JPH0567882A - 多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板Info
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- JPH0567882A JPH0567882A JP3227797A JP22779791A JPH0567882A JP H0567882 A JPH0567882 A JP H0567882A JP 3227797 A JP3227797 A JP 3227797A JP 22779791 A JP22779791 A JP 22779791A JP H0567882 A JPH0567882 A JP H0567882A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ビアホール形成でＹＡＧレーザを用いた多層
配線基板においてビアホール部の上下導体間の接続信頼
性を向上させることを目的とする。 【構成】 多層配線基板の積層される絶縁層３の材質が
ＹＡＧレーザで加工できるものでありなおかつ絶縁層３
の光学的透過率を６０％〜９５％に上げることで、ビア
ホール部が下部導体の露出面積が増えることでビアホー
ル部の上下導体の接続をより安定にできる。
配線基板においてビアホール部の上下導体間の接続信頼
性を向上させることを目的とする。 【構成】 多層配線基板の積層される絶縁層３の材質が
ＹＡＧレーザで加工できるものでありなおかつ絶縁層３
の光学的透過率を６０％〜９５％に上げることで、ビア
ホール部が下部導体の露出面積が増えることでビアホー
ル部の上下導体の接続をより安定にできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＹＡＧレーザによるビ
アホール形成法を用いた多層配線基板に関するものであ
る。
アホール形成法を用いた多層配線基板に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子部品の小型軽量化の要求にと
もない多層配線基板の配線幅やスルーホール，ビアホー
ル径の縮小化が行われている。パターン形成にはスクリ
ーン印刷法とフォトリソ法等が用いられる。主としてス
クリーン印刷法が用いられており、技術動向として、従
来、配線幅１５０μｍルールから最近のスクリーンマス
クの開発により配線幅７５μｍ程度のプリント回路基板
の量産が可能になりさらに数年先には５０μｍの量産が
予想される。またビアホール径については２００〜３０
０μｍが量産されており、今後縮小化されてもスクリー
ンの制約上１００μｍが限界と考えられる。そこで、Ｙ
ＡＧレーザでビアホール形成を行う方法も検討されてい
るが、ビアホール部の形状により上下導体間の接続の信
頼性が悪かった。
もない多層配線基板の配線幅やスルーホール，ビアホー
ル径の縮小化が行われている。パターン形成にはスクリ
ーン印刷法とフォトリソ法等が用いられる。主としてス
クリーン印刷法が用いられており、技術動向として、従
来、配線幅１５０μｍルールから最近のスクリーンマス
クの開発により配線幅７５μｍ程度のプリント回路基板
の量産が可能になりさらに数年先には５０μｍの量産が
予想される。またビアホール径については２００〜３０
０μｍが量産されており、今後縮小化されてもスクリー
ンの制約上１００μｍが限界と考えられる。そこで、Ｙ
ＡＧレーザでビアホール形成を行う方法も検討されてい
るが、ビアホール部の形状により上下導体間の接続の信
頼性が悪かった。
【０００３】このようなＹＡＧレーザ法を用いたビアホ
ール形成について図面を使用して説明する。図２（ａ）
〜（ｄ）はスクリーン印刷法でビアホールを形成する場
合の工程を示すものである。１はベース基板、２は下部
導体、３は絶縁層、４はビアホール、５は上部導体であ
る。このような製造工程はまず図２（ａ）に示すように
ベース基板１に下部導体２を形成して、次に図２（ｂ）
に示すように絶縁層３を形成する。次に図２（ｃ）に示
すようにＹＡＧレーザを用いて絶縁層３にビアホール４
を形成する。更に図２（ｄ）に示すように上部導体を形
成することで上下導体の接続を行い、回路を形成する。
ール形成について図面を使用して説明する。図２（ａ）
〜（ｄ）はスクリーン印刷法でビアホールを形成する場
合の工程を示すものである。１はベース基板、２は下部
導体、３は絶縁層、４はビアホール、５は上部導体であ
る。このような製造工程はまず図２（ａ）に示すように
ベース基板１に下部導体２を形成して、次に図２（ｂ）
に示すように絶縁層３を形成する。次に図２（ｃ）に示
すようにＹＡＧレーザを用いて絶縁層３にビアホール４
