とエンハンスメ
ントモードの駆動用トランジスタQ2はnMOSイ
ンバータを構成する。負荷用トランジスタQ1の
ドレインは高電位の電源ラインVpcに接続され、
駆動用トランジスタのソースは低電位の電源ライ
ンVss(本実施例では0V)に接続されている。電
源ラインVpcは2つの電圧値をとり得るものであ
り、セルアレイにデータを書込む時にはVpp
(12.5V)、それ以外の時には通常のVcc(5V)の
電圧が供給されるようになつている。
モードの負荷用トランジスタQ1とエンハンスメ
ントモードの駆動用トランジスタQ2はnMOSイ
ンバータを構成する。負荷用トランジスタQ1の
ドレインは高電位の電源ラインVpcに接続され、
駆動用トランジスタのソースは低電位の電源ライ
ンVss(本実施例では0V)に接続されている。電
源ラインVpcは2つの電圧値をとり得るものであ
り、セルアレイにデータを書込む時にはVpp
(12.5V)、それ以外の時には通常のVcc(5V)の
電圧が供給されるようになつている。
駆動用トランジスタQ2の制御ゲート(ノード
N1)と積項線PAの間には、その制御ゲートに所
定のバイアス電圧Voが印加されたnチヤネル型
トランジスタQ3が接続されている。また、ノー
ドN1と電源ラインVccの間には、その制御ゲー
トが接地されたpチヤネル型トランジスタQ4が
接続されている。さらに電源ラインVpcおよびア
ース間には、pチヤネル型トランジスタQ5とn
チヤネル型トランジスタQ6からなるCMOSイ
ンバータが接続され、該インバータは、nMOSイ
ンバータの出力(ノードN2)を反転して積項線
POに供給する働きをする。
N1)と積項線PAの間には、その制御ゲートに所
定のバイアス電圧Voが印加されたnチヤネル型
トランジスタQ3が接続されている。また、ノー
ドN1と電源ラインVccの間には、その制御ゲー
トが接地されたpチヤネル型トランジスタQ4が
接続されている。さらに電源ラインVpcおよびア
ース間には、pチヤネル型トランジスタQ5とn
チヤネル型トランジスタQ6からなるCMOSイ
ンバータが接続され、該インバータは、nMOSイ
ンバータの出力(ノードN2)を反転して積項線
POに供給する働きをする。
上述したバツフア18によれば、積項線PA上
の信号レベルはトランジスタQ3およびQ4を通
して増幅され(ノードN1)、このノードN1に現
れる信号はnMOSインバータを介し(ノード
N2)、さらにCMOSインバータを介して積項線
PO上に出力されるようになつている。また、ト
ランジスタQ4は、内部クロツクパルスを使つて
積項線PAのプリチヤージを行う際にノードN1の
電位を速やかに上昇させる機能を有している。ま
た、nMOSインバータは、ノードN1のレベルが
Vccのレベルまでしか上昇せず、それ故、AND
アレイ側の積項線PAにはドレイン・イレーズ・
ストレスがかからないので、ORアレイ12への
データ書込み時には電圧レベル変換の役割を果た
す。さらに、内部クロツクパルスを使つて出力項
線A1B〜A3Bのプリチヤージを行う際に、該
内部クロツクパルスの発生期間中にトランジスタ
Q2をカツトオフさせておくことにより、積項線
POのレベルは“L”レベルになつているので、
上述のプリチヤージは行い易くなる。このよう
に、第2図に示されるバツフア18はダイナミツ
ク動作を行うPLAに好適な形態を提供するもの
である。
の信号レベルはトランジスタQ3およびQ4を通
して増幅され(ノードN1)、このノードN1に現
れる信号はnMOSインバータを介し(ノード
N2)、さらにCMOSインバータを介して積項線
PO上に出力されるようになつている。また、ト
ランジスタQ4は、内部クロツクパルスを使つて
積項線PAのプリチヤージを行う際にノードN1の
電位を速やかに上昇させる機能を有している。ま
た、nMOSインバータは、ノードN1のレベルが
Vccのレベルまでしか上昇せず、それ故、AND
アレイ側の積項線PAにはドレイン・イレーズ・
ストレスがかからないので、ORアレイ12への
データ書込み時には電圧レベル変換の役割を果た
す。さらに、内部クロツクパルスを使つて出力項
線A1B〜A3Bのプリチヤージを行う際に、該
内部クロツクパルスの発生期間中にトランジスタ
Q2をカツトオフさせておくことにより、積項線
POのレベルは“L”レベルになつているので、
上述のプリチヤージは行い易くなる。このよう
に、第2図に示されるバツフア18はダイナミツ
ク動作を行うPLAに好適な形態を提供するもの
である。
次に、第1図のおよび第2図を参照しながら
PLAの各動作モード時における積項線バツフア
の作用について説明する。
PLAの各動作モード時における積項線バツフア
の作用について説明する。
PLAとしての通常動作の場合
バツフア18は、ANDアレイ11の積項線
PA上のデータをセンスし、該センスされたデ
ータをORアレイ12の対応する積項線PO上に
出力する。つまり、バツフア18はセンスアン
プとして機能する。
PA上のデータをセンスし、該センスされたデ
ータをORアレイ12の対応する積項線PO上に
出力する。つまり、バツフア18はセンスアン
プとして機能する。
さらに、OR読出し用コラムデコーダ17の
代わりに、AND読出し用コラムデコーダ17
を有効にすることにより、ANDアレイ11の
任意の積項線PA上のデータを直接読出すこと
ができる。
代わりに、AND読出し用コラムデコーダ17
を有効にすることにより、ANDアレイ11の
