JPH0574784A - シリコン基板の製造方法 - Google Patents
シリコン基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH0574784A JPH0574784A JP26536691A JP26536691A JPH0574784A JP H0574784 A JPH0574784 A JP H0574784A JP 26536691 A JP26536691 A JP 26536691A JP 26536691 A JP26536691 A JP 26536691A JP H0574784 A JPH0574784 A JP H0574784A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon substrate
- oxygen
- single crystal
- substrate
- oxygen concentration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 38
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 38
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 40
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 11
- 238000005247 gettering Methods 0.000 abstract description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 210000004940 nucleus Anatomy 0.000 abstract 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000005923 long-lasting effect Effects 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N [O].[Si] Chemical compound [O].[Si] OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
- H01L21/3221—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering
- H01L21/3225—Thermally inducing defects using oxygen present in the silicon body for intrinsic gettering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
- H01L21/3221—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
IG効果を得ることのできるシリコン基板の製造方法を
提供する。 【構成】 7.5×1017atoms/cm3以下の格子
間酸素を含有している低酸素濃度の単結晶シリコン基板
1の裏面に、CVD法(化学気相成長法)により、多結
晶シリコン膜2を形成する。次に、1200℃以上で3
0分間以上熱処理する。さらに、1000℃以下で2時
間以上熱処理する。この結果、低酸素濃度の単結晶シリ
コン基板1にあってもその単結晶シリコン基板1の内部
に形成される酸素析出物の核の成長が助長される。すな
わち、十分な量のゲッタリング源をシリコン基板3の内
部に確保することができるものである。
Description
法に関し、詳しくはデバイス工程中に誘起される欠陥、
不純物等を、デバイスが構成される活性領域から除去す
ることができるようにしたシリコン基板の製造方法に関
する。
いてDRAM等の半導体素子の高集積化が要求され、シ
リコン基板についてもより一層の高品質化が要望されて
いる。
シリコン基板では、特定の加熱処理が施されている。こ
の加熱処理により、基板表面に無欠陥層(DZ)を、基
板内部に内部領域微小欠陥(Bulk Micro Defect:BMD)
を、それぞれ形成している。この内部領域微小欠陥によ
り、半導体集積回路の製造過程中に侵入する微量の重金
属、例えば鉄、ニッケル、銅等を析出させている。イン
トリンシック・ゲッタリング(IG)効果を積極的に利
用しているものである。そして、その結果として、半導
体装置の歩留まりの向上、例えばpn接合のリーク電流
の減少、キャリアのライフタイムの向上等を図ってい
る。
基板中に含有されている酸素([Oi]:格子間に存在
する酸素)濃度が関連する。すなわち、結晶成長時、坩
堝や雰囲気から混入し、単結晶シリコン中に溶解してい
る過剰の酸素(高酸素)は、高温処理、例えば1100
〜1150℃程度の熱処理を行い、基板中の酸素を外方
拡散させている。このことにより、酸素濃度が低下した
領域内の一部を最終的にDZに形成するものである。次
に、低温処理、例えば900℃以下の熱処理を行い、基
板内部に酸素が析出し、その析出箇所の周囲に結晶欠陥
を形成する。この形成により、結晶格子に歪が生じ、ゲ
ッタリング源として作用し、重金属等が析出するもので
ある。
うな従来のIG処理では、シリコン結晶中に固溶する酸
素の濃度が低いシリコン基板では、酸素析出物が発生し
難いものであった。また、DZ(デバイス形成領域)を
形成するための上記高温処理により、酸素析出物の核も
縮小してしまう。このため、低酸素濃度のシリコン基板
については十分な量のゲッタリング源の確保が難しかっ
た。すなわち、従来のIG処理は、主に高酸素濃度のシ
リコン基板にのみ用いられ、低酸素濃度のシリコン基板
には用いられていなかった。換言すると、低酸素濃度の
シリコン基板については十分なIG効果を備えることは
できなかった。
基板においても十分なIG効果を得ることのできるシリ
コン基板の製造方法を提供することである。
になされた本発明のシリコン基板の製造方法において
は、7.5×1017atoms/cm3以下の格子間酸素
を含有している単結晶シリコン基板を準備する工程と、
この単結晶シリコン基板の裏面に多結晶シリコン膜を形
成する工程と、このシリコン基板を1200℃以上で3
0分間以上熱処理する工程と、このシリコン基板を10
00℃以下で2時間以上熱処理する工程と、を有してい
る。
法では、7.5×1017atoms/cm3以下の格子間
酸素を含有している低酸素濃度の単結晶シリコン基板の
裏面に、例えばCVD法(化学気相成長法)により、多
結晶シリコン膜を形成する。そして、このシリコン基板
に上記2段階の熱処理を施す。この1200℃以上の熱
処理と1000℃以下の熱処理とにより、低酸素濃度の
シリコン基板にあってもそのシリコン基板の内部に形成
される酸素析出物の核の成長が助長される。すなわち、
十分な量のゲッタリング源をシリコン基板の内部に確保
