JPH0574664A - 電解コンデンサおよび電解コンデンサ用電極箔の製造方法 - Google Patents
電解コンデンサおよび電解コンデンサ用電極箔の製造方法Info
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- JPH0574664A JPH0574664A JP26292391A JP26292391A JPH0574664A JP H0574664 A JPH0574664 A JP H0574664A JP 26292391 A JP26292391 A JP 26292391A JP 26292391 A JP26292391 A JP 26292391A JP H0574664 A JPH0574664 A JP H0574664A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】チタン蒸着箔の静電容量の低下を防止する。
【構成】チタン蒸着箔を無機酸にて表面処理し、しかる
後に熱処理を行なう。
後に熱処理を行なう。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基材表面に蒸着皮膜を
形成した電解コンデンサ用電極箔の製造方法および同電
極箔を使用した電解コンデンサに関するものである。
形成した電解コンデンサ用電極箔の製造方法および同電
極箔を使用した電解コンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】アルミニウムなどの弁作用金属の陽極箔
と陰極箔をセパレータを介在させて巻回してコンデンサ
素子とした電解コンデンサは、一般にコンデンサ素子に
駆動用電解液を含浸し、アルミニウムなどの金属製ケー
スや合成樹脂製のケースにコンデンサ素子を収納し、密
閉した構造を有する。
と陰極箔をセパレータを介在させて巻回してコンデンサ
素子とした電解コンデンサは、一般にコンデンサ素子に
駆動用電解液を含浸し、アルミニウムなどの金属製ケー
スや合成樹脂製のケースにコンデンサ素子を収納し、密
閉した構造を有する。
【０００３】このような電解コンデンサの駆動用電解液
としては従来、エチレングリコールやγ−ブチロラクト
ンなどの極性有機溶媒の単体あるいはその混合物を主溶
媒とし、これにカルボン酸またはその塩を溶質とし、ま
た必要により糖類、水分、リン酸などを添加剤として溶
解した電解液が一般に使用されている。
としては従来、エチレングリコールやγ−ブチロラクト
ンなどの極性有機溶媒の単体あるいはその混合物を主溶
媒とし、これにカルボン酸またはその塩を溶質とし、ま
た必要により糖類、水分、リン酸などを添加剤として溶
解した電解液が一般に使用されている。
【０００４】また、電解コンデンサの静電容量を高める
ために、電極材料の基材であるアルミニウム箔の表面積
を化学的にあるいは電気化学的にエッチングにより拡大
することが行なわれているが、エッチングが過度になる
とアルミニウム箔表面の溶解が同時に進行して却って拡
面率の増大を妨げることなどの理由から、エッチング技
術による電極材料の静電容量の増大化には限界があっ
た。このような問題点を解決するために、弁作用金属で
あるアルミニウム箔を基材とし該基材表面を粗面化した
後に、この基材表面に蒸着法により蒸着皮膜を形成した
電極材料を陰極として使用することも特開昭６１−１８
０４２０号、特開昭６１−２１４４２０号、特開昭６２
−５８６０９号、特開昭６２−１５８１３号、特開昭６
４−３３９１８号、特開昭６３−１００７１１号、特開
平１−３０４７２０号公報などにより知られている。
ために、電極材料の基材であるアルミニウム箔の表面積
を化学的にあるいは電気化学的にエッチングにより拡大
することが行なわれているが、エッチングが過度になる
とアルミニウム箔表面の溶解が同時に進行して却って拡
面率の増大を妨げることなどの理由から、エッチング技
術による電極材料の静電容量の増大化には限界があっ
た。このような問題点を解決するために、弁作用金属で
あるアルミニウム箔を基材とし該基材表面を粗面化した
後に、この基材表面に蒸着法により蒸着皮膜を形成した
電極材料を陰極として使用することも特開昭６１−１８
０４２０号、特開昭６１−２１４４２０号、特開昭６２
−５８６０９号、特開昭６２−１５８１３号、特開昭６
４−３３９１８号、特開昭６３−１００７１１号、特開
平１−３０４７２０号公報などにより知られている。
【０００５】予め基材表面に物理的、化学的または電気