任意の積項線PA上のデータを直接読出すこと
ができる。
ANDアレイへのデータ書込み、およびその
データのベリフアイ・チエツクを行う場合 この場合には、入力バツフア13をロウデコ
ーダとして使用する。そして、入力バツフア1
3とデコーダ14を用いてANDアレイ11に
データを書込むことになるが、この時、バツフ
ア18は、ORアレイに対してはいかなる作用
も及ぼさないが、第2図の構成に見られるよう
に、ANDアレイ側とORアレイ側とを電気的に
協働状態にさせておく役割を果たしている。
データのベリフアイ・チエツクを行う場合 この場合には、入力バツフア13をロウデコ
ーダとして使用する。そして、入力バツフア1
3とデコーダ14を用いてANDアレイ11に
データを書込むことになるが、この時、バツフ
ア18は、ORアレイに対してはいかなる作用
も及ぼさないが、第2図の構成に見られるよう
に、ANDアレイ側とORアレイ側とを電気的に
協働状態にさせておく役割を果たしている。
この書込まれたデータの読出し時(ベリフア
イ・チエツク時)には、入力バツフア13と
AND読出し用コラムデコーダ16が有効とな
り、バツフア18は、通常動作時と同様にセン
スアンプとして機能する。ただしこの場合に
は、センスされたデータORアレイ12内を単
に通過するだけである。
イ・チエツク時)には、入力バツフア13と
AND読出し用コラムデコーダ16が有効とな
り、バツフア18は、通常動作時と同様にセン
スアンプとして機能する。ただしこの場合に
は、センスされたデータORアレイ12内を単
に通過するだけである。
従つて、バツフア18はイネーブル状態とな
つているので、各積項線に何らかの故障があつ
た場合にはその検出(縮退故障の検出)を容易
に行うことができる。
つているので、各積項線に何らかの故障があつ
た場合にはその検出(縮退故障の検出)を容易
に行うことができる。
また、入力バツフア13をロウデコーダとし
て使用しているので、書込みおよび読出し動作
により、該入力バツフア13または入力項線E
に何らかの故障があつた場合にはその検出(縮
退故障の検出)を行うことができる。
て使用しているので、書込みおよび読出し動作
により、該入力バツフア13または入力項線E
に何らかの故障があつた場合にはその検出(縮
退故障の検出)を行うことができる。
ORアレイへのデータ書込み、およびそのデ
ータのベリフアイ・チエツクを行う場合 この場合には、デコーダ14をロウデコーダ
として使用する。そして、デコーダ14とOR
書込み用コラムデコーダ15を用いてORアレ
イ12にデータを書込むことになるが、この
時、バツフア18は、第2図において説明した
ように、積項線POに高電圧を供給するドライ
バとして機能する。
ータのベリフアイ・チエツクを行う場合 この場合には、デコーダ14をロウデコーダ
として使用する。そして、デコーダ14とOR
書込み用コラムデコーダ15を用いてORアレ
イ12にデータを書込むことになるが、この
時、バツフア18は、第2図において説明した
ように、積項線POに高電圧を供給するドライ
バとして機能する。
さらにこの時、セルトランジスタFQ1〜FQ4
のドレイ(通常このドレインには高電圧をかけ
ることができない)に接続されている積項線
PA(デコーダ14の出力)の電位は最大でも
Vccであるので、それ故、バツフア18は電圧
レベル変換の役割も果たす。
のドレイ(通常このドレインには高電圧をかけ
ることができない)に接続されている積項線
PA(デコーダ14の出力)の電位は最大でも
Vccであるので、それ故、バツフア18は電圧
レベル変換の役割も果たす。
書込まれたデータの読出し時(ベリフアイ・
チエツク時)には、デコーダ14とOR読出し
用コラムデコーダ17が有効となり、バツフア
18は、積項線POのドライバとして機能する。
チエツク時)には、デコーダ14とOR読出し
用コラムデコーダ17が有効となり、バツフア
18は、積項線POのドライバとして機能する。
また、書込みおよび読出し動作により出力項
線Aに何らかの故障があつた場合にはその検出
(縮退故障の検出)を行うことができる。
線Aに何らかの故障があつた場合にはその検出
(縮退故障の検出)を行うことができる。
上述した実施例では、積項線バツフア18内
にトランジスタQ1およびQ2からなるnMOS
インバータを用いた場合について説明したが、
それに限らず、例えば第3図に示されるような
CMOSインバータ構成を用いてもよい。
にトランジスタQ1およびQ2からなるnMOS
インバータを用いた場合について説明したが、
それに限らず、例えば第3図に示されるような
CMOSインバータ構成を用いてもよい。
第3図に示されるバツフアが第2図のバツフ
アと構成上異なる点は、nMOSインバータの代
わりにトランジスタQ7およびQ8からなる
CMOSインバータを用いたこと、および、ト
ランジスタQ4の代わりに高電位の電源ライン
Vpcに接続されたトランジスタQ9を用いたこ
とである。第3図のバツフアは、2段の
CMOSインバータを使用しているので消費電
力を低減することができるという点で有利であ
り、また、デプレツシヨン型トランジスタを使
用していないのでプロセス工程を削減すること
ができるという点で有利である。
アと構成上異なる点は、nMOSインバータの代
わりにトランジスタQ7およびQ8からなる
CMOSインバータを用いたこと、および、ト
ランジスタQ4の代わりに高電位の電源ライン
