JPH0927583A - 半導体集積回路装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 封止性を向上させ、リードフレームの標準化
とコスト低減を図る半導体集積回路装置およびその製造
方法を提供する。 【構成】 配線部２ａを有しかつ表面２ｂもしくは裏面
２ｃの少なくともどちらか一方の面の外周部２ｄに配置
する端子部２ｅが設けられたプリント基板２と、端子部
２ｅを残してプリント基板２に搭載された半導体チップ
１およびその周辺部１ａを樹脂封止する樹脂部材３と、
予め表面がめっきされかつ端子部２ｅに接続されるアウ
タリード４ａとからなり、プリント基板２上で半導体チ
ップ１の樹脂封止を行った後、プリント基板２にアウタ
リード４ａが接続される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置お
よびその製造技術に関し、特に、樹脂によって封止を行
う半導体集積回路装置およびその製造方法に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。

【０００３】電子機器やコンピュータなどでは、その小
形化、軽量化あるいは高性能化に伴い、半導体集積回路
装置の高速化や高集積化が求められている。

【０００４】前記要求に対応する半導体集積回路装置の
一例として、ＱＦＰ(Quad Flat Package) と称される樹
脂封止型の半導体集積回路装置が知られている。このＱ
ＦＰは、リードフレームがガルウィング形状を成してい
る。

【０００５】ここで、前記半導体集積回路装置の主な製
造方法について説明すると、まず、半導体素子をリード
フレームに搭載し、その後、樹脂封止を行い、さらに、
リードフレームのアウタリードを外装めっきし、最後に
アウタリードの切断成形を行う。

【０００６】なお、ＱＦＰについては、例えば、１９９
３年５月３１日、日経ＢＰ社発行、香山晋、成瀬邦彦
（監）「実践講座ＶＬＳＩパッケージング技術（上）」
８２〜８４頁に記載されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術においては、半導体素子の大きさやワイヤボンディン
グ技術、あるいは樹脂封止技術に制限があるため、リー
ドフレームの品種の数が増加するという問題があり、そ
の結果、リードフレームの価格向上につながることが問
題とされる。

【０００８】そこで、本発明の目的は、封止性を向上さ
せ、リードフレームの標準化とコスト低減を図る半導体
集積回路装置およびその製造方法を提供することにあ
る。

【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１１】すなわち、本発明による半導体集積回路装
置は、配線部を有しかつ表裏面の少なくともどちらか一
方の面の外周部に配置する端子部が設けられた絶縁基板
と、前記端子部を残して前記絶縁基板に搭載された半導
体素子およびその周辺部を封止する封止部材と、予め表
面がめっきされかつ前記端子部に接続される外部リード
とを有し、前記絶縁基板上で前記半導体素子の封止を行
った後、前記絶縁基板に前記外部リードが接続されるも
のである。

【００１２】また、本発明による半導体集積回路装置
は、配線部を有しかつ表裏面の少なくともどちらか一方
の面の外周部に配置する端子部が設けられた絶縁基板
と、前記端子部を残して前記絶縁基板に搭載された半導
体素子およびその周辺部を樹脂封止する樹脂部材と、予
め表面がめっきされかつ前記端子部に接続される外部リ
ードとを有し、前記絶縁基板上で前記半導体素子の樹脂
封止を行った後、前記絶縁基板に前記外部リードが接続
されるものである。

【００１３】さらに、本発明による半導体集積回路装置
は、前記絶縁基板がその封止箇所に少なくとも１つの貫
通孔を有し、多連のフレーム状に形成されているもので
ある。

【００１４】なお、本発明による半導体集積回路装置の
外部リードは、はんだなどの導電材料によってその表面
が予めめっきされたリードフレームである。

【００１５】また、本発明による半導体集積回路装置の
製造方法は、前記絶縁基板に前記半導体素子を搭載した
後、前記半導体素子上の電極と前記配線部とを導電部材
によって電気的に接続し、前記半導体素子およびその周
辺部を樹脂封止する金型の所定箇所に前記絶縁基板を配
置した後、前記絶縁基板上において前記端子部を残した
それ以外の箇所を樹脂封止し、樹脂封止終了後、予め表
面がめっきされた外部リードを前記端子部に接続して前
記外部リードを切断成形するものである。