することができるものである。
の実施例について、図面を参照して説明する。図1は本
発明の一実施例に係るシリコン基板の製造方法の工程を
示す断面図である。
7.5×1017atoms/cm3(JEIDA)の格子
間酸素を含んだ単結晶シリコン基板1を準備し、この単
結晶シリコン基板1の裏面(図中の上面)に、例えばS
iH4ガスを用い620℃の温度にて通常のCVD法に
よって、多結晶シリコン膜2を1.5μmの厚さに被着
し、シリコン基板3を得る。
に、例えば1200℃、1時間の高温熱処理を施す(図
1(c))。次に、このシリコン基板3に例えば550
℃、48時間の低温熱処理を加える(図1(d))。こ
の結果、単結晶シリコン基板1内部に、酸素析出物の核
4(図1(d)中×印)が成長する。そして、多結晶シ
リコン膜2と単結晶シリコン基板1との界面近傍におい
ては、酸素析出物の発生量が多くなる。次に、析出物を
顕在化させるために、1000℃、24時間の熱処理を
施す。そして、表1は、光顕微鏡の観察により求めた酸
素析出物の密度を示している。酸素濃度の同じ単結晶シ
リコン基板に、多結晶シリコン膜2を被着した場合と、
被着しない場合とを比較して示している。
あっても、多結晶シリコン膜をその裏面に形成すること
により、そのシリコン基板の内部に形成される酸素析出
物の核の成長が助長されることがわかる。すなわち、十
分な量のゲッタリング源をシリコン基板の内部に確保す
ることができる。この場合、この酸素析出物の周囲に形
成される歪はゲッタリング源として機能することとな
る。すなわち、このシリコン基板3は十分なIG効果を
有することとなる。例えば、その後のデバイス形成工程
において、これらの歪に重金属等が析出される結果とな
る。
結晶シリコン膜2の結晶粒界はEG(エクストリンシッ
ク・ゲッタリング)源として作用する。なお、この多結
晶シリコン膜2は、デバイス形成工程にあって酸化工程
等を繰り返すと、それの一部が酸化により消費された
り、多結晶シリコンの再結晶化が起こる。しかし、多結
晶シリコン膜2のこの様な変化が起きても、上記酸素析
出物の成長に起因して、積層欠陥などの二次欠陥がこの
酸素析出物の近傍に高密度に発生し、これが強力なゲッ
ター源として作用し、不純物等を析出させる。つまり、
ゲッター効果が強力で長持ちし、クリーンである。
の酸素濃度が、従来のIG効果を有する高酸素シリコン
基板より低いので、より完全なDZ(無欠陥層)5をシ
リコン基板3の表面(デバイス活性領域)に実現でき
る。また、不純物等のゲッタリング源も、酸素析出物の
周囲の歪、多結晶シリコン膜の結晶粒界、積層欠陥等
で、IG効果に加え、強力で長持ちするEG効果を得る
ことができる。以上の結果、デバイス特性の劣化、製品
の歩留りの低下をなくすことができる。
されているので、格子間酸素濃度の低いシリコン基板に
おいて、十分なIG効果を持つことができる。また、多
結晶シリコン膜によるEG効果を合わせて持つことがで
きる。また、完全なDZを得ることができる。そして、
これらの結果として、不純物、重金属等の汚染物質を、
ゲッタリング源に取り込み、基板表面でのデバイス特性
の劣化や、製品歩留りの低下をなくすことができる。
方法の工程を示す断面図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 7.5×1017atoms/cm3以下の
格子間酸素を含有している単結晶シリコン基板を準備す
る工程と、 この単結晶シリコン基板の裏面に多結晶シリコン膜を形
成する工程と、 このシリコン基板を1200℃以上で30分間以上熱処
理する工程と、 このシリコン基板を1000℃以下で2時間以上熱処理
する工程と、を有したことを特徴とするシリコン基板の
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3265366A JP2762183B2 (ja) | 1991-09-17 | 1991-09-17 | シリコン基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3265366A JP2762183B2 (ja) | 1991-09-17 | 1991-09-17 | シリコン基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0574784A true JPH0574784A (ja) | 1993-03-26 |
JP2762183B2 JP2762183B2 (ja) | 1998-06-04 |
Family
ID=17416183
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3265366A Expired - Fee Related JP2762183B2 (ja) | 1991-09-17 | 1991-09-17 | シリコン基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2762183B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05275436A (ja) * | 1992-03-24 | 1993-10-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウエーハの熱処理方法 |
EP0635879A2 (en) * | 1993-07-22 | 1995-01-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor silicon wafer and process for producing it |
EP1732114A2 (en) * | 2005-06-09 | 2006-12-13 | Sumco Corporation | Silicon wafer for IGBT and method for producing same |
WO2010131412A1 (ja) * | 2009-05-15 | 2010-11-18 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハおよびその製造方法 |
US8617311B2 (en) | 2006-02-21 | 2013-12-31 | Sumco Corporation | Silicon single crystal wafer for IGBT and method for manufacturing silicon single crystal wafer for IGBT |
-
1991
- 1991-09-17 JP JP3265366A patent/JP2762183B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05275436A (ja) * | 1992-03-24 | 1993-10-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウエーハの熱処理方法 |