Vpcに接続されたトランジスタQ9を用いたこ
とである。第3図のバツフアは、2段の
CMOSインバータを使用しているので消費電
力を低減することができるという点で有利であ
り、また、デプレツシヨン型トランジスタを使
用していないのでプロセス工程を削減すること
ができるという点で有利である。
以上説明したように本発明のプログラマブル論
理回路によれば、比較的簡易構成で、セルアレイ
にデータを書込んだ後で行う該データのベリフア
イ・チエツクを容易に実行することができる。
理回路によれば、比較的簡易構成で、セルアレイ
にデータを書込んだ後で行う該データのベリフア
イ・チエツクを容易に実行することができる。
また、データの書込みおよび読出しの過程にお
いて積項線バツフアは常にイネーブル状態を維持
しているので、積項線、出力項線あるいは入力項
線に何らかの故障が生じている場合にはその縮退
故障の検出を容易に行うことができる。
いて積項線バツフアは常にイネーブル状態を維持
しているので、積項線、出力項線あるいは入力項
線に何らかの故障が生じている場合にはその縮退
故障の検出を容易に行うことができる。
さらに、第4のデコーダ(AND読出し用コラ
ムデコーダ)を用いて、任意の積項線のデータを
直接読出すことができる。
ムデコーダ)を用いて、任意の積項線のデータを
直接読出すことができる。
第1図は本発明の一実施例としてのPLAの構
成を示すブロツク図、第2図は第1図のPLAに
おける積項線バツフアの一構成例を示す回路図、
第3図は第1図のPLAにおける積項線バツフア
の他の構成例を示す回路図、第4図は従来形の一
例としてのPLAの構成を示す回路図、である。 (符号の説明)、11……アンド(AND)アレ
イ、12……オア(OR)アレイ、13……入力
バツフア(AND用ロウデコーダ)、14……
AND書込み用コラムデコーダ(OR用ロウデコー
ダ)、15……OR書込み用コラムデコーダ、1
6……AND読出し用コラムデコーダ、17……
OR読出し用コラムデコーダ、18……積項線バ
ツフア、Q1,Q7……負荷用トランジスタ、Q
2,Q8……駆動用トランジスタ、Vpc……高電
位の電源ライン、Vss……低電位の電源ライン。
成を示すブロツク図、第2図は第1図のPLAに
おける積項線バツフアの一構成例を示す回路図、
第3図は第1図のPLAにおける積項線バツフア
の他の構成例を示す回路図、第4図は従来形の一
例としてのPLAの構成を示す回路図、である。 (符号の説明)、11……アンド(AND)アレ
イ、12……オア(OR)アレイ、13……入力
バツフア(AND用ロウデコーダ)、14……
AND書込み用コラムデコーダ(OR用ロウデコー
ダ)、15……OR書込み用コラムデコーダ、1
6……AND読出し用コラムデコーダ、17……
OR読出し用コラムデコーダ、18……積項線バ
ツフア、Q1,Q7……負荷用トランジスタ、Q
2,Q8……駆動用トランジスタ、Vpc……高電
位の電源ライン、Vss……低電位の電源ライン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 複数の入力項線と複数の積項線の交差部にそ
れぞれメモリセルを有し、論理積演算を行うアン
ドアレイ11と、 前記複数の積項線に対応する数の積項線と複数
の出力項線の交差部にそれぞれメモリセルを有
し、論理和演算を行うオアアレイ12と、 アドレス指定に基づいて前記入力項線の選択を
行う第1のデコーダ13と、 アドレス指定に基づいて前記アンドアレイの積
項線の選択を行う第2のデコーダ14と、 前記オアアレイのプログラム時にアドレス指定
に基づいて前記出力項線の選択を行う第3のデコ
ーダ15と、 前記アンドアレイの積項線とオアアレイの積項
線の間に接続されたバツフア18とを具備し、 該バツフアは、2つの電圧値に設定可能な電源
ラインVpcに接続されると共に該電源ラインの電
圧に基づいて前記アンドアレイの積項線PAの電
圧を所定電位に設定し前記オアアレイの対応する
積項線POへ伝達する手段Q1,Q2;Q7,Q
8を有し、データの書込み時に前記所定電位を書
込み用の高電位(Vpp)に設定し、それ以外の時
に該所定電位を通常動作のための電位Vccに設定
することを特徴とするプログラマブル論理回路。 2 前記バツフア18は、前記2つの電圧値に設
定可能な電源ラインに接続された負荷用トランジ
スタQ1,Q7と、該負荷用トランジスタと低電
位の電源ラインVssの間に接続され、前記アンド
アレイの積項線上の信号レベルに応答して前記オ
アアレイの対応する積項線を駆動する駆動用トラ
ンジスタQ2,Q8とを有し、データの書込み時
においてもイネーブル状態とされることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載のプログラマブル
論理回路。 3 前記負荷用トランジスタQ1はデプレツシヨ
ンモードのトランジスタであり、前記駆動用トラ
ンジスタQ2はエンハンスメントモードのトラン
ジスタであることを特徴とする特許請求の範囲第
2項記載のプログラマブル論理回路。 4 前記負荷用トランジスタQ7および駆動用ト
ランジスタQ8はCMOS構成のトランジスタで
あることを特徴とする特許請求の範囲第2項記載
のプログラマブル論理回路。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62145035A JPS63310215A (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | プログラマブル論理回路 |