【００１６】

【作用】上記した手段によれば、半導体素子が絶縁基板
上に搭載され、かつ絶縁基板上においてその封止が行わ
れるため、封止の際の封止部材の移動、特に、樹脂封止
時の樹脂の流れを整流化することができる。これによ
り、ボンディングワイヤの変形を抑制することができ、
さらに、半導体素子の位置移動を防止することができ
る。

【００１７】その結果、封止性、特に樹脂封止性を向上
することができる。

【００１８】さらに、剛性を有した絶縁基板において配
線部のボンディングを行うことができるため、ボンディ
ング性を向上できる。

【００１９】なお、樹脂封止性とボンディング性とを向
上することができ、かつ絶縁基板が多連のフレーム状に
形成されていることにより、絶縁基板およびその配線部
のパターンの標準化とコスト低減を図ることができる。

【００２０】また、リードフレームが外部リードである
アウタリードだけによって形成されているため、リード
フレームの品種の数を低減することができる。

【００２１】さらに、絶縁基板はエポキシ系またはポリ
イミド系などの樹脂あるいはセラミックによって形成さ
れた複合積層板であることにより、半導体集積回路装置
を樹脂またはセラミックベースの実装基板に実装する場
合、相互にその素材を樹脂またはセラミック材料にする
ことができる。

【００２２】また、リードフレームにおいて少なくとも
外部リードの表面が、予めめっきされていることによ
り、封止後のリードフレームの外装めっき工程を削除す
ることができる。

【００２３】なお、樹脂封止の際に、金型が絶縁基板と
クランプする箇所において、絶縁基板の配線部が形成さ
れていない箇所と配線部との段差によって隙間が形成さ
れる。これにより、封止する樹脂部材中の空気を逃がす
エアベント効果を生み出し、内部ボイドの低減と歩留り
を向上することができる。

【００２４】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。

【００２５】図１は本発明による半導体集積回路装置の
構造の一実施例を示す断面図、図２は本発明による半導
体集積回路装置の構造の一実施例を示す平面図、図３は
本発明の半導体集積回路装置における絶縁基板の構造の
一実施例を示す部分平面図、図４は本発明の半導体集積
回路装置におけるリードフレームの構造の一実施例を示
す部分平面図、図５は本発明による半導体集積回路装置
の製造方法の一実施例を示す部分断面図、図６は本発明
による半導体集積回路装置の製造方法の一実施例を示す
部分断面図である。

【００２６】本実施例の半導体集積回路装置の構成につ
いて説明すると、配線部２ａを有しかつ表面２ｂもしく
は裏面２ｃ（本実施例では半導体集積回路装置を実装す
る実装基板側を裏面２ｃ、その反対側を表面２ｂとす
る）の少なくともどちらか一方の面の外周部２ｄに配置
する端子部２ｅが設けられた絶縁基板であるプリント基
板２と、端子部２ｅを残してプリント基板２に搭載され
た半導体素子である半導体チップ１およびその周辺部１
ａを樹脂封止する樹脂部材３と、予め表面がめっきされ
かつ端子部２ｅに接続される外部リードであるアウタリ
ード４ａとから構成され、プリント基板２上で半導体チ
ップ１の樹脂封止を行った後、プリント基板２にアウタ
リード４ａが接続されるものである。

【００２７】ここで、絶縁基板であるプリント基板２
は、ＰＣＢ（Printed Circuited Board)とも呼ばれ、図
１〜図３に示すように、プリント基板本体部２ｆの中央
付近には半導体チップ１を載置するタブ２ｇが設けら
れ、さらに、その周囲には配線パターンなどの配線部２
ａが形成されている。

【００２８】また、配線部２ａは、タブ２ｇ寄りの先端
にインナリード端子２ｈを有し、さらに、外周部２ｄ付
近の先端にアウタリード４ａを接続する端子部２ｅを有
している。

【００２９】ここで、端子部２ｅには、はんだめっきな
どが行われ、さらに、配線部２ａの厚さは３０〜４０μ
ｍ程度である。

【００３０】なお、配線部２ａ、インナリード端子２ｈ
または端子部２ｅは、プリント基板２の表面２ｂもしく
は裏面２ｃの両方に設けられていてもよい。この場合、
配線部２ａ内に設けられかつ配線パターンが形成された
スルーホール部２ｉなどを介すことにより、表裏両面の
配線部２ａを電気的に接続することができる。

