JPH0567722A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH0567722A JPH0567722A JP22764391A JP22764391A JPH0567722A JP H0567722 A JPH0567722 A JP H0567722A JP 22764391 A JP22764391 A JP 22764391A JP 22764391 A JP22764391 A JP 22764391A JP H0567722 A JPH0567722 A JP H0567722A
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- die pad
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/4809—Loop shape
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 不定形または球形のダイパッド７裏面等に固
着された粒子５を有する樹脂封止型半導体装置。 【効果】 ダイパッド７裏面等に粒子５を固着すること
で、複雑な形状の突起部を形成し、封止樹脂の喰い付き
を良くする。この結果、封止樹脂２とダイパッド７等と
の密着性が向上し、リフロー等の高温処理を経ても、水
分の気化膨張による封止樹脂のクラックを有効に防止で
きる。
着された粒子５を有する樹脂封止型半導体装置。 【効果】 ダイパッド７裏面等に粒子５を固着すること
で、複雑な形状の突起部を形成し、封止樹脂の喰い付き
を良くする。この結果、封止樹脂２とダイパッド７等と
の密着性が向上し、リフロー等の高温処理を経ても、水
分の気化膨張による封止樹脂のクラックを有効に防止で
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】リードフレームを用いて半導体チップを
マウントした場合、リードフレームの裏面が直接封止樹
脂に接している。このような構造では、封止樹脂とリー
ドフレームの間の密着性が悪く、リードフレームのダイ
パッドと、封止樹脂との間に吸湿した水分が留まりやす
い。
マウントした場合、リードフレームの裏面が直接封止樹
脂に接している。このような構造では、封止樹脂とリー
ドフレームの間の密着性が悪く、リードフレームのダイ
パッドと、封止樹脂との間に吸湿した水分が留まりやす
い。
【０００３】近年、樹脂封止型半導体のパッケージは小
型化が進んでおり、パッケージに対する半導体チップ、
即ちダイパッドが占める割合が大きくなっている。ダイ
パットサイズの大きなパッケージでは実装時のリフロー
時にパッケージ内の水分が気化膨張し、この蒸気圧に封
止樹脂が耐えられず、クラックを起こすことから、製品
の信頼性を下げる原因となっていた。
型化が進んでおり、パッケージに対する半導体チップ、
即ちダイパッドが占める割合が大きくなっている。ダイ
パットサイズの大きなパッケージでは実装時のリフロー
時にパッケージ内の水分が気化膨張し、この蒸気圧に封
止樹脂が耐えられず、クラックを起こすことから、製品
の信頼性を下げる原因となっていた。
【０００４】従来、このダイパッド裏面からのクラック
対策として、特公昭61-3100 に開示されるように、ダイ
パッド裏面部にディンプル加工し、凹部を多数形成した
り、また、ダイパッドに穴を開ける等して、ダイパッド
と封止樹脂との密着力を向上させる方法がある。これ
は、図１０に示すように、凹部１２を設けたダイパッド
７上に半導体チップ８を搭載し、ボンディングワイヤ９
でリード６と導通を取っている。このような構成では、
樹脂封止された後にダイパッド７と封止樹脂の樹脂の収
縮係数の違いにより樹脂部に発生した収縮応力は、ダイ
パッド７裏面に形成された凹部１２により吸収分散され
る。また、リフロー時の高温処理でダイパッドの裏面の
水分が気化膨張したときの蒸気圧も分散し、クラックを
起こさないように強度をもたせてきた。