EP88305356A EP0295142B1 (en) | 1987-06-12 | 1988-06-10 | Programmable logic device |
US07/204,842 US4912677A (en) | 1987-06-12 | 1988-06-10 | Programmable logic device |
DE88305356T DE3884062T2 (de) | 1987-06-12 | 1988-06-10 | Programmierbare logische Einrichtung. |
KR8807026A KR910005606B1 (en) | 1987-06-12 | 1988-06-11 | Programmable logic device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62145035A JPS63310215A (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | プログラマブル論理回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63310215A JPS63310215A (ja) | 1988-12-19 |
JPH0575293B2 true JPH0575293B2 (ja) | 1993-10-20 |
Family
ID=15375896
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62145035A Granted JPS63310215A (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | プログラマブル論理回路 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4912677A (ja) |
EP (1) | EP0295142B1 (ja) |
JP (1) | JPS63310215A (ja) |
KR (1) | KR910005606B1 (ja) |
DE (1) | DE3884062T2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006527902A (ja) * | 2003-06-18 | 2006-12-07 | ラティス セミコンダクタ コーポレイション | メモリデータ線のための双方向バッファリング |
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US5083083A (en) * | 1986-09-19 | 1992-01-21 | Actel Corporation | Testability architecture and techniques for programmable interconnect architecture |
US5341092A (en) * | 1986-09-19 | 1994-08-23 | Actel Corporation | Testability architecture and techniques for programmable interconnect architecture |
US5309091A (en) * | 1986-09-19 | 1994-05-03 | Actel Corporation | Testability architecture and techniques for programmable interconnect architecture |
US5198705A (en) * | 1990-05-11 | 1993-03-30 | Actel Corporation | Logic module with configurable combinational and sequential blocks |
WO1993013600A1 (en) * | 1991-12-31 | 1993-07-08 | Honeywell Inc. | Complementary logic with n-channel output transistors |
JP2716906B2 (ja) * | 1992-03-27 | 1998-02-18 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US5319261A (en) * | 1992-07-30 | 1994-06-07 | Aptix Corporation | Reprogrammable interconnect architecture using fewer storage cells than switches |
JP3333352B2 (ja) * | 1995-04-12 | 2002-10-15 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
US5781031A (en) * | 1995-11-21 | 1998-07-14 | International Business Machines Corporation | Programmable logic array |