【００３１】さらに、本実施例のプリント基板２は、図
３に示すように、複数個のプリント基板本体部２ｆが多
連のフレーム状に形成されているものである。すなわ
ち、複数個のプリント基板本体部２ｆがその周囲に設け
られたスリット部２ｋを境界にし、つながって配置され
ている。

【００３２】また、プリント基板２は、樹脂部材３（図
１参照）によって封止される封止箇所に少なくとも１つ
の貫通孔２ｊを有している。この貫通孔２ｊは、樹脂封
止の際に、樹脂部材３がプリント基板２の表裏両面側に
行き渡るように樹脂部材３の通路として設けられている
ものであり、好ましくは複数個設けられている。

【００３３】さらに、プリント基板２は、エポキシ系ま
たはポリイミド系などの樹脂あるいはセラミックによっ
て形成された複合積層板である。

【００３４】また、本実施例のリードフレーム４は、図
４に示すように、外部リードであるアウタリード４ａだ
けを有するものである。したがって、複数個のアウタリ
ード４ａが多連のフレーム状に形成されている。

【００３５】なお、リードフレーム４は、少なくともア
ウタリード４ａがはんだやＰｄなどによって、予め外装
めっきされているものであるが、リードフレーム４全体
が外装めっきされていてもよい。

【００３６】さらに、本実施例のリードフレーム４は、
プリント基板２に接続した後にアウタリード４ａの切断
および曲げ成形を行うものであるが、アウタリード４ａ
が予め所望の形状に曲げ成形されたリードフレーム４を
用いてもよい。

【００３７】また、本実施例の半導体集積回路装置にお
いては、半導体チップ１がプリント基板２上のタブ２ｇ
に導電性あるいは非導電性の接着剤などによって固定さ
れている。

【００３８】さらに、半導体チップ１上の電極１ｂが、
金もしくはアルミニウムなどからなる導電部材であるボ
ンディングワイヤ５によって、配線部２ａのインナリー
ド端子２ｈと電気的に接続されている。

【００３９】また、半導体チップ１およびその周辺部１
ａ、すなわち、半導体チップ１、ボンディングワイヤ
５、インナリード端子２ｈおよび配線部２ａの局部など
が、熱硬化性の樹脂部材３によって樹脂封止されてい
る。

【００４０】ただし、プリント基板２の外周部２ｄにお
いて、配線部２ａの先端に配置する端子部２ｅは、樹脂
封止されていない。

【００４１】なお、配線部２ａの他方の先端に配置する
インナリード端子２ｈは、外部装置（例えば、半導体集
積回路装置を実装する実装基板もしくは他の測定装置な
ど）と電気的に接続されてもよい。

【００４２】次に、本実施例の半導体集積回路装置の製
造方法について説明する。

【００４３】まず、エッチングなどによって配線パター
ン、すなわち配線部２ａが形成され、かつプレスもしく
はルータなどによってその外形が加工された絶縁基板で
あるプリント基板２を準備する。

【００４４】さらに、プリント基板２のタブ４に半導体
チップ１を搭載して接着剤などによって固定し、続い
て、半導体チップ１上の電極１ｂと配線部２ａのインナ
リード端子２ｈとをボンディングワイヤ５によって電気
的に接続する。

【００４５】その後、半導体チップ１およびその周辺部
１ａを樹脂封止する金型６の所定箇所にプリント基板２
を配置する。

【００４６】この時、金型６については、その内部の樹
脂部材３を注入する箇所の大きさが、プリント基板２上
の端子部２ｅには樹脂を形成しない程度のものを用い
る。

【００４７】これにより、ゲート部６ａを介して金型６
内に樹脂部材３を注入し、プリント基板２上において端
子部２ｅを残したそれ以外の箇所を樹脂封止する。

【００４８】ここで、プリント基板２は、封止が行われ
る箇所に少なくとも１つの貫通孔２ｊを有しているた
め、樹脂部材３がこれを通過し、プリント基板２の表裏
両面側に行き渡る。その結果、プリント基板２の表裏両
面側を樹脂封止できる。

【００４９】なお、図５、図６に示すように、金型６を
クランプした際に、プリント基板２の配線部２ａが形成
されていない箇所と配線部２ａとの段差７によって隙間
（金型６とプリント基板２との間で、前記段差７によっ
て生じる隙間）が形成されることにより、金型６内に注
入された樹脂部材３中の空気を逃がすエアベント効果を
生み出すことができる。