対策として、特公昭61-3100 に開示されるように、ダイ
パッド裏面部にディンプル加工し、凹部を多数形成した
り、また、ダイパッドに穴を開ける等して、ダイパッド
と封止樹脂との密着力を向上させる方法がある。これ
は、図１０に示すように、凹部１２を設けたダイパッド
７上に半導体チップ８を搭載し、ボンディングワイヤ９
でリード６と導通を取っている。このような構成では、
樹脂封止された後にダイパッド７と封止樹脂の樹脂の収
縮係数の違いにより樹脂部に発生した収縮応力は、ダイ
パッド７裏面に形成された凹部１２により吸収分散され
る。また、リフロー時の高温処理でダイパッドの裏面の
水分が気化膨張したときの蒸気圧も分散し、クラックを
起こさないように強度をもたせてきた。
【０００５】このような凹部１２をエッチングによって
形成した場合、図１１に示すように、半球状ないしは凹
部１２の開口部にオーバーハング部１３を持つ形となっ
ている。このため、封止樹脂が凹部１２内に入り込み、
硬化することで、特にオーバーハング部１３に喰い付
き、物理的密着力を生み出すことができる。
形成した場合、図１１に示すように、半球状ないしは凹
部１２の開口部にオーバーハング部１３を持つ形となっ
ている。このため、封止樹脂が凹部１２内に入り込み、
硬化することで、特にオーバーハング部１３に喰い付
き、物理的密着力を生み出すことができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、エッチングに
よる方法ではコスト高であり、また、形成される凹部１
２の形状が一定ではないため、密着の強度に製品毎のば
らつきがあった。そこで、リードフレームにプレス加工
を施し、凹部を形成する方法が行われている。このプレ
スによる方法では、凹部が円錐状の、即ち、凹部開口部
に比べて底部が細い単純な形状しか形成できず、エッチ
ングによる凹部のようなオーバーハングを持つ形状を形
成するこはプレスの構造上不可能である。従って、凹部
に封止樹脂が入り込むことで密着面積は増加するが、喰
い付きはなく、物理的な密着力は期待できない。また、
喰い付きの良い加工ができたとしても、そのためのプレ
スヘッドに微細なパターンが必要となり、プレスヘッド
の摩耗等に対する耐久性に問題が生じる。この他、ダイ
パッドに穴を設ける場合には、半導体チップをダイパッ
ド上にエポキシペーストで接着する際のペースト濡れに
問題が生じる。
よる方法ではコスト高であり、また、形成される凹部１
２の形状が一定ではないため、密着の強度に製品毎のば
らつきがあった。そこで、リードフレームにプレス加工
を施し、凹部を形成する方法が行われている。このプレ
スによる方法では、凹部が円錐状の、即ち、凹部開口部
に比べて底部が細い単純な形状しか形成できず、エッチ
ングによる凹部のようなオーバーハングを持つ形状を形
成するこはプレスの構造上不可能である。従って、凹部
に封止樹脂が入り込むことで密着面積は増加するが、喰
い付きはなく、物理的な密着力は期待できない。また、
喰い付きの良い加工ができたとしても、そのためのプレ
スヘッドに微細なパターンが必要となり、プレスヘッド
の摩耗等に対する耐久性に問題が生じる。この他、ダイ
パッドに穴を設ける場合には、半導体チップをダイパッ
ド上にエポキシペーストで接着する際のペースト濡れに
問題が生じる。
【０００７】以上の他、封止工程後にアウターリードを
切断、整形するが、フレームと封止樹脂との密着性が悪
いと、放熱フィンを持つような半導体装置ではフィン根
本部で封止樹脂に剥がれが生じ、開口が形成されること
がある。いうまでもなく、開口部が形成されると、そこ
から水分が浸透し、半導体チップ自身や配線に悪影響を
及し、信頼性の低下を招く。
切断、整形するが、フレームと封止樹脂との密着性が悪
いと、放熱フィンを持つような半導体装置ではフィン根
本部で封止樹脂に剥がれが生じ、開口が形成されること
がある。いうまでもなく、開口部が形成されると、そこ
から水分が浸透し、半導体チップ自身や配線に悪影響を