化学的に微細な凹凸を形成すると、蒸着箔の静電容量を
増加させる効果が認められる場合があるが、このような
加工は基材の強度、伸度を著しく損ない、また凹凸加工
工程を必要とするのでコスト面で不利な選択を強いられ
ていた。
化学的に微細な凹凸を形成すると、蒸着箔の静電容量を
増加させる効果が認められる場合があるが、このような
加工は基材の強度、伸度を著しく損ない、また凹凸加工
工程を必要とするのでコスト面で不利な選択を強いられ
ていた。
【０００６】また、蒸着方法について種々の提案が特開
昭５６−２９６６９号、特開昭６４−３３９１５号、特
開昭６４−３３９１８号公報などにより知られている。
即ち、蒸着角度を付けたり、基材を冷却しつつ蒸着する
ことによりチタンを柱状に形成させ、静電容量の発現を
達成することが知られている。
昭５６−２９６６９号、特開昭６４−３３９１５号、特
開昭６４−３３９１８号公報などにより知られている。
即ち、蒸着角度を付けたり、基材を冷却しつつ蒸着する
ことによりチタンを柱状に形成させ、静電容量の発現を
達成することが知られている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、蒸着後のチ
タン皮膜は不安定であり、例えば大気中では箔の静電容
量の低下を招いたり、コンデンサ製品の静電容量の経時
変化が大きいという問題点があった。このような問題点
を解決するために蒸着皮膜を形成した後に、所定の温度
で熱処理を行なうことも特開平２−１７６２３号公報に
より知られているが未だ不充分であった。
タン皮膜は不安定であり、例えば大気中では箔の静電容
量の低下を招いたり、コンデンサ製品の静電容量の経時
変化が大きいという問題点があった。このような問題点
を解決するために蒸着皮膜を形成した後に、所定の温度
で熱処理を行なうことも特開平２−１７６２３号公報に
より知られているが未だ不充分であった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために、本発明者らは種々の実験および検討を行なっ
た結果、アルミニウム箔基材上にチタン薄膜および／ま
たは窒化チタン薄膜を蒸着して形成した後に、これを無
機酸にて表面処理し、所定の温度で熱処理を行なうと、
静電容量の変化が少ない良好な電解コンデンサ用電極箔
を得ることができることを見い出した。無機酸はリン
酸、硝酸、塩酸、硫酸、ホウ酸またはそれらの混合水溶
液が例示される。無機酸による表面処理としては、無機
酸の水溶液中にチタン蒸着箔を浸漬して処理するのが好
ましい。また、熱処理は大気中または不活性ガスの雰囲
気中の常圧下または減圧下において、加熱して処理する
のが好ましい。加熱温度としては３００〜５００℃の範
囲が好ましい。加熱時間は３０秒ないし１０時間が好ま
しい。加熱温度が高い場合は、酸素分圧を下げたり、時
間を短くして過度の反応を抑えるのが好ましい。実質的
に平滑なアルミニウム箔の基材にチタンを柱状に蒸着に
より形成させる場合、即ち、図１にチタン蒸着箔皮膜構
造の模式図を示すが、アルミニウム基材１上に形成され
たチタンの柱状物（以下、カラムという）２と他のカラ
ム２の間隔Ｔが密であると、相隣なるカラム２、２間に
上述した駆動用電解液が充分に含浸されずに静電容量の
発現性が低下してしまうという問題点がある。つまり、
相隣なるカラムの間隔（間隙）が５０オングストロ−ム
未満であると、駆動用電解液の含浸性が悪く、静電容量
の発現性が乏しい。しかしながら、相隣なるカラムの間
隔（隙間）が５０オングストロ−ム以上であると、駆動
用電解液の含浸性が改善され、静電容量の発現性が良好
になる。特には、５０〜５０００オングストロ−ムの範
囲が非常に良好である。
るために、本発明者らは種々の実験および検討を行なっ
た結果、アルミニウム箔基材上にチタン薄膜および／ま
たは窒化チタン薄膜を蒸着して形成した後に、これを無
機酸にて表面処理し、所定の温度で熱処理を行なうと、
静電容量の変化が少ない良好な電解コンデンサ用電極箔
を得ることができることを見い出した。無機酸はリン
酸、硝酸、塩酸、硫酸、ホウ酸またはそれらの混合水溶
液が例示される。無機酸による表面処理としては、無機
酸の水溶液中にチタン蒸着箔を浸漬して処理するのが好
ましい。また、熱処理は大気中または不活性ガスの雰囲
気中の常圧下または減圧下において、加熱して処理する
のが好ましい。加熱温度としては３００〜５００℃の範
囲が好ましい。加熱時間は３０秒ないし１０時間が好ま
しい。加熱温度が高い場合は、酸素分圧を下げたり、時
間を短くして過度の反応を抑えるのが好ましい。実質的
に平滑なアルミニウム箔の基材にチタンを柱状に蒸着に
より形成させる場合、即ち、図１にチタン蒸着箔皮膜構
造の模式図を示すが、アルミニウム基材１上に形成され
たチタンの柱状物（以下、カラムという）２と他のカラ
ム２の間隔Ｔが密であると、相隣なるカラム２、２間に
上述した駆動用電解液が充分に含浸されずに静電容量の
発現性が低下してしまうという問題点がある。つまり、
相隣なるカラムの間隔（間隙）が５０オングストロ−ム
未満であると、駆動用電解液の含浸性が悪く、静電容量
の発現性が乏しい。しかしながら、相隣なるカラムの間
隔（隙間）が５０オングストロ−ム以上であると、駆動
用電解液の含浸性が改善され、静電容量の発現性が良好
になる。特には、５０〜５０００オングストロ−ムの範
囲が非常に良好である。
【０００９】本発明において、基材としてはアルミニウ
ム箔が好適に使用され、上述のような微細な凹凸が形成
されたアルミニウム箔基材であっても、また実質上平滑
なアルミニウム箔基材であってもよい。平滑なアルミニ
ウム箔を基材に用いることは、引張強度や伸度を損わず
に基材の厚さを薄くすることが可能であり、またコスト
的にも粗面化する工程が不要なために有利である。この
ような基材はコンデンサ素子の陽極箔としても使用でき
るが、陰極箔として使用するのがむしろ好ましい。
ム箔が好適に使用され、上述のような微細な凹凸が形成
されたアルミニウム箔基材であっても、また実質上平滑
なアルミニウム箔基材であってもよい。平滑なアルミニ
ウム箔を基材に用いることは、引張強度や伸度を損わず
に基材の厚さを薄くすることが可能であり、またコスト
的にも粗面化する工程が不要なために有利である。この
ような基材はコンデンサ素子の陽極箔としても使用でき
るが、陰極箔として使用するのがむしろ好ましい。
【００１０】一方、本発明に用いられるコンデンサ素子
の陰極箔としては、５〜６０μｍの厚さの実質上平滑な
アルミニウム箔が基材として使用されるが、特に１０〜
４０μｍのものが好適に使用される。アルミニウム基材
へのチタンの付着形成法としては真空蒸着法、スパッタ
リング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法などを例
示することができる。また、真空中または酸素ガス、窒
素やアルゴンなどの不活性ガスなどの雰囲気中で５０〜
３０００オングストロ−ムの厚さに付着形成するのが好
ましい。特に窒素ガス中で蒸着条件を選ぶと窒化チタン
蒸着膜を形成させることができる。該窒化チタン蒸着膜
にはＴｉＮｘ（０＜ｘ≦４／３）で表わされる部分的に
窒化されたチタン薄膜も含まれる。また、該窒化チタン
蒸着膜には窒化チタンと酸化チタンの混合膜も含まれ
る。
の陰極箔としては、５〜６０μｍの厚さの実質上平滑な
アルミニウム箔が基材として使用されるが、特に１０〜
４０μｍのものが好適に使用される。アルミニウム基材
へのチタンの付着形成法としては真空蒸着法、スパッタ
リング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法などを例
示することができる。また、真空中または酸素ガス、窒
素やアルゴンなどの不活性ガスなどの雰囲気中で５０〜
３０００オングストロ−ムの厚さに付着形成するのが好
ましい。特に窒素ガス中で蒸着条件を選ぶと窒化チタン
蒸着膜を形成させることができる。該窒化チタン蒸着膜
にはＴｉＮｘ（０＜ｘ≦４／３）で表わされる部分的に
窒化されたチタン薄膜も含まれる。また、該窒化チタン
蒸着膜には窒化チタンと酸化チタンの混合膜も含まれ
る。
【００１１】本発明において使用される駆動用電解液の
有機極性溶媒としては、電解コンデンサに通常使用され
る有機極性溶媒であればいずれも使用できる。
有機極性溶媒としては、電解コンデンサに通常使用され
る有機極性溶媒であればいずれも使用できる。
【００１２】好ましい溶媒としては、アミド類、ラクト
ン類、グリコ−ル類、硫黄化合物類、ケトン類、エ−テ
ル類または炭酸塩類が使用できる。好ましい具体例とし
ては、炭酸プロピレン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ−メチルホルムアミド、γ−ブチロラクトン、Ｎ
−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、エチレン
シアノヒドリン、エチレングリコ−ル、エチレングリコ
−ルモノまたはジアルキルエ−テル、３−アルキル−
１，３−オキサゾリジン−２−オンなどが使用できる。
特に好ましくは、ラクトン類、エチレングリコ−ル類な
どが用いられる。
ン類、グリコ−ル類、硫黄化合物類、ケトン類、エ−テ
ル類または炭酸塩類が使用できる。好ましい具体例とし
ては、炭酸プロピレン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ−メチルホルムアミド、γ−ブチロラクトン、Ｎ
−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、エチレン
シアノヒドリン、エチレングリコ−ル、エチレングリコ
−ルモノまたはジアルキルエ−テル、３−アルキル−
１，３−オキサゾリジン−２−オンなどが使用できる。
特に好ましくは、ラクトン類、エチレングリコ−ル類な
どが用いられる。
【００１３】本発明において使用される駆動用電解液の
溶質としては、電解コンデンサに通常使用される溶質で
あればいずれも使用できる。
溶質としては、電解コンデンサに通常使用される溶質で
あればいずれも使用できる。
【００１４】好ましい溶質としては、ホウ酸やリン酸な
どの無機酸またはその塩、ケイタングステン酸などのヘ
テロポリ酸またはその塩、フェノ−ル性水酸基を有する
有機酸またはその塩、スルホン酸基を有する有機酸また
はその塩、ギ酸やドデシル酸に代表される鎖式モノカル
ボン酸またはその塩、安息香酸やサリチル酸に代表され
る芳香族モノカルボン酸またはその塩、アジピン酸やセ
バシン酸に代表されるる鎖式ジカルボン酸またはその
塩、マレイン酸やシトラコン酸などの不飽和ジカルボン
酸またはその塩、フタル酸やニトロフタル酸やテトラヒ
ドロフタル酸からなる環式ジカルボン酸またはその塩、
クエン酸に代表されるトリカルボン酸またはその塩を例
示することができる。特に好ましくは、芳香族カルボン
酸または不飽和ジカルボン酸の４級アルキルアンモニウ
ム塩、芳香族カルボン酸のアンモニウム塩が採用され
る。
どの無機酸またはその塩、ケイタングステン酸などのヘ
テロポリ酸またはその塩、フェノ−ル性水酸基を有する
有機酸またはその塩、スルホン酸基を有する有機酸また
はその塩、ギ酸やドデシル酸に代表される鎖式モノカル
ボン酸またはその塩、安息香酸やサリチル酸に代表され
る芳香族モノカルボン酸またはその塩、アジピン酸やセ
バシン酸に代表されるる鎖式ジカルボン酸またはその
塩、マレイン酸やシトラコン酸などの不飽和ジカルボン
酸またはその塩、フタル酸やニトロフタル酸やテトラヒ
ドロフタル酸からなる環式ジカルボン酸またはその塩、
クエン酸に代表されるトリカルボン酸またはその塩を例
示することができる。特に好ましくは、芳香族カルボン
酸または不飽和ジカルボン酸の４級アルキルアンモニウ
ム塩、芳香族カルボン酸のアンモニウム塩が採用され
る。
【００１５】また、塩としてはアンモニウム塩、第１〜
第３級アミン塩、第４級アンモニウム塩を例示すること
ができる。また、伝導度を高めるために水分を添加する
が、コンデンサ特性の経時変化を抑止するためには１５
％以下、好ましくは８％以下、特に好ましくは５％以下
が採用される。
第３級アミン塩、第４級アンモニウム塩を例示すること
ができる。また、伝導度を高めるために水分を添加する
が、コンデンサ特性の経時変化を抑止するためには１５
％以下、好ましくは８％以下、特に好ましくは５％以下
が採用される。
【００１６】
【００１７】＜実施例１＞厚さ２２μｍの平滑なアルミ
ニウム基材にチタン蒸着皮膜を０．１μｍの厚さに形成
した。これを４０℃、１０．９ｗｔ％のリン酸水溶液に
２分間浸漬を行ない、水洗し、４２０℃の大気中雰囲気
中で１分間熱処理した。この基材の静電容量を測定した
ところ９０μＦ／ｃｍ2 であった。さらに、この基材
を、水分１ｗｔ％、γ−ブチロラクトン７４ｗｔ％、ｏ
−フタル酸テトラエチルアンモニウム２５ｗｔ％からな
る、１１０℃の電解液中に浸漬し、２４０ｈｒ放置後の
静電容量を測定したところ７７μＦ／ｃｍ2 で、容量変
化率は−１４％であった。
ニウム基材にチタン蒸着皮膜を０．１μｍの厚さに形成
した。これを４０℃、１０．９ｗｔ％のリン酸水溶液に
２分間浸漬を行ない、水洗し、４２０℃の大気中雰囲気
中で１分間熱処理した。この基材の静電容量を測定した
ところ９０μＦ／ｃｍ2 であった。さらに、この基材
を、水分１ｗｔ％、γ−ブチロラクトン７４ｗｔ％、ｏ
−フタル酸テトラエチルアンモニウム２５ｗｔ％からな
る、１１０℃の電解液中に浸漬し、２４０ｈｒ放置後の
静電容量を測定したところ７７μＦ／ｃｍ2 で、容量変
化率は−１４％であった。
【００１８】＜実施例２＞厚さ２２μｍの平滑なアルミ
ニウム基材にチタン蒸着皮膜を０．１μｍの厚さに形成
した。これを４０℃、１０．９ｗｔ％のリン酸水溶液に
２分間浸漬を行ない、水洗し、３８０℃の窒素雰囲気中
で２分間熱処理した。この基材の静電容量を測定したと
ころ９５μＦ／ｃｍ2 であった。さらに、この基材を、
水分１ｗｔ％、γ−ブチロラクトン７４ｗｔ％、ｏ−フ
タル酸テトラエチルアンモニウム２５ｗｔ％からなる、
１１０℃の電解液中に浸漬し、２４０ｈｒ放置後の静電
容量を測定したところ８０μＦ／ｃｍ2 で、容量変化率
は−１６％であった。
ニウム基材にチタン蒸着皮膜を０．１μｍの厚さに形成
した。これを４０℃、１０．９ｗｔ％のリン酸水溶液に
２分間浸漬を行ない、水洗し、３８０℃の窒素雰囲気中
で２分間熱処理した。この基材の静電容量を測定したと
ころ９５μＦ／ｃｍ2 であった。さらに、この基材を、
水分１ｗｔ％、γ−ブチロラクトン７４ｗｔ％、ｏ−フ
タル酸テトラエチルアンモニウム２５ｗｔ％からなる、
１１０℃の電解液中に浸漬し、２４０ｈｒ放置後の静電
容量を測定したところ８０μＦ／ｃｍ2 で、容量変化率
は−１６％であった。
【００１９】＜実施例３＞厚さ２２μｍの平滑なアルミ
ニウム基材にチタン蒸着皮膜を０．１μｍの厚さに形成
した。これを４０℃、８．８ｗｔ％の硝酸水溶液に２分
間浸漬を行ない、水洗し、４２０℃の空気雰囲気中で１
分間熱処理した。この基材の静電容量を測定したところ
８０μＦ／ｃｍ2 であった。さらに、この基材を、水分
１ｗｔ％、γ−ブチロラクトン７４ｗｔ％、ｏ−フタル
酸テトラエチルアンモニウム２５ｗｔ％からなる、１１
０℃の電解液中に浸漬し、２４０ｈｒ放置後の静電容量
を測定したところ７２μＦ／ｃｍ2 で、容量変化率は−
１０％であった。
ニウム基材にチタン蒸着皮膜を０．１μｍの厚さに形成
した。これを４０℃、８．８ｗｔ％の硝酸水溶液に２分
間浸漬を行ない、水洗し、４２０℃の空気雰囲気中で１
分間熱処理した。この基材の静電容量を測定したところ
８０μＦ／ｃｍ2 であった。さらに、この基材を、水分
１ｗｔ％、γ−ブチロラクトン７４ｗｔ％、ｏ−フタル
酸テトラエチルアンモニウム２５ｗｔ％からなる、１１
０℃の電解液中に浸漬し、２４０ｈｒ放置後の静電容量
を測定したところ７２μＦ／ｃｍ2 で、容量変化率は−
１０％であった。
【００２０】＜実施例４＞厚さ２２μｍの平滑なアルミ
ニウム箔に相隣なるカラムの間隔が１００オングストロ
−ムであるチタン蒸着皮膜を０．１μｍの厚さに形成し
た。これを４０℃、１０．９ｗｔ％のリン酸水溶液に２
分間浸漬し、水洗した後に３８０℃の窒素気流中で２時
間熱処理して陰極箔とした。陽極酸化皮膜の形成された
９０μｍのアルミニウム陽極箔と、該陰極箔をセパレ−
タを介して巻回してコンデンサ素子を製作し、このコン
デンサ素子に、水分１ｗｔ％、γ−ブチロラクトン７４
ｗｔ％、ｏ−フタル酸テトラエチルアンモニウム２５ｗ
ｔ％からなる駆動用電解液を含浸させ、外装ケ−スに組
み込んで定格２５Ｖ３３００μＦの電解コンデンサを製
作した。このコンデンサの静電容量は３３１０μＦであ
った。
ニウム箔に相隣なるカラムの間隔が１００オングストロ
−ムであるチタン蒸着皮膜を０．１μｍの厚さに形成し
た。これを４０℃、１０．９ｗｔ％のリン酸水溶液に２
分間浸漬し、水洗した後に３８０℃の窒素気流中で２時
間熱処理して陰極箔とした。陽極酸化皮膜の形成された
９０μｍのアルミニウム陽極箔と、該陰極箔をセパレ−
タを介して巻回してコンデンサ素子を製作し、このコン
デンサ素子に、水分１ｗｔ％、γ−ブチロラクトン７４
ｗｔ％、ｏ−フタル酸テトラエチルアンモニウム２５ｗ
ｔ％からなる駆動用電解液を含浸させ、外装ケ−スに組
み込んで定格２５Ｖ３３００μＦの電解コンデンサを製
作した。このコンデンサの静電容量は３３１０μＦであ
った。
【００２１】＜比較例１＞厚さ２２μｍの平滑なアルミ
ニウム基材にチタン蒸着皮膜を０．１μｍの厚さに形成
した。これを４２０℃の大気中雰囲気中で１分間熱処理
した。この基材の静電容量を測定したところ７３μＦ／
ｃｍ2 であった。さらに、この基材を、水分１ｗｔ％、
γ−ブチロラクトン７４ｗｔ％、ｏ−フタル酸テトラエ
チルアンモニウム２５ｗｔ％からなる、１１０℃の電解
液中に浸漬し、２４０ｈｒ放置後の静電容量を測定した
ところ６２μＦ／ｃｍ2 で、容量変化率は−１５％であ
った。
ニウム基材にチタン蒸着皮膜を０．１μｍの厚さに形成
した。これを４２０℃の大気中雰囲気中で１分間熱処理
した。この基材の静電容量を測定したところ７３μＦ／
ｃｍ2 であった。さらに、この基材を、水分１ｗｔ％、
γ−ブチロラクトン７４ｗｔ％、ｏ−フタル酸テトラエ
チルアンモニウム２５ｗｔ％からなる、１１０℃の電解
液中に浸漬し、２４０ｈｒ放置後の静電容量を測定した
ところ６２μＦ／ｃｍ2 で、容量変化率は−１５％であ
った。
【００２１】＜比較例２＞厚さ２２μｍの平滑なアルミ
ニウム基材にチタン蒸着皮膜を０．１μｍの厚さに形成
した。この基材の静電容量を測定したところ８６μＦ／
ｃｍ2 であった。さらに、この基材を、水分１ｗｔ％、
γ−ブチロラクトン７４ｗｔ％、ｏ−フタル酸テトラエ
チルアンモニウム２５ｗｔ％からなる、１１０℃の電解
液中に浸漬し、２４０ｈｒ放置後の静電容量を測定した
ところ６１μＦ／ｃｍ2 で、容量変化率は−２９％であ
った。
ニウム基材にチタン蒸着皮膜を０．１μｍの厚さに形成
した。この基材の静電容量を測定したところ８６μＦ／
ｃｍ2 であった。さらに、この基材を、水分１ｗｔ％、
γ−ブチロラクトン７４ｗｔ％、ｏ−フタル酸テトラエ
チルアンモニウム２５ｗｔ％からなる、１１０℃の電解
液中に浸漬し、２４０ｈｒ放置後の静電容量を測定した
ところ６１μＦ／ｃｍ2 で、容量変化率は−２９％であ
った。
【００２２】＜比較例３＞厚さ２２μｍの平滑なアルミ
ニウム基材にチタン蒸着皮膜を０．１μｍの厚さに形成
した。これを４０℃、８．８ｗｔ％の硝酸水溶液に２分
間浸漬を行ない、水洗して静電容量を測定したところ１
０８μＦ／ｃｍ2 であった。さらに、この基材を、水分
１ｗｔ％、γ−ブチロラクトン７４ｗｔ％、ｏ−フタル
酸テトラエチルアンモニウム２５ｗｔ％からなる、１１
０℃の電解液中に浸漬し、２４０ｈｒ放置後の静電容量
を測定したところ６３μＦ／ｃｍ2 で、容量変化率は−
４２％であった。
ニウム基材にチタン蒸着皮膜を０．１μｍの厚さに形成
した。これを４０℃、８．８ｗｔ％の硝酸水溶液に２分
間浸漬を行ない、水洗して静電容量を測定したところ１
０８μＦ／ｃｍ2 であった。さらに、この基材を、水分
１ｗｔ％、γ−ブチロラクトン７４ｗｔ％、ｏ−フタル
酸テトラエチルアンモニウム２５ｗｔ％からなる、１１
０℃の電解液中に浸漬し、２４０ｈｒ放置後の静電容量
を測定したところ６３μＦ／ｃｍ2 で、容量変化率は−
４２％であった。
【００２３】
【発明の効果】比較例２のように蒸着したままのチタン
蒸着箔はその静電容量変化率が−２９％と非常に大き
い。また、比較例１のように熱処理のみでは初期静電容
量は７３μＦ／ｃｍ2 と低い。比較例３のように酸によ
る表面処理のみでは静電容量変化率が−４２％となり、
比較例２より悪くなってしまう。これに対して、無機酸
にて表面処理し、かつその後に熱処理した、本発明に係
るチタン蒸着箔はその静電容量変化率を−１０％台に抑
えることができ、かつ初期容量を発現できる。よって、
本発明に係るチタン蒸着箔を使用した電解コンデンサは
長期間にわたって安定な信頼性を得ることができる。
蒸着箔はその静電容量変化率が−２９％と非常に大き
い。また、比較例１のように熱処理のみでは初期静電容
量は７３μＦ／ｃｍ2 と低い。比較例３のように酸によ
る表面処理のみでは静電容量変化率が−４２％となり、
比較例２より悪くなってしまう。これに対して、無機酸
にて表面処理し、かつその後に熱処理した、本発明に係
るチタン蒸着箔はその静電容量変化率を−１０％台に抑
えることができ、かつ初期容量を発現できる。よって、
本発明に係るチタン蒸着箔を使用した電解コンデンサは
長期間にわたって安定な信頼性を得ることができる。
【図１】チタン蒸着箔皮膜構造の模式図。
１ アルミニウム基材 ２ カラム
Claims (4)
- 【請求項１】アルミニウム箔基材上にチタン薄膜および
／または窒化チタン薄膜を形成し、無機酸にて表面を処
理し、しかる後に所定の温度で熱処理を行なうことを特
徴とした電解コンデンサ用電極箔の製造方法。 - 【請求項２】アルミニウム箔基材上に相隣なるカラムの
間隔が５０オングストロ−ム以上のチタン薄膜および／
または窒化チタン薄膜を形成することを特徴とする請求
項１に記載の電解コンデンサ用電極箔の製造方法。 - 【請求項３】基材に実質上平滑なアルミニウム箔を使用
したことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の
電解コンデンサ用電極箔の製造方法。 - 【請求項４】陽極箔と陰極箔をセパレ−タを介在させて
コンデンサ素子とし、同コンデンサ素子に駆動用電解液
を含浸した電解コンデンサにおいて、アルミニウム箔基
材上にチタン薄膜および／または窒化チタン薄膜を形成
し、無機酸にて表面を処理し、所定の温度で熱処理を行
なった電極箔をコンデンサ素子の陰極箔として使用した
ことを特徴とする電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26292391A JPH0574664A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 電解コンデンサおよび電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26292391A JPH0574664A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 電解コンデンサおよび電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574664A true JPH0574664A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=17382474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26292391A Pending JPH0574664A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 電解コンデンサおよび電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0574664A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004047131A1 (ja) * | 2002-11-19 | 2004-06-03 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 固体電解コンデンサ |
| US7107099B1 (en) | 2000-11-03 | 2006-09-12 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Capacitor having a feedthrough assembly with a coupling member |
| US7190570B2 (en) * | 2000-11-03 | 2007-03-13 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Configurations and methods for making capacitor connections |
| JP2012089688A (ja) * | 2010-10-20 | 2012-05-10 | Panasonic Corp | アルミ電解コンデンサ用電極箔とこれを用いたアルミ電解コンデンサならびにアルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
| WO2012157241A1 (ja) * | 2011-05-16 | 2012-11-22 | パナソニック株式会社 | 電極箔とその製造方法、およびコンデンサ |
| US9418796B2 (en) | 2011-02-21 | 2016-08-16 | Japan Capacitor Industrial Co., Ltd. | Electrode foil, current collector, electrode, and electric energy storage element using same |
| US9443660B2 (en) | 2000-11-03 | 2016-09-13 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Flat capacitor for an implantable medical device |
| US9620806B2 (en) | 2002-12-31 | 2017-04-11 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Batteries including a flat plate design |
-
1991
- 1991-09-13 JP JP26292391A patent/JPH0574664A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9443660B2 (en) | 2000-11-03 | 2016-09-13 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Flat capacitor for an implantable medical device |
| US7107099B1 (en) | 2000-11-03 | 2006-09-12 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Capacitor having a feedthrough assembly with a coupling member |
| US7190570B2 (en) * | 2000-11-03 | 2007-03-13 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Configurations and methods for making capacitor connections |
| US10032565B2 (en) | 2000-11-03 | 2018-07-24 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Flat capacitor for an implantable medical device |
| US7158367B2 (en) | 2002-11-19 | 2007-01-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor |
| US7428139B2 (en) | 2002-11-19 | 2008-09-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor |
| WO2004047131A1 (ja) * | 2002-11-19 | 2004-06-03 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 固体電解コンデンサ |
| US9620806B2 (en) | 2002-12-31 | 2017-04-11 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Batteries including a flat plate design |
| US10115995B2 (en) | 2002-12-31 | 2018-10-30 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Batteries including a flat plate design |
| JP2012089688A (ja) * | 2010-10-20 | 2012-05-10 | Panasonic Corp | アルミ電解コンデンサ用電極箔とこれを用いたアルミ電解コンデンサならびにアルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
| US9418796B2 (en) | 2011-02-21 | 2016-08-16 | Japan Capacitor Industrial Co., Ltd. | Electrode foil, current collector, electrode, and electric energy storage element using same |
| WO2012157241A1 (ja) * | 2011-05-16 | 2012-11-22 | パナソニック株式会社 | 電極箔とその製造方法、およびコンデンサ |
| US8971022B2 (en) | 2011-05-16 | 2015-03-03 | Panasonic Corporation | Electrode foil and method for manufacturing same, and capacitor |
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