【００５０】続いて、樹脂部材３を熱硬化し、樹脂封止
を終了する。

【００５１】その後、金型６内からプリント基板２を取
り出し、予め外装めっきされたアウタリード４ａをプリ
ント基板２の端子部２ｅに熱圧着などによって接続す
る。

【００５２】この時、例えば、プリント基板２の表裏両
面に端子部２ｅが形成されている場合、アウタリード４
ａは表裏どちらの面の端子部２ｅに接続することも可能
である。

【００５３】さらに、リードフレーム４において、アウ
タリード４ａを切断する。この時、プリント基板２も同
時に切断する。

【００５４】その後、アウタリード４ａを所望の形状に
曲げ成形する。なお、本実施例の半導体集積回路装置
は、アウタリード４ａをガルウィング形状に曲げ成形し
たＱＦＰタイプのものであるが、ＱＦＰ以外の他の半導
体集積回路装置であってもよい。

【００５５】なお、予め所望の形状に曲げ成形が行われ
たリードフレーム４を用いる場合、アウタリード４ａお
よびプリント基板２の切断後の曲げ成形（曲げ工程）を
省くことができる。

【００５６】次に、本実施例の半導体集積回路装置およ
びその製造方法によって得られる作用効果について説明
する。

【００５７】すなわち、半導体チップ１がプリント基板
２上に搭載され、かつプリント基板２上においてその樹
脂封止が行われるため、樹脂封止時の樹脂部材３の流れ
を整流化することができる。これにより、ボンディング
ワイヤ５の変形を抑制することができ、さらに、半導体
チップ１の位置移動を防止することができる。

【００５８】その結果、樹脂封止性を向上することがで
きる。

【００５９】また、プリント基板２に形成された配線部
２ａは、その厚さが３０〜４０μｍ程度であるため、配
線部２ａのファインピッチ化（細パターン化）ができ
る。

【００６０】これにより、剛性を有したプリント基板２
において配線部２ａのボンディングを行うことができる
ため、ボンディング性を向上できる。

【００６１】なお、樹脂封止性とボンディング性とを向
上することができ、かつプリント基板２が多連のフレー
ム状に形成されていることにより、プリント基板２およ
びその配線部２ａのパターンの標準化とコスト低減を図
ることができる。

【００６２】また、リードフレーム４が外部リードであ
るアウタリード４ａだけによって形成されているため、
リードフレーム４の品種の数を低減することができ、そ
の結果、リードフレーム４の標準化とコスト低減を図る
ことができる。

【００６３】さらに、プリント基板２はエポキシ系また
はポリイミド系などの樹脂あるいはセラミックによって
形成された複合積層板であることにより、半導体集積回
路装置を樹脂またはセラミックベースの実装基板に実装
する場合、相互にその素材を樹脂またはセラミック材料
にすることができる。

【００６４】その結果、半導体集積回路装置の実装時も
しくは実装後の熱疲労に対する歩留りを向上することが
でき、また、接続部の信頼性を向上することもできる。

【００６５】また、リードフレーム４において少なくと
もアウタリード４ａの表面が、予め外装めっきされてい
ることにより、樹脂封止後のリードフレーム４の外装め
っき工程を削除することができる。

【００６６】これにより、半導体集積回路装置の製造工
程におけるスループットを向上することができ、また、
製造コストを低減することができる。

【００６７】なお、樹脂封止の際に、金型６がプリント
基板２とクランプする箇所において、プリント基板２の
配線部２ａが形成されていない箇所と配線部２ａとの段
差７によって隙間が形成される。

【００６８】これにより、樹脂部材３中の空気を逃がす
エアベント効果を生み出し、内部ボイドの低減と歩留り
を向上することができる。

【００６９】ここで、前記隙間から流出する樹脂部材３
は、プリント基板２のベースである樹脂部との密着性が
良いため、前記流出した樹脂部材３が落下または脱落す
ることを低減できる。

【００７０】これにより、アウタリード４ａの切断成形
時に不良が発生することを低減できる。

【００７１】また、封止する樹脂部材３は、プリント基
板２のベースである樹脂部との密着性が良好であること
により、半導体集積回路装置の実装時の信頼性を向上す
ることができる。