US5936426A (en) * | 1997-02-03 | 1999-08-10 | Actel Corporation | Logic function module for field programmable array |
US6518787B1 (en) * | 2000-09-21 | 2003-02-11 | Triscend Corporation | Input/output architecture for efficient configuration of programmable input/output cells |
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JP2005341565A (ja) * | 2004-05-29 | 2005-12-08 | Samsung Electronics Co Ltd | イネーブル装置を含む動的でプログラム可能なロジッグアレイ |
US7180813B2 (en) * | 2004-12-15 | 2007-02-20 | Stmicroelectronics, Inc. | Programmable system device having a shared power supply voltage generator for FLASH and PLD modules |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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IT1063025B (it) * | 1975-04-29 | 1985-02-11 | Siemens Ag | Disposizione circuitale logica integrata e programmabile |
US4313106A (en) * | 1980-06-30 | 1982-01-26 | Rca Corporation | Electrically programmable logic array |
US4661922A (en) * | 1982-12-08 | 1987-04-28 | American Telephone And Telegraph Company | Programmed logic array with two-level control timing |
US4488229A (en) * | 1982-12-08 | 1984-12-11 | At&T Bell Laboratories | PLA-Based finite state machine with two-level control timing and same-cycle decision-making capability |
WO1987004879A1 (en) * | 1986-02-07 | 1987-08-13 | Silicon Communications Corporation | Electrically erasable programmable logic array (eepla) |
-
1987
- 1987-06-12 JP JP62145035A patent/JPS63310215A/ja active Granted
-
1988
- 1988-06-10 EP EP88305356A patent/EP0295142B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-06-10 US US07/204,842 patent/US4912677A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-06-10 DE DE88305356T patent/DE3884062T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-06-11 KR KR8807026A patent/KR910005606B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006527902A (ja) * | 2003-06-18 | 2006-12-07 | ラティス セミコンダクタ コーポレイション | メモリデータ線のための双方向バッファリング |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4912677A (en) | 1990-03-27 |
KR890001289A (ko) | 1989-03-20 |
DE3884062D1 (de) | 1993-10-21 |
EP0295142A3 (en) | 1990-06-06 |
KR910005606B1 (en) | 1991-07-31 |
DE3884062T2 (de) | 1994-01-20 |
EP0295142B1 (en) | 1993-09-15 |
EP0295142A2 (en) | 1988-12-14 |
JPS63310215A (ja) | 1988-12-19 |
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