及し、信頼性の低下を招く。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述のような問題点を解
決するため、本発明では、半導体チップと、前記半導体
チップを表面に搭載するダイパッドと、前記半導体チッ
プ上の電極と電気的に接続するリードとを備えたリード
フレームと、前記リードフレーム表面に固着された粒子
と、前記リードの前記粒子を固着した部分をモールドし
た樹脂とを有することを特徴とする樹脂封止型半導体装
置を提供する。ここで、前記粒子が球形であっても良
い。また、前記粒子を前記リードフレーム中央のダイパ
ッドの裏面に固着させても、インナーリード根本部に固
着させても良い。
決するため、本発明では、半導体チップと、前記半導体
チップを表面に搭載するダイパッドと、前記半導体チッ
プ上の電極と電気的に接続するリードとを備えたリード
フレームと、前記リードフレーム表面に固着された粒子
と、前記リードの前記粒子を固着した部分をモールドし
た樹脂とを有することを特徴とする樹脂封止型半導体装
置を提供する。ここで、前記粒子が球形であっても良
い。また、前記粒子を前記リードフレーム中央のダイパ
ッドの裏面に固着させても、インナーリード根本部に固
着させても良い。
【０００９】
【作用】リードフレーム、特に、半導体チップを搭載す
るダイパッド裏面に粒子を固着させることにより、ダイ
パッド裏面に複雑な形状の突起を形成して、オーバーハ
ング部を作り、ダイパッドと封止樹脂との密着性向上す
る。
るダイパッド裏面に粒子を固着させることにより、ダイ
パッド裏面に複雑な形状の突起を形成して、オーバーハ
ング部を作り、ダイパッドと封止樹脂との密着性向上す
る。
【００１０】
【実施例】（実施例１）以下、本発明の第１の実施例を
図１から図５を参照しながら詳細に説明する。
図１から図５を参照しながら詳細に説明する。
【００１１】図１はリードフレームを示す平面図、図２
は球形粒子を固着させたときの、図１中ＡＡ’に沿う断
面のうちダイパッド部分を示す断面図、図３は球形粒子
を接着剤等で固着させたときの、図１中ＡＡ’に沿う断
面のうちダイパッド部分を示す断面図、図４は樹脂封止
後の半導体装置の断面図、図５はダイパッド裏面で水分
が気化膨張した時の様子を示す図である。
は球形粒子を固着させたときの、図１中ＡＡ’に沿う断
面のうちダイパッド部分を示す断面図、図３は球形粒子
を接着剤等で固着させたときの、図１中ＡＡ’に沿う断
面のうちダイパッド部分を示す断面図、図４は樹脂封止
後の半導体装置の断面図、図５はダイパッド裏面で水分
が気化膨張した時の様子を示す図である。
【００１２】まず、図１のように、中央部に半導体チッ
プを搭載するダイパッド７、半導体チップと接続するリ
ード６、リード６の内部、外部の中間で、リード６を連
結しているダイバー１６を設けたリードフレーム１を従
来同様に形成する。
プを搭載するダイパッド７、半導体チップと接続するリ
ード６、リード６の内部、外部の中間で、リード６を連
結しているダイバー１６を設けたリードフレーム１を従
来同様に形成する。
【００１３】次に、図２に示すように、セラミック、ガ
ラス、高強度樹脂、金属等でできた球形粒子５を、プレ
ス下型に吹き込むことで供給しておく。または、予め粒
子５を簡単に剥がせる程度に付着させた帯状シートを連
続的に引き込むことによってプレス下型に供給しても良
い。続いて、この供給した粒子５にかぶせるようにリー
ドフレーム１を乗せ、ポンチで叩き、後に半導体チップ
を搭載するダイパッド７の裏面に球形粒子５を圧着させ
る。図２はポンチで叩くなどして圧着したり、ブラスト
等で吹き付けたりして、ダイパッド７裏面に球形粒子５
を固着させたものである。また、図３はダイパッド７裏
面に接着剤１０を塗布またはプリントし、球形粒子５を
固着したものである。さらに、球形粒子５にポリイミド
等の封止樹脂と密着性の良い物質をまぶした後に、球形
粒子５を上述のような方法でダイパッド７に固着する、