を形成する。更に図２（ｄ）に示すように上部導体を形
成することで上下導体の接続を行い、回路を形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来通
りのＹＡＧレーザによるビアホール形成工法を用いた場
合に、ビアホール４の形状が図３の拡大図に示すように
下部導体２の露出部が小さく、上部導体５との接続部の
面積が小さいため、形状のばらつきにより、接続不良が
発生しやすかった。
りのＹＡＧレーザによるビアホール形成工法を用いた場
合に、ビアホール４の形状が図３の拡大図に示すように
下部導体２の露出部が小さく、上部導体５との接続部の
面積が小さいため、形状のばらつきにより、接続不良が
発生しやすかった。
【０００５】本発明は、前述の問題点を解決する方法と
して、ＹＡＧレーザによるビアホールの形成法を用いた
多層配線基板においてビアホール部の上下導体間の接続
の安定性をもたせる構造を提供するものである。
して、ＹＡＧレーザによるビアホールの形成法を用いた
多層配線基板においてビアホール部の上下導体間の接続
の安定性をもたせる構造を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、基板上に配線パターンと絶縁層とを多層に積層した
構成とするとともに、前記配線パターンの各層間を電気
的に接続するためのビアホール導体を備え、前記絶縁層
は光学的透過率が６０〜９５％の範囲にあることを特徴
とするものである。
に、基板上に配線パターンと絶縁層とを多層に積層した
構成とするとともに、前記配線パターンの各層間を電気
的に接続するためのビアホール導体を備え、前記絶縁層
は光学的透過率が６０〜９５％の範囲にあることを特徴
とするものである。
【０００７】
【作用】本発明によればビアホール部を形成する絶縁層
の光学的透過率を上げることで、ＹＡＧレーザ光が照射
されたときにまず下部導体が加熱され、そのときに絶縁
層および下部導体の部分的熱膨張が起こり、ＹＡＧレー
ザ光の照射欠損部よりも若干大きめのほぼ円柱状に絶縁
層が飛び出してビアホール部が形成される。そのため
に、下部導体の露出部が増加し、これにより上下導体間
の接続の信頼性を向上することが可能となる。
の光学的透過率を上げることで、ＹＡＧレーザ光が照射
されたときにまず下部導体が加熱され、そのときに絶縁
層および下部導体の部分的熱膨張が起こり、ＹＡＧレー
ザ光の照射欠損部よりも若干大きめのほぼ円柱状に絶縁
層が飛び出してビアホール部が形成される。そのため
に、下部導体の露出部が増加し、これにより上下導体間
の接続の信頼性を向上することが可能となる。
【０００８】
【実施例】（実施例１）以下、本発明の一実施例の多層
配線基板について説明する。
配線基板について説明する。
【０００９】図１は本発明によるＹＡＧレーザを用いた
多層配線基板のビアホール部を示すものである。
多層配線基板のビアホール部を示すものである。
【００１０】本実施例においては、絶縁層の光学的透過
率を６０〜９５％とした以外は、従来例と同じ構成であ
る。
率を６０〜９５％とした以外は、従来例と同じ構成であ
る。
【００１１】本実施例ではベース基板１としてアルミナ
セラミック基板（純度９６wt％）を用いた。そして図２
（ａ）のように下部導体２（Ａｇ−Ｐｄペースト）をス
クリーン印刷で塗膜を形成し、焼成炉にてピーク温度８
００℃〜８７０℃のピーク時間６分〜１０分（昇温速度
５０℃〜８０℃／分）の条件で焼成した。下部導体２の
厚みは６〜１０μｍである。次に図２（ｂ）に示すよう
に絶縁ペーストをスクリーン印刷で塗膜を形成し、焼成
炉にてピーク温度８４０℃〜８７０℃のピーク時間８分
〜１０分（昇温速度５０℃〜１００℃／分）の条件で焼
成した。絶縁ペーストとして焼成後の光学的透過率が３
３％，４７％，５９％，７２％，８３％，９５％程度の
６種類を用いた。焼成後の絶縁層３の厚みは下部導体上
において３０μｍ〜５０μｍであった。次に図２（ｃ）
に示すようにＹＡＧレーザにてパワー３ｗ〜６ｗにてビ
アホール４を空ける。特に、レーザ照射時に飛散する加
工くずがサンプルに付着しないように加工部付近の空気
の強制吸引を行う。
セラミック基板（純度９６wt％）を用いた。そして図２
（ａ）のように下部導体２（Ａｇ−Ｐｄペースト）をス
クリーン印刷で塗膜を形成し、焼成炉にてピーク温度８
００℃〜８７０℃のピーク時間６分〜１０分（昇温速度
５０℃〜８０℃／分）の条件で焼成した。下部導体２の
厚みは６〜１０μｍである。次に図２（ｂ）に示すよう
に絶縁ペーストをスクリーン印刷で塗膜を形成し、焼成
炉にてピーク温度８４０℃〜８７０℃のピーク時間８分
〜１０分（昇温速度５０℃〜１００℃／分）の条件で焼
成した。絶縁ペーストとして焼成後の光学的透過率が３