【００７２】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。

【００７３】例えば、前記実施例で説明した半導体集積
回路装置は、半導体素子が搭載されるプリント基板の両
面を樹脂封止するものであったが、少なくとも半導体素
子とその周辺部が封止されていれば、片面だけの封止で
あってもよい。

【００７４】また、前記半導体集積回路装置は、半導体
素子およびその周辺部が金型によって樹脂封止されるも
のであったが、封止は金型を用いた樹脂封止だけでな
く、ゲル状の封止部材をポッティングする封止などであ
ってもよく、さらに、アルミニウムなどによって形成さ
れたキャップ部材を用いた封止であってもよい。

【００７５】なお、プリント基板の外周部に設けられた
端子部はアウタリードを熱圧着するものであったが、ア
ウタリードの接合時にピンを挿入するピン挿入タイプに
することもできる。これにより、アウタリードの形状に
ついては、種々の形状に曲げ成形を行うことができる。

【００７６】また、前記実施例の半導体集積回路装置
は、プリント基板に１つの半導体素子を搭載するもので
あったが、図７の他の実施例の半導体集積回路装置に示
すように、プリント基板２上でハイブリッド構成を実
現、すなわちプリント基板２の表裏両面に複数個の半導
体チップ１を搭載し、封止するものであってもよい。

【００７７】さらに、図８の他の実施例の半導体集積回
路装置に示すように、プリント基板２の外周部２ｄの表
裏両面に端子部２ｅを設けることにより、表裏両面の端
子部２ｅにアウタリード４ａを接合することもできる。

【００７８】その結果、半導体チップ１を上下に複数個
積層したハイブリッドタイプの半導体集積回路装置を実
現することもできる。

【００７９】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００８０】（１）．半導体素子が絶縁基板上に搭載さ
れ、かつ絶縁基板上においてその封止が行われるため、
封止の際の封止部材の移動、特に、樹脂封止時の樹脂の
流れを整流化することができる。これにより、ボンディ
ングワイヤの変形を抑制することができ、さらに、半導
体素子の位置移動を防止することができる。

【００８１】その結果、封止性、特に樹脂封止性を向上
することができる。

【００８２】（２）．絶縁基板に形成された配線部は、
その厚さが３０〜４０μｍ程度であるため、配線部のフ
ァインピッチ化（細パターン化）が可能になる。

【００８３】これにより、剛性を有した絶縁基板におい
て配線部のボンディングを行うことができるため、ボン
ディング性を向上できる。

【００８４】（３）．樹脂封止性とボンディング性とを
向上することができ、かつ絶縁基板が多連のフレーム状
に形成されていることにより、絶縁基板およびその配線
部のパターンの標準化とコスト低減を図ることができ
る。

【００８５】（４）．リードフレームが外部リードであ
るアウタリードだけによって形成されているため、リー
ドフレームの品種の数を低減することができ、その結
果、リードフレームの標準化とコスト低減を図ることが
できる。

【００８６】（５）．絶縁基板はエポキシ系またはポリ
イミド系などの樹脂あるいはセラミックによって形成さ
れた複合積層板であることにより、半導体集積回路装置
を樹脂またはセラミックベースの実装基板に実装する場
合、相互にその素材を樹脂またはセラミック材料にする
ことができる。

【００８７】その結果、半導体集積回路装置の実装時も
しくは実装後の熱疲労に対する歩留りを向上することが
でき、また、接続部の信頼性を向上することもできる。

【００８８】（６）．リードフレームにおいて少なくと
も外部リードの表面が、予めめっきされていることによ
り、封止後のリードフレームのめっき工程を削除するこ
とができる。これにより、半導体集積回路装置の製造工
程におけるスループットを向上することができ、また、
製造コストを低減することができる。

【００８９】（７）．樹脂封止の際に、金型が絶縁基板
とクランプする箇所において、絶縁基板の配線部が形成
されていない箇所と配線部との段差によって隙間が形成
される。これにより、封止する樹脂部材中の空気を逃が
すエアベント効果を生み出し、内部ボイドの低減と歩留
りを向上することができる。

【００９０】（８）．（７）で説明した隙間から流出す
る樹脂部材は、絶縁基板のベースである樹脂部との密着
性が良いため、流出した樹脂部材が落下または脱落する
ことを低減できる。その結果、外部リードの切断成形時
に不良が発生することを低減できる。