ないしはダイパッド７に固着した球形粒子５に封止樹脂
と密着性の良い物質を吹き付けるなどして、一層密着性
を向上させることができる。
ラス、高強度樹脂、金属等でできた球形粒子５を、プレ
ス下型に吹き込むことで供給しておく。または、予め粒
子５を簡単に剥がせる程度に付着させた帯状シートを連
続的に引き込むことによってプレス下型に供給しても良
い。続いて、この供給した粒子５にかぶせるようにリー
ドフレーム１を乗せ、ポンチで叩き、後に半導体チップ
を搭載するダイパッド７の裏面に球形粒子５を圧着させ
る。図２はポンチで叩くなどして圧着したり、ブラスト
等で吹き付けたりして、ダイパッド７裏面に球形粒子５
を固着させたものである。また、図３はダイパッド７裏
面に接着剤１０を塗布またはプリントし、球形粒子５を
固着したものである。さらに、球形粒子５にポリイミド
等の封止樹脂と密着性の良い物質をまぶした後に、球形
粒子５を上述のような方法でダイパッド７に固着する、
ないしはダイパッド７に固着した球形粒子５に封止樹脂
と密着性の良い物質を吹き付けるなどして、一層密着性
を向上させることができる。
【００１４】この後、粒子を裏面に固着させたダイパッ
ド７表面に半導体チップを従来のようにエポキシペース
トで接着し、ボンディング工程、封止工程、切断・ベン
ド工程を経て、樹脂封止型半導体装置を完成する。
ド７表面に半導体チップを従来のようにエポキシペース
トで接着し、ボンディング工程、封止工程、切断・ベン
ド工程を経て、樹脂封止型半導体装置を完成する。
【００１５】図４に樹脂封止後の半導体装置の断面図を
示す。ダイパッド７上に半導体チップ８を接着し、樹脂
２によって封止されている。半導体チップ８はボンディ
ングワイヤ９によってリード６と導通が取られている。
示す。ダイパッド７上に半導体チップ８を接着し、樹脂
２によって封止されている。半導体チップ８はボンディ
ングワイヤ９によってリード６と導通が取られている。
【００１６】ここで、ダイパッド７裏面に球形粒子５が
固着されているので、樹脂２はダイパッド７に沿う方向
にずれることはなく、また、垂直方向に剥がれることな
く、密着している。
固着されているので、樹脂２はダイパッド７に沿う方向
にずれることはなく、また、垂直方向に剥がれることな
く、密着している。
【００１７】これによって、図５に示すように、半導体
装置実装工程でリフロー等の高温処理を経て、樹脂２と
ダイパッド７との間の水分が気化膨張しても、各球形粒
子５がダイパッド７と樹脂２を強力に接着させ、気化膨
張領域４を細分化するので、樹脂２のダイパッド７全体
に及ぶような大きな剥がれを防止する。従って、樹脂２
のクラックを良好に抑えることが可能で、品質を向上さ
せることができる。また、金属で球形粒子を形成した場
合には放熱効率を向上させることができる。更に、本実
施例のように、球形粒子５を用いると、ダイパッド７裏
面と球形粒子５の固着部近傍にオーバーハング部１４が
形成され、樹脂の喰い付きが一層良くなる。従って、ダ
イパッド７と樹脂の密着度が向上し、後の高温処理でダ
イパッド７裏の水分が気化膨張しても、ダイパッド７裏
全面に及ぶはがれを抑え、クラックが生じるのを良好に
防止できる。 （実施例２）以下、本発明の第２の実施例を図１、図
６、図７を参照しながら詳細に説明する。
装置実装工程でリフロー等の高温処理を経て、樹脂２と
ダイパッド７との間の水分が気化膨張しても、各球形粒
子５がダイパッド７と樹脂２を強力に接着させ、気化膨
張領域４を細分化するので、樹脂２のダイパッド７全体
に及ぶような大きな剥がれを防止する。従って、樹脂２
のクラックを良好に抑えることが可能で、品質を向上さ
せることができる。また、金属で球形粒子を形成した場
合には放熱効率を向上させることができる。更に、本実
施例のように、球形粒子５を用いると、ダイパッド７裏
面と球形粒子５の固着部近傍にオーバーハング部１４が
形成され、樹脂の喰い付きが一層良くなる。従って、ダ
イパッド７と樹脂の密着度が向上し、後の高温処理でダ
イパッド７裏の水分が気化膨張しても、ダイパッド７裏
全面に及ぶはがれを抑え、クラックが生じるのを良好に
防止できる。 （実施例２）以下、本発明の第２の実施例を図１、図
６、図７を参照しながら詳細に説明する。
【００１８】本実施例は、粒子をインナーリードに固着
するものである。図６は樹脂封止後の半導体装置の断面
の一部を示し、図７は樹脂封止後の半導体装置の断面図
である。従来の方法により、リードフレーム１を形成す
る。
するものである。図６は樹脂封止後の半導体装置の断面
の一部を示し、図７は樹脂封止後の半導体装置の断面図
である。従来の方法により、リードフレーム１を形成す
る。
【００１９】次に、セラミック、ガラス、高強度樹脂、
金属等でできた球形に成形した微粒子５３をタイバー１
６のインナー側根元のパッケージ内側と成る部分に、実
施例１と同様にして固着し、図６に示すように、樹脂封
止する。ここで、微粒子５３はリードピッチに比べて十
分小く、リード変形やリード同士の絶縁不良を引き起こ
さないものを用いる。
金属等でできた球形に成形した微粒子５３をタイバー１
６のインナー側根元のパッケージ内側と成る部分に、実
施例１と同様にして固着し、図６に示すように、樹脂封
止する。ここで、微粒子５３はリードピッチに比べて十
分小く、リード変形やリード同士の絶縁不良を引き起こ
さないものを用いる。
【００２０】この後、実施例１と同様にして、マウント
工程、ボンディング工程、封止工程、切断・ベンド工程
を経て、図７に示すような樹脂封止型半導体装置を完成
する。
工程、ボンディング工程、封止工程、切断・ベンド工程
を経て、図７に示すような樹脂封止型半導体装置を完成
する。
【００２１】このようにして、リード６のパッケージ内
側に微粒子５３を固着しておくと、リード６と球形の微
粒子との固着部近傍にオーバーハングが形成され、樹脂
２の喰い付きが良くなる。従って、後のアウターリード
の切断、整形による応力にも十分耐え、パッケージのリ
ード根元部の口開きを有効に抑えることができる。特
に、放熱用の幅広いフィンを有する樹脂封止型半導体装
置では、一般に放熱フィンが他のリードに比べて幅広に
なっているので、整形時に大きな力がかかり、封止樹脂
の口開きを起こしやすい。従って、本実施例のように微
粒子５３をリード６に固着させておくと、上述のような
口開きの不良を良好に抑えるのに有効である。合わせ
て、実施例１のように、ダイパッド裏面に粒子を固着さ
せると一層信頼性を向上させることができる。
側に微粒子５３を固着しておくと、リード６と球形の微
粒子との固着部近傍にオーバーハングが形成され、樹脂
２の喰い付きが良くなる。従って、後のアウターリード
の切断、整形による応力にも十分耐え、パッケージのリ
ード根元部の口開きを有効に抑えることができる。特
に、放熱用の幅広いフィンを有する樹脂封止型半導体装
置では、一般に放熱フィンが他のリードに比べて幅広に
なっているので、整形時に大きな力がかかり、封止樹脂
の口開きを起こしやすい。従って、本実施例のように微
粒子５３をリード６に固着させておくと、上述のような
口開きの不良を良好に抑えるのに有効である。合わせ
て、実施例１のように、ダイパッド裏面に粒子を固着さ
せると一層信頼性を向上させることができる。
【００２２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、リード
フレームに粒子を固着させることによって、タイパッド
裏面に複雑な形状を形成して、ダイパッドと封止樹脂と
の密着性を向上させることができる。また、リードフレ
ーム表面近傍にオーバーハング部を作ることができ、そ
こに封止樹脂が食いつき、密着性が一層向上する。この
ため、封止後の実装工程でリフロー等の高温処理を経る
際に、リードフレームと封止樹脂との間に含まれる水分
が気化膨張しても、封止樹脂にクラックが生じることを
有効に抑えることができる。更に、金属で粒子を形成し
た場合には放熱効率を向上させることができる。
フレームに粒子を固着させることによって、タイパッド
裏面に複雑な形状を形成して、ダイパッドと封止樹脂と
の密着性を向上させることができる。また、リードフレ
ーム表面近傍にオーバーハング部を作ることができ、そ
こに封止樹脂が食いつき、密着性が一層向上する。この
ため、封止後の実装工程でリフロー等の高温処理を経る
際に、リードフレームと封止樹脂との間に含まれる水分
が気化膨張しても、封止樹脂にクラックが生じることを
有効に抑えることができる。更に、金属で粒子を形成し
た場合には放熱効率を向上させることができる。
【００２３】また、パッケージ側部のリード根本部に微
粒子を固着させておくと、リードと樹脂との密着性を向
上させ、リード根本部での口開きを防止する。また、密
着性の向上は外気からの水分の浸透を抑えることもでき
る。
粒子を固着させておくと、リードと樹脂との密着性を向
上させ、リード根本部での口開きを防止する。また、密
着性の向上は外気からの水分の浸透を抑えることもでき
る。
【図１】リードフレームを示す平面図である。
【図２】図１中のＡＡ’に沿う断面のうちダイパッド部
分を示す断面図である。
分を示す断面図である。
【図３】図１中のＡＡ’に沿う断面のうちダイパッド部
分を示す断面図である。
分を示す断面図である。
【図４】樹脂封止後の半導体装置の断面図である。
【図５】ダイパッド裏面で水分が気化膨張したときの様
子を示す図である。
子を示す図である。
【図６】樹脂封止後の半導体装置の断面の一部を示す図
である。
である。
【図７】樹脂封止後の半導体装置の断面図である。
【図８】従来のエッチング法によるダイパッドの断面を
示す図である。
示す図である。
【図９】図８のダイパッドの断面の一部を示す図であ
る。
る。
１ リードフレーム ２ 樹脂 ４ 気化膨張領域 ５ 球形粒子 ５３ 微粒子 ６ リード ７ ダイパッド ８ 半導体チップ ９ ボンディングワイヤ １０ 接着剤 １３、１４ オーバーハング部 １６ タイバー
Claims (4)
- 【請求項１】半導体チップと、 前記半導体チップを表面に搭載するダイパッドと、 前記半導体チップ上の電極と電気的に接続するリードと
を備えたリードフレームと、 前記リードフレーム表面に固着された粒子と、 前記リードの前記粒子を固着した部分をモールドした樹
脂とを有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】前記粒子が球形であることを特徴とする特
許請求の範囲請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】前記粒子を前記リードフレーム中央のダイ
パッドの裏面に固着させたことを特徴とする特許請求の
範囲請求項１または２記載の半導体装置。 - 【請求項４】前記粒子をインナーリード根本部に固着さ
せたことを特徴とする特許請求の範囲請求項１乃至３記
載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22764391A JPH0567722A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22764391A JPH0567722A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0567722A true JPH0567722A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=16864097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22764391A Pending JPH0567722A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0567722A (ja) |
Cited By (3)
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