EP0635879A2 (en) * | 1993-07-22 | 1995-01-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor silicon wafer and process for producing it |
EP0635879A3 (en) * | 1993-07-22 | 1996-10-23 | Toshiba Kk | Semiconductor silicon wafer and process for its production. |
US5738942A (en) * | 1993-07-22 | 1998-04-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor silicon wafer and process for producing it |
EP1732114A2 (en) * | 2005-06-09 | 2006-12-13 | Sumco Corporation | Silicon wafer for IGBT and method for producing same |
EP1732114A3 (en) * | 2005-06-09 | 2009-09-23 | Sumco Corporation | Silicon wafer for IGBT and method for producing same |
US7846252B2 (en) | 2005-06-09 | 2010-12-07 | Sumco Corporation | Silicon wafer for IGBT and method for producing same |
US8617311B2 (en) | 2006-02-21 | 2013-12-31 | Sumco Corporation | Silicon single crystal wafer for IGBT and method for manufacturing silicon single crystal wafer for IGBT |
WO2010131412A1 (ja) * | 2009-05-15 | 2010-11-18 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハおよびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2762183B2 (ja) | 1998-06-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20020142171A1 (en) | Silicon single crystal, silicon wafer, and epitaxial wafer | |
JP2004304095A (ja) | シリコンウェーハおよびその製造方法 | |
TWI390091B (zh) | Silicon single crystal wafer and its manufacturing method | |
TW201003746A (en) | Silicon substrate for solid-state imaging device and method for manufacturing the same | |
JP3381816B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
TW201001554A (en) | Silicon substrate and manufacturing method of the same | |
US20090226736A1 (en) | Method of manufacturing silicon substrate | |
TWI442478B (zh) | 矽基板及其製造方法 | |
JPH10303208A (ja) | 半導体基板およびその製造方法 | |
KR100625822B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼 및 그의 제조 방법 | |
JP2762183B2 (ja) | シリコン基板の製造方法 | |
JPH05291097A (ja) | シリコン基板およびその製造方法 | |
JPWO2009075257A1 (ja) | シリコン基板とその製造方法 | |
US20020157597A1 (en) | Method for producing silicon epitaxial wafer | |
JPS60247935A (ja) | 半導体ウエハの製造方法 | |
JPH11204534A (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP4035886B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハとその製造方法 | |
WO2001086710A1 (fr) | Procede de production de plaquettes epitaxiales de silicium | |
JP2725460B2 (ja) | エピタキシャルウェハーの製造方法 | |
JP5401808B2 (ja) | シリコン基板とその製造方法 | |
JPH05121319A (ja) | 半導体装置の製造法 | |
JP2002231651A (ja) | Simox基板およびその製造方法 | |
JPS60148127A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
JPH0897221A (ja) | シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハ | |
JPH0574782A (ja) | シリコン基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980224 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080327 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090327 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100327 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100327 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110327 Year of fee payment: 13 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |