JP4904934B2 - 酸化亜鉛系透明導電膜及びそれを用いた液晶ディスプレイ並びに酸化亜鉛系スパッタリングターゲット - Google Patents
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Description
1)薄膜の抵抗率が、膜厚が薄くなるのにともない急激に増加する、
2)大気中での高温(例えば250℃)処理により抵抗率が増加する、
3)多湿(例えば60℃、90%)処理により抵抗率が増加する、
4)アルカリ溶液(フォトリソグラフィー工程で使用される現像液、剥離液)により溶解する、
といった問題点が明らかとなった。
平均粒径が1μmの酸化亜鉛粉末と、平均粒径が0.2μmの酸化アルミニウム粉末と、平均粒径が0.5μmの酸化インジウム粉末と、平均粒径0.5μmの酸化ガリウム粉末を所定量ポットに入れ、乾式ボールミルにより48時間混合し、混合粉末を作製した。この混合粉末を金型に入れ、300kg/cm2の圧力でプレスを行い成形体とした。この成形体を3ton/cm2の圧力でCIPによる緻密化処理を行った。次に該成形体を以下の条件で焼結した。なお、アルミニウム、インジウム、ガリウムの含有量が、前記の原子比で、表1に示す値の焼結体を作製した。
焼結温度:1500℃
昇温速度:50℃/hr
保持時間:5時間
焼結雰囲気:窒素雰囲気中
得られた焼結体を4インチφ×6mmtに加工し、インジウム半田を用いて無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングした。
装置:dcマグネトロンスパッタ装置
磁界強度:1000Gauss(ターゲット直上、水平成分)
基板温度:200℃
到達真空度:5×10−5Pa
スパッタリングガス:Ar
スパッタリングガス圧:0.5Pa
DCパワー:300W
膜厚:100nm
使用基板:無アルカリガラス(コーニング社製#1737ガラス)
得られた薄膜の抵抗率をホール効果測定装置を用いて測定した。結果を表1に示す。アルミニウムがAl/(Zn+Al+In+Ga)の原子比で2%を超え6%未満かつインジウムがIn/(Zn+Al+In+Ga)の原子比で0.1%を超え1.0%未満の範囲で900μΩcm以下の低抵抗率の膜を得ることができた。
Claims (2)
- 亜鉛、アルミニウム、インジウム、ガリウムおよび酸素からなり、アルミニウムがAl/(Zn+Al+In+Ga)の原子比で2%を超え6%未満の割合で含有され、インジウムがIn/(Zn+Al+In+Ga)の原子比で0.1%を超え1.0%未満の割合で含有され、かつガリウムがGa/(Zn+Al+In+Ga)の原子比で0.1%を超え1.0%未満の割合で含有されていることを特徴とする透明導電膜。
- 亜鉛、アルミニウム、インジウム、ガリウムおよび酸素からなり、アルミニウムがAl/(Zn+Al+In+Ga)の原子比で2%を超え6%未満の割合で含有され、インジウムがIn/(Zn+Al+In+Ga)の原子比で0.1%を超え1.0%未満の割合で含有され、かつガリウムがGa/(Zn+Al+In+Ga)の原子比で0.1%を超え1.0%未満の割合で含有されている酸化亜鉛系焼結体をターゲット材として用いたことを特徴とする透明導電膜製造用酸化亜鉛系スパッタリングターゲット。
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