３％，４７％，５９％，７２％，８３％，９５％程度の
６種類を用いた。焼成後の絶縁層３の厚みは下部導体上
において３０μｍ〜５０μｍであった。次に図２（ｃ）
に示すようにＹＡＧレーザにてパワー３ｗ〜６ｗにてビ
アホール４を空ける。特に、レーザ照射時に飛散する加
工くずがサンプルに付着しないように加工部付近の空気
の強制吸引を行う。
【００１２】次に図２（ｄ）に示すように上部導体５と
してスクリーン印刷で塗膜を形成し、焼成炉にて８００
℃〜８７０℃のピーク温度のピーク時間６分〜１０分
（昇温速度５０℃〜８０℃／分）の条件で焼成した。
してスクリーン印刷で塗膜を形成し、焼成炉にて８００
℃〜８７０℃のピーク温度のピーク時間６分〜１０分
（昇温速度５０℃〜８０℃／分）の条件で焼成した。
【００１３】上記の方法で作成したサンプルのビアホー
ル４の形状について詳しく述べる。ビアホール４を形成
する絶縁層３の光学的透過率を変えることによってＹＡ
Ｇレーザの照射状態が変わり、ビアホール部の形状は図
４に示すように３タイプに分けられる。図において、２
ｒはビアホール４の直径、Ｄはベース基板１でのビアホ
ール４の深さである。まず絶縁層３の透過率が約５９％
以上になると図４（ｃ）に示す状態になり、レーザ加工
穴より大きめの穴があく。この現象は絶縁層３の透過率
が上がるとＹＡＧレーザのレーザ光が照射部の絶縁層３
より、下部導体４を先に熱することでその近傍の下部導
体や絶縁層３が発熱し熱膨張することで歪が生じて、Ｙ
ＡＧレーザの照射光の面積より若干大きめのほぼ円柱状
のかたまりがはじき飛ばされて、その部分にビアホール
４ａが形成される。
ル４の形状について詳しく述べる。ビアホール４を形成
する絶縁層３の光学的透過率を変えることによってＹＡ
Ｇレーザの照射状態が変わり、ビアホール部の形状は図
４に示すように３タイプに分けられる。図において、２
ｒはビアホール４の直径、Ｄはベース基板１でのビアホ
ール４の深さである。まず絶縁層３の透過率が約５９％
以上になると図４（ｃ）に示す状態になり、レーザ加工
穴より大きめの穴があく。この現象は絶縁層３の透過率
が上がるとＹＡＧレーザのレーザ光が照射部の絶縁層３
より、下部導体４を先に熱することでその近傍の下部導
体や絶縁層３が発熱し熱膨張することで歪が生じて、Ｙ
ＡＧレーザの照射光の面積より若干大きめのほぼ円柱状
のかたまりがはじき飛ばされて、その部分にビアホール
４ａが形成される。
【００１４】これに対して絶縁層３の透過率が約４７％
以下のものは図４（ａ）に示すようにＹＡＧレーザ光は
絶縁層３の表面から吸収されるため連続的な穴が形成さ
れる。また図４（ｂ）は、図４（ｃ）の状態でレーザー
が照射されるものの、熱による歪が図４（ｃ）より小さ
かったために、ほぼ円柱状のかたまりが絶縁層３の一部
でまだ破断されず、残った状態になっている。
以下のものは図４（ａ）に示すようにＹＡＧレーザ光は
絶縁層３の表面から吸収されるため連続的な穴が形成さ
れる。また図４（ｂ）は、図４（ｃ）の状態でレーザー
が照射されるものの、熱による歪が図４（ｃ）より小さ
かったために、ほぼ円柱状のかたまりが絶縁層３の一部
でまだ破断されず、残った状態になっている。
【００１５】また絶縁層３の光学的透過率を（表１）に
示すように変化させた場合、ビアホール部の上下導体間
の接続部の信頼性の評価を行った。Ｆ．Ｏ（初期オープ
ン：接合不良）については、（表１）に示すように絶縁
層３の透過率に関係がなく初期的には、不良は発生しな
かった。次に環境試験である温度サイクル試験（−３０
℃ ３０分間、１００℃ ３０分間、常温１０分間）で
５００サイクル（５００ｃ）後については、絶縁体の光
学的透過率が５９％以上のものについては上下導体の接
合不良は発生しなかったが、光学的透過率４７％以下の
ものでは、５００サイクルでオープン不良が発生した。
つまり、図４（ｃ）のように下部導体２の露出部が大き
いほど上部導体５との接続性がよくなり、環境試験後の
信頼性が上がったと考えられる。また、（表１）はＹＡ
Ｇレーザのパワー４ｗの時のデータであるが、３ｗ，６
ｗについて同一の試験を行った場合も（表１）と同様な
結果を得た。
示すように変化させた場合、ビアホール部の上下導体間
の接続部の信頼性の評価を行った。Ｆ．Ｏ（初期オープ
ン：接合不良）については、（表１）に示すように絶縁
層３の透過率に関係がなく初期的には、不良は発生しな
かった。次に環境試験である温度サイクル試験（−３０
℃ ３０分間、１００℃ ３０分間、常温１０分間）で
５００サイクル（５００ｃ）後については、絶縁体の光
学的透過率が５９％以上のものについては上下導体の接
合不良は発生しなかったが、光学的透過率４７％以下の
ものでは、５００サイクルでオープン不良が発生した。
つまり、図４（ｃ）のように下部導体２の露出部が大き
いほど上部導体５との接続性がよくなり、環境試験後の
信頼性が上がったと考えられる。また、（表１）はＹＡ
Ｇレーザのパワー４ｗの時のデータであるが、３ｗ，６
ｗについて同一の試験を行った場合も（表１）と同様な
結果を得た。
【００１６】
【表１】
【００１７】以上の結果から明らかなように、絶縁層の
光学的透過率を大きくすることで、図１，図４（ｃ）の
形状のビアホール４を形成でき、下部導体２の露出面積
を増やすことができ、それによってビアホール部の上下
導体の接合の信頼性を向上させることができる。また、
ビアホール４の直径は実験的に４８μｍ〜６５μｍ程度
で、１００μｍ以下のビアホールが形成できた。
光学的透過率を大きくすることで、図１，図４（ｃ）の
形状のビアホール４を形成でき、下部導体２の露出面積
を増やすことができ、それによってビアホール部の上下
導体の接合の信頼性を向上させることができる。また、
ビアホール４の直径は実験的に４８μｍ〜６５μｍ程度
で、１００μｍ以下のビアホールが形成できた。
【００１８】なお、ＹＡＧレーザによるビアホール形成
法は、スクリーン印刷工法でビアホール形成する場合と
比較して、絶縁層３のビアホール４部の周辺に発生する
メニスカス（部分的に印刷塗膜の厚みが厚くなる現象）
がでないことより、絶縁層３の平坦性に優れている。し
かしＹＡＧレーザの条件や絶縁層の材質により、ＹＡＧ
レーザ加工によるビアホール４の穴加工口に絶縁体の溶
融物が残り穴周辺が盛り上がる場合があるが、本実施例
のビアホール形成ではその様な現象は起こらず、さらに
平坦性が向上している。よって今後ＩＣのフェイスダウ
ン実装技術に不可欠である平坦性の追求にとって非常に
有利である。また、ＹＡＧレーザは厚膜ＨＩＣ基板の抵
抗体のトリミングに使用されることより、たとえば、抵
抗体のトリミングとビアホールの形成を同時にできるメ
リットもあり今後期待される技術である。
法は、スクリーン印刷工法でビアホール形成する場合と
比較して、絶縁層３のビアホール４部の周辺に発生する
メニスカス（部分的に印刷塗膜の厚みが厚くなる現象）
がでないことより、絶縁層３の平坦性に優れている。し
かしＹＡＧレーザの条件や絶縁層の材質により、ＹＡＧ
レーザ加工によるビアホール４の穴加工口に絶縁体の溶
融物が残り穴周辺が盛り上がる場合があるが、本実施例
のビアホール形成ではその様な現象は起こらず、さらに
平坦性が向上している。よって今後ＩＣのフェイスダウ
ン実装技術に不可欠である平坦性の追求にとって非常に
有利である。また、ＹＡＧレーザは厚膜ＨＩＣ基板の抵
抗体のトリミングに使用されることより、たとえば、抵
抗体のトリミングとビアホールの形成を同時にできるメ
リットもあり今後期待される技術である。
【００１９】なお、本実施例では、Ａｇ−Ｐｄ系厚膜多
層基板について述べてきたが、Ｃｕ系厚膜多層基板やＡ
ｕレジネートペーストを用いた厚膜多層基板についても
同様な結果を得ている。また、多層配線基板の積層方法
が印刷多層でなくとも、絶縁層３を１層積層する毎にＹ
ＡＧレーザで加工できる工程で、かつ絶縁層３がＹＡＧ
レーザで加工できるものでその透過率が少なくとも６０
％〜９５％のものであれば、本実施例と同様の効果が得
られる。
層基板について述べてきたが、Ｃｕ系厚膜多層基板やＡ
ｕレジネートペーストを用いた厚膜多層基板についても
同様な結果を得ている。また、多層配線基板の積層方法
が印刷多層でなくとも、絶縁層３を１層積層する毎にＹ
ＡＧレーザで加工できる工程で、かつ絶縁層３がＹＡＧ
レーザで加工できるものでその透過率が少なくとも６０
％〜９５％のものであれば、本実施例と同様の効果が得
られる。
【００２０】さらに導体膜および絶縁体膜の形成につい
て本実施例ではスクリーン印刷法での結果を説明した
が、ペーストの粘度調整をすることで描画法，凹版オフ
セット印刷法でも使用可能である。また、薄膜工法のス
パッタ、蒸着等の膜形成法を用いることも可能である。
て本実施例ではスクリーン印刷法での結果を説明した
が、ペーストの粘度調整をすることで描画法，凹版オフ
セット印刷法でも使用可能である。また、薄膜工法のス
パッタ、蒸着等の膜形成法を用いることも可能である。
【００２１】以上のように本実施例によれば、ＹＡＧレ
ーザの条件を調整することで、さらに下部導体の膜厚を
厚くすることができ、比較的容易に信頼性のあるビアホ
ールを形成できる。
ーザの条件を調整することで、さらに下部導体の膜厚を
厚くすることができ、比較的容易に信頼性のあるビアホ
ールを形成できる。
【００２２】
【発明の効果】以上のように本実施例によれば、絶縁層
の光学的透過率を調整することでビアホール部を下部導