【００９１】（９）．封止する樹脂部材は、絶縁基板の
ベースである樹脂部との密着性が良好であることによ
り、半導体集積回路装置の実装時の信頼性を向上するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による半導体集積回路装置の構造の一実
施例を示す断面図である。

【図２】本発明による半導体集積回路装置の構造の一実
施例を示す平面図である。

【図３】本発明の半導体集積回路装置における絶縁基板
の構造の一実施例を示す部分平面図である。

【図４】本発明の半導体集積回路装置におけるリードフ
レームの構造の一実施例を示す部分平面図である。

【図５】本発明による半導体集積回路装置の製造方法の
一実施例を示す部分断面図である。

【図６】本発明による半導体集積回路装置の製造方法の
一実施例を示す部分断面図である。

【図７】本発明の他の実施例である半導体集積回路装置
の構造の一例を示す断面図である。

【図８】本発明の他の実施例である半導体集積回路装置
の構造の一例を示す断面図である。

【符号の説明】

１ 半導体チップ（半導体素子） １ａ 周辺部 １ｂ 電極 ２ プリント基板（絶縁基板） ２ａ 配線部 ２ｂ 表面 ２ｃ 裏面 ２ｄ 外周部 ２ｅ 端子部 ２ｆ プリント基板本体部 ２ｇ タブ ２ｈ インナリード端子 ２ｉ スルーホール部 ２ｊ 貫通孔 ２ｋ スリット部 ３ 樹脂部材（封止部材） ４ リードフレーム ４ａ アウタリード（外部リード） ５ ボンディングワイヤ（導電部材） ６ 金型 ６ａ ゲート部 ７ 段差

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体素子を搭載し、外部リードが接続
   される絶縁基板を有する半導体集積回路装置であって、 配線部を有し、かつ表裏面の少なくともどちらか一方の
   面の外周部に配置する端子部が設けられた絶縁基板と、 前記端子部を残して前記半導体素子およびその周辺部を
   封止する封止部材と、 予め表面がめっきされ、かつ前記端子部に接続される外
   部リードとを有し、 前記絶縁基板上で前記半導体素子の封止を行った後、前
   記絶縁基板に前記外部リードが接続されることを特徴と
   する半導体集積回路装置。
2. 【請求項２】 半導体素子を搭載し、外部リードが接続
   される絶縁基板を有する半導体集積回路装置であって、 配線部を有し、かつ表裏面の少なくともどちらか一方の
   面の外周部に配置する端子部が設けられた絶縁基板と、 前記端子部を残して前記半導体素子およびその周辺部を
   樹脂封止する樹脂部材と、 予め表面がめっきされ、かつ前記端子部に接続される外
   部リードとを有し、 前記絶縁基板上で前記半導体素子の樹脂封止を行った
   後、前記絶縁基板に前記外部リードが接続されることを
   特徴とする半導体集積回路装置。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体集積回路
   装置であって、前記絶縁基板はその封止箇所に少なくと
   も１つの貫通孔を有し、多連のフレーム状に形成されて
   いることを特徴とする半導体集積回路装置。
4. 【請求項４】 請求項１，２または３記載の半導体集積
   回路装置であって、前記絶縁基板はエポキシ系またはポ
   リイミド系などの樹脂あるいはセラミックによって形成
   された複合積層板であることを特徴とする半導体集積回
   路装置。
5. 【請求項５】 請求項１，２，３または４記載の半導体
   集積回路装置であって、前記外部リードは、はんだなど
   の導電材料によってその表面が予めめっきされたリード
   フレームであることを特徴とする半導体集積回路装置。
6. 【請求項６】 請求項１，２，３，４または５記載の半
   導体集積回路装置の製造方法であって、 前記絶縁基板に前記半導体素子を搭載した後、前記半導
   体素子上の電極と前記配線部とを導電部材によって電気
   的に接続し、 前記半導体素子およびその周辺部を樹脂封止する金型の
   所定箇所に前記絶縁基板を配置した後、前記絶縁基板上
   において前記端子部を残したそれ以外の箇所を樹脂封止
   し、 樹脂封止終了後、予め表面がめっきされた外部リードを
   前記端子部に接続して前記外部リードを切断成形するこ
   とを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。