体の露出しやすい形状にでき、それにより、ビアホール
部の上下導体間の接合部の信頼性を向上させることがで
きる。
の光学的透過率を調整することでビアホール部を下部導
体の露出しやすい形状にでき、それにより、ビアホール
部の上下導体間の接合部の信頼性を向上させることがで
きる。
【図１】本発明の一実施例の多層配線基板におけるビア
ホール部の加工状態を示す断面図
ホール部の加工状態を示す断面図
【図２】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ本実施例の多層配線
基板の製造工程図
基板の製造工程図
【図３】従来の多層配線基板におけるビアホール部の加
工状態を示す断面図
工状態を示す断面図
【図４】（ａ），（ｂ）はそれぞれ従来の多層配線基板
におけるビアホール部を断面で示す斜視図 （ｃ）は本発明の一実施例の多層配線基板におけるビア
ホール部を断面で示す斜視図
におけるビアホール部を断面で示す斜視図 （ｃ）は本発明の一実施例の多層配線基板におけるビア
ホール部を断面で示す斜視図
１ ベース基板 ２ 下部導体 ３ 絶縁層 ５ 上部導体
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に配線パターンと絶縁層とを多層に
積層した構成とするとともに、前記配線パターンの各層
間を電気的に接続するためのビアホール導体を備え、前
記絶縁層は光学的透過率が６０〜９５％の範囲にあるこ
とを特徴とする多層配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03227797A JP3136682B2 (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03227797A JP3136682B2 (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 多層配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0567882A true JPH0567882A (ja) | 1993-03-19 |
| JP3136682B2 JP3136682B2 (ja) | 2001-02-19 |
Family
ID=16866543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03227797A Expired - Fee Related JP3136682B2 (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3136682B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0964610A3 (en) * | 1998-06-02 | 2001-03-21 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Printed wiring board and process for forming it |
| JP2002329971A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-15 | Kyocera Corp | 配線基板の製造方法 |
-
1991
- 1991-09-09 JP JP03227797A patent/JP3136682B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0964610A3 (en) * | 1998-06-02 | 2001-03-21 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Printed wiring board and process for forming it |
| JP2002329971A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-15 | Kyocera Corp | 配線基板の製造方法 |
| JP4683758B2 (ja) * | 2001-04-26 | 2011-05-18 | 京セラ株式会社 | 配線基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3136682B2 (ja) | 2001-02-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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